JP6861149B2 - 投影リソグラフィのための照明光学アセンブリ - Google Patents
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims description 762
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 7
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 403
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 146
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 101
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 75
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 14
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004904 shortening Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 102
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 230000001179 pupillary effect Effects 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Description
下流の結像光学アセンブリ(10)の物体視野(8)が配置可能である照明視野をEUV光源(2)の照明光(3)で照明するための投影リソグラフィのための照明光学アセンブリ(11)であって、
前記照明光(3)がその上に入射し、かつ照明ビーム経路内の瞳(29;37)を予め定められた瞳強度分布を有する該照明光(3)で照明するために前記照明視野内で少なくとも部分的に重ね合わされる照明チャネルを案内するためのファセット(21,25)を有する瞳照明ユニット(6,7)を含み、
前記瞳照明ユニット(6,7)は、該瞳照明ユニット(6,7)の複数の照明チャネルが前記物体視野(8)全体の一部(36)だけを照明するように具現化され、
前記瞳照明ユニット(6,7)の前記ファセット(21,25)は、
前記瞳照明ユニット(6,7)の個々の照明チャネルが、前記照明中に前記物体視野(8)を通して物体(12)が変位可能である物体変位方向(y)に沿って該物体視野(8)を部分的にのみ照明し、
少なくとも一部の照明チャネルに対して、前記物体変位方向(y)に沿った前記物体視野(8)の照明された部分視野の広がり(y F2 )が、該物体変位方向(y)に沿った該物体視野(8)の全体広がり(y 0 )よりも小さいことが真であり、
前記瞳(29;37)において、前記物体変位方向(y)に対応する瞳座標(σ y )の絶対値(|σ y |)に依存する照明強度プロファイルがもたらされ、
前記瞳座標(σ y )の第1の絶対値の場合の第1の照明された瞳領域(29a)の照明強度が、該瞳座標(σ y )の第2の絶対値の場合の第2の照明された瞳領域(29b)の照明強度から少なくとも20%だけ異なる、
ように配置される、
ことを特徴とする照明光学アセンブリ(11)。
[当初請求項2]
照明光(3)がその上に入射し、かつ照明ビーム経路内の瞳(29;37)を予め定められた瞳強度分布を有する該照明光(3)で照明するために照明視野内で少なくとも部分的に重ね合わされる照明チャネルを案内するためのファセット(21,25)を有する瞳照明ユニット(6,7)を含む、
下流の結像光学アセンブリ(10)の物体視野(8)が配置可能である照明視野をEUV光源(2)の前記照明光(3)で照明するための投影リソグラフィのための照明光学アセンブリ(11)であって、
前記瞳照明ユニット(6,7)は、該瞳照明ユニット(6,7)の複数の照明チャネルが前記物体視野(8)全体の一部(36)だけを照明するように具現化される、
ことを特徴とする照明光学アセンブリ(11)。
[当初請求項3]
前記瞳照明ユニット(6,7)の前記ファセット(21,25)は、
前記瞳照明ユニット(6,7)の個々の照明チャネルが、前記照明中に前記物体視野(8)を通して物体(12)が変位可能である物体変位方向(y)に沿って該物体視野(8)を部分的にのみ照明し、
前記照明チャネルの全てに対して、前記物体変位方向(y)に沿った前記物体視野(8)の照明された部分視野の広がり(y F2 )が、該物体変位方向(y)に沿った該物体視野(8)の全体広がり(y 0 )よりも小さいことが真であり、
