KR102611719B1 - 동공 패싯 미러 - Google Patents

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칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
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Abstract

본 발명의 목적은 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛을 위한 동공 패싯 미러를 개선하는 것이다. 본 발명의 핵심은 상이한 사이즈의 동공 패싯(29)을 갖는 동공 패싯 미러(20)를 형성하는 것이다. 동공 패싯(29)은 특히 상이한 형태를 가질 수 있다. 적어도 동공 패싯의 서브세트는 불규칙한 형태를 가질 수 있다. 이들은 특히 상이한 길이의 측면 에지를 갖는다. 이들은 특히 불규칙한 다각형의 형태를 갖는다.

Description

동공 패싯 미러
독일 특허 출원 DE 10 2015 209 175.9의 내용은 본 명세서에 참조로서 통합된다.
본 발명은 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛을 위한 동공 패싯 미러에 관한 것이다. 본 발명은 또한 동공 패싯 미러의 설계를 결정하기 위한 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상응하는 동공 패싯 미러를 갖는 투영 노광 장치를 위한 조명 광학 유닛, 이러한 조명 광학 유닛을 갖는 광학 시스템 및 조명 시스템 및 상응하는 조명 광학 유닛을 갖는 투영 노광 장치에 관한 것이다. 최종적으로, 본 발명은 마이크로구조화된 부품 또는 나노구조화된 부품을 제조하는 방법 및 상기 방법에 따라 제조된 부품에 관한 것이다.
패싯 미러를 갖는 조명 광학 유닛은 예컨대 US 2011/0001947 Al, US 2013/0335720 Al 및 US 6,859,328 B2로부터 알려져 있다.
본 발명의 목적은 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛의 동공 패싯 미러를 개선하는 것이다. 본 목적은 청구항 1에 따른 동공 패싯 미러에 의해 성취된다.본 발명의 요점은 상이한 사이즈의 동공 패싯을 갖는 동공 패싯 미러를 형성하는 것이다. 동공 패싯은 특히 상이한 형태를 가질 수 있다. 동공 패싯의 적어도 서브 세트는 불큐칙한 형태를 가질 수 있다. 이것은 특히 상이한 길이의 측면 에지를 갖는다. 이것은 특히 불규칙한 다각형의 형태를 가질 수 있다.
n각형(n-gon)으로 동공 패싯을 형성하는 경우, 즉, n개의 모서리의 반사면을 형성할 경우, 반사면의 형태는 m-겹(fold) 회전 대칭을 가지며, 여기서 m < n이다. 반사면의 형태는 특히 단순히 통상적인(trivial) 1겹 회전 대칭을 갖는다. 6각형 동공 패싯의 경우, 상기 형태는 특히 1겹, 2겹 또는 3겹 회전 대칭을 가질 수 있다.
본 발명의 일 측면에 있어서, 이러한 불규칙한 형태를 갖는 동공 패싯들의 서브 세트는 동공 패싯의 특히 적어도 10%, 특히 적어도 20%, 특히 적어도 30%, 특히 적어도 40%, 특히 적어도 50%, 특히 적어도 60%, 특히 적어도 70%, 특히 적어도 80%, 특히 적어도 90%를 포함한다. 불규칙한 형태를 갖는 모든 동공 패싯을 형성하는 것도 가능하다. 또한, 불규칙한 형태를 갖는 동공 패싯의 수에 대한 상한을 정하는 것이 가능하다. 상한은 예를 들어 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 20% 또는 10% 일 수있다.
본 발명에 따르면, 동공 패싯 미러의 패싯의 과노광은 스폿 형태, 즉, 동공 패싯 미러의 패싯 상의 제 1 패싯 미러의 패싯에 의해 생성된 방사선원의 이미지의 형태에 동공 패싯의 형태 및/또는 사이즈를 적응시킴으로써 감소, 특히 최소화, 특히 회피될 수 있는 것이 인지되었다. 이것은 조명 시스템의 트랜스미션이 최대화되는 것을 허용한다. 이런 식으로 조명 시스템의 안정도를 특히 동작 동안 가능한 드리프트에 관하여 개선하는 것이 가능하다.
동공 패싯 미러이라는 용어는 주로 필드 패싯 미러로도 지칭되는 조명 방사선의 빔의 경로의 전방에 배열된 조명 광학 유닛의 제 1 패싯 미러와 구분되는 역할을 한다. 제 1 패싯 미러는 바람직하게 오브젝트 필드와 켤레인 조명 광학 유닛의 필드 평면에 배치된다. 그러나, 또한 그러한 필드 평면으부터 떨어져 배열될 수도 있다. 바람직하게는 대응하는 필드 평면 근방에 배열된다.
일반적으로 제 2 패싯 미러로 지칭되는 동공 패싯 미러는 바람직하게는 조명 광학 유닛의 동공 평면에 배열된다. 또한, 이러한 동공 평면으로부터 떨어져서 배열될 수도 있다. 그러나 바람직하게는 동공에 인접하게 배치된다. 동공 인접이라는 용어의 보다 정확하고 정량적인 정의에 대해서는 DE 10 2012 216 502 A1가 참고되어야 한다.
동공 패싯으로 지칭되는 동공 패싯 미러의 미러 소자는 특히 확고하게 배열된다. 미러 소자를 변위시키기 위한 작동 메커니즘은 요구되지 않는다. 결과적으로 동공 패싯 미러의 구조는 상당히 단순화된다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 동공 패싯 미러의 적어도 2개의 미러 요소의 사이즈는 적어도 1.05, 특히 적어도 1.1, 특히 적어도 1.15, 특히 적어도 1.2의 팩터만큼 상이하다. 미러 소자의 사이즈는 여기서 그 반사면의 면적 내용을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 미러 소자의 사이즈는 바람직하게는 최대 2, 특히 최대 1.5, 특히 최대 1.3의 팩터만큼 상이하다.
동공 패싯 미러의 미러 소자는 특히 다각형의 개별 반사면을 갖는다. 인접한 미러 소자는 바람직하게 서로 평행하게 나아가는 측면 에지를 갖는 반사면을 갖는다. 특히, 인접한 2개의 미러 소자 중 서로 인접하게 나아가는 측면 에지는 평행하게 나아간다. 이것은 동공 패싯 미러의 충전도가 증가되게 한다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 동공 패싯 미러는 높은 충전도를 갖는다. 충전도는 집적도로도 지칭된다. 특히 적어도 0.7°, 특히 적어도 0.8°, 특히 적어도 0.9°이다. 고 충전도는 트랜스미션 손실을 줄이는, 특히 회피하는 효과가 있다.
본 발명의 추가 측면에 따르면, 미러 소자의 개별 반사면은 각각의 경우에 측면 에지들 중 적어도 하나의 평행 변위에 의해 특히 최대 12개의 특히 최대 10개의, 특히 최대 8개의, 특히 최대 6개의 측면 에지를 갖는, 최대 5개의, 특히 최대 4개의, 특히 최대 3개의, 특히 최대 2개의 상이한 기본 형태로부터 선택된 기본 형태로부터 각각 얻어질 수 있고 이로부터 전개하거나 전개된 형태를 각각의 경우에 갖는다. 특히, 모든 개별 반사면이 적어도 하나의 측면 에지의 평행 변위에 의해 동일한 형태로부터 각각 전개하는 형태를 가질 수 있다.
