KR102631211B1 - 투영 리소그래피용 조명 광학 어셈블리 - Google Patents

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Abstract

하류 이미징 광학 어셈블리의 오브젝트 필드가 배치될 수 있는 조명 필드를 EUV 광원의 조명광으로 조명하는 투영 리소그래피용 조명 광학 어셈블리가 제공된다. 조명 광학 어셈블리는, 조명광이 충돌하고, 조명 빔 경로에서 퓨필(29)을 미리 규정된 퓨필 강도 분포를 갖는 조명광으로 조명하는 패싯을 포함하는 퓨필 조명부를 구비한다. 퓨필 조명부는, 퓨필 조명부의 복수의 조명 채널이 전체 오브젝트 필드의 일부만을 조명하도록 구현된다. 그 결과, 조명 광학 어셈블리에서 퓨필 조명부의 패싯 상의 조명 강도가 과도하게 높게 되는 것이 방지된다.

Description

투영 리소그래피용 조명 광학 어셈블리{ILLUMINATION OPTICAL ASSEMBLY FOR PROJECTION LITHOGRAPHY}
본 출원은 독일 특허 출원 DE 10 2014 217 612.3호에 기초한 우선권을 주장하며, 해당 출원의 내용은 참조를 위해 통합되어 있다.
본 발명은 투영 리소그래피용 조명 광학 어셈블리에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 조명 광학 어셈블리 내에서 소정의 조명 강도로 조명되는 퓨필 영역을 결정하는 방법, 상기 조명 광학 어셈블리를 구비하는 광학 시스템, 상기 조명 광학 어셈블리를 구비하는 조명 시스템, 상기 광학 시스템을 구비하는 투영 노광 장치, 마이크로 구조 또는 나노 구조의 구성 부품을 제조하는 방법, 및 이 방법에 의해 제조되는 구성 부품에 관한 것이다.
전사 광학 어셈블리 및 하류에 배치되는 적어도 하나의 미리 규정된 조명 패싯 미러를 구비하는 조명 광학 어셈블리가 WO 2010/099807 A1과 US 2006/0132747 A1에 개시되어 있다. 미리 규정된 조명 패싯 미러 또는 대응하는 굴절의 구성 부품이 퓨필면에 배열되어 있는 조명 광학 어셈블리가 WO 2005/015314 A2, US 5,963,305 및 US 7,095,560에 개시되어 있다.
본 발명의 목적은, 퓨필 조명부의 패싯 상의 조명 강도가 과도하게 높게 되는 것을 방지할 수 있는, 앞의 소개 부분에 기재된 유형의 조명 광학 어셈블리를 개발하는 것이다.
이러한 목적은, 청구항 1에 특정된 특징을 갖는 조명 광학 어셈블리에 의한 제1 양태와 청구항 2에 특정된 특징을 갖는 조명 광학 어셈블리 의한 제2 양태에 따라 본 발명에 의해 달성된다.
특히, 퓨필 조명부의 패싯들이 기울어질 수 있거나 마이크로미러들로 구현되면, 이들 패싯들에서 소정의 최대 조명 강도 또는 최대 열 부하를 넘지 않도록 주의하는 것이 필요하며, 그렇지 않으면, 조명 광학 어셈블리의 성능에 악영향을 미치거나 이 패싯들의 안정성 감소 및 이로 인한 조명 광학 어셈블리의 안정성의 감소를 가져오는 것으로 이해된다. 패싯 상에서의 조명 강도를 감소시키기 위한 자유도로서, 모든 패싯들이 전체 오브젝트 필드의 조명에 기여할 필요가 없다는 사실을 사용할 수 있는 것이 또한 이해된다. 따라서, 오브젝트 필드의 부분 필드의 조명이, 이 조명 동안 부딪치는 패싯 상의 조명 강도를 감소시키기 위한 방식으로 사용된다. 패싯 상의 조명 강도를 감소시키기 위해, 예를 들면, 퓨필에서 조명된 영역이 소정의 퓨필 강도 분포 내에서 전체 조명광을 안내하기 위해 필요한 것보다 더 크다는 사실을 이용할 수 있다. 그러므로, 퓨필의 충전도는 소정의 한계 내에서 증가되어, 퓨필 조명부의 개별 패싯의 강도 로딩을 줄인다. 퓨필 조명부는, 퓨필 조명부의 모든 패싯들이 오브젝트 필드의 부분 필드만을 조명하도록 설계될 수 있다. 조명 광학 어셈블리의 퓨필은, 하류의 이미징 광학 어셈블리 또는 투영 광학 어셈블리의 퓨필과 일치하거나 또는 이미징 광학 어셈블리의 이 퓨필면과 켤레가 되게 배치된다. 이 경우에, 퓨필은, 오브젝트 필드 포인트들로부터 출사되는 개별 광선들이 교차하고, 상기 오브젝트 필드 포인트들로부터 출사되는 주광선들에 대해서 각각의 경우에 동일한 조명 각도로 할당되는, 이미징 광학 어셈블리의 이미징 빔 경로 상의 영역을 의미하는 것으로 이해된다. 용어 "퓨필"에 대한 추가 설명은 US 2012/0069314 A1에서 찾을 수 있다. 각 조명 채널은 오브젝트 필드 포인트를 특정 조명 방향에서 조명하는 조명광 부분 빔을 안내한다. 조명광을 퓨필 조명부에 의해 복수의 조명 채널로 분할하는 것은 소정의 허용 한계 내에서 조명 파라미터 "조명 강도" 및 "조명 각 분포"를 한정하고, 동시에 오브젝트 필드에 조명광을 혼합하는 역할을 한다. 오브젝트 필드상의 퓨필 조명부의 패싯을 통해서 조명되는 부분 필드는 서로 중첩될 수 있다. 그러나, 이것은 정해진 것은 아니다. 이 유형의 100개 보다 많은, 500개 보다 많은, 또는 심지어 1000개 보다 많은 조명 채널이 존재할 수 있다. 조명 채널 내에서, 조명광은 서로 독립적으로 기울어질 수 있는 복수의 마이크로미러들을 통해 차례 차례 안내될 수 있다. 각각의 경우에, 정확히 한 개의 조명 채널이 이러한 마이크로미러들의 그룹에 의해 한정될 수 있다.
각 조명 채널은, 오브젝트 필드에서의 소망의 조명 방향 분포에 의거하여, 원하는 조명각 또는 조명 방향 분포 내에 있는 방향들로부터 주어진 조명 채널에 의해 조명될 수 있는 오브젝트 필드의 최대 부분 영역 또는 부분 필드를 포함한다. 퓨필 조명부가 퓨필면에 위치하면, 오브젝트-필드-독립 퓨필의 경우에 2가지 유형의 최대 부분 필드만이 존재한다. 어느 조명 채널이든지 소망의 조명 방향을 가능하게 한다. 이 경우에, 최대 부분 필드는 오브젝트 필드와 같은 크기를 갖는다. 또는, 조명 채널의 조명 방향은 소정의 조명 방향 분포 내에 있지 않는다. 조명광은 이러한 조명 채널에 미치지 않으므로, 이 채널은 전체 오브젝트 필드에 걸쳐서 어둡고, 따라서 이 채널은 조명에 대해서 존재하지 않는다. 그러나, 퓨필 조명부가 퓨필면으로부터 떨어져 있으면, 소정의 조명 방향 분포를 실현하기 위해서, 이것은 서로 10 배 이상의 차이가 날 수 있는, 개별적인 최대 부분 필드 크기의 큰 변화를 가져 온다. 여기에서도, 최대 부분 필드는 여하튼 각각의 경우에서 오브젝트 필드와 동일한 크기를 가질 수 있다.
제1 양태에 따르면, 퓨필 조명부의 패싯들은, 퓨필 조명부의 개별 조명 채널이 오브젝트 변위 방향을 따라서 오브젝트 필드를 부분적으로만 조명하는 방식으로 배열되고, 오브젝트는 조명시 오브젝트 필드를 통해 변위가능하고, 적어도 일부의 조명 채널에 대해서, 오브젝트 변위 방향에 따른 오브젝트 필드의 조명된 부분 필드의 크기는 오브젝트 변위 방향에 따른 오브젝트 필드의 총 크기보다 작고, 퓨필에서, 오브젝트 변위 방향에 대응하는 퓨필 좌표의 절대 값에 의존하는 조명 강도 프로파일이 생기고, 상기 퓨필 좌표의 제1 절대 값의 경우에 제1 조명된 퓨필 영역의 조명 강도는 상기 퓨필 좌표의 제2 절대 값의 경우에 제2 조명된 퓨필 영역의 조명 강도와 적어도 20% 만큼 상이하다. 이러한 퓨필 강도 분포는, 원칙적으로 심한 강도 로딩이 있는 퓨필 조명부의 상기 패싯이 퓨필 내의 감소된 조명 강도만을 생성하여 상기 패싯에 대한 강도 로딩을 감소시키는, 퓨필 조명부의 설계를 가능하게 한다. 조명 강도들 사이의 차이는 20% 보다 클 수 있으며, 예를 들면, 30%, 40%, 50%, 70%, 100% 또는 그 이상일 수 있다. 이 경우, 오브젝트 변위 방향에 해당하는 퓨필 좌표의 원점은 조명 광학 어셈블리의 퓨필의 중심에 의해 한정된다. 상기 조명 광학 어셈블리의 퓨필 내의 조명 채널에 각각 할당된 상기 서브퓨필 영역은, 상기 오브젝트 변위 방향에 대응하는 퓨필 좌표를 따라, 상기 퓨필 좌표의 절대 값에 의존하는 치수를 가질 수 있다. 상기 퓨필 좌표의 절대치가 상이한 경우에, 상이한 조명 강도가 존재하고, 상이한 길이의 서브퓨필 영역이 또한 대응하는 퓨필 좌표에 따라서 존재할 수 있다. 거기에 수직이고, 따라서 오브젝트 변위 방향에 수직인 방향에 대응하는 퓨필 좌표의 방향으로, 퓨필 내에서 조명 강도는 소정의 허용 범위 내에서 일정할 수 있다. 상기 서술된 서브퓨필 영역의 크기에 대해서도 대응되게 성립하며, 마찬가지로 소정의 허용 한계 내에서 추가의 퓨필 좌표에 따라서 일정할 수도 있다. 제2 양태의 조명 광학 어셈블리의 경우, 그러한 퓨필 조명 강도는 필수적이지 않다.
청구항 3에 따른 패싯의 배치의 경우, 조명 채널을 통해 조명되는 부분 필드는 각각의 최대 부분 필드보다 오브젝트 변위 방향에 따라서 더 작은 크기를 가짐으로써 열부하는 감소된다. 오브젝트 변위 방향의 개별 최대 부분 필드 크기와 비교하여 오브젝트 변위 방향의 조명된 부분 필드를 줄이는 것은, 허용 범위 내에서 복수의 조명 채널에 대해서 동일한 방식으로 행해진다. 조명된 부분 필드와 오브젝트 변위 방향의 최대 크기의 각각의 비율의 크기의 편차는 평균 비율로부터 15% 미만, 10% 미만, 및 심지어 5% 미만일 수 있다. 오브젝트 변위 방향의 상기 조명된 부분 필드의 일정한 감소는 모든 조명 채널에 대해서도 유효할 수 있다. 개별 조명 채널을 통해 조명되는 부분 필드의 이러한 전체적인 단축으로부터의 편차는, 예를 들면, 양자화 효과 때문에 개별 미러들의 유한 크기로 인해 상기 조명 채널들에 할당된 패싯들을 개별 미러들로 세분화하는 것때문에 편차를 피할 수 없는 경우, 예를 들어 조명 광학 어셈블리에 의한 오브젝트 필드 조명의 국소적인 퓨필 보정 또는 강도 보정을 위해 목표된 방식으로 조명 채널의 일부가 오브젝트 필드 조명에 기여하지 않는 경우에, 즉, 부분적으로 스위치 오프되는 경우, 또는 목표된 방식으로 조명 채널의 추가 부분이 대상 필드 조명을 위해 사용되는, 즉, 스위치 온되는 경우의 개개의 경우들에 발생할 수 있다.