前記照明チャネルのうちの複数のものに対して、前記物体変位方向(y)に沿った前記照明された部分視野の前記広がり(y F2 )と前記物体視野(8)の前記全体広がり(y 0 )との間の個々の比(y F2 /y 0 )が、該物体変位方向(y)に沿った該照明された部分視野の該広がりと該物体視野(8)の該全体広がりとの間の該照明チャネルの全てにわたって平均された平均比((y F2 /y 0 ) 平均 )から20%よりも小さく外れることが真である、
ように配置される、
ことを特徴とする当初請求項2に記載の照明光学アセンブリ。
[当初請求項4]
前記瞳照明ユニット(6,7)の前記ファセット(21,25)は、
前記瞳照明ユニット(6,7)の個々の照明チャネルが、前記照明中に前記物体視野(8)を通して物体(12)が変位可能である物体変位方向(y)に沿って該物体視野(8)を部分的にのみ照明し、
少なくとも一部の照明チャネルに対して、前記物体変位方向(y)に沿った前記物体視野(8)の照明された部分視野の広がり(y F2 )が、該物体変位方向(y)に沿った該物体視野(8)の全体広がり(y 0 )よりも小さいことが真であり、
前記瞳(29;37)において、前記物体変位方向(y)に対応する瞳座標(σ y )の絶対値(|σ y |)に依存する照明強度プロファイルがもたらされ、
前記瞳座標(σ y )の第1の絶対値の場合の第1の照明された瞳領域(29a)の照明強度が、該瞳座標(σ y )の第2の絶対値の場合の第2の照明された瞳領域(29b)の照明強度から少なくとも20%だけ異なる、
ように配置される、
ことを特徴とする当初請求項2又は当初請求項3に記載の照明光学アセンブリ。
[当初請求項5]
前記瞳照明ユニット(6,7)は、
個々に傾斜可能である複数の個々のミラー(21)を含む第1のファセットミラー(6)と、
互いに横並びに配置され、かつ前記物体視野(8)への前記EUV照明光(3)のビームのうちの部分ビームの反射重ね合わせ案内のために寄与する複数の個々に傾斜可能なファセット(25)を含む更に別のファセットミラー(7)と、
を含み、
前記第1のファセットミラー(6)は、前記物体視野(8)に対して共役である視野平面に又はその近くに配置され、
前記更に別のファセットミラー(7)は、照明光学アセンブリ(11)の瞳平面(30)から距離を置いて配置され、
各場合に前記更に別のファセットミラー(7)の更に別のファセット(25)を照明するための前記第1のファセットミラー(6)の前記ファセットは、仮想ファセット群(28)を形成するようにグループ分け可能である、
ことを特徴とする当初請求項2から当初請求項4のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリ。
[当初請求項6]
前記瞳照明ユニット(6,7)は、
個々に傾斜可能である複数の個々のミラー(21)を含む第1のファセットミラー(6)と、
互いに横並びに配置され、かつ前記物体視野(8)への前記EUV照明光(3)のビームのうちの部分ビームの反射重ね合わせ案内のために寄与する複数の瞳ファセット(25)を含む瞳ファセットミラー(7)と、
を含み、
前記瞳ファセットミラー(7)は、
前記瞳ファセットミラー(7)上のそれぞれの前記瞳ファセット(25)の位置が、前記物体視野(8)の視野点に対する照明方向を予め定め、
各場合に瞳ファセット(25)を照明するための前記第1のファセットミラー(6)の前記ファセット(21)が、仮想の第1のファセット群(28)を形成するようにグループ分け可能である、
ように照明光学アセンブリ(11)の瞳平面(30)に配置される、
ことを特徴とする当初請求項1から当初請求項5のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリ。
[当初請求項7]
前記仮想ファセット群(28)は、部分視野(35,36)を照明するように設計され、照明光学アセンブリ(11)を用いて照明される物体(12)の物体変位方向(y)の該部分視野(36)のうちの少なくとも一部の前記広がり(y F2 )は、該物体変位方向(y)の該物体視野(8)全体の前記広がり(y 0 )よりも小さいことを特徴とする当初請求項5又は当初請求項6に記載の照明光学アセンブリ。
[当初請求項8]
前記仮想ファセット群(28)は、部分視野(35,36)を照明するように設計され、照明光学アセンブリ(11)を用いて照明される物体(12)の物体変位方向(y)の該部分視野(35,36)の広がり(y F1 ,y F2 )が、20%よりも大きく異なることを特徴とする当初請求項7に記載の照明光学アセンブリ。
[当初請求項9]
前記瞳(29;37)内の同じ座標(σ x )で前記物体変位方向(y)に対して垂直(x)に位置する該照明瞳(29)の領域を照明する前記仮想ファセット群(28)は、該物体変位方向(y)に同じ広がり(y F1 ;y F2 )を有する部分視野(35;36)を照明するように設計されることを特徴とする当初請求項8に記載の照明光学アセンブリ。
