KR102100472B1 - 반사 광학 부재, 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법 - Google Patents

반사 광학 부재, 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

사출측 플라이아이 미러(22)는, 복수의 미러 요소 중 미러 요소(51B)를 갖는 제1 미러 블록(50A1)과, 복수의 미러 요소 중 미러 요소(51C)를 갖는 제2 미러 블록(50A2)을 구비한다. 제1 미러 블록(50A1)은, 미러 요소(51B)의 미러면(46)과는 상이한 부위로부터 돌출되고, 또한 제2 미러 블록(50A2)과 연결하는 연결부(52)를 갖는다. 제1 미러 블록(50A1)의 연결부(52)는, 제1 미러 블록(50A1)의 미러 요소(51B)에 대하여, 제2 미러 블록(50A2)의 미러 요소(51C)를 포함하는 복수의 미러 요소를 위치 결정한다.

Description

반사 광학 부재, 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법{REFLECTING OPTICAL MEMBER, OPTICAL SYSTEM, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 복수의 미러 요소를 갖는 반사 광학 부재, 상기 반사 광학 부재를 구비하는 광학계, 상기 광학계를 구비하는 노광 장치 및 상기 노광 장치를 사용하는 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반사형의 광학 부재를 구비하는 노광 장치의 일례로서, EUV(Extreme Ultraviolet)광을 노광광으로서 사용하는 노광 장치가 알려져 있다(특허문헌 1 참조). 이러한 노광 장치의 조명 광학계에는, 옵티컬 인테그레이터의 일례로서 한쌍의 플라이아이 미러(반사 광학 부재)가 설치되어 있다.
플라이아이 미러는, 베이스 부재의 설치면에 복수의 미러 블록을 설치함으로써 구성되어 있다. 각 미러 블록은, 베이스 부재의 설치면 내에서 서로 직교하는 2개의 방향(제1 방향 및 제2 방향) 중 적어도 하나의 방향에서 인접하는 복수의 미러 요소를 갖고 있다(특허문헌 2 참조). 또, 각 미러 요소에 있어서 입사한 노광광을 반사하는 미러면에는, 미러 블록 단위로 반사막이 제막된다.
상기 플라이아이 미러를 구성하는 각 미러 블록은, 제1 방향 및 제2 방향 중 적어도 일방에서 서로 인접하는 복수의 미러 요소를 가진 구성이다. 이러한 각 미러 블록은, 베이스 부재의 설치면 상에 위치 맞춤한 상태로 설치된다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 평11-312638호 공보 특허문헌 2 : 미국 특허 출원 공개 제2007/0273859A1호 명세서
그런데, 하나의 미러 블록에 있어서 제1 미러 요소는, 제1 방향 및 제2 방향 중 적어도 일방에서 제2 미러 요소와 인접하고 있다. 이 경우, 제1 미러 요소의 측면은, 제2 미러 요소의 측면에 대향하고 있다. 또한, 하나의 미러 블록에 있어서 제1 방향에서 서로 인접하는 미러 요소끼리의 미러면 사이에는, 각 미러면의 형상이나 방향 등에 의해 단차가 발생하는 경우가 있다. 이러한 단차가 큰 경우에는, 상기 단차의 영향에 의해, 미러면에 반사막을 적절히 제막할 수 없는 부분(이하, 「비제막 부분」이라고도 한다)이 생길 우려가 있다. 이러한 비제막 부분에서의 반사 효율은, 반사막이 적절히 제막된 부분의 반사 효율보다 낮게 된다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 광의 반사 효율을 향상시킬 수 있는 반사 광학 부재, 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은, 실시형태에 도시한 도 1∼도 26에 대응시킨 이하의 구성을 채용하고 있다.
본 발명의 일양태는, 광(EL)을 반사하는 반사부(41a, 46)를 각각이 갖는 복수의 미러 요소(41, 51, 51A∼51F, 141, 141A∼141D, 151, 151A∼151D, 161, 161A∼161G, 171, 181, 191, 201, M)를, 베이스 부재(40, 45)의 설치면(40a, 45a)에 설치한 반사 광학 부재(21, 22)에 있어서, 상기 복수의 미러 요소(41, 51, 51A∼51F, 141, 141A∼141D, 151, 151A∼151D, 161, 161A∼161G, 171, 181, 191, 201, M) 중 제1 미러 요소를 갖는 제1 미러 블록과, 상기 복수의 미러 요소(41, 51, 51A∼51F, 141, 141A∼141D, 151, 151A∼151D, 161, 161A∼161G, 171, 181, 191, 201, M) 중 제2 미러 요소를 갖는 제2 미러 블록을 구비하고, 상기 제1 미러 블록은, 상기 제1 미러 요소의 반사부(41a, 46)와는 상이한 부위로부터 돌출되고, 또한 상기 제2 미러 블록과 연결하는 연결부(52, 62, 142, 152, 162, 172, 182, 192, 202, 212)를 갖고, 상기 연결부(52, 62, 142, 152, 162, 172, 182, 192, 202, 212)는, 상기 제1 미러 요소에 대하여, 상기 제2 미러 요소를 포함하는 복수의 미러 요소를 위치 결정하는 것을 요지로 한다.
또, 본 발명을 알기 쉽게 설명하기 위해 실시형태를 도시한 도면의 부호에 대응시켜 설명했지만, 본 발명이 실시형태에 한정되는 것이 아님은 말할 필요도 없다.
본 발명에 의하면, 광의 반사 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 제1 실시형태의 반사 광학 부재를 구비하는 노광 장치를 도시하는 개략 구성도.
도 2의 (a),(b)는 플라이아이 미러를 모식적으로 도시하는 평면도.