원 호형 단면 형상 에지를 갖는 볼록한 기본 형태, 특히 다각형 또는 일반적으로 다각형이 기본 형태로 사용된다. 특히, 등변다각형, 특히 정다각형은 기본 형태로 사용될 수 있다. 다각형은 특히 삼각형, 직사각형, 오각형, 육각형 또는 팔각형 일 수 있다. 기본 형태는 특히, 평면이 그와 파케트(parquet)될 수 있도록 선택된다. 이것은 평면의 일반적인 파케팅(parqueting)의 형태 또는 특히 반정(demiregular), 준정(semiregular) 또는 정 파케팅의 형태를 취할 수 있다.
개별 반사면의 형태는 에지에 수직인 개별 중심의 방향으로 또는 아치형(arcuate) 에지의 경우에, 그 2개의 코너 지점에 접하는 라인을 통해 수직인 중심의 방향으로 하나 이상의 그 에지의 변위로 전개한다. 다시 말해서, 기본 형태의 내각은 변위 동안 유지된다. 결과적으로, 한 편으로, 동공 패싯 미러의 설계가 용이해진다. 또한, 동공 패싯의 생성 및/또는 처리가 결과적으로 용이해진다. 개별 미러들간의 원치 않는 공극의 발생이 결과적으로 회피될 수 있다.
미러 소자들 중 하나 미러 소자의 하나의 에지의 변위는 동시에 인접 미러 소자의 인접 에지의 변위를 야기할 수 있다. 이것은 이하에서 더욱 상세히 기재될 것이다.
본 발명의 추가 측면에 있어서, 개별 반사면들의 적어도 일부는 육각형으로 형성된다. 특히, 모든 개별 반사면이 육각형으로 형성되는 것이 고려될 수 있다. 개별 반사면의 육각형 형상은 실질적으로 임의의 갭 없이 파케팅이 만들어지는 것을 가능하게 한다.
개별 반사면의 내각은 특히 각각의 경우에 120°일 수 있다. 대안도 가능하다. 예를 들어, 개별 반사면은 또한 평행 사변형의 형태로 형성될 수 있다. 평행 사변형과 오각형 같은 다른 형태의 조합도 가능하다.
본 발명의 추가 측면에 있어서, 미러 소자는 직사각형 그리드, 특히 6각형 그리드의 그리드 지점 상에 배열된다. 미러 소자는 특히, 적응 전에 그 반사면의 기하학적 중심이 직사각형 육각형 그리드의 그리드 지점에 놓이도록 배열된다.
대안적인 실시예에 있어서, 미러 소자는, 적응 전에 그 반사면의 기하학적 중심이 일 방향을 따라 체계적으로(systematically) 왜곡된 그리드, 특히 일 방향을 따라 체계적으로 왜곡된 육각형 그리드의 그리드 지점에 놓이도록 배열된다.
다시 말해서, 동공 패싯은 특히 원의 가장 밀집된 패킹, 즉, 6각형 그리드를 기초로 동공 패싯 미러 상에 배열된다. 스폿 형태에 대한 동공 패싯의 적응을 위해, 서로 평행하는 측면 에지들의 페어링된 변위에 의해 이러한 배열을 기초로 인접한 동공 패싯의 형태 및 사이즈를 변경하는 것이 특히 구상될 수 있다. 이것은 이하에서 더 상세히 기재될 것이다.
본 발명의 일 측면에 있어서, 특히, 개별 반사면의 사이즈는 인접 개별 반사면의 페어링된 개별 변형 및/또는 동공 패싯 미러 상의 미러 소자의 위치에 따른 체계화된 스케일링(systematic scaling)을 갖는 것이 규정된다.
개별 반사면의 사이즈의 체계화된 스케일링은 오브젝트 평면에 평행하게 나아가는 평면에 관한 동공 패싯 미러의 경사가 고려되는 것을 허용한다. 체계화된 스케일링은 특히 미러 소자의 개별 반사면의 기본 형태에 관한 것이다.
왜곡 방향을 따르는 개별 반사면들 중 하나의 사이즈(L)는 특히 이하의 견적(estimate)을 특징으로 할 수 있다: 0.9(d/dref)²≤L:Lref≤1.1(d/dref)², 특히 0.95(d/dref)²≤L:Lref≤1.05(d/dref)², 특히 0.97(d/dref)²≤L:Lref≤ 1.03(d/dref)², 특히 0.99(d/dref)²≤L:Lref≤1.01(d/dref)², 특히 0.995(d/dref)²≤L:Lref≤1.005(d/dref)². 여기서, d는 레티클로부터 개별 패싯의 거리, 특히 광학 경로를 표시한다. Lref 및 dref는 임의의 원하는 기준 패싯, 예컨대 최소 패싯을 표시한다.
자체적인 개별 반사면의 특정 형태는 인접한 개별 반사면의 페어링된 개별 변형에 영향받을 수 있다. 본 발명에 따라 제공된 인접한 미러 소자의 2개의 평행 에지의 변위는 특히, 하나의 미러 소자의 개별 반사면의 사이즈가 개별적으로 다른 미러 소자의 개별 반사면의 사이즈를 희생하여 증가되는 효과를 갖는다. 결과적으로, 트랜스미션에서의, 특히 트랜스미션의 극대화에 있어서의 개선이 가능하다.
본 발명의 추가 목적은 동공 패싯 미러의 설계를 결정하기 위한 방법을 개선하는 것이다. 이러한 목적은 이하의 단계를 포함하는 방법에 의해 성취된다:
특히, 청구항 1에 따라, 동공 패싯 미러의 미러 소자의 개별 반사면의 형태에 대한 최대 12개의 측면 에지를 갖는 최대 5개의 상이한 기본 형태의 그룹으로부터 선택된 기본 형태를 규정하는 단계,
트랜스미션 및/또는 시스템 안정도를 개선하기 위해 개별 반사면의 사이즈 및/또는 형태를 적응시키는 단계,
개별 반사면의 사이즈 및/또는 형태의 적응을 위하여 제공되는 인접한 개별 반사면의 페어링된 개별 변형 및/또는 체계화된 스케일링.
개별 반사면의 사이즈 및/또는 형태의 적응은 트랜스미션 및/또는 시스템 안정도가 개선되는 것을 허용한다.
인접한 개별 반사면의 페어링된 변형은, 특히, 상기 기재와 같이, 그 측면 에지들 중 하나를 변위하여 인접 개별 반사면의 사이즈를 희생하여 개별 반사면의 사이즈가 증가되는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 추가 측면에 있어서, 개별 반사면의 사이즈의 적응을 위하여 짝을 지어 인접 미러 소자의 평행 에지를 변위하는 것이 구상된다. 다른 미러 소자는 이것에 의해 변하지 않고 각각 유지될 수 있다.
본 발명의 추가 측면에 있어서, 조명 광학 유닛의 미러 장치의 배열 및/또는 개별 반사면의 영역의 조명 방사선의 강도 분포에 개별 반사면의 사이즈의 적응을 고려하는 것이 구상된다.