이러한 오브젝트 변위 방향의 상기 부분 필드 조명의 일정한 감소는 퓨필 조명을 일정하게 한다. 이 경우, 퓨필 조명부의 패싯의 강도 로딩의 감소는 퓨필에서 조명되는 퓨필 영역의 확대, 즉 퓨필의 충전도의 확대에 의해 달성될 수있다. 기술적으로, 이것은 특히 오브젝트 필드 조명에 사용되는 조명 채널의 수를 늘림으로써 달성될 수 있다.
각 조명 채널은 조명 광학 어셈블리의 퓨필에서 서브퓨필 영역에 충돌한다. 오브젝트 변위 방향에 대응하는 퓨필 좌표에 따른 이러한 서브퓨필 영역의 크기는 복수의 조명 채널 또는 모든 조명 채널에 대하여 동일할 수 있다. 이 대응하는 퓨필 좌표는 오브젝트 면에 직교하는 조명광 입사면에서 조명 방향을 결정하고, 오브젝트 변위 방향은 상기 조명광 입사면에서 진행한다.
청구항 4에 기재된 퓨필 강도 분포는, 원칙적으로 심한 강도 로딩이 있는 퓨필 조명부의 상기 패싯이 퓨필 내의 감소된 조명 강도만을 생성하여 상기 패싯에 대한 강도 로딩을 감소시키는, 퓨필 조명부의 설계를 가능하게 한다. 조명 강도들 사이의 차이는 20% 보다 클 수 있으며, 예를 들면, 30%, 40%, 50%, 70%, 100% 또는 그 이상일 수 있다. 이 경우, 오브젝트 변위 방향에 해당하는 퓨필 좌표의 원점은 조명 광학 어셈블리의 퓨필의 중심에 의해 한정된다. 상기 조명 광학 어셈블리의 퓨필 내의 조명 채널에 각각 할당된 상기 서브퓨필 영역은, 상기 오브젝트 변위 방향에 대응하는 퓨필 좌표를 따라, 상기 퓨필 좌표의 절대 값에 의존하는 크기를 가질 수 있다. 상기 퓨필 좌표의 절대치가 상이한 경우에, 상이한 조명 강도가 존재하고, 상이한 길이의 서브퓨필 영역이 또한 대응하는 퓨필 좌표에 따라서 존재할 수 있다. 거기에 수직이고, 따라서 오브젝트 변위 방향에 수직인 방향에 대응하는 퓨필 좌표의 방향으로, 퓨필 내에서 조명 강도는 소정의 허용 범위 내에서 일정할 수 있다. 상기 서브퓨필 영역의 크기에 대해서도 동일하며, 마찬가지로 소정의 허용 한계 내에서 추가의 퓨필 좌표에 따라서 일정할 수도 있다.
정반사 리플렉터로서 알려진 청구항 5에 기재된 조명 광학 어셈블리, 또는 플라이 아이 콘덴서로서 알려진 청구항 6에 기재된 조명 광학 어셈블리는 오브젝트 필드의 한정된 조명에 특히 적합하다는 것이 입증되었다. 제1 패싯 미러는, 오브젝트 면으로 이미징되고, 오브젝트 필드가 배열되어 있는, 조명 광학 어셈블리의 필드 면에 배치될 수 있다. 청구항 4에 따른 실시예의 경우에, 추가의 패싯 미러가 조명 광학 어셈블리의 퓨필면 또는 하류의 투영 광학 어셈블리으로부터 거리를 두고 있다. 상기 기재된 각 조명 채널은 상기 추가의 패싯 미러의 추가의 패싯들 중 정확히 한 개 또는 상기 퓨필 패싯들 중 정확히 한 개에 의해 안내된다. 제1 패싯 미러의 패싯 및/또는 추가의 패싯 미러의 패싯은 결국 복수의 개별 미러들로 세분화될 수 있다. 이들 개별 미러들은 개별적으로 기울어질 수 있다. 이러한 개별 미러들로 세분화된 패싯들은 패싯 그룹 또는 가상 패싯들로서 또한 지정된다.
청구항 7에 기재된 오브젝트 변위 방향의 부분 필드의 크기의 감소는 특히 조명 광학 어셈블리를 구비하는 투영 노광 장치의 동작의 스캐닝 모드에 잘 적용된다. 또한, 가상 패싯 그룹을 조명하는 모든 부분 필드에서, 오브젝트 변위 방향의 크기는 오브젝트 변위 방향의 전체 오브젝트 필드의 크기보다 더 작다.
청구항 8에 기재된 오브젝트 변위 방향의 부분 필드의 크기의 차이는 퓨필 조명부의 패싯 상의 조명 강도의 미리 규정함의 자유도를 산출한다. 오브젝트 변위 방향의 부분 필드의 크기는 30% 초과, 40% 초과, 50% 초과, 70% 초과, 100% 초과, 또는 더 많은 양만큼 상이할 수 있다.
청구항 9에 따른 가상 패싯 그룹의 할당은 오브젝트 변위 방향에 수직인 조명 파라미터를 균등하게 한다. 스캔-통합 방식으로, 즉, 오브젝트 변위 방향으로 통합하는 방식을 통해, 모든 오브젝트 필드 포인트가 동일한 조명 조건을 갖는 것이 보장된다.
청구항 10에 따른 조명 광학 어셈블리의 배열과 설계는, 오브젝트 필드를 통한 오브젝트의 변위 또는 스캔 동안 변위- 또는 스캔-통합된 퓨필의 조명 강도의 균질화가 각각의 오브젝트 포인트에 대해서 일어나는 방식으로 오브젝트 필드에 걸쳐서 변화하는 퓨필 강도 분포를 미리 규정 가능케 한다. 변위- 또는 스캔-통합 방식에서, 소정의 공차 내에서 각 오브젝트 포인트가 동일한 퓨필 강도 분포를 "나타내는", 즉, 동일한 조명 각도 분포로부터 미리 규정된 강도의 광에 의해 충돌되는 상황을 얻을 수 있다. 그러므로, 강도 및 조명 각도 분포에 관하여 균질한 조명이 변위 또는 스캔-통합 방식으로 보장된다. 복수의 퓨필 로드의 형태의 퓨필 강도 분포가 오브젝트 필드 포인트에 대해서 변위- 또는 스캔-통합 방식으로 생길 수 있고, 각각의 퓨필 로드는 조명광의 조명 채널에 의해 안내된다. 변위 또는 스캔 방향에 할당된 퓨필 치수에서, 이러한 퓨필 로드는, 그에 직교하는 퓨필 치수보다 더 큰 크기를 가질 수 있다. 변위 또는 스캔 방향에 할당된 퓨필 치수에서 퓨필 로드의 크기는 퓨필 조명부의 미리 규정된 조명 패싯 미러 및 퓨필면 사이의 거리의 선택에 의해 영향을 받을 수 있다.
조명 광학 어셈블리의 상기 언급된 양태 및 거기에 관련된 청구 특징들은 원하는 방식으로 서로 결합될 수 있다. 이에 대해서, 예를 들면, 상기 설명된 특징들을 갖는 제1 양태에 따른 조명 광학 어셈블리를 제2 양태에 따른 조명 광학 어셈블리와 서로 관련시켜서 결합할 수 있다.
청구항 11에 따른 소정의 조명 강도로 조명되는 퓨필 영역을 결정하는 방법은, 패싯 상의 실제 조명 강도를 감소시키는 상기 설명된 자유도를 사용한다. 패싯 상의 실제 조명 강도를 감소시키기 위해서, 이 방법에서, 조명되는 퓨필 영역은 퓨필내의 형상 및 크기를 고려하여 적응될 수 있고, 즉, 소정의 한계 내에서 그 형상 및/또는 크기를 고려하여 변화될 수 있다.
실제 조명 강도를 감소시키기 위해서, 우선, 오브젝트 조명 기간 동안 오브젝트의 오브젝트 변위 방향에 직교하는 치수에서 조명되는 퓨필 영역의 크기를 결정할 수 있다. 이 규모에 따라서, 오브젝트 변위 방향에서 가상의 패싯 그룹의 치수는 소정의, 즉, 적절하다면, 스캔 길이 감소가 실행된다. 그 결과, 오브젝트 변위 방향에 의존하는 퓨필 강도가 발생될 수 있으며, 스캔-통합 방식으로 평균화된다.
청구항 12에 기재된 실제 조명 강도를 감소시키기 위해, 패싯 상의 실제 조명 강도가 설정점 조명 강도보다 큰 곳에서 감소되도록 조명될 퓨필 영역들 내에 조명 강도를 재분배하는 것이 또한 가능하다. 제1 패싯 상의 특히 원거리 필드-영향의, 불균등한 실제 조명 강도로 인한 추가의 제2 패싯 상의 열 부하 스파이크가 결과적으로 완화될 수 있다. 그 결과, 추가 패싯 상의 최대 열 부하는 효과적으로 감소된다.
청구항 13에 따른 방법은 첫째로 오브젝트 변위 방향에 따른 조명된 부분 필드의 크기의 목표된 감소에 의해, 즉, 스캔 길이의 감소에 의해 및 둘째로 조명되는 퓨필 영역 내에서 조명 강도의 재분포에 의해 발생되는 열부하 감소에 대한 가능성을 결합한다. 개별 스캔 길이 감소와 선택된 실제 조명 강도의 곱은, 복수의 제2 패싯에 대해서 적어도 거의 일정하게 미리 규정될 수 있고, 미리 규정된 허용 오차 값만큼만 설정점 곱의 값으로부터 벗어날 수 있다. 특히, 제2 패싯 미러 상에서, 원거리 필드-영향 열 로드 스파이크는 결과적으로 완화될 수 있다. 조명 광학 어셈블리의 퓨필면에 보다 균질한 광 분포를 가져올 수 있다.
청구항 14에 따른 광학 시스템, 청구항 15에 따른 조명 시스템, 청구항 17에 따른 투영 노광 장치, 청구항 18에 따른 제조 방법, 및 청구항 19에 따른 마이크로 또는 나노 구조의 구성 부품의 장점은 조명 광학 어셈블리를 참조하여 상기 이미 설명된 특징에 대응한다.
청구항 16에 따른 할당에서, 추가의 자유도로서, 제1 패싯 미러가 광원으로부터 규칙적으로 비균질의 원거리 필드로 조명되는 상황을 사용한다. 이것은 퓨필 조명부의 가장 높게 로딩된 패싯 상의 조명 강도를 감소시키는데 사용된다. 이 경우에, 퓨필에서 동일한 좌표에 오브젝트 변위 방향에 직교하여 위치하는 조명 퓨필의 영역을 조명하는 가상 패싯 그룹은 상기 가상 패싯 그룹에 대한 충돌의 평균 조명 강도로부터 10% 미만 벗어난 조명 강도에 의해 충돌될 수 있다. 제1 패싯 미러의 패싯 상의 원거리 필드의 비균질성이 퓨필 조명부의 패싯의 강도 로딩을 줄이기 위해 사용되는 경우에도, 동일한 조명 조건이 오브젝트 변위 방향에 수직으로 유지되는 것을 보장할 수있다. 제1 패싯 미러 상의 충돌에서의 강도 차이는, 상기 추가의 패싯 미러의 미리 규정된 조명 패싯을 통해서 오브젝트 필드가 오브젝트 변위 방향을 따라서 완전히 조명되도록 추가의 패싯 미러의 패싯의 열 부하 감소를 위해 사용될 수 있다. 오브젝트 변위 방향에 따른 할당된 조명 채널을 통해 조명되는 부분 필드의 크기는 오브젝트 변위 방향의 오브젝트 필드의 총 크기와 동일할 수 있다. 제1 패싯 미러에 대한 강도 충돌의 비균질성을 이용하여, 모든 조명 채널이 개별 최대 부분 필드를 조명하기 때문에, 퓨필의 최소 가능 충전도와 비교하여 퓨필의 충전도가 증가하지 않는 조명을 또한 얻을 수 있다.
전술한 퓨필 영역 결정 방법은 제1 패싯 미러의 조명 강도 분포를 고려하여 조명 시스템에서 또한 수행될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예를 도면을 참조하여 아래에보다 상세히 설명한다.
도 1은 광원, 조명 광학 어셈블리, 및 투영 광학 어셈블리를 구비하는 EUV 마이크로 리소그래피용 투영 노광 장치를 자오면에서 매우 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 중간 초점으로부터 투영 광학 어셈블리의 오브젝트 면에 배치된 레티클로 진행하는, 도 1에 따른 조명 광학 어셈블리의 퓨필 조명부내의 조명광의 선택된 개별 광선의 빔 경로를 자오면에서 또한 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 조명 광학 어셈블리의 전사 패싯 미러의 평면도를 나타내는 도면이며, 상기 미러는 필드 면에 배열되어 있다.