도 3의 (a),(b),(c)는 미러 블록을 모식적으로 도시하는 사시도.
도 4의 (a),(b),(c)는 미러 블록을 모식적으로 도시하는 사시도.
도 5의 (a),(b),(c)는 미러 블록을 모식적으로 도시하는 사시도.
도 6의 (a)는 복수의 미러 블록이 조합되기 전의 상태를 모식적으로 도시하는 평면도, (b)는 복수의 미러 블록이 조합된 상태를 모식적으로 도시하는 평면도.
도 7은 도 6의 (b)의 7-7선의 화살표 방향에서 본 단면도.
도 8은 미러 블록이 사출측 설치면 상에 위치 결정된 상태로 설치된 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 9의 (a),(b)는 제2 실시형태의 미러 블록을 모식적으로 도시하는 사시도.
도 10의 (a),(b)는 복수의 미러 블록이 조합된 상태를 도시하는 사시도.
도 11의 (a),(b),(c),(d)는 제3 실시형태의 미러 블록을 모식적으로 도시하는 사시도.
도 12는 복수의 미러 블록이 조합된 상태를 도시하는 사시도.
도 13은 제4 실시형태에서의 사출측 플라이아이 미러를 모식적으로 도시하는 평면도.
도 14의 (a)는 복수의 미러 블록이 조합되기 전의 상태를 도시하는 사시도, (b)는 복수의 미러 블록이 조합된 상태를 도시하는 사시도.
도 15는 제5 실시형태에 있어서 복수의 미러 블록이 조합된 상태를 모식적으로 도시하는 사시도.
도 16은 복수의 미러 블록이 조합되는 상태를 모식적으로 도시하는 사시도.
도 17의 (a)는 3개의 미러 블록이 조합된 상태를 도시하는 정면도, (b),(c)는 1개의 미러 블록을 도시하는 정면도.
도 18은 제6 실시형태에 있어서 복수의 미러 블록이 조합되는 상태를 모식적으로 도시하는 사시도.
도 19는 복수의 미러 블록이 조합된 상태를 모식적으로 도시하는 평면도.
도 20은 제7 실시형태에 있어서 복수의 미러 블록이 조합되는 상태를 모식적으로 도시하는 사시도.
도 21은 복수의 미러 블록이 조합된 상태를 모식적으로 도시하는 평면도.
도 22는 제8 실시형태에 있어서 복수의 미러 블록이 조합된 상태를 모식적으로 도시하는 사시도.
도 23의 (a)는 다른 실시형태에 있어서, 입사측 플라이아이 미러를 구성하는 미러 블록을 모식적으로 도시하는 평면도, (b)는 미러 블록의 정면도.
도 24는 다른 실시형태에 있어서 복수의 미러 블록을 조합한 상태를 모식적으로 도시하는 평면도.
도 25는 디바이스의 제조예의 플로우차트.
도 26은 반도체 디바이스인 경우의 기판 처리에 관한 상세한 플로우차트.
(제1 실시형태)
이하에, 본 발명을 구체화한 일실시형태에 관해 도 1∼도 8에 기초하여 설명한다. 또, 본 실시형태에서는, 투영 광학계의 광축과 평행한 방향을 Z축 방향으로 하고, Z축 방향과 수직인 평면 내에서 주사 노광시의 레티클 및 웨이퍼의 주사 방향을 Y축 방향으로 하고, 그 주사 방향과 직교하는 비주사 방향을 X축 방향으로 하여 설명한다. 또한, X축, Y축, Z축 둘레의 회전 방향을 θx 방향, θy 방향, θz 방향이라고도 한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시형태의 노광 장치(11)는, 광원 장치(12)로부터 사출되는, 파장이 100 nm 정도 이하의 연X선 영역인 극단자외광, 즉 EUV(Extreme Ultraviolet)광을 노광광(EL)으로서 사용하는 EUV 노광 장치이다. 이러한 노광 장치(11)는, 내부가 대기보다 저압인 진공 분위기로 설정되는 챔버(13)(도 1에서는 2점 쇄선으로 둘러싸인 부분)를 구비하고 있다. 이 챔버(13) 내에는, 광원 장치(12)로부터 챔버(13) 내에 사출된 노광광(EL)으로 소정의 패턴이 형성된 반사형의 레티클(R)을 조명하는 조명 광학계(14)와, 패턴이 형성된 패턴 형성면(Ra)이 -Z 방향측(도 1에서는 하측)에 위치하도록 레티클(R)을 유지하는 레티클 유지 장치(15)가 설치되어 있다. 또한, 챔버(13) 내에는, 레티클(R)의 패턴의 이미지를 레지스트 등의 감광성 재료가 도포된 웨이퍼(W)에 투영하는 투영 광학계(16)와, 노광면(감광성 재료가 도포된 웨이퍼 표면)(Wa)이 +Z 방향측(도 1에서는 상측)에 위치하도록 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 장치(17)가 설치되어 있다.
광원 장치(12)는, 파장이 5 nm∼20 nm인 EUV광을 노광광(EL)으로서 사출하는 장치로서, 도시하지 않은 레이저 여기 플라즈마 광원 및 집광 광학계를 구비하고 있다. 레이저 여기 플라즈마 광원은, 고압력 레이저를 사용하여 고밀도의 EUV광 발생 물질(타겟)을 플라즈마화하고, EUV광을 포함하는 광을 방사시킨다. 고압력 레이저로는, 예컨대, CO2 레이저, 반도체 레이저 여기를 이용한 YAG 레이저 및 엑시머 레이저 등을 들 수 있다. 또한, 집광 광학계는, 적어도 하나의 반사 광학 부재로 구성되어 있다. 반사 광학 부재의 반사면에는, 노광광(EL)으로서 사용하는 EUV광에 대하여 고반사율이 되도록 반사막이 형성되어 있다. 이 반사막은, 예컨대, 파장 약13.5 nm의 EUV광에 대하여 고반사율이 되도록, 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)이 반복 적층된 다층막이다. 그 때문에, 반사 광학 부재는, 파장 약 13.5 nm의 EUV광을 선택적으로 반사할 수 있다. 이에 따라, 노광광(EL)으로서 사용하는 EUV광은, 집광 광학계에서 선택적으로 반사되어, 챔버(13) 안을 향해서 집광되어 사출된다.
