JP6587517B2 - 放射線撮像システム - Google Patents

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Description

本発明は、放射線撮像システムに関する。
放射線によって形成される像を電気的に撮像する放射線撮像装置を含む放射線撮像システムが普及している。放射線撮像システムは、放射線源から放射線撮像装置に照射された放射線の量が規定照射量に達したことを検知し、その検知に基づいて放射線源からの放射線の照射を停止させる自動露出機能を備えうる。自動露出機能では、放射線の照射量が規定照射量に達したにも拘わらず、それを検知することができずに、被検体に対して放射線が過剰に照射されることは避けられるべきである。
特許文献1は、X線撮影装置に関するものである。特許文献1には、X線制御器にX線曝射のリミット時間として設定されているバックアップタイムが被検者の体厚とX線条件とから得られる撮影時間より短い場合に警報を発することが記載されている。
特許文献2は、放射線撮影システムに関するものである。特許文献2には、規定の照射時間よりも、放射線の照射開始から自動露出制御手段による放射線の照射停止までに最低限必要な最小照射時間が長い場合に、実際の放射線の照射時間が最小照射時間以上となるように管電流を補正することが記載されている。
特許第5333580号公報 特開2013−215518号公報
特許文献2に記載された技術では、管電流を補正することによって被検体への放射線の過剰な照射が防止されうる。しかしながら、管電流を小さくすることによる放射線強度の低下は、得られる放射線画像の画質の低下をもたらしうる。また、管電流を補正する方法は、そのような機能をサポートする放射線源およびそれを制御する曝射制御装置を必要とする。
本発明は、放射線画像の画質の低下を抑えつつ放射線の過剰な照射を回避するために有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の1つの側面は、放射線を検出する複数の素子が二次元配列された二次元アレイを有する放射線撮像システムに係り、前記複数の素子は、放射線の照射量が目標照射量に達したことに応じて放射線の照射を停止させる露出制御のために使用可能な複数の検出部を含み、前記放射線撮像システムは、前記複数の検出部からの信号の読出方法の設定に基づいて、放射線の照射が開始されてから前記二次元アレイからの信号に従って放射線の照射を停止させるまでに要する最小照射時間を決定し、前記最小照射時間が基準照射時間を超える場合にエラー処理を行う制御部を備える。
本発明によれば、放射線画像の画質の低下を抑えつつ放射線の過剰な照射を回避するために有利な技術が提供される。
第1実施形態の放射線撮像システムの構成を示す図。 第1実施形態の放射線撮像システムの放射線撮像装置における撮像部の構成を示す図。 第1実施形態の放射線撮像システムの動作を示す図。 カセッテの選択画面を例示する図。 撮影部位の選択画面を例示する図。 警告表示を例示する図。 自動露出制御の設定画面を例示する図。 管電流の設定画面を例示する図。 露出制御のための信号の読出方法を例示する図。 図9(a)の読出方法における動作例を示すタイミングチャート。 最小照射時間Teminが基準照射時間Teaを越える例を示す図。 図9(b)の読出方法における動作例を示すタイミングチャート。 図9(c)の読出方法における動作例を示すタイミングチャート。 露出制御のための信号の読出方法を例示する図。 第2実施形態の放射線撮像システムの放射線撮像装置における撮像部の構成を示す図。 第2実施形態における露出制御のための信号の読出方法を例示する図。 図16(a)の読出方法における動作例を示すタイミングチャート。
以下、本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
図1には、本発明の第1実施形態の放射線撮像システムDRSの構成が示されている。放射線撮像システムDRSは、放射線撮像装置100を備え、放射線源112から放射され被検体を透過した放射線で構成される像を電気的な画像信号として検出する。放射線の概念には、例えば、X線の他、α線、β線、γ線などが含まれうる。
放射線撮像システムDRSは、放射線源112、主制御装置(制御部)109および曝射制御装置110を更に備えうる。放射線源112は、放射線を放射する。主制御装置109は、放射線撮像装置100を制御する他、曝射制御装置110を介して放射線源112を制御する。主制御装置109の全部または一部の機能は、放射線撮像装置100または曝射制御装置110に組み込まれてもよい。曝射制御装置110の全部または一部の機能は、主制御装置または放射線撮像装置100に組み込まれてもよい。主制御装置109は、ディスプレイ114および入力装置115を含みうる。