[当初請求項10]
前記物体視野(8)の異なる視野点に対して前記瞳(29;37)にわたる異なる瞳強度分布をもたらすような前記瞳照明ユニット(6,7)の配置及び設計を特徴とする当初請求項1から当初請求項9のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリ。
[当初請求項11]
当初請求項1から当初請求項10のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリ(11)内で異なる照明強度で照明される瞳領域を決定する方法であって、
物体視野(8)を照明するのに望ましい照明角度分布、すなわち、瞳(29)にわたる照明光(3)の生の強度分布を予め定める段階と、
前記生の強度分布を形成する照明される瞳領域を識別する段階と、
前記識別された瞳領域を照明するための瞳照明ユニット(6,7)のファセット(25)の実照明強度を確定する段階と、
前記実照明強度を予め定められた最大設定値照明強度と比較する段階と、
前記ファセット(25)上の前記実照明強度を低減する段階であって、それが前記設定値照明強度よりも高い前記低減する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
[当初請求項12]
当初請求項5から当初請求項10のいずれか1項に記載の前記照明光学アセンブリ(11)内で、更に別のファセットミラー(7)の更に別のファセット(25)上の前記実照明強度は、これらの更に別のファセット(25)に照明チャネルを通じて割り当てられた第1のファセットミラー(6)の第1のファセット(21)の選択によって低減され、
前記選択された第1のファセット(21)は、前記照明光(3)の実照明強度を案内し、これは、最大でも前記設定値照明強度に対応する前記第2のファセット(25)上の実照明強度に至る、
ことを特徴とする当初請求項11に記載の方法。
[当初請求項13]
当初請求項1又は当初請求項3から当初請求項10のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリ内で、前記更に別のファセットミラー(7)の前記更に別のファセット(25)上の前記実照明強度は、前記物体変位方向(y)に沿った前記物体視野(8)の部分照明によって低減され、
前記物体変位方向(y)に沿った前記物体視野(8)の全体広がり(y 0 )に対する該物体変位方向(y)に沿った該物体視野(8)の照明された部分視野の広がり(y F2 )の比(y F2 )/(y 0 )が、該比(y F2 )/(y 0 )が前記更に別のファセット(25)上の実照明強度による前記設定値照明強度のオーバーシュートを補償するように選択され、そのために該照明された部分視野の該広がり(y F2 )の該短縮後に、最大で該設定値照明強度に対応する該更に別のファセット(25)上の該実照明強度がもたらされる、
ことを特徴とする当初請求項12に記載の方法。
[当初請求項14]
当初請求項1から当初請求項10のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリと、
物体視野(8)を像視野(17)内に結像するための投影光学アセンブリ(10)と、 を含むことを特徴とする光学系。
[当初請求項15]
当初請求項1から当初請求項10のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリと、
光源(2)と、
を含むことを特徴とする照明系。
[当初請求項16]
20%よりも大きく異なる照明光強度が第1のファセットミラー(6)上に入射することを特徴とする当初請求項6又は当初請求項7に記載の照明光学アセンブリを使用する当初請求項15に記載の照明系。
[当初請求項17]
当初請求項14に記載の光学系と、
光源(2)と、
を含むことを特徴とする投影露光装置。
[当初請求項18]
微細構造化構成要素を生成する方法であって、
レチクル(12)を与える段階と、
照明光(3)に対して感受性であるコーティングを有するウェーハ(19)を与える段階と、
当初請求項17に記載の投影露光装置(1)を用いて前記レチクル(12)の少なくとも1つのセクションを前記ウェーハ(19)の上に投影する段階と、
前記ウェーハ(19)上で前記照明光(3)によって露光された前記感光層を現像する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
[当初請求項19]
当初請求項18に記載の方法に従って生成された構成要素。
本発明により、上述の目的は、当初請求項1に明記した特徴を含む照明光学アセンブリを用いた第1の態様、及び当初請求項2に明記した特徴を含む照明光学アセンブリを用いた第2の態様によって達成される。
−照明チャネルVI、VIII、III、
−照明チャネルIV、I、VII、及び
−照明チャネルV、II、IX.