조명 광학계(14)는, 광원 장치(12)로부터 사출된 노광광(EL)을 집광하는 콜리메이트용 미러(19), 노광광(EL)에 의해 레티클(R)에 형성되는 조명 영역 내의 조도 분포를 균일하게 하기 위한 플라이아이 광학계(20), 플라이아이 광학계(20)로부터 사출된 노광광(EL)을 레티클(R)에 유도하기 위한 콘덴서 미러(23) 및 방향 전환용 반사 미러(24)에 의해 구성되어 있다. 콜리메이트용 미러(19)는, 광원 장치(12)와 플라이아이 광학계(20) 사이에 설치되고, 오목면형의 미러면을 갖는다. 광원 장치(12)로부터 사출된 노광광(EL)은, 콜리메이트용 미러(19)에서 반사되어, 대략 평행광으로서 플라이아이 광학계(20)에 유도된다.
플라이아이 광학계(20)는, 한쌍의 플라이아이 미러(21, 22)를 구비하고 있다. 플라이아이 미러(21, 22) 중 입사측에 배치되는 입사측 플라이아이 미러(21)는, 레티클(R)의 패턴 형성면(Ra)과 광학적으로 공역이 되는 위치에 배치되어 있다. 이러한 입사측 플라이아이 미러(21)에서 반사된 노광광(EL)은, 사출측에 배치되는 사출측 플라이아이 미러(22)에 입사한다. 그리고, 플라이아이 광학계(20) 및 콘덴서 미러(23)를 통한 노광광(EL)으로 레티클(R)을 조명함으로써, 레티클(R)에 형성되는 조명 영역 내의 조도 분포가 균일해진다. 각 플라이아이 미러(21, 22)의 구체적인 구성에 관해서는 후술한다.
방향 전환용 반사 미러(24)는, 평면형의 미러면을 갖고, 노광광(EL)을 레티클(R)의 패턴 형성면(Ra)에 대하여 경사진 방향에서 조명시키도록 배치되어 있다. 그리고, 방향 전환용 반사 미러(24)에 의해 반사된 노광광(EL)은, 레티클(R)의 패턴 형성면(Ra)에 입사하는 입사각을 최대한 작게 한 상태에서 패턴 형성면(Ra)을 조명한다. 이에 따라, 레티클(R)에 형성된 패턴의 패임부가 그림자로 되어 투영 광학계(16)에 입사하는 것이 억제된다. 일례로서, 입사각은 10도이다. 또, 방향 전환용 반사 미러(24)는 없어도 좋다. 예컨대, 광학계의 배치나 각 반사 미러의 형상 등을 조정하면, 방향 전환용 반사 미러(24)가 없는 조명 광학계를 설계할 수 있다.
레티클 유지 장치(15)는, 투영 광학계(16)의 물체면측에 배치되고, 레티클(R)을 정전 흡착하기 위한 제1 정전 흡착 유지 장치(25)를 구비하고 있다. 이 제1 정전 흡착 유지 장치(25)는, 유전성 재료로 형성되고 또한 흡착면(26a)을 갖는 기체(26)와, 상기 기체(26) 내에 배치되는, 도시하지 않은 복수의 전극부를 구비하고 있다. 그리고, 도시하지 않은 전압 인가부로부터 전압이 전극부에 각각 인가된 경우, 기체(26)로부터 발생되는 쿨롱력에 의해, 흡착면(26a)에 레티클(R)이 정전 흡착된다.
또한, 레티클 유지 장치(15)는, 도시하지 않은 레티클 이동 장치의 구동에 의해, Y축 방향(도 1에서의 좌우 방향)으로 이동 가능하다. 즉, 레티클 이동 장치는, 레티클 유지 장치(15)에 유지되는 레티클(R)을 Y축 방향으로 소정 스트로크로 이동시킨다. 또한, 레티클 이동 장치는, 레티클(R)을 X축 방향(도 1에 있어서 지면과 직교하는 방향), Z축 방향 및 θz 방향으로 미동시키는 것이 가능하다. 또, 레티클(R)의 패턴 형성면(Ra)이 노광광(EL)에 의해 조명되는 경우, 상기 패턴 형성면(Ra)의 일부에는, X축 방향으로 연장되는 대략 원호형의 조명 영역이 형성된다.
투영 광학계(16)는, 노광광(EL)으로 레티클(R)의 패턴 형성면(Ra)을 조명함으로써 형성된 패턴의 이미지를 소정의 축소 배율(예컨대 1/4배)로 축소시키는 광학계이다. 이러한 투영 광학계(16)는, 복수매(본 실시형태에서는 6매)의 반사형 미러(28, 29, 30, 31, 32, 33)를 구비하고 있다. 그리고, 물체면측인 레티클(R)측으로부터 유도된 노광광(EL)은, 제1 미러(28), 제2 미러(29), 제3 미러(30), 제4 미러(31), 제5 미러(32), 제6 미러(33)의 순으로 반사되어, 웨이퍼 유지 장치(17)에 유지되는 웨이퍼(W)의 노광면(Wa)에 유도된다.
