JP2020073949A - Euv投影リソグラフィのための照明系及び照明光学ユニット - Google Patents
Euv投影リソグラフィのための照明系及び照明光学ユニット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020073949A JP2020073949A JP2019159617A JP2019159617A JP2020073949A JP 2020073949 A JP2020073949 A JP 2020073949A JP 2019159617 A JP2019159617 A JP 2019159617A JP 2019159617 A JP2019159617 A JP 2019159617A JP 2020073949 A JP2020073949 A JP 2020073949A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- individual
- mirror
- field
- illumination
- individual mirrors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lenses (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Abstract
Description
x1/y1=3/2 x0/y0
NPF×NN>NESP
35 視野ファセットミラーのセグメント
36 変更セクション
36a、36b 変更サブセクション
37 分離線
[当初請求項1]
リソグラフィマスク(7)が、配置可能であり、かつ投影露光中に物体変位方向(4)に沿って変位可能である物体視野(5)に向けて照明光(16)を案内するためのEUV投影リソグラフィのための照明光学ユニット(4)であって、
少なくとも2つの傾斜位置の間で切り換えることができ、かつ照明光部分ビームを前記物体視野(5)に向けて案内するための個別ミラー照明チャネルを与える多数の個別ミラー(27)を含む視野ファセットミラー(19)を含み、
前記照明光(16)のビーム経路内で前記視野ファセットミラー(19)の下流に配置された複数の静止瞳ファセット(20a)を含む瞳ファセットミラー(20)を含み、該瞳ファセット(20a)は、各場合に、群ミラー照明チャネルを通じた前記物体視野(5)内への該視野ファセットミラー(19)の前記個別ミラー(27)の群(25)の少なくとも区画的な重ね合わせ結像に寄与し、
前記瞳ファセット(20a)のそれぞれ1つが、結像されることになる前記個別ミラーの前記群(25)のうちのそれぞれ1つに割り当てられ、
前記物体視野(5)内に完全に結像可能である個別ミラー群(25)が、公称個数の個別ミラー(27)を有し、
照明光が前記個別ミラー群を通じて同時に入射することができる前記瞳ファセット(20a)の個数に個別ミラー群(25)毎の前記個別ミラー(27)の前記公称個数を乗じたものが、前記視野ファセットミラー(19)上の該個別ミラー(27)の実際の個数よりも多い個数の個別ミラー(27)を結果として生じ、
前記個別ミラー群(25)への前記個別ミラーの割り当てが、この割り当てが前記物体変位方向(4)に沿って積分される照明光強度の該物体変位方向(y)に対して垂直な物体視野高さ(x)への依存性の補正に使用されるようなものである、
ことを特徴とする照明光学ユニット(4)。
[当初請求項2]
前記個別ミラー(27)の少なくとも一部が、前記視野ファセットミラー(19)の少なくとも1つの変更セクション(36)に配置され、該変更セクション(36;50,51)内の該個別ミラー(27)は、前記個別ミラー傾斜位置に基づいて、異なる瞳ファセット(20a)を通じて前記物体視野(5)内に結像される2つの異なる個別ミラー群(25a,25b)に割り当てられ、
前記変更セクション(36)は、前記物体視野(5)に結像されて前記物体変位方向に対して垂直な該物体視野(5)の広がりの最大で半分に達する該物体変位方向に対して垂直な広がりを有する、
ことを特徴とする当初請求項1に記載の照明光学ユニット。
[当初請求項3]
前記変更セクション(36a,36b)は、前記変更領域(36)に配置された個別ミラー(27i)が、前記個別ミラー傾斜位置に基づいて、すなわち、それぞれの前記個別ミラー群(25a,25b)へのその割り当てに基づいて、走査方向(y)に対して垂直(x)な前記物体視野(5)の広がり(x0)の10%よりも大きい該走査方向(y)に対して垂直(x)な互いからの距離を有する像位置(41,42)に結像されるように配置されることを特徴とする当初請求項2に記載の照明光学ユニット。
[当初請求項4]
前記変更セクション(50,51)は、該変更セクション(50,51)内に配置された個別ミラー(27j,27k)が、前記個別ミラー傾斜位置に基づいて、すなわち、それぞれの前記個別ミラー群(50,51)へのその割り当てに基づいて、走査方向(y)の前記物体視野(5)の広がり(y0)の40%よりも大きい該走査方向(y)の互いからの距離を有する像位置(52,53;54,55)に結像されるように配置されることを特徴とする当初請求項2又は当初請求項3に記載の照明光学ユニット。
[当初請求項5]
前記変更セクション(36)内に前記個別ミラー(27)を含む2つの前記個別ミラー群(25a,25b)が、より多い個数の個別ミラー照明チャネルを通じて前記物体視野の中心領域にかつ該物体視野(5)の縁部領域に該物体視野(5)上への前記物体変位方向に沿って積分された照明光入射をもたらすような前記視野ファセットミラー(19)の該変更セクション(36)内の該個別ミラーの割り当て(36a,36b)を特徴とする当初請求項2から当初請求項4のいずれか1項に記載の照明光学ユニット。