従って、照明事前定義ファセット25への伝達ファセット21の割り当ては、絵画的に示す照明例の場合に物体視野8のテレセントリック照明がもたらされるようなものである。
31、32 照明極
341 最小σy広がりを有する瞳ロッド
343 最大σy広がりを有する瞳ロッド
Σx 照明極31、32の最大σx広がり
Claims (20)
- 下流の結像光学アセンブリ(10)の物体視野(8)が配置可能である照明視野をEUV光源(2)の照明光(3)で照明するための投影リソグラフィのための照明光学アセンブリ(11)であって、
前記照明光(3)がその上に入射し、かつ照明ビーム経路内の瞳(29;37)を予め定められた瞳強度分布を有する該照明光(3)で照明するために前記照明視野内で少なくとも部分的に重ね合わされる照明チャネルを案内するためのファセット(21,25)を有する瞳照明ユニット(6,7)を含み、
前記瞳照明ユニット(6,7)は、該瞳照明ユニット(6,7)の複数の照明チャネルが前記物体視野(8)全体の一部(36)だけを照明するように具現化され、
前記瞳照明ユニット(6,7)の前記ファセット(21,25)は、
前記瞳照明ユニット(6,7)の個々の照明チャネルが、前記照明中に前記物体視野(8)を通して物体(12)が変位可能である物体変位方向(y)に沿って該物体視野(8)を部分的にのみ照明し、
少なくとも一部の照明チャネルに対して、前記物体変位方向(y)に沿った前記物体視野(8)の照明された部分視野の広がり(yF2)が、該物体変位方向(y)に沿った該物体視野(8)の全体広がり(y0)よりも小さいことが真であり、
前記瞳(29;37)において、前記物体変位方向(y)に対応する瞳座標(σy)の絶対値(|σy|)に依存する照明強度プロファイルがもたらされ、
前記瞳座標(σy)の第1の絶対値の場合の第1の照明された瞳領域(29a)のゼロではない照明強度が、該瞳座標(σy)の第2の絶対値の場合の第2の照明された瞳領域(29b)のゼロではない照明強度から少なくとも20%だけ異なり、
物体変位方向(y)に対応する瞳座標(σy)の原点は、照明光学アセンブリの前記瞳(29;37)の中心によって定められる
ように配置され、
前記瞳照明ユニット(6,7)は、高い照明強度負荷によって入射される該瞳照明ユニット(6,7)のファセットによって生成される前記瞳(29;37)内の照明強度が、前記物体変位方向(y)に沿った前記物体視野(8)の前記照明された部分視野の広がり(yF2)が該物体変位方向(y)に沿った該物体視野(8)の前記全体広がり(y0)と前記照明チャネルの全てに対して等しい場合と比較して低減され、そのような低減された照明強度が、結果として、該瞳照明ユニットの該ファセット上で低減された熱負荷と低減された強度負荷とを生じるように具現化される、
ことを特徴とする照明光学アセンブリ(11)。 - 前記照明光学アセンブリの前記瞳(29;37)内で照明チャネルにそれぞれ割り当てられる部分瞳領域(34)は、前記物体変位方向に対応する瞳座標(σy)に沿って該瞳座標(σy)の絶対値に依存する広がりを有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の照明光学アセンブリ。 - 下流の結像光学アセンブリ(10)の物体視野(8)が配置可能である照明視野をEUV光源(2)の照明光(3)で照明するための投影リソグラフィのための照明光学アセンブリ(11)であって、
前記照明光(3)がその上に入射し、かつ照明ビーム経路内の瞳(29;37)を予め定められた瞳強度分布を有する該照明光(3)で照明するために前記照明視野内で少なくとも部分的に重ね合わされる照明チャネルを案内するためのファセット(21,25)を有する瞳照明ユニット(6,7)を含み、
前記瞳照明ユニット(6,7)は、該瞳照明ユニット(6,7)の複数の照明チャネルが前記物体視野(8)全体の一部(36)だけを照明するように具現化され、
望ましい照明角度分布内である方向からの照明を予め定めるために前記照明チャネルのうちの1つによって照明することができる前記物体視野の最大部分視野のサイズが、異なる前記照明チャネルに割り当てられた該最大部分視野の該サイズと比べる時に、10倍よりも大きく異なり、
前記瞳照明ユニット(6,7)は、高い照明強度負荷によって入射される該瞳照明ユニット(6,7)のファセットによって生成される前記瞳(29;37)内の照明強度が、前記瞳照明ユニット(6,7)の前記照明チャネルの全てが前記物体視野(8)全体を照明する場合と比較して低減され、そのような低減された照明強度が、結果として、該瞳照明ユニットの該ファセット上で低減された熱負荷と低減された強度負荷とを生じるように具現化される、
ことを特徴とする照明光学アセンブリ(11)。 - 下流の結像光学アセンブリ(10)の物体視野(8)が配置可能である照明視野をEUV光源(2)の照明光(3)で照明するための投影リソグラフィのための照明光学アセンブリ(11)であって、
前記照明光(3)がその上に入射し、かつ照明ビーム経路内の瞳(29;37)を予め定められた瞳強度分布を有する該照明光(3)で照明するために前記照明視野内で少なくとも部分的に重ね合わされる照明チャネルを案内するためのファセット(21,25)を有する瞳照明ユニット(6,7)を含み、
前記瞳照明ユニット(6,7)は、該瞳照明ユニット(6,7)の複数の照明チャネルが前記物体視野(8)全体の一部(36)だけを照明するように具現化され、
前記瞳照明ユニット(6,7)の前記ファセット(21,25)は、
前記瞳照明ユニット(6,7)の個々の照明チャネルが、前記照明中に前記物体視野(8)を通して物体(12)が変位可能である物体変位方向(y)に沿って該物体視野(8)を部分的にのみ照明し、