도 4는 도 3으로부터 확대 발췌된 것을 나타내는 도면이며, 조명 광학 어셈블리에서 하류에 배치된 미리 규정된 조명 패싯 미러의 미리 규정된 조명 패싯들이 조명 채널을 통해 할당되는, 가상 패싯 그룹들을 구성하는 전사 패싯 미러 상의 조명된 부분들의 세분화를 도시하며, x-쌍극자 조명 설정이 2개의 패싯 미러를 통해 설정된다.
도 5는, 도 4와 유사한 도면이며, 조명 채널을 통한 y-쌍극자 조명 설정의 경우에, 하류의 미리 규정된 조명 패싯 미러의 미리 규정된 조명 패싯들에 할당되는 가상 패싯 그룹들을 결국 구성하는 전사 패싯 미러 상의 조명된 부분들의 세분화를 도시한다.
도 6은 조명 광학 어셈블리의 퓨필면으로부터 거리를 두고 배열된 미리 규정된 조명 패싯 미러를 갖는 도 1 및 2에 따른 조명 광학 어셈블리를 사용하여 y-쌍극자 조명 설정의 경우에 스캔-통합된 미처리(raw) 퓨필 강도 분포의 평면도를 개략적으로 나타내는 도면이며, 상기 레티클 상의 오브젝트 필드는 상기 각각의 경우에 상기 미리 규정된 조명 패싯들을 통해 상기 스캔 방향으로 완전히 조명된다.
도 7은 도 6에 따른 조명 설정의 경우에 미리 규정된 조명 패싯을 통해 조명되는 오브젝트 필드로부터 발췌된 것을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 8은 도 6과 유사한 도면이며, y-쌍극자 조명 설정의 폴 중 하나를 나타내는 도면이며, 전체 오브젝트 필드의 일부만이 각각의 미리 규정된 조명 패싯을 통해 스캔 방향으로 조명된다.
도 9는 도 7과 유사한 도면이며, 미리 규정된 조명 패싯들 중 하나를 통해 차례 차례 조명되는 부분 오브젝트 필드를 나타내는 도면이다.
도 10은 도 6과 유사한 도면이며, y-쌍극자에 대해서 다시 한번, 조명 광학 어셈블리의 퓨필에서 강도 분포를 나타내는 도면이며, 개별 폴 내에서, 퓨필의 각각의 σy-좌표에 의존해서, 미리 규정된 조명 패싯들은 스캔 방향으로 상이한 크기의 오브젝트 필드를 조명한다.
도 11 및 12는 조명 광학 어셈블리의 대안적인 실시 형태의 경우에 퓨필면에 배열된 미리 규정된 조명 패싯 미러의 평면도이며, 각각의 경우의 y-쌍극자의 조명이 도시되며, 도 11에 따른 조명이 도 12에 따른 조명보다 퓨필의 충전도가 더 큰 것을 나타낸다.
도 13은 조명 광학 어셈블리의 전사 패싯 미러의 전사 패싯들의 이미지에 대응하는 부분 필드에 의해 조명되는, 오브젝트 필드의 평면도이다.
도 14는 도 6과 유사한 도면이며, 다시 한번 스캔-통합 도시에서, 조명 광학 어셈블리의 퓨필면에서 y-쌍극자 조명 설정의 폴을 나타내는 도면이다.
도 15는 도 14와 유사한 도면이며, 퓨필의 충전도가 더 큰 y-쌍극자 조명 설정의 폴의 대안적인 조명을 나타내는 도면이며, 도 10에 따른 조명과 비교가능한 방식으로, 퓨필 좌표 σy에 의존하여, 미리 규정된 조명 패싯은 스캔 방향 y에 따른 상이한 크기의 오브젝트 필드에서 부분 필드들을 조명한다.
도 16은 도 13과 유사한 도면이며, 치수 σy에서 도 15에 따른 조명 폴에서 중앙에 배열되어 스캔 방향에 따라서 오브젝트 필드의 부분 필드만을 조명하는 미리 규정된 조명 패싯에 의한 오브젝트 필드 조명을 나타내는 도면이다.
도 17은, 도 15에 따른 폴에 대응하는 2개의 폴을 갖는 y-쌍극자 조명 설정에 대해서 강도 충돌을 갖는 도 1 및 2에 따른 조명 광학 어셈블리의, 조명 광학 어셈블리의 퓨필면에서 거리를 둔, 미리 규정된 조명 패싯 미러의 평면도이며, 조명받지 않는 미리 규정된 조명 패싯은 비어 있는 것으로 표시되어 있고, 도면에서 조명된 미리 규정된 조명 패싯의 충전도는 강도 로딩에 따라서 증가한다.
도 18은 도 17과 유사한 도면이며, x-쌍극자 조명 설정에 대해 강도 충돌을 갖는 미리 규정된 조명 패싯 미러를 나타내는 도면이며, 조명 광이 충돌하는 미리 규정된 조명 패싯이 배타적으로 도시되어 있다.
도 19는 도 18과 유사한 도면이며, y-쌍극자 조명 설정에 대한 미리 규정된 조명 패싯들 중 조명의 변형을 나타내는 도면이다.
도 20은 도 18과 유사한 도면이며, 환형 조명 설정에 대한 미리 규정된 조명 패싯들의 조명을 나타내는 도면이다.
도 21은 도 19와 유사한 도면이며, 오브젝트 필드의 텔리센트릭 조명의 경우에 y-쌍극자 조명 설정에 대한 미리 규정된 조명 패싯의 조명을 다시 한번 나타내는 도면이다.
도 22는 전사 패싯 미러의 개별 미러들 상의 강도의 분포의 히스토그램을 나타내는 도면이다.
도 23은 도 19와 유사한 도면이며, 도 22에 따른 전사 패싯 미러 상의 강도 분포를 고려하여 미리 규정된 조명 패싯들에 대한 충돌의 강도 분포를 나타내는 도면이다.
도 24는 도 23에 따른 미리 규정된 조명 패싯 미러에 대한 충돌의 경우 및 최적화되지 않은 분포를 갖는 충돌의 경우, 및 미리 규정된 조명 패싯 상의 비최적화된 강도 분포의 충돌의 경우에, 스캔 방향에 수직인 필드 높이에 대한 오브젝트 필드의 강도 프로파일을 나타내는 도면이다.
도 25는 도 23에 따른 미리 규정된 조명 패싯에 대한 강도 충돌에 의해 생성된, 조명 광학 어셈블리의 퓨필면에서의 강도 분포를 나타내는 도면이다.
도 26은 라인 XXVI-XXVI에 따른 도 25의 강도 프로파일의 단면도이다.
도 27은 도 23과 유사한 도면이며, 조명광이 충돌하지 않는 미리 규정된 조명 패싯을 구비하는 전체 미리 규정된 조명 패싯 미러의 평면도이다.
도 1의 자오면에서 매우 개략적으로 도시된 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치(1)는, 조명광(3)용 광원(2)을 갖는다. 이 광원은 5 mm 내지 30 mm의 파장 범위의 광을 생성하는 EUV 광원이다. 이 광원은, LPP(Laser Produced Plasma) 광원, DPP(Discharge Produced Plasma) 광원 또는 싱크로트론-방사-기반광원, 예를 들면, FEL(Freie electron laser)일 수 있다.
광원(2)으로부터 진행하는 조명광(3)을 안내하기 위해, 전사 광학 어셈블리(4)가 사용된다. 후자는, 도 1에서 그 반사 효과에 대해서만 도시된 콜렉터(5), 및 아래에 더욱 상세하게 설명되고, 제1 패싯 미러 또는 필드 패싯 미러로서도 지정되는 전사 패싯 미러(6)를 구비한다. 조명광(3)의 중간 초점(5a)은 콜렉터(5)와 전사 패싯 미러(6) 사이에 배치된다. 중간 초점(5a)의 영역에서 조명광(3)의 개구수는 예를 들면, NA = 0.182이다. 아래에 보다 상세하게 설명되는 것 같이, 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)는 전사 패싯 미러(6)의 하류에 배치되고, 따라서 전사 광학 어셈블리(4)에 배치된다. 광학 부품(5 ~ 7)은 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 어셈블리(11)의 부품이다.
전사 패싯 미러(6)는 조명 광학 어셈블리(11)의 필드 면에 배치된다.
조명 광학 어셈블리(11)의 일 실시예에서, 아래에 보다 상세하게 설명되는 것같이, 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)는 조명 광학 어셈블리(11)의 퓨필면에 또는 그 영역에 배치될 수 있고, 퓨필 패싯 미러로도 지정된다. 또 다른 실시예에서, 조명 광학 어셈블리(11)의 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)는 조명 광학 어셈블리(11)의 퓨필면 또는 퓨필면들로부터 거리를 두고 배열될 수 있다. 이러한 실시예는 정반사 리플렉터로서도 지정된다.
레티클(12)은 조명광(3)의 빔 경로에서 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)의 하류에 배치되고, 이 레티클은 투영 노광 장치(1)의 하류의 투영 광학 어셈블리(10)의 오브젝트 면(9)에 배치되어 있다. 투영 광학 어셈블리(10)와 하기 서술되는 또 다른 실시예들의 투영 광학 어셈블리는 각각의 경우에 투명 렌즈이다. 조명 광학 어셈블리(11)는 오브젝트 면(9)에서 레티클(12) 상의 오브젝트 필드(8)를 한정된 방식으로 조명하기 위해 사용된다. 오브젝트 필드(8)는 조명 광학 어셈블리(11)의 조명 필드를 동시에 구성한다. 일반적으로, 조명 필드는 조명 필드에 오브젝트 필드(8)가 배치될 수 있는 방식으로 형성된다.
전사 패싯 미러(6)와 같이, 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)는 조명 광학 어셈블리의 퓨필 조명부의 일부이고, 소정의 퓨필 강도 분포를 갖는 조명광(3)으로 투영 광학 어셈블리(10)의 입사동을 조명하는 역할을 한다. 투영 광학 어셈블리(10)의 입사동은 오브젝트 필드(8)의 상류 또는 오브젝트 필드(8)의 하류의 조명 빔 경로에 배치될 수 있다.
퓨필면에 배치된 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)를 구비하는 조명 광학 어셈블리(11)의 실시 형태의 경우에, 상기 퓨필면은 하류의 전사 광학 어셈블리를 통해서 투영 광학 어셈블리(10)의 입사동으로 이미징될 수 있다. 또는, 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)는 투영 광학 어셈블리(10)의 입사동의 퓨필면에 배치될 수 있다. 정반사 리플렉터로서의 실시 형태의 경우에, 이러한 전사 광학 어셈블리는 필수적이지 않고, 원칙적으로, 투영 광학 어셈블리(10)의 입사동이 오브젝트 필드(8)의 상류 또는 오브젝트 필드(8)의 하류의 조명 빔 경로에 배열되어 있는가 아닌가는 중요하지 않다.
위치 관계의 표현을 용이하게 하기 위해, 데카르트 xyz 좌표계가 이후에 사용된다. x-방향은 도 1에서 도면의 평면에 수직으로 도면의 평면 내로 진행한다. y-방향은 도 1에서 우측을 향한다. z-방향은 도 1에서 아래를 향한다. 도면에서 사용되는 좌표계들은, 각각의 경우에 서로 평행하는 x-축들을 갖는다. 상기 좌표계들의 z-축의 코스는, 각각 고려되는 도면 내의 조명광(3)의 각각의 주 방향을 따른다
오브젝트 필드(8)는 아치형 또는 부분적으로 원형인 모양을 가지며, 두 개의 서로 평행한 원호와, y-방향의 길이 y0를 갖고, x-방향으로 거리 x0를 두고 있는 두 개의 직선형 측면 에지에 의해 범위가 정해진다. 종횡비 x0/y0는 13 대 1이다. 도 1의 삽입 부분은 오브젝트 필드(8)의 평면도를 나타내며, 이 평면도는 실제 크기에 맞지 않는다. 경계 형상(8a)은 아치형이다. 대체 가능하고 마찬가지로 가능한 오브젝트 필드(8)에서, 그 경계 형태는 마찬가지로 종횡비 x0/y0를 갖는 직사각형이다.
