JP2013233415A - 放射線画像撮影装置、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法 - Google Patents

Abstract

【課題】放射線の透過量の検出精度向上することができる放射線画像撮影装置、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法を提供する。
【解決手段】乳房Ｎを圧迫板２６により圧迫した後、角度センサ４５により圧迫板２６の傾斜角度θを検出する。検出した傾斜角度θと圧迫板２６のスライド位置ｚ_０とｙ軸方向の位置ｙ_ｎ（ｎ＝１〜３）に基づいて各ＡＥＣセンサ４４が設けられた位置における間隔ｔ_ｎを算出し、算出した間隔ｔ_ｎに応じた補正係数を決定して記憶部４７に記憶させておく。放射線照射部２４からプレ照射を行い、乳房Ｎを透過した放射線量（透過量）の検出値を各ＡＥＣセンサ４４から取得し、取得した各検出値をそれぞれ補正係数により補正して補正値を得る。さらに当該補正値に基づいて決定した撮影条件で撮影を行うように放射線源３０に指示し、放射線源３０を調整した後、所望の放射線画像を得るための乳房Ｎの撮影を行う。
【選択図】図９

Description

本発明は、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法に係り、特に被写体の撮影部位を圧迫した状態で放射線画像の撮影を行う、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法に関する。

従来から、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線画像撮影装置が知られている。この種の放射線画像撮影装置として、例えば、乳がんの早期発見等を目的として被検者の乳房を撮影するマンモグラフィが挙げられる。

一般的にこのような放射線画像撮影装置では、被検者の撮影部位（マンモグラフィでは乳房）を圧迫板等により圧迫した状態で、撮影部位を透過した放射線を検出することにより放射線画像の撮影を行っている。このように撮影部位を圧迫し固定することにより、放射線画像のボケを防ぐと共に、撮影部位が薄くなるため放射線量を減少させることができる。

また一般的にこのような放射線画像撮影装置では、放射線の線量を検出する検出センサを設け、撮影前に撮影部位に放射線を照射させ、透過した放射線（放射線量）を検出センサで検出した検出結果に基づいて撮影条件を設定することが行われている。

特許文献１には、ＡＥＣ検出器が備えられた乳房Ｘ線撮影装置が記載されている。当該特許文献１には、ビーム方向の乳房の厚みに基づいて、撮影パラメータ値（特に露出時間）を補正、調整する技術が記載されている。また、特許文献２には、乳房の厚さと、ＡＥＣセンサによる放射線の測定値とに基づいて、乳房の放射線の透過量を知見して撮影条件を設定する技術が記載されている。

特表２００５−５０９４８２号公報 特開２００８−８６３８３号公報

特許文献１及び特許文献２等に記載の従来の技術では、圧迫板により圧迫された乳房の厚みを均一として撮影条件等を設定している。

しかしながら、乳房の厚みが不均一であり、検出センサが設けられた位置により乳房の厚みが異なる場合、乳房の厚みが厚いところでは、放射線が通りにくく、薄いところでは通りやすい。そのため、上記従来の技術を適用すると、放射線の透過量の検出精度が低下する場合がある。また例えば、透過量が少ない場合、乳房の厚みが厚いことで透過量が少ないのか、それとも放射線を透過し難い組織であるため透過量が少ないのかの判断が困難になる場合がある。

本発明は、放射線の透過量の検出精度を向上することができる放射線画像撮影装置、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の放射線画像撮影装置は、被検者の撮影部位を撮影台の撮影面との間で挟み込んで圧迫する際に、撮影部位に応じて撮影面を基準として傾斜する圧迫板と、撮影台の撮影面の互いに異なる位置に設けられ、照射された放射線の照射量を検出する複数の照射検出手段と、複数の照射検出手段の各々が設けられた位置に応じた、圧迫板により圧迫された撮影部位の厚みに基づいた補正係数を用いて、複数の照射検出手段による検出結果を補正する補正手段と、備えた。

また、本発明の放射線画像撮影装置は、複数の照射検出手段の各々が設けられた位置毎に、圧迫板により圧迫された撮影部位の厚みを推定する推定手段を備え、補正手段は、推定手段で推定した撮影部位の厚みに基づいて、複数の照射検出手段による検出結果を補正する補正係数を決定し、決定した補正係数を用いて複数の照射検出手段による検出結果を補正する。

また、本発明の放射線画像撮影装置の推定手段は、圧迫板と撮影面との間隔を検出し、検出した間隔に応じて撮影部位の厚みを推定するようにしてもよい。

また、本発明の放射線画像撮影装置は、圧迫板の撮影面に対する傾きを検出する傾き検出手段を備え、推定手段は、傾き検出手段で検出した圧迫板の傾きに基づいて撮影部位の厚みを推定するようにしてもよい。

また、本発明の放射線画像撮影装置の複数の照射検出手段は、圧迫板の傾斜方向に複数設けられていることが好ましい。

また、本発明の放射線画像撮影装置は、放射線に応じた電荷を蓄積する複数の画素が撮影面に対する画素領域に２次元状に配置された放射線検出器と、圧迫板と撮影面との所定の間隔と、圧迫板の傾きと、に基づいて、画素領域から複数の所定領域を決定する領域決定手段と、領域決定手段で決定した複数の所定領域毎に、所定の画素密度で、複数の画素のうちから、照射検出手段として用いる照射検出用画素を決定する照射検出用画素決定手段と、を備え、補正係数は、複数の所定領域毎に予め定められており、補正手段は、補正係数を用いて、所定領域毎に照射検出用画素による検出結果を補正する。

また、本発明の放射線画像撮影装置の所定の画素密度は、圧迫板と撮影面との所定の間隔が大きいほど、高くなる。

また、本発明の放射線画像撮影装置の照射検出用画素決定手段は、複数の所定領域毎に、所定領域毎に予め定められた数の圧迫板の傾斜方向に配列された画素から１つの画素を照射検出用画素として決定する。

また、本発明の放射線画像撮影装置の照射検出用画素決定手段は、複数の所定領域内の所定の位置毎に、所定領域に応じて予め定められた数の画素を照射検出用画素として決定し、補正手段は、所定の位置毎の照射検出用画素による検出結果の平均値を、補正係数を用いて補正する。

また、本発明の放射線画像撮影装置の照射検出用画素決定手段は、所定の位置毎に、圧迫板の傾斜方向と異なる方向に並んだ予め定められた数の画素を照射検出用画素として決定してもよい。

また、本発明の放射線画像撮影装置の照射検出用画素決定手段は、所定の位置を中心とした２次元状に配置された予め定められた数の画素を照射検出用画素として決定してもよい。

また、本発明の放射線画像撮影装置の照射検出用画素決定手段は、放射線検出器により撮影部位が撮影された放射線画像に基づいて、撮影面における撮影部位の位置を特定し、特定した撮影部位の位置に対応する位置に設けられた複数の画素から、照射検出用画素を決定することが好ましい。

また、本発明の放射線画像撮影装置は、放射線に応じた電荷を蓄積して放射線画像の撮影に用いられると共に照射検出手段として用いられる複数の画素が撮影面に対する画素領域に２次元状に配置された放射線検出器と、圧迫板と撮影面との所定の間隔と、圧迫板の傾きと、に基づいて、画素領域から複数の所定領域を決定する領域決定手段と、撮影部位の厚みが厚いほど多くなるように、領域決定手段で決定した複数の所定領域毎に予め定められた数の画素を含む複数の検出部を、複数の所定領域毎に決定する検出部決定手段と、を備え、補正係数は、複数の所定領域毎に予め定められており、補正手段は、補正係数を用いて、所定領域毎に検出部の画素の検出結果の平均値を補正する。

また、本発明の放射線画像撮影装置は、補正手段により補正された複数の照射検出手段による検出結果に基づいて、撮影部位の放射線画像を撮影する際の放射線の線量及び線質の少なくとも一方を調整する調整手段を備えることが好ましい。

また、本発明の放射線画像撮影装置の調整手段の調整対象は、放射線を発生する放射線源の管電圧、管電流、照射時間、放射線源に設けられた制動放射線を発生するためのターゲットの種類、及び放射線源と被検者との間に設けられたフィルタの種類の少なくとも１つであることが好ましい。

また、本発明の放射線画像撮影装置は、補正手段が決定した補正係数を用いて、撮影された放射線画像を補正する画像補正手段を備えることが好ましい。

また、本発明の放射線画像撮影装置は、補正係数を記憶する記憶手段を備えてもよい。

また、本発明の放射線画像撮影プログラムは、本発明の放射線画像撮影装置の補正手段としてコンピュータを機能させるためのものである。

また、本発明の放射線画像撮影方法は、被検者の撮影部位を撮影台の撮影面との間で挟み込んで圧迫する際に、撮影部位に応じて撮影面を基準として傾斜する圧迫板と、撮影台の撮影面の互いに異なる位置に設けられ、照射された放射線の照射量を検出する複数の照射検出手段と、が設けられた放射線画像撮影装置の、複数の照射検出手段の各々が設けられた位置に応じた、圧迫板により圧迫された撮影部位の厚みに基づいた補正係数を用いて、複数の照射検出手段による検出結果を補正する補正工程と、を備えた。

また、本発明の放射線画像撮影方法は、補正工程により補正された複数の照射検出手段による検出結果に基づいて、被検者に照射する放射線の線量及び線質の少なくとも一方を調整する調整工程を備えることが好ましい。

本発明によれば放射線の透過量の検出精度向上することができる、という効果が得られる。

第１の実施の形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す平面図である。 第１の実施の形態の放射線照射部の放射線源の構成の一例を示す構成図である。 第１の実施の形態の放射線検出器の具体的一例を示す概略構成図である。 第１の実施の形態のＡＥＣセンサの配置の具体例を示す模式図である。 第１の実施の形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す機能ブロック図である。 第１の実施の形態における放射線画像の撮影の流れの一例を示すフローチャートである。 第１の実施の形態における撮影条件設定処理の流れの一例を示すフローチャートである。 第１の実施の形態の放射線画像撮影装置において圧迫板により乳房が圧迫された状態を模式的に示した模式図である。 図８に示した圧迫板と撮影台（撮影面）との関係をさらに模式的に示した模式図である。 第１の実施の形態の放射線画像撮影装置において補正係数を用いた放射線画像の補正処理の流れの一例を示したフローチャートである。 圧迫板と撮影面との距離を検出するために設けられたセンサの具体的例を説明するための模式図である。 第２の実施の形態の実施例１の放射線画像撮影装置の構成の一例の機能ブロック図である。 第２の実施の形態の実施例１における撮影条件設定処理の流れの一例のフローチャートである。 第２の実施の形態の実施例１における検出センサ及びＡＥＣ画素の配置を説明するための模式図である。 第２の実施の形態の実施例１における放射線画像撮影装置において補正係数を用いた放射線画像の補正処理の流れの一例を示したフローチャートである。 第２の実施の形態の実施例２における撮影条件設定処理の流れの一例のフローチャートである。 第２の実施の形態の実施例２における検出センサ及びＡＥＣ画素の配置を説明するための模式図である。 第２の実施の形態の実施例３における撮影条件設定処理の流れの一例のフローチャートである。 第２の実施の形態の実施例３における検出センサ及びＡＥＣ画素の配置を説明するための模式図である。 第２の実施の形態の実施例４における撮影条件設定処理の流れの一例のフローチャートである。 第２の実施の形態の実施例４における検出センサ及びＡＥＣ画素の配置を説明するための模式図である。 第３の実施の形態の放射線画像撮影装置の構成の一例の機能ブロック図である。 第３の実施の形態における撮影条件設定処理の流れの一例のフローチャートである。 第３の実施の形態における検出センサ及びＡＥＣ画素の配置を説明するための模式図である。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、本実施の形態は本発明を限定するものではない。
［第１の実施の形態］
まず、放射線量の検出センサとして、ＡＥＣセンサを用いる場合について説明する。