前記照明チャネルの全てに対して、前記物体変位方向(y)に沿った前記物体視野(8)の照明された部分視野の広がり(yF2)が、該物体変位方向(y)に沿った該物体視野(8)の全体広がり(y0)よりも小さいことが真であり、
前記照明チャネルのうちの複数のものに対して、前記物体変位方向(y)に沿った前記照明された部分視野の前記広がり(yF2)と前記物体視野(8)の前記全体広がり(y0)との間の個々の比(yF2/y0)が、該物体変位方向(y)に沿った該照明された部分視野の該広がりと該物体視野(8)の該全体広がりとの間の該照明チャネルの全てにわたって平均された平均比((yF2/y0)平均)から20%よりも小さく外れることが真である、
ように配置され、
前記照明された部分視野の前記小さい広がり(yF2)が、結果として、前記瞳照明ユニットの前記ファセット上の熱負荷の、前記物体変位方向(y)に沿った前記物体視野(8)の前記照明された部分視野の広がり(yF2)が、該物体変位方向(y)に沿った該物体視野(8)の前記全体広がり(y0)と前記照明チャネルの少なくともいくつかに対して等しい場合と比較しての低減をもたらす、
ことを特徴とする照明光学アセンブリ(11)。 - 前記瞳照明ユニット(6,7)の前記ファセット(21,25)は、
前記瞳照明ユニット(6,7)の個々の照明チャネルが、前記照明中に前記物体視野(8)を通して物体(12)が変位可能である物体変位方向(y)に沿って該物体視野(8)を部分的にのみ照明し、
少なくとも一部の照明チャネルに対して、前記物体変位方向(y)に沿った前記物体視野(8)の照明された部分視野の広がり(yF2)が、該物体変位方向(y)に沿った該物体視野(8)の全体広がり(y0)よりも小さいことが真であり、
前記瞳(29;37)において、前記物体変位方向(y)に対応する瞳座標(σy)の絶対値(|σy|)に依存する照明強度プロファイルがもたらされ、
前記瞳座標(σy)の第1の絶対値の場合の第1の照明された瞳領域(29a)の照明強度が、該瞳座標(σy)の第2の絶対値の場合の第2の照明された瞳領域(29b)の照明強度から少なくとも20%だけ異なる、
ように配置される、
ことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の照明光学アセンブリ。 - 前記瞳照明ユニット(6,7)は、
個々に傾斜可能である複数の個々のミラー(21)を含む第1のファセットミラー(6)と、
互いに横並びに配置され、かつ前記物体視野(8)への前記EUV照明光(3)のビームのうちの部分ビームの反射重ね合わせ案内のために寄与する複数の個々に傾斜可能なファセット(25)を含む更に別のファセットミラー(7)と、
を含み、
前記第1のファセットミラー(6)は、前記物体視野(8)に対して共役である視野平面に又はその近くに配置され、
前記更に別のファセットミラー(7)は、照明光学アセンブリ(11)の瞳平面(30)から距離を置いて配置され、
各場合に前記更に別のファセットミラー(7)の更に別のファセット(25)を照明するための前記第1のファセットミラー(6)の前記ファセットは、仮想ファセット群(28)を形成するようにグループ分け可能である、
ことを特徴とする請求項3から請求項5のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリ。 - 前記瞳照明ユニット(6,7)は、
個々に傾斜可能である複数の個々のミラー(21)を含む第1のファセットミラー(6)と、
互いに横並びに配置され、かつ前記物体視野(8)への前記EUV照明光(3)のビームのうちの部分ビームの反射重ね合わせ案内のために寄与する複数の瞳ファセット(25)を含む瞳ファセットミラー(7)と、
を含み、
前記瞳ファセットミラー(7)は、
前記瞳ファセットミラー(7)上のそれぞれの前記瞳ファセット(25)の位置が、前記物体視野(8)の視野点に対する照明方向を予め定め、
各場合に瞳ファセット(25)を照明するための前記第1のファセットミラー(6)の前記ファセット(21)が、仮想の第1のファセット群(28)を形成するようにグループ分け可能である、
ように照明光学アセンブリ(11)の瞳平面(30)に配置される、
ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリ。 - 前記仮想ファセット群(28)は、部分視野(35,36)を照明するように設計され、照明光学アセンブリ(11)を用いて照明される物体(12)の物体変位方向(y)の該部分視野(36)のうちの少なくとも一部の前記広がり(yF2)は、該物体変位方向(y)の該物体視野(8)全体の前記広がり(y0)よりも小さいことを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の照明光学アセンブリ。
- 前記瞳照明ユニット(6,7)は、
個々に傾斜可能である複数の個々のミラー(21)を含む第1のファセットミラー(6)と、
互いに横並びに配置され、かつ前記物体視野(8)への前記EUV照明光(3)のビームのうちの部分ビームの反射重ね合わせ案内のために寄与する複数の個々に傾斜可能なファセット(25)を含む更に別のファセットミラー(7)と、
を含み、
前記第1のファセットミラー(6)は、前記物体視野(8)に対して共役である視野平面に又はその近くに配置され、
前記更に別のファセットミラー(7)は、照明光学アセンブリ(11)の瞳平面(30)から距離を置いて配置され、
