CN106971944A - 金属氧化物薄膜晶体管的制备方法及其结构 - Google Patents
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- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 156
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 155
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 108
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 38
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- -1 nitrogen Metal oxide Chemical class 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000003949 trap density measurement Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005527 interface trap Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 206010044565 Tremor Diseases 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法及其结构。该金属氧化物薄膜晶体管的制备方法通过向金属氧化物沟道层掺杂氮元素，能够减少金属氧化物沟道层内的氧空位数量，降低金属氧化物沟道层内以及金属氧化物沟道层与栅极绝缘层界面处的陷阱密度，改善薄膜晶体管的电性。
Description
技术领域
本发明涉及显示器件制程技术领域，尤其涉及一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法及其结构。
背景技术
平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛地应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)。
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是平面显示装置的重要组成部分。薄膜晶体管可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关部件和驱动部件用在诸如LCD、OLED等显示面板上。
采用金属氧化物作为沟道层材料的薄膜晶体管技术是目前面板领域研究的热点。以铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)作为沟道层材料是当今金属氧化物薄膜晶体管的一种主流技术，采用该技术可以使LCD显示面板的功耗接近OLED显示面板的功耗，但成本更低，LCD显示面板的厚度也只比OLED显示面板的厚度只高出25％，且分辨率可以达到1920×1080P的全高清程度，甚至4k×2k的超高清程度。
现行的金属氧化物薄膜晶体管一般采用物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)工艺制备IGZO作为沟道层。由于单纯的IGZO与栅极绝缘层的界面存在缺陷态，IGZO沟道中存在非化学计量比的缺陷，包括氧空位、锌(Zn)填隙子等，这些缺陷作为失主提供了沟道中的自由电子，导致沟道层存在较高的载流子浓度，会引发薄膜晶体管出现阈值电压漂移、亚阈值摆幅恶化、和偏压不稳定等现象。
发明内容
本发明的目的在于提供一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，能够减少金属氧化物沟道层内的氧空位数量，降低金属氧化物沟道层内以及金属氧化物沟道层与栅极绝缘层界面处的陷阱密度，改善薄膜晶体管的电性。
本发明的另一目的在于提供一种金属氧化物薄膜晶体管结构，其金属氧化物沟道层内的氧空位数量较少，金属氧化物沟道层内以及金属氧化物沟道层与栅极绝缘层界面处的陷阱密度较低，电性较好。
为实现上述目的，本发明首先提供一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括向金属氧化物沟道层掺杂氮元素的步骤。
可选的，所述向金属氧化物沟道层掺杂氮元素的步骤在制备金属氧化物沟道层之后进行，采用对金属氧化物沟道层进行离子注入或等离子体掺杂的方式掺杂氮元素。
所述金属氧化物薄膜晶体管的制备方法包括：
提供衬底基板，在所述衬底基板上沉积第一金属层，对第一金属层进行刻蚀，形成栅极；
在所述衬底基板与栅极上沉积、覆盖栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上制备一层金属氧化物薄膜作为金属氧化物沟道层；
对金属氧化物沟道层进行离子注入或等离子体掺杂，以向所述金属氧化物沟道层掺杂氮元素；
在掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层上沉积第二金属层，对第二金属层进行刻蚀，形成源极、与漏极；
在源极、漏极、及掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层上沉积、覆盖钝化层。
可选的，所述向金属氧化物沟道层掺杂氮元素的步骤与制备金属氧化物沟道层同时进行，采用向金属氧化物沟道层通入氮气的方式掺杂氮元素。