본 발명에 따르면, 컬렉터의 이미징 특성, 및 컬렉터상의 가능한 스펙트럼 필터링 표면 구조는 방사선 소스의 이방성으로 인해, 특히 플라즈마의 이방성으로 인해 동공 패싯 미러상의 조명 스폿의 타원율을 유발할 수 있는 것이 인지되었다. 이것은 원거리 필드에 걸쳐 조명 스폿의 배향을 특히 변경하는 것을 포함할 수 있다. 조명 스폿의 위치, 사이즈 및 형태는 시뮬레이션에 의해 또는 실험적으로 결정될 수 있다. 특히, 이것은 방사선원 및/또는 조명 광학 유닛의 데이터로부터 결정, 특히 계산될 수 있다.
동공 패싯의 배열을 위한 그리드의 왜곡은 오브젝트 평면에 평행한 평면에 대해 동공 패싯 미러의 경사진 배열에 의해 야기될 수 있다는 것도 인지되었다. 이것은 동공 패싯 미러의 설계에서 고려될 수 있다.
또한, 본 발명의 목적은 투영 노광 장치를 위한 조명 광학 유닛, 투영 노광 장치를 위한 조명 시스템, 투영 노광 장치를 위한 광학 시스템 및 상응하는 투영 노광 장치를 개선하는 것이다.
이들 목적은 각각 상기 설명에 따른 동공 패싯 미러에 의해 성취된다.
장점은 동공 패싯 미러의 장점으로부터 명백하다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, EUV 방사선원, 즉 EUV 범위의, 특히 5nm 내지 30mm의 파장 범위의 조명 방사선을 방출하는 방사선원이 방사선원으로서 작용한다.
본 발명의 또 다른 목적은 마이크로구조화된 또는 나노구조화된 부품을 제조하고 그러한 부품을 개선하는 방법을 개선하는 것이다. 이러한 목적은 본 발명에 따른 투영 노광 장치를 제공함으로써 성취된다. 장점은 상기 기재된 장점으로부터 명백하다.
이 부품은 매우 높은 구조적 해상도(resolution)으로 생산될 수 있다. 이러한 방식으로, 예를 들어, 매우 높은 집적 또는 저장 밀도를 갖는 반도체 칩을 제조하는 것이 가능하다.
본 발명의 다른 장점, 세부사항 및 상세는 도면을 참조한 예시적인 실시 예의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 EUV 투영 리소그래피용 투영 노광 장치의 자오 단면을 개략적으로 도시한다.
도 2 및 도 3은, 모놀리식 필드 패싯으로 구현할 수 있지만, 각 경우에 복수의 개별 미러로부터 구성되는 필드 패싯을 또한 가질 수 있는 필드 패싯 미러의 배열 변형을 도시한다.
도 4는, 필드 패싯 미러와 함께, 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛의 일부분인 동공 패싯 미러의 평면도를 개략적으로 도시한다.
도 5는 도 4에 도시된 동공 패싯 미러의 경우에 사용될 수 있는 동공 패싯, 필드 패싯들 중 정확히 하나에 의해 상기 동공 패싯 상에 충돌하는 조명 광의 부분 빔의 에지 컨투어의 변형의 예시적인 실시예를 도시하며, 여기서, 규정된 조명 채널은 상기 동공 패싯 상에 제시되고, 광원의 이미징 동안 관련된 필드 패싯 상의 상이한 지점으로부터 발산하는 조명 광 서브빔의 필드 의존적 중심 프로파일은 조명 광 부분 빔의 에지 컨투어에 더하여 제시된다.
도 6은 오브젝트 필드 평면에 평행하는 평면에 관하여 동공 패싯 미러의 경사에 의해 유도된 동공 패싯 미러의 등거리 방향의 오브젝트 필드 지점의 뷰포인트로부터의 시스템 왜곡을 설명하기 위하여 조명 광학 유닛ㅇ듸 빔 경로의 상세의 개략도를 도시한다.
도 7은 본 발명에 따라 제공되는 인접한 개별 반사면의 사이즈의 페어링된 개별 변형을 설명하기 위한 개략도를 도시한다.
도 8은 대안적인 실시예에 따른 동공 패싯 미러의 부분 영역의 평면도를 개략적으로 도시한다.
도 1은 마이크로리소그래피 투영 노광 장치(1)의 자오 단면을 개략적으로 도시한다. 투영 노광 장치(1)는 광 또는 방사선원(2)을 포함한다. 투영 노광 장치(1)의 조명 시스템(3)은 오브젝트 평면(6)의 오브젝트 필드(5)와 조명 필드를 노광하기 위한 조명 광학 유닛(4)을 갖는다.
조명 필드는 또한 오브젝트 필드(5)보다 더 클 수 있다. 이러한 경우에, 오브젝트 필드(5)에 의해 배열되고 오브젝트 또는 레티클 홀더(8)에 의해 홀딩되는 레티클(7)의 형태인 오브젝트가 노출된다. 레티클(7)은 리소그래피 마스크로도 지칭된다. 오브젝트 홀더(8)는 오브젝트 변위 드라이브(9)에 의해 오브젝트 변위 방향을 따라 변위가능하다. 상당히 개략적으로 도시되는 투영 광학 유닛(10)은 오브젝트 필드(5)를 이미지 평면(12)의 이미지 필드(11)로 이미징하기 위한 역할을 한다. 레티클(7) 상의 구조는 이미지 평면(12)의 이미지 필드(11)의 영역에 배열되는 웨이퍼(13)의 감광성 층상에 이미징된다. 웨이퍼(13)는 웨이퍼 홀더(14)에 의해 유지된다. 웨이퍼 홀더(14)는 웨이퍼 변위 드라이브(15)에 의해 오브젝트 홀더(8)와 함께 오브젝트 변위 방향에 평행하게 변위가능하다.
방사선원(2)은 5nm와 30nm 사이의 범위에서 방출되고 사용된 방사선을 갖는 EUV 방사선원이다. 이는 예컨대 GDPP(Gas Discharge-Produced Plasma) 소스나 LPP(Laser-Produced Plasma) 소스와 같은 플라즈마 소스일 수 있다. 싱크로트론 또는 자유 전자 레이저(FEL)에 기초한 방사선원이 또한 방사선원(2)으로 사용될 수 있다. 그러한 방사선원에 대한 정보는 예컨대 US 6,859,515 B2로부터 당업자가 알 수 있다. 방사선원(2)으로부터 유래한 EUV 방사선(16), 특히 오브젝트 필드(5)를 조명하는 사용 조명 광은 집광기(17)에 의해 집속된다. 대응하는 집광기가 EP 1 225 481 A로부터 알려져 있다. 집광기(17)의 하류에, EUV 방사선(16)은, 필드 패싯 미러(19)에 입사되기 전 중간 초점 평면(18)의 중간 초점(18a)을 통해 전파한다. 필드 패싯 미러(19)는 조명 광학 유닛(4)의 제 1 패싯 미러이다. 필드 패싯 미러(19)는, 도 1에서 매우 개략적으로 도시되는 복수의 반사 필드 패싯(25)을 포함한다.