各場合に前記更に別のファセットミラー(7)の更に別のファセット(25)を照明するための前記第1のファセットミラー(6)の前記ファセットは、仮想ファセット群(28)を形成するようにグループ分け可能であり、
前記仮想ファセット群(28)は、部分視野(35,36)を照明するように設計され、照明光学アセンブリ(11)を用いて照明される物体(12)の物体変位方向(y)の該部分視野(36)のうちの少なくとも一部の前記広がり(yF2)は、該物体変位方向(y)の該物体視野(8)全体の前記広がり(y0)よりも小さく、
前記仮想ファセット群(28)は、部分視野(35,36)を照明するように設計され、照明光学アセンブリ(11)を用いて照明される物体(12)の物体変位方向(y)の該部分視野(35,36)の広がり(yF1,yF2)が、互いから20%よりも大きく異なることを特徴とする請求項3に記載の照明光学アセンブリ。 - 前記瞳照明ユニット(6,7)は、
個々に傾斜可能である複数の個々のミラー(21)を含む第1のファセットミラー(6)と、
互いに横並びに配置され、かつ前記物体視野(8)への前記EUV照明光(3)のビームのうちの部分ビームの反射重ね合わせ案内のために寄与する複数の瞳ファセット(25)を含む瞳ファセットミラー(7)と、
を含み、
前記瞳ファセットミラー(7)は、
前記瞳ファセットミラー(7)上のそれぞれの前記瞳ファセット(25)の位置が、前記物体視野(8)の視野点に対する照明方向を予め定め、
各場合に瞳ファセット(25)を照明するための前記第1のファセットミラー(6)の前記ファセット(21)が、仮想の第1のファセット群(28)を形成するようにグループ分け可能である、
ように照明光学アセンブリ(11)の瞳平面(30)に配置され、
前記仮想ファセット群(28)は、部分視野(35,36)を照明するように設計され、照明光学アセンブリ(11)を用いて照明される物体(12)の物体変位方向(y)の該部分視野(36)のうちの少なくとも一部の前記広がり(yF2)は、該物体変位方向(y)の該物体視野(8)全体の前記広がり(y0)よりも小さく、
前記仮想ファセット群(28)は、部分視野(35,36)を照明するように設計され、照明光学アセンブリ(11)を用いて照明される物体(12)の物体変位方向(y)の該部分視野(35,36)の広がり(yF1,yF2)が、互いから20%よりも大きく異なることを特徴とする、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリ。 - 前記瞳(29;37)内の同じ座標(σy)で前記物体変位方向(y)に対して垂直(x)に位置する該照明瞳(29)の領域を照明する前記仮想ファセット群(28)は、該物体変位方向(y)に同じ広がり(yF1;yF2)を有する部分視野(35;36)を照明するように設計されることを特徴とする請求項9から請求項10のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリ。
- 前記物体視野(8)の異なる視野点に対して前記瞳(29;37)にわたる異なる瞳強度分布をもたらすような前記瞳照明ユニット(6,7)の配置及び設計を特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリ。
- 請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリ(11)内で異なる照明強度で照明される瞳領域を決定する方法であって、
物体視野(8)を照明するのに望ましい照明角度分布、すなわち、瞳(29)にわたる照明光(3)の生の強度分布を予め定める段階と、
前記生の強度分布を形成する照明される瞳領域を識別する段階と、
前記識別された瞳領域を照明するための瞳照明ユニット(6,7)のファセット(25)の実照明強度を確定する段階と、
前記実照明強度を予め定められた最大設定値照明強度と比較する段階と、
前記ファセット(25)上の前記実照明強度が前記設定値照明強度よりも高い場合に、該ファセット(25)上の該実照明強度を低減する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項6から請求項12のいずれか1項に記載の前記照明光学アセンブリ(11)内で、更に別のファセットミラー(7)の更に別のファセット(25)上の前記実照明強度は、これらの更に別のファセット(25)に照明チャネルを通じて割り当てられた第1のファセットミラー(6)の第1のファセット(21)の選択によって低減され、
前記選択された第1のファセット(21)は、前記照明光(3)の実照明強度を案内し、これは、最大でも前記設定値照明強度に対応する前記第2のファセット(25)上の実照明強度に至る、
ことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 請求項1又は請求項4から請求項12のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリ内で、前記更に別のファセットミラー(7)の前記更に別のファセット(25)上の前記実照明強度は、前記物体変位方向(y)に沿った前記物体視野(8)の部分照明によって低減され、
前記物体変位方向(y)に沿った前記物体視野(8)の全体広がり(y0)に対する該物体変位方向(y)に沿った該物体視野(8)の照明された部分視野の広がり(yF2)の比(yF2)/(y0)が、該比(yF2)/(y0)が前記更に別のファセット(25)上の実照明強度による前記設定値照明強度のオーバーシュートを補償するように選択され、そのために該照明された部分視野の該広がり(yF2)の該短縮後に、最大で該設定値照明強度に対応する該更に別のファセット(25)上の該実照明強度がもたらされる、