所述金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：
提供衬底基板，在所述衬底基板上沉积第一金属层，对第一金属层进行刻蚀，形成栅极；
在所述衬底基板与栅极上沉积、覆盖栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上制备一层金属氧化物薄膜作为金属氧化物沟道层，在制备金属氧化物薄膜的同时通入氮气，以向所述金属氧化物沟道层掺杂氮元素；
在掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层上沉积第二金属层，对第二金属层进行刻蚀，形成源极、与漏极；
在源极、漏极、及掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层上沉积、覆盖钝化层。
通过磁控溅射工艺制备金属氧化物薄膜作为金属氧化物沟道层；通过化学气相沉积工艺沉积栅极绝缘层及钝化层。
所述金属氧化物薄膜的材料为铟镓锌氧化物；所述第一金属层与第二金属层的材料均为钼、铝、铜中的一种或至少两种的层叠；所述栅极绝缘层与钝化层的材料均为氧化硅。
本发明还提供一种金属氧化物薄膜晶体管结构，包括金属氧化物沟道层，且所述金属氧化物沟道层内掺杂有氮元素。
所述金属氧化物薄膜晶体管结构还包括衬底基板、栅极、栅极绝缘层、源极、漏极、及钝化层；
所述栅极设在衬底基板上，所述栅极绝缘层覆盖衬底基板与栅极，所述金属氧化物沟道层设在栅极绝缘层上，所述源极与漏极设在掺杂有氮元素的金属氧化物沟道层上，所述钝化层覆盖源极、漏极、及掺杂有氮元素的金属氧化物沟道层。
本发明的有益效果：本发明提供的一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，通过向金属氧化物沟道层掺杂氮元素，能够减少金属氧化物沟道层内的氧空位数量，降低金属氧化物沟道层内以及金属氧化物沟道层与栅极绝缘层界面处的陷阱密度，改善薄膜晶体管的电性。本发明提供的一种金属氧化物薄膜晶体管结构，其金属氧化物沟道层掺杂有氮元素，使得金属氧化物沟道层内的氧空位数量较少，金属氧化物沟道层内以及金属氧化物沟道层与栅极绝缘层界面处的陷阱密度较低，从而使得薄膜晶体管的电性较好。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第一实施例的流程图；
图2为本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第一实施例中步骤S1的示意图；
图3为本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第一实施例中步骤S2的示意图；
图4为本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第一实施例中步骤S3的示意图；
图5为本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第一实施例中步骤S4的示意图；
图6为本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第一实施例中步骤S5的示意图；
图7为本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第一实施例中步骤S6的示意图暨本发明的金属氧化物薄膜晶体管结构的示意图；
图8为本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第二实施例的流程图；
图9为本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第二实施例中步骤S1’的示意图；
图10为本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第二实施例中步骤S2’的示意图；
图11为本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第二实施例中步骤S3’的示意图；
图12为本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第二实施例中步骤S4’的示意图；
图13为本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第二实施例中步骤S5’的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法。图1所示为本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第一实施例，包括如下步骤：
步骤S1、如图2所示，提供衬底基板1，在所述衬底基板1上沉积第一金属层，对第一金属层进行刻蚀，形成栅极2。
具体地，所述衬底基板1为玻璃基板；所述第一金属层的材料为钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或至少两种的层叠。
步骤S2、如图3所示，在所述衬底基板1与栅极2上沉积、覆盖栅极绝缘层3。
具体地，所述栅极绝缘层3的材料优选氧化硅(SiOx)；该步骤S2通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺沉积栅极绝缘层3。
步骤S3、如图4所示，在所述栅极绝缘层3上制备一层金属氧化物薄膜作为金属氧化物沟道层4。
具体地，所述金属氧化物薄膜的材料优选IGZO；该步骤S3优选磁控溅射工艺制备金属氧化物薄膜作为金属氧化物沟道层4。
步骤S4、如图5所示，对金属氧化物沟道层4进行离子注入或等离子体掺杂，以向所述金属氧化物沟道层4掺杂氮元素。