図１に示すように、本実施の形態の放射線画像撮影装置１０は、被検者Ｗが立った立位状態において、当該被検者Ｗの乳房Ｎ、を放射線（例えば、Ｘ線）により撮影する装置であり、例えば、マンモグラフィと称される。なお、以下では、撮影の際に放射線画像撮影装置１０に被検者Ｗが対面した場合の被検者Ｗに近い手前側を放射線画像撮影装置１０の装置前方側とし、放射線画像撮影装置１０に被検者Ｗが対面した場合の被検者Ｗから離れた奥側を放射線画像撮影装置１０の装置後方側（図１のｙ軸方向）として説明する。また、放射線画像撮影装置１０に被検者Ｗが対面した場合の被検者Ｗの左右方向を放射線画像撮影装置１０の装置左右方向（図１のｘ軸方向）として説明する。

また、本実施の形態の放射線画像撮影装置１０としては、被検者Ｗがイス（車イスを含む）等に座った座位状態において、その被検者Ｗの乳房Ｎを撮影する装置であってもよく、被検者Ｗの上半身が立位した状態でその被検者Ｗの乳房Ｎが左右別個に撮影可能な装置であればよい。

放射線画像撮影装置１０は、図１に示すように、装置前方側に設けられた側面視略Ｃ字状の測定部１２と、測定部１２を装置後方側から支える基台部１４と、を備えている。

測定部１２は、立位状態にある被検者Ｗの乳房Ｎと当接する平面状の撮影面２０が形成された撮影台２２と、乳房Ｎを撮影台２２の撮影面２０との間で圧迫するための圧迫板２６と、撮影台２２及び圧迫板２６を支持する保持部２８と、を備えて構成されている。また、測定部１２は、撮影面２０に向けて検査用の放射線を照射する放射線照射部２４と、保持部２８とは分離され放射線照射部２４を支持する支持部２９とを備えている。

放射線照射部２４は、管球等の放射線源３０及びフィルタ２４Ａを備えている。図２に、本実施の形態に係る放射線照射部２４の構成を示す。

放射線源３０は、筐体３０Ａ内に、フィラメントを含んで構成された陰極３０Ｂと、ターゲット（陽極）３０Ｃとを備えており、陰極３０Ｂから放出された熱電子が陰極・陽極間の電位差により加速・集束されてターゲット３０Ｃに衝突し制動放射線が発生する。なお、本実施の形態では、放射線源３０は複数備えられており、ターゲット３０Ｃとして用いられる金属の種類が、例えば、タングステン、モリブデン、ロジウム等とそれぞれ異なっている。ターゲットの種類により、発生する制動放射線の強度が異なる。

放射線源３０から発生した放射線は、筐体３０Ａに設けられた窓３０Ｄから外部へ照射される。放射線照射部２４の窓３０Ｄ部分には、モリブデンやロジウム、アルミニウム、銀の膜によりそれぞれ構成されたフィルタ２４Ａが設けられている。

本実施の形態に係る放射線照射部２４は、フィルタ２４Ａが機械的な機構（例えば、不図示のガイドレール等）により移動・交換可能とされている。フィルタ２４Ａが交換されると放射線照射部２４から照射される放射線の特性が変化する。

また、測定部１２には、基台部１４に回動可能に支えられている回動軸１６が設けられている。回動軸１６は、支持部２９に対して固定されており、回動軸１６と支持部２９は一体に回動するようになっている。

保持部２８に対しては、回動軸１６が連結されて一体に回動する状態と、回動軸１６が分離されて空転する状態とに切り替え可能とされている。具体的には、回動軸１６及び保持部２８にそれぞれギアが設けられ、このギア同士の噛合状態・非噛合状態を切替えるようになっている。なお、回動軸１６の回動力の伝達・非伝達の切替えは、種々の機械要素を用いることができる。

保持部２８は、撮影面２０と放射線照射部２４とが所定間隔離れるように撮影台２２と放射線照射部２４とを支持する。また、保持部２８は、圧迫板２６と撮影面２０との間隔が可変であるように圧迫板２６をスライド移動可能に保持しており、圧迫板２６のスライド位置（例えば、撮影面２０と圧迫板２６との間の距離、図９のスライド位置ｚ_０参照）を出力する。

圧迫板２６は、乳房Ｎを撮影台２２の撮影面２０に圧迫するものであり、放射線を透過する部材が用いられる。本実施の形態の圧迫板２６は、乳房Ｎを撮影台２２に圧迫する際に、乳房Ｎに沿って傾斜することにより、圧迫傾斜を行うように構成されている（詳細後述）。圧迫板２６には、乳房Ｎを圧迫した際の圧迫板の傾斜角度（図１の保持部２８から胸壁面２５への傾斜角度、図９の傾斜角度θ参照）を検出して出力するための角度センサ４５が設けられている。

乳房Ｎが当接する撮影面２０は、放射線透過性や強度の観点から、例えば、カーボンで形成されている。撮影台２２の内部には、放射線を検出する放射線検出器４２が配置されている。放射線検出器４２は、乳房Ｎ及び撮影面２０を通過し、画像情報を担持する放射線の照射を受けて画像情報を記録し、記録した画像情報を出力するものであり、例えば、放射線をデジタルデータに変換して出力するＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）として構成されている。放射線検出器４２は、放射線が照射されると、放射線画像を示す画像情報を出力する。本実施の形態では、放射線検出器４２によって、乳房Ｎの放射線画像を示す画像情報が得られる。

本実施の形態の放射線検出器４２の具体的一例の概略構成図を図３に示す。図３に示した本実施の形態の放射線検出器４２では、放射線を一旦光に変換し、変換した光を電荷に変換する間接方式の放射線検出素子６０を用いている。なお、図３では、放射線を光に変換するシンチレータは省略している。なお、放射線検出器４２に用いられる放射線検出素子は、これに限らず、放射線を直接半導体層で電荷に変換して蓄積する直接変換方式の放射線検出素子を用いてもよい。この場合、直接変換方式における放射線検出素子は、放射線が照射されることにより電荷を発生する。

放射線検出素子６０には、光を受けて電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するセンサ部７４と、センサ部７４に蓄積された電荷を読み出すためのスイッチング素子であるＴＦＴスイッチ７２と、を含んで構成される画素７０が複数、マトリックス状に配置されている。本実施の形態では、シンチレータによって変換された光が照射されることにより、センサ部７４で電荷を発生する。

画素７０は、一方向（図３の横方向、以下「行方向」ともいう）及び当該行方向に対する交差方向（図３の縦方向、以下「列方向」ともいう）にマトリックス状に複数配置されている。図３では、画素７０の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素７０は行方向及び列方向に１０２４個×１０２４個配置されている。

また、放射線検出素子６０には、基板（図示省略）上に、ＴＦＴスイッチ７２をオン／オフするための複数の制御配線である走査配線７８と、上記センサ部７４に蓄積された電荷を読み出すための複数の信号配線７６と、が互いに交差して設けられている。本実施の形態では、一方向の各画素列に信号配線７６が１本ずつ設けられ、交差方向の各画素列に走査配線７８が１本ずつ設けられている。

さらに、放射線検出素子６０には、各信号配線７６と並列に共通電極配線７９が設けられている。共通電極配線７９は、一端及び他端が並列に接続されており、一端が所定のバイアス電圧を供給する電源（図示省略）に接続されている。センサ部７４は共通電極配線７９に接続されており、共通電極配線７９を介してバイアス電圧が印加されている。

走査配線７８には、各ＴＦＴスイッチ７２をスイッチングするためのスキャン信号が流れる。このようにスキャン信号が各走査配線７８に流れることによって、各ＴＦＴスイッチ７２がスイッチング（オン／オフ）される。信号配線７６には、各画素７０のＴＦＴスイッチ７２のスイッチング状態に応じて、各画素７０に蓄積された電荷に応じた電気信号が流れる。より具体的には、各信号配線７６には、当該信号配線７６に接続された画素７０の何れかのＴＦＴスイッチ７２がオンされることにより蓄積された電荷量に応じた電気信号が流れる。

各信号配線７６には、各信号配線７６に流れ出した電気信号を検出する信号検出回路６４が接続されている。また、各走査配線７８には、各走査配線７８にＴＦＴスイッチ７２をオン／オフするためのスキャン信号を出力するスキャン信号制御回路６２が接続されている。図３では、信号検出回路６４及びスキャン信号制御回路６２を１つに簡略化して示しているが、例えば、信号検出回路６４及びスキャン信号制御回路６２を複数設けて所定本毎に信号配線７６または走査配線７８を接続する。

信号検出回路６４は、各信号配線７６毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路（図示省略）を内蔵している。信号検出回路６４では、各信号配線７６より入力される電気信号を増幅回路により増幅し、ＡＤＣ（アナログ・デジタル変換器、図示省略）によりデジタル信号へ変換する。

信号検出回路６４において変換されたデジタル信号に対してノイズ除去等の所定の処理を施すとともに、信号検出回路６４に対して信号検出のタイミングを示す制御信号を出力する制御部６６が信号検出回路６４には接続されている。また、制御部６６は、スキャン信号制御回路６２にも接続されており、スキャン信号制御回路６２に対してスキャン信号の出力のタイミングを示す制御信号を出力する。

本実施の形態の制御部６６は、マイクロコンピュータによって構成されており、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＲＯＭ及びＲＡＭ、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部を備えている。制御部６６は、信号検出回路６４から入力された、画素７０の電荷情報を示す電気信号に基づいて、照射された放射線が示す画像を生成し、出力する。

このような放射線検出器４２と共に撮影台２２の内部には、放射線画像の撮影に先だって行われるプレ照射において、乳房Ｎを透過した放射線量を検出して検出結果を出力する放射線量の検出センサであるＡＥＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ）センサ４４が複数設けられている。図４に、本実施の形態のＡＥＣセンサ４４の配置の具体例を示す。なお、図４は、放射線画像撮影装置１０の上方側から見た場合を模式的に表した模式図である。ＡＥＣセンサ４４は、撮影台２２の撮影面２０の異なる位置に複数設けられている。本実施の形態では、具体的一例として、図４に示すように３個×３個＝９個のＡＥＣセンサ４４_ｘｙ（ＡＥＣセンサ４４_１１〜４４_３３）が設けられている。なお、以下では、個々を区別せずに称する場合は、単にＡＥＣセンサ４４という。なお、本実施の形態で放射線の「線量」とは、放射線を出力する際の管電流（ｍＡ）と、照射時間（ｓｅｃ）とを乗算した、いわゆるｍＡｓ値をいう。

図５には、本実施の形態の放射線画像撮影装置１０の構成の一例の機能ブロック図を示す。図５に示すように、放射線画像撮影装置１０は、放射線照射部２４、放射線検出器４２、ＡＥＣセンサ４４、角度センサ４５、操作パネル４６、記憶部４７、撮影装置制御部４８、及び通信Ｉ／Ｆ部４９を含んで構成されている。

撮影装置制御部４８は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）５０、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）５２、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）５４、及びＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）５６を備えている。これらは、コントロールバスやデータバス等のバス５７を介して互いに情報等の授受が可能に接続されている。