放射線撮像装置100は、撮像部104と、信号処理部105と、撮像制御部106と、通信部107aとを含みうる。撮像部104は、放射線を検出する複数の素子が複数の行および複数の列を構成するように二次元配列された二次元アレイ101と、二次元アレイ101を駆動する駆動部102と、二次元アレイ101から信号を読み出す読出部103とを含む。信号処理部105は、撮像部104から出力される信号を処理する。撮像制御部106は、撮像部104、信号処理部105および通信部107aを制御する。通信部107aは、主制御装置109に設けられた通信部107aと無線または有線で通信する。つまり、放射線撮像装置100と主制御装置109とは、通信部107a、107bを介して通信する。
図2には、撮像部104の構成例が示されている。撮像部104は、前述のように、二次元アレイ101と、二次元アレイ101を駆動する駆動部102と、二次元アレイ101から信号を読み出す読出部103とを含みうる。二次元アレイ101は、放射線を検出する複数の素子ELが複数表および複数列を構成するように二次元配列された構成を有する。複数の素子ELは、放射線の照射量が目標照射量に達したことに応じて放射線の照射を停止させる露出制御のために使用可能な複数の検出部を含む。
第1実施形態では、各素子ELは、放射線画像を撮像する画素であるとともに、放射線の照射量が目標照射量に達したことに応じて放射線の照射を停止させる露出制御のために使用可能な検出部でもある。各素子(画素)ELは、放射線又は光を電荷に変換する変換素子CVと、変換素子CVが発生した電荷に応じた電気信号を出力するスイッチ素子TTと、を有する。
変換素子CVは、放射線を電荷に変換する。変換素子CVは、放射線を可視光に変換するシンチレータと、可視光を電荷に変換する光電変換素子とで構成されうる。この場合、シンチレータは、複数の変換素子CVによって共有されうる。変換素子CVは、放射線を直接に電荷に変換するように構成されてもよい。変換素子CVは、MIS型またはPIN型の光電変換素子で構成されうる。スイッチTTは、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)で構成されうる。スイッチTTは、駆動信号G(駆動信号G1、G2、G3・・・Gmのうち該当するもの)に応じて変換素子CVの第1電極と信号線SLとを接続する。変換素子CVの第2電極は、バイアス線Bsに接続される。バイアス線Bsには、バイアス電圧Vsが供給される。ここで、第n行の素子EL(のスイッチTT)を駆動する駆動信号をGn(n=1〜m)と記載する。
第n行の駆動信号Gnが駆動部102によってアクティブレベルに駆動されると、第n行の素子(画素)ELのスイッチTTがオン(導通)し、当該素子ELの変換素子CVに蓄積されていた電荷がスイッチTTを通して信号線SLに転送される。つまり、第n行の駆動信号Gnが駆動部102によってアクティブレベルに駆動されると、第n行の素子ELの信号が信号線SLに出力される。なお、この実施形態は、アクティブレベルはハイレベルであるが、アクティブレベルをローレベルとしてもよい。
読出部103は、信号線SLを介して素子ELから信号を読み出す。読出部103は、二次元アレイ101における列ごとに、積分増幅器131、可変増幅器132、サンプルホールド回路133、バッファアンプ134を有する。信号線SLに出力された信号は、積分増幅器131および可変増幅器132によって増幅され、サンプルホールド回路133によってサンプルホールドされ、バッファアンプ134によって増幅される。読出部103は、マルチプレクサ135を有し、列ごとに設けられたバッファアンプ134から出力された信号は、マルチプレクサ135によって選択されて増幅部140に出力される。増幅部140の出力は、AD変換器150によってAD変換されて、信号処理部105に出力される。
積分増幅器131は、演算増幅器と、積分容量と、リセットスイッチと、を有する。演算増幅器の反転入力端子には、信号線SLに出力された信号が入力され、非反転入力端子には、基準電圧Vrefが入力され、出力端子から増幅された信号が出力される。積分容量は、演算増幅器の反転入力端子と出力端子との間に配置される。可変増幅器132は、積分増幅器131から出力された信号を撮像制御部106によって指定される増幅率で増幅する。サンプルホールド回路133は、サンプリングスイッチと、サンプリング容量とで構成されうる。