조명 광학계(14) 및 투영 광학계(16)가 구비하는 각 미러(19, 21∼24, 28∼33)의 미러면에는, 노광광(EL)을 반사하는 반사층이 형성되어 있다. 미러면에 형성되는 반사층은, 예컨대, 파장 약 13.5 nm의 EUV광에 대하여 고반사율이 되도록, 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)이 반복 적층된 다층막이다.
웨이퍼 유지 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 정전 흡착하기 위한 제2 정전 흡착 유지 장치(34)를 구비하고 있다. 이 제2 정전 흡착 유지 장치(34)는, 유전성 재료로 형성되고 또한 흡착면(35a)을 갖는 기체(35)와, 상기 기체(35) 내에 배치되는, 도시하지 않은 복수의 전극부를 구비하고 있다. 그리고, 도시하지 않은 전압 인가부로부터 전압이 전극부에 각각 인가된 경우, 기체(35)로부터 발생되는 쿨롱력에 의해, 흡착면(35a)에 웨이퍼(W)가 정전 흡착된다. 또한, 웨이퍼 유지 장치(17)에는, 제2 정전 흡착 유지 장치(34)를 유지하는, 도시하지 않은 웨이퍼 홀더와, 상기 웨이퍼 홀더의 Z축 방향(도 1에서는 상하 방향)에서의 위치 및 X축 둘레, Y축 둘레의 경사각을 조정하는, 도시하지 않은 Z 레벨링 기구가 삽입되어 있다.
이러한 웨이퍼 유지 장치(17)는, 도시하지 않은 웨이퍼 이동 장치에 의해, Y축 방향으로 이동 가능하다. 즉, 웨이퍼 이동 장치는, 제2 정전 흡착 유지 장치(34)에 유지되는 웨이퍼(W)를 Y축 방향으로 소정 스트로크로 이동시킨다. 또한, 웨이퍼 이동 장치는, 제2 정전 흡착 유지 장치(34)에 유지되는 웨이퍼(W)를 X축 방향으로 소정 스트로크로 이동시키는 것이 가능하고, Z축 방향으로 미동시키는 것이 가능하다.
그리고, 웨이퍼(W)의 하나의 샷영역에 레티클(R)의 패턴을 형성하는 경우, 조명 광학계(14)에 의해 조명 영역을 레티클(R)에 형성한 상태에서, 상기 레티클 이동 장치의 구동에 의해, 레티클(R)을 Y축 방향(예컨대, +Y 방향측으로부터 -Y 방향측)으로 소정 스트로크마다 이동시킨다. 또한 동시에, 상기 웨이퍼 이동 장치의 구동에 의해, 웨이퍼(W)를 레티클(R)의 Y축 방향을 따른 이동에 대하여 투영 광학계(16)의 축소 배율에 따른 속도비로 Y축 방향(예컨대, -Y 방향측으로부터 +Y 방향측)으로 동기하여 이동시킨다. 그리고, 하나의 샷영역에의 패턴 형성이 종료된 경우, 웨이퍼(W)의 다른 샷영역에 대한 패턴의 형성이 연속하여 행해진다.
다음에, 플라이아이 미러(21, 22)에 관해, 도 2의 (a),(b)에 기초하여 설명한다. 본 실시형태에서는, 도 2의 (a),(b)에서의 좌우 방향, 상하 방향 및 지면과 직교하는 방향을, A 방향, B 방향 및 C 방향이라고 한다. 또, A 방향은 비주사 방향(X축 방향)에 대응하는 방향이고, B 방향은 주사 방향(Y축 방향)에 대응하는 방향이다. 또한, C 방향은 투영 광학계의 광축(Z축 방향)에 대응하는 방향이다.
도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 입사측 플라이아이 미러(21)는, 인바 등의 저열 팽창강 또는 합금제의 후판으로 구성되는 입사측 설치대(40)를 구비하고 있다. 이 입사측 설치대(40)는, 평면도가 높아지도록 연마 등의 가공이 실시된 입사측 설치면(40a)을 갖고 있다. 이 입사측 설치면(40a)에는, 대략 원호형의 외형 형상을 갖고, 오목면형으로 형성된 미러면(41a)을 갖는 복수의 입사측 미러 요소(41)가 배치되어 있다. 각 입사측 미러 요소(41)의 미러면(41a)의 외형 형상이 대략 원호형을 이루는 것은, 투영 광학계(16)의 원호형의 유효 결상 영역 및 유효 시야에 대응하여, 레티클(R) 및 웨이퍼(W) 상에 원호형의 조명 영역을 형성하기 위해서이다. 또한, 복수의 입사측 미러 요소(41)는, 입사측 설치면(40a)의 A 방향 및 B 방향을 따라서 배치되어 있다. 그리고, 입사측 플라이아이 미러(21)에 입사한 노광광(EL)의 광속은, 입사측 미러 요소(41)의 미러면(41a)마다 파면 분할되고, 파면 분할된 다수의 광속은, 사출측 플라이아이 미러(22)에 입사한다.
도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 사출측 플라이아이 미러(22)는, 인바 등의 저열 팽창강 또는 합금제의 후판으로 구성되는 사출측 설치대(45)를 구비하고 있다. 이 사출측 설치대(45)는, 평면도가 높아지도록 연마 등의 가공이 실시된 사출측 설치면(45a)을 갖고 있다. 이 사출측 설치면(45a)에는, 오목면형의 곡면으로 형성된 미러면(46)을 갖는 복수의 사출측 미러 요소(M)가 배치되어 있다. 각 미러면(46)의 외형 형상은, 예컨대, 대략 정방형, 대략 직사각형 및 육각형 등의 다각 형상이다.