ＣＰＵ５０は、放射線画像撮影装置１０全体の制御等を行うものであり、具体的には、ＲＯＭ５２に格納されているプログラム５３を実行することにより制御を行っている。なお、本実施の形態では、プログラム５３は、予め格納されている構成としているがこれに限らない。例えば、プログラム５３をＣＤ−ＲＯＭやリムーバブルディスク等の記録媒体等に記憶しておき記録媒体からＲＯＭ５２等にインストールするようにしてもよいし、インターネット等の通信回線を介して外部装置からＲＯＭ５２等にインストールするようにしてもよい。ＲＡＭ５４は、ＣＰＵ５０でプログラム５３を実行する際の作業用の領域を確保するものである。ＨＤＤ５６は、各種データを記憶して保持するものである。

また、撮影装置制御部４８は、放射線照射部２４、放射線検出器４２、ＡＥＣセンサ４４、角度センサ４５、操作パネル４６、記憶部４７、及び通信Ｉ／Ｆ部４９放と接続されている。

撮影装置制御部４８は、操作パネル４６（曝射スイッチ）によりオペレータから照射指示を受け付けると、指定された曝射条件に基づいて設定された撮影メニューに従って、放射線照射部２４に設けられた放射線源３０から撮影面２０に対して放射線を照射させる。

操作パネル４６は、曝射条件や姿勢情報等の各種の操作情報、各種の操作指示等を設定するための機能を有する。操作パネル４６で設定される曝射条件には、管電圧、管電流、照射時間、及び姿勢情報等の情報等が含まれている。操作パネル４６で指定される姿勢情報には、乳房Ｎに対して複数の方向から撮影を行う場合の撮影位置（撮影姿勢、角度）を表す情報等が含まれている。なお、これらの曝射条件、姿勢情報等の各種の操作情報及び各種の操作指示等は、操作パネル４６によりオペレータが設定するようにしてもよい。また、他の制御装置（ＲＩＳ：Ｒａｄｉｏｌｏｇｙ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ、放射線情報システム、放射線を用いた、診療、診断等の情報の管理を行うシステム）等から得るようにしてもよいし、予めＨＤＤ５６等に記憶させておいてもよい。

操作パネル４６から各種情報が設定されると、撮影装置制御部４８は、設定された各種情報に基づいて設定された撮影メニューに従って、放射線照射部２４から放射線を被検者Ｗの撮影部位（乳房Ｎ）に照射させて放射線画像の撮影を実行する。撮影装置制御部４８は、複数の方向から撮影を行う場合には、撮影面２０が上方を向いた状態に保持部２８の姿勢を調整すると共に放射線照射部２４が撮影面２０に対して上方に位置する状態に支持部２９の姿勢を調整する。

記憶部４７は、決定された補正係数（詳細後述）を記憶するためのものである。また、本実施の形態の記憶部４７には、ＡＥＣセンサ４４が設けられたｙ軸方向の位置ｙや、間隔ｔと補正係数との対応関係等（いずれも詳細後述）が予め記憶されている。

通信Ｉ／Ｆ部４９は、放射線画像撮影装置１０撮影された放射線画像を送信したり、各種情報等を送受信したりするための機能を有する通信インターフェイスである。

次に、本実施の形態の放射線画像撮影装置１０による放射線画像の撮影の流れについて説明する。図６に、本実施の形態における放射線画像の撮影の流れの一例のフローチャートを示す。

放射線画像撮影装置１０では、放射線画像の撮影を行う場合、まず、ステップ１００で、撮影メニューが設定される。このように撮影メニューが設定されると、当該撮影メニューに従って撮影が実行される。

被検者Ｗは、放射線画像撮影装置１０の撮影面２０に乳房Ｎを当接させる。オペレータは、被検者Ｗの姿勢に無理なく胸壁面２５まで放射線照射部２４の照射野に入れるために、被検者Ｗをポジショニングする。そこで、ステップ１０２では、被検者Ｗの乳房が当接されたか否か、すなわちポジショニングされたか否かを判断する。未だの場合は、否定されて待機状態になり、ポジショニングされた場合は、肯定されてステップ１０４へ進む。なお、本実施の形態では、オペレータから操作パネル４６に対して圧迫開始の操作指示が行われた場合に、ポジショニングされたとみなしている。

次のステップ１０４では、圧迫板２６が撮影面２０に向けて移動を開始する。圧迫板２６により乳房Ｎが圧迫されることにより、被検者Ｗのポジショニングが固定される。

次のステップ１０６では、プレ照射を伴う撮影条件設定処理を行う。詳細は後述するが撮影条件設定処理では、圧迫板２６の移動が停止すると、圧迫板２６と撮影面２０との間の間隔ｔを検出し、検出した間隔ｔに応じて、ＡＥＣセンサ４４の検出値を補正し、補正した検出値を用いて撮影条件を設定する。

撮影条件が設定されると、次のステップ１０８では、設定した撮影条件で放射線画像撮影処理が行われる。まず撮影面２０に対して放射線照射部２４の放射線源３０から放射線を照射する。放射線照射部２４から照射された放射線は、乳房Ｎを透過した後に放射線検出器４２に到達する。放射線検出器４２では、放射線が照射されると、照射された画像情報を撮影装置制御部４８に出力する。撮影装置制御部４８は、撮影された放射線画像を示す画像情報に対して後述の補正係数を用いた補正（図１０参照、詳細後述）やシェーディング補正等の各種処理を行う。

次のステップ１１０では、補正後の画像情報が示す放射線画像を外部に出力し、放射線画像撮影処理を終了する。

次に、上述の図６のステップ１０６の撮影条件設定処理について詳細に説明する。図７に、本実施の形態における撮影条件設定処理の流れの一例のフローチャートを示す。

ステップ２０２では、圧迫板２６の移動が停止したか否か判断する。未だ停止していない場合は、否定されて待機状態になる。停止した場合は、肯定されてステップ２０４へ進む。

圧迫板２６により、乳房Ｎが圧迫された状態を模式的に示した模式図を図８に示す。本実施の形態では、図８に示すように、圧迫板２６が乳房Ｎの形状に沿って傾斜する圧迫傾斜を行っている。具体的には、胸壁側が高く、乳房Ｎの先端部が低くなるように圧迫板２６が傾いた状態で、乳房Ｎを圧迫する。

圧迫板２６により撮影部位を圧迫する際は、撮影部位全体を圧迫する必要がある。例えば本実施の形態のように撮影部位が乳房Ｎである場合は、胸壁側から乳房Ｎの先端部まで圧迫する必要がある。そのため、圧迫板２６が撮影台２２（撮影面２０）に対して水平に圧迫（水平圧迫）する場合、強い圧力が必要になり、被検者Ｗに対して、乳房Ｎが押しつぶされる痛みと共に、胸壁近傍の表皮が伸張される痛みを与えることがある。そのため、本実施の形態では、上述のように、圧迫板２６が乳房Ｎの形状に沿って傾斜する圧迫傾斜を行っている。本実施の形態のように圧迫傾斜することにより、水平圧迫を行う場合に比べて、圧迫力を小さくすることができると共に、被検者Ｗの皮膚の伸張を少なくすることができるため、被検者Ｗに対して与える痛みを軽減させることができる。

本実施の形態では、図８に示すように、圧迫板２６が保持部２８から胸壁面２５に向けて傾いた状態で乳房Ｎを圧迫する。そのため、乳房Ｎの厚みは、胸壁側が最も厚く、乳房Ｎの先端部に向けてｙ軸方向に徐々に薄くなっている。また、ｘ軸方向では、乳房Ｎの厚みは変わらない。従って、ＡＥＣセンサ４４_１１、４４_２１、４４_３１の各々が設けられた位置における乳房Ｎの厚み（図８、間隔ｔ_１）は略同一となっている。同様に、ＡＥＣセンサ４４_１２、４４_２２、４４_３２の各々が設けられた位置における乳房Ｎの厚み（図８、間隔ｔ_２）は略同一となっており、ＡＥＣセンサ４４_１３、４４_２３、４４_３３の各々が設けられた位置における乳房Ｎの厚み（図８、間隔ｔ_３）は略同一となっており、間隔ｔ_３＞間隔ｔ_２＞間隔ｔ_１となっている。なお、本実施の形態では、乳房Ｎの厚みを、圧迫板２６と撮影面２０との間隔ｔにより推定している。

このように乳房Ｎが圧迫されると、ステップ２０４では、保持部２８から圧迫板２６の位置情報（スライド位置ｚ_０）を取得する。図８に示した圧迫板２６と撮影台２２（撮影面２０）との関係をさらに模式的に示した模式図を図９に示す。ステップ２０４では。圧迫板２６の位置情報として、スライド位置ｚ_０を取得する。さらに、次のステップ２０６では、角度センサ４５から圧迫板２６の傾斜角度（図９の角度θ）を取得する。

次のステップ２０８では、圧迫板２６の位置情報（スライド位置ｚ_０）、傾斜角度θ、及びＡＥＣセンサ４４のｙ軸方向の位置ｙに基づいて各ＡＥＣセンサ４４が設けられた位置における圧迫板２６と撮影面２０との間隔ｔを、下記の式（１）及び式（２）により算出する。なお、本実施の形態では、各ＡＥＣセンサ４４のｙ軸方向の位置ｙは、予め記憶部４７に記憶されている。

ｚ_ｎ＝ｙ_ｎ×ｔａｎθ （ｎ＝１〜３） ・・・式（１）
ｔ_ｎ＝ｚ_０＋ｚ_ｎ＝ｚ_０＋ｙ_ｎ×ｔａｎθ ・・・式（２）
次のステップ２１０では、算出した間隔ｔに基づいて、各ＡＥＣセンサ４４の検出値の補正値を算出する。本実施の形態では具体的一例として、算出した間隔ｔの平均値Ｔによる正規化を行っており、下記の式（３）を用いて各ＡＥＣセンサ４４に応じた補正係数を算出している。

補正係数＝ｔ_ｎ／Ｔ ・・・式（３）
なお、補正係数の算出方法は当該方法に限らず、その他の算出方法を用いてもよい。また、予め実験等により、間隔ｔと補正係数との対応関係を得ておき、当該対応関係を記憶部４７に記憶させておき、当該対応関係に基づいて、間隔ｔに応じた補正係数を決定するようにしてもよい。

次のステップ２１２では、算出した補正係数を記憶部４７に記憶させる。

次のステップ２１４では、本撮影（図６のステップ１０８の所望の放射線画像の撮影）の前に、放射線照射部２４によりプレ照射を行わせる。当該プレ照射により、放射線源３０から照射された放射線は、圧迫板２６及び乳房Ｎを透過した後、各ＡＥＣセンサ４４によってその透過量が検出される。各ＡＥＣセンサ４４からは検出値が出力される。そこで次のステップ２１６では、各ＡＥＣセンサ４４の検出値を取得し、さらに、次のステップ２１８では、取得した各ＡＥＣセンサ４４の検出値を上述の処理により得られた補正係数を用いて補正することにより、乳房Ｎの厚みに応じた重み付けを行う。なお、重み付けとは、具体的には例えば、得られた検出値に対して、補正係数を乗算することが挙げられる。