步骤S5、如图6所示，在掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层4上沉积第二金属层，对第二金属层进行刻蚀，形成源极51、与漏极52。
具体地，所述第二金属层的材料亦为Mo、Al、Cu中的一种或至少两种的层叠。
步骤S6、如图7所示，在源极51、漏极52、及掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层4上沉积、覆盖钝化层6。
具体地，所述钝化层6的材料优选SiOx；该步骤S6通过CVD工艺沉积钝化层6。
上述金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第一实施例，在制备金属氧化物沟道层4之后，采用对金属氧化物沟道层4进行离子注入或等离子体掺杂的方式掺杂氮元素，能够减少金属氧化物沟道层4内的氧空位数量，降低金属氧化物沟道层4内以及金属氧化物沟道层4与栅极绝缘层3界面处的陷阱密度，进而减少薄膜晶体管出现阈值电压漂移、亚阈值摆幅恶化、和偏压不稳定等现象，改善薄膜晶体管的电性。
该第一实施例仅是以制备背沟道刻蚀型的具有底栅的金属氧化物薄膜晶体管为例，也可将对金属氧化物沟道层进行离子注入或等离子体掺杂来掺杂氮元素的这一步骤应用于制备刻蚀阻挡型、共面型、顶栅型等类型的金属氧化物薄膜晶体管，达到改善薄膜晶体管电性的目的。
图8所示为本发明的一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第二实施例，包括如下步骤：
步骤S1’、如图9所示，提供衬底基板1，在所述衬底基板1上沉积第一金属层，对第一金属层进行刻蚀，形成栅极2。
具体地，所述衬底基板1为玻璃基板；所述第一金属层的材料为Mo、Al、Cu中的一种或至少两种的层叠。
步骤S2’、如图10所示，在所述衬底基板1与栅极2上沉积、覆盖栅极绝缘层3。
具体地，所述栅极绝缘层3的材料优选SiOx；该步骤S2’通过CVD工艺沉积栅极绝缘层3。
步骤S3’、如图11所示，在所述栅极绝缘层3上制备一层金属氧化物薄膜作为金属氧化物沟道层4，在制备金属氧化物薄膜的同时通入氮气(N2)，以向所述金属氧化物沟道层4掺杂氮元素。
具体地，所述金属氧化物薄膜的材料优选IGZO；该步骤S3’优选磁控溅射工艺制备金属氧化物薄膜作为金属氧化物沟道层4。
步骤S4’、如图12所示，在掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层4上沉积第二金属层，对第二金属层进行刻蚀，形成源极51、与漏极52。
具体地，所述第二金属层的材料亦为Mo、Al、Cu中的一种或至少两种的层叠。
步骤S5’、如图13所示，在源极51、漏极52、及掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层4上沉积、覆盖钝化层6。
具体地，所述钝化层6的材料优选SiOx；该步骤S5’通过CVD工艺沉积钝化层6。
上述金属氧化物薄膜晶体管的制备方法的第二实施例，在制备金属氧化物沟道层4的同时，采用向金属氧化物沟道层4通入氮气的方式掺杂氮元素，能够减少金属氧化物沟道层4内的氧空位数量，降低金属氧化物沟道层4内以及金属氧化物沟道层4与栅极绝缘层3界面处的陷阱密度，进而减少薄膜晶体管出现阈值电压漂移、亚阈值摆幅恶化、和偏压不稳定等现象，改善薄膜晶体管的电性。
该第二实施例仅是以制备背沟道刻蚀型的具有底栅的金属氧化物薄膜晶体管为例，也可将向金属氧化物沟道层通入氮气来掺杂氮元素的这一步骤应用于制备刻蚀阻挡型、共面型、顶栅型等类型的金属氧化物薄膜晶体管，达到改善薄膜晶体管电性的目的。
基于同一发明构思，本发明还提供一种金属氧化物薄膜晶体管结构，以背沟道刻蚀型的具有底栅的金属氧化物薄膜晶体管为例，如图7所示，包括衬底基板1、栅极2、栅极绝缘层3、金属氧化物沟道层4、源极51、漏极52、及钝化层6，且所述金属氧化物沟道层4内掺杂有氮元素。由于所述金属氧化物沟道层4掺杂有氮元素，使得金属氧化物沟道层4内的氧空位数量较少，金属氧化物沟道层4内以及金属氧化物沟道层4与栅极绝缘层3界面处的陷阱密度较低，从而使得薄膜晶体管的电性较好。
具体地，所述栅极2设在衬底基板1上，所述栅极绝缘层3覆盖衬底基板1与栅极2，所述金属氧化物沟道层4设在栅极绝缘层3上，所述源极51与漏极52设在掺杂有氮元素的金属氧化物沟道层4上，所述钝化层6覆盖源极51、漏极52、及掺杂有氮元素的金属氧化物沟道层4。
当然，也可将金属氧化物沟道层掺杂有氮元素这一特征应用在刻蚀阻挡型、共面型、顶栅型等类型的金属氧化物薄膜晶体管，达到改善薄膜晶体管电性的目的。
综上所述，本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，通过向金属氧化物沟道层掺杂氮元素，能够减少金属氧化物沟道层内的氧空位数量，降低金属氧化物沟道层内以及金属氧化物沟道层与栅极绝缘层界面处的陷阱密度，改善薄膜晶体管的电性。本发明的金属氧化物薄膜晶体管结构，其金属氧化物沟道层掺杂有氮元素，使得金属氧化物沟道层内的氧空位数量较少，金属氧化物沟道层内以及金属氧化物沟道层与栅极绝缘层界面处的陷阱密度较低，从而使得薄膜晶体管的电性较好。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括向金属氧化物沟道层(4)掺杂氮元素的步骤。
2.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述向金属氧化物沟道层(4)掺杂氮元素的步骤在制备金属氧化物沟道层(4)之后进行，采用对金属氧化物沟道层(4)进行离子注入或等离子体掺杂的方式掺杂氮元素。
