JP2011512659A - マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー - Google Patents

マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー Download PDF

Info

Publication number
JP2011512659A
JP2011512659A JP2010546247A JP2010546247A JP2011512659A JP 2011512659 A JP2011512659 A JP 2011512659A JP 2010546247 A JP2010546247 A JP 2010546247A JP 2010546247 A JP2010546247 A JP 2010546247A JP 2011512659 A JP2011512659 A JP 2011512659A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mirror
individual
facet
mirrors
projection exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010546247A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5487118B2 (ja
Inventor
ユードー ディンゲル
マルティン エントレス
アルミン ウェルバー
ノルベルト ミュールベルガー
フロリアン バッハ
Original Assignee
カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102008009600A external-priority patent/DE102008009600A1/de
Priority claimed from DE200910000099 external-priority patent/DE102009000099A1/de
Application filed by カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー filed Critical カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Publication of JP2011512659A publication Critical patent/JP2011512659A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5487118B2 publication Critical patent/JP5487118B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/06Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the phase of light
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0927Systems for changing the beam intensity distribution, e.g. Gaussian to top-hat
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/08Mirrors
    • G02B5/09Multifaceted or polygonal mirrors, e.g. polygonal scanning mirrors; Fresnel mirrors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets

Abstract

マイクロリソグラフィのための投影露光装置における光束誘導光学構成要素としての使用のためのファセットミラー、更に、少なくとも1つのそのようなファセットミラーを含むマイクロリソグラフィのための投影露光装置のための照射光学系、そのような照射光学系を含む投影露光装置、そのような投影露光装置を用いて微細構造化構成要素又はナノ構造化構成要素を製造する方法、並びにそのような方法によって製造された微細構造化構成要素又はナノ構造化構成要素を提供する。マイクロリソグラフィのための投影露光装置においてファセットミラーが光束誘導光学構成要素として用いられる。ファセットミラーは、複数の個別ミラー(21)を有する。入射する照射光の個々の偏向に向けて、これらの個別ミラー(21)は、各場合にこれらの個別ミラー(21)を少なくとも1つの傾斜軸(x,y)の回りに個別に傾斜させることができるようにアクチュエータに接続される。アクチュエータに接続した制御デバイスは、個別ミラー(21)の所定の群を各場合に少なくとも2つの個別ミラー(21)を含む個別ミラー群(19)へとグループ分けすることができるように構成される。この結果は、投影露光装置内に設けられた時に投影露光装置によって照射される物体視野の様々な照射幾何学形状を設定する変動性を高めるファセットミラーである。ファセットミラーを形成するための個別ミラーの様々な実施形態を説明する。
【選択図】 図7