積分増幅器131のリセットスイッチは、制御信号(リセット信号)RCによってオン(導通)・オフ(非導通)が制御される。サンプルホールド回路133のサンプリングスイッチは、制御信号(サンプリング信号)SHによってオン・オフが制御される。マルチプレクサ135は、二次元アレイ101から複数の信号線SLを通して読み出された信号を制御信号CLKに従って選択する。
駆動部102は、撮像制御部106から供給される制御信号(D−CLK、DIO、XOE)に応じて、二次元アレイ101の素子ELのスイッチTTを行単位に制御する駆動信号Gを発生する。駆動部102は、シフトレジスタを含み、制御信号D−CLKは、シフトレジスタにシフトクロックとして供給されるクロック信号である。制御信号DIOは、シフトレジスタに供給されるシフトパルスであり、制御信号XOEは、シフトレジスタの出力イネーブル信号である。この例では、駆動部102がシフトレジスタで構成されているが、駆動部102は、ランダムアクセス可能な回路で構成してもよい。
以下、図3を参照しながら放射線撮像システムRDSの動作を説明する。この動作は、主制御装置109によって制御されうる。主制御装置109は、例えば、CPUおよびメモリを有する汎用または専用のコンピュータで構成されうる。該メモリには、CPUを制御するためのコンピュータプログラムが格納され、CPUは、該コンピュータプログラムに従って動作する。
まず、ステップS100では、主制御装置109は、不図示の入力装置115を介して被験者IDを取得する。主制御装置109は、被検者IDに基づいて、予め登録されている被検者の情報(例えば、体重などの体格情報、過去の撮影条件など)を取得することができる。
次いで、ステップS102では、主制御装置109は、操作者から与えられる情報に従って、利用可能な複数の放射線撮像装置100の中から1つの放射線撮像装置100を選択する。ここで、放射線撮像装置100は、説明の便宜上、カセッテの形態であるものとする。よって、放射線撮像装置100は、カセッテとしても説明される。図4には、カセッテの選択画面が例示されている。この選択画面は、ディスプレイ114に表示され、操作者は、入力装置115を操作することによって、複数のカセッテC1〜C3の中から使用するカセッテを選択することができる。図4に示された例では、半折サイズのカセッテC1が選択されている。
次いで、ステップS104では、主制御装置109は、操作者から与えられる情報に従って、撮影部位を選択する。図5には、撮影部位の選択画面が例示されている。この選択画面は、ディスプレイ114に表示され、操作者は、入力装置115を操作することによって撮影部位を選択することができる。図5に示された例では、胸部撮影が選択されている。撮影部位には、基準照射時間が対応付けられている。
次いで、ステップS106では、主制御装置109は、例えば、使用する放射線撮像装置(カセッテ)100および撮影部位に基づいて、露出制御(AE)のために二次元アレイ101から信号を読み出す際の読出方法を設定する。ここで、露出制御とは、放射線の照射量が目標照射量に達したことに応じて、主制御装置109が放射線源112による放射線の照射を停止させる制御である。放射線の照射の停止は、主制御装置109が曝射制御装置110に対して停止指令を送ることによってなされる。停止指令を受けた曝射制御装置110は、放射線源112に放射線の照射を停止させる。
ステップS100で取得した被検者IDに基づいて被検者の体格情報等の被検者情報を取得することができる場合には、信号の読出方法の設定は、使用する放射線撮像装置100および撮影部位の他、被検者情報に基づいてなされうる。あるいは、信号の読出方法の設定は、使用する放射線撮像装置100、撮影部位および被検者情報の少なくも1つに基づいてなされうる。あるいは、使用する放射線撮像装置100、撮影部位および被検者情報とは無関係に、デフォルトの読出方法が設定されてもよい。
前述のとおり、第1実施形態では、各素子ELは、放射線画像を撮像する画素であるとともに、放射線の照射量が目標照射量に達したことに応じて放射線の照射を停止させる露出制御のために使用可能な検出部でもある。