さらに、次のステップ２２０では、補正された検出値（補正値）に基づいて、適切な線量で本撮影を行うための撮影条件を決定して、放射線照射部２４に指示した後、本処理を終了する。なお、補正値と撮影条件（または線量）との対応関係は、予め記憶部４７等に記憶させておき、当該対応関係を参照して撮影条件を決定すればよい。本実施の形態では放射線源のターゲット３０Ｃの種類、フィルタ２４Ａの種類、管電圧（陰極３０Ｂとターゲット３０Ｃとの間の電圧）、管電流、及び放射線の照射時間のうち少なくとも一つの条件を調整することにより、撮影条件（線量等）の変更・調整を行うようにしている。

さらに本実施の形態の放射線画像撮影装置１０では、放射線画像撮影処理（図６、ステップ１０８参照）において、撮影条件設定処理により設定された撮影条件で本撮影を行って、放射線検出器４２により得られた放射線画像を示す画像を、上述の補正係数を用いて補正する放射線画像の補正処理を行って、生成される放射線画像の精度・画質を向上させている。当該補正処理の流れの一例のフローチャートを図１０に示す。

ステップ３００では、放射線検出器４２から放射線画像を示す画像情報を取得する。次のステップ３０２では、上述の撮影条件設定処理のステップ２１２により記憶部４７に記憶させた補正係数を読み出す。そして、次のステップ３０４では、読み出した補正係数を用いて画像情報を補正した後、本処理を終了する。画像情報の補正の仕方は特に限定されないが、例えば、ＡＥＣセンサ４４毎に対応する領域（画素７０）を定めておき、当該領域毎に、対応する補正係数を用いて画像情報を補正するようにする等の補正方法が挙げられる。さらに具体的には、例えば、得られた画像情報に対して、対応する補正係数を乗算する方法が挙げられる。

以上、説明したように本実施の形態の放射線画像撮影装置１０では、乳房Ｎを圧迫板２６により圧迫した後、角度センサ４５により圧迫板２６の傾斜角度θを検出する。検出した傾斜角度θと圧迫板２６のスライド位置ｚ_０とｙ軸方向の位置ｙ_ｎ（ｎ＝１〜３）に基づいて各ＡＥＣセンサ４４が設けられた位置における間隔ｔ_ｎを算出し、算出した間隔ｔ_ｎに応じた補正係数を決定して記憶部４７に記憶させておく。放射線照射部２４からプレ照射を行い、乳房Ｎを透過した放射線量（透過量）の検出値を各ＡＥＣセンサ４４から取得し、取得した各検出値をそれぞれ補正係数により補正して補正値を得る。さらに当該補正値に基づいて決定した撮影条件で撮影を行うように放射線源３０に指示し、放射線源３０を調整した後、所望の放射線画像を得るための乳房Ｎの撮影を行う。

このように本実施の形態では、圧迫板２６が傾くことにより乳房Ｎの厚みが均一ではない場合でも、各ＡＥＣセンサ４４が設けられた位置における圧迫板２６と撮影面２０との間隔ｔ_ｎにより乳房Ｎの厚みを推定し、乳房Ｎの厚みの不均一さを考慮した補正係数によりＡＥＣセンサ４４の検出値を補正しているため、ＡＥＣセンサ４４による放射線の透過量の検出精度向上することができる。また、例えば透過量が少ない場合、乳房Ｎの厚みが厚いことで透過量が少ないのか、それとも放射線を透過し難い組織であるため透過量が少ないのかの判断が容易にすることができる。

さらに、撮影された放射線画像を補正係数を用いて補正するため、放射線画像の画質を向上させることができる。

なお、上述の実施の形態では、圧迫板２６の保持部２８から胸壁面２５に向けての傾斜角度θを用いて、乳房Ｎの厚みを推定しているが、圧迫板２６が、さらに、被検者Ｗの左右方向において傾斜を有する場合がある。例えば、図４に示したようにＡＥＣセンサ４４が配置されている場合は、ＡＥＣセンサ４４_１１、４４_１２、４４_１３の間隔ｔが大きく（乳房Ｎが厚く）ＡＥＣセンサ４４_３１、４４_３２、４４_３３に向けて間隔ｔが小さく（乳房Ｎが薄く）なるように傾く場合がある。また逆に、ＡＥＣセンサ４４_３１、４４_３２、４４_３３の間隔ｔが大きく（乳房Ｎが厚く）ＡＥＣセンサ４４_１１、４４_１２、４４_１３に向けて間隔ｔが小さく（乳房Ｎが薄く）なるように傾く場合がある。さらに、圧迫板２６の中央部が最も高い位置になり、圧迫板２６の両端が最も低い位置になるように傾斜する場合がある。このような場合は、ＡＥＣセンサ４４_２１、４４_２２、４４_２３の間隔ｔが大きく（乳房Ｎが厚く）、これよりもＡＥＣセンサ４４_１１、４４_１２、４４_１３の間隔ｔ、及びＡＥＣセンサ４４_３１、４４_３２、４４_３３の間隔ｔが小さい（乳房Ｎが薄い）。

このような場合は、被検者Ｗの左右方向における圧迫板２６の角度（傾斜角度φ）を検出する検出センサ（例えば、角度センサ）等を設け、上述の実施の形態における傾斜角度θ及び傾斜角度φに基づいて、補正係数を算出するようにすればよい。または、傾斜角度θ及び傾斜角度φと補正係数との対応関係を記憶させておき、当該対応関係に基づいて補正係数を決定すればよい。

また、上述の実施の形態では、圧迫板２６の傾斜角度θを検出し、傾斜角度θに基づいて間隔ｔ_ｎを算出し、間隔ｔ_ｎを乳房Ｎの厚みとして推定していたがこれに限らず、直接、圧迫板２６と撮影面２０との間隔ｔを検出するようにしてもよい。例えば、圧迫板２６の四隅に間隔ｔを検出するためのセンサ（図１１、センサ８０_１１、８０_１２、８０_２１、８０_２２参照）を設けて当該センサにより間隔ｔを検出するようにしてもよい。例えば、赤外センサ等を備える場合、赤外センサから赤外線を照射して撮影台２２の撮影面２０から跳ね返ってくる赤外線を検出することにより間隔ｔを検出してもよい。また、圧迫板２６と、撮影台２２とに投光素子／受光素子を設けておき、投光素子から光（信号）を投光させ、受光素子で受光した受光信号に基づいて間隔ｔを検出するようにしてもよい。この場合、図１１に示すように、圧迫板２６の四隅にセンサ８０（投光素子または受光素子）を設け、撮影台２２の四隅や、圧迫板２６の下部に対応する位置等、圧迫板２６の四隅の各々に応じた位置にセンサ８２_１１、８２_１２、８２_２１、８２_２２（受光素子または投光素子）を設けておくとよい。なお、センサ８０、またはセンサ８０及びセンサ８２を設ける位置は、圧迫板２６の四隅に限らず、その他の位置でもよいし、さらに複数のセンサ８０、またはセンサ８０及びセンサ８２を設けるようにしてもよい。複数の位置に設けることにより、より間隔ｔの検出精度が向上するが、放射線画像の撮影に影響を与える懸念がある。このような場合は、センサ８０、センサ８２の特性や所望の放射線画像の画質等に応じて、センサ８０、またはセンサ８０及びセンサ８２を設ける位置や設ける個数を定めればよい。なお、圧迫板２６がフレキシブル基板や、シート状等、乳房Ｎを圧迫する際に変形しやすく乳房Ｎの形状に応じて複数方向に傾斜するような場合は、このように間隔ｔを直接検出することにより、より適切な補正係数を得ることができる。

また、本実施の形態では、間隔ｔ＝乳房Ｎの厚み、として推定しているが、乳房Ｎの先端部（図８のＡＥＣセンサ４４_１１、４４_２１、４４_３１の間隔ｔ_１参照）では、乳房Ｎと圧迫板２６や乳房Ｎと撮影台２２との間に隙間が空いている場合がある。また、乳房Ｎが小さい場合、ＡＥＣセンサ４４が設けられた位置に乳房Ｎが存在しない場合がある。このような場合に対しては、例えば、隙間が空いた場合に対応する補正係数を予め実験等により得て記憶させておき、隙間が空くことが想定される位置の圧迫板２６及び撮影台２２に、圧力センサや温度センサ等を設けておくことにより対応できる。圧力センサで検出した圧力が小さい場合や、温度センサで検出した温度が低い場合等は、隙間が空いていると判断して隙間が空いた場合に対応する補正係数を取得するようにすればよい。または、圧力がより小さい場合や、温度がより低い場合等は、乳房Ｎが存在せず、空間が空いていると判断して補正係数を決定してもよい。

また、本実施の形態では、具体的一例としてＡＥＣセンサ４４を９個設けた構成について説明しているがこれに限らない。なお、乳房Ｎの厚みが不均一になることを考慮してＡＥＣセンサ４４の位置を定めることにより、より透過量の検出精度向上することができる。

［第２の実施の形態］
次に、放射線量の検出センサとして、放射線検出器４２の画素７０を用いる場合について説明する。なお、本実施の形態は第１の実施の形態と略同様の構成及び動作を含むため、略同様の構成及び動作についてはその旨を記し、詳細な説明を省略する。

本実施の形態では、放射線検出器４２の画素７０のうちの一部の画素を放射線の線量を検出する検出センサ（検出センサ７１、図１２等参照）として用いている。本実施の形態では、放射線検出器４２の全画素７０のうち、検出センサ７１として用いる画素７０を、任意に設定することができる。なお、以下では、画素７０のうち、検出センサ７１として用いる画素７０をＡＥＣ画素７０という。本実施の形態では、乳房Ｎの厚み（圧迫板２６の傾斜角度θから推定）に応じて、線量を検出するためのＡＥＣ画素７０の密度を定めている。乳房Ｎの厚みが薄い部分は、データが入ってくる（透過線量が多い）ため、ＡＥＣ画素７０の密度を減らしている。一方、乳房Ｎの厚みが厚い部分は、データが入ってこない（透過線量が少ない）ため、Ｓ／Ｎ比を上げるために、ＡＥＣ画素７０の密度を上げる。このように、放射線の線量を検出するＡＥＣ画素７０の密度を乳房Ｎの厚みに応じて異ならせることにより、乳房Ｎの厚みを考慮したプレ曝射、及び放射線の線量の検出の高速化の両方を達成することができる。

以下、本実施の形態の具体的な実施例について詳細に説明する。

（実施例１）
本実施例の放射線画像撮影装置１０の構成の一例の機能ブロック図を図１２に示す。図１２に示すように、本実施例の放射線画像撮影装置１０は、第１の実施の形態の放射線画像撮影装置１０（図５参照）と略同様の構成であるが、第１の実施の形態の放射線画像撮影装置１０に備えられていたＡＥＣセンサ４４を備えていない。また、放射線検出器４２の画素７０のうちの一部のＡＥＣ画素７０を放射線を検出する検出センサ７１として用いている。本実施例では、１つのＡＥＣ画素７０が１つの検出センサ７１に対応している。すなわち、本実施例では、ＡＥＣ画素７０の数＝検出センサ７１の数としている。

また、本実施例では記憶部４７には、第１の実施の形態において記憶させておいた情報に替わり、間隔（閾値）ｔ_１、ｔ_２等が予め記憶されている。なお、上述の図１に示した放射線画像撮影装置１０の構成、及び図３に示した放射線検出器４２の概略構成は、第１の実施の形態と略同様のため、ここでは詳細な説明を省略する。

本実施例の放射線画像撮影装置１０による放射線画像の撮影の流れ全体は、第１の実施の形態における放射線画像の撮影の流れ（図６参照）と略同様であるが、本実施例では、第１の実施の形態とステップ１０６のプレ照射を伴う撮影条件設定処理、及びステップ１０８の放射線画像撮影処理において行われる放射線画像の補正処理が異なる。そのため、これらの処理について詳細に説明する。

