CN108348207A - 放射线成像系统 - Google Patents

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Abstract

一种放射线成像系统包括其中检测放射线的多个元件被二维排列的二维阵列。多个元件包括能用于根据放射线照射剂量已经达到目标照射剂量的事实停止放射线照射的曝光控制的多个检测器。放射线成像系统包括控制器,该控制器被配置为基于来自多个检测器的信号的读取方式的设定确定从开始放射线照射直到根据来自二维阵列的信号停止放射线照射为止所需要的最小照射时间,并且当最小照射时间超过基准照射时间时执行错误处理。

Description

放射线成像系统
技术领域
本发明涉及放射线成像系统。
背景技术
已知存在包括用于电捕获通过放射线形成的图像的放射线成像装置的放射线成像系统。放射线成像系统可以具有检测从放射线源发射到放射线成像装置的放射线剂量已经达到预定放射线剂量并且基于该检测而停止来自放射线源的放射线照射的自动曝光功能。在自动曝光功能中,需要避免由于不能检测放射线照射剂量已经达到预定放射线剂量而导致的对被检体的过量放射线照射。
日本专利No.5333580涉及X射线成像装置。在日本专利No.5333580中,当在X射线控制器中被设定为X射线曝光限制时间的备用时间比从被检体的厚度和X射线条件获得的成像时间短时,生成警告。
日本专利特开No.2013-215518涉及放射线成像系统。在日本专利特开No.2013-215518中,当从开始放射线照射直到通过自动曝光控制部件停止放射线照射为止所需要的最小照射时间比预定照射时间长时,管电流被校正,使得实际放射线照射时间变得等于或大于最小照射时间。
在日本专利特开No.2013-215518中所描述的技术中,可以通过校正管电流来防止对于被检体的过量放射线照射。但是,当通过减小管电流来减少放射线的强度时,获得的放射线图像的图像质量可能劣化。另外,校正管电流的方式需要支持这样的功能的放射线源和用于控制这样的功能的曝光控制器。
发明内容
本发明提供有利于抑制放射线图像的图像质量下降并且避免过量放射线照射的技术。
本发明的各方面中的一个方面提供一种包括二维阵列的放射线成像系统,在该二维阵列中,检测放射线的多个元件被二维地排列,多个元件包含可用于根据放射线照射剂量已经达到目标照射剂量的事实而停止放射线照射的曝光控制的多个检测器,并且,放射线成像系统包括控制器,该控制器被配置为基于来自多个检测器的信号的读取方式的设定来确定从开始放射线照射直到根据来自二维阵列的信号停止放射线照射为止所需要的最小照射时间并且当最小照射时间超过基准照射时间时执行错误处理。
参照附图,根据示例性实施例的以下描述,本发明的其它特征将变得清楚。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的放射线成像系统的布置的框图;
图2是示出根据第一实施例的放射线成像系统的放射线成像装置中的成像设备的布置的图;
图3是示出根据第一实施例的放射线成像系统的操作的流程图;
图4是例示盒子(cassette)选择画面的示图;
图5是例示成像区域选择画面的示图;
图6是例示警告显示的示图;
图7是例示自动曝光控制设定画面的示图;
图8是例示管电流设定画面的示图;
图9A是例示用于曝光控制的信号读取方式的示图;
图9B是例示用于曝光控制的另一信号读取方式的示图;
图9C是例示用于曝光控制的又一信号读取方式的示图;
图10是示出图9A的读取方式的操作示例的时序图;
图11是示出最小照射时间Temin超过基准照射时间Tea的示例的时序图;
图12是图9B的读取方式的操作示例的时序图;
图13是图9C的读取方式的操作示例的时序图;
图14A是例示用于曝光控制的信号读取方式的示图;
图14B是例示用于曝光控制的另一信号读取方式的示图;
图15是示出根据第二实施例的放射线成像系统的放射线成像装置中的成像设备的布置的图;