二次元アレイ101からの信号の読出方法の設定は、複数の素子EL(検出部)のうち露出制御のために使用するべき少なくとも1つの素子EL(検出部)の指定を含みうる。また、露出制御のための少なくとも1つの素子EL(検出部)の指定は、二次元アレイ101を構成する複数の行から少なくとも1つの行を指定することによってなされてもよい。ここで、複数の行のそれぞれは、二次元アレイ101を構成する複数の素子EL(検出部)のいずれかを含む。露出制御のために指定された少なくとも1つの行に属する素子EL(検出部)は、露出制御のための少なくとも1つの素子EL(検出部)として指定されうる。露出制御のための少なくとも1つの素子EL(検出部)の指定は、二次元アレイ101における関心領域の指定、および、少なくとも1つの行の指定によりなされてもよい。この場合、指定された関心領域に属し、かつ、指定された少なくとも1つの行に属する素子EL(検出部)が、露出制御のための少なくとも1つの素子EL(検出部)として指定されうる。
あるいは、二次元アレイ101からの信号の読出方法の設定は、二次元アレイ101を構成する複数の行から少なくとも2つの行を露出制御のための読出対象の行として指定することによってなされてもよい。この場合、二次元アレイ101からの信号の読出方法の設定は、露出制御のために選択された少なくとも2つの行の素子EL(検出部)からの信号の読み出しを同時に行うべき行の数の指定を含みうる。
あるいは、露出制御のための少なくとも1つの素子EL(検出部)の指定は、二次元アレイ101における関心領域の指定によりなされうる。この場合、指定された関心領域に属する素子EL(検出部)が、露出制御のための少なくとも1つの素子EL(検出部)として指定されうる。
図4において、選択可能行数は、二次元アレイ101を構成する複数の素子EL(検出部)によって構成される複数の行のうち露出制御のために使用可能な行の数を意味する。例えば、カセッテC1としての放射線撮像装置100を使用する場合、露出制御のために使用可能な行の数は、1〜10である。図4において、同時読出可能行数は、露出制御のために素子EL(検出部)からの信号の読出を同時に行うことが可能な行の数を意味する。例えば、カセッテC1としての放射線撮像装置100を使用する場合、露出制御のために素子EL(検出部)からの信号の読出を同時に行うことが可能な行の数は、1である。これは、複数の行の素子EL(検出部)から信号を同時に読み出すことができないことを意味する。カセッテC2としての放射線撮像装置100を使用する場合、露出制御のために素子EL(検出部)からの信号の読出を同時に行うことが可能な行の数は、1〜4である。
次いで、ステップS108では、主制御装置109は、ステップS104で取得した撮影部位に対応付けられている基準照射時間Teaを取得する。基準照射時間Teaは、例えば、体格が標準の被検者を撮影する場合における放射線の標準的な照射時間、または該照射時間にプラスまたはマイナスのマージンを加えた時間でありうる。ステップS100で取得した被検者IDに基づいて被検者の体格情報等の被検者情報を取得することができる場合、主制御装置109は、使用する放射線撮像装置(カセッテ)100、撮影部位、および、被検者情報に基づいて基準照射時間を取得することができる。あるいは、主制御装置109は、被検者の過去の撮影時における照射時間に基づいて基準照射時間を決定してもよい。
次いで、ステップS110では、主制御装置109は、ステップS106でなされた読出方法の設定に基づいて、放射線の照射が開始されてから二次元アレイ101からの信号に従って放射線の照射を停止させるまでに要する最小照射時間Teminを決定する。一例において、最小照射時間Teminは、(1)式に従って計算されうる。ただし、最小照射時間Teminは、放射線撮像システムの構成に応じて定まるものである。
Temin=Td+Tc1+Tv+Tc2 ・・・(1)
ここで、Tdは、露出制御用の全ての素子EL(検出部)の信号を検出信号として読み出すために要する読出時間である。Tc1は、使用する放射線撮像装置(カセッテ)100から主制御装置109に対して、検出信号を送信するために要する通信時間であり、放射線撮像装置(カセッテ)100に依存する。Tc1は、図4において「通信時間」として例示されている。Tvは、主制御装置109が検出信号の積算値(つまり、放射線の照射量)が閾値(目標照射量)に達したかどうかを判定するために要する時間であり、主制御装置109が予め保持している。Tc2は、主制御装置109が曝射制御装置110に停止指令を送信してから放射線源112が放射線の照射を停止するまでに要する遅れ時間であり、主制御装置109が予め保持している。
一例において、読出時間Tdは、(2)式に従って計算されうる。
Td=TL×L÷S ・・・(2)