투영 광학 어셈블리(10)는 부분적으로만 개략적으로 도 1에 도시되어있다. 투영 광학 어셈블리(10)의 오브젝트 필드측 개구수(13) 및 이미지 필드측 개구수(14)가 도시되어 있다. 예를 들면 EUV 조명광(3)에 대해서 반사하는 미러로서 구현될 수 있는, 투영 광학 어셈블리(10)의 도시된 광학 부품(15, 16) 사이에, 도 1에 도시되지 않은, 이들 광학 부품(15, 16) 사이에서 조명광(3)을 안내하는, 투영 광학 어셈블리(10)의 또 다른 광학 부품들이 존재한다.
투영 광학 어셈블리(10)는, 레티클(12)과 마찬가지로 홀더(미도시, 추후 상세히 설명)에 의해 유지되는 웨이퍼(19) 상의 이미지 면(18)에서 이미지 필드(17)에 오브젝트 필드(8)를 이미징한다. 레티클 홀더와 웨이퍼 홀더는 상응하는 변위 구동 장치에 의해 x-방향 및 y-방향 모두로 변위 가능하다. 웨이퍼 홀더의 구조적 공간 요건이 도 1의 20에 직사각형 박스로 도시되어 있다. 구조적 공간 요건(20)은 이 요건에 구비되는 구성 부품들에 따른 x-, y- 및 z-방향의 크기를 갖는 직사각형이다. 구조적 공간 요건(20)은 예를 들면, 이미지 필드(17)의 중심으로부터 시작해서 x- 방향과 y- 방향으로 1m의 크기를 갖는다. z- 방향에서도, 예를 들면, 상면(18)으로부터 시작되는, 구조적 공간 요건(20)은 1 m의 크기를 갖는다. 조명광(3)은, 각각의 경우에 구조적 공간 요건(20)을 지나 안내되는 방식으로 조명 광학 어셈블리(11)와 투영 광학 어셈블리(10)에서 안내되어야 한다.
전사 패싯 미러(6)는 다수의 전사 패싯들(21)을 갖는다. 전사 패싯 미러(6)는 MEMS 미러로 구현될 수 있다. 전사 패싯들(21)은 적어도 2개의 기울어진 위치 사이에서 전환가능한 마이크로미러들이다. 전사 패싯들(21)은 서로 직교하는 2개의 회전축 주위로 구동되는 방식으로 기울어질 수 있는 마이크로미러들로 구현될 수 있다.
이 전사 패싯들(21)로부터, 도 2에 따른 yz-단면도에, 총 9개의 전사 패싯들(21)을 갖는 라인이 개략적으로 도시되어 있고, 이 전사 패싯들은 도 2에서 좌에서 우로 211 에서 219로 색인되어 있다. 실제로, 이 전사 패싯 미러(6)는 현저하게 많은 다수의 전사 패싯들(21)을 갖는다. 전사 패싯들(21)은 도 2에 보다 상세하게 설명되지 않은 복수의 전사 패싯 그룹들로 그룹화된다(이에 대해서, 특히, 도 4 및 5 참조). 이 전사 패싯 그룹들은 또한 가상 필드 패싯 또는 가상 패싯 그룹으로 지정된다.
퓨필면에 배치된 미리 규정된 조명 미러(7)를 포함하는 조명 광학 어셈블리의 실시예의 경우, 전사 패싯 그룹의 x/y 종횡비는 적어도 오브젝트 필드(8)의 x/y 종횡비와 동일한 크기이다. 도시된 실시 예의 경우에, 전사 패싯 그룹의 적어도 일부 또는 전부의 x/y 종횡비는 오브젝트 필드(8)의 x/y 종횡비보다 크다. 전사 패싯 그룹은 오브젝트 필드(8)의 경계 형상과 유사한, 부분적으로 원형의 곡선 또는 직사각형 그룹 경계 형상을 가진다. 전사 패싯 미러(6)의 구성에 대한 더욱 상세한 내용에 대해서는 WO 2010/099 807 A를 참조한다.
전사 패싯들(21)이 그룹화된 전사 패싯 그룹 또는 이 패싯 그룹에 대응하는 모놀리식 패싯은 x-방향으로 70 mm의 크기 및 y-방향으로 약 4 mm의 크기를 가질 수 있다.
각각의 전사 패싯 그룹은 x-방향으로 서로에 대해 오프셋되는 방식으로 배열된 100개의 열로 배열되며, 각각은 y-방향으로 서로 나란히 배열된 7개 라인의 전사 패싯들(21)을 갖는다. 각각의 전사 패싯(21)은 직사각형이다.
각 전사 패싯 그룹은 오브젝트 필드(8)의 부분 또는 완전한 조명을 위한 조명 채널을 통해 조명광(3)의 일부를 안내한다.
미리 규정된 조명 패싯 미러(7) 및 투영 광학 어셈블리(10)의 실시예의 보다 상세한 설명을 위해, WO 2010/099 807 A를 참조한다.
미리 규정된 조명 패싯 미러(7)가 퓨필면에 위치하면, 각각의 미리 규정된 조명 패싯(25)은, 퓨필 형상이 필드-독립적이라는 것을 전제로, 전체 오브젝트 필드를 조명할 수 있거나, 또는 미리 규정된 퓨필 형상에 대해서 전체적으로 사용되지 않고 남아 있고, 또한 조명 설정으로서 지정되어 남아 있어야 한다. 이것이 오브젝트 필드(8)의 조명에 기여하면, 적어도 거의 동일한 퓨필 좌표를 항상 갖는다. 원칙적으로 퓨필면에 위치한 미리 규정된 조명 패싯(25)은, 반드시 필요한 것은 아니지만, 전체 오브젝트 필드를 조명할 수 있기 때문에, 모두 거의 동일한 형상을 가진 가상 필드 패싯으로 조명할 수 있다. 특히, 전사 패싯 미러(6)에 일정한 형상의 모놀리식 전사 패싯(21)을 장착하는 것이 또한 고려될 수 있으며, 각 전사 패싯(21)은 일정한 조명 방향을 갖는 정확히 하나의 조명 채널에 할당된다.
미리 규정된 조명 패싯 미러(7)가 조명 광학 어셈블리(11)의 퓨필면에 배치되지 않으면, 미리 규정된 조명 패싯들(25) 중 적어도 일부가 오브젝트 필드(8)의 부분 영역만을 조명할 수 있다. 상기 부분 영역들은 매우 개별적인 형상을 가지며, 또한, 오브젝트 필드(8)에서 원하는 조명 방향 분포(퓨필 형상)에 의존한다. 따라서, 미리 규정된 조명 패싯들(25)은 매우 다른 형상의 가상 필드면에 의해 조명되고, 그 형상은 조명되는 각각의 부분 필드의 형상에 정확하게 대응한다. 또한, 각 미리 규정된 조명 패싯(25)은, 오브젝트 필드(8)에서의 위치에 따라서 퓨필의 상이한 영역에 기여한다.
미리 규정된 조명 패싯 미러(7)는 MEMS 미러로 구현될 수 있다. 미리 규정된 조명 패싯들(25)은 적어도 2개의 틸팅 위치 사이에서 스위칭가능한 마이크로미러들이다. 특히, 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)가 조명 광학 어셈블리의 퓨필면으로부터 거리를 두고 배열되어 있으면, 미리 규정된 조명 패싯(25)은, 2개의 상호 직교하는 틸팅 축 주위로 연속적으로 또한 독립적으로 구동되는 방식으로 기울어질 수 있는, 즉, 다수의 상이한 틸팅 위치에 위치될 수 있는 마이크로미러로 구현될 수 있다.
전사 패싯(21)을 미리 규정된 조명 패싯(25)으로 미리 규정하고 할당하는 것의 일 예가 도 2에 도시되어 있다. 전사 패싯(211 ~ 219)에 각각 할당된 미리 규정된 조명 패싯(25)이 이 할당에 따라서 색인된다. 미리 규정된 조명 패싯들(25)은 이 할당에 기초해서 좌측에서 우측으로 256, 258, 253, 254, 251, 257, 255, 252 및 259의 순서로 조명된다.
패싯(21, 25)의 인덱스(6, 8, 및 3)는, 도 2에서 좌측에서 우측으로 넘버링된 3개의 오브젝트 필드 포인트(OF1, OF2, 및 OF3)를 제1 조명 방향으로부터 조명하는 3개의 조명 채널(VI, VIII, 및 III)을 포함한다. 패싯(21, 25)의 인덱스(4, 1, 7)는 3개의 오브젝트 필드 포인트(OF1 내지 OF3)를 제2 조명 방향으로부터 조명하는 추가의 3개의 조명 채널(IV, I, 및 VII)에 속한다. 패싯(21, 25)의 인덱스(5, 2, 9)는 3개의 오브젝트 필드 포인트(OF1 내지 OF3)를 제3 조명 방향으로부터 조명하는 추가의 3개의 조명 채널(V, II, 및 IX)에 속한다.
- 조명 채널(VI, VIII, 및 III)
- 조명 채널(IV, I, VII) 및
- 조명 채널(V, II, IX)
에 할당된 조명 방향은 각각의 경우에 동일하다. 따라서 전사 패싯(21)을 미리 규정된 조명 패싯(25)에 할당하는 것은, 오브젝트 필드(8)의 텔리센트릭 조명이 도면에 도시된 조명 예의 경우에 발생한다.
전사 패싯 미러(6)와 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)를 통한 오브젝트 필드(8)의 조명은 정반사 리플렉터 방식으로 행해질 수 있다. 정반사 리플렉터의 원리가 US 2006/0132747 Al에 개시되어 있다.
투영 광학 어셈블리(10)는 930 mm의 오브젝트-이미지 오프셋 dOIS을 갖는다. 상기 오프셋은 오브젝트 필드(8)의 중점과 오브젝트 면(9)을 통한 이미지 필드(17)의 중점에 대한 법선의 교점 사이의 거리로서 한정된다. 투영 광학 어셈블리(10)를 구비하는 투영 노광 장치(1)는 1280 mm의 중간 초점-이미지 오프셋 D를 갖는다. 중간 초점-이미지 오프셋 D는 이미지 필드(17)의 중점과 중간 초점(5a)으로부터 이미지 면(18)까지의 법선의 교점 사이의 거리로서 한정된다. 투영 광학 어셈블리(10)를 구비하는 투영 노광 장치(1)는 1250 mm의 조명광 빔-이미지 오프셋 E를 갖는다. 조명광 빔-이미지 오프셋 E은 이미지 필드(17)의 중점과 이미지 면(18)을 통한 조명광 빔(3)의 교차 영역 사이의 거리로서 한정된다.
도 3은 전사 패싯 미러(6)의 평면도를 나타낸다. 전사 패싯 미러(6) 상의 전사 패싯(21)의 수는 너무 커서 개별 전사 패싯(21)이 도 3에서 식별가능하지 않다. 전사 패싯(21)은, 조명광(3)의 원거리 필드로 조명되는 2개의 대략 반원형 패싯 영역(26, 27)에 배열된다.
도 4는 도 3의 발췌도이며, 전사 패싯(21)을 전사 패싯 그룹(28)으로 세분하는 것을 도시한다. 전사 패싯 그룹(28)은 각각의 경우에 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)를 통해 오브젝트 필드(8)로 이미징된다. 각각 하나의 전사 패싯 그룹(28)의 모든 전사 패싯(21)은 하나의 동일한 미리 규정된 조명 패싯(25)을 조명한다.
도 4에 따른 전사 패싯 그룹(28)을 갖는 전사 패싯 미러(6)의 점유는 x-쌍극자 조명 설정을 갖는 조명 광학 어셈블리(11)의 조명 퓨필을 위해 설계된다. 조명 광학 어셈블리(11)의 퓨필면에서, 이러한 조명 설정의 경우에, x-방향에 대응하는 퓨필 좌표 σx에서 서로 떨어져 위치하는 2개의 조명된 퓨필 영역이 존재하며, 이것은 아래에서 더 자세히 설명한다.
