JP2007019362A - レジストおよびこれを用いた表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 レジスト12はベースフィルム11、クッション層10、上層レジスト8、下層レジスト7、カバーフィルム9の五層で構成される。構造材の厚みは、ベースフィルム11が50乃至100μm、クッション層10が10乃至30μm、上層レジスト8が0.5乃至1.0μm、下層レジスト7が0.5乃至1.0μm、カバーフィルム9が10乃至30μmである。
【選択図】 図2
Description
ベースフィルムの上に、クッション層、上層レジスト、下層レジストがこの順に積層され、その最表面にカバーフィルムを有する5層構造で、前記上層レジストの感度が前記下層レジストよりも高い二層フィルム状のレジストを前記積層膜の上に転写する二層レジスト転写工程と、
ハーフ露光マスクを用いて前記二層フィルム状のレジストの上層レジストおよび下層レジストを露光し、現像処理して前記上層および下層レジストのそれぞれに所用のレジストパターンを形成する二層レジストパターニング工程と、
前記上層レジストを熱架橋させると共に前記下層レジストを軟化させて前記積層膜との密着性を向上させるレジストベーキング工程と、
前記下層レジストのパターンから露出した前記金属膜を除去する金属膜パターニング工程と、
前記下層レジストのパターンから露出した前記非金属多層膜を除去する非金属多層膜パターニング工程と、
酸素アッシングにより前記上層レジストのパターンで前記下層レジストを除去する下層レジストパターニング工程と、
前記下層レジストのパターンで薄膜トランジスタのチャネル部における前記金属膜を除去してソース電極とドレイン電極に分離するチャネル部金属膜除去工程と、
前記チャネル部金属膜除去工程で露出した前記コンタクト膜を除去するn+a‐Si膜パターニング工程と、を含む。
クッション層10・・・・・・10乃至30μm
上層レジスト8・・・・・・0.5乃至1.0μm
下層レジスト7・・・・・・0.5乃至1.0μm
カバーフィルム9・・・・・・10乃至30μm
なお、これはあくまで一例である。
Claims (17)
- 絶縁基板上に絶縁層である窒化シリコン膜、活性層となるa‐Si膜、コンタクト層となるn+a‐Si膜をこの順で積層した非金属多層膜と、ソース/ドレイン電極となる金属膜を前記非金属多層膜の上に積層した薄膜トランジスタ構成材料の積層膜を形成する積層膜形成工程と、
ベースフィルムの上に、クッション層、上層レジスト、下層レジストがこの順に積層され、その最表面にカバーフィルムを有する5層構造で、前記上層レジストの感度が前記下層レジストよりも高い二層フィルム状のレジストを前記積層膜の上に転写する二層レジスト転写工程と、
ハーフ露光マスクを用いて前記二層フィルム状のレジストの上層レジストおよび下層レジストを露光し、現像処理して前記上層および下層レジストのそれぞれに所用のレジストパターンを形成する二層レジストパターニング工程と、
前記上層レジストを熱架橋させると共に前記下層レジストを軟化させて前記積層膜との密着性を向上させるレジストベーキング工程と、
前記下層レジストのパターンから露出した前記金属膜を除去する金属膜パターニング工程と、
前記下層レジストのパターンから露出した前記非金属多層膜を除去する非金属多層膜パターニング工程と、
酸素アッシングにより前記上層レジストのパターンで前記下層レジストを除去する下層レジストパターニング工程と、
前記下層レジストのパターンで薄膜トランジスタのチャネル部における前記金属膜を除去してソース電極とドレイン電極に分離するチャネル部金属膜除去工程と、
前記チャネル部金属膜除去工程で露出した前記コンタクト膜を除去するn+a‐Si膜パターニング工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記金属膜パターニング工程および前記チャネル部金属膜除去工程が、ウエットエッチング加工工程であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 前記非金属多層膜パターニング工程およびn+a‐Si膜パターニング工程が、ドライエッチング加工工程であることを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装置の製造方法。
- 絶縁基板上に絶縁層である窒化シリコン膜、活性層となるa‐Si膜、コンタクト層となるn+a‐Si膜をこの順で積層した非金属多層膜と、ソース/ドレイン電極となる金属膜を前記非金属多層膜の上に積層した薄膜トランジスタ構成材料の積層膜を形成する積層膜形成工程と、
ベースフィルムの上に、クッション層、上層レジスト、下層レジストがこの順に積層され、その最表面にカバーフィルムを有する5層構造で、前記上層レジストの感度が前記下層レジストよりも高い二層フィルム状のレジストを前記積層膜の上に転写する二層レジスト転写工程と、
前記二層レジストの一方を直描方式でパターニングして所要のパターンを形成する第1のパターニング工程と、
前記二層レジストの他方を露光マスクを用いてパターニングして所要のパターンを形成する第2のパターニング工程と、
前記上層レジストを熱架橋させると共に前記下層レジストを軟化させて前記積層膜との密着性を向上させるレジストベーキング工程と、
前記下層レジストのパターンから露出した前記金属膜を除去する金属膜パターニング工程と、
前記下層レジストのパターンから露出した前記非金属多層膜を除去する非金属多層膜パターニング工程と、
酸素アッシングにより前記上層レジストのパターンで前記下層レジストを除去する下層レジストパターニング工程と、
前記下層レジストのパターンで薄膜トランジスタのチャネル部における前記金属膜を除去してソース電極とドレイン電極に分離するチャネル部金属膜除去工程と、
前記チャネル部金属膜除去工程で露出した前記コンタクト膜を除去するn+a‐Si膜パターニング工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記金属膜パターニング工程および前記チャネル部金属膜除去工程が、ウエットエッチング加工工程であることを特徴とする請求項4に記載の表示装置の製造方法。
- 前記非金属多層膜パターニング工程およびn+a‐Si膜パターニング工程が、ドライエッチング加工工程であることを特徴とする請求項4又は5に記載の表示装置の製造方法。
- ベースフィルムの上に、クッション層、上層レジスト、下層レジストを順に積層し、その最表面をカバーフィルムで覆った5層構造としたことを特徴とするフィルム状のレジスト。
- 前記ベースフィルムが、高分子樹脂の成形品であることを特徴とする請求項7に記載のフィルム状のレジスト。
- 前記高分子樹脂が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、セルロースアセテートの何れかであることを特徴とする請求項8に記載のフィルム状のレジスト。
- 前記クッション層が、低いガラス転移温度の熱可塑性高分子樹脂であることを特徴とする請求項7に記載のフィルム状のレジスト。
- 前記熱可塑性高分子樹脂が、エチレン、(メタ)アクリル酸エステル、不飽和アルキルエーテルの何れかで構成されていることを特徴とする請求項10に記載のフィルム状のレジスト。
- 前記上層レジストの感度が前記下層レジストのそれよりも高いことを特徴とする請求項7に記載のフィルム状のレジスト。
- 前記上層レジストが、熱架橋システムを有するか、又は前記下層レジストよりも分子量が大であるか、若しくは該熱架橋システムを有し、かつ該下層レジストよりも分子量が大であるかの何れかであることを特徴とする請求項12に記載のフィルム状のレジスト。
- 前記レジストが、フェノールノボラック型レジストであることを特徴とする請求項12又は13に記載のフィルム状のレジスト。
- 前記レジストが、化学増幅型レジストであることを特徴とする請求項12又は13に記載のフィルム状のレジスト。
- 前記カバーフィルムが、高分子樹脂の成形品であることを特徴とする請求項7に記載のフィルム状のレジスト。
- 前記カバーフィルムが、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレンの何れかであることを特徴とする請求項16に記載のフィルム状のレジスト。
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