필드 패싯 미러(19)는, 오브젝트 평면(6)에 대해 광학적으로 켤레 관계인 조명 광학 유닛(4)의 필드 평면에 배열된다.
EUV 방사선(16)은 조명 방사선으로서, 조명 광으로서 또는 이미징 광으로서 이하에서 지칭될 것이다.
필드 패싯 미러(19)의 하류에, EUV 방사선(16)이 동공 패싯 미러(20)에 의해 반사된다. 동공 패싯 미러(20)는 조명 광학 유닛(4)의 제 2 패싯 미러이다. 동공 패싯 미러(20)는 조명 광학 유닛(4)의 동공 평면에 배열되며, 이는 중간 초점 평면(18)에 대해 그리고 조명 광학 유닛(4)의 그리고 투영 광학 유닛(10)의 동공 평면에 대해 광학적으로 켤레 관계이거나 이러한 동공 평면에 일치한다. 동공 패싯 미러(20)는, 도 1에 상당히 개략적으로 도시된 복수의 반사 동공 패싯을 갖는다. 동공 패싯(29)은 개별 반사면으로도 지칭되는 반사면(33)을 각 경우에 갖는다. 명료하게, 반사면(33) 그 자체는 동공 패싯(29)으로 지칭된다. 동공 패싯 미러(20) 및 빔 경로 순으로 22, 23 및 24로 표시된 미러를 갖는 전달 광학 유닛(21)의 형태인 하류(downstream) 이미징 광학 어셈블리의 동공 패싯(29)는, 필드 패싯 미러(19)의 필드 패싯이 오브젝트 필드(5)에 이미징하도록 사용되어 서로 중첩된다. 전달 광학 유닛(21)의 마지막 미러(24)는 그레이징 입사 미러이다. 조명 광학 유닛(4)의 구성에 따라, 전체적으로 또는 부분적으로 전달 광학 유닛(21)을 생략하는 것이 또한 가능하다.
오브젝트 필드(5)의 x-치수보다 큰 절대 x-값을 향하여, 예를 들어 오브젝트 평면(6)에서 가이드되는 조명 광(16)은 상응하는 광학 유닛(미도시)을 사용하여, 복수의 에너지 또는 선량(dose) 센서로 가이드될 수 있다(이들 중 하나의 선량 센서(24a)가 도 1에 개략적으로 도시된다). 선량 센서(24a)는 도시되지 않은 방식으로 중앙 제어 장치(24b)와 신호 연결되어 있다. 선량 센서(24a)는 광원(2) 및/또는 오브젝트 변위 드라이브(9) 및/또는 웨이퍼 변위 드라이브(15)를 제어하기 위해 입력 신호를 생성한다. 그렇게 함으로써, 먼저, 광원(2)의 출력을 적응시키고 및/또는 다음으로 스캐닝 속도를 적응시킴으로써 이미지 필드(11)의 웨이퍼(13)의 노광의 선량 적응을 성취하는 것이 가능하다.
제어 장치(24b)는 그 중에서도, 필드 패싯 미러(19)의 필드 패싯(25)에 대한 경사 액추에이터와 신호 연결되어 있다.
위치 관계의 기재를 간략히 하기 위해, 도 1은, 오브젝트 평면(6)과 이미지 평면(12) 사이에서 투영 노광 장치(1)의 구성요소의 위치 관계의 기재를 위한 글로벌 좌표 시스템으로서 직교 xyz-좌표계를 나타낸다. x-축은 도 1에서 도면의 평면 내로 이에 수직으로 연장한다. 도 1에서, y-축은 오브젝트 홀더(8)와 웨이퍼 홀더(14)의 변위 방향에 우측으로 이에 평행하게 연장한다. z-축은 도 1의 아래 방향, 즉 오브젝트 평면(6)과 이미지 평면(12)에 수직으로 연장한다.
오브젝트 필드(5)나 이미지 필드(11)에 대한 x-치수를 또한 필드 높이라고 한다. 오브젝트 변위 방향은 y-축에 평행하게 연장한다.
추가 도면에서, 국부적인 직교 xyz-좌표계를 나타낸다. 국부적인 좌표계의 x-축은 도 1에 따른 글로벌 좌표계의 x-축에 평행하게 연장한다. 국부적인 좌표계의 xy-평면은 도면에서 각각 제공된 소자의 배열 평면을 표시한다. 국부적인 좌표계의 y- 및 z-축은 그에 따라 특정 각도까지 각 x-축에 대해 경사져 있다.
도 2 및 도 3은 필드 패싯 미러(19)에 대한 상이한 패싯 배열의 예를 도시한다. 여기에 제시된 필드 패싯(25) 각각은, 예컨대 WO 2009/100 856 A1으로부터 알려져 있는 바와 같이, 복수의 개별 미러로부터의 개별 미러 그룹으로서 구성할 수 있다. 개별-미러 그룹 중 각각의 하나는 이때 US 6,438,199 B1 또는 US 6,658,084 B2에 개시한 바와 같은 필드 패싯 미러의 패싯의 기능을 갖는다.
구동에 있어서, 필드 패싯(25)은 액추에이터에 의해 복수의 경사 위치 사이에서 경사질 수 있도록 구성될 수 있다.
도 2에 따른 필드 패싯 미러(19)는 다수의 아치형으로 구성된(arcuately configured) 필드 패싯(25)을 갖는다. 이들은, 필드 패싯 캐리어(27) 상에서 필드 패싯 블록(26)으로 그룹지어 배열된다. 전체적으로, 도 2에 따른 필드 패싯 미러(19)는 26개의 필드 패싯 블록(26)을 포함하며, 여기서 필드 패싯(25) 중 3개, 5개, 10개가 그룹지어 결합되어 있다.
간극(28)이 필드 패싯 블록(26) 사이에 존재한다.
도 3에 따른 필드 패싯 미러(19)는 직사각형 필드 패싯(25)을 포함하며, 이들 패싯은 필드 패싯 블록(26)들에서 그룹지어 배열되며, 블록들 사이에 공극(28)이 존재한다.
도 4는 동공 패싯 미러(20)의 세부 평면도를 개략적으로 도시한다. 동공 패싯 미러(20)의 동공 패싯(29)이 조명 광학 유닛(4)의 조명 동공의 영역에 배열된다. 실제로, 동공 패싯(29)의 개수는 필드 패싯(25)의 수보다 훨씬 많고 필드 패싯(25)의 수의 배수일 수 있다. 동공 패싯(29)은 동공 패싯 미러(20)의 동공 패싯 캐리어(30) 상에 배열된다. 조명 동공 내에서 필드 패싯(25)을 통해 조명 광(16)과 충돌하는 동공 패싯(29)의 분포는, 조명 동공, 즉, 오브젝트 필드(5)의 실제 조명각 분포를 제공한다.
동공 패싯(29)은 모두 6각형 형태를 갖는다. 특히, 이것은 120°의 내각만을 갖는다.
필드 패싯(25) 각각은 조명 광(16)의 일부, 즉 조명 광 부분 빔(16i)을 광원(2)으로부터 동공 패싯(29) 중 하나를 향해 전달하는 역할을 한다.