도 4에서, 전사 패싯(21)은 스캔 방향에 수직으로 전단된 평행사변형의 형상을 갖는다. 전사 패싯(21)은, 유사하게 평행사변형상을 갖는 패싯 캐리어 성분(보다 구체적으로 상세하게 도시되어 있지 않음)에 놓여 있다. 상기 패싯 캐리어 성분의 에지는, 도 4에서 수평 및 경사 배향으로 전사 패싯(21)을 갖지 않는 넓은 백색 바(28a)로서 식별될 수 있다. 전사 패싯 그룹(28)은, 다각형 진행의 코스가 있는 경계선으로 식별된다. 상기 전사 패싯 그룹(28)은 일반적으로 패싯 캐리어 성분 그룹들에 걸쳐 연장된다. 현재의 x-쌍극자 조명 설정에 대해서, 전사 패싯 그룹(28)이 대부분 거의 직사각형 또는 사다리꼴 형상을 가지며, 인접한 전사 패싯 그룹(28) 사이의 간격이 매우 작다. 개별 전사 패싯 그룹(28) 사이의 간격은 도 4에서 비례 크기 이상으로 도시되어 있다. 패싯 캐리어 성분 전체의 면적에 대한 상기 간격의 면적 비율은 10 % 미만이다.
전사 패싯 그룹(28)은 직사각형 오브젝트 필드(8)를 조명하는 역할을 한다. 미리 규정된 조명 패싯(25)은 오브젝트 필드(8) 쪽으로 조명광(3)의 부분 빔을 반사 중첩 안내하는 역할을 한다. 미리 규정된 조명 패싯 미러(7) 상의 각각의 미리 규정된 조명 패싯(25)의 위치는 오브젝트 필드(8)의 필드 포인트들에 대한 조명 방향을 미리 규정한다. 전사 패싯 그룹(28)의 x-크기는, 각각의 전사 패싯 그룹(28)의 이미지가 x-방향으로 전체 오브젝트 필드(8)를 최대로 덮도록 정해진다. 전사 패싯 그룹(28)의 y-크기에 대해서도 동일하게 대응되게 성립된다. 도 4에 따른 확대 발췌도로부터 알 수 있는 바와 같이, 그 x-크기가 최대 가능 x-크기보다 작은 많은 전사 패싯 그룹(28)이 있으므로, x-치수에서 오브젝트 필드(8)의 상기 전사 패싯 그룹(28)의 이미지는 오브젝트 필드(8)의 일부만을 조명한다.
조명 광학 어셈블리(11)에 의해 미리 규정되는 조명 설정에 따라서, 각각의 전사 패싯 그룹(28)에 대해서, 즉, 각각의 조명 채널에 대해서, 미리 규정되는 조명 설정에 포함되는 방향으로부터 주어진 조명 채널에 의해 조명될 수 있는 오브젝트 필드(8)의 최대 부분 영역 또는 부분 필드가 존재한다. 이 최대 부분 필드 크기는 전체 오브젝트 필드(8)의 크기를 얻을 수 있지만, 특히 x-방향으로 오브젝트 필드(8)의 x-크기보다 작을 수 있다.
이하에서 어떤 식으로든 오브젝트 변위 방향(y)에 따라서 최대 부분 필드의 크기는 오브젝트 필드(8)의 y-크기에 대응한다고 가정한다.
도 5는 y-쌍극자 조명 설정에 대해서 전사 패싯 미러(6)를 전사 패싯 그룹(28)으로 대응되게 세분화한 발췌도이며, 일부 예들은 이후의 도면을 참조하여 아래에 더 상세하게 설명된다. 도 4에 따른 전사 패싯 그룹(28)의 세분화와 비교하면, 오브젝트 필드(8)에서 그 이미지가 전체의 x-크기를 채우는, 현저하게 많은 전사 패싯 그룹(28)이 도 5에 따른 세분화의 경우에 존재한다.
도 5는 사각 형상의 전사 패싯(21)을 나타내며, 그 에지가 스캔 방향에 대해 45°만큼 회전된다. 이것은 비슷하게 사각형 패싯 캐리어 어셈블리에 대해서도 성립되며, 그 에지는 두꺼운 백색 바(28)에 의해 다시 한번 가시화되고, 비스듬히 주행한다.
도 4에 따른 전사 패싯 그룹(28)을 갖는 전사 패싯 미러(6)의 점유의 경우에, 전사 패싯 미러(6)의 모든 전사 패싯(21) 중 7% 미만의 전사 패싯이 사용되지 않으며, 즉, 하류의 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)의 조명에 기여하지 않는다. 이것은 대응되게 도 5에 따른 점유에도 성립된다.
도 5에 따른 점유의 경우에, 존재하는 전사 패싯 그룹(28)의 수는 도 4에 따른 점유의 경우의 대략 절반이다.
도 4에 따른 점유의 경우에, 전사 패싯 그룹(28)은 대부분 직사각형이다.
도 5에 따른 점유의 경우에, 전사 패싯 그룹(28)은 직사각형 형상에서 더 자주 벗어난다.
도 6은 조명 광학 어셈블리(11)의 조명 퓨필(29)의 전형적인 미처리 조명을 나타내며, 투영 광학 어셈블리(10)의 입사동과 일치하고, 오브젝트 필드(8) 하류의 조명광(3)의 빔 경로에서 퓨필면(30)에 배열되어 있다(도 1 참조). 도면은 미리 규정된 조명 패싯(25)의 실제 조명 강도를 감소시키기 위한 조명 최적화 전에 퓨필(29)에 걸친 조명광(3)의 미처리 강도 분포를 나타낸다. 퓨필(29)은 오브젝트 필드 치수 x, y에 할당된 퓨필 치수 σx, σy 만큼 뻗어 있다.
도 6은 조명 폴(31, 32)을 갖는 y-쌍극자 조명 설정을 나타낸다. 퓨필(29)의 충전도는 2개의 조명 폴(31, 32)의 면적으로 구성되는 퓨필(29)의 총 면적에 비례해서 주어진다. 이 경우, 각각의 조명 폴(31, 32)의 에지(33)에 의해 경계가 정해진 면적이 각 조명 폴 (31, 32)의 면적으로 사용된다. 조명 폴(31, 32)은 각각 퓨필(29)의 중앙 σx-좌표의 영역에서 최대 σy-크기 Σy를 갖는 양면 볼록 형상의 단면을 갖는다. 이 최대 크기 Σy의 영역에서, σy-치수를 따라서 서로 나란히 배열된 대략 5개의 퓨필 로드(34)는 오브젝트 필드 조명에 기여한다.
도 6은 조명 폴(31, 32) 내의 스캔-통합된 조명 강도를 도시한다. 오브젝트 필드(8)를 통해 y-방향으로 주행하는 스캔 동안 레티클(12) 상의 특정 점에 충돌하는 조명 강도를 고려한다. y-방향은 스캔 방향 또는 오브젝트 변위 방향으로서 또한 지정된다. 이 스캔-통합된 조명 강도는, 퓨필 서브구조 또는 서브퓨필 영역 사이에 퓨필(29)에서 퓨필 치수 σx 보다 퓨필 치수 σy에서 더 큰 크기를 갖는 퓨필 로드(34)의 형태로 분포된다. 퓨필 치수 σy에서 퓨필 로드(34)의 크기는 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)와 퓨필면 사이의 거리, 즉, 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)와 투영 광학 어셈블리(10)의 입사동 사이의 거리에 의존한다.
퓨필 로드들(34) 사이에서, 정확히 하나의 필드 높이의 방향으로부터, 즉, 오브젝트 필드(8)의 정확히 x-좌표의 방향으로부터 볼 때, 조명광(3)은 퓨필(29)에 충돌하지 않는다. 오브젝트 필드 포인트가 충돌되고, 고정된 x-좌표로 y-방향으로 오브젝트 필드(8)을 통해서 스캔된 퓨필(29)에 대해서 스캔-통합된 조명 강도가 도 6에 도시되어 있다. 교차-스캔 방향 x에 따르는, 그러므로 고정된 y-좌표를 갖는 오브젝트 필드(8)에서 x-방향에 따라서 서로 나란히 놓이는 오브젝트 필드 포인트에 대해서, 퓨필 치수 σx에서 퓨필 로드(34)의 이동을 초래한다. 퓨필(29)이 고정된 y-좌표를 갖는 x-방향에 따른 오브젝트 필드(8)에서 가상의 이동 중에 고려되면, 이것은 퓨필 로드(34)의 σx-이동을 가져오며, 이동 속도는 먼저 오브젝트 필드(8)에서의 x-이동 속도 및 두 번째로 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)와 퓨필면 사이의 거리에 의존한다. 이 경우, 퓨필 로드(34)의 "σx-이동"이 일어나지 않는 배열도 발견될 수 있다.
각각의 퓨필 로드(34)는, 정확히 한 개의 전사 패싯 그룹(28)과 정확히 한 개의 미리 규정된 조명 패싯(25)이 속하는 정확히 한개의 조명광 조명 채널을 통해서 조명된다. 퓨필(29)에서 퓨필 로드(34)의 σx/σy-그리드 배열은 미리 규정된 조명 패싯 미러(7) 상의 미리 규정된 조명 패싯(25)의 x/y-그리드 배열에 대응한다.
도 6에 따른 퓨필(29)의 조명의 경우에, 조명 폴(31, 32)의 에지(33) 근방의 퓨필 로드(34)와는 별도로, σy-좌표의 방향에서 모든 퓨필 로드(34)는 동일한 길이를 갖는다.
도 7은, 정확히 한 개의 퓨필 로드(34)의 조명 채널을 통해서 조명되는 부분 필드(35)를 개략적으로 나타낸다. 부분 필드(35)는 xF1의 x-크기와 yF1의 y-크기를 갖는다. 다음이 성립된다:
xF1 < x0 및 yF1 = y0. 그러므로, 부분 필드(35)는 오브젝트 필드(8)보다 더 작은 x-크기를 갖는다. 스캔 방향 y의 부분 필드(35)의 크기는 오브젝트 필드(8)의 크기에 대응한다.
또는, 다음이 성립된다: xF1 = x0.
오브젝트 필드(8)는 도 7에서 대시-도트 방식으로 표시된다. 오브젝트 필드(8) 내의 부분 필드(35)의 경계는 점선으로 표시된다.
에지(33) 근처에서 다른 퓨필 로드(34)보다 더 작은 σy-크기를 갖는 퓨필 로드(34)는, 조명된 부분 필드의 적어도 일부분에 대한 y-크기가 오브젝트 필드(8)의 y-크기 y0보다 작은 부분 필드를 오브젝트 필드(8)에서 조명하는 조명 채널에 속한다.
도 8은, 도 6에 따른 조명으로부터 진행하는, 미리 규정된 조명 패싯(25)에서의 실제 조명 강도를 감소시키기 위해 최적화된, 조명 폴(31, 32)의 조명을 나타낸다. 도 8에 따른 조명의 경우, 도 6에 따른 조명의 경우보다, 퓨필(29) 내의 조명 폴(31)의 면적이 크다. 도 8에 따른 조명 퓨필(29)의 경우에, 다음이 성립된다:Σy ' > Σy.
가장 큰 크기 Σy '의 영역에서, 도 8에 따른 최적화된 퓨필(29)의 경우에, 오브젝트 필드(8)의 조명에 기여하는 조명 채널의 수는 도 6에 따른 미처리 퓨필(29)의 최대 크기 Σy의 영역에서 보다 크다.
이 최대 크기 Σy '의 영역에서, σy-방향으로 서로 나란히 배열된 5개 이상의 퓨필 로드(34)가 오브젝트 필드 조명에 기여한다.
개별 퓨필 로드(34)의 σy-크기는 도 8에 따른 퓨필(29)의 경우에 도 6에 따른 퓨필(29)의 경우보다 작다. 최대 σy-크기를 갖는 도 8에 따른 퓨필(29)의 퓨필 로드(34)에 속하는 조명 채널은 부분 필드와 오브젝트 필드 조명에 기여하고, 전형적인 예가 도 9에 도시되어 있다.
도 9에 도시된 부분 필드(36)는 x-치수에서 xF2의 크기를 갖고, y-크기에서 yF2의 크기를 갖는다. 다음이 성립된다: xF2 < x0 및 yF2 < y0. x 및 y의 치수에서 모두 그러므로, 부분 필드(36)는 오브젝트 필드(8) 보다 더 작다. 또는, 다음이 성립될 수 있다: xF2 = x0. 도 8에 따른 퓨필을 생성하는 부분 필드의 y-크기는, 도 6에 관련된 부분 필드와 비교하여, 모든 부분 필드들에 대해서 동일한 팩터만큼 감소된다.