ここで、TLは、露出制御用の1行の素子EL(検出部)の信号を検出信号として読み出すために要する1行読出時間である。TLは、図4において「1行読出時間」として例示されている。Lは、露出制御のために二次元アレイ101から信号を読み出す行の数である。Lは、ステップS106で設定された読出方法によって特定される。具体的には、Lは、ステップS106で設定された読出方法において、露出制御のために読出対象の行として指定された行の数である。Lは、図4において「選択可能行数」として例示されている行数の範囲で指定される。Sは、露出制御のために二次元アレイ101から信号を同時に読み出す行の数である。Sは、ステップS106で設定された読出方法によって特定される。具体的には、Sは、ステップS106で設定された読出方法において、信号の読み出しを同時に行うべき行の数として指定された数である。Sは、図4において「同時読出可能行数」として例示されている行数の範囲で指定される。
最小照射時間Teminは、変更可能なパラメータであるLおよびSによって定まる。つまり、LおよびSの少なくとも一方を変更することによって最小照射時間Teminを変更することができる。
ステップS112では、主制御装置109は、最小照射時間Teminが基準照射時間Tea以下あるかどうかを判定し、最小照射時間Teminが基準照射時間Tea以下でなければ、ステップS114〜S120のエラー処理を実行する。一方、最小照射時間Teminが基準照射時間Tea以下であれば、主制御装置109は、ステップS122〜134の撮影処理を実行する。最小照射時間Teminが基準照射時間Tea以下でないことは、現在の読出方法の設定に従って撮影が実行された場合において、露出制御の精度が低いことを意味する。一方、最小照射時間Teminが基準照射時間Tea以下であることは、現在の設定において撮影が実行された場合において、露出制御の精度が高いことを意味する。
最小照射時間Teminが基準照射時間Tea以下でない場合、前述のように、ステップS114〜S120において、主制御装置109は、エラー処理を実行する。主制御装置109は、まず、ステップS114において、警告を発する警告処理を実行する。警告は、例えば、ディスプレイ114を使ってなされうる。図6は、ディスプレイ114を使ってなされる警告(警告表示)が例示されている。更に、ステップS116では、主制御装置109は、露出制御のための信号の読出方法を変更可能であるかどうかを判定し、変更可能な場合にはステップS118を実行し、そうでない場合にはステップS120を実行する。
ステップS118では、主制御装置109は、露出制御のための信号の読出方法を変更する。読出方法の変更は、最小照射時間Teminが基準照射時間Teaを越えないように自動でなされてもよいし、操作者から与えられる情報に基づいてなされてもよい。前者の方法は、例えば、主制御装置109が露出制御のために二次元アレイ101から信号を読み出す行の数Lを小さくすること、および/または、露出制御のために二次元アレイ101から信号を同時に読み出す行の数Sを大きくすることによってなされうる。
以下、後者の方法について説明する。主制御装置109は、図7に例示される自動露出制御の設定画面をディスプレイ114に表示し、図7において「読出行数」として示されたL、および/または、「同時読出行数」として示されたSを変更するように操作者に促す。そして、主制御装置109は、操作者によって与えられる情報に基づいてLおよび/またはSを変更する。主制御装置109は、その後、ステップS110に戻って、以降の処理を繰り返す。
ステップS120では、主制御装置109は、放射線源112の管電流を変更する(より具体的には、管電流を小さくする)。具体的には、主制御装置109は、図8に例示される管電流の設定画面をディスプレイ114に表示し、管電流を変更するように操作者に促し、操作者によって与えられる情報に基づいて管電流を変更する。主制御装置109は、その後、ステップS108に戻って、以降の処理を繰り返す。なお、放射線源112の管電流を変更する機能を有しない構成においては、ステップS120はスキップされる。また、読出方法の変更および管電流の変更によってTemin≦Teaの関係を実現することができない場合には、それを示す警告がなされうる。