[当初請求項6]
前記変更セクション(36)内に前記個別ミラー(27)を含む2つの前記個別ミラー群(25a,25b)が、前記物体視野(5)の中心領域内よりも多い個数の個別ミラー照明チャネルを通じて該物体視野(5)の縁部領域に該物体視野(5)上への前記物体変位方向に沿って積分された照明光入射をもたらすような前記視野ファセットミラー(19)の該変更セクション内の該個別ミラー(27)の割り当て(36c,36d)を特徴とする当初請求項2から当初請求項4のいずれか1項に記載の照明光学ユニット。
[当初請求項7]
前記変更セクション(36)内に前記個別ミラー(27)を含む2つの前記個別ミラー群(25a,25b)が、前記物体視野(5)の中心領域内よりもいくつかの個別ミラー照明チャネルを通じて該物体視野(5)の縁部領域に該物体視野(5)上への前記物体変位方向に沿って積分された照明光入射をもたらすような前記視野ファセットミラー(19)の該変更セクション(36)内の該個別ミラー(27)の割り当て(36e,36f)を特徴とする当初請求項2に記載の照明光学ユニット。
[当初請求項8]
リソグラフィマスク(7)が、配置可能であり、かつ投影露光中に物体変位方向(4)に沿って変位可能である物体視野(5)に向けて照明光(16)を案内するためのEUV投影リソグラフィのための照明光学ユニット(4)であって、
少なくとも2つの傾斜位置の間で切り換えることができ、かつ照明光部分ビームを前記物体視野(5)に向けて案内するための個別ミラー照明チャネルを与える多数の個別ミラー(27)を含む視野ファセットミラー(19)を含み、
前記照明光(16)のビーム経路内で前記視野ファセットミラー(19)の下流に配置された複数の静止瞳ファセット(20a)を含む瞳ファセットミラー(20)を含み、該瞳ファセット(20a)は、各場合に、群ミラー照明チャネルを通じた前記物体視野(5)内への該視野ファセットミラー(19)の前記個別ミラー(27)の群(25)の少なくとも区画的な重ね合わせ結像に寄与し、
前記瞳ファセット(20a)のそれぞれ1つが、結像されることになる前記個別ミラーの前記群(25)のうちのそれぞれ1つに割り当てられ、
前記物体視野(5)内に完全に結像可能である個別ミラー群(25)が、公称個数の個別ミラー(27)を有し、
照明光が前記個別ミラー群を通じて同時に入射することができる前記瞳ファセット(20a)の個数に個別ミラー群(25)毎の前記個別ミラー(27)の前記公称個数を乗じたものが、前記視野ファセットミラー(19)上の該個別ミラー(27)の実際の個数よりも多い個数の個別ミラー(27)を結果として生じ、
前記個別ミラー群(25)への前記個別ミラーの割り当てが、この割り当てが前記物体視野(5)内へのそれぞれの該個別ミラー群(25)の結像傾斜の補正に使用されるようなものである、
ことを特徴とする照明光学ユニット(4)。
[当初請求項9]
前記個別ミラー(27)の少なくとも一部が、前記視野ファセットミラー(19)の変更セクション(50,51)に配置され、該変更セクション(50,51)内の該個別ミラー(27)は、前記個別ミラー傾斜位置に基づいて、異なる瞳ファセット(20a)を通じて前記物体視野(5)内に結像される2つの異なる個別ミラー群(25c/d,25d/e)に割り当てられ、
前記変更セクション(50,51)は、前記物体変位方向に対して垂直な寸法において単調に増大する該物体変位方向に沿った広がりを有する、
ことを特徴とする当初請求項8に記載の照明光学ユニット。
[当初請求項10]
当初請求項1から当初請求項9のいずれか1項に記載の照明光学ユニットを含み、
EUV光源(2)を含む、
ことを特徴とする照明系(3)。
[当初請求項11]
リソグラフィマスク(7)が、配置可能であり、かつ投影露光中に物体変位方向(y)に沿って変位可能である物体視野(5)に向けて照明光(16)を案内するためのEUV投影リソグラフィのための照明光学ユニット(4)を含む照明系(3)であって、
照明系(3)のEUV光源(2)の遠視野(56)に配置され、少なくとも2つの傾斜位置の間で切り換え可能であって前記物体視野(5)に向けて照明光部分ビームを案内するための個別ミラー照明チャネルを与える多数の個別ミラー(27)を含む視野ファセットミラー(19)を含み、
前記個別ミラー(27)は、割り当てられる瞳ファセット(20a)を通じてそれぞれの個別ミラー群(25)を前記物体視野(5)内に結像する目的に対して、前記照明光(16)のビーム経路内で前記視野ファセットミラー(19)の下流に配置された瞳ファセットミラー(20)の該瞳ファセット(20a)に各場合に割り当てられる該個別ミラー群(25)にグループ分け可能であり、
前記個別ミラー群(25)のこのようにして生成された像が、前記物体視野(5)内で少なくとも部分的に重ね合わせられ、
前記視野ファセットミラー(19)の前記個別ミラー(27)は、前記遠視野(56)の面積の少なくとも80%の比率が該個別ミラー(27)によって覆われ(covered)、そのために後者が前記照明光(16)を反射するように前記光源(2)の該遠視野(56)に配置される、
ことを特徴とする照明系(3)。
[当初請求項12]
前記照明光(16)を反射する前記個別ミラー(27)は、前記物体視野(5)内に結像されることを特徴とする当初請求項11に記載の照明系。
[当初請求項13]
当初請求項1から当初請求項9のいずれか1項に記載の照明光学ユニットを含み、
物体視野(5)を像視野(11)内に結像するための投影光学ユニット(10)を含む、
ことを特徴とする光学系。
[当初請求項14]
