JP2016513281A - Euvリソグラフィデバイス用照明システムおよびそのためのファセットミラー - Google Patents
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Abstract
Description
EUVリソグラフィデバイスの照明システム、特に、EUV投影露光装置では、ファセットミラーの形態の光学要素は、照明システムによって照明される照明視野において、EUV光源によって発生された放射の均質化を生じさせるのに使用される。この場合、視野ファセットミラーとも呼ばれる第1のファセットミラーが、一般に、照明システムの二次光源を発生させるために使用される。第2のファセットミラーは、第1のファセットミラーによって発生された二次光源の場所に配列され、瞳ファセットミラーと呼ばれる。第2のファセットミラーのファセット要素は、第1のファセットミラーのファセット要素を照明視野上に画像化する役割を果たす。それゆえに、第1のファセットミラーのファセット要素(例えば、正方形、長方形、…)の形状は、一般に、照明視野の形状に対応する。
本発明は、事前定義された、例えば、球面の表面形態によってではなく、回折によって、すなわち、ファセット要素によって事前定義されたグレーティング構造での入射EUV放射の回折によって、ファセット要素の所要のビーム整形をもたらすことを提案する。EUV波長範囲、すなわち、約5nmと約20nmとの間の波長の放射用を含む、反射効果を有する回折光学要素の生産性または機能性は、P.Naulleau等によって説明されており、EUV位相マスクの実現を記載している論文"Diffractive optical elements and their potential role in high efficiency illuminators",2008 EUV Workshop, 6/12/2008,Lawrence Berkeley National Laboratoryを参照されたい。そこに記載されている1つの例示的な実施形態では、基板は2値(単段)表面構造を備えており、それに反射多層被覆が施されている。多層被覆の層をできるだけ共形に施すことによって位相ホログラムを発生させることができる。
回折光学要素のようなファセット要素の実施形態は、EUV放射の(ほとんど)任意の入射ビームプロファイルをそれぞれ反射され回折された所望のビームプロファイルに変換することを可能にする。特に、一方または両方のファセットミラーの各ファセット要素は、照明システムの各部分ビームまたはチャネルに対して理想的なビームプロファイルを発生させるために個別に適合された回折の性質を備えることができる。EUV放射のビーム整形は回折によって行われるので、ファセット要素の表面形態は、その生成が簡単化されるように選ぶことができる。照明システムで回折光学要素を使用することによるさらなる利点は、回折光学要素が、その活性領域で入射放射を混ぜ合わせ、それにより、照明放射の均質化または均一性を改善することである。例として、第1のファセットミラーのそれぞれのファセット要素は、(それに割り当てられた)瞳ファセットミラーのファセット要素をできるだけ均質に、例えば、「シルクハット」照明分布で照明するために使用することができる。
適切な場合、瞳ファセットミラーのそれぞれの第1、第2、…のファセット要素によって照明される照明視野の部分の間に重なりがあることも可能である。これは、3つの、特に4つ以上の異なるタイプのファセット要素が瞳ファセットミラーに設けられ、それらが、適切な場合、露光動作中に、照明されるべきマスク構造に応じて選択され得る場合に特に有利である。適切な場合、さらに、露光の間の走査動作中に、それぞれ画像化されるべきであり、現在、照明視野に位置を定められているマスクのその部分領域(ストリップ)に、瞳ファセットミラーのファセット要素の選択、したがって、照明視野の場所依存瞳を適合させることができる。
1つの有利な実施形態では、第1のファセットミラーのファセット要素は、第1のファセット要素を照明するための第1の位置と、第2のファセット要素を照明するための第2の位置との間で切り替えられ得る。第1のファセットミラーのファセット要素は、一般に、照明視野の所望の瞳形状を実現する役割を果たす瞳ファセットミラーのそれらの(第1または第2の)ファセット要素を、狙った通りに、選択するために、少なくとも2つの(角度)位置間で切替え可能である。この場合、一般に、複数の切替え位置(少なくとも2つ)を選ぶことができ、放射は、2つの(またはより多くの)異なる角度または(狭い)角度分布で入射する。第1または第2のファセット要素の照明の狙い通りの選択の結果として、場所依存で照明視野の瞳を変更し、瞳を、例えば、それぞれ画像化されるべきマスク構造に適合させることが可能である。
1つの展開では、基板は多段表面プロファイルを有する。2、3、4、…、n段表面プロファイルによって、例えば、鋸歯様表面構造、したがって、鋸歯またはブレーズドグレーティングの三角形形状に近似することが可能である。波長に適合した好適なブレーズ角と、近似した鋸歯構造間の距離とを選ぶことによって、入射EUV放射が反射される次数の回折を、狙った通りに、選択し、回折効率を向上させることが可能である。ブレーズプロファイルは、例えば、フレネルレンズのような回折光学要素を生成するために使用することができる、すなわち、EUV放射は単一次数の回折にのみ偏向される。ビーム整形では、少なくとも2段表面プロファイル、好ましくは、多段表面プロファイルが不規則であり、明確に定められた周期性がなく、その結果、離散的な次数の回折を区別できない回折光学要素を使用することが可能である。そのようなビーム整形回折光学要素の場合には、しかも、多段表面プロファイルは回折効率を向上させることができる。
本発明の1つの態様は、本発明の1つの態様は、特に、上述したような照明システムのためのファセットミラーで実現され、ファセットミラーはEUV放射を反射するための少なくとも1つの回折ファセット要素を含み、回折ファセット要素は、基板と、EUV放射を反射する多層被覆とを含み、前記多層被覆は基板に施され、少なくとも1つの回折ファセット要素はEUV放射を回折させるように設計される。