입사측 플라이아이 미러(21)의 입사측 미러 요소(41)로 파면 분할된 다수의 광속은, 개별 대응하는 사출측 미러 요소(M)의 미러면(46)의 표면 또는 그 근방에, 대략 원 형상의 2차 광원 이미지를 각각 결상한다. 복수의 사출측 미러 요소(M)가 대략 다각 형상의 미러면(46)을 갖는 것은, 이들의 2차 광원 이미지를 반사하기 위해서이다. 그리고, 사출측 플라이아이 미러(22)로부터 사출된 다수의 광속이 레티클(R)의 패턴 형성면(Ra) 상에서 중첩됨으로써, 레티클(R) 상에서의 높은 조도 균일성이 확보된다.
본 실시형태의 사출측 플라이아이 미러(22)는, 복수 타입의 미러 블록을 조합함으로써 구성되어 있다. 각 타입의 미러 블록은, 적어도 하나의 사출측 미러 요소(M)와, 사출측 미러 요소(M)의 미러면(46)과는 상이한 부위로부터 돌출되고, 또한 다른 미러 블록과 연결하는 연결부를 갖고 있다. 그래서, 사출측 플라이아이 미러(22)를 구성하는 복수 타입의 미러 블록에 관해, 도 3∼도 5를 이용하여 설명한다. 각 사출측 미러 요소의 미러면(46)의 형상은, 오목면형의 곡면을 갖고 있지만, 설명 이해의 편의상, 미러면(46)은 평면인 것으로 하여 설명한다.
도 3의 (a)는, 본 발명의 제1 실시형태에서의 미러 블록(50)의 일례를 도시한 사시도이다. 미러 블록(50A)(50)은, 6개의 사출측 미러 요소(51)(51A, 51B, 51C, 51D, 51E, 51F)와, 6개의 사출측 미러 요소(51)를 연결하기 위한 연결부(52)를 갖고 있다. 사출측 미러 요소(51)와 연결부(52)는, 동일 재료에 의해 구성되어 있다. 본 실시형태에서는, 하나의 재료에 가공을 함으로써, 사출측 미러 요소(51) 및 연결부(52)가 일체로 되는 미러 블록(50)이 구성된다.
6개의 사출측 미러 요소(51)는, 제1 방향(S1)에 있어서 서로 상이한 위치에 배치되어 있다. 예컨대, 사출측 미러 요소(51A∼51F)는, 사출측 미러 요소(51A)에 대하여 -S1 방향을 따라서, 사출측 미러 요소(51B), 사출측 미러 요소(51C), 사출측 미러 요소(51D), 사출측 미러 요소(51E), 사출측 미러 요소(51F)의 순으로 배치되어 있다. 또한, 이들 사출측 미러 요소(51A∼51F) 중 사출측 미러 요소(51A, 51C, 51E)는, 연결부(52)에 대하여, 제1 방향(S1)과 직교(교차)하는 제2 방향(S2)의 +S2 방향측(일방측)에 배치되어 있다. 또한, 다른 사출측 미러 요소(51B, 51D, 51F)는, 연결부(52)에 대하여, 제2 방향(S2)의 -S2 방향측(타방측)에 배치되어 있다. 즉, 사출측 미러 요소(51A∼51F)는, 연결부(52)에 대하여 지그재그형으로 배열되어 있다. 또한, 제1 방향(S1)에 있어서 사출측 미러 요소(51A, 51C)의 사이, 사출측 미러 요소(51C, 51E)의 사이, 사출측 미러 요소(51B, 51D)의 사이 및 사출측 미러 요소(51D, 51F)의 사이에는, 다른 미러 블록을 구성하는 사출측 미러 요소를 배치할 수 있는 스페이스가 각각 개재되어 있다. 미러 블록(50A)을 구성하는 사출측 미러 요소(51)(예컨대, 사출측 미러 요소(51A))는, 미러 블록(50A)을 구성하는 다른 사출측 미러 요소(51)(예컨대, 사출측 미러 요소(51B))에 직접 연결되어 있지 않다.
연결부(52)는, 사출측 미러 요소(51A∼51F)의 미러면(46)의 반대측(미러면(46)과는 상이한 부위)으로부터 제1 방향(S1) 및 제2 방향(S2)으로 돌출되어 있다. 각 사출측 미러 요소(51A∼51F)는, 연결부(52)에 지지된 상태로 사출측 설치면(45a) 상에 설치되어 있다. 이러한 연결부(52)는, 제1 방향(S1)으로 연장되는 연결 본체부(52a)와, 사출측 미러 요소(51A∼51F)에 개별 대응하는 복수(이 경우, 6개)의 돌출부(53)를 갖고 있다. 연결 본체부(52a)의 제1 방향(S1)에서의 길이는, 미러 블록(50A)을 구성하는 사출측 미러 요소(51A∼51F)의 개수에 상당하는 길이를 갖고 있다. 그리고, 연결 본체부(52a)의 제2 방향(S2)에서의 중앙보다 +S2 방향측에, 사출측 미러 요소(51A, 51C, 51E)가 배치되는 한편, 연결 본체부(52a)의 제2 방향(S2)에서의 중앙보다 -S2 방향측에, 사출측 미러 요소(51B, 51D, 51F)가 배치된다. 도시한 예에서는, 사출측 미러 요소(51A, 51C, 51E)는 일정 간격으로 제1 방향(S1)으로 배치되어 있고, 사출측 미러 요소(51B, 51D, 51F)도 상기 일정 간격으로 제1 방향(S1)으로 배치되어 있다. 또, 연결 본체부(52a)의 제1 방향(S1)에서의 길이는, 미러 블록(50A)을 구성하는 사출측 미러 요소(51A∼51F)의 개수에 상당하는 길이보다 길어도 좋다.