当初請求項10から当初請求項12のいずれか1項に記載の照明系(3)を含み、
EUV光源(2)を含み、
物体(7)を物体視野(5)に据えつける(mount)ためのものであって、物体変位ドライブ(9)を用いて変位方向(y)に沿って変位可能である物体ホルダ(8)を含み、
ウェーハ(13)を像視野(11)に据えつける(mount)ためのものであって、ウェーハ変位ドライブ(15)を用いて前記変位方向(y)に沿って変位可能であるウェーハホルダ(14)を含む、
ことを特徴とする投影露光装置(1)。
[当初請求項15]
投影露光の方法であって、
当初請求項14に記載の投影露光装置(1)を与える段階と、
ウェーハ(13)を与える段階と、
リソグラフィマスク(7)を与える段階と、
前記投影露光装置(1)の投影光学ユニット(10)を用いて前記リソグラフィマスク(7)の少なくとも一部を前記ウェーハ(13)の感光層の領域の上に投影する段階と、 を含むことを特徴とする方法。
Claims (15)
- リソグラフィマスク(7)が、配置可能であり、かつ投影露光中に物体変位方向(4)に沿って変位可能である物体視野(5)に向けて照明光(16)を案内するためのEUV投影リソグラフィのための照明光学ユニット(4)であって、
少なくとも2つの傾斜位置の間で切り換えることができ、かつ照明光部分ビームを前記物体視野(5)に向けて案内するための個別ミラー照明チャネルを与える多数の個別ミラー(27)を含む視野ファセットミラー(19)を含み、
前記照明光(16)のビーム経路内で前記視野ファセットミラー(19)の下流に配置された複数の静止瞳ファセット(20a)を含む瞳ファセットミラー(20)を含み、該瞳ファセット(20a)は、各場合に、群ミラー照明チャネルを通じた前記物体視野(5)内への該視野ファセットミラー(19)の前記個別ミラー(27)の群(25)の少なくとも区画的な重ね合わせ結像に寄与し、
前記瞳ファセット(20a)のそれぞれ1つが、結像されることになる前記個別ミラーの前記群(25)のうちのそれぞれ1つに割り当てられ、
前記物体視野(5)内に完全に結像可能である個別ミラー群(25)が、公称個数の個別ミラー(27)を有し、
照明光が前記個別ミラー群を通じて同時に入射することができる前記瞳ファセット(20a)の個数に個別ミラー群(25)毎の前記個別ミラー(27)の前記公称個数を乗じたものが、前記視野ファセットミラー(19)上の該個別ミラー(27)の実際の個数よりも多い個数の個別ミラー(27)を結果として生じ、
前記個別ミラー群(25)への前記個別ミラーの割り当てが、この割り当てが前記物体変位方向(4)に沿って積分される照明光強度の該物体変位方向(y)に対して垂直な物体視野高さ(x)への依存性の補正に使用されるようなものである、
ことを特徴とする照明光学ユニット(4)。 - 前記個別ミラー(27)の少なくとも一部が、前記視野ファセットミラー(19)の少なくとも1つの変更セクション(36)に配置され、該変更セクション(36;50,51)内の該個別ミラー(27)は、前記個別ミラー傾斜位置に基づいて、異なる瞳ファセット(20a)を通じて前記物体視野(5)内に結像される2つの異なる個別ミラー群(25a,25b)に割り当てられ、
前記変更セクション(36)は、前記物体視野(5)に結像されて前記物体変位方向に対して垂直な該物体視野(5)の広がりの最大で半分に達する該物体変位方向に対して垂直な広がりを有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の照明光学ユニット。 - 前記変更セクション(36a,36b)は、前記変更領域(36)に配置された個別ミラー(27i)が、前記個別ミラー傾斜位置に基づいて、すなわち、それぞれの前記個別ミラー群(25a,25b)へのその割り当てに基づいて、走査方向(y)に対して垂直(x)な前記物体視野(5)の広がり(x0)の10%よりも大きい該走査方向(y)に対して垂直(x)な互いからの距離を有する像位置(41,42)に結像されるように配置されることを特徴とする請求項2に記載の照明光学ユニット。
- 前記変更セクション(50,51)は、該変更セクション(50,51)内に配置された個別ミラー(27j,27k)が、前記個別ミラー傾斜位置に基づいて、すなわち、それぞれの前記個別ミラー群(50,51)へのその割り当てに基づいて、走査方向(y)の前記物体視野(5)の広がり(y0)の40%よりも大きい該走査方向(y)の互いからの距離を有する像位置(52,53;54,55)に結像されるように配置されることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の照明光学ユニット。
- 前記変更セクション(36)内に前記個別ミラー(27)を含む2つの前記個別ミラー群(25a,25b)が、より多い個数の個別ミラー照明チャネルを通じて前記物体視野の中心領域にかつ該物体視野(5)の縁部領域に該物体視野(5)上への前記物体変位方向に沿って積分された照明光入射をもたらすような前記視野ファセットミラー(19)の該変更セクション(36)内の該個別ミラーの割り当て(36a,36b)を特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の照明光学ユニット。
- 前記変更セクション(36)内に前記個別ミラー(27)を含む2つの前記個別ミラー群(25a,25b)が、前記物体視野(5)の中心領域内よりも多い個数の個別ミラー照明チャネルを通じて該物体視野(5)の縁部領域に該物体視野(5)上への前記物体変位方向に沿って積分された照明光入射をもたらすような前記視野ファセットミラー(19)の該変更セクション内の該個別ミラー(27)の割り当て(36c,36d)を特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の照明光学ユニット。