아래에서, 조명 광 부분 빔(16i)의 기재에서, 관련 필드 패싯(25)은 각 경우에 최대 한도로, 즉 그 전체 반사면에 대해 조명된다고 가정한다. 이 경우, 조명 광 부분 빔(16i)의 에지 윤곽(edge contour)은 조명 채널의 에지 윤곽과 일치하며, 이런 이유로 아래에서 조명 채널도 16i로 표기한다. 각각의 조명 채널(16i)은, 조명 광학 유닛(4)의 추가 부품을 통해, 관련 필드 패싯(25)을 최대 한도로 조명하는 조명 광 부분 빔(16i)의 가능 광 경로를 나타낸다.
각 조명 채널(16i)의 경우, 전달 광학 유닛(21)은 각각, 조명 광 부분 빔(16i)을 필드 패싯(25)으로부터 오브젝트 필드(5)를 향해 전달하기 위해 동공 패싯(29) 중 하나를 갖는다.
각각의 경우에 2개의 조명 광 부분 빔(16i)(i=1,...,N; N은 필드 패싯의 수)이 도 1에 개략적으로 제시되어 있으며 그 중 하나의 조명 광 부분 빔(16i)은 각 경우에 하나의 조명 채널을 통해 필드 패싯(25) 중 정확히 하나와 동공 패싯(29) 중 정확히 하나를 통해 광원(2)과 오브젝트 필드(5) 사이에서 가이드된다.
도 5는, 동공 패싯 미러(20)에 사용할 수 있는 동공 패싯(29) 중 하나를 도시한다. 도 5에 따른 동공 패싯(29)은 측면 에지(32)를 갖는 6각형 에지 윤곽을 갖는다. 도 5에 도시된 패싯(29)은 정육각형의 형태를 갖는다. 도 4에 상세히 도시된 동공 패싯 미러(20)에 있어서, 이것은 모든 동공 패싯(20)에 있어서 기본 형태의 역할을 한다. 그러한 에지 윤곽은, 동공 패싯(29)에 의해 밀집되게 또는 적어도 가능한 밀집되게 동공 패싯 캐리어(30)를 커버하는 것을 가능하게 한다. 동공 패싯 미러(20)는 구체적으로 적어도 0.6, 특히 적어도 0.7, 특히 적어도 0.8, 특히 적어도 0.9의 충전도를 갖는다. 그러한 에지 윤곽은, 동공 패싯(29)에 의해 밀집되게 또는 적어도 가능한 밀집되게 동공 패싯 캐리어(30)를 커버하는 것을 가능하게 한다.
조명 광 부분 빔(16i)은 도 2에 도시된 필드 패싯 미러(19)의 아치형 필드 패싯(25)에 의해 도 5에 따른 동공 패싯(29) 상에 충돌한다.
도 5에 도시된 배열에서, 조명 광 부분 빔(16i)의 전체 횡단면은 동공 패싯(29) 상에 위치되고, 그 결과, 조명 광 부분 빔(16i)은 동공 패싯(29)의 에지에 의해 주변에서 컷오프되지 않는다. 동공 패싯(29) 상의 조명 광 부분 빔(16i)의 횡단면의 에지 윤곽은 대략 호형의, 콩 형상 또는 콩팥 형상의 형태를 가지며, 광원(2)의 둥근 소스 구역(round source area)과의 도 2에 도시된 아치형 필드 패싯(25)의 컨볼루션(convolution)인 것으로 이해될 수 있다. 이러한 컨볼루션은, 광원(2)의 이미지가 관련된 필드 패싯(25) 상의 상이한 섹션에 있어서, 즉, 필드 의존적 방식으로, 상이한 이미지 위치에서, 그리고 추가로 일반적으로 조명 채널(16i)을 따라 동공 패싯(29)으로부터 이격되어, 즉 빔 경로에서 동공 패싯(29)의 상류나 하류에 놓이는 이미지 위치에서 형성된다는 사실로 인해 생성된다.
동공 패싯(29) 상의 조명 광 부분 빔(16i)의 호형 에지 윤곽은 조명 광 부분 빔(16i)의 광 스폿을 표시한다. 동공 패싯(29) 상의 조명 광 부분 빔(16i)의 광 스폿은 또한 조명 스폿으로도 지칭되며 그 에지 윤곽에 의해 범위가 한정되는 형태는 스폿 형태로 지칭된다.
이들 서브-빔(16i 1, 16i 2,…,16i x)은 동공 패싯(29) 상의 조명 광 부분 빔(16i)의 에지 윤곽에서 점선을 사용하여 나타낸다. 조명 광 부분 빔(16i)은 다수의 그러한 서브-빔(16i j)으로 구성된다. 조명의 광학 파라미터를 알게 되는 한, 개별적인 동공 패싯(29) 상의 조명 광 부분 빔(16i)은, 예컨대 광학 설계 프로그램을 이용하여 계산할 수 있으며 이에 관하여 "포인트 확산 펑션"으로도 지칭된다.
이들 서브-빔(16i 1 내지 16i x)의 조명 광(16)은 관련 필드 패싯(25)의 상이한 지점(25i)으로부터 발산한다. 도 2에서, 발산 지점(251, 252 및 25x)은 필드 패싯(25) 중 하나 상에 예시적인 방식으로 도시된다.
연관된 필드 패싯(25)으로부터 발산하는 모든 서브 빔(16i j)의 필드-의존 중심 프로파일(31i)은 각각의 동공 패싯(29)상의 각각의 조명-광 부분 빔(16i)의 에지 윤곽의 핵심(kernel)을 나타낸다. 이러한 중심 프로파일(31i)은 각각의 조명 채널(16i)에 있어서 구분되고, 그 중에서도, 관련된 필드 패싯(25)을 통해 광원(2)과 각각의 동공 패싯(29) 사이의 조명 채널(16i)의 기하학적 프로파일에 따른다.
도 5는 이상화된(idealized) 필드 의존적 중심 프로파일(31i)을 도시한다.
필드 패싯 미러(20)의 추가 측면이 이하에서 기재된다.
도 5에서 예시적으로 도시된 바와 같이, 조명 스폿은 동공 패싯(29)의 측면 에지(32)로부터 상이한 거리에 있다.
본 발명에 있어서, 조명 동공이 최저 가능 충전도를 가질 경우 최고 가능 해상도를 성취하는데 유리한 것이 인지되었다. 여기서, 가능한 작은 동공 패싯(29)을 생성하는 것이 유리하다. 반면에, 과노광 및 결과적으로 원치 않은 트랜스미션(transmission) 손실이 있기 때문에, 동공 패싯(29)은 너무 작아서는 안된다. 트랜스미션 손실을 감소, 구체적으로 최소화하기 위하여, 동공 패싯(29)은 가능한 밀집되게 패킹되어(densely packed) 배열된다.
이하에서 기재된 바와 같이, 본 발명에 따라, 개별 조명 광 부분 빔(16i)의 스폿 형태에 동공 패싯(29)의 사이즈 및/또는 형태를 적응시키는 것이 구상된다. 결과적으로, 동공 패싯(29)의 과노광이 감소, 특히 최소화, 특히 회피될 수 있으며, 결과적으로 조명 시스템(3)의 트랜스미션이 증가, 특히 최대화된다. 동공 패싯(29)의 최대 과노광은 최대 20%, 특히 최대 10%, 특히 최대 5%이다. 이것은 그 중에서도 방사선원(2)의 디테일에 따른다.