好ましくは、多段表面プロファイルは、異なる段高所を有する少なくとも2つ、好ましくは少なくとも3つまたは4つの段を有する。段または段高所の数が多いほど、所望の表面プロファイルに十分に近づくことができ、一般に、回折ファセット要素の回折効率は大きくなる。極端な場合には、(疑似)連続高所プロファイルまたは表面プロファイルも可能であり、個々の段はもはや識別できない。そのような表面プロファイルは、例えば、グレースケールリソグラフィを用いて生成することができる。
多層被覆は、従来の被覆法によって、すなわち、平坦状に、施すことができる。特に、気相からの層材料の従来の堆積を、多層被覆を施すために使用することができる。多層被覆の層による平滑化に加えてまたはその代替として、基板の多段表面プロファイルに施される平滑化層を使用することも可能である。平滑化層は、一般に、機械的に平滑化されるかまたは研磨され、その結果、平滑化層は所望の表面プロファイルを有するかまたはそれに近づく。平滑化に好適な従来の材料、例えば、SiまたはSiO2を、平滑化層のための材料として使用することができる。後続のステップで、多層被覆が平滑化層に施される。
一般に、第1および/または第2のファセット要素の表面プロファイルも互いに異なり、専用の個々の表面プロファイルを、特に、ファセット要素ごとに定めることができる。適切な場合、回折光学要素の表面に形成される回折グレーティングのグレーティング周期は、適切な場合、基板表面の場所にも依存すること、すなわち、表面にわたって一定である単一周期長のみを基板が有することが必ずしも必要ではないことは言うまでもない。同じことが、付形面によって近似される可能性のある鋸歯様表面構造のブレーズ角に当てはまる。特に、もはや均一の周期長でない表面プロファイルを生成することも可能である。
例示的な実施形態が、概略図で示され、以下の記述で説明される。
図1は、EUVリソグラフィ装置1を概略的に示す。EUVリソグラフィ装置1は、50nm未満の、特に、約5nmと約15nmとの間のEUV波長範囲で高いエネルギー密度を有するEUV放射を発生させるためのEUV光源2を含む。EUV光源2は、例えば、レーザ誘起プラズマを発生させるためのプラズマ光源の形態で、またはシンクロトロン放射源として具現することができる。プラズマ光源の場合には、特に、図1に示すように、照明ビーム4を形成するためにEUV光源2のEUV放射を集束するために、およびこのようにしてエネルギー密度をさらに増加させるために、集光ミラー3を使用することが可能である。照明ビーム4は、EUVリソグラフィ装置1が動作する動作波長λBのまわりの狭帯域波長範囲に集中する波長スペクトルを有する。モノクロメータ12が、動作波長λBを選択するために、または狭帯域波長範囲を選択するために使用される。
構造化物体Mは、照明ビーム4の一部を反射し、投影ビーム5を成形し、投影ビーム5は構造化物体Mの構造に関する情報を運び、投影ビーム5は投影レンズ20に放射され、投影レンズ20は、基板W上への構造化物体Mまたは構造化物体Mのそれぞれの部分領域の画像化を行う。基板W、例えば、ウェハは、半導体材料、例えばシリコンを含み、ウェハステージWSとも呼ばれるマウントに配列される。
視野ファセットミラー13のそれぞれのファセット要素13a〜dに入射する照明ビーム4の部分ビームは、前記要素で瞳ファセットミラー14のそれぞれのファセット要素14a〜d上に偏向される。視野ファセットミラー13のファセット要素13a〜dは、長方形とし、例えば20:1のアスペクト比(x:y)を有することができ、X方向は図1の図面の面に対して垂直に延びる。この場合、ファセット要素13a〜dのアスペクト比は、照明システム10によって照明される、例えば、長方形の照明視野のアスペクト比に対応する。長方形の形状と異なる形状である照明視野および/またはファセット要素13a〜dが同様に可能であることは言うまでもない。
本例では、視野ファセットミラー13のファセット要素13a〜dの各々は、X方向に平行な軸方向のまわりに傾斜させることができる。加えて、それぞれのファセット要素13a〜dは、適切な場合、さらに、XZ面(図面の面)にあるさらなる軸のまわりに傾斜可能とすることができる。照明ビーム4がファセット要素13a〜dに入射する方向は、このようにして設定することができる。以下でさらにより詳細に説明するように、傾斜させることによって、特に、視野ファセットミラー13のファセット要素13a〜dと瞳ファセットミラー14のファセット要素14a〜dとの間の割当てを変更して、照明される物体Mの場所に所望の照明分布(照明瞳または角度分布)を発生させることもできる。
視野ファセットミラー13のファセット要素のうちの1つの13dの回折構造は、入射照明ビーム4の強度のある割合が高次の回折に回折され、その結果、強度のこのある割合が瞳ファセットミラー14ではなくむしろ放射センサ25に入射するように具現される。放射センサ25は、入射EUV放射の強度を測定する役割を果たし、EUV光源2の機能を検査するために使用することができる。測定した放射強度は、例えば、放射センサ2の測定信号を制御ユニット(図示せず)に供給して、EUVリソグラフィデバイス1の動作を制御するかまたは調整することによって、EUV光源2の放射パワーを調整するのに使用することもできることは言うまでもない。
図2においてやはり認識できるように、照明視野BFの第1の部分T1は、照明視野BFのそれぞれ左の縁部および右の縁部に形成された2つの非連続な部分領域A1、A2から構成される。第1のファセット要素14a、14c、…は回折光学要素として具現され、入射EUV放射は異なる次数の回折に、したがって、異なる方向に回折することができるので、照明視野BFの非連続な部分領域A1、A2の同時照明が可能である。照明視野BFの第2の中央部分T2は(この部分は第2のファセット要素14b、14d、…によって照明される)、対照的に、単一の連続な領域として具現される。
図4a〜4cは、上述のように具現される回折ファセット要素13a〜d、14a〜dを生成する役割を果たすことができる基板26の3つの例を示す。基板26は付形面26aを有し、簡単のための図4aにのみ示されている多層被覆28が付形面26aに施され、前記多層被覆は動作波長λBでEUV放射4を反射する。反射多層被覆28は、異なる材料からなる複数の個々の層29a、29bを有する。本例では、個々の層は、異なる屈折率を有する材料から交互に形成される。動作波長λBが、本例におけるように、約13.5nmである場合、個々の層29a、29bは、通常、モリブデンおよびケイ素からなる。例えば、モリブデンおよびベリリウム、ルテニウムおよびベリリウム、またはランタンおよびB4Cなどの他の材料の組合せが、同様に、動作波長λBに応じて可能である。