Description

本発明は、マイクロリソグラフィのための投影露光装置における光束誘導光学構成要素としての使用のためのファセットミラーに関する。更に、本発明は、少なくとも1つのそのようなファセットミラーを含むマイクロリソグラフィのための投影露光装置のための照射光学系、そのような照射光学系を含む投影露光装置、そのような投影露光装置を用いて微細構造化構成要素又はナノ構造化構成要素を製造する方法、並びにそのような方法によって製造された微細構造化構成要素又はナノ構造化構成要素に関する。
この種のファセットミラーは、US6,438,299B1及びUS6,658,084B2に開示されている。
US6,438,299B1 US6,658,084B2 US6,438,199B1 US2006/0132747A1 US7,061,582B2 EP1,289,273A1 US6,859、515B2 EP1,225,481A DE10,2006,036,064A ドイツ特許出願第10,2007,008,702.2号
Istvan Reimann著「Parkette、geometrisch betrachtet」(タイル張りの幾何学的考察)、「Mathematisches Mosaik」(数学的モザイク)、Colonge(1977年) Jan Gulberg著「Mathematics−From the birth of numbers」(数学−数の誕生から)、ニューヨーク/ロンドン(1997年) Yeow他著「センサとアクチュエータ」、A117(2005年)、331ページ〜340ページ Farhad Salmassi他著「応用の光学」、第45巻、第11号、2404ページから2408ページ
本発明の目的は、冒頭に挙げた種類のファセットミラーをこのファセットミラーを投影露光装置内に設置することにより投影露光装置を用いて物体視野を照射する様々な照射幾何学形状を設定する変動性が高まるような方法で開発することである。
本発明によるとこの目的は、請求項1又は請求項4に記載の特徴を有するファセットミラーによって達成される。
本発明によると、ファセットミラーは、互いに独立して傾斜させることができる複数の個別ミラーに分割されるので、ファセットミラーを個別ミラーの群へと可変的に分割することができる。この分割は、照射される物体視野の形状への適応に向けて異なる境界を有する群を発生させる上で有利であるとすることができる。個別ミラーは個々に作動可能であり、それによって遮光又は遮蔽によっていかなる光も失うことなしに複数の様々な物体視野照射を保証する。特に、このファセットミラーを装備することができる照射光学系は、放射線源の光学パラメータ、例えば、ビーム発散度、又はビーム断面にわたる強度分布に適応させることができる。ファセットミラーは、いくつかの個別ミラー群が、各場合にこれらのミラー群が独自に物体視野全体を照射するように設計することができる。本発明によるファセットミラーには、10個よりも多く、50個よりも多く、更には100個よりも多くのそのような個別ミラー群を設けることができる。個別ミラー照射チャンネルは、ファセットミラーによって誘導される照射光束のビーム経路の一部であり、照射光束は、ファセットミラーの個別ミラーのうちの厳密に1つによって誘導される。本発明によると、物体視野全体の照射には少なくとも2つのこの種の個別ミラー照射チャンネルが必要である。US6,438,199B1及びUS6,658,084B2によるファセットミラーの例では、個別ミラー照射チャンネルは、各場合に物体視野に対応するサイズを有する物体視野部分を照射する。
請求項2に記載の個別ミラーの例では、割り当てられた個別ミラー照射チャンネルは、互いに個別に物体視野を照射することができ、又はこれらの個別ミラー照射チャンネルは、定められた方式で互いと重なり合うように配置することができる。物体視野は、2つよりも多くの個別ミラー照射チャンネル、例えば、10個よりも多くの個別ミラー照射チャンネルによって照射することができる。
請求項4に記載のファセットミラーの利点は、請求項1に記載のファセットミラーを参照して上述したものに対応する。
請求項5に記載のファセットミラーは、特に、投影露光装置の照射光学系内の視野ファセットミラーとして用いられる。個別ミラー群のサイズ及び形状によっては、照射される物体視野の対応するサイズ及び形状を得ることができる。矩形の物体視野では、各場合に1つの個別ミラー群によって形成される個別ファセットのファセットアスペクト比は、視野アスペクト比に対応する。個別ミラー群は、個別ミラーの固定配列を有する必要はない。例えば、個別ミラーは、選択された複数の個別ミラーを個別ミラー群、及び従って所定の形状を有するファセットに可変的に割り当てることが可能になるように作動させることができる。この場合、作動時には、ファセットミラーは、ファセットが形成される所定の個別ミラー群によっては、様々な所定のファセット形状に対応することができる。
物体視野の全体形状に対応する形状を有する個別ファセットの代わりに、半視野、言い換えれば、物体視野寸法の半分に沿って延びる視野に対応する個別ファセット又は個別ファセット群を形成することができる。この種の半視野は、各場合に、物体視野全体の照射に向けて組み合わされる。物体視野の部分視野に対応する形状を有する個別ファセット又は個別ファセット群を形成するように考えることもできる。この場合、相補的とすることができるいくつかのこの種の部分視野は、物体視野全体の照射に向けて組み合わせることができる。
請求項6及び請求項7に記載の群形状は、現行の物体視野幾何学形状に良好に適応される。弓形、環状、又は円形のエンベロープも、個別ミラーのラスター配列から、望ましいエンベロープの形状と類似の境界を有する個別ミラー群を選択することによるピクセル毎の近似によって得ることができる。
請求項8に記載のファセットミラーは、特に、投影露光装置の照射光学系内の瞳ファセットミラーとして用いられる。
好ましくは、照射光学系には、本発明により個別ミラーに分割された視野ファセットミラー、及び本発明により個別ミラーに分割された瞳ファセットミラーが装備される。この場合、視野ファセットミラー及び瞳ファセットミラー上で個別ミラー群を対応する群で配置することにより、特定の照射角度分布、言い換えれば照射環境を事実上光損失なしに得ることができる。例えば、US2006/0132747A1に説明されている種類の鏡面反射器を本発明により個別ミラーに分割することができる。鏡面反射器は、物体視野内の強度分布と照射角度分布の両方を調節するのに用いられるので、個別ミラーへの分割に起因する付加的な変動性は特に有利である。
請求項9に記載の実施形態は、マイクロミラーアレイの分野から既に公知である建設的解決法を用いて得ることができる。マイクロミラーアレイは、例えば、US7,061,582B2に説明されている。選択されるタイル張りの種類は、個別ミラー群の必要とされる形状に依存する。特に、「Mathematisches Mosaik」(数学的モザイク)、Colonge(1977年)におけるIstvan Reimann著「Parkette、geometrisch betrachtet」(タイル張りの幾何学的考察)、及びJan Gulberg著「Mathematics−From the birth of numbers」(数学−数の誕生から)、ニューヨーク/ロンドン(1997年)から公知のタイル張りを用いることができる。
請求項10に記載の個別ミラーの構成は、比較的少量の労力しか必要としない。この種の平面個別ミラーでも、近似的に湾曲した反射面で個別ミラー群を形成することを可能にする。代替的に、ファセットミラーの個別ミラーは、湾曲したもの、特に、楕円形に湾曲したものとすることができ、その結果、照射光又は結像光に対する個別ミラーの光束形成効果が生じる。個別ミラーは、特に、凹に湾曲したものである。ファセットミラーは、特に、多楕円体ミラーとすることができる。この種類の湾曲個別ミラーは、平面反射面を有する個別ミラー群によって置換することができ、置換されたこの種の湾曲個別ミラーの非平面表面は、マイクロファセットの多面体によって近似される。
請求項11に記載の変位性は、ファセットミラーの反射面の特定のトポグラフィを設定する時の変動性を高める。この変位性により、群を形成するだけでなく、反射面に対してそれぞれの群内で望ましい結像効果又はあらゆる他の光束形成効果を有する特定の曲率及び自由面を定めることも可能になる。個別ミラーは、反射面に対する法線に沿った変位に向けて個別に作動させることができるので、個別ミラー間の相互遮蔽を最小にすることができる。
請求項12に記載の配列は、マイクロミラーアレイの分野から公知の建設的解決法を用いて達成することができる。
請求項13に記載の作動は、設定に従った個別ミラーの迅速で個々の作動を保証する。
必要に応じて、例えば、個別ミラーをグループ分けするか又は集合的に遮光する場合には、請求項14に記載の特に行又は列による並列作動は、いかなる労力も伴わずに個別ミラーを互いに作動させることを可能にする。
請求項15に記載の設計は、物体視野照射の均一性を物体視野にわたる照射強度に関して又は特定の視野依存の照射強度分布を調節することに関して補正することを可能にする。代替的又は追加的に、個別ミラーを作動させることによって瞳平面の照射の強度分布を設定することができるように、個別ミラーを個々に作動させることによって瞳照射を設定することができる。個別ミラーを作動させることによって瞳平面の照射強度を分布させる段階は、特に、照射される視野サイズ又は視野形状に依存して行うことができる。代替的又は追加的に、照射される物体視野を通る入射照射角度の所定の変化が設定されるように、個別ミラーを作動させることによって瞳平面内の照射強度を分布させることができる。例えば、視野の中心における照射角度分布は、視野縁部におけるものとは異なるとすることができる。
当然ながら、個別ミラーの個々の作動は、他の原因による物体視野にわたる強度分布又は照射角度分布の不均一性を補償するか、又はより一般的には、物体視野にわたって検出された初期設定の強度分布値又は照射角度分布値からの偏差を補正するのに用いることができる。
請求項16に記載の平面支持体は、ファセットミラーの製造を容易にする。ファセットミラーの支持体の平面配列は、ファセットミラーの上流で照射光又は結像光を相応に形成することによって達成することができる。
個別ミラーのうちの少なくとも1つのミラー本体は、堅固な支持体に対して傾斜継手の少なくとも1つの傾斜軸の回りに傾斜可能とすることができる。傾斜継手は、傾斜軸に対して垂直に継手厚みSを有し、傾斜軸に沿って継手長さLを有し、L/S>50である硬質の継手とすることができる。特に、僅かな労力しか伴わずに調節を実施することを可能にする所定の低剛性では、継手厚みに対する継手長さのそのような関係は、ミラー本体から支持体への硬質の継手を通じた十分な熱放散を保証する。継手厚みと比較すると大きい継手長さは、硬質の継手を通じた熱伝達に対して十分に大きい断面を生じる。個別ミラーを調節する時には、継手長さと比較して小さい継手厚みは、ミラー本体の所定の角度偏向を僅かな労力しか伴わずに達成することを可能にする。それによって僅かな労力しか必要とせず、従って、例えば、非常に小型とすることができるミラー本体を傾斜させるための作動要素を用いることが可能になる。ミラー本体を傾斜させるのに適する作動要素は、特に、従来のマイクロミラーアレイ内に設けられているものである。この種のマイクロミラーアレイは、例えば、EP1,289,273A1に開示されている「MEMS」(マイクロ電気機械システム)として当業者に公知である。非常に小さいL/S比を有するマイクロミラーの従来の捩れ懸架(Yeow他著「センサとアクチュエータ」、A117(2005年)、331ページ〜340ページを参照されたい)と比較すると、本発明による硬質の継手を用いた場合に、熱伝達は相当に改善される。この改善は、例えば、個別ミラーによって反射される有用光としてEUV放射線を用いる場合にそうであるように、相当量の残留吸収に起因する熱をミラー本体から消散する必要がある場合に特に有利である。ミラー本体と支持体の間の熱伝達は、特に、層流冷却液を用いた能動的冷却を可能にするマイクロチャネルを支持体内に設けることによって更に改善することができる。
請求項17に記載の照射光学系の利点は、本発明によるファセットミラーを参照して既に上述のものに対応する。
請求項18に記載の照射光学系は、特に、個別ミラーで形成された視野ファセットミラーの利点と、個別ミラーで形成された瞳ファセットミラーの利点とを組み合わせることができ、それによって事実上いかなる光も失うことなしに大幅に異なる照射環境が可能になる。瞳ファセットミラーは、上流の視野ファセットミラーよりも多い個数の個別ミラーを有することができる。上流の視野ファセットミラーは、調節に必要なファセットを変位に向けて相応に作動させることができる場合、特に、傾斜させることができる場合には、瞳ファセットミラーの様々な照射形状、従って、照射光学系の様々な照射環境を得ることを可能にする。瞳ファセットミラーは、特に、視野ファセットミラーの個別ファセットの個数よりも多い個数の個別ミラーを有することができる。個別ファセットが、個別ミラー群から成る場合には、視野ファセットミラーは、瞳ファセットミラーよりも多い個数の個別ミラーを有することができる。
請求項19に記載の物体視野部分照射は、物体視野照射に関して柔軟性を更に高め、その結果、補正において付加的な自由度が生じる。それに相応して、照射される物体視野部分の物体視野内での相対変位は、物体視野照射を補正することを可能にする。
請求項20に記載の視野ファセットミラーを含む照射光学系の利点は、請求項18に記載の照射光学系を参照して既に上述のものに対応する。
請求項21に記載の投影露光装置の利点は、既に上記に解説したものに対応する。
請求項22に記載の投影露光装置は、高い構造的解像度を得ることを可能にする。
請求項23に記載の鏡面反射器は、照射光学系内で必要な照射光の反射回数を低減する。この低減により、照射光学系の全体的な伝達率が高まる。
請求項24に記載の個別照射は、鏡面反射器の個別ミラーを互いからある一定の距離の位置に配置することを可能にし、それによって個別ミラーのための懸架及び変位機構又は変位アクチュエータのようなデバイスを個別ミラー間に配置するための十分な空間が与えられる。
請求項25に記載のファセットミラーは、例えば、集光器ファセットミラーとすることができる。特に、楕円体個別ミラーを含むことができるこの種の集光器ファセットミラーは、一般的に、鏡面反射器を用いない照射光学系において適用可能である。
請求項26に記載の鏡面反射器が、上流のファセットミラーよりも多くの個別ミラーを有する場合には、鏡面反射器の様々な照射形状、及び従って照射光学系の様々な照射環境を発生させる上で上流のファセットミラーを用いることができる。鏡面反射器の個別ミラーの個数が、上流のファセットミラーの個別ミラーの個数よりも少ない場合には、この照射光学系によって物体視野における異なる照射角度分布を得ることができる。
視野ファセットミラーの個別ミラーの個数は、鏡面反射器の個別ミラーの個数を相当量超えることができる。
請求項27に記載の集光器は、照射光束形成に関して下流のファセットミラーに対する要求を低減する。少なくとも1つのファセットミラーは、集光器からの収束照射に露光することができる。
請求項28に記載の集光器は、ファセットミラーよりも少ない労力で製造される。
請求項29に記載の走査方向と長視野軸の間の角度は、物体視野が部分的に照射される場合に、不均一照射を阻止又は低減する。この角度は、例えば、10°である。例えば、1°と3°の間の範囲、3°と5°の間の範囲、5°と7°の間の範囲、又は7°と9°の間の範囲の他の角度を考えることができる。一般的に、10°よりも大きい角度を考えることができる。代替的に、走査方向に沿って物体視野部分間のいかなる連続境界も存在しないように物体視野部分を配置することができる。代替的又は追加的に、照射光学系によって物体視野内に結像される個別ミラーの縁部が走査方向に対して平行ではないように個別ミラーの配向することができる。個別ミラー群の像内の陰影部が、走査方向に対して垂直に互いに対してオフセットされ、それによって陰影部によって引き起こされる強度低下が、長視野軸の特定の位置、言い換えれば特定の視野高さで加え合わせられることを阻止するように、照射光学系の少なくとも1つのファセットミラーの個別ミラーを配置することができる。
請求項30に記載の製造法、及び請求項31に記載の微細構造化構成要素の利点は、請求項1から請求項29を参照して既に上述のものに対応する。サブマイクロメートル範囲であっても高い集積密度を示す微細構造化構成要素を得ることができる。
以下では、本発明の実施形態を図面を用いてより詳細に説明する。
EUV投影リソグラフィのための投影露光装置を通る略子午断面図である。 図1による投影露光装置における使用のための個別ミラーから成る視野ファセットミラーの一部分の概略平面図である。 図2の方向IIIからの図2によるファセットミラーの個別ミラー行の一部分の図である。 図3に示す個別ミラー行の個別ミラーによって形成される反射面行の様々な形状の非常に概略的な図においてこの反射面行を3つの異なる構成で示す図のうちの1つである。 図3に示す個別ミラー行の個別ミラーによって形成される反射面行の様々な形状の非常に概略的な図においてこの反射面行を3つの異なる構成で示す図のうちの1つである。 図3に示す個別ミラー行の個別ミラーによって形成される反射面行の様々な形状の非常に概略的な図においてこの反射面行を3つの異なる構成で示す図のうちの1つである。 個別ミラーが個別ファセットの配列を定める例示的な個別ミラー群へとグループ分けされた個別ファセットで構成された視野ファセットミラーの別の実施形態の一部分の平面図である。 図1による投影露光装置における使用のための例えば様々な環状又はリング状の照射環境を定めるための個別ミラーで構成された瞳ファセットミラーの概略平面図である。 個別ファセットを定める個別ミラー群へとグループ分けされた図2によるファセットミラーの個別ミラーの様々なグループ分けの例を示す図のうちの1つである。 個別ファセットを定める個別ミラー群へとグループ分けされた図2によるファセットミラーの個別ミラーの様々なグループ分けの例を示す図のうちの1つである。 個別ファセットを定める個別ミラー群へとグループ分けされた図2によるファセットミラーの個別ミラーの様々なグループ分けの例を示す図のうちの1つである。 個別ファセットを定める個別ミラー群へとグループ分けされた図2によるファセットミラーの個別ミラーの様々なグループ分けの例を示す図のうちの1つである。 個別ファセットを定める個別ミラー群へとグループ分けされた図2によるファセットミラーの個別ミラーの様々なグループ分けの例を示す図のうちの1つである。 第1の近似的な従来照射環境を定めるように照射される円形照射に露光された複数の個別ミラー、複数の個別ミラー群で同じく構成された図8に類似する瞳ファセットミラーを示す図である。 同じ個数の個別ミラー群が別の近似的にリング状の照射環境を定めるように同じく円形照射に露光された図14による瞳ファセットミラーを示す図である。 リング形又は弓形の視野の照射のための図2による視野ファセットミラーの個別ミラーのグループ分けの別の実施形態を示す図である。 個別ミラー群へとグループ分けされた視野ファセットミラーの個別ミラーの更に別の例を示す図である。 個別ミラー群へとグループ分けされた視野ファセットミラーの個別ミラーの更に別の例を示す図である。 個別ミラー群へとグループ分けされた視野ファセットミラーの個別ミラーの更に別の例を示す図である。 個別ミラー群へとグループ分けされた視野ファセットミラーの個別ミラーの更に別の例を示す図である。 個別ミラー群へとグループ分けされた瞳ファセットミラーの個別ミラーの更に別の例を示す図である。 個別ミラー群へとグループ分けされた瞳ファセットミラーの個別ミラーの更に別の例を示す図である。 個別ミラーで構成されたファセットミラーの反射面上に配置された個別ミラーを用いたタイル張りの別の実施形態を示す図である。 投影露光装置の照射光学系が鏡面反射器を含むEUV投影リソグラフィのための投影露光装置の光学設計の別の実施形態を通る略子午断面図である。 EUV投影リソグラフィのための投影露光装置のための照射系の別の実施形態の一部分を通る略子午断面図である。 鏡面反射器を含むEUV投影リソグラフィのための投影露光装置の照射光学系の光学設計の別の実施形態の図24と類似の図である。 照射光学系の集光器ファセットミラーの楕円体個別ミラーの鏡面反射器の個別ミラーへの代替割り当てバージョンの図26と類似の図である。 図26及び図27による鏡面反射器上に入射する光源像の平面図である。 投影露光装置の別の実施形態の部分的に照射された物体視野の平面図である。 図2による視野ファセットミラーにおける使用のための個別ミラーの平面図である。 個別ミラーの反射面を傾斜なしの中立位置に示す図30の方向XXXIからの個別ミラーの図である。 図31の部分拡大図である。 図30の方向XXXIIからの個別ミラーの図である。 アクチュエータを用いて傾斜された位置にある個別ミラーの図31と類似の図である。 傾斜継手が硬質の継手である図30から図34による個別ミラーの傾斜継手の部分図である。 図30から図34による個別ミラーのミラー本体の制御された傾斜のための静電容量アクチュエータの実施形態のアクチュエータの2つの電極間にいかなる電圧も印加されていない場合の概略図である。 図36によるアクチュエータのその2つの電極間に電圧が印加された場合の図である。 個別ミラーで構成されたファセットミラーの反射面上でのタイル張りの更に別の実施形態を示す図である。 個別ミラーで構成されたファセットミラーの反射面上でのタイル張りの更に別の実施形態を示す図である。