图16A是例示根据第二实施例的用于曝光控制的信号读取方式的示图;
图16B是例示根据第二实施例的用于曝光控制的另一信号读取方式的示图;
图17是示出图16A的读取方式的操作示例的时序图。
具体实施方式
以下,以示例性实施例的方式描述本发明。
图1示出根据本发明的第一实施例的放射线成像系统DRS的布置。放射线成像系统DRS包括放射线成像装置100,并且检测根据从放射线源112发射并且穿过被检体的放射线形成的图像作为电气图像信号。放射线的概念包括例如α射线、β射线、γ射线等。
放射线成像系统DRS还包括放射线源112、主控制器(控制器)109和曝光控制器110。放射线源112发射放射线。除了控制放射线成像装置100,主控制器109经由曝光控制器110控制放射线源112。主控制器109的功能中的全部或一些可以被并入于例如放射线成像装置100或曝光控制器110中。曝光控制器110的功能中的全部或一些可以被并入于例如主控制器或放射线成像装置100中。主控制器109可以包括显示器114和输入设备115。
放射线成像装置100可以包括成像设备104、信号处理器105、成像控制器106和通信设备107a。成像设备104包括其中检测放射线的多个元件被二维排列以便形成多个行和多个列的二维阵列101、驱动二维阵列101的驱动器102和读取来自二维阵列101的信号的读取器103。信号处理器105处理从成像设备104输出的信号。成像控制器106控制成像设备104、信号处理器105和通信设备107a。通信设备107a通过使用有线或无线通信与设置在主控制器109中的通信设备107b通信。即,放射线成像装置100和主控制器109经由通信设备107a和107b相互通信。
图2示出成像设备104的布置的示例。如上所述,成像设备104可以包括二维阵列101、驱动二维阵列101的驱动器102和读取来自二维阵列101的信号的读取器103。二维阵列101具有其中检测放射线的多个元件EL被二维排列以便形成多个行和多个列的布置。多个元件EL包括可用于根据放射线照射剂量已经达到目标照射剂量的事实而停止放射线照射的曝光控制的多个检测器。
在第一实施例中,每个元件EL是捕获放射线图像的像素,并且也是可用于根据放射线照射剂量已经达到目标照射剂量的事实而停止放射线照射的曝光控制的检测器。每个元件(像素)EL包括将放射线或光转换成电荷的转换元件CV和输出对应于由转换元件CV生成的电荷的电信号的开关元件TT。
每个转换元件CV将放射线转换成电荷。每个转换元件CV可以包括将放射线转换成可见光的闪烁体和将可见光转换成电荷的光电转换元件。在这种情况下,多个转换元件CV可以共享闪烁体。每个转换元件CV可以被配置为将放射线直接转换成电荷。每个转换元件CV可以包括MIS或PIN光电转换元件。每个开关TT可以包括例如薄膜晶体管(TFT)。开关TT根据驱动信号G(驱动信号G1、G2、G3、…Gm中的对应的信号)连接每个转换元件CV的第一电极与对应的信号线SL。每个转换元件CV的第二电极连接到对应的偏置线Bs。偏置电压Vs被供给到每个偏置线Bs。这里,Gn(n=1~m)指示驱动第n行元件EL(的开关TT)的驱动信号。
当第n行驱动信号Gn通过驱动器102被驱动到活动电平时,每个第n行元件(像素)的开关TT被接通(变为导通),并且,在元件EL的转换元件CV中积累的电荷通过开关TT被传送到对应的信号线SL。即,当第n行驱动信号Gn通过驱动器102被驱动到活动电平时,每个第n行元件EL的信号被输出到对应的信号线SL。注意,虽然活动电平在本实施例中为高电平,但是活动电平也可以被设定为低电平。
读取器103经由信号线SL读取来自元件EL的信号。对于二维阵列101中的每个列,读取器103包括积分放大器131、可变放大器132、采样和保持电路133和缓冲放大器134。输出到每个信号线SL的信号通过积分放大器131和可变放大器132被放大,通过采样和保持电路133被采样和保持,并且通过缓冲放大器134被放大。读取器103包括多路复用器135。从对每个列设置的缓冲放大器134输出的信号通过多路复用器135被选择并且被输出到放大设备140。来自放大设备140的输出通过AD转换器150被AD转换,并且被输出到信号处理器105。