또한, 각 돌출부(53)는, 개별 대응하는 각 사출측 미러 요소(51A∼51F)와 제1 방향(S1)에 있어서 동일 위치에 위치하고 있다. 다시 말해서, 제1 방향(S1) 및 제2 방향(S2)과 직교하는 방향에 있어서 미러면(46)측으로부터 미러 블록(50A)을 본 경우에, 각 돌출부(53)는, 개별 대응하는 각 사출측 미러 요소(51A∼51F)에 가려서 보이지 않는다. 돌출부(53) 중, 사출측 미러 요소(51A, 51C, 51E)에 대응하는 각 돌출부(53)는, 연결 본체부(52a)로부터 +S2 방향측(제2 방향(S2)에서의 일방측)으로 돌출되어 있다. 다만, 사출측 미러 요소(51A, 51C, 51E)에 대응하는 각 돌출부(53)의 선단은, 사출측 미러 요소(51A, 51C, 51E)의 +S2 방향측의 단부보다 -S2 방향측(제2 방향(S2)에서의 타방측)에 위치하고 있다. 그 때문에, 사출측 미러 요소(51A, 51C, 51E)의 미러면(46)의 반대측의 면과 돌출부(53)의 선단의 면에 의해, 걸어맞춤용 공간(54)이 형성되어 있다. 이 걸어맞춤용 공간(54)은, 다른 미러 블록의 연결부를 수용할 수 있는 공간이다.
한편, 사출측 미러 요소(51B, 51D, 51F)에 대응하는 각 돌출부(53)는, 연결 본체부(52a)로부터 -S2 방향측으로 돌출되어 있다. 다만, 사출측 미러 요소(51B, 51D, 51F)에 대응하는 각 돌출부(53)의 선단은, 사출측 미러 요소(51B, 51D, 51F)의 -S2 방향측의 단부보다 +S2 방향측에 위치하고 있다. 그 때문에, 사출측 미러 요소(51B, 51D, 51F)의 미러면(46)의 반대측의 면과 돌출부(53)의 선단의 면에 의해, 걸어맞춤용 공간(54)이 형성되어 있다. 이 걸어맞춤용 공간(54)은, 다른 미러 블록의 연결부를 수용할 수 있는 공간이다.
또, 본 실시형태의 사출측 플라이아이 미러(22)를 구성하는 복수 타입의 미러 블록(50)은, 6개 이외의 임의의 수의 사출측 미러 요소를 갖는 미러 블록(50)을 포함해도 좋다. 예컨대, 도 3의 (b),(c)에 도시한 바와 같이, 미러 블록(50B, 50C)은, 5개의 사출측 미러 요소(M)를 갖고 있다. 미러 블록(50B)은, 5개의 사출측 미러 요소(M)를 지그재그형으로 배열한 양태의 미러 블록이다. 또한, 미러 블록(50C)은, 미러 블록(50A)의 사출측 미러 요소(51E)에 대응하는 위치에 사출측 미러 요소(M)가 없는 양태의 미러 블록이다. 또, 미러 블록은, 사출측 미러 요소(M)의 배치 양태는 이들 배열에 한정되지 않고, 도 4의 (a)∼(c) 및 도 5의 (a)∼(c)에 도시한 바와 같이, 여러가지 배열 양태의 미러 블록(50D, 50E, 50F, 50G, 50H, 50I)이어도 좋다. 도 5의 (b),(c)에 도시한 미러 블록(50H, 50I)은, 하나의 사출측 미러 요소(M)와 연결부(62)를 구비한 구성이다. 이러한 미러 블록(50H, 50I)의 연결부(62)의 제1 방향(S1)에서의 길이는, 사출측 미러 요소(M)의 제1 방향(S1)에서의 길이보다 길어도 좋다.
하나의 미러 블록(예컨대, 미러 블록(50A))에서는, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 측면끼리가 대향하는 사출 미러 요소(예컨대, 사출측 미러 요소(51A)와 사출측 미러 요소(51C))의 사이에는, 다른 미러 블록을 구성하는 사출측 미러 요소를 설치할 수 있다. 또한, 하나의 미러 블록(예컨대, 미러 블록(50A))을 구성하는 하나의 사출측 미러 요소(예컨대, 사출측 미러 요소(51A))는, 다른 사출측 미러 요소(예컨대, 사출측 미러 요소(51B))와 인접하고 있다. 그러나, 사출측 미러 요소(51A)와 사출측 미러 요소(51B)는, 이들의 미러면(46) 중 하나의 정점끼리가 서로 대향하도록 배치되어 있다. 즉, 하나의 미러 블록을 구성하는 하나의 사출측 미러 요소와 다른 사출 미러 요소가 서로 인접한다고 하더라도, 서로 인접하는 사출측 미러 요소끼리의 대향 부위는 매우 좁다. 그 때문에, 하나의 사출측 미러 요소의 미러면(46)을 가공할 때에는, 다른 사출측 미러 요소의 영향을 받기 어렵다. 그 결과, 하나의 사출측 미러 요소의 미러면(46)을 적절한 형상으로 가공할 수 있다. 특히, 사출측 미러 요소의 미러면(46) 주연의 가공 정밀도가 향상된다.
또한, 사출측 미러 요소의 미러면(46)에는, 미러 블록끼리를 조합하기 전에 반사막이 제막된다. 그 때문에, 하나의 미러 블록(예컨대, 미러 블록(50A))의 하나의 사출 미러 요소의 미러면(46)에 반사막을 제막하는 경우에, 다른 사출 미러 요소의 영향을 받기 어렵다. 그 결과, 하나의 미러 블록을 구성하는 각 사출 미러 요소의 미러면(46)의 주연에도, 반사막을 적절히 제막할 수 있다. 따라서, 미러면(46)의 전체를, 노광광(EL)을 실제로 반사할 수 있는 실질적인 미러면으로 할 수 있다.