그러므로, 조명 폴(31) 내의 조명광이 더 많은 수의 더 짧은 퓨필 로드들(34) 사이에서 및 더 많은 수의 조명 채널들 사이에 분포되며, 이러한 조명 채널들은 스캔 방향 y으로 오브젝트 필드(8)의 더 작은 부분 필드(36)을 조명한다. 퓨필의 충전도는 도 8에 따른 퓨필(29)의 경우에 도 6에 따른 퓨필(29)의 경우보다 크다.
도 9에 따른 조명은, 각각의 경우에 전체 전사 패싯 그룹(28)이 속하는 복수의 또는 모든 조명 채널에 대해서, 조명된 부분 필드의 크기(yF2)와 상기 오브젝트 필드(8)의 총 크기(y0) 사이의 개별 비율(yF2/yo)은, 조명된 부분 필드의 크기(yF2)와 상기 오브젝트 필드(8)의 총 크기(y0) 사이에서, 모든 조명 채널들에 대해서 평균된, 평균 비율(yF2/yo)평균)로부터 적어도 20% 미만으로 벗어나는 것이 성립되도록 선택될 수 있다. 이 편차는 15 % 미만이거나, 10 % 미만이거나, 5 % 미만이거나, 더 작을 수 있다.
도 10은 퓨필(29)의 조명의 또 다른 변형예를 나타낸다. 이 조명의 경우에, 또한, 조명 폴(31, 32)은, 도 8에 따른 조명 퓨필(29)의 경우에서와 같이, σy-치수에서 최대 크기 Σy '를 갖는다. 정확히 한개의 ｜σy｜-값의 경우에 σx-방향으로 서로 나란히 정렬되는 방식으로 배열되는 퓨필 로드 또는 서브 퓨필 영역(34)은 동일한 σy-크기를 갖는다. 정확히 하나의 σx-치수의 경우에 σy-치수에 따라 서로 나란히 놓여 있는 퓨필 로드들(34)은 상이한 σy-크기를 갖는다. 상이한 σy-크기는 σy-좌표에 각각 고정적으로 할당된다. 조명 폴(31, 32)이 최대 σx-크기 Σx를 갖는 경우, 퓨필 로드(341)는 가장 작은 σy 크기를 갖는다. 최대 폴 크기 Σx를 갖는 조명 폴(31, 32)의 σy-좌표에 대해서 거리가 증가하면, 상기 퓨필 로드(34)가 조명 폴(31, 32)내에서 여전히 완전히 존재하는 한, 퓨필 로드(34)의 σy-크기는 증가한다.
σy-좌표에서 퓨필 로드(341)에 인접한 퓨필 로드(342)는 σx-크기가 퓨필 로드(341) 보다 다소 더 크다. 결국 인접한 퓨필 로드(343)는 최대 σy-크기를 갖는다. 조명 폴(31, 32) 내의 그 배열의 σy-좌표에 의존하여, 그러므로, 퓨필 로드(34)는 상이한 y-크기의 부분 필드를 갖는 오브젝트 필드 조명에 기여한다. 조명 폴(31, 32)의 최대 σx-크기 Σx의 영역에서 이들 퓨필 로드(341)는 스캔 방향 y의 총 크기 y0와 비교하여 더 작은 크기를 갖는 오브젝트 필드(8)의 일부를 조명한다. 이로 인해, 조명 채널 당 조명광 강도를 감소시킬 수 있다.
조명 폴(31, 32)은, 조명 강도에 대해서 다른 상이한 퓨필 영역들로 세분화될 수 있다. 이것이 도 10에서 조명 폴(31)에 대해서 도시된다. 우선, 낮은 조명 강도를 갖는 제1 조명된 퓨필 영역(29a)이 조명 폴(31)의 중앙 σy -값의 영역에 존재한다. 마진적으로, 즉, 높은 σy - 값의 경우에 및 낮은 σy -값의 경우에, 각각 중앙 퓨필 영역(29a)의 조명 강도보다 높은 조명 강도를 갖는 추가의 퓨필 영역 (29b, 29c)이 조명 폴(31)에 존재한다. 한편, 중앙 퓨필 영역(29a) 및 다른 한편 2개의 마지널 퓨필 영역(29b, 29c)의 조명 강도는 적어도 20% 다르다.
도 10에 따른 조명 채널의 할당에서, 퓨필 영역(29a, 29b 및 29c)를 조명하고, 예를 들면, 동일한 σy-좌표에서 오브젝트 변위 방향에 수직으로 위치하는 가상 전사 패싯 그룹(28)이 오브젝트 변위 방향 y로 동일한 크기를 갖는 부분 필드(부분 필드(35, 36) 참조)를 조명하도록 설계되어 있다.
도 11 및 12는, 도 8 및 6과 비교가능한 방식으로, 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)가 조명 광학 어셈블리(11)의 퓨필면에 배열되어 있는, 즉, 퓨필 패싯 미러를 구성하는, 조명 광학 어셈블리(11)의 실시형태에 대한 조명 퓨필(37)을 도시한다. 도 11 및 12에 따른 조명 퓨필(37)의 조명은 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)의 조명 강도 분포로서 직접 발생된다.
도 11은 퓨필의 더 큰 충전도를 갖는 y-쌍극자 조명 설정을 나타내고, 이것과 비교하여 도 12는 퓨필의 더 작은 충전도를 갖는 y-쌍극자 조명 설정을 나타낸다. 최대 σy-크기의 영역에서, 도 11에 따른 조명 퓨필(37)의 경우에, 총 5개의 미리 규정된 조명 패싯(25j)이 오브젝트 필드 조명에 기여한다. 도 12에 따른 조명 퓨필(37)의 경우에, 이들 패싯은 더 적은 수의, 즉, 4개의 미리 규정된 조명 패싯(25j)이다. 그러므로, 도 11에 따른 조명 퓨필(37)의 경우에, 전체적으로 더 많은 조명 채널들이 오브젝트 필드 조명에 기여하므로, 개별 미리 규정된 조명 패싯(25) 상의 조명 강도는 도 12에 따른 조명 설정과 비교하여 감소된다.
도 6 내지 10과 비교하여 덜 개략적인 도 13 내지 17을 참조하여, 퓨필면으로부터 거리를 둔 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)의 배열을 갖는 조명 광학 어셈블리(11)의 변형예를 사용하여 조명 퓨필 내의 강도 재분포의 상세를 아래에 설명한다. 이것은 도 14 및 15에 도시된 것 같이 조명 퓨필(29) 내의 조명 폴(31)에 기초하여 실행된다.
도 14에 따른 조명 퓨필(29)의 경우에, 조명 폴(31)의 최대 σy-크기 Σy의 영역에서, σx-열에 배열된 6개의 퓨필 로드(34)는 오브젝트 필드 조명에 기여한다. 최대 σy-폴 크기 Σy '의 영역에서, 도 15에 따른 조명 퓨필(29)의 경우에, σx-칼럼에 배치된 총 7개의 퓨필 로드(34)가 오브젝트 필드 조명에 기여한다.
도 13은 전사 패싯(21)의 이미지에 의한 직사각형 오브젝트 필드(8)의 조명으로부터 발췌된 것을 개략적으로 도시한다. 이 도면은 정확히 하나의 조명 채널을 통한 오브젝트 필드(8)의 조명을 나타내므로, 오브젝트 필드(8)로 이미지된 전사 패싯 그룹(28)에 따라서 조명이 구성되는 것과 개별 전사 패싯들(21)로의 서브분할되는 것을 알 수 있다. 도 13은 도 14에 따른 조명 폴(31)의 중앙 퓨필 로드(34z) 및 도 15에 따른 조명 폴(31)의 최대 σy-크기를 갖는 퓨필 로드(34)에 속하는 조명 채널을 통한 오브젝트 필드 조명의 예를 나타낸다. 도 13에 따른 오브젝트 필드 조명의 y-크기는 오브젝트 필드(8)의 y-크기 y0에 대응한다. 필드 높이에서, 즉, 오브젝트 필드(8)의 x-좌표에서, 이 전체 오브젝트 필드 조명은 서로 위아래에 놓여 있는 전사 패싯(21)의 정확히 7개의 이미지(21')를 포함한다. 관련된 퓨필 로드(34z)가 최대 x-크기를 갖는 전사 패싯 그룹(28)에 의해 조명되는 한, 상기 퓨필 로드(34)는 x-치수에서 오브젝트 필드(8)의 전체 조명에 기여한다.
도 14에 따른 퓨필 로드(34)의 분포는 도 6과 관련하여 상기 설명된 것에 대응한다. 도 14에 따른 조명 퓨필(29)의 경우에 퓨필의 충전도는 퓨필의 최소 가능 충전도이다. 모든 퓨필 로드(34)는 σy-좌표에 따른 최대 길이를 갖는다. 따라서, 관련된 조명 채널은 그 y-크기가 오브젝트 필드(8)의 총 크기 y0에 대응하는 부분 필드를 조명한다.
도 15에 따른 조명 퓨필(29)의 조명은 도 10을 참조하여 보다 매우 개략적으로 상기 설명된 것에 대응한다. 최대 σx-크기 Σx의 영역에 배열된 퓨필 로드(34), 즉, 퓨필 로드(341)는 일 예의 부분 필드(36)가 도 16에 도시된, 오브젝트 필드(8)에서 부분 필드(36)를 조명하는 조명 채널에 속한다. 필드 높이에서, 즉, 오브젝트 필드(8)의 x-좌표에서, 이러한 부분 필드는 서로 위아래에 놓여 있는 전사 패싯(21)의 정확히 3개의 이미지(21)를 포함한다. 도 13에 따른 조명과 비교하여, 이러한 부분 필드는 y-방향에 따른 이용가능한 스캔 길이의 3/7을 조명한다. 이 스캔 길이 감소는 이 조명 채널에 관련된 미리 규정된 조명 패싯(25) 상의 열 부하의 감소에 대응한다.
도 17은 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)의 미리 규정된 조명 패싯(25)을 각각의 부분 필드(35, 36)의 y-크기로 할당하는 것을 나타낸다. 각각의 미리 규정된 조명 패싯의 강도 로딩은 상기 미리 규정된 조명 패싯 상의 각각의 포인트의 지름에 의해 심볼화된다. 부분 필드(35, 36)의 x-치수가 또한 다르기 때문에, 퓨필 로드(34)의 동일한 σy-크기가 하나의 동일한 σy-좌표를 가짐에도 불구하고, 동일한 y-좌표에 배열된 미리 규정된 조명 패싯(25)의 조명 강도의 변형을 가져 온다. 오브젝트 필드를 x-방향으로 최대 조명하는 미리 규정된 조명 패싯(25z) 상의 최대 강도 로딩은 y-방향(부분 필드(36))의 감소된 조명으로 인해서 효과적으로 감소된다.
도 18 및 19는, 도 17과 유사하게, 조명 퓨필(29)의 y-쌍극자의 조명의 경우에, 퓨필면으로부터 거리를 두고 배열된 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)에 속하는 사용된 미리 규정된 조명 패싯(25)의 강도 로딩을 나타낸다.
이 경우에, 도 18은 부분 필드 조명을 통한 y-방향으로의 조명의 감소에 의한 열 부하의 감소 전의 미리 규정된 조명 패싯(25)의 강도 로딩을 포함하는 조명을 나타내고, 도 19는 미리 규정된 조명 패싯(25) 상의 열 부하의 감소의 경우의 상황을 나타낸다. 도 18과 도 19를 비교하면, 미리 규정된 조명 패싯(25)의 조명 강도로 인한 최대 열 부하가 대략 2의 팩터만큼 감소된다. 도 18과 비교하여, 도 19에서 퓨필의 충전도가 증가한다. 결과의 y-조명 폴은, 퓨필의 최소 가능 충전도와 비교하여 그 면적 면에서 확대된다. 최대 강도 로딩은 또한 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)의 중앙의 미리 규정된 조명 패싯(25z) 상에서 감소된다.