まず、本実施例の撮影条件設定処理について説明する。図１３に、本実施例における撮影条件設定処理の流れの一例のフローチャートを示す。また、図１４に、本実施例における検出センサ７１（ＡＥＣ画素７０）の配置を説明するための模式図を示す。

ステップ４０２〜ステップ４０６では、第１の実施の形態の撮影条件設定処理（図７、ステップ２０２〜ステップ２０６参照）と略同様の処理を行う。圧迫板２６の移動が停止したか否かを判断し、停止すると、保持部２８から圧迫板２６の位置情報（スライド位置ｚ_０）を取得する。さらに、角度センサ４５から圧迫板２６の傾斜角度θを取得する。

次のステップ４０８では、記憶部４７から間隔ｔ_１及び間隔ｔ_２を読み出す。

次のステップ４１０では、圧迫板２６の位置情報（スライド位置ｚ_０）、傾斜角度θ、及び間隔ｔ_１、間隔ｔ_２に基づいて、第１領域〜第３領域を決定し、第１領域〜第３領域を示す情報を記憶部４７に記憶させる。

本実施例では、乳房Ｎの厚み（圧迫板２６の傾斜）に応じて、放射線検出器４２の放射線が照射される面の画素７０が設けられた画素領域を、３つの領域（第１領域９０_１〜第３領域９０_３）に分けている。本実施例では、図１４に示すように、撮影面２０から圧迫板２６までの間隔ｔ（ｙ）に応じて、以下のように第１領域９０_１〜第３領域９０_３が定められる。

第１領域９０_１：ｔ_０（ｚ_０）≦ｔ（ｙ）＜ｔ_１、
第２領域９０_２：ｔ_１≦ｔ（ｙ）＜ｔ_２、
第３領域９０_３：ｔ_２≦ｔ（ｙ）
第ｎ領域９０_ｎのｙ_ｎ＝（ｔ（ｙ）−ｚ_０）／ｔａｎθ （ｎ＝１〜３）
第３領域９０_３は、画素領域から第１領域９０_１及び第２領域９０_２を除いた領域であり、ｙ_ｎは、ｔａｎθ及びスライド位置ｚ_０の取得により上記により定められる。

このようにして第１領域９０_１〜第３領域９０_３を決定し、記憶部４７に記憶させると、次のステップ４１２では、本撮影の前に、放射線照射部２４によりプレ照射を行わせる。当該プレ照射により、放射線源３０から照射された放射線は、圧迫板２６及び乳房Ｎを透過した後、放射線検出器４２に到達する。放射線検出器４２の各画素７０では、放射線の線量に応じた電荷（電気信号）が蓄積される。

次のステップ４１４−１では、各領域（第１領域９０_１〜第３領域９０_３）毎に所定の頻度で設けられたＡＥＣ画素７０から検出値（蓄積された電荷に応じた電気信号）を取得する。

本実施例では、乳房の厚みから各領域を決定し、各領域毎に、検出センサ７１であるＡＥＣ画素７０の頻度（密度）を定めるようにしている。なお、本実施例では、ＡＥＣ画素７０の頻度（密度）は乳房の厚みに応じて決められる。より詳細には、乳房の厚みと密度が対応した表を予め（例えば記憶部４７やＲＯＭ５２に）記憶しておき、実際に乳房Ｎの厚みに対応する領域を決定し、その領域について密度を適用する。具体的一例として本実施例では、乳房Ｎの厚みが比較的薄い領域にあたる第１領域９０_１では、ｙ方向に並んだ９画素中の１画素をＡＥＣ画素７０とする。また、乳房Ｎの厚みが中間値となる第２領域９０_２では、ｙ方向に並んだ７画素中の１画素をＡＥＣ画素７０とする。さらに、乳房Ｎの厚みが比較的厚い領域にあたる第３領域９０_３では、ｙ方向に並んだ５画素中の１画素をＡＥＣ画素７０とする。このように、本実施例では、乳房Ｎの厚みが厚くなるほど、ＡＥＣ画素７０のｙ方向の密度が高くなるようにしている。なお、本実施例では、乳房Ｎの厚みが異なる位置に並んだ複数の画素７０の中の１画素をＡＥＣ画素７０としている。ｘ方向に並んだ画素７０だと乳房Ｎの厚みが同一となってしまうため、ｙ方向に並んだ画素７０の中からＡＥＣ画素７０を決定するようにしている。その際には、ｘ方向の密度は乳房Ｎの厚みが一定なので同じにしている（例えば、３画素ごと）。上述のように定められたｙ方向の位置の画素をＡＥＣ画素７０として用いている。なお、ｙ方向に並んだ画素７０から１画素をＡＥＣ画素７０として決定する際に、複数の画素７０のうちのいずれをＡＥＣ画素７０として用いるかは予め定めておけばよく、特に限定されるものではない。また、ｘ方向全ての画素を３画素ずつＡＥＣ画素７０としているが、これに限らず、ｘ方向に等間隔をあけて３画素ずつＡＥＣ画素７０としてもよい。ｘ方向のＡＥＣ画素数や間隔は予め記憶部４７に記憶しておけば事足りる。

放射線検出器４２のＡＥＣ画素７０（検出センサ７１）から検出値を取得する方法は、特に限定されないが、信号配線７６がｙ方向に沿って設けられており、走査配線７８がｘ方向に沿って設けられている場合、ＡＥＣ画素７０のｙ方向の位置に応じた走査配線７８のみに順次、ＴＦＴスイッチ７２をオン状態にするための信号を印加して、ＴＦＴスイッチ７２を駆動させてセンサ部７４から蓄積された電荷（電気信号）を信号配線７６に読み出す。信号配線７６に読み出された電気信号は、検出値として信号検出回路６４を介して制御部６６により取得される。

次のステップ４１６−１では、各領域毎に予め定められた補正係数を記憶部４７から読み出し、各領域毎に、読み出した補正係数により、検出値を補正する。本実施例では、各領域毎に、乳房Ｎの厚み（間隔ｔ）に応じて、予め補正係数が定められている。当該補正係数は、乳房Ｎの厚みに応じて予め実験等により得ておき、記憶部４７に記憶させておく。当該補正係数の具体的例としては、第１領域９０_１では、間隔ｔ_０に基づいた補正係数、第２領域９０_２では、間隔ｔ_１に基づいた補正係数、第３領域９０_３では、間隔ｔ_２に基づいた補正係数としてもよい。また例えば、第１領域９０_１では、間隔ｔ_０と間隔ｔ_１との中間値である（間隔ｔ_０＋間隔ｔ_１）／２に基づいた補正係数、第２領域９０_２では、（間隔ｔ_１＋間隔ｔ_２）／２に基づいた補正係数としてもよい。なお、この場合、乳房Ｎの付け根付近に当たる位置となるｙ方向の位置における間隔ｔについては、実際に被検者Ｗを圧迫板２６で固定するまでは、不明であり、予め得ておくことができない。そのため第３領域９０_３では、例えば、間隔ｔ_２＋所定間隔ｔ_ｗに基づいた補正係数を用いるようにするとよい。

本実施例ではこのように取得した各ＡＥＣ画素７０（検出センサ７１）の検出値を補正係数を用いて補正することにより、乳房Ｎの厚みに応じた重み付けを行う。

さらに、次のステップ４１８では、補正された検出値（補正値）に基づいて、適切な線量で本撮影を行うための撮影条件を決定して、放射線照射部２４に指示した後、本処理を終了する。なお、本実施例においても、第１の実施の形態と同様に、補正値と撮影条件（または線量）との対応関係は、予め記憶部４７等に記憶させておき、当該対応関係を参照して撮影条件を決定すればよい。また、本実施例における、撮影条件（線量等）の変更・調整は、第１の実施の形態と同様としている。

さらに本実施例の放射線画像撮影装置１０では、放射線画像撮影処理において、上述の撮影条件設定処理（図１３参照）により設定された撮影条件で本撮影を行って、放射線検出器４２により得られた放射線画像を、補正する補正処理を行って、生成される放射線画像の精度・画質を向上させている。当該補正処理の流れの一例のフローチャートを図１５に示す。

ステップ５００では、放射線検出器４２から放射線画像を示す画像情報を取得する。次のステップ５０２では、上述の撮影条件設定処理のステップ４１０により記憶部４７に記憶させた各領域（第１領域９０_１〜第３領域９０_３）を示す情報を読み出す。そして、次のステップ５０４では、各領域毎に、各領域毎に定められている補正係数を用いて画像情報を補正した後、本処理を終了する。

このように本実施例では、乳房Ｎの厚みに応じて設けられた各領域（第１領域９０_１〜第３領域９０_３）毎に所定の個数が定められており、ｙ方向に並んだ当該所定個数の画素７０のうちから１つの画素７０を線量を検出する検出センサ７１（ＡＥＣ画素７０）として用いる。従って、放射線の線量を検出するＡＥＣ画素７０の密度を乳房Ｎの厚みに応じて異ならせることができる。

（実施例２）
本実施例の放射線画像撮影装置１０の構成の一例の機能ブロック図は、実施例１（図１２参照）と略同様のため、説明を省略する。本実施例は、実施例１と、線量を検出する検出センサ７１として用いるＡＥＣ画素７０、及びその決定の仕方が異なるためこれらについて説明する。本実施例の検出センサ７１は、ｘ方向に並び、乳房Ｎの厚みに応じて定められたＡＥＣ画素７０を含んでいる。

図１６に、本実施例の撮影条件設定処理の一例のフローチャートを示す。なお、本実施例の撮影条件設定処理は、実施例１の撮影条件設定処理（図１３参照）と略同様のステップを含むため、略同様のステップには、同一符号を付し、詳細な説明を省略する。また、図１７に、本実施例における検出センサ７１（ＡＥＣ画素７０）の配置を説明するための模式図を示す。

図１６に示すように、本実施例の撮影条件設定処理のステップ４０２〜ステップ４１２は、実施例１の撮影条件設定処理のステップ４０２〜ステップ４１２にそれぞれ対応している。圧迫板２６の移動が停止したか否かを判断し、停止すると、保持部２８から圧迫板２６の位置情報（スライド位置ｚ_０）を取得する。さらに、角度センサ４５から圧迫板２６の傾斜角度θを取得する。さらに、記憶部４７から間隔ｔ_１及び間隔ｔ_２を読み出して、圧迫板２６の位置情報（スライド位置ｚ_０）、傾斜角度θ、及び間隔ｔ_１、間隔ｔ_２に基づいて、第１領域９０_１〜第３領域９０_３を決定し、第１領域９０_１〜第３領域９０_３を示す情報を記憶部４７に記憶させる。その後、本撮影の前に、放射線照射部２４によりプレ照射を行わせる。このようにしてプレ照射により、放射線検出器４２の各画素７０では、乳房Ｎを透過した放射線の線量に応じた電荷（電気信号）が蓄積される。

次のステップ４１４−２では、各領域（第１領域９０_１〜第３領域９０_３）毎に、所定の位置（検出位置９２）において乳房Ｎの厚みに応じて定められたＡＥＣ画素７０から検出値（蓄積された電荷）を取得する。