본 실시형태의 사출측 플라이아이 미러(22)는, 상술한 복수 타입의 미러 블록(50A∼50I)을 조합하고, 상기 조합된 복수의 미러 블록을 사출측 설치면(45a)에 설치한 구성이다. 그러면 다음으로, 3개의 미러 블록(50A)을 조합하는 경우에 관해, 도 6의 (a),(b) 및 도 7에 기초하여 설명한다. 이하의 설명에서는, 3개의 미러 블록(50A) 중, 도 6의 (a),(b)에 있어서 중앙에 위치하는 미러 블록(50A)을 「제1 미러 블록(50A1)」이라고 하고, 우측에 위치하는 미러 블록(50A)을 「제2 미러 블록(50A2)」이라고 하고, 또한, 좌측에 위치하는 미러 블록(50A)을 「제3 미러 블록(50A3)」이라고 한다.
도 6의 (a),(b)에 도시한 바와 같이, 제1 미러 블록(50A1)과 제2 미러 블록(50A2)을 조합하는 경우, 제1 미러 블록(50A1)의 사출측 미러 요소(51B)가, 제1 방향(S1)(도 6에서는 상하 방향)에 있어서 제2 미러 블록(50A2)의 사출측 미러 요소(51A, 51C)의 사이에 배치된다. 또한, 제1 미러 블록(50A1)의 사출측 미러 요소(51D)가, 제1 방향(S1)에 있어서 제2 미러 블록(50A2)의 사출측 미러 요소(51C, 51E)의 사이에 배치된다. 또한, 제1 미러 블록(50A1)의 사출측 미러 요소(51F)가, 제2 미러 블록(50A2)의 사출측 미러 요소(51E)의 -S1 방향측(도 6에서는 하측)에 배치된다. 이 때, 제1 미러 블록(50A1)의 사출측 미러 요소(51B, 51D, 51F)는, -S2 방향측(도 6에서는 우측)에서 제2 미러 블록(50A2)의 사출측 미러 요소(51B, 51D, 51F)와 인접하고 있다.
마찬가지로, 제1 미러 블록(50A1)과 제3 미러 블록(50A3)을 조합하는 경우, 제1 미러 블록(50A1)의 사출측 미러 요소(51A)가, 제3 미러 블록(50A3)의 사출측 미러 요소(51B)의 +S1 방향측(도 6에서는 상측)에 배치된다. 또한, 제1 미러 블록(50A1)의 사출측 미러 요소(51C)가, 제1 방향(S1)에 있어서 제3 미러 블록(50A3)의 사출측 미러 요소(51B, 51D)의 사이에 배치된다. 또한, 제1 미러 블록(50A1)의 사출측 미러 요소(51E)가, 제1 방향(S1)에 있어서 제3 미러 블록(50A3)의 사출측 미러 요소(51D, 51F)의 사이에 배치된다. 이 때, 제1 미러 블록(50A1)의 사출측 미러 요소(51B, 51D, 51F)는, +S2 방향측(도 6에서는 좌측)에서 제3 미러 블록(50A3)의 사출측 미러 요소(51B, 51D, 51F)와 인접하고 있다.
즉, 제1 미러 블록(50A1)의 사출측 미러 요소(51B)를 제1 미러 요소로 한 경우, 제2 미러 블록(50A2)의 사출측 미러 요소(51C)가 제2 미러 요소에 상당하고, 제1 미러 블록(50A1)의 사출측 미러 요소(51C)가 제4 미러 요소에 상당한다. 또한, 제1 미러 블록(50A1)의 사출측 미러 요소(51D)가 제5 미러 요소에 상당한다. 그리고, 제3 미러 블록(50A3)을 구성하는 사출측 미러 요소(51A∼51F) 중 적어도 하나가, 제3 미러 요소에 상당한다.
또한, 제1 미러 블록(50A1)의 사출측 미러 요소(51D)를 제1 미러 요소로 한 경우, 제2 미러 블록(50A2)의 사출측 미러 요소(51E)가 제2 미러 요소에 상당하고, 제1 미러 블록(50A1)의 사출측 미러 요소(51E)가 제4 미러 요소에 상당한다. 또한, 제1 미러 블록(50A1)의 사출측 미러 요소(51F)가 제5 미러 요소에 상당한다. 그리고, 제3 미러 블록(50A3)을 구성하는 사출측 미러 요소(51A∼51F) 중 어느 하나가, 제3 미러 요소에 상당한다.
이와 같이 미러 블록(50A)을 조합한 경우, 도 7에 도시한 바와 같이, 제2 미러 블록(50A2)을 구성하는 사출측 미러 요소(51A, 51C, 51E)의 미러면(46)과는 반대측에 형성된 걸어맞춤용 공간(54) 내에는, 제1 미러 블록(50A1)의 연결부(52)의 일부(즉, -S2 방향측)가 수용된다. 또한, 제1 미러 블록(50A1)을 구성하는 사출측 미러 요소(51B, 51D, 51F)의 미러면(46)과는 반대측에 형성된 걸어맞춤용 공간(54) 내에는, 제2 미러 블록(50A2)의 연결부(52)의 일부(즉, +S2 방향측)가 수용된다.