図1は、マイクロリソグラフィのための投影露光装置1を通る略子午断面図を示している。投影露光装置1の照射系2は、放射線源3、及び物体平面6内の物体視野5を照射するための照射光学系4を有する。この工程では、物体視野5に配置され、レチクルホルダ(示していない)によって保持されたレチクル(図面には示していない)が照射される。投影光学系7は、物体視野5を像平面9内の像視野8へと結像するのに用いられる。レチクル上の構造は、像平面9内で像視野8の領域に配置されたウェーハ(図面には示していない)であり、ウェーハホルダ(示していない)によって保持されたウェーハの感光層上に結像される。
放射線源3は、5nmと30nmの間の範囲の有用光を放出するEUV放射線源である。放射線源は、プラズマ光源、例えば、GDPP光源(ガス放電生成プラズマ)又はLPP光源(レーザ生成プラズマ)とすることができる。シンクロトロンに基づく放射線源も同様に放射線源3として適用することができる。当業者は、この種の放射線源に関する有利な情報を例えばUS6,859、515B2に見出すであろう。放射線源3によって放出されるEUV放射線10は、集光器11によって集束される。対応する集光器はEP1,225,481Aに開示されている。集光器11の下流では、EUV放射線10は、中間焦点面12を通って伝播し、その後視野ファセットミラー13に当たる。視野ファセットミラー13は、照射光学系4の物体平面6と光学的に共役な平面に配置される。
以下では、EUV放射線10を照射光又は結像光とも呼ぶ。
視野ファセットミラー13の下流では、EUV放射線10は、瞳ファセットミラー14によって反射される。瞳ファセットミラー14は、投影光学系7の瞳平面と光学的に共役な照射光学系4の瞳平面に配置される。瞳ファセットミラー14、及びビーム経路の方向に相応に16,17、及び18で表しているミラーを含む伝達光学系15の形態にある結像光学アセンブリを用いて、部分視野又は個別ミラー群とも呼び、以下でより詳細に説明することになる視野ファセットミラー13の個別視野ファセット19が、物体視野5内に結像される。伝達光学系15の最後のミラー18は、かすめ入射ミラーである。
図1は、位置関係の説明を容易にする直交xyz座標システムを示しており、この座標システムは、物体平面6と像平面9との間で投影露光装置1の構成要素の位置関係の説明のための全体座標システムである。図1では、x軸は、作図面に対して垂直に作図面に向けて延びている。y軸は、図1では右に向けて延びている。z軸は図1では下方に延びており、従って、物体平面6及び像平面9に対して垂直である。
図2は、視野ファセットミラー13の構造的詳細内容の非常に概略的な図を示している。個別ミラー21のラスターが形成されるように、視野ファセットミラー13の反射面20全体が行と列とに分割される。個別ミラー21の各々の個々の反射面は平面である。個別ミラーの行22は、複数の直接に隣接する個別ミラー21を含む。個別ミラーの1つの行22は、数十個から数百個の個別ミラー21を含むことができる。図2による例では、個別ミラー21は正方形の形状にある。可能な限り少ない間隙しか持たないタイル張りを得ることを可能にする個別ミラーの他の形状を適用することができる。個別ミラーにおけるそのような別の形状は、タイル張りの数学的理論から公知である。この点に関しては、「Mathematisches Mosaik」(数学的モザイク)、Colonge(1977年)におけるIstvan Reimann著「タイル張りの幾何学的考察」、及びJan Gulberg著「Mathematics−From the birth of numbers」(数学−数の誕生から)、ニューヨーク/ロンドン(1997年)を参照されたい。
視野ファセットミラー13は、特に、DE10,2006,036,064A1に説明されているように構成することができる。
視野ファセットミラー13の設計によっては、個別ミラーの列23も同様に複数の個別ミラー21を含む。個別ミラーの1つの列23は、例えば、数十個の個別ミラー21から成る。
図2は、位置関係のより容易な説明のために、視野ファセットミラー13の局所座標システムとして機能する直交xyz座標システムを示している。また、ファセットミラー又はファセットミラーの一部分の平面図を示しているその後の図においても、対応する局所xyz座標システムを見ることができる。図2では、x軸は水平に右に向けて延び、個別ミラーの行22に対して平行である。y軸は、図2では上向きに延び、個別ミラーの列23に対して平行である。z軸は図2の作図面に対して垂直であり、この作図面から現れるように延びている。
投影露光中には、レチクルホルダとウェーハホルダが、y方向に同期して走査される。以下に説明するように、走査方向とy方向の間に小さい角度を考えることができる。
視野ファセットミラー13の反射面20は、x方向にx0の延長を有する。y方向には、視野ファセットミラー13の反射面20はy0の延長を有する。
視野ファセットミラー13の設計によっては、個別ミラー21は、例えば、600μm×600μmから、例えば、2mm×2mmの範囲にx/y延長を有する。個別ミラー21は、照射光10に対して集束効果を有するように成形することができる。個別ミラー21のそのような集束効果は、視野ファセットミラー13が発散照射光3に露光される時に特に有利である。視野ファセットミラー13全体は、設計によっては、例えば、300mm×300mm又は600mm×600mmに達するx0/y0延長を有する。個別視野ファセット19は、25mm×4mm又は104mm×8mmの一般的なx/y延長を示している。それぞれの個別視野ファセット19のサイズと、これらの個々の視野ファセット19を形成する個別ミラー21のサイズの間の関係によっては、個別視野ファセット19の各々は、対応する個数の個別ミラー21を有する。
個別ミラー21の各々は、入射する照射光10の個々の偏向に向けてアクチュエータ24に接続され、このアクチュエータ24を図2に、反射面20の左手側下コーナに配置された2つの破線の個別ミラー21によって例示しており、同様に個別ファセットの行22の一部分のより詳細な図3にも例示している。アクチュエータ24は、各場合に、個別ミラー21のその反射側から離れた側に配置される。アクチュエータ24は、例えば、圧電アクチュエータとすることができる。そのようなアクチュエータの設計は、マイクロミラーアレイの設計から公知である。
個別ミラーの行22のアクチュエータ24は、各場合に、信号線25を通じて行信号バス26に接続される。個別ミラーの1つの行22は、行信号バス26のそれぞれの1つに割り当てられる。個別ミラーの行22の行信号バス26は、更に主信号バス27に接続される。この主信号バス27は、信号によって視野ファセットミラー13の制御デバイス28に接続される。制御デバイス28は、特に、個別ミラー21を並列で作動させるように構成され、言い換えれば、1つの行又は1つの列の個別ミラー21が互いに作動される。
個別ミラー21の各々は、互いに対して垂直な2つの傾斜軸の回りに個々に傾斜させることができ、これらの傾斜軸のうちの第1のものは、x軸に対して平行であり、2つの傾斜軸のうちの第2のものは、y軸に対して平行である。2つの傾斜軸は、それぞれの個別ミラー21の個別反射面に配置される。
上記に加えて、個別ミラー21は、アクチュエータ24を用いてz方向に個々に変位させることができる。その結果、個別ミラー21は、反射面20に対する法線に沿った変位に向けて互いに個別に作動させることができる。これにより、図4から図6の非常に概略的な図に示しているように、反射面20のトポグラフィ全体を変更することが可能になる。これにより、大きいサジタル高さを有し、言い換えれば、反射面のトポグラフィにおいて大きい変化を有する反射面輪郭を全て1つの平面に配置されたフレネルレンズに似たミラー領域の形態で生成することが可能になる。フレネルゾーンに似たミラー領域への分割は、大きいサジタル高さを有するそのようなミラー面トポグラフィの基本的な曲率を排除する。
図4は、個別ミラーの行22の全ての個別ミラー21が制御デバイス28及びアクチュエータ24を用いて同じ絶対z位置に設定された個別ミラーのこの行22のある一定の区画が有する個別ミラー21の個別反射面を示している。結果は、個別ミラーの行22の平面行反射面である。視野ファセットミラー13の全ての個別ミラー21が図4に従って設定された場合には、視野ファセットミラー13の反射面20全体が平面である。
図5は、中心個別ミラー21mが、隣接する個別ミラー21r1、21r2、21r3と比較して負のz方向に変位した個別ミラーの行22の個別ミラー21の作動を示している。この作動により、図5による個別ミラーの行22の上に入射するEUV放射線10の対応する位相オフセットを引き起こす段階式構成が生じる。2つの中心個別ミラー21mによって反射されるEUV放射線10は、最大位相オフセットを受ける。縁部にある個別ミラー21r3は、最小位相オフセットを発生させる。これらの間に配置された個別ミラー21r1、21r2は、中心個別ミラー21mによって発生する位相リターデーションと比較して徐々に低くなる位相リターデーションを発生させる。
図6は、一方で個別ミラー21の互いに対するz方向のオフセット配列により、他方で個別ミラー21の向きを互いに対して定めることによって個別ミラーの凸行22が形成されるような個別ミラーの行22の表示区画上の個別ミラー21の作動を示している。この作動は、視野ファセットミラー13の個別ミラー群の結像効果を発生させる上で有利であるとすることができる。当然ながら、個別ミラー21の群の対応する凹配列も同様に考えることができる。
図5及び図6を参照して上述したものに対応する形態は、x次元に限定されず、制御デバイス28による作動に依存して視野ファセットミラー13のy次元にも続けることができる。
制御デバイス28によるアクチュエータ24の個々の作動は、個別ミラー21の所定の群を各々が少なくとも2つの個別ミラー21を含む上述の個別ミラー群であって、各場合に1つの個別ミラー群が視野ファセットミラー13の個別視野ファセット19を定める個別ミラー群で配置することを可能にする。いくつかの個別ミラー21から成るこれらの個別視野ファセット19は、例えば、US6,438、199B1又はUS6,658、084B2から公知の視野ファセットと同じ効果を有する。
図7はこの種のグループ分けを示しており、この図は、図2の図と比較してより多くの個数の個別ミラー21を含む別の実施形態の視野ファセットミラー13が有する視野ファセットプレートの反射面20のある区画を示している。図2から図6を参照して上述したものに対応する構成要素は同じ参照番号を有し、再度詳細には解説しない。図7の例における反射面20上には、制御デバイス28による組合せ作動によって合計で12個の個別ミラー群19が形成される。個別ミラー群19の各々は、個別ミラー21の24×3のアレイから成り、言い換えれば、各々が、24個の個別ミラー21の3つの個別ミラー行を有する。従って、個別ミラー群19の各々、言い換えれば、このグループ分けによって形成される個別視野ファセットの各々は、8対1のアスペクト比を有する。このアスペクト比は、照射される物体視野5のアスペクト比に対応する。
個別ミラー群19の各々の個別ミラー21は、個別ミラー群19の各々の形状が従来の視野ファセットミラーの個別ファセットの形状に対応するように互いに対して配置される。その結果、個別ミラー群19の各々は個別ファセットを定める。
図8は、投影露光装置1内に設けられた瞳ファセットミラー14の詳細内容を示している。瞳ファセットミラー14は、複数の個別ミラー21が設けられた円形瞳ファセットプレート29を含む。図8による実施形態では、有利個別ミラー21が、瞳ファセットプレート29の中心30の回りに環状構成で配置される。この構成の環状幅は、約11個の隣接する個別ミラー21の幅に対応する。同様に瞳ファセットプレート29の中心30にも、対応するラスターパターンで同様に配置された個別ミラー21が設けられるが、これらの個別ミラー21は、図8による環状の言い換えればリング状の設定では使用状態にないことから示していない。
この環状構成の個別ミラー21は、上述の図2から図7による視野ファセットミラー13に対応する行と列のラスターパターンで配置される。瞳ファセットミラー14の個別ミラー21もアクチュエータを有し、制御デバイス28によって作動される。これらのアクチュエータ、及び作動の信号接続の種類は、上述の視野ファセットミラー13のものに対応する。
瞳ファセットミラー14の個別ミラー21も、個別ミラー群へとグループ分けすることができる。これに対しては、図14及び図15を用いて以下に説明する。
図9から図13は、個別ミラー群へとグループ分けされた、視野ファセットミラー13の個別ミラー21の様々な例を示している。
図9は、視野ファセットミラー13の全ての個別ミラー21が単一の個別ミラー群31へとグループ分けされた場合を示している。この場合、視野ファセットミラー13の全ての個別ミラー21は、制御デバイス28によって同様に作動され、例えば、同じz位置にあるミラーは、x軸とy軸との回りに同じ傾斜角だけ傾斜される。これらの2つの傾斜角の各々がゼロに等しい場合には、視野ファセットミラー13は、個別ミラー21で構成された平面ミラーになる。視野ファセットミラー13の合計アスペクト比はx0/y0である。
図10によると、視野ファセットミラー13は、個別ミラー群32、33に分割される。図10の上側の個別ミラー群32は、視野ファセットミラー13の上側半分を含み、それに対して個別ミラー群33は、視野ファセットミラー13の下側半域を含む。ここでもまた、これらの2つの群32、33の各々の個別ミラー21は、制御デバイス28によって同様に作動される。この作動により、個別ミラー群32、33に対応する2つの個別ファセットを含む視野ファセットミラーを生じることができる。これらの個別ファセット32、33のアスペクト比は2・x0/y0である。
図11によると、視野ファセットミラー13は、4・x0/y0のアスペクト比を有する合計で4つの個別ミラー群34から37であり、各場合に反射面20の行幅全体を網羅する個別ミラー群34から37に分割される。従って、これらの4つの個別ミラー群34から37は、上述のアスペクト比を有する4つの個別ファセットを定める。
図12によると、視野ファセットミラー13の個別ミラー21は、各場合に視野ファセットミラー13の1つの行に対応する合計で8つの個別ミラー群38から45であり、8・x0/y0のアスペクト比を有する個別ミラー群38から45に分割される。すなわち、このグループ分けは、合計で8つの個別ファセットを有する視野ファセットミラーを生成することができる。
図13によると、視野ファセットミラー13の個別ファセット21は、視野ファセットミラー13の各行内で8つの隣接する個別ミラー21が、各場合に1つの個別ミラー群46へとグループ分けされるようにグループ分けされる。これらの個別ミラー群46の各々は、8:1のアスペクト比を有する。視野ファセットミラー13の個別ミラーの各行22が、例えば、80個の個別ミラー21から成る場合には、図13のグループ分けによる各行22は10個の個別ミラー群46を含み、これらの個別ミラー群は合計で80個の個別ミラー群46になる。図13による実施形態では、この構成により、80個の個別ファセットを有する視野ファセットミラーを形成することが可能になる。
図14及び図15は、上述の図2から図7及び図9から図13による群に分割された合計で19個の個別ミラー群を有する視野ファセットミラーを用いた瞳ファセットミラー14と類似の瞳ファセットミラー47の照射を示している。図8による瞳ファセットミラー14と同様に、瞳ファセットミラー47の円形瞳ファセットプレート29は、行と列のラスターパターンを形成する個別ミラー21で網羅される。瞳ファセットミラー47の照射される個別ミラー21をハッチング線で示している。照射は、各場合に円形境界を有する個別ミラー群48上に誘導される。個別ミラー群48の円形境界内には、照射光のビーム経路内で上流に配置された視野ファセットミラーによって発生する複数の像が配置され、これらの複数の像は、円形であると仮定される放射線源の像、又はこの放射線源の像の像である。この放射線源は、円形であると仮定される図1の放射線源1に従って準備することができる。この放射線源の上述の像は、照射及び結像光のビーム経路の中間焦点に配置することができる。これらの複数の像を光源像とも呼ぶ。瞳ファセットミラー47の中間焦点における光源の像が円形形状から逸脱する場合には、個別ミラー群48の形状を光源像の形状に相応に適応させることができる。例えば、放射線源の像が楕円形である場合には、瞳ファセットミラー47上の個別ミラー群48は、対応する楕円形境界を有することができる。放射線源の像又は光源像の他の形状、例えば、瞳ファセットミラー47上で最適なタイル張りを生じる六角形又は矩形の形状を考えることができる。放射線源像のそのような形状は、中間焦点面内の対応する絞り配列によって得ることができる。照射光学系4は、絞りの変化に起因して中間焦点内で変化する放射線源像形状に、瞳ファセットミラー47の個別ミラー群48の群配列を変更することによって適応させることができる。この適応は、放射線源が変更された場合、例えば、GDPP放射線源がLPP放射線源で置換された場合にも適用することができる。
