JP2016001712A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 第１の絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
   前記第１の酸化物半導体膜に第１の加熱処理を行った後、水素を含む雰囲気で第２の加熱処理を行うことで、前記第１の酸化物半導体膜を第２の酸化物半導体膜とし、
   前記第２の酸化物半導体膜の抵抗率は、１×１０ ^−３ Ωｃｍ以上１×１０ ^４ Ωｃｍ未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記第１の加熱処理は、３５０℃以上８００℃以下で、且つ１×１０^−７Ｐａ以上１０Ｐａ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 第１の絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
   前記第１の酸化物半導体膜に希ガスを添加した後、水素を含む雰囲気で加熱処理を行うことで、前記第１の酸化物半導体膜を前記第２の酸化物半導体膜とし、
   前記第２の酸化物半導体膜の抵抗率は、１×１０ ^−３ Ωｃｍ以上１×１０ ^４ Ωｃｍ未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項３において、
   前記希ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、及びキセノンのいずれか一以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第２の酸化物半導体膜の水素濃度は、８×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記第２の酸化物半導体膜は、結晶部を含み、前記結晶部がｃ軸配向していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記第２の酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。