JP2012212880A5 - 半導体装置の作製方法、半導体装置 - Google Patents

Claims (7)

1. 酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜中に、希ガスを添加し、
   前記希ガスが添加された酸化物半導体膜に、熱を加える半導体装置の作製方法であって、
   前記希ガスが添加された酸化物半導体膜は、前記酸化物半導体膜を構成している元素と水素との結合が切断されて、ボイドが形成され、
   前記熱を加える際、前記結合が切断された水素は、前記ボイドを通じて、前記酸化物半導体膜から離脱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜中に、希ガスを添加し、
   前記希ガスが添加された酸化物半導体膜に、熱を加える半導体装置の作製方法であって、
   前記希ガスが添加された酸化物半導体膜は、前記酸化物半導体膜を構成している元素と水酸基との結合が切断されて、ボイドが形成され、
   前記熱を加える際、前記結合が切断された水酸基は、前記ボイドを通じて、前記酸化物半導体膜から水として離脱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記希ガスは、アルゴン、クリプトン、又はキセノンを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記酸化物半導体膜は、結晶領域を有し、
   前記希ガスの添加により、前記結晶領域は乱れ、
   前記熱処理により、前記乱れた結晶領域は、再結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. ボイドを有する酸化物半導体膜であって、
   前記ボイドは、前記酸化物半導体膜を構成している元素と水素との結合が切断されたものであって、
   前記酸化物半導体膜の希ガス濃度は、１×１０ ^１９ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以上３×１０ ^２２ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以下のピーク値を有することを特徴とする半導体装置。
6. 欠陥を有する酸化物半導体膜であって、
   前記欠陥は、前記酸化物半導体膜を構成している元素と水素との結合が切断されたものであって、
   前記酸化物半導体膜の希ガス濃度は、１×１０ ^１９ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以上３×１０ ^２２ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以下のピーク値を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項５又は請求項６において、
   前記希ガスは、アルゴン、クリプトン、又はキセノンを有することを特徴とする半導体装置。