- 前記変更セクション(36)内に前記個別ミラー(27)を含む2つの前記個別ミラー群(25a,25b)が、前記物体視野(5)の中心領域内よりもいくつかの個別ミラー照明チャネルを通じて該物体視野(5)の縁部領域に該物体視野(5)上への前記物体変位方向に沿って積分された照明光入射をもたらすような前記視野ファセットミラー(19)の該変更セクション(36)内の該個別ミラー(27)の割り当て(36e,36f)を特徴とする請求項2に記載の照明光学ユニット。
- リソグラフィマスク(7)が、配置可能であり、かつ投影露光中に物体変位方向(4)に沿って変位可能である物体視野(5)に向けて照明光(16)を案内するためのEUV投影リソグラフィのための照明光学ユニット(4)であって、
少なくとも2つの傾斜位置の間で切り換えることができ、かつ照明光部分ビームを前記物体視野(5)に向けて案内するための個別ミラー照明チャネルを与える多数の個別ミラー(27)を含む視野ファセットミラー(19)を含み、
前記照明光(16)のビーム経路内で前記視野ファセットミラー(19)の下流に配置された複数の静止瞳ファセット(20a)を含む瞳ファセットミラー(20)を含み、該瞳ファセット(20a)は、各場合に、群ミラー照明チャネルを通じた前記物体視野(5)内への該視野ファセットミラー(19)の前記個別ミラー(27)の群(25)の少なくとも区画的な重ね合わせ結像に寄与し、
前記瞳ファセット(20a)のそれぞれ1つが、結像されることになる前記個別ミラーの前記群(25)のうちのそれぞれ1つに割り当てられ、
前記物体視野(5)内に完全に結像可能である個別ミラー群(25)が、公称個数の個別ミラー(27)を有し、
照明光が前記個別ミラー群を通じて同時に入射することができる前記瞳ファセット(20a)の個数に個別ミラー群(25)毎の前記個別ミラー(27)の前記公称個数を乗じたものが、前記視野ファセットミラー(19)上の該個別ミラー(27)の実際の個数よりも多い個数の個別ミラー(27)を結果として生じ、
前記個別ミラー群(25)への前記個別ミラーの割り当てが、この割り当てが前記物体視野(5)内へのそれぞれの該個別ミラー群(25)の結像傾斜の補正に使用されるようなものである、
ことを特徴とする照明光学ユニット(4)。 - 前記個別ミラー(27)の少なくとも一部が、前記視野ファセットミラー(19)の変更セクション(50,51)に配置され、該変更セクション(50,51)内の該個別ミラー(27)は、前記個別ミラー傾斜位置に基づいて、異なる瞳ファセット(20a)を通じて前記物体視野(5)内に結像される2つの異なる個別ミラー群(25c/d,25d/e)に割り当てられ、
前記変更セクション(50,51)は、前記物体変位方向に対して垂直な寸法において単調に増大する該物体変位方向に沿った広がりを有する、
ことを特徴とする請求項8に記載の照明光学ユニット。 - 請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の照明光学ユニットを含み、
EUV光源(2)を含む、
ことを特徴とする照明系(3)。 - リソグラフィマスク(7)が、配置可能であり、かつ投影露光中に物体変位方向(y)に沿って変位可能である物体視野(5)に向けて照明光(16)を案内するためのEUV投影リソグラフィのための照明光学ユニット(4)を含む照明系(3)であって、
照明系(3)のEUV光源(2)の遠視野(56)に配置され、少なくとも2つの傾斜位置の間で切り換え可能であって前記物体視野(5)に向けて照明光部分ビームを案内するための個別ミラー照明チャネルを与える多数の個別ミラー(27)を含む視野ファセットミラー(19)を含み、
前記個別ミラー(27)は、割り当てられる瞳ファセット(20a)を通じてそれぞれの個別ミラー群(25)を前記物体視野(5)内に結像する目的に対して、前記照明光(16)のビーム経路内で前記視野ファセットミラー(19)の下流に配置された瞳ファセットミラー(20)の該瞳ファセット(20a)に各場合に割り当てられる該個別ミラー群(25)にグループ分け可能であり、
前記個別ミラー群(25)のこのようにして生成された像が、前記物体視野(5)内で少なくとも部分的に重ね合わせられ、
前記視野ファセットミラー(19)の前記個別ミラー(27)は、前記遠視野(56)の面積の少なくとも80%の比率が該個別ミラー(27)によって覆われ(covered)、そのために後者が前記照明光(16)を反射するように前記光源(2)の該遠視野(56)に配置される、
ことを特徴とする照明系(3)。 - 前記照明光(16)を反射する前記個別ミラー(27)は、前記物体視野(5)内に結像されることを特徴とする請求項11に記載の照明系。
- 請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の照明光学ユニットを含み、
物体視野(5)を像視野(11)内に結像するための投影光学ユニット(10)を含む、
ことを特徴とする光学系。 - 請求項10から請求項12のいずれか1項に記載の照明系(3)を含み、
EUV光源(2)を含み、
物体(7)を物体視野(5)に据えつける(mount)ためのものであって、物体変位ドライブ(9)を用いて変位方向(y)に沿って変位可能である物体ホルダ(8)を含み、
ウェーハ(13)を像視野(11)に据えつける(mount)ためのものであって、ウェーハ変位ドライブ(15)を用いて前記変位方向(y)に沿って変位可能であるウェーハホルダ(14)を含む、