瞳ファセットミラー47の個別ミラー群48の各々は、視野ファセットミラー13の厳密に1つの個別ミラー群、例えば、個別ミラー群19(図7を参照されたい)によって照射される。瞳ファセットミラー47には、合計で19個の照射される個別ミラー群48が生じる。既に上述のように、上流の視野ファセットミラー13は、19個の割り当てられた個別ミラー群19に分割される。瞳ファセットミラー47上の19個の個別ミラー群48への視野ファセットミラー13の19個の個別ミラー群19の割り当ては、視野ファセットミラー13から物体視野5へのEUV放射線10の光路において合計で19個のチャンネルを生じる。
瞳ファセットミラーの個別ミラー群48の各々の内部では、9個の中心個別ミラー21は完全に照射され、それに対して中心個別ミラー21を取り囲む更に別の個別ミラー21は部分的に照射される。これらの少なくとも一部は照射される個別ミラー21は、制御デバイス28を用いて群として作動させるべき個別ミラー群48を形成する。個別ミラー群48の各々の個別ミラー21は、視野ファセットミラー13の割り当てられた個別ミラー群、例えば、図7による実施形態の割り当てられた個別ミラー群19の像が、瞳ファセットミラー47の個別ミラー群48及びその下流の伝達光学系16を通じて物体視野5へと結像されるように作動される。視野ファセットミラー13を用いて、個別ミラー群48の位置に2次放射線源が発生し、これらの2次放射線源は、投影平面7の瞳平面に結像される。従って、瞳ファセットミラー47上のEUV放射線10の強度分布は、物体平面6内の物体視野5の照射の照射角度分布に正相関する。
図14による照射例では、個別ミラー群48は、瞳ファセットプレート29にわたってほぼ等しく分布される。その結果、物体視野5は、瞳ファセットプレート29の開口全体にわたって分布された照射角度によって照射される。その結果は、投影光学系7の像側開口数によって定められる全ての方向からの物体視野5の近似的な従来照射である。
図15は、図14のものとは異なる、言い換えれば、投影露光装置1の照射環境が変更された瞳ファセットミラー47の照射を示している。瞳ファセットプレート29の縁部にある個別ミラー群49は、視野ファセットミラー13のそれぞれの個別ミラー群、例えば、図7による個別ミラー群19の群毎の又は集合的な作動によって照射される。その結果は、物体平面6内の物体視野5の照射の近似的に環状の照射角度分布である。上述のようにして調節することができる強度分布のリングの最小幅は、個別ミラー群49の幅によって定められる。
図15に従って照射環境が変更された場合であっても、個々の視野ファセットが物体視野5へと結像されることを保証するためには、個別視野ファセット、例えば、図7による実施形態の個別ミラー群19と、個別ミラー群49の個別ミラー21との両方を制御デバイス28を用いてそれぞれの群を傾斜させることによって相応に再調節すべきである。言い換えれば、照射環境が変更された場合には、一方で視野ファセットミラー13の個別ミラー群と、他方で瞳ファセットミラー47の個別ミラー群とを制御デバイス28によって同期して作動させる必要がある。
図8による瞳ファセットミラー14を用いる場合にも図15による照射が可能である。この瞳ファセットミラー14は、物体視野5内の最小照射角度と最大照射角度とによって異なる様々な環状照射環境によって物体視野を照射する上に用いることができる。
図16は、視野ファセットミラー13の個別ミラー21のグループ分けの別の代替バージョンを示している。図16による視野ファセットミラー13の個別ミラー群50は、個別ミラー群50が弓形のエンベロープ51を有するようにグループ分けされる。エンベロープ51は、対応する個別ミラー21を選択することによって再現される。個別ミラー群50は、図16にハッチングで示している個別ミラー21を含む。相応に、個別ミラー群50は、物体平面6内で相応に弓形又は環状の物体視野5を照射するための弓形の個別ファセットを形成する。同様に、弓形又は環状のエンベロープ51を有する複数のそのような個別ミラー群50を相応に形成される物体視野を照射するように形成することができる。上述の他の個別ミラーのグループ分けと同様に、視野ファセットミラー13に設ける必要がある個別ファセット21の個数は、一方で個別ミラー群の望ましい個数と、他方で個別ミラー21のラスターパターン又はタイル張りを用いて望ましいエンベロープ、例えば、エンベロープ51を再現するのに必要な解像度とに依存する。
図17から図20は、視野ファセットミラー13の個別ミラー群又は個別ファセット19の配列又は構成の様々な例を示している。図2から図16を参照して上述したように、これらの個別ミラー群19の各々は、詳細には示していない複数の個別ミラー21へと更に分割される。図17から図20に示しているグループ分けの各々は、1つの同じ視野ファセットミラー13によって発生させることができる。これらの図は、各場合に個別ミラー群19しか示しておらず、その一方でこれらの群の間に設けられるが使用状態にない個別ミラーを示していない。
図17による視野ファセットミラー13は、個別ミラー群19の合計で4つの列52へとグループ分けされる。視野ファセットミラー13は、上流の構成要素によって中心の十字形の領域53内で遮蔽され、この領域53内では、グループ分けされたいかなる個別ミラーも領域53に存在しないように、隣接する個別ミラー群19は、互いからより大きい距離の位置に配置される。
図18による視野ファセットミラー13は、複数の個別ミラー(示していない)で構成された個別ミラー群19が、図7に示す区画によって例示しているように互いに対してオフセットされた列で配置されるようにグループ分けされる。個別ミラー群19のこの構成では、視野ファセットミラー13の中心で幅が拡大する水平中心部分54は、グループ分けされた個別ミラー21で網羅されない。部分54もまた、図18による視野ファセットミラー13の上流に配置された構成要素によって遮蔽される。
図18による視野ファセットミラー13では、個別ミラー群19は上位群55で配置される。隣接する上位群の行のうちの一部は、互いに対してオフセットされ、図18による視野ファセットミラー13の円形のエンベロープを形成する。
図17及び図18による視野ファセットミラー13の個別ミラー群19は、13:1のアスペクト比x/yを有する。従って、これらの個別ミラー群19は、13個の隣接する正方形の個別ミラー21によって形成することができる。
図19は、各々が図16を参照して上述したものに対応する複数の弓形又は環状の個別ミラー群50の構成例を示している。図19では、個別ミラー群50、言い換えれば図19による視野ファセットミラー13の個別ファセットは、各々が、上下に重なって配置された10個の個別ミラー群50から成る上位群56で配置される。上位群56は、5つの上位群列で更に配置される。上位群56は対称に配置され、それによってこれらの上位群56を円形のエンベロープ57に内接させることが可能になる。
図20は、弓形又は環状の個別ミラー群50に分割される視野ファセットミラー13の別の構成を示している。個別ミラー群50は、各場合に異なる個数の個別ミラー群50を含む上位群58へと更にグループ分けされる。図20の左下に示している上位群58aは、例えば、9個の個別ミラー群50に分割される。他の上位群58は、より多い又はより少ない個別ミラー群50を有する。集光器11によって形成される中心遮蔽に起因して、視野ファセットミラー13の中心部分59には個別ミラー群13が設けられない。
図19及び図20による実施形態の個別ミラー群50のアスペクト比も同様にx/y=13:1に等しく、この場合に、xは、個別ミラー群50のうちの1つのx方向の幅を意味し、yは、個別ミラー群50のうちの1つのy方向の延長を意味する。
図21及び図22は、瞳ファセットミラー47の個別ミラー群60、61への様々な分割を示している。ここでもまた、これらの図は個別ミラー群しか示しておらず、グループ分けされた個別ミラーの間の個別ミラーを示していない。図21及び図22による分割は、1つの同じ瞳ファセットミラー47を用いて達成することができる。
図21による実施形態では、瞳ファセットミラー47は、中心領域62の回りに複数の同心円を形成する個別ミラー群60に分割される。個別ミラー群60の各々は、図8、図14、及び図15を参照して上述したように、更に瞳ファセットミラー47の複数の個別ミラー21から成る。瞳ファセットミラー47は、合計で100個を超える個別ミラー群60を含み、図21による実施形態では、個別ミラー21の個数は1、000を超える。
図22による個別ミラー21は、円形個別ミラー群61が近似的な六方緊密充填で配置されるようにグループ分けされる。
図21及び図22によるグループ分けは、所定の照射角度分布を有する照射環境を形成するのに特に適することが見出されている。必要に応じて、特定の照射環境を定めるために、個別ミラー群60、61又はその上位群のうちの一部は、これらの上流にある視野ファセットミラー13の個別ミラー群19を傾斜させることによって遮光することができる。
図2に対する代替形態として、図23は、個別ミラー21で網羅される上述のファセットミラーのうちの1つの反射面20のタイル張りを示している。図23によるタイル張りの個別ミラー21も同様に正方形である。個別ミラー21は、行と列のラスターパターンで配置されず、隣接する列は、個別ミラー21の縁部長の半分だけ互いに対してオフセットされる。
図23によるタイル張りは、弓形又は環状の個別ミラー群、例えば、図19及び図20による個別ミラー群50をエンベロープ51に隣接して低損失しか伴わずに形成することを可能にし、それによって所定の最大許容可能損失に対して行と列のラスターパターンで配置されたタイル張りよりも低い個別ミラー解像度又はピクセル解像度しか必要とされない。
図24は、別の照射光学系を含む投影露光装置1を示している。図1から図23を参照して上述したものに対応する構成要素は同じ参照番号を有し、再度詳細には解説しない。
放射線源3の下流にある最初の要素は、それ以外は図1による配列にある集光器11の機能を有する光束形成集光器62である。集光器63の下流には、鏡面反射器64が配置される。この鏡面反射器64は、EUV放射線10が物体平面6内の物体視野5を照射し、その結果として図24には示していない投影光学系のレチクルの下流に配置された瞳平面65内に、円形境界を有する所定の例えば均一に照射される瞳照射分布、言い換えれば対応する照射環境が生じるように入射EUV放射線10を形成する。鏡面反射器65の効果は、US2006/0132747A1に説明されている。上述のファセットミラーと同様に、鏡面反射器64の反射面は個別ミラー21に分割される。照射要件によっては、鏡面反射器64のこれらの個別ミラーは、鏡面反射器64の個別ミラー群、言い換えればファセットへとグループ分けされる。
図25は、図1による照射とは異なる瞳ファセットミラー14の別の照射を示している。図1から図23を参照して上述したものに対応する構成要素は同じ参照番号を有し、再度詳細には解説しない。図25では、瞳ファセットミラー14を含み、そこまでの照射系2を示している。
図1による照射系2とは対照的に、図25による照射系2には、集光器11と視野ファセットミラー13の間に中間焦点面が設けられない。図25にはそれ程詳細に示していない視野ファセットミラー13の個別ミラー群の反射面は平面表面とすることができる。
上述の視野ファセットミラー13の個別ミラー群の様々な実施形態のうちの1つでは、個別ミラー21のうちの一部の作動が、この群のうちの残りの個別ミラー21のものとは個々に異なるものとすることができ、言い換えれば、これらの一部の個別ミラー21を個別ミラー群から外すことができる。その結果、このようにして形成された視野ファセットミラー13の様々な個別ファセットに、物体視野5内の照射強度の均一性を補正するのに有利であるとすることができる特定の遮光又は遮蔽を与えることができる。
相応に、瞳ファセットミラー14、47の個別ミラー群の上述の様々な実施形態のうちの1つでは、個別ミラー21のうちの一部の作動が、この群のうちの他の個別ミラー21のものとは個々に異なるものとすることができ、言い換えれば、これらの一部の個別ミラー21は、個別ミラー群から外される。瞳ファセットミラー14、47上の様々な光源像(図14及び図15の48を参照されたい)は、特定の遮光又は遮蔽を用いて個々に遮光することができる。この遮光は、物体視野5の照射角度にわたる特定の強度分布を補正又は設定するのに有利であるとすることができる。
相応に、鏡面反射器64上で組み合わされる個別ミラー群の個別ファセットを個別ミラー群から個々に外すことができる。
図26は、別の実施形態の照射光学系を示している。図1から図25を参照して上述したものに対応する構成要素及び機能は同じ参照番号を有し、再度詳細には解説しない。
放射線源3の下流にある最初の要素は、連続ミラー面、言い換えればファセットが設けられていないミラー面を有する集光器66である。ミラー面は、例えば、楕円形のミラー面とすることができる。集光器66は、入れ子状の集光器で置換することができる。
中間焦点面12の下流では、EUV放射線10は、集光器ファセットミラー67上に入射する。この集光器67は、上部に固定された楕円体個別ミラー69のx/yアレイに結合された平面支持プレート68を有する。楕円体個別ミラー69は密接する反射面を有し、それによってEUV放射線10の殆どの部分が集光器ファセットミラー67のこれらの楕円体個別ミラー69によって反射される。楕円体個別ミラー69は、楕円体個別ミラー69を個々に傾斜させることを可能にするアクチュエータ(示していない)に接続される。楕円体個別ミラー69は、その全てが同じ立体角のEUV放射線10を吸収するように形成される。
放射線源3は、楕円体集光器66の1つの焦点上に配置され、それに対して中間焦点面12の中間焦点は、楕円体集光器66の別の焦点上に配置される。
集光器ファセットミラー67の下流には、個別ミラー21のx/yアレイを含む鏡面反射器70がEUV放射線10のビーム経路に配置される。EUV放射線10が入射する各楕円体個別ミラー69は、その後のビーム経路内の鏡面反射器70の個別ミラー21のうちの1つに割り当てられ、それによってEUV放射線10は入射を受ける楕円体個別ミラー69の個数に対応する放射線チャンネルの個数に分割され、これらの放射線チャンネルの各々は楕円体個別ミラー69のうちの1つの上に入射し、次に、鏡面反射器70の割り当て個別ミラー69のうちの1つの上に入射する。
中間焦点面12の中間焦点は、楕円体個別ミラー69のうちの1つが有する焦点のそれぞれの1つに配置され、それに対して楕円体個別ミラー69の第2の焦点には、この楕円体個別ミラー69に割り当てられた鏡面反射器70の個別ミラー21が配置される。言い換えれば、鏡面反射器70は、放射線源3の光源像72に対する像平面71に配置される。これらの光源像72は、像平面71内に個別的に、言い換えれば互いからある距離の位置に配置される。この配列を鏡面反射器70の位置における光源像72の平面図である図28に示す。鏡面反射器の照射される個別ファセット21の個数に対応して、等距離のx/yラスターパターンで配置された合計で数百個のそのような光源像72が生じる。合計の光源像72のエンベロープは、肝臓又は豆の形状を近似的に有する。
鏡面反射器70上の光源像72から進み、レチクルが配置された物体平面6内の物体視野5の物体視野部分73は、個々の放射線チャンネルを通じて照射される。物体視野部分73は、一般的に、歪曲した矩形のx/yラスターパターン方式で物体視野5を網羅する。
物体視野部分73は、各場合に1つの光源像72に割り当てられるので、物体視野部分73を光源スポットとも呼ぶ。物体視野部分73の照射形状は、楕円体個別ミラー69の境界形状と相関する。
鏡面反射器70は、図26による照射光学系の瞳平面には配置されない。
物体視野5は、例えば、y方向に8mmのスロット幅、及びx方向に104mmの幅を有する部分的に環状の形状を有する。鏡面反射器70の個別ミラー21は、物体平面6内で物体視野部分73によって形成される物体視野が照射され、かつ下流にある投影光学系の瞳平面と一致する照射光学系が有する下流の瞳平面内で望ましい強度分布が得られるように、EUV放射線の放射線チャンネルを形成し、それによってレチクル上で望ましい照射角度分布が得られることを保証する。
図26は、隣接する楕円体個別ミラー69により、EUV放射線10が鏡面反射器70の隣接する個別ミラー21上に入射するチャンネル毎の照射の概略図である。そのような隣接関係は必須ではない。実際には、例えば、一方で楕円体個別ミラー69と、他方で鏡面反射器70の個別ミラー21との近接性関係が、点反転、鏡像反転、又は恒等関数によって互いに変換することができないように、そのような隣接配列を排除することが望ましい場合がある。以下ではこの互いの変換を近接性関係の混合とも呼び、楕円体個別ミラー69の鏡面反射器70の個別ミラー21への別の関係を示す図27に例示している。
図27に従って近接性関係が混合された場合には、結果として鏡面反射器70による物体視野部分73の相応に混合された照射が生じ、それによって物体視野5を良好な均一性を伴って照射することが可能になる。この均一性を有する照射により、放射線源3の放出特性に起因し、更に、例えばミラー面の選択的な汚染の結果として鏡面反射器70の上流に配置された光学系の反射率の特に面にわたる変化に起因する物体視野照射の均一性に対する効果が低減する。
鏡面反射器70の個別ミラー21に対する楕円体個別ミラー69の混合割り当ては、例えば、US6,438、199B1に開示されているアルゴリズムを用いて行うことができる。この割り当ては、例えば、交差方式とすることができ、その結果、鏡面反射器70の隣接する個別ミラー21には、隣接しない楕円体個別ミラー69からの光が入射する。
鏡面反射器70の個別ミラー21の個数は、集光器ファセットミラー67の楕円体個別ミラー69の個数を超える。このようにして、鏡面反射器70の個別ミラー21の様々な部分群が、物体視野5の様々な望ましい照射を提供するように調節されるように、楕円体個別ミラー69のアクチュエータを作動させることができる。光源像72の各々は、個別ミラー21のうちの厳密に1つの上で発生させることができる。
鏡面反射器70の個別ミラー21もまた、各場合にアクチュエータに接続され、それによって像平面71に対してこれらの個別ミラー21を個々に傾斜させることが可能になる。楕円体個別ミラー69を調節した後には、それに応じて鏡面反射器70の個別ミラー21を再調節することが可能になる。
図26及び図27は、y方向に沿って延びる楕円体個別ミラー69の群74であって、同様にy方向に延びる鏡面反射器70の個別ミラー21の群75及び物体視野点73の群に割り当てられた群74の概略図を示している。
一方で集光器ファセットミラー67のアクチュエータと、他方で鏡面反射器70のアクチュエータとは、楕円体個別ミラー69又は鏡面反射器70の個別ミラー21を群で作動させることができるように作動させることができる。しかし、特定の群のそのような作動は必須ではない。
集光器ファセットミラー67は、個別に予備製作された楕円体個別ミラー69から組み立てることができる。集光器ファセットミラー67を製造する別の方法は、この集光器ファセットミラー67を例えば単一のダイヤモンドの処理によってモノリシックに形成することを可能にする。次に、集光器ファセットミラー67は、HSQ又はポリアミドスピンコーティングを用いて平滑化される。HSQ法は、Farhad Salmassi他著「応用の光学」、第45巻、第11号、2404ページから2408ページに説明されている。
