JP2012244184A - 投影露光装置の照明光学ユニットの瞳ファセットミラーの瞳ファセットを照明光学ユニットの視野ファセットミラーの視野ファセットに割り当てる方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】照明光の部分ビームに対する照明チャンネルの定義のために投影露光装置の照明光学ユニットの瞳ファセットミラーの瞳ファセットを照明光学ユニットの視野ファセットミラーの視野ファセットに割り当てる方法。最初に、少なくとも1つの照明パラメータが識別される。次に、可能な照明チャンネルを評価する評価関数が事前定義される。これに、評価変数を計算する段階が続く。評価ターゲット範囲を達成する評価変数を有する照明チャンネルが事前選択される。少なくとも1つの外乱変数及びこの外乱変数への照明関数の依存性が識別される。外乱変数は、事前定義された外乱変数変動範囲で変更され、評価変数の変動が評価関数に基づいて計算される。変動範囲全体において評価ターゲット範囲に留まる、変更された評価変数を有する照明チャンネルが選択される。
【選択図】図1
Description
−照明光3による視野ファセット7の場合によって不均一な照明。この場合、それぞれ考慮される照明チャンネルにおいて均一な照明強度からの照明光3による視野ファセット7の照明強度の偏差を評価関数に組み込むことができる。
−視野ファセット7の遮蔽、取りわけ、例えば、特に2つの隣接する視野ファセット7が大幅に異なる傾斜位置に傾斜された場合に、隣接する視野ファセットによる視野ファセット7の一方の一部の遮蔽(図7及び図8に関連しての下記の説明も参照されたい)。
−評価される照明チャンネルのファセット7、11上への照明光3の入射角に依存する照明光3に対するファセット7、11の反射率。従って、考慮される照明チャンネルのファセット7、11上への照明光3のそれぞれの部分ビームの入射角を評価関数に組み込むことができる。
−評価される照明チャンネルに依存するファセットミラー6、10の下流に置かれた伝達光学ユニット15の反射率。
−視野ファセットのスポット像又は局所幾何学的瞳収差。この場合、スポット像という用語は、ちょうど1つの照明チャンネルに沿ってちょうど瞳ファセット上に案内される部分ビームの形状及び強度分布を表し、これに対しては下記で更に説明する。
−照明チャンネル依存の結像スケール、すなわち、第1にx方向と平行であり、第2にy方向と平行である第1に評価される照明チャンネルの視野ファセット7の寸法と第2に物体平面16内のこの視野ファセット7の像の寸法との比。
−例えば、ミラー14上のかすめ入射、及び瞳ファセットミラー10の位置と、投影光学ユニット19の入射瞳又は入射瞳像との間の偏位に起因してもたらされる効果の結果として物体平面16内への視野ファセット7の結像の照明チャンネル依存の歪曲のパラメータ化。
−構造像変数の照明チャンネル依存の変化、すなわち、例えば、結像線幅変化。この線幅変化は、結像される線の異なるプロフィールに対して異なって査定することができる。例示的に、物体側で互いから同じ距離の位置にある水平及び垂直に延びる構造線の結像線幅の間の差のサイズを記録することができる。代替的又は追加的に、結像される対角に延びる物体線の構造変数変化、すなわち、例えば、線幅変化を評価関数と考えるか、又はその一部と考えることができる。
−光源2の照明チャンネル依存の効果、例えば、変動する遮蔽により、物体視野18への視野ファセット7の不完全な結像により、又は光源2の放射方向に依存する光源2の変動する放射重心によってもたらされる例えば光源2の放射の照明チャンネル依存の不均一性。
Claims (13)
- 光源(2)から進行して視野ファセット(7)においてかつ本方法を用いて割り当てられる瞳ファセット(11)において照明光学ユニット(23;37)によって照明される物体視野(18)に向けて反射される照明光(3)の部分ビームに対する照明チャンネルの定義のために投影露光装置(1)の照明光学ユニット(23;37)の瞳ファセットミラー(10)の瞳ファセット(11)を照明光学ユニット(23;37)の視野ファセットミラー(6)の視野ファセット(7)に割り当てる方法であって、
物体視野(18)の照明を評価することができる少なくとも1つの照明パラメータを識別する段階(26)と、
前記選択された照明パラメータに依存して前記照明光(3)の前記部分ビームを案内するための可能な照明チャンネル、すなわち、前記視野ファセット(7)のうちのちょうど1つと前記瞳ファセット(11)のうちのちょうど1つとの可能な組合せを評価するための照明チャンネル依存の評価関数を事前定義する段階(27)と、
前記評価関数の結果としての評価変数の評価ターゲット範囲を事前定義する段階(28)と、
前記評価ターゲット範囲内に留まる評価変数を有する照明チャンネルを選択する段階(34)と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記評価ターゲット範囲を事前定義した後の以下の段階、すなわち、
前記物体視野(18)の照明に影響を及ぼす少なくとも1つの外乱変数を識別する段階(31)と、
前記少なくとも1つの外乱変数への前記評価関数の依存性を識別する段階(32)と、
事前定義された外乱変数変動範囲で前記事前選択された照明チャンネルに対する前記外乱変数を変更し(33)、前記評価関数に基づいて前記評価変数のそれぞれ続く変動を計算する段階と、
前記変動範囲全体において前記評価ターゲット範囲内に留まる、変更された評価変数を有する照明チャンネルを選択する段階(34)と、
によって特徴づけられる請求項1に記載の方法。 - それぞれ考慮される前記照明チャンネルに対する均一照明からの前記照明光(3)による前記視野ファセット(7)の照明の強度の偏差が、前記評価関数に組み込まれることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の方法。
- 考慮される前記照明チャンネルの前記視野ファセット(7)上に入射する前記照明光(3)のその部分ビームの他の光学構成要素による遮蔽(36)が、前記評価関数に組み込まれることを特徴とする請求項1から請求項3に記載の方法。
- 考慮される前記照明チャンネルの前記視野ファセット(7)及び/又は前記瞳ファセット(11)上の前記照明光(3)の前記部分ビームの入射角が、前記評価関数に組み込まれることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の方法。
- 考慮される前記照明チャンネルの前記瞳ファセット(11)と前記物体視野(18)との間に位置する光学構成要素(12から14;38)のチャンネル依存の反射率が、前記評価関数に組み込まれることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の方法。
- 考慮される前記照明チャンネルの前記瞳ファセット(11)上の光源像の形状が、前記評価関数に組み込まれることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の方法。
- 考慮される前記照明チャンネルの前記視野ファセット(7)の前記物体視野(18)内への結像の結像スケールが、前記評価関数に組み込まれることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の方法。
- 考慮される前記照明チャンネルの前記視野ファセット(7)の前記物体視野(18)内への結像を記述する結像収差が、前記評価関数に組み込まれることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の方法。
- 対称性変数が、前記評価関数に組み込まれることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の方法。
- 迷光変数が、前記評価関数に組み込まれることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記物体視野(18)に配置された物体(17)の結像される構造幅が、前記評価関数に組み込まれることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記視野ファセットミラー(6)の場所における前記光源(2)の遠視野内の視野ファセット(7)の位置が、前記評価関数に組み込まれることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の方法。