ステップS112において、主制御装置109が、最小照射時間Teminが基準照射時間Tea以下であると判定すると、主制御装置109は、ステップS122〜134の撮影処理を実行する。まず、ステップS122では、主制御装置109は、放射線の照射指示を入力するようにディスプレイ114を介して操作者に促す。ステップS124では、主制御装置109は、操作者から放射線の照射指示が入力されるのを待つ。そして、放射線の照射指示が操作者から入力されと、ステップS126において、主制御装置109は、放射線の照射指令を曝射制御装置110に送る。これに応答して、曝射制御装置110は、放射線の放射を開始するように放射線源112を制御し、これにより放射線源112からの放射線の照射が開始される。なお、曝射制御装置110が曝射スイッチを有する形態では、曝射制御装置110は、曝射スイッチの操作に応答して放射線の放射を開始するように放射線源112を制御するとともに放射線の照射が開始されることを主制御装置109に通知する。
主制御装置109は、放射線の照射が開始されると、そのことを放射線撮像装置100に通知し、放射線撮像装置100に撮影(入射した放射線量に応じた電荷の蓄積)を開始させる。放射線撮像装置100は、撮影を開始すると、二次元アレイ101から露出制御のための素子EL(検出部)の信号を検出信号として読み出して、その検出信号を主制御装置109に送信する。
ステップS128では、主制御装置109は、放射線撮像装置100から送信されてくる検出信号に基づいて、検出信号の積算値(つまり、放射線の照射量)が閾値(目標照射量)に達したかどうかを判定する動作を繰り返す。そして、検出信号の積算値(放射線の照射量)が閾値(目標照射量)に達したと判定したら、ステップS130において、主制御装置109は、曝射制御装置110に停止指令を送る。これに応答して、曝射制御装置110は、放射線の照射を停止するように放射線源112を制御する。
次いで、ステップS130において、主制御装置109は、放射線撮像装置100に二次元アレイ101からの信号の読出を行わせ、その信号を取得し、ステップS134において、その信号を処理する。
図9(a)〜(c)には、放射線撮像装置100における二次元アレイ101からの露出制御のための信号の読出方法が例示されている。ここでは、説明の簡単化のために、二次元アレイ101が7行で構成されているものとして説明する。駆動信号G1〜G7は、第1〜第7行のスイッチTTに供給される信号、即ち、第1〜第7行を選択する信号である。「非選択」は、当該行が露出制御のために指定されていないこと(即ち、当該行の素子EL(検出部)の信号を読み出さないこと)を示している。「選択」は、当該行が露出制御のために指定されていること(即ち、当該行の素子EL(検出部)の信号を読み出すこと)を示している。「同時選択」は、当該行が露出制御のために指定されていること(即ち、当該行の素子EL(検出部)の信号を読み出すこと)、そして、読出が同時に行われることを示している。関心領域は、二次元アレイ101の全域のうち露出制御のために使用される領域を意味する。つまり、関心領域に属し、かつ、指定された行に存する素子EL(検出部)が露出制御のために使用されうる。
図9(a)に示された読出方法では、第2、第4、第6行の素子EL(検出部)が露出制御のために指定されている。図9(b)に示された読出方法では、第4の素子EL(検出部)が露出制御のために指定されている。図9(c)に示された読出方法では、第2、第4、第6行の素子EL(検出部)が露出制御のために指定され、それらの信号は同時に読み出される。
図10には、図9(a)の読出方法において、最小照射時間Temin(=Td+Tc1+Tv+Tc2)が基準照射時間Tea以下である条件が満たされている例が模式的に示されている。なお、Tdは、前述のように、(2)式で与えられる。TLは、制御信号RCがハイレベルになって積分増幅器131がリセットされ、読出対象行の素子ELのスイッチTTがオンされ、該素子ELの信号が、制御信号SHがハイレベルになってサンプルホールド回路133でサンプルホールドされるまでの時間である。図10の例では、Temin≦Teaであるので、放射線の実際の照射時間Tebと基準照射時間Teaとの差が小さく、露出制御の精度が高い。よって、被検者が受ける放射線量を必要十分な程度に抑えることができる。なお、実際の照射時間Tebと基準照射時間Teaとの差は、最大で最小照射時間Teminである。最小照射時間Teが基準照射時間Teaより大きいことは、そうでない場合に比べて実際の照射時間Tebと基準照射時間Teaとの差が大きいこと(つまり、露出制御の精度が低いこと)を意味する。
図11には、最小照射時間Temin(=Td+Tc1+Tv+Tc2)が基準照射時間Teaを越えている。したがって、放射線の実際の照射時間Teaと基準照射時間Teaとの差が大きく、露出制御の精度が低い。よって、被検者が受ける放射線量が過剰になる。