集光器ファセットミラー67を製造する別の方法は、電気メッキを用いて基体から電気的に形成することを可能にする。
放射線源3、集光器66,及び集光器ファセットミラー67は、多光源アレイ内に統合することができる。この種の多光源アレイは、ドイツ特許出願第10,2007,008,702.2号に説明されており、この出願は、本出願に完全に組み込まれていると考えるものとする。照射される領域内、言い換えれば物体視野内では、多光源アレイの各放射線源は、部分領域、言い換えれば物体視野部分を照射することしかできない。
楕円体個別ミラー69又は個別ミラー21が湾曲している場合は、上述の実施形態の個別ミラー21でさえも複数の平面マイクロミラーで構成することができ、この場合、これらの複数の平面表面は、楕円体個別ミラー69のそれぞれの湾曲面又は湾曲個別ミラー21をこれらが多面体に似るように近似する。
一般的に、楕円体個別ミラー69の湾曲面又は湾曲個別ミラー21を近似するマイクロミラーは、更にアクチュエータを用いて変位させることができる。この場合、マイクロミラーは、個別ミラー69、21の結像特性に影響を与えるのに用いることができる。
この種のマイクロミラーは、例えば、横方向に取り付けられたバネ継手を用いて個別ミラーが移動可能に装着され、静電気によって作動させることができるマイクロミラーアレイ(MMA)と同様に設計することができる。例えば、EP1,289,273A1に開示されているこの種のマイクロミラーは、当業者には、「MEMS(マイクロ電気機械システム)」として公知である。
上述の実施形態では、個別ミラー21及び69は、照射チャンネルが投影露光装置1の物体視野5内でEUV放射線10、言い換えれば照射光を重ね合わさることを可能にする。図26及び図27では、そのような照射チャンネルAKを略示している。対応する照射チャンネルは、図1から図25による実施形態においても見られる。個別ミラー21及び69は、これらの個別ミラー照射チャンネルが、物体視野5内で物体視野5よりも小さい部分物体を照射するような延長を有するミラー面を有する。図26及び図27ではこのミラー面を鏡面反射器70において示している。異なる個別ミラー照射チャンネルに割り当てられた物体視野部分を組み立てることによる物体視野5の照射は、一般的に、図1から図25による実施形態にも適用することができる。
図29は、合計で22個の照射チャンネルによって照射される例示的物体視野5の概略図であり、この場合これらの照射チャンネルは、対応する22個の物体視野部分76を照射する。物体視野部分76の間の境界77、78は、それぞれx方向又はy方向に延びている。
図29による物体視野照射を有する投影露光装置1を用いた投影露光中にウェーハホルダとレチクルホルダとが同期して変位した走査方向yscanは、y方向に対して厳密に平行ではない、言い換えれば、物体視野5の長視野軸xに対して垂直ではなく、この視野軸xに対して角度αだけ傾斜される。その結果、物体視野5を通る走査時に、レチクル上の点は、y方向に2つの物体視野部分76の間で延びる境界78のうちの1つと出合うことがあったとしても、走査処理の一部の間にしか出合わない。それによって物体視野5を通る走査処理全体の間に結像されるレチクル上の点が常時境界78のうちの1つに沿って移動することが阻止され、それによって物体視野が部分的に照射される場合に結像されるレチクル上の点が露光される強度の均一性が改善される。
代替的に、物体視野部分は、走査方向に沿って物体視野点の間にいかなる連続境界も存在しないように配置することができる。互いに対してオフセットされ、重ね合わされた物体視野部分のそのような配列は、例えば、図23による配列が90°だけ回転されたものに対応する物体視野5が、図23による個別ファセット21に対応する物体視野部分を用いて照射される場合に得られる。この場合、走査方向に対して垂直に互いに対してオフセットされた物体視野部分の行が存在し、その結果、走査方向yscanがy方向と厳密に一致する場合であっても、物体視野5を通る走査時に、レチクル上には物体視野部分の間の境界に常時沿って移動するいかなる単一点も存在しない。従って、この種のオフセット配列もまた、走査処理中に視野点が露光される強度の望ましくない不均一性を回避するのに役立つ。
物体視野部分が、走査方向に対して平行ではない縁部を有する境界形状を有する場合は、対応する均一化を得ることができる。この境界形状は、例えば、物体視野部分の形状を定める形状を有する台形又は菱形の個別ミラー21によって得ることができる。
像視野8内で望ましくない強度不均一性を招くことになる個別ミラー21の鮮明な縁部が像視野内に結像されることを阻止するために、伝達光学系15を用いて個別ミラー21の像の特定の焦点ぼけ、又は鏡像の特定の収差を得ることができる。この目的のために、伝達光学系15は、個別ミラー21、69の像の鮮明な縁部が、物体平面6の上流又は下流で発生するように構成することができる。
個別ミラー21、69は、用いられるEUV波長に対して個別ミラー21、69の反射率を最適化するために、モリブデン及びシリコンの個別層を含む多層コーティングを有することができる。
個別ミラーに分割されない瞳ファセットを含む瞳ファセットミラーの場合には、1つの同じ瞳ファセットによって個別ミラー照射チャンネルは、群で物体視野5に伝達させることができる。これらの瞳ファセットの各々は、この瞳ファセットに割り当てられた個別ミラー照射チャンネルを組み合わせる群照射チャンネルを定める。この場合、群照射チャンネルの個数は、個別ミラーに分割されない瞳ファセットの個数に対応する。次に、群照射チャンネルの個別ミラー照射チャンネルへの分割に対応して、これらの瞳ファセットの各々及び各群照射チャンネルが、視野ファセットミラーの一部の個別ミラーに割り当てられる。照射角度分布を修正するために、瞳ファセットの個数は、群照射チャンネルの個数を超えることができる。
視野ファセットミラーと瞳ファセットミラーの両方が個別ミラー21に分割される実施形態では、視野ファセットミラーの隣接する個別ミラー21は、隣接する瞳ファセット個別ミラーによって伝達する必要はなく(図26による鏡面反射器の以上の説明と図27による鏡面反射器の以上の説明とを比較されたい)、実際には、物体視野5全体の組合せ照射に向けて空間的に不規則に混合された視野ファセット個別ミラーと瞳ファセット個別ミラーとの群を設けることができる。
以下は、図30から図34を用いた個別ミラー、例えば、図2による視野ファセットミラー13を形成する個別ミラー21のうちの1つの実施形態のより詳細説明である。図1から図29を参照して上述したものに対応する構成要素は同じ参照番号を有し、再度詳細には解説しない。
図31から図34による個別ミラー21は、ミラープレートの形態にあるミラー本体79を有する。ミラー本体79はシリコンから成る。ミラー本体79は、EUV放射線10を反射するための図30から図34による実施形態では近似的に正方形である矩形反射面80を有する。反射面80には、EUV放射線10に対して個別ミラー21の反射率を最適化するための多層反射コーティングを設けることができる。
個別ミラー21のミラー本体79は、シリコンから成る堅固な支持体に対して2つの傾斜軸の回りに傾斜させることができる。図30から図34ではこれらの2つの傾斜軸をw1及びw2で表している。これらの2つの傾斜軸w1、w2の各々は、各場合に硬質の継手である傾斜継手82、83の一部である。2つの傾斜軸w1、w2は、互いに対して垂直である。傾斜軸w1はx軸に対して平行であり、傾斜軸w2はy軸に対して平行である。ミラー本体70及び支持体81は、FiO2又はFi34で形成することができる。傾斜軸w2は、ミラー本体79の延伸平面に配置される。ミラー本体79の実際の反射面80の隣には、傾斜させることができない小さい非作動面区域83aが存在し、図30にはこの非作動面区域83aを傾斜軸w2の上に示す。2つの傾斜軸w1、w2の両方が、反射面80の平面に対して平行に延びている。代替的に、傾斜継手82、83は、2つの傾斜軸w1、w2のうちの少なくとも一方が、反射面80の平面に配置されるように配置することができる。
個別ミラー21を形成するのに適するEUV及び高真空適合材料の他の例は、CVD(化学気相蒸着)ダイヤモンド、SiC(炭化珪素)、SiO2(酸化シリコン)、Al23、銅、ニッケル、アルミニウム合金、及びモリブデンを含む。
図32は、傾斜軸w1の傾斜継手82の拡大図を示している。傾斜継手83は、相応に形成される。
傾斜軸w1に対して垂直に、言い換えれば図32のz方向に、傾斜継手82は、継手厚みSを有する。傾斜軸w1に沿って、言い換えれば図32のx方向に、傾斜継手82は、継手長さLを有する(図33を参照されたい)。継手長さLのサイズは、ミラー本体79の横手延長と同等である。
図30から図34による個別ミラー21では、継手長さLは約1mmである。図面内では極端に大きい継手厚みSは、1μmである。従って、図30から図34による個別ミラー21では、比率L/Sは約1000である。
ミラー本体79は、傾斜継手82の寸法に対応する寸法、特に、継手厚みS及び継手長さLを有する傾斜継手83を通じて中間支持体84と一体に接続される。中間支持体84も同様にシリコンから成る。図33の断面によると、中間支持体84はL字形であり、傾斜継手83と直接に隣接する継手部分85を有し、更にミラー本体79の下に、言い換えればミラー本体79の反射面80から離れた側に配置されたプレート部分86を有する。傾斜継手83の領域内には、ミラー本体79と中間支持体84の継手部分85の間に距離Bが存在し、この距離Bを傾斜継手83の幅とも呼ぶ。
中間支持体84のプレート部分86は、傾斜継手82を通じて支持体81の継手部分87と一体に接続される。継手部分87は、支持体81のプレート部分88に固定される。支持体81のプレート部分88は、中間支持体84のプレート部分86の下に配置される。図31及び図33に示している中立位置では、ミラー本体79、中間支持体84のプレート部分86,及び支持体81のプレート部分88は互いに対して平行である。
2つの傾斜軸x1、x2の回りのミラー本体79の制御された傾斜に向けて、2つの電極アクチュエータ89、90が設けられる(図34を参照されたい)。電極アクチュエータ89は、傾斜継手82に割り当てられ、従って、このアクチュエータをw1−アクチュエータ90とも呼ぶ。電極アクチュエータ90は、傾斜継手83に割り当てられ、従って、このアクチュエータをw2−アクチュエータとも呼ぶ。w2−アクチュエータの第1の電極は、導電性を有するミラー本体79自体である。w2−アクチュエータ90の対極91は、中間支持体84のプレート部分86に付加された導電性コーティングであり、コーティングは、ミラー本体79に対面する。個別ミラー21の中立位置では、対極79は、ミラー本体79から約100μmの距離を有する。
2−アクチュエータの2つの電極90、91は、信号線92を通じて作動可能電圧供給源93に接続される。電圧供給源93は、信号線94を通じてアクチュエータ制御デバイス95に接続される。
対極91は、同時にw1−アクチュエータ89の電極でもある。w1−アクチュエータ89の対極96は、支持体81のプレート部分88に付加された導電性コーティングによって形成される。w1−アクチュエータ89の対極96は、支持体81のプレート部分88の中間支持体84のプレート部分86に対面する側に配置される。中立位置、言い換えれば無力状態では、w1−アクチュエータ89の対極96の中間支持体84のプレート部分86からの距離は100μmである。
電極91、96は、信号線92を通じて別の電圧供給源97に電気的に接続される。電圧供給源97は、別の制御線98を通じてアクチュエータ制御デバイス95に接続される。
直流電圧V1及びV2(図34を参照されたい)が印加されると、中間支持体84のプレート部分86は、傾斜軸w1の回りに支持体81のプレート部分88に向けて、更にミラー本体79を傾斜軸w2の回りに中間支持体84のプレート部分86に対して、各場合に所定の傾斜角だけ制御可能に傾斜させることができる。それぞれの傾斜軸w1、w2の回りの傾斜角の割合は、特に、傾斜継手82、83の寸法、電極90、91、96の面積、これらの電極の互いからの距離、及び当然ながら印加電圧V1、V2のマグニチュードに依存する。印加電圧V1、V2は、傾斜角を2つの傾斜軸w1、w2の回りに連続的に調節することを可能にする。
図34は、電圧V1、V2を印加した後に、一方で中間支持体84のプレート部分86が、傾斜軸w1の回りに支持体81のプレート部分88に対してそれに向けて傾斜され、他方でミラー本体79が、傾斜軸w2の回りに中間支持体84のプレート部分86に対してそれに向けて傾斜された傾斜位置を示している。入射するEUV放射線10は、図34に略示しているように、定められた方式でミラー本体79の反射面80によって偏向される。
図35は、図32の別の図であり、実施形態の傾斜継手82における寸法関係を示している。この実施形態では、継手厚みSも約1μmになり、継手幅Bは、約20μmになり、図35の作図面に対して垂直な継手長さLは、約1mmになる。
図36及び図37は、例えば、個別ミラー21の反射面80の少なくとも1つの傾斜軸w1、w2の回りの制御された傾斜のための別の実施形態のアクチュエータ119を示している。図30から図35を参照して上述したものに対応する構成要素は同じ参照番号を有し、再度詳細には解説しない。
アクチュエータ119は、図36及び図37には示していない継手体との可動接続が確立されるように、アクチュエータ119に割り当てられた傾斜継手が設けられた自由端121(図36及び図37を参照されたい)を有する可動電極120を有する。可動電極120は平坦であり、図36及び図37ではこれを断面で示している。図36及び図37による断面図では、可動電極120は湾曲している。
アクチュエータ119の対極22は、支持体81のプレート部分88と堅固に接続される。対極122は、例えば、支持体81のプレート部分88に付加されたコーティングである。可動電極120と対極122の間には、誘電体123の形態で層が配置される。誘電体123は、対極122上の平坦なコーティングとすることができる。
対極122は、接触領域124内で可動電極120と直接接触状態にある。可動電極120の離間領域125は、対極122及び誘電体123から離間している。可動電極120の自由端121は、離間領域125の一部である。
図36及び図37は、可動電極120の2つの位置を示している。図36は、2つの電極120、122の間にいかなる電圧も印加されていない中立位置を示している。この場合、可動電極120の自由端121は、プレート部分88から最大距離の位置に配置される。図37は、電極120、122の間に約80Vの傾斜電圧が印加された位置を示している。
図37によるこの傾斜位置では、可動電極120の接触領域124の隣の領域も誘電体123と接触状態になり、それに応じて支持体81のプレート部分88からの自由端121の距離が短縮する。
図36及び図37によるそのようなアクチュエータ119は、マイクロスクロールドライブとも呼ばれる。
他の実施形態の傾斜継手は、継手長さLの継手厚みSに対して異なる寸法関係を有することができる。L/Sは、50よりも大きく、100よりも大きく、250よりも大きく、又は更に500よりも大きいとすることができる。1000よりも大きいL/S関係を考えることもできる。
ミラー本体79を傾斜させるための上述のアクチュエータは、傾斜軸w1、w2の回りのそれぞれの傾斜角を測定するための統合されたセンサを含むことができる。このセンサは、特に、事前設定された傾斜角をモニタするために用いることができる。
図38及び図39は、個別ミラー21を含む上述のファセットミラーのうちの1つの反射面上の更に別の実施形態のタイル張りを示している。
図38におるタイル張りでは、隣接する列の個別ミラー21は、互いに対してy方向にオフセットされる。図38では、このオフセットを2つの列S1及びS2を用いて例示している。これらの列S1、S2に配置された個別ミラー群19の隣接する個別ミラー21は、各場合に、互いに対してy方向に個別ミラー21のy延長の半分だけオフセットされる。隣接する他の列内では、列S3と列S4を比較すると、これらの列内に互いに隣に配置された個別ミラー群19の個別ミラー21は、各場合に、互いに対してy方向に個別ミラー21の全y延長分オフセットされる。このオフセットにより、それぞれの個別ミラー21の比較的大きいy延長にも関わらず、大きい所定の曲率半径の個別ミラー群19を得ることが可能になる。このようにして、例えば、個別ミラー群19を湾曲した物体視野形状に適応させることができる。図38の縁部にある個別ミラー群19のうちの1つをより容易に識別することができるように強調表示している。
図39は、個別ミラー21の別の実施形態の配列、及びこれらの個別ミラー21の個別ミラー群19への別のグループ分けを示している。図39のx方向には部分的にしか示していない個別ミラー群19は、図38による個別ミラー群19のものに対応するx/yアスペクト比を有する。図38による個別ミラー群19とは対照的に、図39による個別ミラー群19は、矩形形状のものである。図39によるこれらの個別ミラー群19の各々は、矩形物体視野を照射することができる。図39による矩形個別ミラー群19を用いて弓形物体視野を照射するように考えることができ、この場合、例えば、かすめ入射ミラー18(図1を参照されたい)が、対応する視野形成を保証することになる。
ファセットミラー13が個別ミラー21によってタイル張りされる方法は、木製のこけら板でタイル張りされた家壁に似ている。個別ミラー群19の各々は、上下に重なって配置された隣接する個別ミラー21の7つの行を含む。これらの行の間の継手140は、連続的に水平であり、言い換えれば、x方向に延びている。行のうちの1つ内で隣接する個別ミラー21の間の継手141は、y方向に対して、すなわち、個別ミラー21の列配列の方向に対して角度Tで配置される。図示の実施形態では、角度Tは、約12°である。他の継手角度T、例えば、5°、8°、15°、19°、又は20°の継手角度Tを考えることができる。
個別ミラー21の各々は、複数個の個別ミラー19のx/yアスペクト比に対応するx/yアスペクト比を有する。図39によるとそうではないように見えるが、これは、個別ミラー21をx方向に見て圧縮した図で示しているからである。
投影露光装置1は、微細構造化構成要素又はナノ構造化構成要素、特に、マイクロチップのような半導体構成要素のリソグラフィ製造において、物体視野5内のレチクルの少なくとも一部を像視野8内のウェーハ上の感光層のある一定の領域上に結像するのに用いられる。投影露光装置1が、スキャナ又はステッパのいずれとして設計されたかに依存して、レチクルとウェーハは、時間的に同期化された方式で、すなわち、スキャナモードで作動する場合は連続的に、又はステッパモードで作動する時には区分的にy方向に変位される。
個別ミラー21及び69に対して定められた傾斜角の設定は、これらの個別ミラー21及び69が照射光学系の視野平面に配置されない場合には、結像光10の強度走査プロフィール、言い換えれば、強度分布を像視野8にわたってy方向に定めることを可能にする。この種の走査プロフィールは、ガウス分布に似たy座標の関数とすることができる。代替的に、この種の走査プロフィールは、台形形状のy座標の関数とすることができる。この種の代替の走査プロフィールはまた、矩形関数をガウス関数で畳み込むことによっても得ることができる。
19 個別ミラー群
21 個別ミラー
x,y 傾斜軸