3.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述向金属氧化物沟道层(4)掺杂氮元素的步骤与制备金属氧化物沟道层(4)同时进行，采用向金属氧化物沟道层(4)通入氮气的方式掺杂氮元素。
4.如权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上沉积第一金属层，对第一金属层进行刻蚀，形成栅极(2)；
在所述衬底基板(1)与栅极(2)上沉积、覆盖栅极绝缘层(3)；
在所述栅极绝缘层(3)上制备一层金属氧化物薄膜作为金属氧化物沟道层(4)；
对金属氧化物沟道层(4)进行离子注入或等离子体掺杂，以向所述金属氧化物沟道层(4)掺杂氮元素；
在掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层(4)上沉积第二金属层，对第二金属层进行刻蚀，形成源极(51)、与漏极(52)；
在源极(51)、漏极(52)、及掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层(4)上沉积、覆盖钝化层(6)。
5.如权利要求3所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上沉积第一金属层，对第一金属层进行刻蚀，形成栅极(2)；
在所述衬底基板(1)与栅极(2)上沉积、覆盖栅极绝缘层(3)；
在所述栅极绝缘层(3)上制备一层金属氧化物薄膜作为金属氧化物沟道层(4)，在制备金属氧化物薄膜的同时通入氮气，以向所述金属氧化物沟道层(4)掺杂氮元素；
在掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层(4)上沉积第二金属层，对第二金属层进行刻蚀，形成源极(51)、与漏极(52)；
在源极(51)、漏极(52)、及掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层(4)上沉积、覆盖钝化层(6)。
6.如权利要求4或5所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，通过磁控溅射工艺制备金属氧化物薄膜作为金属氧化物沟道层(4)；通过化学气相沉积工艺沉积栅极绝缘层(3)及钝化层(6)。
7.如权利要求4或5所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物薄膜的材料为铟镓锌氧化物；所述第一金属层与第二金属层的材料均为钼、铝、铜中的一种或至少两种的层叠；所述栅极绝缘层(3)与钝化层(6)的材料均为氧化硅。
8.一种金属氧化物薄膜晶体管结构，其特征在于，包括金属氧化物沟道层(4)，且所述金属氧化物沟道层(4)内掺杂有氮元素。
9.如权利要求8所述的金属氧化物薄膜晶体管结构，其特征在于，还包括衬底基板(1)、栅极(2)、栅极绝缘层(3)、源极(51)、漏极(52)、及钝化层(6)；
所述栅极(2)设在衬底基板(1)上，所述栅极绝缘层(3)覆盖衬底基板(1)与栅极(2)，所述金属氧化物沟道层(4)设在栅极绝缘层(3)上，所述源极(51)与漏极(52)设在掺杂有氮元素的金属氧化物沟道层(4)上，所述钝化层(6)覆盖源极(51)、漏极(52)、及掺杂有氮元素的金属氧化物沟道层(4)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201710364623.0A CN106971944A (zh) | 2017-05-22 | 2017-05-22 | 金属氧化物薄膜晶体管的制备方法及其结构 |
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Publications (1)
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| CN106971944A true CN106971944A (zh) | 2017-07-21 |
Family
ID=59327390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201710364623.0A Pending CN106971944A (zh) | 2017-05-22 | 2017-05-22 | 金属氧化物薄膜晶体管的制备方法及其结构 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN106971944A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111051871A (zh) * | 2017-08-01 | 2020-04-21 | 伊鲁米纳公司 | 场效应传感器 |
| CN111769161A (zh) * | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 山东大学 | 一种氮掺非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN112002706A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-11-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN112186042A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-01-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、显示装置 |