도 20은, 도 18 및 도 19와 유사한 도면이며, 환형의 조명 설정의 경우에 미리 규정된 조명 패싯(25)의 강도 로딩을 나타내며, 그러므로 오브젝트 필드(8)의 오브젝트 필드 포인트들은, 제1 한계 조명각 위 및 제2의 더 큰 한계 조명각 아래에 존재하는 모든 가능한 조명 방향으로부터 조명된다. 여기서도, 퓨필의 최소 가능 충전도보다 더 큰 퓨필의 충전도를 선택하는 것으로 인해서 가장 높게 로딩된 미리 규정된 조명 패싯(25IMAX)의 열 부하도 감소된다.
도 21은, 도 18 내지 도 20과 유사한 도면이며, 특히 도 2와 관련한 상기 설명에 대응하는 오브젝트 필드(8)의 텔리센트릭 y-쌍극자 조명의 경우에 미리 규정된 조명 패싯(25)의 강도 로딩을 나타낸다. 여기서도, 퓨필의 최대 가능 충전도보다 더 작은 퓨필의 충전도를 선택하여, 최대로 로딩된 중앙의 미리 규정된 조명 패싯(25z)의 경우에서도 더 낮은 강도 로딩을 초래한다.
도 22는 특정 강도로 충돌된 전사 패싯(21)의 수치 NESP의 주파수 분포를 나타낸다. 가장 높은 강도 I는 가장 낮은 강도 A보다 3의 팩터보다 많이 다를 수 있다. 주파수 분포는 더 높은 강도로 갈수록 떨어지는 곡선을 나타낸다. 이것은 절대적으로 최대 수의 전사 패싯(21)이 절대적으로 최소 강도로 충돌되고, 더 높은 강도로 갈수록 이 강도로 충돌되는 전사 패싯(21)의 절대 수는 사실상 단조로 떨어지는 것을 의미한다. 예를 들면, 최고 강도로 충돌되는 전사 패싯(21)의 수는 최저 강도로 충돌되는 전사 패싯(21)의 1/5일 수 있다.
도 23은, 도 19와 유사한 도면이며, 특히, 중앙의 미리 규정된 조명 패싯(25z) 상의 최대 강도가 더욱 감소되는 방식으로 도 22에 따른 강도 변동이 사용되는 경우에, 예를 들면, 미리 규정된 조명 패싯(25) 상의 강도의 분포를 나타낸다. 도 19에서 미리 규정된 조명 패싯 (25z) 상의 최대 강도 충돌이 발생하면, 각각의 조명 채널을 통해 할당되고 비교적 낮은 강도의 광원(2)에 의해 충돌되는 전사 패싯(21)이 선택된다.
더 낮은 강도로 조명되는 전사 패싯 그룹(28)이 할당된 미리 규정된 조명 패싯(25)을 통해서 오브젝트 필드(8)를 완전히 조명하도록, 할당된 전사 패싯 그룹(28) 상의 강도 분포에 미리 규정된 조명 패싯(25)을 할당할 수 있다. 그러므로, 전사 패싯 그룹(28) 상의 강도를 고려하면, 전체 오브젝트 필드가 하나의 동일한 미리 규정된 조명 패싯(25)을 통해서 조명되는 조명 채널 할당이 가능하며, 임계 조명 강도는 상기 미리 규정된 조명 패싯(25)에서 초과되지 않는다. 이러한 경우에, 전체가 아니라 복수의 미리 규정된 조명 패싯(25)이 오브젝트 필드(8)의 부분 필드만을 조명하는 것으로 충분할 수 있다. 그러나, 원칙적으로, 실제로 모든 미리 규정된 조명 패싯(25)이 각각의 최대 부분 필드를 조명할 수 있다. 이 경우에, 특히, 퓨필의 소망의 최소 충전도가 유지될 수 있다.
도 24는 강도 곡선(38)의 형태로 오브젝트 필드(8)에 걸친 스캔-통합된 조명 강도의 x-의존성을 나타낸다. 최적화되지 않은 강도 곡선(39)과 비교하여, 도 23에 따른 강도 분포의 경우에, 예를 들면, 스캔-통합된 강도 분포는 오브젝트 필드(8)의 x-좌표에 걸친 의존성을 실질적으로 갖지 않는다.
도 25는 도 23에 따른 미리 규정된 조명 패싯(25) 상의 강도 분포가 얻어지는 조명 퓨필(29)을 나타낸다. y-쌍극자 조명 설정이 이루어진다. 도 25는 x-통합 및 y-스캔-통합 퓨필을 모두 나타낸다.
도 26은 최대 σy-방향 Σy의 영역에서 도 25에 따른 퓨필(29)의 조명 폴(31)을 통한 단면도를 나타낸다. 그 결과 퓨필 좌표 σy에 종속되는 대략적인 파라볼릭 강도 분포(39)가 얻어진다. 여기서, 조명 폴(31)의 σx-크기는 최대값 Σx을 가지며, 강도는 최소이다. 거의 동일한 σy를 갖는 모든 조명 채널에 대해서 스캔 길이 또는 로드 길이를 동일하게 감소시키는 대신에, 도 10 및 도 15에서와 같이, 여기서, 동일한 σy-영역을 조명하는 미리 규정된 조명 패싯(25)이 거의 동일한 강도 밀도를 갖는 전사 패싯 그룹(28)에 의해 조명된다. 양 전략은 ｜σy｜의 함수로서 퓨필의 체계적인, 필드-위치-독립적인 강도 프로파일의 발생에 의한, 열 부하의 감소를 가져 온다. 필요하면, 열 부하는 양 전략의 조합에 의해 더 감소될 수 있다. 또한, 도 8과 관련하여 상기 설명한 전체 스캔 길이 감소와 이들 두 전략을 조합시키는 것이 또한 가능하다.
상기 설명된 이들 2개의 전략의 조합은, 상기 조명 채널의 관련 전사 패싯 그룹의 강도에 반비례하여, 조명 채널의 부분 필드의 스캔 길이를 감소시키는 것이다. 이것은 열 부하의 스파이크를 감소시키고, 동시에 퓨필 조명을 균질화한다. 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)가 퓨필면으로부터 거리를 두고 배열되어 있는 실시형태의 경우에, 퓨필의 조명 강도 분포는 스캔 방향 y에서 더 길고, 덜 집중적으로 조명된 퓨필 로드를 갖고, 이와 비교하여 스캔 방향 y에서 더 짧고 더 집중적으로 조명된 퓨필 로드를 갖는다. 개별 로드형상의 서브퓨필의 집적 강도와 그에 따른 미리 규정된 조명 패싯 상의 열 부하는, 이 조합의 경우에 거의 일정하게 미리 규정될 수 있다.
또는, 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)가 퓨필면에 위치되면, 그 결과, 균등하게 밝은 서브퓨필의 규칙적인 배열 및 미리 규정된 조명 패싯(25)에 대한 일정한 열 부하가 있다.
도 27은 도 23에 따른 미리 규정된 조명 패싯(25) 상의 강도 분포를 나타낸다. 도 23과 대조적으로, 도 27은 조명광이 충돌하지 않는 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)의 다른 미리 규정된 조명 패싯(25)을 또한 나타낸다.
상기 서술된 퓨필(29) 내의 조명 강도 분포를 결정하기 위해서, 즉, 미리 규정된 조명 강도로 조명되는 퓨필 영역을 결정하기 위해서, 또 다른 절차가 채택될 수 있다.
우선, 상기 오브젝트 필드(8)를 조명하고자 하는 조명 각도 분포는 소정의, 즉, 미처리 조명 설정으로도 지정되는, 퓨필(29)에 대한 미처리 강도 분포이다. 그 후, 조명되는 퓨필 영역이 식별되어, 미처리 조명 설정을 형성한다. y-쌍극자 설정의 경우에, 이것은 조명 폴(31, 32)이며, 그 크기 Σx,Σy는 아직 한정되어 있지 않다. 그 후, 식별된 퓨필 영역(31, 32)을 조명하기 위해, 조명 광학 어셈블리(11)의 패싯(21, 25)의 특히, 미리 규정된 조명 패싯 미러(7)의 미리 규정된 조명 패싯(25)의 실제 조명 강도가 확인된다. 이 실제 조명 강도는 패싯들(21, 25)상의 소정의 최대 설정점 조명 강도와 비교된다. 그 후, 예를 들면, 퓨필의 충전도의 확대, 각 퓨필 영역 (29a, 29b, 29c) 내의 강도의 변화, 또는 전사 패싯(21)의 조명 강도를 고려하여 미리 규정된 조명 패싯(25)에 대한 전사 패싯(21) 할당의 재분배에 의해, 패싯(21, 25) 및 특히, 미리 규정된 조명 패싯(25)의 실제 조명 강도의 감소가 발생하며, 상기 실제 조명 강도가 설정점 조명 강도보다 크다.
마이크로 구조의 구성 부품, 특히, 고집적 반도체 구성 부품, 예를 들면, 메모리 칩을 투영 노광 장치(1)를 이용해서 제조하기 위해서, 우선 레티클(12) 및 웨이퍼(19)가 준비된다. 그 후, 레티클(12) 상의 구조물은 투영 노광 장치(1)의 투영 광학 어셈블리에 의해 웨이퍼(19) 상의 감광층에 투영된다. 감광층의 현상에 의해, 마이크로 구조물이 웨이퍼(19) 상에 제조되고, 마이크로 또는 나노 구성 부품이 제조된다.

Claims (19)

  1. 하류 이미징 광학 어셈블리(10)의 오브젝트 필드(8)가 배치될 수 있는 조명 필드를 EUV 광원(2)의 조명광(3)으로 조명하는 투영 리소그래피용 조명 광학 어셈블리(11)로서,
    조명광(3)이 충돌하고, 조명 빔 경로에서 퓨필(29; 37)을 미리 규정된 퓨필 강도 분포로 조명광(3)에 의해 조명하기 위한, 상기 조명 필드에 적어도 부분적으로 중첩되는 조명 채널들을 안내하기 위한 패싯(21, 25)을 갖는 퓨필 조명부(6, 7)를 포함하고,
    상기 퓨필 조명부(6, 7)는, 상기 퓨필 조명부(6, 7)의 복수의 조명 채널이 전체 오브젝트 필드(8)의 일부(36)만을 조명하도록 구현되고,
    상기 퓨필 조명부(6, 7)의 개별 조명 채널들이 오브젝트 변위 방향(y)을 따라서 상기 오브젝트 필드(8)를 부분적으로만 조명하도록 상기 퓨필 조명부(6, 7)의 패싯(21, 25)이 배열되고, 조명 동안 상기 오브젝트 필드(8)를 통해 오브젝트(12)가 변위가능하고,
    적어도 일부 조명 채널들에 대해, 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 따른 상기 오브젝트 필드(8)의 조명된 부분 필드의 크기(yF2)가 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 따른 상기 오브젝트 필드(8)의 총 크기(y0)보다 작은 점이 성립되고,
    상기 퓨필(29; 37)에서, 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 대응하는 퓨필 좌표(σy)의 절대치(｜σy｜)에 의존하는 조명 강도 프로파일이 얻어지고,
    상기 퓨필 좌표(σy)의 제1 절대치의 경우에 제1 조명된 퓨필 영역(29a)의 조명 강도가 상기 퓨필 좌표(σy)의 제2 절대치의 경우에 제2 조명된 퓨필 영역(29b)의 조명 강도와 적어도 20% 다르고, 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 해당하는 상기 퓨필 좌표(σy)의 원점이 상기 조명 광학 어셈블리의 퓨필의 중심에 의해 한정되어, 이에 의해, 원칙적으로 심한 강도 로딩이 있는 상기 퓨필 조명부(6, 7)의 상기 패싯이 상기 패싯에 대한 강도 로딩을 감소시키는 감소된 조명 강도를 상기 퓨필 내에서 생성하는, 조명 광학 어셈블리.