每个积分放大器131包括运算放大器、积分电容器和复位开关。输出到每个信号线SL的信号被输入到运算放大器的反相输入端子,基准电压Vref被输入到非反相输入端子,并且放大的信号从输出端子被输出。积分电容器被布置在运算放大器的反相输入端子与输出端子之间。每个可变放大器132以由成像控制器106指定的放大因子放大来自对应的积分放大器131的信号。每个采样和保持电路133可以由采样开关和采样电容器形成。
每个积分放大器131的复位开关通过控制信号(复位信号)RC被控制为ON(导通)或OFF(非导通)。每个采样和保持电路133的采样开关通过控制信号(采样信号)SH被控制为ON或OFF。多路复用器135根据控制信号CLK选择经由多个信号线SL从二维阵列101读取的每个信号。
驱动器102根据从成像控制器106供给的控制信号(D-CLK、DIO、XOE)生成用于针对每个行来控制二维阵列101中的各元件EL的开关TT的驱动信号G。驱动器102包括移位寄存器,并且控制信号D-CLK是作为移位时钟被供给到移位寄存器的时钟信号。控制信号DOI是供给到移位寄存器的移位脉冲,并且,控制信号XOE是对于移位寄存器的输出启用信号。虽然驱动器102在本示例中由移位寄存器形成,但是驱动器102也可以由能够随机存取的电路形成。
以下将参照图3描述放射线成像系统DRS的操作。该操作可以由主控制器109控制。主控制器109可以例如由具有CPU和存储器的通用或专用计算机形成。用于控制CPU的计算机程序存储于存储器中,并且,CPU根据计算机程序操作。
首先,在步骤S100中,主控制器109经由输入设备115(未示出)获得被检体ID。主控制器109可以基于被检体ID获得预注册的被检体信息(例如,诸如体重之类的物理尺寸信息和过去成像条件等)。
接下来,在步骤S102中,主控制器109根据由操作员提供的信息从可以使用的多个放射线成像装置100中选择一个放射线成像装置100。这里,为了便于描述,假定放射线成像装置100为盒子的形式。由此,放射线成像装置100也将被描述为盒子。在图4中例示盒子选择画面。在显示器114上显示该选择画面,并且,操作员可以操作输入设备115以从多个盒子C1~C3中选择要使用的盒子。在图4所示的示例中,半折叠(hansetsu)尺寸盒子C1已经被选择。
接下来,在步骤S104中,主控制器109根据由操作员提供的信息选择成像区域。在图5中例示成像区域选择画面。在显示器114上显示该选择画面,并且,操作员可以通过操作输入设备115选择成像区域。在图5所示的示例中,胸部区域的成像已经被选择。基准照射时间与每个成像区域相关联。
接下来,在步骤S106中,主控制器109基于例如成像区域和要使用的放射线成像装置(盒子)100对于曝光控制(AE)设定用于从二维阵列101读取信号的读取方式。这里,曝光控制是由主控制器109执行以根据放射线照射剂量已经达到目标照射剂量的事实停止放射线源112的放射线照射的控制。当主控制器109向曝光控制器110发送停止命令时,停止放射线照射。在接收到停止命令时,曝光控制器110使放射线源112停止放射线照射。
如果可以基于在步骤S100中获得的被检体ID来获得诸如被检体的物理尺寸信息等的被检体信息,那么除了成像区域和要使用的放射线成像装置100以外,还可以基于被检体信息设定信号读取方式。可替代地,可以基于要使用的放射线成像装置100、成像区域和被检体信息中的至少一个来设定信号读取方式。可替代地,可以与要使用的放射线成像装置100、成像区域和被检体信息无关地设定默认读取方式。
如上所述,在第一实施例中,每个元件EL是捕获放射线图像的像素,并且还是可用于根据放射线照射剂量已经达到目标照射剂量的事实停止放射线照射的曝光控制的检测器。