本実施例では、放射線の線量を検出する検出センサ７１を設ける検出位置９２が予め定められている。具体的一例として本実施例では、図１７に示すように、撮影面内に予め検出位置９２が予めｘ方向に重心位置が等間隔で、かつｙ方向に重心位置が等間隔になるよう定められており、検出位置９２に対応する画素７０をＡＥＣ画素７０として用いている。さらに本実施例では、各領域毎に、検出位置９２において検出センサ７１として用いるＡＥＣ画素７０のｘ方向（乳房Ｎの厚みが同一となる方向）の個数が乳房Ｎの厚みに応じて定められている。より詳細には、検出位置９２、及び、乳房Ｎの厚みとｘ方向における画素数を対応した表を予め（例えば、記憶部４７やＲＯＭ５２に）記憶しておき、実際に乳房Ｎの厚みに対応する領域を決定し、その領域について検出位置９２の画素が重心位置になる様、ｘ方向における画素数を適用する。具体的に本実施例では、乳房Ｎの厚みが比較的薄い領域にあたる第１領域９０_１では、ｘ方向に並んだ３個、乳房Ｎの厚みが中間値となる第２領域９０_２では、ｘ方向に並んだ５個、第３領域９０_３では、ｘ方向に並んだ７個、をＡＥＣ画素７０としている。

なお、検出位置９２に応じたいずれの画素７０をＡＥＣ画素７０として用いるかは、特に限定されず、予め定めておけばよい。例えば、検出位置９２に最も近い１つの画素７０を中心として、ｘ方向に並んだ複数（所定個数）の画素７０をＡＥＣ画素７０として用いればよい。

このように、本実施例では、乳房Ｎの厚みが厚くなるほど、ｘ方向に並んだＡＥＣ画素７０の個数が多くなるようにしている。また本実施例では、検出センサ７１として用いる複数のＡＥＣ画素７０の検出値の平均値を検出センサ７１の検出値として用いている。すなわち、乳房Ｎの厚みが同じ位置に設けられた複数のＡＥＣ画素７０の平均値を検出センサ７１の検出値として用いるようにしている。

なお、本実施例では、ｙ方向の位置に応じて乳房Ｎの厚みが異なってしまうため、ｙ方向に並んだ画素７０ではなく、ｘ方向に並んだＡＥＣ画素７０を用いるようにしている。

次のステップ４１５−２では、各検出位置９２（検出センサ７１）毎に、ＡＥＣ画素７０の検出値の平均値を算出する。次のステップ４１６−２では、各領域毎に予め定められた補正係数を記憶部４７から読み出し、各領域毎に、補正係数により、各検出位置９２に応じた検出値の平均値を補正する。すなわち、検出センサ７１の検出値を補正する。本実施例においても、実施例１と同様に、各領域毎に、乳房Ｎの厚み（間隔ｔ）に応じて、予め補正係数が定められており、記憶部４７に記憶されている。本実施例ではこのように取得した各検出位置９２（検出センサ７１）におけるＡＥＣ画素７０の平均値を補正係数を用いて補正することにより、乳房Ｎの厚みに応じた重み付けを行う。

次のステップ４１８は、実施例１のステップ４１８に対応しており、補正された平均値（補正値）に基づいて、適切な線量で本撮影を行うための撮影条件を決定して、放射線照射部２４に指示した後、本処理を終了する。

このように本実施例では、乳房Ｎの厚みに応じて設けられた各領域（第１領域９０_１〜第３領域９０_３）毎に所定の個数が定められており、所定の検出位置９２における乳房の厚みに応じたＡＥＣ画素７０を線量を検出する検出センサ７１として用いている。また、各検出位置９２（検出センサ７１）毎に、ＡＥＣ画素７０の検出値の平均値を用いている。従って、放射線の線量を検出するＡＥＣ画素７０の密度を乳房Ｎの厚みに応じて異ならせることができる。

（実施例３）
本実施例の放射線画像撮影装置１０の構成の一例の機能ブロック図は、実施例１（図１２参照）と略同様のため、説明を省略する。本実施例は、実施例１と、線量を検出する検出センサ７１として用いるＡＥＣ画素７０、及びその決定の仕方が異なるためこれらについて説明する。本実施例の検出センサ７１は、２次元状に配列された所定の個数のＡＥＣ画素７０を含んでいる。

図１８に、本実施例の撮影条件設定処理の一例のフローチャートを示す。なお、本実施例の撮影条件設定処理は、実施例１の撮影条件設定処理（図１３参照）と略同様のステップを含むため、略同様のステップには、同一符号を付し、詳細な説明を省略する。また、図１９に、本実施例における検出センサ７１（ＡＥＣ画素７０）の配置を説明するための模式図を示す。

図１８に示すように、本実施例の撮影条件設定処理のステップ４０２〜ステップ４１２は、実施例１の撮影条件設定処理のステップ４０２〜ステップ４１２にそれぞれ対応している。圧迫板２６の移動が停止したか否かを判断し、停止すると、保持部２８から圧迫板２６の位置情報（スライド位置ｚ_０）を取得する。さらに、角度センサ４５から圧迫板２６の傾斜角度θを取得する。さらに、記憶部４７から間隔ｔ_１及び間隔ｔ_２を読み出して、圧迫板２６の位置情報（スライド位置ｚ_０）、傾斜角度θ、及び間隔ｔ_１、間隔ｔ_２に基づいて、第１領域９０_１〜第３領域９０_３を決定し、第１領域９０_１〜第３領域９０_３を示す情報を記憶部４７に記憶させる。その後、本撮影の前に、放射線照射部２４によりプレ照射を行わせる。このようにしてプレ照射により、放射線検出器４２の各画素７０では、乳房Ｎを透過した放射線の線量に応じた電荷（電気信号）が蓄積される。

次のステップ４１４−３では、各領域（第１領域９０_１〜第３領域９０_３）毎に、所定の位置（検出位置９２）を中心として所定数（ｋ_ｘ×ｋ_ｙ個）のＡＥＣ画素７０から検出値（蓄積された電荷）を取得する。

本実施例では、放射線の線量を検出する検出センサ７１は、予め定められた検出位置９２または画素７０を中心として所定数（ｋ_ｘ×ｋ_ｙ個）のＡＥＣ画素７０を含んでいる。具体的一例として本実施例では、図１９に示すように、検出位置９２となる画素７０（ＡＥＣ画素７０）は、ｘ方向及びｙ方向に、１０画素ずつ等間隔で定められている。なお、検出位置９２となる画素７０（ＡＥＣ画素７０）の定め方は、本実施例に限定されず、例えば、上記実施例２と同様にして予め定めておいてもよい。

より詳細には、本実施例では、検出位置９２、及び、乳房Ｎの厚みとｘｙ方向における画素数とを対応した表を予め（例えば記憶部４７やＲＯＭ５２に）記憶しておき、実際に乳房Ｎの厚みに対応する領域を決定し、その領域についてｘｙ方向における画素数を適用する。このため、各領域毎に、検出センサ７１として用いるＡＥＣ画素７０の数が異なっている。具体的一例として本実施例では、図１９に示すように、乳房Ｎの厚みが比較的薄い領域にあたる第１領域９０_１では、ｋ_ｘ＝ｋ_ｙ＝３、３×３＝９個、乳房Ｎの厚みが中間値となる第２領域９０_２では、ｋ_ｘ＝ｋ_ｙ＝５、５×５＝２５個、第３領域９０_３では、ｋ_ｘ＝ｋ_ｙ＝７、７×７＝４９個、を所定の個数としている。

本実施例では、各領域において検出センサ７１として用いるＡＥＣ画素７０の所定の個数（ｋ_ｘ及びｋ_ｙ）は予め記憶部４７に記憶させておく。また、本実施例では、ｋ_ｘ＝ｋ_ｙとしているがこれに限らず、ｋ_ｘ≠ｋ_ｙであってもよい。さらに、本実施例の図１９では、検出センサ７１が重なり合わないように配置されている場合について示したがこれに限らない。例えば、加算画素数が増えた場合、検出センサ７１の一部が重なり合ってもよい。

このように、本実施例では、乳房Ｎの厚みが厚くなるほど、２次元状（ｋ_ｘ×ｋ_ｙ）に配列されたＡＥＣ画素７０の個数が多くなるようにしている。また本実施例では、上記実施例２と同様に、検出センサ７１として用いる複数のＡＥＣ画素７０の検出値の平均値を検出センサ７１の検出値として用いている。すなわち、乳房Ｎの厚みが同じ位置に設けられた複数のＡＥＣ画素７０の平均値を検出センサ７１の検出値として用いるようにしている。

次のステップ４１５−３では、各検出センサ７１毎に、ＡＥＣ画素７０の検出値の平均値を算出する。ＡＥＣ画素７０の検出値の平均値が、各検出センサ７１の検出値となる。

次のステップ４１６−３では、各領域毎に予め定められた補正係数を記憶部４７から読み出し、各領域毎に、補正係数により、検出センサ７１の検出値を補正する。本実施例においても、上記各実施例と同様に、各領域毎に、乳房Ｎの厚み（間隔ｔ）に応じて、予め補正係数が定められており、記憶部４７に記憶されている。本実施例ではこのように取得した各検出センサ７１におけるＡＥＣ画素７０の平均値を補正係数を用いて補正することにより、乳房Ｎの厚みに応じた重み付けを行う。

次のステップ４１８は、実施例１のステップ４１８に対応しており、補正された平均値（補正値）に基づいて、適切な線量で本撮影を行うための撮影条件を決定して、放射線照射部２４に指示した後、本処理を終了する。

このように本実施例では、検出センサ７１が、２次元状に配列されたＡＥＣ画素７０を含んでいる。本実施例では、検出位置９２（中心画素）が予め定められていると共に、乳房Ｎの厚みに応じて設けられた各領域（第１領域９０_１〜第３領域９０_３）毎に検出センサ７１として用いるＡＥＣ画素７０の個数（ｋ_ｘ×ｋ_ｙ個）が定められており、乳房Ｎの厚みが厚い領域ほど１つの検出センサ７１あたりのＡＥＣ画素７０の個数が多くなるよう定められている。また、各検出位置９２（検出センサ７１）毎に、ＡＥＣ画素７０の検出値の平均値を用いている。

本実施例では、撮影面２０に対して、一様に、検出位置９２（中心画素）を定めているため、各領域（第１領域９０_１〜第３領域９０_３）にかかわらず、領域毎の検出位置９２の密度（単位面積当たりの検出位置９２の個数）は同一となる。また、各領域にかかわらず、検出センサ７１の中心画素からみた検出センサ７１内におけるＡＥＣ画素７０の密度は同一となる。しかしながら、乳房Ｎの厚みが厚い領域ほど１つの検出センサ７１あたりのＡＥＣ画素７０の個数が多いため、乳房Ｎの厚みが厚い領域ほど、ＡＥＣ画素７０の数が多くなる。従って、放射線の線量を検出するＡＥＣ画素７０の密度を乳房Ｎの厚みに応じて異ならせることができ、ＡＥＣ画素７０の密度を乳房Ｎの厚みが厚いほど密度を高くすることができる。

また、本実施例では、乳房Ｎの厚みが厚いほど、より多くの近傍のＡＥＣ画素７０の検出値の平均値を用いているため、放射線の透過量の検出精度を向上させることができる。

（実施例４）
本実施例の放射線画像撮影装置１０の構成の一例の機能ブロック図は、実施例１（図１２参照）と略同様のため、説明を省略する。本実施例では、プレ照射により得られた放射線画像を用いて線量を検出する検出センサ７１として用いるＡＥＣ画素７０を決定する。なお、以下では、実施例１に本実施例の放射線画像を用いたＡＥＣ画素７０（検出センサ７１）の決定方法を適用した場合について説明する。