ことを特徴とする請求項14に記載の方法。 - 請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリと、
物体視野(8)を像視野(17)内に結像するための投影光学アセンブリ(10)と、 を含むことを特徴とする光学系。 - 請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の照明光学アセンブリと、
光源(2)と、
を含むことを特徴とする照明系。 - 20%よりも大きく異なる照明光強度が第1のファセットミラー(6)上に入射することを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の照明光学アセンブリを使用する請求項17に記載の照明系。
- 請求項16に記載の光学系と、
光源(2)と、
を含むことを特徴とする投影露光装置。 - 微細構造化構成要素を生成する方法であって、
レチクル(12)を与える段階と、
照明光(3)に対して感受性であるコーティングを有するウェーハ(19)を与える段階と、
請求項19に記載の投影露光装置(1)を用いて前記レチクル(12)の少なくとも1つのセクションを前記ウェーハ(19)の上に投影する段階と、
前記照明光(3)によって露光された前記ウェーハ(19)上の感光層を現像する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014217612.3A DE102014217612A1 (de) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | Beleuchtungoptik für die Projektonslithograpfie |
DE102014217612.3 | 2014-09-03 | ||
PCT/EP2015/069215 WO2016034435A1 (en) | 2014-09-03 | 2015-08-21 | Illumination optical assembly for projection lithography |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017527853A JP2017527853A (ja) | 2017-09-21 |
JP2017527853A5 JP2017527853A5 (ja) | 2020-03-19 |
JP6861149B2 true JP6861149B2 (ja) | 2021-04-28 |
Family
ID=53879530
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017512827A Active JP6861149B2 (ja) | 2014-09-03 | 2015-08-21 | 投影リソグラフィのための照明光学アセンブリ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9915875B2 (ja) |
JP (1) | JP6861149B2 (ja) |
KR (1) | KR102631211B1 (ja) |
DE (1) | DE102014217612A1 (ja) |
TW (1) | TWI718103B (ja) |
WO (1) | WO2016034435A1 (ja) |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5963305A (en) | 1996-09-12 | 1999-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination system and exposure apparatus |
TW567406B (en) | 2001-12-12 | 2003-12-21 | Nikon Corp | Diffraction optical device, refraction optical device, illuminating optical device, exposure system and exposure method |
DE10317667A1 (de) | 2003-04-17 | 2004-11-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element für ein Beleuchtungssystem |
WO2005015314A2 (en) | 2003-07-30 | 2005-02-17 | Carl Zeiss Smt Ag | An illumination system for microlithography |
DE102006020734A1 (de) * | 2006-05-04 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem |
KR101422882B1 (ko) * | 2007-06-07 | 2014-07-23 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피 도구를 위한 반사 일루미네이션 시스템 |
KR101593712B1 (ko) | 2008-02-15 | 2016-02-12 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치에 사용하기 위한 패싯 미러 |