또한, 충전도는 감소, 특히 최소화될 수 있고, 따라서, 해상도는, 개별 조명 광 부분 빔(16i)의 스폿 형태로의 동공 패싯(29)의 사이즈 및/또는 형태의 적응에 의해 증가된다.
동공 패싯(29)의 사이즈 및/또는 형태를 결정하기 위해, 원형의 가장 밀집된 패킹에 기초하여, 즉, 즉, 배열 육각형 그리드에 기초하여 동공 패싯 미러(20) 상에 밀집되게 동공 패싯(29)을 배열하는 것이 구상된다. 균일한, 특히 규칙적인 동동공 패싯(29)의 이러한 배열에 기초하여, 개별 동공 패싯(29), 특히 그 반사면 (33)의 형태 및/또는 사이즈가 적응된다. 동공 패싯(29)의 반사면(33)의 형태 및/또는 사이즈의 적응에서, 조명 방사선(16)의 개별적인 부분 빔(16i), 즉 반사면(33)의 영역의 조명 방사선(16)의 강도 분포의 스팟 형태 및/또는 조명 방사선(16)의 빔 경로의 동공 패싯 미러(20)의 배열, 특히 오브젝트 평면(6)의 정렬에 관한 특히 조명 광학 유닛(4)에서의 그 배열이 고려된다.
반사면(33)의 사이즈 및/또는 형태를 적응시키기 위해, 광학 축에 관한 동공 패싯 미러(20)의 컨볼루션의 각도의 결과로서 그리드의 왜곡, 특히, 오브젝트 평면(6)에 관한 동공 패싯 미러(20)의 경사를 고려하기 위하여 특히 체계화된 스케일링(systematic scaling)이 제공된다. 이것에 대한 대안으로 또는 이것에 더하여, 개별적인 스폿 형태는 반사면(33)의 사이즈 및/또는 형태의 적응을 고려할 수 있다. 이는 이하에서 더 상세히 기재될 것이다.
일반적으로, 중간 초점의 영역의 방사선원(2)의 이미지는 형태 및 사이즈에 있어서 방향 의존적이다. 3차원 플라즈마는 특히 중간 초점의 3차원 플라즈마 이미지를 야기한다.
플라즈마 이미지의 방향 의존도는 플라즈마의 이방성(anisotropy), 콜렉터(17)의 이미징 특성 및 콜렉터(17) 상의 스펙트럼 필터링 표면 구조에 기인할 수 있다. 결과적으로, 플라즈마 이미지의 방향 의존도는 개별 필드 지점에 상응하는 조명 스폿의 타원율(ellipticity)을 야기할 수 있다. 스폿의 배향은 원거리 필드에 걸쳐 이곳에서 변경될 수 있다. 스폿은 임의의 배향을 가질 수 있다. 그 반축의 길이는 서로 상이하고, 특히 10%부터 40%까지의 범위에 있을 수 있다.
필드 패싯(25)은 상이한 동공 패싯(29)의 중간 초점(18a)에서 방사선원(2)의 이미지를 형성한다. 이것은 도 6에서 예시로서 도시된다.
상이한 동공 패싯(29)상으로의 중간 초점(18a)의 방사선원(2)의 이미지의 투영에 있어서, 채널별(channel-individual) 이미징 스케일이 존재한다.
또한, 스위칭가능한 필드 패싯(25)의 경우에 특히 회피될 수 없는 상이한 동공 패싯(29)에 관한 상이한 이미지 폭으로 인하여, 필드 패싯(25)에 의한 방사선원(2)의 이미지의 지점 투영의 결함(imperfection)이 존재할 수 있다.
전체적으로, 동공 패싯 미러(20) 상에서 조명 스폿의 사이즈, 형태 및 배향은 개별 조명 채널에 할당된 필드 패싯(25)에 필수적으로 의존한다. 개별 동공 패싯(29)의 조명은 특히 필드 지점의 뷰포인트(viewpoint)로부터, 실제 스폿 형태 및 그에 개별적으로 할당된 필드 패싯(25)의 지점 투영을 중첩한 결과이다. 이것은 도 5에서 그래픽으로 도시된다. 조명 스폿의 형태는 조명 광 부분 빔(16i j)의 이미지의 엔벨로프(envelope)의 결과이다.
설명을 목적으로 도 6에서 과장되어 도시된 바와 같이, 오브젝트 평면(6)에 평행하게 나아가는 평면에 관한 동공 패싯 미러(20)의 경사는 동공 패싯(29)이 배열되는 규칙적인 그리드의 왜곡, 특히 시스템 왜곡을 야기한다. 동공 패싯 미러(20)의 경사는, 레티클(7)의 뷰포인트로부터, 특히 개별 동공 패싯(29)의 비등거리(non-equidistant) 위치에 등거리 방향이 상응하는 효과를 갖는다. 이것은, 동공 패싯(29)의 반사면(33)의 사이즈 및/또는 형태의 체계화된 스케일링에 의해 고려될 수 있다.
동공 패싯 미러(20)의 상이한 동공 패싯(29)은 특히 상이한 형태 및/또는 사이즈를 가질 수 있다. 이러한 언급은 동공 패싯(29)의 서브세트에 적어도 관련된다. 또한, 일치하는 사이즈 및 형태를 갖는 동공 패싯(29)의 다수의 서브세트 또는 하나의 서브세트를 형성하는 것이 물론 가능하다.
동공 패싯 미러(20)의 경사를 고려하기 위해 반사면(33)의 형태 및/또는 사이즈의 체계화된 스케일링에 추가적으로 또는 대안으로서, 개별 동공 패싯(29), 특히, 인접 동공 패싯(29)들의 개별 쌍의 사이즈는 경계에 의해 짝을 지어서 개별적으로 변경될 수 있고, 즉, 인접 동공 패싯(29)들 중 다른 하나에 평행하게 나아가는 측면 에지(32)가 페어링되어 변위된다. 이것은 도 4, 도 7 및 도 8에서 양방향 화살표(34)로 개략적으로 표시된다.
인접 동공 패싯(29)의 형태 및/또는 사이즈는 이러한 페어링된 개별 변형에 의해 실제 스폿 형태 및 사이즈에 적응될 수 있다. 이런 식으로, 동공 패싯(29)의 과노광으로 인한 방사선 손실이 감소, 특히 최소화, 바람직하게는 완전히 회피되는 것이 가능하다. 결과적으로, 조명 시스템(3)의 트랜스미션이 증가된다. 또한, 특히 드리프트에 관한 시스템 안정성이 결과적으로 개선될 수 있다.
또한, 적응된 동공 패싯(29) 상의 조명 스폿은 조명 시스템(3)의 트랜스미션 및/또는 시스템 안정성을 더 개선하도록 변위될 수 있다. 동공 패싯(29) 상의 조명 스폿의 변위는 필드 패싯(25)의 적절한 경사에 의해 성취될 수 있다. 이것은 구동 메커니즘에 의해 및/또는 필드 패싯(25)의 조절 및/또는 이것의 반사면의 상응하는 동작에 의해 성취될 수 있다.