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---|---|---|---|
DE201110076145 DE102011076145B4 (de) | 2011-05-19 | 2011-05-19 | Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015517733A (ja) * | 2012-05-15 | 2015-06-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット |
JP2016500158A (ja) * | 2012-11-13 | 2016-01-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光装置の照明光学ユニットの瞳ファセットミラーの瞳ファセットを照明光学ユニットの視野ファセットミラーの視野ファセットに割り当てる方法 |
JP2016513281A (ja) * | 2013-02-22 | 2016-05-12 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euvリソグラフィデバイス用照明システムおよびそのためのファセットミラー |
KR20160054579A (ko) * | 2013-09-11 | 2016-05-16 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 조명 광학 유닛 및 euv 투영 리소그래피용 조명 시스템 |
US10488567B2 (en) | 2015-05-07 | 2019-11-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Faceted mirror for EUV projection lithography and illumination optical unit with same |
JP2020073949A (ja) * | 2013-09-18 | 2020-05-14 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv投影リソグラフィのための照明系及び照明光学ユニット |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014203188A1 (de) | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Beleuchtung eines Objektfeldes einer Projektionsbelichtungsanlage |
DE102016202736A1 (de) | 2015-04-17 | 2016-05-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage |
DE102016222033A1 (de) | 2016-11-10 | 2016-12-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Zuordnung von Feldfacetten zu Pupillenfacetten zur Schaffung von Beleuchtungslicht-Ausleuchtungskanälen in einem Be-leuchtungssystem in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage |
DE102017200663A1 (de) | 2017-01-17 | 2017-03-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Zuordnung von Ausgangs-Kippwinkeln von kippbaren Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels für eine Projektionsbelich-tungsanlage für die Projektionslithografie |
DE102018201457A1 (de) | 2018-01-31 | 2019-08-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie |
WO2020221763A1 (de) | 2019-04-29 | 2020-11-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mess-beleuchtungsoptik zur führung von beleuchtungslicht in ein objektfeld einer projektionsbelichtungsanlage für die euv-lithografie |
DE102019206057A1 (de) | 2019-04-29 | 2019-06-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mess-Beleuchtungsoptik zur Führung von Beleuchtungslicht in ein Objektfeld einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithografie |
DE102020200158A1 (de) | 2020-01-09 | 2021-07-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008258407A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Toshiba Corp | パラメータ調整方法、半導体装置製造方法およびプログラム |
JP2008294456A (ja) * | 2002-11-12 | 2008-12-04 | Asml Masktools Bv | 照明源最適化によってレンズ収差補償を行う方法および装置 |
WO2009132756A1 (en) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination optics for euv microlithography and illumination system and projection exposure apparatus comprising an illumination optics of this type |
JP2009267403A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Asml Netherlands Bv | 照明システムおよびリソグラフィ方法 |
US20110085151A1 (en) * | 2009-10-14 | 2011-04-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination optical system for microlithography and illumination system and projection exposure system with an illumination optical system of this type |
JP2011517843A (ja) * | 2008-02-01 | 2011-06-16 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 照明光学系及び投影露光装置 |