ことを特徴とする投影露光装置(1)。 - 投影露光の方法であって、
請求項14に記載の投影露光装置(1)を与える段階と、
ウェーハ(13)を与える段階と、
リソグラフィマスク(7)を与える段階と、
前記投影露光装置(1)の投影光学ユニット(10)を用いて前記リソグラフィマスク(7)の少なくとも一部を前記ウェーハ(13)の感光層の領域の上に投影する段階と、 を含むことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013218749.1A DE102013218749A1 (de) | 2013-09-18 | 2013-09-18 | Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
DE102013218749.1 | 2013-09-18 | ||
JP2016515545A JP6620088B2 (ja) | 2013-09-18 | 2014-08-25 | Euv投影リソグラフィのための照明系及び照明光学ユニット |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016515545A Division JP6620088B2 (ja) | 2013-09-18 | 2014-08-25 | Euv投影リソグラフィのための照明系及び照明光学ユニット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020073949A true JP2020073949A (ja) | 2020-05-14 |
JP6987817B2 JP6987817B2 (ja) | 2022-01-05 |
Family
ID=51454663
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016515545A Active JP6620088B2 (ja) | 2013-09-18 | 2014-08-25 | Euv投影リソグラフィのための照明系及び照明光学ユニット |
JP2019159617A Active JP6987817B2 (ja) | 2013-09-18 | 2019-09-02 | Euv投影リソグラフィのための照明系及び照明光学ユニット |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016515545A Active JP6620088B2 (ja) | 2013-09-18 | 2014-08-25 | Euv投影リソグラフィのための照明系及び照明光学ユニット |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9921484B2 (ja) |
JP (2) | JP6620088B2 (ja) |
DE (1) | DE102013218749A1 (ja) |
WO (1) | WO2015039839A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017200658A1 (de) | 2017-01-17 | 2017-03-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage |
KR102374206B1 (ko) | 2017-12-05 | 2022-03-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 제조 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002203784A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-07-19 | Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss | 照明の設定が変更可能な照明系 |
JP2012244184A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 投影露光装置の照明光学ユニットの瞳ファセットミラーの瞳ファセットを照明光学ユニットの視野ファセットミラーの視野ファセットに割り当てる方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6859515B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl-Zeiss-Stiftung Trading | Illumination system, particularly for EUV lithography |
DE10138313A1 (de) | 2001-01-23 | 2002-07-25 | Zeiss Carl | Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm |
US6438199B1 (en) | 1998-05-05 | 2002-08-20 | Carl-Zeiss-Stiftung | Illumination system particularly for microlithography |
US6737662B2 (en) * | 2001-06-01 | 2004-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product |