모든 측면 에지(32)의 정확한 위치를 결정하기 위하여, 최적화 알고리즘이 제공된다. 이런 식으로, 동공 패싯 미러(20)의 영역에서, 특히 반사면(33)의 영역에서 조명 방사선(16)의 실제 강도 분포 및/또는 조명 광학 유닛(4)의 동공 패싯 미러(20)의 배열, 특히 오브젝트 평면(6)에 관한 그 경사를 고려하는 것이 특히 가능하다.
동공 패싯(29)의 형태 및 사이즈의 페어링된 개별 변형의 개념은 도 7의 개략적인 도시를 기초로 이하에서 설명된다. 도 7에서, 조명 스폿(16i)을 각각 갖는 2개의 인접한 동공 패싯(29)은 예시로서 도시된다. 도시된 조명 스폿(16i)은 조명 방사선(16)의 특정 최소 강도를 갖는 영역으로 여기서 표시된다. 동공 패싯(29)의 영역의 조명 방사선(16)의 상응하는 강도 프로파일(35)은 도 7의 하부에서 예시로서 도시된다. 도 7에서 예시로서 도시된 바와 같이, 동공 패싯(29)의 과노광이 존재할 수 있다. 여기서, 동공 패싯(29)의 올바른 패싯 상에 입사하지 않는 조명 방사선(16)의 일부는 오브젝트 필드(5)의 레티클(7)을 조명하기 위하여 사용되지 않는다. 그러므로, 이것은 해칭(hatching)에 의해 도 7의 하부에서 식별되는 방사선 손실(36)이 된다. 이러한 방사선 손실(36), 특히, 2개의 인접한 동공 패싯(29)에 관한 총 방사선 손실은 반사면(33)의 인접한 측면 에지(32)의 평행(parallel) 변위에 의해 감소, 특히 최소화될 수 있다.
도 7에서, 변위 전의 측면 에지(32*)의 위치가 설명을 목적으로 도시된다. 측면 에지(32*)를 갖는 동공 패싯(29)의 형태는 개별 동공 패싯(29)의 기본 형태에 정확히 상응한다. 도 4, 도 5 및 도 7에 도시된 예시적인 실시예의 경우에, 정육각형은 각각의 경우에 동공 패싯(29)을 위한 기본 형태의 역할을 할 수 있다. 기타 기본 형태가 유사하게 가능하다. 기본 형태는 특히 다양한 기본 형태의 그룹으로부터 선택될 수 있다. 이것은, 특히 최대 5개의, 특히 최대 4개의 특히 최대 3개의 특히 최대 2개의 상이한 기본 형태의 그룹으로부터 선택될 수 있다. 기본 형태는 특히 최대 12개, 특히 최대 10개 특히 최대 8개, 특히 최대 6개, 특히 최대 5개, 특히 최대 4개, 특히 최대 3개의 측면 에지(32)를 가질 수 있다. 특히 다각형 또는 일반적으로 다각형, 즉, 원형 호 단면 형상 에지(32)는 특히 기본 형태를 고려한다. 등변, 특히 정다각형은 특히 기본 형태로서 역할을 할 수 있다. 기본 형태는 특히, 평면이 그와 파케트(parquet)될 수 있도록 선택된다. 이것은 일반적인 파케팅(parqueting)의 형태 또는 특히 반정(demiregular), 준정(semiregular) 또는 정 파케팅의 형태를 취할 수 있다.
동공 패싯 미러(20)의 영역의 조명 방사선(16)의 실제 강도 분포는 시뮬레이션에 의해 또는 실험적으로 결정될 수 있다. 특히, 이것은 방사선원(2) 및/또는 조명 광학 유닛(4)의 데이터로부터 결정, 특히 계산될 수 있다.
개별 동공 패싯(29)의 측면 에지(32)들 사이의 각도, 특히 내각은 각각의 경우에 평행하는 변위만큼 일정하게 남는다. 120°의 내각을 갖는 6각형 동공 패싯(29)의 경우에, 동공 패싯(29)의 반대 방향 측면 에지(32)는 특히 평행으로 유지된다. 그러나 그 길이는 평행 변위에 의해 변경된다. 동일한 동공 패싯(29)의 측면 에지(32)는 최대 2의 팩터만큼 상이한 길이를 가질 수 있다. 특히, 불규칙한 형태를 갖는 동공 패싯(29)의 경우에, 동일한 동공 패싯(29)의 측면 에지(32)들은 또한 서로로부터 더욱 이탈할 수 있다.
인접한 동공 패싯(29)이 그 사이즈에 있어서 상이하도록 허용되는 최대값을 규정하는 것이 구상될 수 있다. 인접한 동공 패싯(29)은 특히 최대 1.2, 특히 최대 1.1의 사이즈 비를 갖는다. 이것은 동공 패싯 미러(20)의 설계의 결정을 위한 경계 조건으로서 규정될 수 있다. 도 4 내지 도 7을 기초로 한 동공 패싯 미러(20)의 예시적인 실시예의 선행 기재에서, 개별 동공 패싯(29)은 6각형 반사면(33)을 갖는 것이 가정된다. 이것은 완전히 필수는 아니다. 반사면(33)의 형태 및/도는 사이즈를 적응시키기 위한 본 발명에 따른 방법은 다른 패싯 패킹의 경우에도 사용될 수 있다. 예컨대, 상이한 사이즈 및 상이한 형태의 동공 패싯(29)을 갖는 패킹 또는 직교 패킹은 동공 패싯 미러(20)의 시작 패킹 또는 시작 배열로서 제공될 수 있다. 상응하는 예시는 도 8에서 예시로서 도시된다. 이러한 예시적인 실시예의 경우에, 동공 패싯(29)의 기본 형태는 2개의 상이한 기본 형태로부터 선택되었다. 동공 패싯(29)의 제 1 서브세트는 평행사변형(parallelogram) 형상의 반사면(33)을 갖는다. 동공 패싯(29)의 제 2 서브세트는 오각형 반사면(33)을 갖는다. 각각의 경우에, 2개의 평행사변형 형상의 반사면(33)과 2개의 오각형 반사면(33)은 함께 평행사변형 최소 볼록 엔벨로프를 갖는다. 이러한 실시예의 경우에, 형태 및/또는 사이즈의 적응을 위해, 즉, 측면 에지(32)의 변위를 위해, 경계 조건으로서, 이러한 엔벨로프가 각각의 경우에 2개의 평행사변형 형상의 반사면(33)과 2개의 오각형 반사면(33)을 위해 보존되는 것이 규정될 수 있다. 이 경우에, 이러한 엔벨로프의 주변 영역에 놓이지 않는 측면 에지(32)만이 변위된다.
본 발명에 따른 동공 패싯 미러(20)의 형성 및 그 설계를 위한 방법에 대한 개별 측면은 이하에서 다시 기재된다.
개별 동공 패싯(29)은 확고하게(rigidly), 즉, 변위불가능하게 배열된다.
적어도 2개의 동공 패싯(29)은 적어도 1.1의 팩터만큼 상이한 사이즈이다. 2개의 동공 패싯(29)의 사이즈의 최대 차에 대한 상한(upper limit)이 규정될 수 있다. 상한은 예컨대 최대 2, 특히 최대 1.5이다.