JP2011525637A (ja) * | 2008-06-27 | 2011-09-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の照明光学ユニット |
JP2012506135A (ja) * | 2008-10-20 | 2012-03-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 放射線ビームを案内するための光学モジュール |
JP2012516554A (ja) * | 2009-01-29 | 2012-07-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための照明系 |
JP2012519951A (ja) * | 2009-03-06 | 2012-08-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6859515B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl-Zeiss-Stiftung Trading | Illumination system, particularly for EUV lithography |
DE10053587A1 (de) | 2000-10-27 | 2002-05-02 | Zeiss Carl | Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung |
DE10329141B4 (de) | 2003-06-27 | 2008-10-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Faltungsgeometrien für EUV-Beleuchtungssysteme |
DE10138313A1 (de) | 2001-01-23 | 2002-07-25 | Zeiss Carl | Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm |
DE10219514A1 (de) | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Zeiss Carl Smt Ag | Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie |
DE102006036064A1 (de) | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen ≦ 193 nm |
DE102006059024A1 (de) | 2006-12-14 | 2008-06-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, Beleuchtungsoptik für eine derartige Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil |
DE102008049586A1 (de) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Feldfacettenspiegel zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie |
DE102009032194A1 (de) | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Optischer Spiegel mit einer Mehrzahl benachbarter Spiegelelemente und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Spiegels |
-
2011
- 2011-05-19 DE DE201110076145 patent/DE102011076145B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-05-18 JP JP2012128371A patent/JP5232927B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008294456A (ja) * | 2002-11-12 | 2008-12-04 | Asml Masktools Bv | 照明源最適化によってレンズ収差補償を行う方法および装置 |
JP2008258407A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Toshiba Corp | パラメータ調整方法、半導体装置製造方法およびプログラム |
JP2011517843A (ja) * | 2008-02-01 | 2011-06-16 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 照明光学系及び投影露光装置 |
JP2009267403A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Asml Netherlands Bv | 照明システムおよびリソグラフィ方法 |
WO2009132756A1 (en) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination optics for euv microlithography and illumination system and projection exposure apparatus comprising an illumination optics of this type |
JP2011519172A (ja) * | 2008-04-30 | 2011-06-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euvマイクロリソグラフィ用の照明光学系及びこの種の照明光学系を含む照明系並びに投影露光装置 |
JP2011525637A (ja) * | 2008-06-27 | 2011-09-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の照明光学ユニット |
JP2012506135A (ja) * | 2008-10-20 | 2012-03-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 放射線ビームを案内するための光学モジュール |
JP2012516554A (ja) * | 2009-01-29 | 2012-07-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための照明系 |
JP2012519951A (ja) * | 2009-03-06 | 2012-08-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系 |
US20110085151A1 (en) * | 2009-10-14 | 2011-04-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination optical system for microlithography and illumination system and projection exposure system with an illumination optical system of this type |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015517733A (ja) * | 2012-05-15 | 2015-06-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット |
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