US7170587B2 (en) * | 2002-03-18 | 2007-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006128321A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 照明光学系、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
US7405809B2 (en) * | 2005-03-21 | 2008-07-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
DE102006020734A1 (de) | 2006-05-04 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem |
DE102006036064A1 (de) | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen ≦ 193 nm |
WO2008149178A1 (en) | 2007-06-07 | 2008-12-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Catoptric illumination system for microlithography tool |
CN103293665B (zh) | 2008-02-15 | 2016-07-06 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻的投射曝光设备使用的分面镜 |
DE102008049586A1 (de) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Feldfacettenspiegel zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie |
US8497977B2 (en) | 2009-03-12 | 2013-07-30 | Nikon Corporation | Optical integrator, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2010108516A1 (en) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination optical system for euv microlithography and euv attenuator for an illumination optical system of this kind, illumination system and projection exposure installation having an illumination optical system of this kind |
WO2010145959A1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
DE102009030501A1 (de) | 2009-06-24 | 2011-01-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Beleuchtungsoptik zur Ausleuchtung eines Objektfeldes |
WO2011023419A1 (en) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Illumination system, lithographic apparatus and method of adjusting an illumination mode |
JP2011077142A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
DE102009045694B4 (de) * | 2009-10-14 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
US8958053B2 (en) * | 2010-08-11 | 2015-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and alignment method |
DE102011003928B4 (de) * | 2011-02-10 | 2012-10-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie |
DE102012201235B4 (de) | 2012-01-30 | 2013-08-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Einstellen einer Beleuchtungsgeometrie für eine Be-leuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
DE102012210174A1 (de) * | 2012-06-18 | 2013-06-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Bauelement |
-
2013
- 2013-09-18 DE DE102013218749.1A patent/DE102013218749A1/de not_active Ceased
-
2014