来自二维阵列101的信号的读取方式的设定可以包括从多个元件EL(检测器)中指定要用于曝光控制的至少一个元件EL(检测器)。也可以通过指定形成二维阵列101的多个行中的至少一个行来执行用于曝光控制的至少一个元件EL(检测器)的指定。这里,多个行中的每个行包括形成二维阵列101的多个元件(检测器)中的一个。属于针对曝光控制指定的至少一个行的每个元件EL(检测器)可以被指定为用于曝光控制的至少一个元件EL(检测器)。也可以通过指定二维阵列101中的感兴趣区域并且指定至少一个行来执行用于曝光控制的至少一个元件EL(检测器)的指定。在这种情况下,属于指定的感兴趣区域并且属于这至少一个行的每个元件EL(检测器)可以被指定为用于曝光控制的至少一个元件EL(检测器)。
可替代地,可以通过指定形成二维阵列101的多个行中的至少两个行作为用于曝光控制的读取目标行来设定来自二维阵列101的信号的读取方式。在这种情况下,来自二维阵列101的信号的读取方式的设定可以包括对来自属于针对曝光控制而选择的至少两个行的元件EL(检测器)的信号执行同时读取的行的数量。
可替代地,可以通过指定二维阵列101中的感兴趣区域来指定用于曝光控制的至少一个元件EL(检测器)。在这种情况下,属于指定的感兴趣区域的每个元件EL(检测器)可以被指定为用于曝光控制的至少一个元件EL(检测器)。
在图4中,可选择行数表示由形成二维阵列101的多个元件EL(检测器)形成的多个行中的可用于曝光控制的行的数量。例如,如果要使用作为盒子C1的放射线成像装置100,那么可用于曝光控制的行的数量为1至10。在图4中,能够同时读取的行的数量表示可以执行来自用于曝光控制的元件EL(检测器)的信号的同时读取的行的数量。例如,如果要使用作为盒子C1的放射线成像装置100,那么能够同时读取来自用于曝光控制的元件EL(检测器)的信号的行的数量为1。这表示不能从多个行的元件EL(检测器)同时读取信号。例如,如果要使用作为盒子C2的放射线成像装置100,那么能够同时读取来自用于曝光控制的元件EL(检测器)的信号的行的数量为1至4。
接下来,在步骤S108中,主控制器109获得与在步骤S104中获得的成像区域相关联的基准照射时间Tea。基准照射时间Tea可以例如是具有标准物理尺寸的被检体要被成像时的标准放射线照射时间或者通过将正或负余量(margin)添加到照射时间而获得的时间。如果可以基于在步骤S100中获得的被检体ID获得诸如被检体的物理尺寸信息等的被检体信息,那么主控制器109可以基于要使用的放射线成像装置(盒子)100、成像区域和被检体信息获得基准照射时间。可替代地,主控制器109可以基于被检体的过去成像操作的照射时间确定基准照射时间。
接下来,在步骤S110中,主控制器109基于在步骤S106中进行的读取方式设定来确定从放射线照射开始直到根据来自二维阵列101的信号停止放射线照射为止所需要的最小照射时间Temin。在一个示例中,最小照射时间Temin根据放射线成像系统的布置被确定,并且可以由下式给出:
Temin=Td+Tc1+Tv+Tc2...(1)
其中,Td是将用于曝光控制的元件EL(检测器)的所有信号读取为检测信号所需要的读取时间。Tc1是将来自要使用的放射线成像装置(盒子)100的检测信号发送到主控制器109所需要的通信时间,并且依赖于放射线成像装置(盒子)100。Tc1在图4中被例示为“通信时间”。Tv是主控制器109确定检测信号的累积值(即,放射线照射剂量)是否已经达到阈值(目标照射剂量)所需要的时间,并且由主控制器109预先保持。Tc2是在主控制器109向曝光控制器110发送停止命令之后放射线源112停止放射线照射所需要的延迟时间,并且由主控制器109预先保持。
在一个示例中,读取时间Td由下式计算:
Td=TL×L÷S...(2)