동공 패싯(29)은 기본 형태로부터 전개되는 형태를 각각 가질 수 있다. 기본 형태는 그 부분에 있어서 최대 5개의, 특히 최대 4개의, 특히 최대 3개의 특히 최대 2개의 특히 정확하게 하나의 기본 형태의 그룹으로부터 선택될 수 있다. 동공 패싯 미러(20)는 다시 말해서 최대 5개의, 특히 최대 4개의, 특히 최대 3개의, 특히 최대 2개의 상이한 타입의 동공 패싯을 가질 수 있다. 동공 패싯(29)은 동일한 그룹으로부터 모두 나올 수 있다. 특히, 모든 동공 패싯(29)을 6각형으로 형성하는 것이 가능하다.
동공 패싯 미러(20)의 설계는 특히 동공 패싯(29)의 규칙적인 배열을 기초로 한다. 인접 반사면(33)의 체계화된 스케일링 및/또는 페어링된 개별 변형은 개별 반사면(33)의 사이즈 및/또는 형태를 적응시키기 위하여 제공될 수 있다.
투영 노광 장치(1)는 마이크로구조화된 또는 나노구조화된 부품을 생산하기 위하여 제공된다. 투영 노광 장치(1)의 도움으로, 레티클(7)의 적어도 일부는 웨이퍼(13) 상의 감광성 층의 영역 상에 이미징된다. 이는 마이크로구조화된 또는 나노구조화된 부품, 특히 반도체 부품, 예컨대 마이크로칩의 리소그래피 제조를 위한 역할을 한다. 스캐너 또는 스텝퍼로서의 투영 노광 장치(1)의 구성에 따라, 레티클(7) 및 웨이퍼(13)는 y 방향에서 시간 동기화된 방식으로 스텝퍼 모드에서 스텝별로(step-by-step) 그리고 스캐닝 모드에서 연속적으로 이동된다. 마지막으로, 웨이퍼(13) 상의 조명 방사선(16)에 의해 노광된 감광성 층이 현상된다.

Claims (15)

  1. 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 유닛(4)을 위한 동공 패싯 미러(20)로서,
    1.1 다각형 개별 반사면(33)들을 갖는 복수의 미러 소자(29)들을 포함하며,
    1.2 상기 다각형 개별 반사면(33)들 중 적어도 2개는 상이한 형태 및/또는 사이즈를 가지며, 그리고
    1.3 상기 복수의 미러 소자(29)들 중 적어도 하나의 서브세트(subset)는 불규칙한 형태를 갖는, 동공 패싯 미러.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 미러 소자(29)들의 개별 반사면(33)은, 측면 에지(32)들 중 적어도 하나의 측면 에지의 평행 변위에 의해 최대 12개의 측면 에지(32)들을 갖는 최대 5개의 상이한 기본 형태의 그룹으로부터 선택되는 기본 형태로부터 개별적으로 전개되는 형태를 각각의 경우에 갖는 것을 특징으로 하는 동공 패싯 미러.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 개별 반사면(33)들의 형태 및/또는 사이즈는 동공 패싯 미러(20) 상의 미러 소자(29)들의 위치에 따른 체계화된 스케일링(systematic scaling) 및/또는 인접 개별 반사면(33)들의 페어링된(paired) 개별 변형을 갖는 것을 특징으로 하는 동공 패싯 미러.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 개별 반사면(33)들의 적어도 일부는 육각형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 동공 패싯 미러.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 미러 소자(29)들은 정규 격자(regular grid)의 격자 지점상에 배열되는 것을 특징으로 하는 동공 패싯 미러.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 미러 소자(29)들은 일 방향을 따라 왜곡되는 정규 격자의 격자 지점 상에 배열되는 것을 특징으로 하는 동공 패싯 미러.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 동공 패싯 미러(20)의 설계를 결정하기 위한 방법으로서,
    7.1 개별 반사면(33)들의 형태에 대하여 최대 12개의 측면 에지(32)들을 갖는 최대 5개의 상이한 기본 형태들의 그룹으로부터 선택된 기본 형태를 규정하는(prescribing) 단계;
    7.2 트랜스미션(transmission) 및/또는 시스템 안정성을 개선하기 위하여 개별 반사면(33)들의 사이즈를 적응시키는 단계;
    7.3 개별 반사면(33)들의 사이즈의 적응을 위하여 제공되는 인접하는 개별 반사면(33)들의 페어링된 개별 변형 및/또는 체계화된 스케일링이 제공되는 단계를 포함하는, 방법.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 개별 반사면(33)들의 사이즈의 적응을 위하여 인접한 미러 소자(29)들의 평행 에지(32)들을 쌍으로(in pairs) 변위시키는 것이 구상되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  9. 청구항 7에 있어서, 조명 광학 유닛(4)의 동공 패싯 미러(20)의 배열 및/또는 개별 반사면(33)들의 영역에 있어서 조명 방사선(16)의 강도 분포는 개별 반사면(33)들의 사이즈의 적응에 고려되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 투영 노광 장치(1)를 위한 조명 광학 유닛(4)으로서,
    10.1 복수의 제 1 패싯(25)들을 갖는 제 1 패싯 미러(19) 및
    10.2 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 동공 패싯 미러(20)의 형태인 제 2 패싯 미러를 포함하는, 조명 광학 유닛.
  11. 투영 노광 장치(1)를 위한 조명 시스템(3)으로서,
    11.1 청구항 10에 기재된 조명 광학 유닛(4) 및
    11.2 조명 방사선(16)을 생성하기 위한 방사선원(2)을 포함하는, 조명 시스템.
  12. 투영 노광 장치(1)를 위한 광학 시스템으로서,
    12.1 청구항 10에 기재된 조명 광학 유닛(4) 및
    12.2 오브젝트 필드(5)로부터 이미지 필드(11)로 조명 방사선(16)을 전달하기 위한 투영 광학 유닛(10)을 포함하는, 광학 시스템.
  13. 마이크로포토그래픽(microphotographic) 투영 노광 장치(1)로서,
    13.1 청구항 10에 기재된 조명 광학 유닛(4),
    13.2 오브젝트 필드(5)로부터 이미지 필드(11)내에 조명 방사선(16)을 전달하기 위한 투영 광학 유닛(10) 및
    13.3 조명 방사선(16)을 생성하기 위한 방사선원(2)을 포함하는, 마이크로포토그래픽 투영 노광 장치.
  14. 마이크로구조화된 부품 또는 나노구조화된 부품을 생성시키기 위한 방법으로서,
    14.1 청구항 13에 기재된 투영 노광 장치(1)를 제공하는 단계;
    14.2 감광성 재료의 층이 적어도 부분적으로 적용되는 기판(13)을 제공하는 단계;
    14.3 이미징될 구조를 갖는 레티클(7)을 제공하는 단계;
    14.4 상기 투영 노광 장치(1)에 의해 상기 기판(13)의 감광성 층의 영역상에 상기 레티클(7)의 적어도 일부를 투영하는 단계를 포함하는, 방법.
  15. 삭제
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