  2. 하류 이미징 광학 어셈블리(10)의 오브젝트 필드(8)가 배치될 수 있는 조명 필드를 EUV 광원(2)의 조명광(3)으로 조명하는 투영 리소그래피용 조명 광학 어셈블리(11)로서,
    조명광(3)이 충돌하고, 조명 빔 경로에서 퓨필(29; 37)을 미리 규정된 퓨필 강도 분포로 조명광(3)에 의해 조명하기 위한, 상기 조명 필드에 적어도 부분적으로 중첩되는 조명 채널들을 안내하기 위한 패싯(21, 25)을 갖는 퓨필 조명부(6, 7)를 포함하고,
    상기 퓨필 조명부(6, 7)는, 상기 퓨필 조명부(6, 7)의 복수의 조명 채널이 전체 오브젝트 필드(8)의 일부(36)만을 조명하도록 구현되며,
    원하는 조명각 분포 내에 있는 방향들로부터의 조명을 미리 규정하기 위한 상기 조명 채널들 중 하나에 의해 조명될 수 있는 상기 오브젝트 필드의 최대 부분 필드의 크기가, 상이한 조명 채널들에 할당되는 최대 부분 필드들의 크기들을 비교할 때, 10배 초과만큼 상이하여, 이에 의해, 원칙적으로 심한 강도 로딩이 있는 상기 퓨필 조명부(6, 7)의 상기 패싯이 상기 패싯에 대한 강도 로딩을 감소시키는 감소된 조명 강도를 상기 퓨필 내에서 생성하는, 조명 광학 어셈블리.
  3. 하류 이미징 광학 어셈블리(10)의 오브젝트 필드(8)가 배치될 수 있는 조명 필드를 EUV 광원(2)의 조명광(3)으로 조명하는 투영 리소그래피용 조명 광학 어셈블리(11)로서,
    조명광(3)이 충돌하고, 조명 빔 경로에서 퓨필(29; 37)을 미리 규정된 퓨필 강도 분포로 조명광(3)에 의해 조명하기 위한, 상기 조명 필드에 적어도 부분적으로 중첩되는 조명 채널들을 안내하기 위한 패싯(21, 25)을 갖는 퓨필 조명부(6, 7)를 포함하고,
    상기 퓨필 조명부(6, 7)는, 상기 퓨필 조명부(6, 7)의 복수의 조명 채널이 전체 오브젝트 필드(8)의 일부(36)만을 조명하도록 구현되며,
    상기 퓨필 조명부(6, 7)의 개별 조명 채널들이 오브젝트 변위 방향(y)을 따라서 상기 오브젝트 필드(8)를 부분적으로만 조명하도록 상기 퓨필 조명부(6, 7)의 패싯(21, 25)이 배열되고, 조명 동안 상기 오브젝트 필드(8)를 통해 오브젝트(12)가 변위가능하고,
    모든 조명 채널에 대해, 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 따른 상기 오브젝트 필드(8)의 조명된 부분 필드의 크기(yF2)가 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 따른 상기 오브젝트 필드(8)의 총 크기(y0)보다 작은 점이 성립되고,
    복수의 조명 채널에 대해서, 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 따른 상기 오브젝트 필드(8)의 상기 조명된 부분 필드의 크기(yF2)와 상기 오브젝트 필드(8)의 총 크기(y0) 사이의 개별 비율(yF2/y0)이, 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 따른 상기 조명된 부분 필드의 크기와 상기 오브젝트 필드(8)의 총 크기 사이의, 모든 조명 채널들에 대해서 평균을 낸 평균 비율((yF2/y0)평균)로부터 20% 미만으로 벗어나는 점이 성립되어, 이에 의해, 원칙적으로 심한 강도 로딩이 있는 상기 퓨필 조명부(6, 7)의 상기 패싯이 상기 패싯에 대한 강도 로딩을 감소시키는 감소된 조명 강도를 상기 퓨필 내에서 생성하는, 조명 광학 어셈블리.
  4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 퓨필 조명부(6, 7)의 개별 조명 채널들이 오브젝트 변위 방향(y)을 따라서 상기 오브젝트 필드(8)를 부분적으로만 조명하도록 상기 퓨필 조명부(6, 7)의 패싯(21, 25)이 배열되고, 조명 동안 상기 오브젝트 필드(8)를 통해 오브젝트(12)가 변위가능하고,
    적어도 일부 조명 채널들에 대해, 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 따른 상기 오브젝트 필드(8)의 조명된 부분 필드의 크기(yF2)가 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 따른 상기 오브젝트 필드(8)의 총 크기(y0)보다 작은 점이 성립되고,
    상기 퓨필(29; 37)에서, 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 대응하는 퓨필 좌표(σy)의 절대치(｜σy｜)에 의존하는 조명 강도 프로파일이 얻어지고,
    상기 퓨필 좌표(σy)의 제1 절대치의 경우에 제1 조명된 퓨필 영역(29a)의 조명 강도가 상기 퓨필 좌표(σy)의 제2 절대치의 경우에 제2 조명된 퓨필 영역(29b)의 조명 강도와 적어도 20% 상이한 것을 특징으로 하는, 조명 광학 어셈블리.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 퓨필 조명부(6, 7)는
    개별적으로 기울어질 수 있는 다수의 개별 미러(21)를 포함하는 제1 패싯 미러(6); 및
    서로 나란히 배열되고, EUV 조명광(3)의 빔의 부분 빔들을 상기 오브젝트 필드(8)에 반사 및 중첩시켜 안내하는 역할을 하는, 개별적으로 기울어질 수 있는 복수의 패싯(25)을 포함하는 추가의 패싯 미러(7)를 포함하고,
    상기 제1 패싯 미러(6)는 상기 오브젝트 필드(8)에 대해서 켤레가 되는 필드 면에 또는 그 근방에 배열되고,
    상기 추가의 패싯 미러(7)는 상기 조명 광학 어셈블리(11)의 퓨필면(30)으로부터 거리를 두고 배치되고,
    각각의 경우에 상기 추가의 패싯 미러(7)의 추가의 패싯(25)을 조명하는 상기 제1 패싯 미러(6)의 패싯들이 가상의 패싯 그룹들(28)을 형성하도록 그룹화될 수 있는 것을 특징으로 하는, 조명 광학 어셈블리.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 퓨필 조명부(6, 7)는
    개별적으로 기울어질 수 있는 다수의 개별 미러(21)를 포함하는 제1 패싯 미러(6); 및
    서로 나란히 배열되고, EUV 조명광(3)의 빔의 부분 빔들을 상기 오브젝트 필드(8)에 반사 및 중첩시켜 안내하는 역할을 하는 복수의 퓨필 패싯(25)을 포함하는 퓨필 패싯 미러(7)를 포함하고,
    상기 퓨필 패싯 미러(7)는, 상기 퓨필 패싯 미러(7) 상의 각각의 퓨필 패싯(25)의 위치가 상기 오브젝트 필드(8)의 필드 포인트들에 대한 조명 방향을 미리 규정하도록, 상기 조명 광학 어셈블리(11)의 퓨필면(30)에 배치되며,
    각각의 경우에 퓨필 패싯(25)을 조명하는 상기 제1 패싯 미러(6)의 패싯들(21)이 가상의 제1 패싯 그룹들(28)을 형성하도록 그룹화될 수 있는 것을 특징으로 하는, 조명 광학 어셈블리.
  7. 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,
    상기 가상의 패싯 그룹들(28)은 부분 필드(35, 36)를 조명하도록 설계되고, 상기 조명 광학 어셈블리(11)에 의해 조명되는 오브젝트(12)의 오브젝트 변위 방향(y)의 적어도 일부의 부분 필드들(36)의 크기(yF2)가 상기 오브젝트 변위 방향(y)의 전체 오브젝트 필드(8)의 크기(y0)보다 작은 것을 특징으로 하는, 조명 광학 어셈블리.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 가상의 패싯 그룹들(28)은 부분 필드(35, 36)를 조명하도록 설계되어 있고, 상기 부분 필드(35, 36)에서 상기 조명 광학 어셈블리(11)에 의해 조명되는 오브젝트(12)의 오브젝트 변위 방향(y)의 크기(yF1, yF2)가 20%를 초과하여 상이한 것을 특징으로 하는, 조명 광학 어셈블리.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 퓨필(29; 37)에서 동일한 좌표(σx)에서 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 직교하게(x) 위치하는 조명 퓨필(29)의 영역들을 조명하는 상기 가상의 패싯 그룹들(28)이, 상기 오브젝트 변위 방향(y)에서 동일한 크기(yF1; yF2)를 갖는 부분 필드(35; 36)를 조명하도록 설계되어 있는 것을 특징으로 하는, 조명 광학 어셈블리.
  10. 청구항 1 내지 청구항 3, 청구항 5 및 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 오브젝트 필드(8)의 상이한 필드 포인트들에 대해 상기 퓨필(29; 37)에 걸쳐 상이한 퓨필 강도 분포들을 얻도록 상기 퓨필 조명부(6, 7)가 배치되고 설계되는 것을 특징으로 하는, 조명 광학 어셈블리.
  11. 청구항 1에 기재된 조명 광학 어셈블리(11) 내에서 상이한 조명 강도들로 조명되는 퓨필 영역들을 결정하는 방법으로서,
    상기 오브젝트 필드(8)를 조명하기 위해 요구되는 조명 각도 분포, 즉 상기 퓨필(29)에 대한 조명광(3)의 미처리(raw) 강도 분포를 미리 규정하는 단계;
    상기 미처리 강도 분포를 형성하는, 조명될 퓨필 영역들을 식별하는 단계;
    상기 식별된 퓨필 영역들을 조명하기 위해 퓨필 조명부(6, 7)의 패싯들(25)의 실제 조명 강도를 확인하는 단계;
    상기 실제 조명 강도를 미리 규정된 최대 설정점 조명 강도와 비교하는 단계; 및
    실제 조명 강도가 상기 최대 설정점 조명 강도보다 큰 상기 패싯들(25) 상에서의 상기 실제 조명 강도를 감소시키는 단계를 포함하는, 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    청구항 5에 기재된 조명 광학 어셈블리(11) 내에서,
    상기 추가의 패싯 미러(7)의 상기 추가의 패싯들(25) 상의 실제 조명 강도가, 조명 채널들을 통해 상기 추가의 패싯들(25)에게 할당된 상기 제1 패싯 미러(6)의 제1 패싯들(21)의 선택에 의해 감소되고, 상기 선택된 제1 패싯들(21)은, 최대치가 상기 최대 설정점 조명 강도에 대응하는 제2 패싯들(25) 상의 실제 조명 강도가 되는 상기 조명광(3)의 실제 조명 강도를 안내하는, 방법.
  13. 청구항 11에 있어서,
    청구항 5에 기재된 조명 광학 어셈블리 내에서,
    상기 추가의 패싯 미러(7)의 상기 추가의 패싯들(25) 상의 실제 조명 강도는 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 따라서 상기 오브젝트 필드(8)의 부분 조명에 의해 감소되고, 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 따른 상기 오브젝트 필드(8)의 전체 크기(y0)에 대한 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 따른 상기 오브젝트 필드(8)의 조명된 부분 필드의 크기(yF2)의 비율((yF2)/(y0))은, 상기 최대 설정점 조명 강도의 오버슈팅을 상기 비율((yF2)/(y0))이 상기 추가의 패싯(25)상의 실제 조명 강도만큼 보상하도록 선택되므로, 상기 조명된 부분 필드의 크기(yF2)의 감소 후, 최대치가 상기 최대 설정점 조명 강도에 대응하는 상기 추가의 패싯들(25) 상의 실제 조명 강도를 얻는, 방법.
  14. 청구항 1 내지 청구항 3, 청구항 5 및 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 조명 광학 어셈블리 및 상기 오브젝트 필드(8)를 이미지 필드(17)에 이미징하는 투영 광학 어셈블리(10)를 포함하는, 광학 시스템.
  15. 청구항 1에 기재된 조명 광학 어셈블리 및 광원(2)을 포함하는 조명 시스템.
  16. 청구항 15에 있어서,
    청구항 6에 기재된 조명 광학 어셈블리를 사용하되,
    20%를 초과하여 상이한 조명광 강도들이 상기 제1 패싯 미러(6) 상에 충돌하는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템.
  17. 투영 노광 장치로서,
    청구항 14에 기재된 광학 시스템; 및
    광원(2)을 포함하는, 투영 노광 장치.
  18. 마이크로 구조의 부품을 제조하는 방법으로서,
    레티클(12)을 제공하는 단계;
    조명광(3)에 민감한 코팅을 갖는 웨이퍼(19)를 제공하는 단계;
    상기 레티클(12)의 적어도 하나의 섹션을 청구항 17에 기재된 투영 노광 장치(1)를 사용하여 상기 웨이퍼(19)에 투영하는 단계; 및
    상기 웨이퍼(19) 상에서 조명광(3)으로 노광된 감광층을 현상하는 단계를 포함하는, 방법.
  19. 삭제
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