其中,TL是将用于曝光控制的一个行的元件EL(检测器)的信号读取为检测信号所需要的一行读取时间。TL在图4中被例示为“一行读取时间”。L是为了曝光控制而从二维阵列101读取信号的行的数量。L由在步骤S106中设定的读取方式规定。特别地,L是以下行的数量:该行在步骤S106中设定的读取方式中被指定为用于曝光控制的读取目标行。L在图4中在例示为“可选择行数”的行数范围中被指定。S是为了曝光控制而从二维阵列101同时读取信号的行的数量。S由在步骤S106中设定的读取方式规定。特别地,S是以下行的数量:该行在步骤S106中设定的读取方式中被指定为执行信号的同时读取的行。S在图4中在例示为“同时可读取行数”的行数范围中被指定。
最小照射时间Temin由可变参数L和S确定。即,可以通过改变L和S中的至少一个来改变最小照射时间Temin。
在步骤S112中,主控制器109确定最小照射时间Temin是否等于或小于基准照射时间Tea。如果最小照射时间Temin并非等于或小于基准照射时间Tea,那么执行步骤S114至S120中的错误处理。另一方面,如果最小照射时间Temin等于或小于基准照射时间Tea,那么主控制器109执行步骤S122至S134中的成像处理。最小照射时间Temin并非等于或小于基准照射时间Tea的事实指示,如果根据当前读取方式设定来执行成像,则曝光控制精度低。另一方面,最小照射时间Temin等于或小于基准照射时间Tea的事实指示,如果根据当前读取方式设定来执行成像,则曝光控制精度高。
如上所述,如果最小照射时间Temin并非等于或小于基准照射时间Tea,那么主控制器109执行步骤S114至S120中的错误处理。主控制器109首先在步骤S114中执行生成警告的警告处理。可以例如通过使用显示器114执行警告。图6例示通过使用显示器114执行的警告(警告显示)。此外,在步骤S116中,主控制器109确定是否可以改变用于曝光控制的信号读取方式。如果可以改变,那么执行步骤S118。否则,执行步骤S120。
在步骤S118中,主控制器109改变用于曝光控制的信号读取方式。可以自动执行读取方式的改变以使得最小照射时间Temin不超过基准照射时间Tea,或者可以基于由操作员提供的信息执行读取方式的改变。可以通过例如主控制器109减少为了曝光控制而从二维阵列101读取信号的行的数量L和/或增加为了曝光控制而从二维阵列101同时读取信号的行的数量S来执行前一方式。
以下将描述后一方式。主控制器109在显示器114上显示在图7中例示的自动曝光控制设定画面,并且提示操作员改变被指示为“用于读取的行数”的L和/或被指示为“用于同时读取的行数”的S。主控制器109基于由操作员提供的信息改变L和/或S。主控制器109随后返回到步骤S110并且重复随后的处理。
在步骤S120中,主控制器109改变放射线源112的管电流(更具体地,减小管电流)。特别地,主控制器109在显示器114上显示在图8中例示的管电流设定画面,提示操作员改变管电流,并且基于由操作员提供的信息改变管电流。主控制器109随后返回到步骤S108并且重复随后的处理。注意,步骤S120在放射线源112不包括改变管电流的功能的布置中被省略。另外,如果由于读取方式上的改变或管电流上的改变而不能实现关系Temin≦Tea,那么可以进行指示这种状态的警告。
在步骤S112中,如果主控制器109确定最小照射时间Temin等于或小于基准照射时间Tea,那么主控制器109执行步骤S122至S134中的成像处理。首先,在步骤S122中,主控制器109提示操作员经由显示器114输入放射线照射指令。在步骤S124中,主控制器109等待接收来自操作员的放射线照射指令。在接收到来自操作员的放射线照射指令时,主控制器109在步骤S126中向曝光控制器110发送放射线照射命令。作为响应,曝光控制器110控制放射线源112以开始放射线照射,并且,开始来自放射线源112的放射线照射。注意,在曝光控制器110包括曝光开关的形式中,曝光控制器110响应于曝光开关的操作而控制放射线源112开始放射线的发射,并且向主控制器109通知将开始放射线照射。