Claims (18)
- EUVリソグラフィデバイス(1)のための照明システム(10)であって、
EUV放射(4)を反射するファセット要素(13a〜d)を有する第1のファセットミラー(13)と、
前記第1のファセットミラー(13)によって反射された前記EUV放射(4)を照明視野(BF)上に反射するためのファセット要素(14a〜d)を有する第2のファセットミラー(14)と
を含み、
前記第1のファセットミラー(13)または前記第2のファセットミラー(14)の前記ファセット要素(13a〜d、14a、c;14b、d)のうちの少なくとも1つが、前記EUV放射(4)を回折させるための回折光学要素として設計されることを特徴とする照明システム。 - 前記第2のファセットミラー(14)の前記ファセット要素(14a、c;14b、d)のうちの少なくとも1つが、前記照明視野(BF)の一部(T1;T2)のみを照明するための回折光学要素として設計される、請求項1に記載の照明システム。
- 前記ファセット要素(14a、c)が前記照明視野(BF)の一部(T1)を照明するように設計され、前記一部が少なくとも2つの非連続な部分領域(A1、A2)を含む、請求項2に記載の照明システム。
- 前記第2のファセットミラー(14)が、前記照明視野(BF)の第1の部分(T1)を照明するための複数の第1のファセット要素(14a、c)と、前記照明視野(BF)の第2の部分(T2)を照明するための複数の第2のファセット要素(14b、d)とを有し、前記第2の部分が前記第1の部分と異なる、請求項2または3に記載の照明システム。
- 前記第1のファセットミラー(13)のファセット要素(13a〜d)が、前記第2のファセットミラー(14)の前記第1のファセット要素(14a、c)を照明するための第1の位置と、前記第2のファセットミラー(14)の前記第2のファセット要素(14b、d)を照明するための少なくとも第2の位置との間で切り替え可能である、請求項4に記載の照明システム。
- 前記第2のファセットミラー(14)の前記ファセット要素(14a〜d)は、第1のファセット要素(14a、c)が第2のファセット要素(14b、d)と交互になる格子配列を形成する、請求項4または5に記載の照明システム。
- 前記ファセット要素(13a〜d、14a〜d)のうちの少なくとも1つが、EUV放射(4)を放射センサ(25)上に偏向させるための回折光学要素として設計される、請求項1から6までのいずれか1項に記載の照明システム。
- 前記ファセット要素(13a〜d、14a〜d)のうちの少なくとも1つが、平坦表面形態を有する、請求項1から7までのいずれか1項に記載の照明システム。
- 少なくとも1つの回折ファセット要素(13a〜d、14a〜d)が、付形面(26a)を有する基板(26)と、EUV放射(4)を反射するための多層被覆(28)とを有し、前記多層被覆が前記基板(26)に施される、請求項1から8までのいずれか1項に記載の照明システム。
- 前記基板(26)が、多段表面プロファイル(27b、27c)を有する、請求項9に記載の照明システム。
- 少なくとも1つの回折ファセット要素(13a〜d、14a〜d)が、前記EUV放射(4)の波長(λB)の大きさの程度の横方向範囲(D)を有するグレーティング構造(27a〜c)を有する、請求項1から10までのいずれか1項に記載の照明システム。
- 請求項1から11までのいずれか1項に記載の照明システム(10)を含むEUVリソグラフィデバイス(1)。
- 特に請求項1から11までのいずれか1項に記載の照明システム(10)のためのファセットミラー(13、14)であって、前記ファセットミラー(13、14)がEUV放射(4)を反射するための少なくとも1つの回折ファセット要素(13a〜d、14a〜d)を含み、前記少なくとも1つの回折ファセット要素(13a〜d、14a〜d)が、基板(26)と、EUV放射(4)を反射する多層被覆(28)とを含み、前記多層被覆が前記基板(26)に施され、前記少なくとも1つの回折ファセット要素(13a〜d、14a〜d)が前記EUV放射(4)を回折させるように設計される、ファセットミラー。
- 前記少なくとも1つの回折ファセット要素(13a〜d、14a〜d)が、前記EUV放射(4)の前記波長(λB)の大きさの程度の横方向範囲(D)を有するグレーティング構造(27a〜c)を有する、請求項13に記載のファセットミラー。
- 前記基板(26)が、多段表面プロファイル(27b、27c)を有する、請求項13または14に記載のファセットミラー。
- 前記多段表面プロファイル(27c)が、少なくとも2つの段(S1〜S4)を有する、請求項15に記載のファセットミラー。
- 前記多段表面プロファイル(27c)が、鋸歯様表面構造に近づくように設計される、請求項15または16に記載のファセットミラー。
- 前記多層被覆(28)が、少なくとも100個の個々の層(29a、29b)を有する、請求項13から17までのいずれか1項に記載のファセットミラー。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019015967A (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv光学ユニットを有する計測システム |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006020734A1 (de) * | 2006-05-04 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem |
CN105511231B (zh) * | 2014-10-16 | 2019-03-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Euv光源和曝光装置 |
DE102016217479A1 (de) * | 2016-09-14 | 2017-09-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches modul mit verkippbaren optischen flächen |
DE102018220625A1 (de) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Beleuchtungssystem für Projektionslithographie |