Claims (31)

  1. EUVマイクロリソグラフィのための投影露光装置(1)の光学構成要素として使用するためのファセットミラー(13,14;47;64;67,70)であって、
    照射光(10)を投影露光装置(1)の物体視野(5)に誘導するための個別ミラー照射チャンネル(AK)をもたらす個別ミラー(21;69)、
    を含み、
    前記個別ミラー(21;69)は、前記個別ミラー照射チャンネル(AK)が、前記物体視野(5)よりも小さい物体視野部分(73;76)を該物体視野(5)内で照射するようなミラー面を有し、
    前記個別ミラー(21;69)は、アクチュエータ(24)を通じて傾斜可能である、
    ことを特徴とするファセットミラー。
  2. 前記個別ミラー(21;69)は、前記物体視野(5)全体を照射するのに少なくとも2つの個別ミラー照射チャンネル(AK)を必要とするようなミラー面を有することを特徴とする請求項1に記載のファセットミラー。
  3. 少なくとも1つの個別ミラー群(19;31;32、33;34から37;38から45;46;48;50;60;61)が、前記物体視野(5)全体を照射するように設計されることを特徴とする請求項1に記載のファセットミラー。
  4. マイクロリソグラフィのための投影露光装置(1)の光学構成要素として使用するためのファセットミラー(13,14;47;64;67,70)であって、
    複数の個別ミラー(21;69)、
    を含み、
    これらは、入射照射光(10)の個々の偏向に向けて、
    それらが、個別作動によって少なくとも1つの傾斜軸(x,y)の回りに傾斜可能である、
    ような方法で各場合に少なくとも1つのアクチュエータ(24)に接続され、
    各場合に少なくとも2つの個別ミラーの個別ミラー群(19;31;32、33;34から37;38から45;46;48;50;60;61)への前記個別ミラー(21;69)の所定のグループ分けを設定することを可能にするような方法で構成され、前記アクチュエータ(24)に接続した制御デバイス(28)、
    を更に含む、
    ことを特徴とするファセットミラー。
  5. 前記個別ミラー群は、前記投影露光装置(1)において照射される物体視野(5)の視野形状に対応するファセット形状を有する個別ファセット(19;31;32、33;34から37;38から45;46;50)を形成することを特徴とする請求項3から請求項4のいずれか1項に記載のファセットミラー。
  6. 前記個別ミラー群(19;31;32、33;34から37;38から45;46)は、矩形エンベロープを有することを特徴とする請求項3から請求項5のいずれか1項に記載のファセットミラー。
  7. 前記個別ミラー群(48;49;50)は、弓形、環状、又は円形のエンベロープ(51)を有することを特徴とする請求項3から請求項6のいずれか1項に記載のファセットミラー。
  8. 前記個別ミラー群は、前記投影露光装置(1)において照射される物体視野(5)内の照射角度分布に対応する配列を有するミラー領域(48;49;60;61)を形成することを特徴とする請求項3から請求項7のいずれか1項に記載のファセットミラー。
  9. 前記個別ミラー(21)は、多角形であり、かつタイル張りの方式で前記個別ファセット又はミラー領域を網羅することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のファセットミラー。
  10. 前記個別ミラー(21)の各々は、平面反射面を有することを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載のファセットミラー。
  11. 前記個別ミラー(21)は、ファセットミラーの反射面(20)に対する法線(z)に沿った変位に向けて個別に作動可能であることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載のファセットミラー。
  12. 個別ファセット(19;31;32、33;34から37;38から45;46;50)又はミラー領域(48;49;60;61)の前記個別ミラーは、行と列に配列されることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載のファセットミラー。
  13. 前記制御デバイス(28)は、信号バス(26,27)を通じて前記アクチュエータ(24)に接続されることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載のファセットミラー。
  14. 前記制御デバイス(28)は、行内の前記個別ミラー(21)の集合的作動に向けて構成されることを特徴とする請求項13に記載のファセットミラー。
  15. 前記制御デバイス(28)は、1つの個別ミラー群(19;31;32、33;34から37;38から45;46;50;60;61)の個々の個別ミラー(21)の作動が、該個別ミラー群の残りの個別ミラー(21)のものと個々に異なることができるような方法で構成されることを特徴とする請求項3から請求項14のいずれか1項に記載のファセットミラー。
  16. 全ての個別ミラー(21;69)が、共通の平面支持体(68)上に配置されることを特徴とする請求項1から請求項15のいずれか1項に記載のファセットミラー。
  17. マイクロリソグラフィのための投影露光装置(1)のための照射光学系(4)であって、
    請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の少なくとも1つのファセットミラー、
    を含むことを特徴とする照射光学系。
  18. 請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の2つのファセットミラー(13,14)を特徴とする請求項17に記載の照射光学系。
  19. 個別ミラー群(74,75)が、物体視野(5)内で隣接する物体視野部分(73;76)を照射し、かつ組み合わされて該物体視野全体を形成する個別ミラー照射チャンネルに割り当てられることを特徴とする請求項17又は請求項18に記載の照射光学系。
  20. 前記ファセットミラー(13)は、照射光学系(4)の視野平面に配置されることを特徴とする請求項17から請求項19のいずれか1項に記載の照射光学系。
  21. 請求項17から請求項20のいずれか1項に記載の照射光学系(4)と、
    照射及び結像光(10)を発生させるための放射線源(3)と、
    投影露光装置の物体視野(5)を像視野(8)内に結像するための投影光学系(7)と、
    を含むことを特徴とする投影露光装置。
  22. 前記放射線源(3)は、EUV放射線源であることを特徴とする請求項21に記載の投影露光装置。
  23. ファセットミラーが、前記放射線源(3)と前記物体視野(5)の間の前記照射光(10)のビーム経路に配置された鏡面反射器(64;70)であることを特徴とする請求項21又は請求項22に記載の投影露光装置。
  24. 前記鏡面反射器(70)が、該鏡面反射器(70)の個別ミラー(21)に割り当てられた前記放射線源(3)の複数の像(72)で個別に照射されるような方法による該鏡面反射器(70)の上流の前記照射光(10)の光束形成を特徴とする請求項23に記載の投影露光装置。
  25. 前記ファセットミラー(67)は、前記放射線源(3)と鏡面反射器(64;70)の間に配置されることを特徴とする請求項21から請求項24のいずれか1項に記載の投影露光装置。
  26. 前記放射線源(3)と鏡面反射器(70)の間に配置された前記ファセットミラー(67)は、該鏡面反射器(70)よりも少ない個数の個別ミラー(69)を含むことを特徴とする請求項24及び請求項25のいずれか1項に記載の投影露光装置。
  27. 前記照射光(10)のための集光器(66)が、前記放射線源(3)と前記少なくとも1つのファセットミラー(67)の間に配置されることを特徴とする請求項21から請求項26のいずれか1項に記載の投影露光装置。
  28. 前記集光器(66)は、連続的、言い換えれば、非ファセットのミラー面を有することを特徴とする請求項27に記載の投影露光装置。
  29. 投影露光中に、パターンを投影されるウェーハを保持するためのウェーハホルダが、投影される該パターンを含むレチクルを保持するためのレチクルホルダと同期して変位される走査方向(yscan)が、物体視野(5)及び投影露光装置(1)の像視野(8)の長視野軸(x)に対する法線(y)に対して角度(α)で延びることを特徴とする請求項21から請求項28のいずれか1項に記載の投影露光装置。
  30. 微細構造化又はナノ構造化構成要素を製造する方法であって、
    少なくとも一部に対して感光材料の層が付加されたウェーハを準備する段階と、
    結像される構造を含むレチクルを準備する段階と、
    請求項21から請求項29のいずれか1項に記載の投影露光装置(1)を準備する段階と、
    前記投影露光装置(1)の投影光学系(7)を用いて、前記レチクルの少なくとも一部を前記層のある一定の領域上に投影する段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
  31. 請求項30に記載の方法によって製造された微細構造化構成要素。
JP2010546247A 2008-02-15 2009-02-06 マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー Active JP5487118B2 (ja)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US2893108P 2008-02-15 2008-02-15
US61/028,931 2008-02-15
DE102008009600.8 2008-02-15
DE102008009600A DE102008009600A1 (de) 2008-02-15 2008-02-15 Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
US14345609P 2009-01-09 2009-01-09
US61/143,456 2009-01-09
DE102009000099.2 2009-01-09
DE200910000099 DE102009000099A1 (de) 2009-01-09 2009-01-09 Mikrospiegelarray mit Doppelbiegebalken Anordnung und elektronischer Aktorik
PCT/EP2009/000825 WO2009100856A1 (en) 2008-02-15 2009-02-06 Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014033165A Division JP2014140047A (ja) 2008-02-15 2014-02-24 マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011512659A true JP2011512659A (ja) 2011-04-21
JP5487118B2 JP5487118B2 (ja) 2014-05-07