当开始放射线照射时,主控制器109向放射线成像装置100通知开始,并且使放射线成像装置100开始成像(与入射的放射线剂量对应的电荷积累)。在成像开始时,放射线成像装置100将二维阵列101中的用于曝光控制的元件EL(检测器)的信号读取为检测信号,并且将检测信号发送到主控制器109。
在步骤S128中,主控制器109重复基于从放射线成像装置100发送的检测信号确定检测信号的累积值(即,放射线照射剂量)是否已经达到阈值(目标照射剂量)的操作。接下来,在确定检测信号的累积值(即,放射线照射剂量)已经达到阈值(目标照射剂量)时,主控制器109在步骤S130中向曝光控制器110发送停止命令。响应于该命令,曝光控制器110控制放射线源112停止放射线照射。
接下来,在步骤S130中,主控制器109使放射线成像装置100从二维阵列101读取每个信号以获得信号,并且在步骤S134中处理该信号。
在图9A~9C中例示来自放射线成像装置100中的二维阵列101的用于曝光控制的信号的读取方式。这里,为了便于描述,假定二维阵列101由7行形成。驱动信号G1至G7是供给到第一到第七行开关TT的信号,即,它们是用于选择相应的第一到第七行的信号。“未选择”指示还没有对于曝光控制指定该行(即,该行的元件EL(检测器)的信号将不被读取)。“被选择”指示已经对于曝光控制指定该行(即,该行的元件EL(检测器)的信号将被读取)。“同时被选择”指示已经对于曝光控制指定该行(即,该行的元件EL(检测器)的信号将被读取)并且将同时执行读取。感兴趣区域表示二维阵列101的整个区域中的要用于曝光控制的区域。即,属于感兴趣区域并且存在于各指定行中的元件EL(检测器)可以用于曝光控制。
在图9A中所示的读取方式中,已经针对曝光控制指定了第二、第四和第六行的元件EL(检测器)。在图9B中所示的读取方式中,已经针对曝光控制指定了第四行的元件EL(检测器)。在图9C中所示的读取方式中,已经针对曝光控制指定了第二、第四和第六行的元件EL(检测器),并且这些行的信号将被同时读取。
图10示意性地示出在图9A的读取方式中满足最小照射时间Temin(=Td+Tc1+Tv+Tc2)等于或小于基准照射时间Tea的条件的示例。注意,如上所述,Td由式(2)给出。TL是直到控制信号RC改变为高电平并且积分放大器131被复位、读取目标行的各元件EL的开关TT被接通并且在控制信号SH改变为高电平之后元件EL的信号在对应的采样和保持电路133中被采样和保持为止的时间。在图10的示例中,由于Temin≦Tea,因此实际放射线照射时间Teb与基准照射时间Tea之间的差异小,并且曝光控制的精度高。由此,由被检体接收的放射线剂量可以被抑制到需要且足够的程度。注意,实际照射时间Teb与基准照射时间Tea之间的差异最多为最小照射时间Temin。与其它情况相比,最小照射时间Temin大于基准照射时间Tea的情况表示实际照射时间Teb与基准照射时间Tea之间的差异大(即,曝光控制的精度低)。
在图11中,最小照射时间Temin(=Td+Tc1+Tv+Tc2)已经超过基准照射时间Tea。作为结果,实际放射线照射时间Teb与基准照射时间Tea之间的差异大,并且曝光控制的精度低。由此,由被检体接收的放射线剂量变得过量。
图12示意性地示出在图9B的读取方式中满足最小照射时间Temin(=Td+Tc1+Tv+Tc2)等于或小于基准照射时间Tea的条件的示例。在图12的示例中,由于Temin≦Tea,因此实际放射线照射时间Teb与基准照射时间Tea之间的差异小,并且曝光控制的精度高。由此,由被检体接收的放射线剂量可以被抑制到需要且足够的程度。
图13示意性地示出在图9C的读取方式中满足最小照射时间Temin(=Td+Tc1+Tv+Tc2)等于或小于基准照射时间Tea的条件的示例。在图13的示例中,由于Temin≦Tea,因此实际放射线照射时间Teb与基准照射时间Tea之间的差异小,并且曝光控制的精度高。由此,由被检体接收的放射线剂量可以被抑制到需要且足够的程度。