DE102019213063A1 (de) | 2019-08-30 | 2021-03-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Beugungskomponente |
DE102019129135A1 (de) * | 2019-10-29 | 2021-04-29 | Zumtobel Lighting Gmbh | 3D-Druckverfahren zur Herstellung eines Leuchtenelements mit optischem Teil |
DE102019131327A1 (de) * | 2019-11-20 | 2021-05-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Messung von Substraten für die Halbleiterlithographie |
DE102020200158A1 (de) * | 2020-01-09 | 2021-07-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
DE102021214237A1 (de) | 2021-12-13 | 2022-12-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage |
EP4386479A1 (en) * | 2022-12-12 | 2024-06-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and associated method |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001244168A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Nikon Corp | 露光装置および該露光装置を用いてマイクロデバイスを製造する方法 |
US6392792B1 (en) * | 2000-12-05 | 2002-05-21 | The Regents Of The University Of California | Method of fabricating reflection-mode EUV diffraction elements |
JP2005536900A (ja) * | 2002-08-26 | 2005-12-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 極紫外線リソグラフィーシステム内で所定の帯域の放射線を取り除く格子ベースのスペクトルフィルター |
JP2011519172A (ja) * | 2008-04-30 | 2011-06-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euvマイクロリソグラフィ用の照明光学系及びこの種の照明光学系を含む照明系並びに投影露光装置 |
JP2011228698A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 投影リソグラフィ用の照明光学系 |
JP2012227526A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Asml Netherlands Bv | オブジェクトによる使用のために放射ビームを調整するための光学装置、リソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法 |
JP2012244184A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 投影露光装置の照明光学ユニットの瞳ファセットミラーの瞳ファセットを照明光学ユニットの視野ファセットミラーの視野ファセットに割り当てる方法 |
JP2013503460A (ja) * | 2009-08-25 | 2013-01-31 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 照明システム、リソグラフィ装置、及び照明モード調整方法 |
JP2013516079A (ja) * | 2009-12-29 | 2013-05-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 照明システム、リソグラフィ装置および照明方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6833904B1 (en) * | 1998-02-27 | 2004-12-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method of fabricating a micro-device using the exposure apparatus |
TW519574B (en) * | 2000-10-20 | 2003-02-01 | Nikon Corp | Multilayer mirror and method for making the same, and EUV optical system comprising the same, and EUV microlithography system comprising the same |
US7333178B2 (en) * | 2002-03-18 | 2008-02-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1496521A1 (en) | 2003-07-09 | 2005-01-12 | ASML Netherlands B.V. | Mirror and lithographic apparatus with mirror |
DE102006020734A1 (de) | 2006-05-04 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem |
DE102006039760A1 (de) * | 2006-08-24 | 2008-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem mit einem Detektor zur Aufnahme einer Lichtintensität |