図12には、図9(b)の読出方法において、最小照射時間Temin(=Td+Tc1+Tv+Tc2)が基準照射時間Tea以下である条件が満たされている例が模式的に示されている。図12の例では、Temin≦Teaであるので、放射線の実際の照射時間Tebと基準照射時間Teaとの差が小さく、露出制御の精度が高い。よって、被検者が受ける放射線量を必要十分な程度に抑えることができる。
図13には、図9(c)の読出方法において、最小照射時間Temin(=Td+Tc1+Tv+Tc2)が基準照射時間Tea以下である条件が満たされている例が模式的に示されている。図13の例では、Temin≦Teaであるので、放射線の実際の照射時間Tebと基準照射時間Teaとの差が小さく、露出制御の精度が高い。よって、被検者が受ける放射線量を必要十分な程度に抑えることができる。
図14(a)、(b)には、露出制御のための信号の読出方法の例として、関心領域の2つの例が示されている。図14(a)に示された読出方法において、Temin≦Teaが満たされない場合、図14(b)に示された読出方法のように関心領域を変更することが有効である。図14(b)に示された読出方法では、図14(a)に示された読出方法に比べて、露出制御のために二次元アレイ101から信号を読み出す行の数Lが小さくされ、これによりTeminが小さくされている。
以下、図15〜図17を参照しながら本発明の第2実施形態を説明する。第2実施形態として言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。第2実施形態は、放射線撮像装置100の撮像部104の構成が第1実施形態と異なる。図15には、第2実施形態の放射線撮像装置100の撮像部104の構成例が示されている。第2実施形態では、二次元アレイ101を構成する複数の素子の一部は、放射線画像を撮像する画素Pであり、他の一部は、放射線の照射を停止させる露出制御のための検出部Sである。画素Pおよび検出部Sは、例えば、第1実施形態における素子ELと同一の構成を有しうる。画素Pおよび検出部Sは、互いに同一の構成を有しもよいし、互いに異なる構成を有してよい。
第2実施形態の撮像部104は、駆動部102の他に、駆動部211を備えている。第2実施形態の駆動部102は、第1実施形態の駆動部102と同一の構成を有しうる。第2実施形態の駆動部102は、撮像制御部106から供給される制御信号(D−CLK、DIO、XOE)に応じて、二次元アレイ101の画素PのスイッチTTを行単位に制御する駆動信号Gを発生する。また、駆動部211は、撮像制御部106から供給される制御信号(D−CLK、DIO、XOE)に応じて、二次元アレイ101の検出部SのスイッチTTを行単位に制御する駆動信号Gを発生する。第2実施形態では、画素Pと検出部Sを独立して選択することができる。
図15に示された例では、画素Pの信号および検出部Sの信号がともに信号線SLを通して読み出されるが、これらの信号が互いに異なる信号線を通して読み出される構成が採用されてもよい。また、図15に示された例では、画素Pによって構成される全ての行に設けられているが、該全ての行のうちの一部の行のみに設けられてもよい。また、図15に示された例では、画素Pによって構成される1つの行に1つの検出部Sのみが設けられているが、該1つの行に複数の検出部Sが設けられてもよい。
図10(a)、(b)には、第2実施形態の放射線撮像装置100における二次元アレイ101からの露出制御のための信号の読出方法が例示されている。ここでは、説明の簡単化のために、二次元アレイ101が7行で構成されているものとして説明する。駆動信号G1〜G7は、駆動部102によって第1〜第7行の画素PのスイッチTTに供給される信号、即ち、第1〜第7行の画素Pを選択する信号である。駆動信号G1’〜G7’は、駆動部211によって第1〜第7行の検出部SのスイッチTTに供給される信号、即ち、第1〜第7行の検出部Sを選択する信号である。
「非選択」は、当該行の検出部Sが露出制御のために指定されていないこと(即ち、当該行の検出部Sの信号を読み出さないこと)を示している。「選択」は、当該行の検出部Sが露出制御のために指定されていること(即ち、当該行の検出部Sの信号を読み出すこと)を示している。関心領域は、二次元アレイ101の全域のうち露出制御のために使用される領域を意味する。つまり、関心領域に属し、かつ、指定された行に存する検出部Sが露出制御のために使用されうる。図10(a)に示された読出方法では、第2、第4、第6行の検出部Sが露出制御のために指定されている。図10(b)に示された読出方法では、第4の検出部Sが露出制御のために指定されている。