DE102008009600A1 (de) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie |
DE102008049586A1 (de) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Feldfacettenspiegel zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie |
CN102422225B (zh) | 2009-03-06 | 2014-07-09 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于微光刻的照明光学系统与光学系统 |
DE102009034028A1 (de) | 2009-03-30 | 2010-10-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102009030501A1 (de) * | 2009-06-24 | 2011-01-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Beleuchtungsoptik zur Ausleuchtung eines Objektfeldes |
NL2004942A (en) * | 2009-07-30 | 2011-01-31 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and monitoring method. |
EP2354853B1 (en) * | 2010-02-09 | 2013-01-02 | Carl Zeiss SMT GmbH | Optical raster element, optical integrator and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
DE102010029905A1 (de) * | 2010-06-10 | 2011-12-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
JP2012028759A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-02-09 | Asml Netherlands Bv | Euv放射源およびeuv放射を発生させる方法 |
JP5850267B2 (ja) * | 2010-08-30 | 2016-02-03 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
CN104246617B (zh) * | 2012-03-09 | 2018-09-25 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | Euv投射光刻的照明光学单元及包含该照明光学单元的光学系统 |
DE102012213515A1 (de) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
-
2014
- 2014-09-03 DE DE102014217612.3A patent/DE102014217612A1/de not_active Ceased
-
2015
- 2015-08-21 WO PCT/EP2015/069215 patent/WO2016034435A1/en active Application Filing
- 2015-08-21 JP JP2017512827A patent/JP6861149B2/ja active Active
- 2015-08-21 KR KR1020177008937A patent/KR102631211B1/ko active IP Right Grant
- 2015-08-24 TW TW104127525A patent/TWI718103B/zh active
-
2017
- 2017-02-22 US US15/439,616 patent/US9915875B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170048525A (ko) | 2017-05-08 |
DE102014217612A1 (de) | 2016-03-03 |
KR102631211B1 (ko) | 2024-01-31 |
TW201610606A (zh) | 2016-03-16 |
JP2017527853A (ja) | 2017-09-21 |
TWI718103B (zh) | 2021-02-11 |
WO2016034435A1 (en) | 2016-03-10 |
US9915875B2 (en) | 2018-03-13 |
US20170160640A1 (en) | 2017-06-08 |
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Date | Code | Title | Description |
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|
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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