图14A和图14B示出作为用于曝光控制的信号读取方式的示例的感兴趣区域的两个示例。在图14A中所示的读取方式中,如果不满足Temin≦Tea,那么将感兴趣区域改变为图14B中所示的读取方式的感兴趣区域是有效的。在图14B中所示的读取方式中,与图14A中所示的读取方式相比,为了曝光控制而从二维阵列101读取信号的行的数量L已经减小,由此,最小照射时间Temin已经减小。
以下参照图15至图17描述本发明的第二实施例。注意,在第二实施例中没有提到的事项可以符合第一实施例中的那些。在第二实施例中,放射线成像装置100的成像设备104的布置与第一实施例的布置不同。图15示出根据第二实施例的放射线成像装置100的成像设备104的布置的示例。在第二实施例中,形成二维阵列101的多个元件中的一些元件是用于捕获放射线图像的像素P,并且多个元件中的剩余的元件是用于停止放射线照射的曝光控制的检测器S。像素P和检测器S中的每一个可以具有与根据第一实施例的元件EL相同的布置。像素P和检测器S可以具有相同的布置或者具有相互不同的布置。
除了驱动器102以外,第二实施例的成像设备104还包括驱动器211。第二实施例的驱动器102具有与第一实施例的驱动器102相同的布置。第二实施例的驱动器102根据从成像控制器106供给的控制信号(D-CLK、DIO、XOE)来生成用于针对每个行控制二维阵列101中的像素P的开关TT的驱动信号G。另外,驱动器211根据从成像控制器106供给的控制信号(D-CLK、DIO、XOE)来生成用于针对每个行控制二维阵列101中的各检测器S的开关TT的驱动信号G。在第二实施例中,像素P和检测器S可以被独立地选择。
在图15中所示的示例中,每个像素P的信号和每个检测器S的信号两者通过相同的信号线SL被读取。但是,可以采用通过不同的信号线读取这些信号的布置。并且,在图15中所示的示例中,检测器S被设置在由像素P形成的所有行中。但是,检测器S可以仅被设置在所有行中的一些行中。此外,在图15中所示的示例中,对于由像素P形成的每个行仅设置一个检测器S。但是,可以对每个行设置多个检测器S。
图16A和图16B例示来自根据第二实施例的放射线成像装置100的二维阵列101的用于曝光控制的信号的读取方式。这里,为了便于描述,假定二维阵列101由7个行形成。驱动信号G1至G7是通过驱动器102供给到第一到第七行的各像素P的开关TT的信号,即,它们是选择第一到第七行的像素P的信号。驱动信号G′至G7′是通过驱动器211供给到第一到第七行的各检测器S的开关TT的信号,即,它们是选择第一到第七行的检测器S的信号。
“未选择”指示没有对于曝光控制指定该行的检测器S(即,该行的检测器的信号将不被读取)。“被选择”指示已经对于曝光控制指定该行的检测器S(即,该行的检测器S的信号将被读取)。感兴趣区域表示二维阵列101的整个区域中的用于曝光控制的区域。即,属于感兴趣区域并且存在于指定的行中的检测器S可以用于曝光控制。在图16A中所示的读取方式中,已经对于曝光控制指定相应的第二、第四和第六行的检测器S。在图16B中所示的读取方式中,已经对于曝光控制指定第四行的检测器S。
图17示意性地示出在图16A的读取方式中满足最小照射时间Temin(=Td+Tc1+Tv+Tc2)等于或小于基准照射时间Tea的条件的示例。注意,如上所述,Td由式(2)给出。TL是直到控制信号RC改变为高电平并且积分放大器131被复位、读取目标行的各元件EL的开关TT被接通并且在控制信号SH改变为高电平之后元件EL的信号在对应的采样和保持电路133中被采样为止的时间。在图17的示例中,由于Temin≦Tea,因此实际放射线照射时间Teb与基准照射时间Tea之间的差异小,并且曝光控制的精度高。由此,由被检体接收的放射线剂量可以被抑制到需要且足够的程度。
其它实施例