図17には、図16(a)の読出方法において、最小照射時間Temin(=Td+Tc1+Tv+Tc2)が基準照射時間Tea以下である条件が満たされている例が模式的に示されている。なお、Tdは、前述のように、(2)式で与えられる。TLは、制御信号RCがハイレベルになって積分増幅器131がリセットされ、読出対象行の素子ELのスイッチTTがオンされ、該素子ELの信号が、制御信号SHがハイレベルになってサンプルホールド回路133でサンプルされるまでの時間である。図17の例では、Temin≦Teaであるので、放射線の実際の照射時間Tebと基準照射時間Teaとの差が小さく、露出制御の精度が高い。よって、被検者が受ける放射線量を必要十分な程度に抑えることができる。
DRS:放射線撮像システム、100:放射線撮像装置、101:撮像部、102:駆動部、103:読出部、105:信号処理部、106:撮像制御部、107a:通信部、107b:通信部、109:主制御装置、110:曝射制御装置、112:放射線源、114:ディスプレイ、115:入力装置、EL:素子(画素、検出部)、P:画素、S:検出部

Claims (10)

  1. 放射線を検出する複数の素子が二次元配列された二次元アレイを有する放射線撮像システムであって、前記複数の素子は、放射線の照射量が目標照射量に達したことに応じて放射線の照射を停止させる露出制御のために使用可能な複数の検出部を含み、
    前記放射線撮像システムは、前記複数の検出部からの信号の読出方法の設定に基づいて、放射線の照射が開始されてから前記二次元アレイからの信号に従って放射線の照射を停止させるまでに要する最小照射時間を決定し、前記最小照射時間が基準照射時間を超える場合にエラー処理を行う制御部を備える、
    ことを特徴とする放射線撮像システム。
  2. 前記エラー処理は、警告を発する警告処理を含む、
    ことを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像システム。
  3. 前記エラー処理は、操作者から与えられる情報に基づいて前記読出方法を変更する処理を含む、
    ことを特徴とする請求項2に記載の放射線撮像システム。
  4. 前記エラー処理は、前記最小照射時間が前記基準照射時間を越えないように、前記読出方法を自動で変更する処理を含む、
    ことを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像システム。
  5. 前記読出方法の設定は、前記複数の検出部のうち前記露出制御のために使用するべき少なくとも1つの検出部の指定を含む、
    ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放射線撮像システム。
  6. 前記少なくとも1つの検出部の指定は、複数の行から少なくとも1つの行を指定することによりなされ、前記複数の行のそれぞれは、前記複数の検出部のいずれかを含み、指定された前記少なくとも1つの行に属する検出部が前記少なくとも1つの検出部として指定される、
    ことを特徴とする請求項5に記載の放射線撮像システム。
  7. 前記少なくとも1つの検出部の指定は、前記二次元アレイにおける関心領域の指定によりなされ、指定された前記関心領域に属し、かつ、指定された前記少なくとも1つの行に属する検出部が前記少なくとも1つの検出部として指定される、
    ことを特徴とする請求項6に記載の放射線撮像システム。
  8. 前記少なくとも1つの検出部の指定は、複数の行から少なくとも2つの行を指定することによりなされ、
    前記読出方法の設定は、選択された前記少なくとも2つの行の検出部からの信号の読み出しを同時に行うべき行の数の指定を含む、
    ことを特徴とする請求項6又は7に記載の放射線撮像システム。
  9. 前記少なくとも1つの検出部の指定は、前記二次元アレイにおける関心領域の指定によりなされ、指定された前記関心領域に属する検出部が前記少なくとも1つの検出部として指定される、
    ことを特徴とする請求項5に記載の放射線撮像システム。
  10. 放射線を発生する放射線源を更に備え、
    前記制御部は、前記放射線源を制御することにより前記露出制御を行う、
    ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の放射線撮像システム。
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