Family

ID=40602234

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010546247A Active JP5487118B2 (ja) 2008-02-15 2009-02-06 マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー
JP2014033165A Pending JP2014140047A (ja) 2008-02-15 2014-02-24 マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー
JP2016020985A Active JP6121581B2 (ja) 2008-02-15 2016-02-05 マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014033165A Pending JP2014140047A (ja) 2008-02-15 2014-02-24 マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー
JP2016020985A Active JP6121581B2 (ja) 2008-02-15 2016-02-05 マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9411241B2 (ja)
EP (1) EP2243047B1 (ja)
JP (3) JP5487118B2 (ja)
KR (2) KR101593712B1 (ja)
CN (2) CN101946190B (ja)
TW (2) TWI603154B (ja)
WO (1) WO2009100856A1 (ja)

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011228698A (ja) * 2010-03-17 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh 投影リソグラフィ用の照明光学系
JP2013514639A (ja) * 2009-12-17 2013-04-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 複数の反射ファセット要素を有する光学要素
JP2014512677A (ja) * 2011-03-25 2014-05-22 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー ミラーアレイ
JP2014516209A (ja) * 2011-05-23 2014-07-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 照明光学ユニット
JP2014523136A (ja) * 2011-07-11 2014-09-08 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための照明光学ユニット
JP2015511064A (ja) * 2012-03-09 2015-04-13 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット及びそのような照明光学ユニットを含む光学系
JP2015512560A (ja) * 2012-03-19 2015-04-27 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット
JP2015517733A (ja) * 2012-05-15 2015-06-22 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット
JP2015524576A (ja) * 2012-07-17 2015-08-24 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 照明光学ユニット
JP2015524942A (ja) * 2012-08-01 2015-08-27 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置を作動させる方法
JP2015163994A (ja) * 2009-12-11 2015-09-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euvマイクロリソグラフィのための照明光学ユニット
JP2015529839A (ja) * 2012-07-11 2015-10-08 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー セグメント化ミラーを有するリソグラフィー装置
KR20160054579A (ko) * 2013-09-11 2016-05-16 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 조명 광학 유닛 및 euv 투영 리소그래피용 조명 시스템
JP2016529557A (ja) * 2013-08-29 2016-09-23 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロミラーアレイ
JP2016533513A (ja) * 2013-09-18 2016-10-27 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明系及び照明光学ユニット
JP2017507356A (ja) * 2014-02-21 2017-03-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための照明光学ユニット
KR20170048525A (ko) * 2014-09-03 2017-05-08 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 투영 리소그래피용 조명 광학 어셈블리
JP2017126062A (ja) * 2015-12-16 2017-07-20 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置用のミラー素子
KR20170097650A (ko) * 2014-12-17 2017-08-28 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 미러 디바이스
JP2017526969A (ja) * 2014-08-25 2017-09-14 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット
JP2017527856A (ja) * 2014-09-03 2017-09-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための照明光学ユニット
JP2018091759A (ja) * 2016-12-05 2018-06-14 リコーエレメックス株式会社 光切断検査装置
JP2021510214A (ja) * 2018-01-08 2021-04-15 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィシステムのための瞳ファセットミラー、照明光学部品、および光学システム

Families Citing this family (140)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7843632B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
WO2009100856A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
DE102009000099A1 (de) * 2009-01-09 2010-07-22 Carl Zeiss Smt Ag Mikrospiegelarray mit Doppelbiegebalken Anordnung und elektronischer Aktorik
DE102009045135A1 (de) * 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE102009045694B4 (de) 2009-10-14 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
KR20120102145A (ko) * 2009-12-29 2012-09-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 조명 시스템, 리소그래피 장치 및 조명 방법
DE102010001388A1 (de) * 2010-01-29 2011-08-04 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Facettenspiegel zum Einsatz in der Mikrolithografie
EP2542941B1 (en) * 2010-03-05 2015-05-06 Micronic Mydata AB 1.5d slm for lithography
DE102010029651A1 (de) 2010-06-02 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern
DE102011085132A1 (de) 2010-11-24 2012-05-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe für die Projektionslithografie
DE102010062720B4 (de) 2010-12-09 2012-07-12 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem
DE102011003928B4 (de) * 2011-02-10 2012-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102011004326A1 (de) 2011-02-17 2012-08-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102011005840A1 (de) 2011-03-21 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Steuerbare Mehrfachspiegelanordnung, optisches System mit einer steuerbaren Mehrfachspiegelanordnung sowie Verfahren zum Betreiben einer steuerbaren Mehrfachspiegelanordnung
DE102011005940A1 (de) 2011-03-23 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Spiegelanordnung, optisches System mit EUV-Spiegelanordnung und Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems mit EUV-Spiegelanordnung
DE102011077234A1 (de) 2011-06-08 2012-12-13 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Spiegelanordnung, optisches System mit EUV-Spiegelanordnung und Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems mit EUV-Spiegelanordnung
JP6093753B2 (ja) 2011-03-23 2017-03-08 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euvミラー機構、euvミラー機構を備えた光学系、及びeuvミラー機構を備えた光学系を操作する方法
JP6008938B2 (ja) * 2011-04-14 2016-10-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー ファセットミラーデバイス
US8681413B2 (en) * 2011-06-27 2014-03-25 Kla-Tencor Corporation Illumination control
DE102011080052A1 (de) 2011-07-28 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, optisches System mit Spiegel und Verfahren zur Herstellung eines Spiegels
DE102011082065A1 (de) 2011-09-02 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Array
DE102011086513A1 (de) 2011-11-16 2013-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
JP6168614B2 (ja) 2011-12-28 2017-07-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのためのマスク及び走査投影露光方法
DE102012201235B4 (de) 2012-01-30 2013-08-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Einstellen einer Beleuchtungsgeometrie für eine Be-leuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012202536A1 (de) 2012-02-20 2013-08-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102012203716A1 (de) 2012-03-09 2013-09-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie sowie optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102012203950A1 (de) 2012-03-14 2013-09-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102012204833A1 (de) 2012-03-27 2013-02-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Glatte euv-spiegel und verfahren zu ihrer herstellung
DE102012206612A1 (de) 2012-04-23 2013-10-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement zur Führung eines Strahlungsbündels
DE102012206609B4 (de) 2012-04-23 2023-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlführungsoptik für ein Vielstrahlsystem sowie Verfahren
DE102012207511A1 (de) 2012-05-07 2013-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel
DE102012207866A1 (de) 2012-05-11 2013-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe für eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie
DE102012208016A1 (de) 2012-05-14 2013-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE102012208521A1 (de) 2012-05-22 2013-06-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102012010093A1 (de) 2012-05-23 2013-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel
DE102012209132A1 (de) 2012-05-31 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102012210174A1 (de) 2012-06-18 2013-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
DE102012210961A1 (de) 2012-06-27 2013-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe für eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie
DE102012212664A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Einstellen eines Beleuchtungssettings
DE102012213937A1 (de) 2012-08-07 2013-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Austauscharray
DE102012219936A1 (de) 2012-10-31 2014-04-30 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lichtquelle zur Erzeugung eines Nutz-Ausgabestrahls für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102012220596A1 (de) 2012-11-13 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
DE102013202590A1 (de) 2013-02-19 2014-09-04 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lichtquelle zur Erzeugung eines Nutz-Ausgabestrahls für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102013204305A1 (de) 2013-03-13 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zur Aktuierung wenigstens eines Elementes in einem optischen System
JP6410741B2 (ja) 2013-03-14 2018-10-24 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための照明光学ユニット
DE102014204388A1 (de) 2013-03-14 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
JP6453251B2 (ja) 2013-03-14 2019-01-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための照明光学ユニット
DE102013209442A1 (de) 2013-05-22 2014-11-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
DE102013218748A1 (de) 2013-09-18 2014-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
DE102013211268B4 (de) 2013-06-17 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtunsoptik für die lithografische Projektionsbelichtung
DE102013212613B4 (de) * 2013-06-28 2015-07-23 Carl Zeiss Sms Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102013213545A1 (de) * 2013-07-10 2015-01-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102013218130A1 (de) 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102013219057A1 (de) 2013-09-23 2015-03-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102013219986A1 (de) 2013-10-02 2015-04-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102014220203A1 (de) 2013-11-21 2015-05-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
EP2876498B1 (en) * 2013-11-22 2017-05-24 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102013224435A1 (de) 2013-11-28 2015-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Messanordnung zur Messung optischer Eigenschaften eines reflektiven optischen Elements, insbesondere für die Mikrolithographie
DE102014201622A1 (de) 2014-01-30 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Spiegelelements
DE102014203189A1 (de) * 2014-02-21 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Array
DE102014206589A1 (de) 2014-04-04 2015-10-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Justieren eines Spiegels einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102014210609A1 (de) 2014-06-04 2015-12-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
NL2015073A (en) 2014-07-15 2016-04-12 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus and method of manufacturing devices.
DE102014215088A1 (de) 2014-07-31 2016-02-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungseinrichtung für ein Projektionsbelichtungssystem
DE102014222884A1 (de) 2014-11-10 2016-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungseinrichtung für ein Projektionsbelichtungssystem
DE102014217608A1 (de) 2014-09-03 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer zweiten Facette eines im Strahlengang zweiten facettierten Elements einer Beleuchtungsoptik
DE102014217610A1 (de) * 2014-09-03 2016-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102014221173A1 (de) 2014-10-17 2016-04-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlungsquellenmodul
DE102014221175A1 (de) 2014-10-17 2016-04-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Projektionsbelichtungssystem
DE102014223326B4 (de) 2014-11-14 2018-08-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Vorhersage mindestens eines Beleuchtungsparameters zur Bewertung eines Beleuchtungssettings und Verfahren zur Optimierung eines Beleuchtungssettings
DE102014223453A1 (de) 2014-11-18 2016-05-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
KR20170086559A (ko) 2014-11-18 2017-07-26 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 투영 리소그라피를 위한 광학 서브시스템 및 투영 리소그라피를 위한 조명 광학 유닛
DE102014226920A1 (de) 2014-12-23 2016-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
DE102014226917A1 (de) 2014-12-23 2015-12-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithographie
TWI701517B (zh) 2014-12-23 2020-08-11 德商卡爾蔡司Smt有限公司 光學構件
DE102014226921A1 (de) 2014-12-23 2016-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlungsquellenmodul
DE102014226918A1 (de) 2014-12-23 2016-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
DE102015201870A1 (de) * 2015-02-03 2016-08-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zur Positionsmanipulation eines Elementes, insbesondere in einem optischen System
DE102015202411A1 (de) 2015-02-11 2016-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102015208571A1 (de) 2015-05-08 2016-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
KR102605161B1 (ko) 2015-02-11 2023-11-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Euv 투영 리소그라피를 위한 조명 광학기기
DE102015203469A1 (de) 2015-02-26 2015-04-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer gekrümmten optischen Spiegelfläche
DE102015208514A1 (de) 2015-05-07 2016-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für die EUV-Projektionslithografie sowie Beleuchtungsoptik mit einem derartigen Facettenspiegel
DE102015209175A1 (de) 2015-05-20 2016-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel
DE102015212658A1 (de) 2015-07-07 2017-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographieanlage und verfahren zum betreiben einer lithographieanlage
DE102015212878A1 (de) 2015-07-09 2017-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlführungsvorrichtung
DE102015213275A1 (de) 2015-07-15 2017-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung für eine Lithographiebelichtungsanlage und Spiegelanordnung umfassendes optisches System
DE102015216438A1 (de) 2015-08-27 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Sensoranordnung für eine Lithographieanlage, Lithographieanlage und Verfahren zum Betreiben einer Lithographieanlage
WO2017050360A1 (en) 2015-09-23 2017-03-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Method of operating a microlithographic projection apparatus and illuminations system of such an apparatus
DE102016217555A1 (de) 2015-12-04 2016-11-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system einer mikrolithographischen projektionsanlage sowie verfahren zum messen eines kippwinkels
DE102015224598A1 (de) 2015-12-08 2016-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik
DE102015224742B4 (de) 2015-12-09 2020-06-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Anlage und Verfahren zum Betreiben einer Anlage
US11099483B2 (en) 2016-05-19 2021-08-24 Nikon Corporation Euv lithography system for dense line patterning
DE102016212260A1 (de) 2016-07-05 2017-06-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Messung einer Ausrichtung eines Moduls
DE102016215300A1 (de) 2016-08-17 2016-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik
DE102016217426A1 (de) 2016-09-13 2017-08-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlteiler
DE102016222033A1 (de) 2016-11-10 2016-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Zuordnung von Feldfacetten zu Pupillenfacetten zur Schaffung von Beleuchtungslicht-Ausleuchtungskanälen in einem Be-leuchtungssystem in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102017200428B3 (de) 2017-01-12 2018-06-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zum Vermessen eines Abbildungsfehlers
DE102017200658A1 (de) 2017-01-17 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102017200663A1 (de) 2017-01-17 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Zuordnung von Ausgangs-Kippwinkeln von kippbaren Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels für eine Projektionsbelich-tungsanlage für die Projektionslithografie
WO2018141382A1 (de) 2017-02-01 2018-08-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Anlage und verfahren zum betreiben einer anlage
DE102017202930A1 (de) 2017-02-23 2017-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Regelung einer Beleuchtungsdosis einer Beleuchtung eines Objekt-feldes einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Projektionsbelichtungsanlage zur Durchführung des Verfahrens
US11537051B2 (en) 2017-03-16 2022-12-27 Nikon Corporation Control apparatus and control method, exposure apparatus and exposure method, device manufacturing method, data generating method and program
US11934105B2 (en) 2017-04-19 2024-03-19 Nikon Corporation Optical objective for operation in EUV spectral region
US11054745B2 (en) 2017-04-26 2021-07-06 Nikon Corporation Illumination system with flat 1D-patterned mask for use in EUV-exposure tool
US11300884B2 (en) 2017-05-11 2022-04-12 Nikon Corporation Illumination system with curved 1d-patterned mask for use in EUV-exposure tool
WO2018208912A2 (en) * 2017-05-11 2018-11-15 Nikon Corporation Illumination system with curved 1d-patterned mask for use in euv-exposure tool
DE102017210162A1 (de) 2017-06-19 2017-08-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
EP3422102A1 (en) 2017-06-26 2019-01-02 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
DE102017210686B4 (de) 2017-06-26 2020-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Justieren eines Beleuchtungssystems für die Mikrolithographie
DE102017212352A1 (de) 2017-07-19 2018-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Reinigungsmodul und Verfahren zur in situ Reinigung einer Quellkammer einer EUV-Strahlungsquelle, Strahlungsquellenmodul und Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102017215664A1 (de) 2017-09-06 2019-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102017216703A1 (de) 2017-09-21 2019-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Charakterisierung mindestens einer optischen Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102017217266A1 (de) * 2017-09-28 2019-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung von Eigenschaften einer EUV-Quelle
DE102017219217B4 (de) 2017-10-26 2021-03-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Masken für die Mikrolithographie, Verfahren zur Bestimmung von Kantenpositionen der Bilder der Strukturen einer derartigen Maske und System zur Durchführung eines derartigen Verfahrens
DE102017220586A1 (de) 2017-11-17 2019-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel, Beleuchtungsoptik und optisches System für eine Projek-tionsbelichtungsanlage
DE102018201457A1 (de) 2018-01-31 2019-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102018211077A1 (de) 2018-07-05 2018-10-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographieanlage und verfahren zum betreiben einer lithographieanlage
DE102018212224A1 (de) 2018-07-23 2020-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Rückkopplung von emittierter Strahlung in eine Laserquelle
DE102018221128A1 (de) 2018-12-06 2020-06-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Tauschen eines Spiegels in einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Lagedaten-Messeinrichtung zum Durchführen des Verfahrens
DE102019200193B3 (de) 2019-01-09 2020-02-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102019217507A1 (de) 2019-02-04 2020-08-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102020205123A1 (de) 2020-04-23 2021-10-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Facetten-Baugruppe für einen Facettenspiegel
DE102020206876B4 (de) 2020-06-03 2022-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Strahlungsquelle, Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle und Einsatz für einen Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle
DE102020212351A1 (de) 2020-09-30 2022-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrospiegel-Array für eine beleuchtungsoptische Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102020213837A1 (de) 2020-11-04 2021-08-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel-Vorrichtung
CN116710847A (zh) 2021-01-19 2023-09-05 卡尔蔡司Smt有限责任公司 设置投射曝光系统的方法、投射曝光方法以及用于微光刻的投射曝光系统
DE102021212394A1 (de) 2021-11-03 2023-05-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102021213827A1 (de) 2021-12-06 2023-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Optimierung einer Pupillen-Blendenform zur Nachbildung von Beleuchtungs- und Abbildungseigenschaften eines optischen Produktionssystems bei der Beleuchtung und Abbildung eines Objekts mittels eines optischen Messsystems
DE102021214366A1 (de) 2021-12-15 2023-06-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Vermeidung einer Degradation einer optischen Nutzoberfläche eines Spiegelmoduls, Projektionssystem, Beleuchtungssystem sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102022213100A1 (de) 2022-01-13 2023-07-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Aktuator-/sensor-vorrichtung, optikmodul und lithographieanlage
DE102022204098A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102022204996A1 (de) 2022-05-19 2023-11-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung eines Restgases mittels eines Restgasanalyseverfahrens in einem Vakuum einer Vakuumkammer
DE102022207546B3 (de) 2022-07-25 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel-Baugruppe, Beleuchtungsoptik, optisches System, Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie Bauteil
DE102022209214A1 (de) 2022-09-05 2024-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Einzelspiegel eines Pupillenfacettenspiegels und Pupillenfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage
WO2024056600A1 (en) 2022-09-13 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Method to adjust an illumination beam path within an illumination optics and illumination optics having an adjustment system
DE102022209908A1 (de) 2022-09-21 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel, Beleuchtungsoptik, Anordnung eines Facettenspiegels, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines nanostrukturierten Bauelements
DE102023208870A1 (de) 2022-09-23 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betreiben einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102023202360A1 (de) 2023-03-15 2023-06-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102023203095A1 (de) 2023-04-04 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Vorgeben einer Soll-Verteilung einer Beleuchtungs-Intensität über eine Feldhöhe eines Feldes einer Projektionsbelichtungsanlage