也可以通过读出并执行记录于存储介质(也可以被更完整地称为“非暂时性计算机可读存储介质”)上的计算机可执行指令(例如,一个或多个程序)以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个的功能和/或包含用于执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个的功能的一个或多个电路(例如,专用集成电路(ASIC))的系统或装置的计算机来实现本发明的实施例,以及通过由系统或装置的计算机通过例如读出并执行来自存储介质的计算机可执行指令以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个的功能和/或控制一个或多个电路以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个的功能而执行的方法来实现本发明的实施例。计算机可以包括一个或多个处理器(例如,中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU)),并且可以包含单独的计算机或单独的处理器的网络,以读出并执行计算机可执行指令。计算机可执行指令可以例如从网络或存储介质被提供给计算机。存储介质可以包含例如硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、分布式计算系统的储存器、光盘(诸如紧凑盘(CD)、数字多功能盘(DVD)或蓝光盘(BD)TM)、闪存存储器设备、记忆卡等中的一个或更多个。
虽然已参照示例性实施例描述了本发明,但应理解,本发明不限于公开的示例性实施例。所附的权利要求的范围应被赋予最广泛的解释以涵盖所有这样的修改和等同的结构和功能。
本申请要求在2015年11月13日提交的日本专利申请No.2015-223337的权益,该申请的全部内容特此通过引用并入本文。

Claims (10)

1.一种包括二维阵列的放射线成像系统,在该二维阵列中,检测放射线的多个元件被二维排列,
所述多个元件包括能用于根据放射线照射剂量已经达到目标照射剂量的事实而停止放射线照射的曝光控制的多个检测器,并且
放射线成像系统包括控制器,该控制器被配置为基于来自所述多个检测器的信号的读取方式的设定来确定从开始放射线照射直到根据来自二维阵列的信号停止放射线照射为止所需要的最小照射时间,并且当最小照射时间超过基准照射时间时执行错误处理。
2.根据权利要求1所述的系统,其中,错误处理包括生成警告的警告处理。
3.根据权利要求2所述的系统,其中,错误处理包括基于由操作员提供的信息改变读取方式的处理。
4.根据权利要求1所述的系统,其中,错误处理包括自动改变读取方式以使得最小照射时间不超过基准照射时间的处理。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的系统,其中,读取方式的设定包括从多个检测器中指定要用于曝光控制的至少一个检测器。
6.根据权利要求5所述的系统,其中,通过指定多个行中的至少一个行来执行至少一个检测器的指定,所述多个行中的每个行包括所述多个检测器中的一个检测器,并且,属于指定的所述至少一个行的检测器被指定为所述至少一个检测器。
7.根据权利要求6所述的系统,其中,通过指定二维阵列中的感兴趣区域来执行至少一个检测器的指定,并且,属于指定的感兴趣区域并且属于指定的至少一个行的检测器被指定为所述至少一个检测器。
8.根据权利要求6或7所述的系统,其中,通过指定来自多个行中的至少两个行来执行至少一个检测器的指定,以及
读取方式的设定包括以下行的数量的指定:在所述行中要执行来自指定的所述至少两个行的检测器的信号的同时读取。
9.根据权利要求5所述的系统,其中,通过指定二维阵列中的感兴趣区域来执行至少一个检测器的指定,并且,属于指定的感兴趣区域的检测器被指定为所述至少一个检测器。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的系统,还包括:
放射线源,被配置为生成放射线,
其中,控制器通过控制放射线源来执行曝光控制。
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