| WO2021027092A1 (zh) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
| CN112992936A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-06-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示背板的制作方法、显示背板及显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101060084A (zh) * | 2007-03-20 | 2007-10-24 | 西安交通大学 | 一种氨气掺杂制备增强型ZnO沟道层薄膜晶体管的方法 |
| CN101740397A (zh) * | 2009-12-23 | 2010-06-16 | 吉林大学 | ZnO基薄膜晶体管的金属有机化学气相沉积制备方法 |
| US20120244658A1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN106169480A (zh) * | 2015-05-22 | 2016-11-30 | 乐金显示有限公司 | 具有高可靠性金属氧化物半导体材料的薄膜晶体管基板 |
-
2017
- 2017-05-22 CN CN201710364623.0A patent/CN106971944A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101060084A (zh) * | 2007-03-20 | 2007-10-24 | 西安交通大学 | 一种氨气掺杂制备增强型ZnO沟道层薄膜晶体管的方法 |
| CN101740397A (zh) * | 2009-12-23 | 2010-06-16 | 吉林大学 | ZnO基薄膜晶体管的金属有机化学气相沉积制备方法 |
| US20120244658A1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN106169480A (zh) * | 2015-05-22 | 2016-11-30 | 乐金显示有限公司 | 具有高可靠性金属氧化物半导体材料的薄膜晶体管基板 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111051871A (zh) * | 2017-08-01 | 2020-04-21 | 伊鲁米纳公司 | 场效应传感器 |
| CN111769161A (zh) * | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 山东大学 | 一种氮掺非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
| WO2021027092A1 (zh) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
| CN112002706A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-11-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN112002706B (zh) * | 2020-08-10 | 2022-09-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN112186042A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-01-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、显示装置 |
| CN112186042B (zh) * | 2020-10-13 | 2024-05-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、显示装置 |
| CN112992936A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-06-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示背板的制作方法、显示背板及显示装置 |
| CN112992936B (zh) * | 2021-02-09 | 2022-07-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示背板的制作方法、显示背板及显示装置 |
| US20220254852A1 (en) * | 2021-02-09 | 2022-08-11 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method for fabricating displaying backplane, displaying backplane and displaying device |
| US11864422B2 (en) * | 2021-02-09 | 2024-01-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method for fabricating displaying backplane, displaying backplane and displaying device |
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