DE102006056035A1 (de) | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektions-Mikrolithographie, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil |
DE102007041004A1 (de) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie |
NL1036305A1 (nl) | 2007-12-21 | 2009-06-23 | Asml Netherlands Bv | Grating for EUV-radiation, method for manufacturing the grating and wavefront measurement system. |
EP2202580B1 (en) * | 2008-12-23 | 2011-06-22 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
CN101727010B (zh) * | 2009-12-03 | 2011-11-09 | 吉林大学 | 利用多光束干涉光刻技术制备仿生彩色超疏水涂层的方法 |
DE102010029765A1 (de) * | 2010-06-08 | 2011-12-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
JP5953656B2 (ja) * | 2011-05-09 | 2016-07-20 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
CN202133858U (zh) * | 2011-06-29 | 2012-02-01 | 广东工业大学 | 一种大面积投影光刻系统 |
DE102011082065A1 (de) * | 2011-09-02 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel-Array |
DE102011084650A1 (de) | 2011-10-17 | 2013-04-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Diffraktive optische Elemente für EUV-Strahlung |
-
2013
- 2013-02-22 DE DE102013202948.9A patent/DE102013202948A1/de not_active Ceased
-
2014
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-
2015
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001244168A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Nikon Corp | 露光装置および該露光装置を用いてマイクロデバイスを製造する方法 |
US6392792B1 (en) * | 2000-12-05 | 2002-05-21 | The Regents Of The University Of California | Method of fabricating reflection-mode EUV diffraction elements |
JP2005536900A (ja) * | 2002-08-26 | 2005-12-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 極紫外線リソグラフィーシステム内で所定の帯域の放射線を取り除く格子ベースのスペクトルフィルター |
JP2011519172A (ja) * | 2008-04-30 | 2011-06-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euvマイクロリソグラフィ用の照明光学系及びこの種の照明光学系を含む照明系並びに投影露光装置 |
JP2013503460A (ja) * | 2009-08-25 | 2013-01-31 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 照明システム、リソグラフィ装置、及び照明モード調整方法 |
JP2013516079A (ja) * | 2009-12-29 | 2013-05-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 照明システム、リソグラフィ装置および照明方法 |
JP2011228698A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 投影リソグラフィ用の照明光学系 |
JP2012227526A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Asml Netherlands Bv | オブジェクトによる使用のために放射ビームを調整するための光学装置、リソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法 |
JP2012244184A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 投影露光装置の照明光学ユニットの瞳ファセットミラーの瞳ファセットを照明光学ユニットの視野ファセットミラーの視野ファセットに割り当てる方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019015967A (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv光学ユニットを有する計測システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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