図２０に、本実施例の撮影条件設定処理の一例のフローチャートを示す。なお、本実施例の撮影条件設定処理は、実施例１の撮影条件設定処理（図１３参照）と略同様のステップを含むため、略同様のステップには、同一符号を付し、詳細な説明を省略する。また、図２１に、本実施例における検出センサ７１となるＡＥＣ画素７０の配置を説明するための模式図を示す。なお、図２１では、プレ照射により得られたプレ画像ＰＧ（詳細後述）上に、各領域（第１領域９０_１〜第３領域９０_３）毎のＡＥＣ画素７０（検出センサ７１）の位置を示した模式図である。

図２０に示すように、本実施例の撮影条件設定処理のステップ４０２〜ステップ４１２は、実施例１の撮影条件設定処理のステップ４０２〜ステップ４１２にそれぞれ対応している。圧迫板２６の移動が停止したか否かを判断し、停止すると、保持部２８から圧迫板２６の位置情報（スライド位置ｚ_０）を取得する。さらに、角度センサ４５から圧迫板２６の傾斜角度θを取得する。さらに、記憶部４７から間隔ｔ_１及び間隔ｔ_２を読み出して、圧迫板２６の位置情報（スライド位置ｚ_０）、傾斜角度θ、及び間隔ｔ_１、間隔ｔ_２に基づいて、第１領域９０_１〜第３領域９０_３を決定し、第１領域９０_１〜第３領域９０_３を示す情報を記憶部４７に記憶させる。その後、本撮影の前に、放射線照射部２４によりプレ照射を行わせる。このようにしてプレ照射により、放射線検出器４２の各画素７０では、乳房Ｎを透過した放射線の線量に応じた電荷（電気信号）が蓄積される。

次のステップ４１３−４１では、プレ照射により、各画素７０に蓄積された電荷を読み出して、プレ照射に基づいた放射線画像（以下、プレ画像ＰＧという。図１９参照）を生成する。

次のステップ４１３−４２では、生成されたプレ画像ＰＧから、乳房Ｎを撮影した乳房画像ＮＧを検出する。なお、乳房画像ＮＧの検出方法は、一般的に行われている画像解析法等を用いればよく、特に限定されない。なお、本実施例では、プレ画像ＰＧにおける乳房画像ＮＧの検出は、画像そのものを診断等に用いるのではなく、ＡＥＣ画素７０の決定のために用いるため、診断等のために行う画像解析よりも、許容範囲内であれば精度が多少低いものであってもよい。

次のステップ４１５−４では、各領域（第１領域９０_１〜第３領域９０_３）毎に、乳房画像ＮＧ中において所定の頻度で設けられたＡＥＣ画素７０から検出値（蓄積された電荷に応じた電気信号）を取得する。本実施例では、実施例１と同様の頻度で、各領域のＡＥＣ画素７０から検出値を取得する。この際、本実施例では、図２１に示すように、乳房画像ＮＧに対応する位置に設けられた画素７０のみをＡＥＣ画素７０として、当該ＡＥＣ画素７０から検出値を取得している。

次のステップ４１６−４では、各領域毎に予め定められた補正係数を記憶部４７から読み出し、各領域毎に、読み出した補正係数により、検出値を補正する。

次のステップ４１８は、実施例１のステップ４１８に対応しており、補正された検出値（補正値）に基づいて、適切な線量で本撮影を行うための撮影条件を決定して、放射線照射部２４に指示した後、本処理を終了する。

このように本実施例では、プレ照射により得られたプレ画像ＰＧから乳房画像ＮＧを検出し、乳房画像ＮＧに対応する位置の画素７０のうちから、検出センサ７１として用いるＡＥＣ画素７０を決定している。このように本実施例では、乳房Ｎに対応する位置に配置されたＡＥＣ画素７０を用いているため、より、放射線の透過量の検出精度を向上することができる。

なお、上記では、本実施例を実施例１に適用した場合について説明したがこれに限らず、本実施例を他の実施例に適用してもよいことはいうまでもない。本実施例を実施例２若しくは実施例３に適用した場合も、本発明のスコープ内である。

また、上記実施例１〜実施例４では、圧迫板２６が被検者Ｗの前後方向に傾き角度（傾斜角度θ）で傾いていている場合について説明したが、被検者Ｗの左右方向において圧迫板２６が傾き角度（傾斜角度φ）で傾斜している場合であっても同様にすればよい。例えば、第１の実施の形態と同様に、傾斜角度φを検出する検出センサ（例えば、角度センサ）等を設け、さらに、傾斜角度φに基づいて、画素領域を複数の領域に分割し、分割した各領域毎に、乳房Ｎの厚みに応じた画素密度となるように、画素７０のうちからＡＥＣ画素７０を決定すればよい。

また、上記実施例１〜実施例３では、離散的にＡＥＣ画素７０（検出センサ７１）を配置する場合について説明したがこれに限らず、連続して配置するようにしてもよい。

また、上記実施例１〜実施例４では、ｘ方向の画素密度を一定値としているが、これに限らず、ｙ方向の画素密度に合わせてもよい。例えば、ｙ方向の画素密度と同一としてもよい。

また、上記実施例１〜実施例４では、２つの閾値（間隔ｔ_１、ｔ_２）により３つの領域（第１領域９０_１〜第３領域９０_３）に分割しているが、閾値の値、及び分割する領域の数はこれに限定されるものではない。

以上説明したように本実施の形態では、圧迫板２６が傾くことにより乳房Ｎの厚みが均一ではない場合でも、乳房Ｎの厚み（圧迫板２６の傾斜角度θから推定）に応じて、線量を検出するためのＡＥＣ画素７０の密度を定めている。従って、放射線の線量を検出するＡＥＣ画素７０の密度を乳房Ｎの厚みに応じて異ならせることにより、放射線の透過量の検出精度向上することができ、乳房Ｎの厚みを考慮したプレ曝射及び放射線画像の撮影が行える。また、全ての画素７０をＡＥＣ画素７０（検出センサ７１）として用いなくてもよいため、放射線の線量の検出の高速化を達成することができる。

［第３の実施の形態］
次に、放射線量の検出センサとして、放射線検出器４２の画素７０を用いる場合について説明する。第２の実施の形態では、放射線検出器４２の画素７０のうちの一部の画素をＡＥＣ画素７０として用いていたが、本実施の形態では、全画素７０をＡＥＣ画素７０として用いている。なお、本実施の形態は上記各実施の形態と略同様の構成及び動作を含むため、略同様の構成及び動作についてはその旨を記し、詳細な説明を省略する。

本実施の形態では、放射線検出器４２の画素７０全てをＡＥＣ画素７０として検出センサ７１に用いている。本実施の形態では、乳房Ｎの厚み（圧迫板２６の傾斜角度θから推定）に応じて、線量を検出するための検出センサ７１に用いるＡＥＣ画素７０の個数を定めている。本実施の形態では、乳房Ｎの厚みが厚いほど、１つの検出センサ７１あたりのＡＥＣ画素７０の個数が多くなるように定めている。

本実施の形態の放射線画像撮影装置１０の構成の一例の機能ブロック図を図２２に示す。図２２に示すように、本実施の形態の放射線画像撮影装置１０は、第１の実施の形態の放射線画像撮影装置１０（図５参照）と略同様の構成であるが、第１の実施の形態の放射線画像撮影装置１０に備えられていたＡＥＣセンサ４４を備えていない。また、放射線検出器４２の画素７０の全部をＡＥＣ画素７０として検出センサ７１に用いている。本実施の形態では、乳房Ｎの厚みに応じて決定した所定数（ｋ_ｘ×ｋ_ｙ個）のＡＥＣ画素７０が１つの検出センサ７１に対応している。

また、本実施の形態では第２の実施の形態と同様に、記憶部４７には、間隔（閾値）ｔ_１、ｔ_２等が予め記憶されている。なお、上述の図１に示した放射線画像撮影装置１０の構成、及び図３に示した放射線検出器４２の概略構成は、第１の実施の形態と略同様のため、ここでは詳細な説明を省略する。

本実施の形態の放射線画像撮影装置１０による放射線画像の撮影の流れ全体は、第１の実施の形態における放射線画像の撮影の流れ（図６参照）と略同様であるが、本実施の形態では、第１の実施の形態とステップ１０６のプレ照射を伴う撮影条件設定処理、及びステップ１０８の放射線画像撮影処理において行われる放射線画像の補正処理が異なる。なお、放射線画像の補正処理は、第２の実施の形態と略同様であるため説明を省略し、撮影条件設定処理についてここでは説明する。

図２３に、本実施の形態における撮影条件設定処理の流れの一例のフローチャートを示す。また、図２４に、本実施の形態における検出センサ７１（ＡＥＣ画素７０）の配置を説明するための模式図を示す。

ステップ６０２〜ステップ６０６では、第１の実施の形態の撮影条件設定処理（図７、ステップ２０２〜ステップ２０６参照）と略同様の処理を行う。圧迫板２６の移動が停止したか否かを判断し、停止すると、保持部２８から圧迫板２６の位置情報（スライド位置ｚ_０）を取得する。さらに、角度センサ４５から圧迫板２６の傾斜角度θを取得する。

次のステップ６０８では、記憶部４７から間隔ｔ_１及び間隔ｔ_２を読み出す。

次のステップ６１０では、圧迫板２６の位置情報（スライド位置ｚ_０）、傾斜角度θ、及び間隔ｔ_１、間隔ｔ_２に基づいて、第１領域〜第３領域を決定し、第１領域〜第３領域を示す情報を記憶部４７に記憶させる。第１領域９０_１〜第３領域９０_３の決定方法は、第２の実施の形態と同様にすればよい。

次のステップ６１２では、本撮影の前に、放射線照射部２４によりプレ照射を行わせる。当該プレ照射により、圧迫板２６及び乳房Ｎを透過して放射線検出器４２に到達した放射線の線量に応じた電荷（電気信号）が放射線検出器４２の各画素７０に蓄積される。

次のステップ６１４では、各領域（第１領域９０_１〜第３領域９０_３）の検出センサ７１毎にＡＥＣ画素７０から検出値（蓄積された電荷に応じた電気信号）を取得する。

本実施の形態では、各領域毎に、検出センサ７１として用いるＡＥＣ画素７０の数（ｋ_ｘ×ｋ_ｙ個）が予め定められている。より詳細には、乳房Ｎの厚みとＡＥＣ画素７０の数（ｋ_ｘ×ｋ_ｙ個）とが対応した表を予め（例えば記憶部４７やＲＯＭ５２に）記憶しておき、実際に乳房Ｎの厚みに対応する領域を決定し、その領域についてＡＥＣ画素７０の数を適用する。このため、本実施の形態では、各領域毎に、検出センサ７１として用いるＡＥＣ画素７０の数が異なっている。具体的一例として本実施の形態では、図２４に示すように、乳房Ｎの厚みが比較的薄い領域にあたる第１領域９０_１では、ｋ_ｘ＝ｋ_ｙ＝３、３×３＝９個、乳房Ｎの厚みが中間値となる第２領域９０_２では、ｋ_ｘ＝ｋ_ｙ＝５、５×５＝２５個、第３領域９０_３では、ｋ_ｘ＝ｋ_ｙ＝７、７×７＝４９個、を所定の個数としている。

本実施の形態では、各領域において検出センサ７１として用いるＡＥＣ画素７０の所定の個数（ｋ_ｘ及びｋ_ｙ）は予め記憶部４７に記憶させておく。また、本実施の形態では、ｋ_ｘ＝ｋ_ｙとしているがこれに限らず、ｋ_ｘ≠ｋ_ｙであってもよい。