- 2014-08-25 JP JP2016515545A patent/JP6620088B2/ja active Active
- 2014-08-25 WO PCT/EP2014/067958 patent/WO2015039839A1/de active Application Filing
-
2016
- 2016-03-11 US US15/067,436 patent/US9921484B2/en active Active
-
2019
- 2019-09-02 JP JP2019159617A patent/JP6987817B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002203784A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-07-19 | Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss | 照明の設定が変更可能な照明系 |
JP2012244184A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 投影露光装置の照明光学ユニットの瞳ファセットミラーの瞳ファセットを照明光学ユニットの視野ファセットミラーの視野ファセットに割り当てる方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9921484B2 (en) | 2018-03-20 |
WO2015039839A1 (de) | 2015-03-26 |
JP6620088B2 (ja) | 2019-12-11 |
JP2016533513A (ja) | 2016-10-27 |
US20160195816A1 (en) | 2016-07-07 |
DE102013218749A1 (de) | 2015-03-19 |
JP6987817B2 (ja) | 2022-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6121581B2 (ja) | マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー | |
JP6493584B2 (ja) | Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット | |
US7969556B2 (en) | Illumination optical system for microlithography and illumination system and projection exposure system with an illumination optical system of this type | |
JP6270166B2 (ja) | リソグラフィ投影露光装置の照明視野にわたる照明強度を予め定めるための照明強度補正デバイス | |
JP5979693B2 (ja) | Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット及び光学系 | |
US9791784B2 (en) | Assembly for a projection exposure apparatus for EUV projection lithography | |
JP6987817B2 (ja) | Euv投影リソグラフィのための照明系及び照明光学ユニット | |
US10126658B2 (en) | Illumination optical unit for EUV projection lithography | |
US10928733B2 (en) | Illumination optic for projection lithography | |
KR102631210B1 (ko) | Euv 투영 리소그래피용 패싯 미러 및 이러한 패싯 미러를 포함하는 조명 광학 유닛 | |
KR101388406B1 (ko) | Euv 투영 리소그래피용 조명 광학 유닛에 대한 조명 기하구조 설정 방법 | |
US9110378B2 (en) | Illumination optical system for projection lithography | |
JP6683688B2 (ja) | 投影リソグラフィのための照明光学アセンブリ | |
WO2017046136A1 (en) | Illumination optical unit for projection lithography | |
JP2017527854A5 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191001 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191001 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201112 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211004 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20211012 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6987817 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |