JP2013219751A5 - - Google Patents

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  1. 放射線を電荷に変換するための変換素子と、ゲートとソースとドレインとを有して前記ソース及び前記ドレインの一方が前記変換素子に接続され前記ソース及びドレインの他方が電源に接続されたトランジスタと、を有する画素が複数の行及び複数の列を構成するように複数配された撮像部と、
    記トランジスタのゲートに電圧を供給して各画素を駆動する駆動部と、
    前記駆動部を制御する制御部と、を備える放射線撮像装置であって
    前記制御部は、
    前記トランジスタを導通状態にするための導通電圧の前記トランジスタのゲートへの供給を前記複数の行に対して少なくとも1つの行を含む単位で順に行う第1動作を複数回行い、
    前記放射線の照射に応答して前記第1動作の前記導通電圧の供給を停止し、前記第1動作の前記導通電圧の供給の停止に応じて前記トランジスタを非導通状態にするための非導通電圧の前記トランジスタのゲートへの供給を前記複数の行に対して行う第2動作を行い、
    前記第2動作の終了に応じて前記導通電圧の前記トランジスタのゲートへの供給を前記複数の行に対して順に行う第3動作を行う
    ように、前記駆動部を制御
    前記第1動作において各画素の前記トランジスタのゲートに前記導通電圧を供給する時間、前記第3動作において各画素の前記トランジスタのゲートに前記導通電圧を供給する時間よりも短
    ことを特徴とする放射線撮像装置。
  2. 前記制御部は、更に、
    前記第3動作の終了に応じて前記導通電圧の前記トランジスタのゲートへの供給を前記複数の行に対して少なくとも1つの行を含む単位で順に行う第4動作を複数回行い、
    前記複数の行のうち前記第1動作において前記導通電圧の供給が停止された行で前記第4動作の前記導通電圧の供給を停止し、前記第4動作の前記導通電圧の供給の停止に応じて前記非導通電圧の前記トランジスタのゲートへの供給を前記複数の行に対して行う第5動作を行い、
    前記第5動作の終了に応じて前記導通電圧の前記トランジスタのゲートへの供給を前記複数の行に対して順に行う第6動作を行
    ように、前記駆動部を制御する
    ことを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。
  3. 前記第3動作によって得られた第1画像信号と、前記第6動作によって得られた第2画像信号と、を取得する処理部を更に有する
    ことを特徴とする請求項2に記載の放射線撮像装置。
  4. 前記処理部は前記第1画像信号と前記第2画像信号との差分を算出して取得する
    ことを特徴とする請求項3に記載の放射線撮像装置。
  5. 放射線を電荷に変換するための変換素子を有する画素が複数の行及び複数の列を構成するように複数配された撮像部と、
    各画素を駆動する駆動部と、
    前記駆動部を制御する制御部と、を備える放射線撮像装置であって
    前記制御部は、
    前記変換素子を初期化するための第1信号の各画素への供給を前記複数の行について少なくとも1つの行を含む単位で順に行う第1動作を複数回行い、
    前記放射線の照射に応答して前記第1信号の供給を停止し、各画素に電荷を蓄積させる第2動作を行い、
    前記第2動作の終了に応じて、前記変換素子から信号を出力させるための第2信号の各画素への供給を前記複数の行について順に行う第3動作を行う
    ように、前記駆動部を制御
    前記第1動作において各画素に前記第1信号を供給する時間は、前記第3動作において各画素に前記第2信号を供給する時間よりも短い
    ことを特徴とする放射線撮像装置。
  6. 前記制御部は、更に、
    前記第3動作の終了に応じて前記第1信号の各画素への供給を複数の行について少なくとも1つの行を含む単位で順に行う第4動作を複数回行い、
    前記複数の行のうち前記第1動作の前記第1信号の供給が停止された行で前記第4動作の前記第1信号の供給を停止し、各画素に電荷を蓄積させる第5動作を行い、
    前記第5動作の終了に応じて前記第2信号の各画素への供給を前記複数の行に対して順に行う第6動作を行
    ように、前記駆動部を制御する
    ことを特徴とする請求項5に記載の放射線撮像装置。
  7. 前記第3動作によって得られた第1画像信号と、前記第6動作によって得られた第2画像信号と、を取得する処理部を更に有する
    ことを特徴とする請求項6に記載の放射線撮像装置。
  8. 前記処理部は前記第1画像信号と前記第2画像信号との差分を算出して取得する
    ことを特徴とする請求項7に記載の放射線撮像装置。
  9. 前記第1動作における前記導通電圧を供給する時間をΔton、前記複数の行の行数をx、前記第1動作の周期をΔt、前記第2動作を開始する時刻をT2、前記第4動作を開始する時刻をT4としたときに、
    Δton*x=Δt<(T4−T2)/10の関係が成り立つ
    ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  10. 前記第1動作又は第4動作の周期をΔt、前記第2動作を開始する時刻をT2、前記第5動作を開始する時刻をT5、前記変換素子の暗電流の応答特性をf(t)、前記第1画像信号と前記第2画像信号との差分を算出して取得された画像信号の標準偏差をσとしたときに、

    の関係が成り立つ
    ことを特徴とする請求項3、請求項4、請求項7および請求項8のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  11. 前記第1動作は、前記撮像部における複数の領域ごとに個別にそれぞれ行い、
    前記複数の領域のそれぞれは、複数の行を構成する複数の前記画素で構成され、
    前記複数の領域のそれぞれは、それに含まれる前記複数の画素のそれぞれを少なくとも1行を単位として周期的にリセットする順番が、隣り合う前記領域と互いに異なる
    ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  12. 前記第1動作に要する時間は、前記第3動作に要する時間よりも短い
    ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  13. 前記撮像部にバイアスを印加してから前記第2動作を開始する時刻までの時間が60秒以内である
    ことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  14. 前記撮像部に光を照射してから前記第2動作を開始する時刻までの時間が60秒以内である
    ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  15. 前記第1乃至第6動作までの一連の動作を60秒以内で行う
    ことを特徴とする請求項2乃至4および請求項6乃至10のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  16. 前記画素の各々における前記変換素子は、放射線を光に変換する蛍光体を有する層と、光電変換素子とを含む
    ことを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  17. 請求項1乃至16のいずれか1項に記載の放射線撮像装置と、
    前記放射線を発生させるための放射線源と、
    を具備することを特徴とする撮像システム。
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