次のステップ６１５では、各検出センサ７１毎に、ＡＥＣ画素７０の検出値の平均値を算出する。ＡＥＣ画素７０の検出値の平均値が、各検出センサ７１の検出値となる。

次のステップ６１６では、各領域毎に予め定められた補正係数を記憶部４７から読み出し、各領域毎に、補正係数により、検出センサ７１の検出値を補正する。本実施の形態においても、上記第２の実施の形態の各実施例と同様に、各領域毎に、乳房Ｎの厚み（間隔ｔ）に応じて、予め補正係数が定められており、記憶部４７に記憶されている。本実施の形態ではこのように取得した各検出センサ７１におけるＡＥＣ画素７０の平均値を補正係数を用いて補正することにより、乳房Ｎの厚みに応じた重み付けを行う。

次のステップ６１８では、補正された検出値（補正値）に基づいて、適切な線量で本撮影を行うための撮影条件を決定して、放射線照射部２４に指示した後、本処理を終了する。なお、本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、補正値と撮影条件（または線量）との対応関係は、予め記憶部４７等に記憶させておき、当該対応関係を参照して撮影条件を決定すればよい。また、本実施の形態における、撮影条件（線量等）の変更・調整は、第１の実施の形態と同様としている。

以上説明したように本実施の形態では、画素７０の全てがＡＥＣ画素７０として用いられる。検出センサ７１は、乳房Ｎの厚みに応じて設けられた各領域（第１領域９０_１〜第３領域９０_３）毎にＡＥＣ画素７０の個数（ｋ_ｘ×ｋ_ｙ個）が定められており、乳房Ｎの厚みが厚い領域ほど１つの検出センサ７１あたりのＡＥＣ画素７０の個数が多くなるよう定められている。また、各検出位置９２（検出センサ７１）毎に、ＡＥＣ画素７０の検出値の平均値を用いている。

本実施の形態では、各領域（第１領域９０_１〜第３領域９０_３）にかかわらず、検出センサ７１の中心画素からみた検出センサ７１内におけるＡＥＣ画素７０の密度は同一となる。一方、１つの検出センサ７１あたりのＡＥＣ画素７１０の個数は、乳房Ｎの厚みが厚い領域ほど多いため、乳房Ｎの厚みが厚い領域ほど、単位面積当たりの検出センサ７１の個数は少なくなる。

本実施の形態では、乳房Ｎの厚みが厚いほど、より多くの近傍のＡＥＣ画素７０の検出値の平均値を用いているため、放射線の透過量の検出精度を向上させることができる。

なお、本実施の形態では、全画素７０をＡＥＣ画素７０として用いたが、必ずしも放射線検出器４２の画素７０を全て用いなくてもよく、検出センサ７１が間隔を空けずに（例えば、各領域毎に間隔を空けずに）設けられている場合、例えば、撮影面２０の端部等の画素７０は、ＡＥＣ画素７０として用いない場合でも、本発明のスコープ内である。また例えば、第２の実施の形態の実施例４と同様に、乳房画像ＮＧに対応する位置の全画素７０をＡＥＣ画素７０として用い、乳房画像ＮＧ以外の位置の画素７０は、ＡＥＣ画素７０として用いないようにしてもよい。

なお、放射線の線量を検出する検出センサとして、上記第１の実施の形態では、別途に設けられたＡＥＣセンサ４４、上記第２の実施の形態では、画素７０のうちから選択されたＡＥＣ画素７０、及び上記第３の実施の形態では、全画素７０を用いているが、検出センサはこれらに限らない。例えば、放射線検出器４２の一部に、線量検出機能を埋め込んだ検出センサであってもよく、この場合であっても本発明を適用できることはいうまでもない。

また、上記各実施の形態では、撮影部位を乳房Ｎとし、乳房Ｎを圧迫板２６により圧迫する場合について詳細に説明したがこれに限らず、撮影部位を圧迫した状態で放射線画像の撮影を行うものであれば、撮影部位は乳房Ｎに限定されない。

また、放射線画像の撮影に用いられる放射線は、特に限定されるものではなく、Ｘ線やγ線等を適用することができる。

その他、上記各実施の形態で説明した放射線画像撮影装置１０や放射線源３０、放射線検出器４２等の構成は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。また、上記各実施の形態で説明した放射線画像撮影処理や撮影条件設定処理の流れも一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。

１０ 放射線画像撮影装置
２０ 撮影面
２２ 撮影台
２４ 放射線照射部 ２４Ａ フィルタ
２６ 圧迫板
３０ 放射線源、３０Ａ 筐体、３０Ｂ 陰極、 ３０Ｃ ターゲット
４２ 放射線検出器
４４ ＡＥＣセンサ
４５ 角度センサ
４８ 撮影装置制御部
７０ 画素、ＡＥＣ 画素
７１ 検出センサ
８０、８２ センサ
９０ 領域、９０_１ 第１領域、 ９０_２ 第２領域、 ９０_３ 第３領域
９２ 検出位置
Ｎ 乳房
ＮＧ 乳房画像
ＰＧ プレ画像
Ｗ 被検者

Claims (20)

1. 被検者の撮影部位を撮影台の撮影面との間で挟み込んで圧迫する際に、前記撮影部位に応じて前記撮影面を基準として傾斜する圧迫板と、
   前記撮影台の撮影面の互いに異なる位置に設けられ、照射された放射線の照射量を検出する複数の照射検出手段と、
   前記複数の照射検出手段の各々が設けられた位置に応じた、前記圧迫板により圧迫された前記撮影部位の厚みに基づいた補正係数を用いて、複数の前記照射検出手段による検出結果を補正する補正手段と、
   を備えた放射線画像撮影装置。
2. 前記複数の照射検出手段の各々が設けられた位置毎に、前記圧迫板により圧迫された前記撮影部位の厚みを推定する推定手段を備え、
   前記補正手段は、前記推定手段で推定した前記撮影部位の厚みに基づいて、複数の前記照射検出手段による検出結果を補正する補正係数を決定し、決定した補正係数を用いて複数の前記照射検出手段による検出結果を補正する、請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
3. 前記推定手段は、前記圧迫板と前記撮影面との間隔を検出し、検出した間隔に応じて前記撮影部位の厚みを推定する、請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
4. 前記圧迫板の前記撮影面に対する傾きを検出する傾き検出手段を備え、
   前記推定手段は、前記傾き検出手段で検出した前記圧迫板の傾きに基づいて前記撮影部位の厚みを推定する、請求項２または請求項３に記載の放射線画像撮影装置。
5. 前記複数の照射検出手段は、前記圧迫板の傾斜方向に複数設けられている、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置。
6. 放射線に応じた電荷を蓄積する複数の画素が前記撮影面に対する画素領域に２次元状に配置された放射線検出器と、
   前記圧迫板と前記撮影面との所定の間隔と、前記圧迫板の傾きと、に基づいて、前記画素領域から複数の所定領域を決定する領域決定手段と、
   前記領域決定手段で決定した複数の前記所定領域毎に、所定の画素密度で、複数の前記画素のうちから、前記照射検出手段として用いる照射検出用画素を決定する照射検出用画素決定手段と、を備え、
   前記補正係数は、複数の前記所定領域毎に予め定められており、前記補正手段は、当該補正係数を用いて、前記所定領域毎に前記照射検出用画素による検出結果を補正する、請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
7. 前記所定の画素密度は、前記圧迫板と前記撮影面との所定の間隔が大きいほど、高くなる、請求項６に記載の放射線画像撮影装置。
8. 前記照射検出用画素決定手段は、複数の前記所定領域毎に、前記所定領域毎に予め定められた数の前記圧迫板の傾斜方向に配列された前記画素から１つの画素を照射検出用画素として決定する、請求項６または請求項７に記載の放射線画像撮影装置。
9. 前記照射検出用画素決定手段は、複数の前記所定領域内の所定の位置毎に、前記所定領域に応じて予め定められた数の画素を照射検出用画素として決定し、前記補正手段は、前記所定の位置毎の前記照射検出用画素による検出結果の平均値を、前記補正係数を用いて補正する、請求項６または請求項７に記載の放射線画像撮影装置。
10. 前記照射検出用画素決定手段は、前記所定の位置毎に、前記圧迫板の傾斜方向と異なる方向に並んだ前記予め定められた数の画素を照射検出用画素として決定する、請求項９に記載の放射線画像撮影装置。
11. 前記照射検出用画素決定手段は、前記所定の位置を中心とした２次元状に配置された前記予め定められた数の画素を照射検出用画素として決定する、請求項９に記載の放射線画像撮影装置。
12. 前記照射検出用画素決定手段は、前記放射線検出器により撮影部位が撮影された放射線画像に基づいて、前記撮影面における当該撮影部位の位置を特定し、特定した撮影部位の位置に対応する位置に設けられた複数の前記画素から、前記照射検出用画素を決定する、請求項６から請求項１１のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置。
13. 放射線に応じた電荷を蓄積して放射線画像の撮影に用いられると共に前記照射検出手段として用いられる複数の画素が前記撮影面に対する画素領域に２次元状に配置された放射線検出器と、
    前記圧迫板と前記撮影面との所定の間隔と、前記圧迫板の傾きと、に基づいて、前記画素領域から複数の所定領域を決定する領域決定手段と、
    前記撮影部位の厚みが厚いほど多くなるように、前記領域決定手段で決定した複数の前記所定領域毎に予め定められた数の画素を含む複数の検出部を、複数の前記所定領域毎に決定する検出部決定手段と、を備え、
    前記補正係数は、複数の前記所定領域毎に予め定められており、前記補正手段は、当該補正係数を用いて、前記所定領域毎に前記検出部の前記画素の検出結果の平均値を補正する、請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
14. 前記補正手段により補正された前記複数の照射検出手段による検出結果に基づいて、前記撮影部位の放射線画像を撮影する際の放射線の線量及び線質の少なくとも一方を調整する調整手段を備えた、請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置。
15. 前記調整手段の調整対象は、前記放射線を発生する放射線源の管電圧、管電流、照射時間、当該放射線源に設けられた制動放射線を発生するためのターゲットの種類、及び前記放射線源と被検者との間に設けられたフィルタの種類の少なくとも１つである、請求項１４に記載の放射線画像撮影装置。
16. 前記補正手段が決定した前記補正係数を用いて、撮影された放射線画像を補正する画像補正手段を備えた、請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置。
17. 前記補正係数を記憶する記憶手段を備えた、請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置。
18. 前記請求項１から前記請求項１７のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置の補正手段としてコンピュータを機能させるための放射線画像撮影プログラム。
19. 被検者の撮影部位を撮影台の撮影面との間で挟み込んで圧迫する際に、前記撮影部位に応じて前記撮影面を基準として傾斜する圧迫板と、前記撮影台の撮影面の互いに異なる位置に設けられ、照射された放射線の照射量を検出する複数の照射検出手段と、が設けられた放射線画像撮影装置の、
    前記複数の照射検出手段の各々が設けられた位置に応じた、前記圧迫板により圧迫された前記撮影部位の厚みに基づいた補正係数を用いて、複数の前記照射検出手段による検出結果を補正する補正工程と、
    を備えた放射線画像撮影方法。
20. 前記補正工程により補正された前記複数の照射検出手段による検出結果に基づいて、被検者に照射する放射線の線量及び線質の少なくとも一方を調整する調整工程を備えた、請求項１９に記載の放射線画像撮影方法。