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11150051A (ja) * 1997-11-17 1999-06-02 Nikon Corp 露光方法及び装置
JP2000223415A (ja) * 1999-01-27 2000-08-11 Svg Lithography Syst Inc リソグラフィのための照明装置のコンデンサおよび構成方法
WO2001009684A1 (de) * 1999-07-30 2001-02-08 Carl Zeiss Steuerung der beleuchtungsverteilung in der austrittspupille eines euv-beleuchtungssystems
JP2001051199A (ja) * 1999-07-09 2001-02-23 Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss 照明系においてハネカムアスペクト比を低減させるためのアナモルフィック作用をもつコンポーネント
WO2002027402A2 (en) * 2000-09-29 2002-04-04 Carl Zeiss Illumination system particularly for microlithography
JP2003022967A (ja) * 2001-06-01 2003-01-24 Asml Netherlands Bv リトグラフ装置、デバイス製造方法、その方法により製造されたデバイス、制御システム、コンピュータ・プログラムおよびコンピュータ・プログラム製品
WO2003093902A2 (de) * 2002-04-30 2003-11-13 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem, insbesondere für die euv-lithographie
JP2006080109A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Nikon Corp 照明装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
WO2006054544A1 (ja) * 2004-11-17 2006-05-26 Nikon Corporation 照明装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2006140504A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Asml Holding Nv リソグラフィのための能動ファセットミラーシステム
JP2006253486A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Nikon Corp 照明装置、投影露光方法、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP2006253487A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Nikon Corp 照明装置、投影露光方法、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007234717A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Nikon Corp 露光装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3060357B2 (ja) * 1994-06-22 2000-07-10 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いてデバイスを製造する方法
JPH0881168A (ja) 1994-09-14 1996-03-26 Mitsubishi Denki Bill Techno Service Kk 多速度型引戸に於ける異物挟み込み検出装置
US6438299B1 (en) 1997-09-30 2002-08-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Assembly and method for furcating optical fibers
US6859515B2 (en) * 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
DE10053587A1 (de) 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
DE10138313A1 (de) 2001-01-23 2002-07-25 Zeiss Carl Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm
US20050002090A1 (en) * 1998-05-05 2005-01-06 Carl Zeiss Smt Ag EUV illumination system having a folding geometry
EP1320857A2 (en) * 2000-09-29 2003-06-25 Carl Zeiss Illumination system particularly for microlithography
EP1289273A1 (de) 2001-08-28 2003-03-05 Siemens Aktiengesellschaft Scanning-Kamera
US7090362B2 (en) * 2001-11-09 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror having a number of mirror facets
JP2005508520A (ja) * 2001-11-09 2005-03-31 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 傾斜調節ミラー
TWI253545B (en) * 2001-11-30 2006-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
EP1472562B1 (de) * 2002-02-09 2010-04-14 Carl Zeiss SMT AG Facettenspiegel mit mehreren spiegelfacetten
US6700644B2 (en) * 2002-06-05 2004-03-02 Euv Llc Condenser for photolithography system
KR100480620B1 (ko) 2002-09-19 2005-03-31 삼성전자주식회사 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
DE10317667A1 (de) 2003-04-17 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für ein Beleuchtungssystem
EP1486824A1 (en) * 2003-06-11 2004-12-15 ASML Netherlands B.V. A movable stage system for in a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7714983B2 (en) * 2003-09-12 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
US6977718B1 (en) * 2004-03-02 2005-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Lithography method and system with adjustable reflector
CN100559551C (zh) 2005-10-11 2009-11-11 株式会社尼康 多层膜反射镜及制法、光学系统、曝光装置及元件的制法
GB2438601B (en) * 2006-05-24 2008-04-09 Exitech Ltd Method and unit for micro-structuring a moving substrate
WO2007138805A1 (ja) 2006-05-25 2007-12-06 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102006036064A1 (de) 2006-08-02 2008-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen ≦ 193 nm
US8937706B2 (en) * 2007-03-30 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
WO2009100856A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11150051A (ja) * 1997-11-17 1999-06-02 Nikon Corp 露光方法及び装置
JP2000223415A (ja) * 1999-01-27 2000-08-11 Svg Lithography Syst Inc リソグラフィのための照明装置のコンデンサおよび構成方法
JP2001051199A (ja) * 1999-07-09 2001-02-23 Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss 照明系においてハネカムアスペクト比を低減させるためのアナモルフィック作用をもつコンポーネント
WO2001009684A1 (de) * 1999-07-30 2001-02-08 Carl Zeiss Steuerung der beleuchtungsverteilung in der austrittspupille eines euv-beleuchtungssystems
WO2002027402A2 (en) * 2000-09-29 2002-04-04 Carl Zeiss Illumination system particularly for microlithography
JP2003022967A (ja) * 2001-06-01 2003-01-24 Asml Netherlands Bv リトグラフ装置、デバイス製造方法、その方法により製造されたデバイス、制御システム、コンピュータ・プログラムおよびコンピュータ・プログラム製品
WO2003093902A2 (de) * 2002-04-30 2003-11-13 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem, insbesondere für die euv-lithographie
JP2006080109A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Nikon Corp 照明装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2006140504A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Asml Holding Nv リソグラフィのための能動ファセットミラーシステム
WO2006054544A1 (ja) * 2004-11-17 2006-05-26 Nikon Corporation 照明装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2006253486A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Nikon Corp 照明装置、投影露光方法、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP2006253487A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Nikon Corp 照明装置、投影露光方法、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007234717A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Nikon Corp 露光装置

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015163994A (ja) * 2009-12-11 2015-09-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euvマイクロリソグラフィのための照明光学ユニット
US9063336B2 (en) 2009-12-17 2015-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical element having a plurality of reflective facet elements
JP2013514639A (ja) * 2009-12-17 2013-04-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 複数の反射ファセット要素を有する光学要素
JP2011228698A (ja) * 2010-03-17 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh 投影リソグラフィ用の照明光学系
JP2014512677A (ja) * 2011-03-25 2014-05-22 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー ミラーアレイ
JP2014516209A (ja) * 2011-05-23 2014-07-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 照明光学ユニット
US9632422B2 (en) 2011-05-23 2017-04-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit
JP2014523136A (ja) * 2011-07-11 2014-09-08 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための照明光学ユニット
US9507269B2 (en) 2011-07-11 2016-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for projection lithography
JP2015511064A (ja) * 2012-03-09 2015-04-13 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット及びそのような照明光学ユニットを含む光学系
US9645501B2 (en) 2012-03-09 2017-05-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for EUV projection lithography, and optical system comprising such an illumination optical unit
JP2015512560A (ja) * 2012-03-19 2015-04-27 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット
JP2018101150A (ja) * 2012-03-19 2018-06-28 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット
JP2015517733A (ja) * 2012-05-15 2015-06-22 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット
US10126658B2 (en) 2012-05-15 2018-11-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for EUV projection lithography
JP2015529839A (ja) * 2012-07-11 2015-10-08 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー セグメント化ミラーを有するリソグラフィー装置
US9846375B2 (en) 2012-07-11 2017-12-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithography apparatus with segmented mirror
JP2015524576A (ja) * 2012-07-17 2015-08-24 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 照明光学ユニット
US9891530B2 (en) 2012-07-17 2018-02-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit
JP2015524942A (ja) * 2012-08-01 2015-08-27 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置を作動させる方法
JP2016529557A (ja) * 2013-08-29 2016-09-23 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロミラーアレイ
KR102343801B1 (ko) * 2013-09-11 2021-12-28 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 조명 광학 유닛 및 euv 투영 리소그래피용 조명 시스템
JP7071436B2 (ja) 2013-09-11 2022-05-18 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明光学系及び照明系
JP2020122989A (ja) * 2013-09-11 2020-08-13 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明光学系及び照明系
JP2016535313A (ja) * 2013-09-11 2016-11-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明光学系及び照明系
KR20160054579A (ko) * 2013-09-11 2016-05-16 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 조명 광학 유닛 및 euv 투영 리소그래피용 조명 시스템
JP2016533513A (ja) * 2013-09-18 2016-10-27 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明系及び照明光学ユニット
JP2020074040A (ja) * 2014-02-21 2020-05-14 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための照明光学ユニット
JP2017507356A (ja) * 2014-02-21 2017-03-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための照明光学ユニット
JP2017526969A (ja) * 2014-08-25 2017-09-14 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット
KR102631211B1 (ko) * 2014-09-03 2024-01-31 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 투영 리소그래피용 조명 광학 어셈블리
JP2017527856A (ja) * 2014-09-03 2017-09-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための照明光学ユニット
KR20170048525A (ko) * 2014-09-03 2017-05-08 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 투영 리소그래피용 조명 광학 어셈블리
JP2017527853A (ja) * 2014-09-03 2017-09-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための照明光学アセンブリ
KR20170097650A (ko) * 2014-12-17 2017-08-28 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 미러 디바이스
KR102549920B1 (ko) * 2014-12-17 2023-07-03 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 미러 디바이스
JP2017126062A (ja) * 2015-12-16 2017-07-20 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置用のミラー素子
JP2018091759A (ja) * 2016-12-05 2018-06-14 リコーエレメックス株式会社 光切断検査装置
JP2021510214A (ja) * 2018-01-08 2021-04-15 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィシステムのための瞳ファセットミラー、照明光学部品、および光学システム
JP7316300B2 (ja) 2018-01-08 2023-07-27 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィシステムのための瞳ファセットミラー、照明光学部品、および光学システム

Also Published As

Publication number Publication date
US20110001947A1 (en) 2011-01-06
JP2014140047A (ja) 2014-07-31
US9996012B2 (en) 2018-06-12
CN103293665A (zh) 2013-09-11
EP2243047B1 (en) 2021-03-31
EP2243047A1 (en) 2010-10-27
KR101593712B1 (ko) 2016-02-12
JP2016075962A (ja) 2016-05-12
KR20100126370A (ko) 2010-12-01
TWI603154B (zh) 2017-10-21
JP6121581B2 (ja) 2017-04-26
US20160313646A1 (en) 2016-10-27
KR20140033217A (ko) 2014-03-17
TW201516586A (zh) 2015-05-01
KR101591610B1 (ko) 2016-02-03
TW200942983A (en) 2009-10-16
CN101946190A (zh) 2011-01-12
US9411241B2 (en) 2016-08-09
CN103293665B (zh) 2016-07-06
WO2009100856A1 (en) 2009-08-20
JP5487118B2 (ja) 2014-05-07
CN101946190B (zh) 2013-06-19
TWI639892B (zh) 2018-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6121581B2 (ja) マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー
JP5543516B2 (ja) Euvリソグラフィ用照明システム及びこの種の照明システムに使用する第1及び第2の光学要素
JP6568865B2 (ja) ミラーアレイ
JP6493584B2 (ja) Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット
TWI397786B (zh) 用於投影微影之照明光學單元
JP2016502684A (ja) Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット
US9791784B2 (en) Assembly for a projection exposure apparatus for EUV projection lithography
JP6806565B2 (ja) 投影露光系の物体視野を照明する方法
US10488567B2 (en) Faceted mirror for EUV projection lithography and illumination optical unit with same
JP6332758B2 (ja) Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット
TWI761304B (zh) 光瞳琢面反射鏡、用以決定光瞳琢面反射鏡之設計的方法以及用以產生微結構或奈米結構組件的方法
JP2020073949A (ja) Euv投影リソグラフィのための照明系及び照明光学ユニット
JP6410741B2 (ja) 投影リソグラフィのための照明光学ユニット

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120123

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130410

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131224

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140123

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140129

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140224

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5487118

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250