즉, 본 실시형태에서는, 제1 미러 블록(50A1)의 연결부(52)의 일부가 제2 미러 블록(50A2)의 걸어맞춤용 공간(54) 내에 수용(걸어맞춤)됨으로써, 제1 미러 블록(50A1)이 제2 미러 블록(50A2)에 연결된다. 또한, 제2 미러 블록(50A2)의 연결부(52)의 일부가 제1 미러 블록(50A1)의 걸어맞춤용 공간(54) 내에 수용됨으로써, 제2 미러 블록(50A2)이 제1 미러 블록(50A1)에 연결된다. 게다가, 제1 미러 블록(50A1)의 연결부(52)는, 상기 제1 미러 블록(50A1)을 구성하는 사출측 미러 요소(51A∼51F)에 대하여, 제2 미러 블록(50A2)을 구성하는 사출측 미러 요소(51A∼51F)를 위치 결정하고 있다.
마찬가지로, 제1 미러 블록(50A1)을 구성하는 사출측 미러 요소(51A, 51C, 51E)의 미러면(46)과는 반대측에 형성된 걸어맞춤용 공간(54) 내에는, 제3 미러 블록(50A3)의 연결부(52)의 일부(즉, -S2 방향측)가 수용된다. 또한, 제3 미러 블록(50A3)을 구성하는 사출측 미러 요소(51B, 51D, 51F)의 미러면(46)과는 반대측에 형성된 걸어맞춤용 공간(54) 내에는, 제1 미러 블록(50A1)의 연결부(52)의 일부(즉, +S2 방향측)가 수용된다.
즉, 본 실시형태에서는, 제1 미러 블록(50A1)의 연결부(52)의 일부가 제3 미러 블록(50A3)의 걸어맞춤용 공간(54) 내에 수용됨으로써, 제1 미러 블록(50A1)이 제3 미러 블록(50A3)에 연결된다. 또한, 제3 미러 블록(50A3)의 연결부(52)의 일부가 제1 미러 블록(50A1)의 걸어맞춤용 공간(54) 내에 수용됨으로써, 제3 미러 블록(50A3)이 제1 미러 블록(50A1)에 연결된다. 게다가, 제1 미러 블록(50A1)의 연결부(52)는, 상기 제1 미러 블록(50A1)을 구성하는 사출측 미러 요소(51A∼51F)에 대하여, 제3 미러 블록(50A3)을 구성하는 사출측 미러 요소(51A∼51F)를 위치 결정하고 있다.
또, 사출측 플라이아이 미러(22)를 구성하는 복수의 미러 블록에 포함되는 복수의 연결 본체부(52a)는 서로 동일한 형상이고, 사출측 플라이아이 미러(22)를 구성하는 복수의 미러 블록에 포함되는 복수의 걸어맞춤용 공간(54)은 서로 동일한 형상이어도 좋다.
그리고, 사출측 플라이아이 미러(22)를 구성하는 미러 블록은, 모두가 조합된 상태에서 사출측 설치면(45a)에 설치된다. 이 때의 설치 방법에 관해, 도 8에 기초하여 설명한다. 또, 도 8은, 도 5의 (b)에 도시하는 미러 블록(50H)을 사출측 설치면(45a)에 설치하는 경우를 도시하고 있다.
도 8에 도시한 바와 같이, 연결부(62)의 길이 방향(이 경우, 제1 방향(S1))에서의 양단에는, 사출측 설치면(45a)측으로 개구되는 위치 결정용 오목부(66)가 형성되어 있다. 또한, 사출측 설치면(45a)에 있어서 각 위치 결정용 오목부(66)에 대응하는 각 위치에는, 위치 결정용 볼록부(67)가 돌출 형성되어 있다. 그리고, 위치 결정용 오목부(66) 내에 위치 결정용 볼록부(67)를 삽입(걸어맞춤)시킴으로써, 미러 블록(50H)이, 사출측 설치면(45a) 상에서 위치 결정된다. 이러한 위치 결정 기구는, 위치 결정용 볼록부(67)가 이격되어 있을수록, 사출측 설치면(45a) 상에서의 미러 블록(50H)의 위치 결정 정밀도를 향상시킬 수 있다. 그 후, 도시하지 않은 볼트 등을 사용하여, 미러 블록(50H)은 사출측 설치대(45)에 고정된다.
또, 여기서는 미러 블록(50H)의 설치 방법에 관해 서술했지만, 다른 타입의 미러 블록에 관해서도, 동일한 설치 방법으로 사출측 설치면(45a) 상에 위치 결정된 상태로 설치된다. 또한, 상기 위치 결정 기구는, 미러 블록(50)에 위치 결정용 볼록부를 형성하고, 사출측 설치면(45a)에 위치 결정용 오목부를 형성한 구성이어도 좋다.
본 실시형태에서는, 사출측 설치면(45a) 상에 모든 미러 블록을 위치 맞춤한 상태로 설치한 경우, 미러 블록은, 제1 방향(S1) 및 제2 방향(S2)에서 인접하는 다른 미러 블록과는 접촉하고 있지 않다(도 7 참조). 즉, 서로 인접하는 미러 블록끼리의 사이에는, 상기 미러 블록의 제조시에 발생하는 공차를 흡수할 수 있는 정도의 간극이 개재되어 있다. 그 때문에, 공차에 영향을 받지 않고, 각 사출측 미러 요소(M)는, 사출측 설치면(45a)의 적절한 위치에 배치된다. 또한, 사출측 설치면(45a) 상에는, 복수의 사출측 미러 요소(M)가 낭비없이 깔려서 채워진다.
따라서, 본 실시형태에서는, 이하에 나타내는 효과를 얻을 수 있다.
(1) 하나의 미러 블록(예컨대, 미러 블록(50A))의 하나의 사출측 미러 요소(예컨대, 사출측 미러 요소(51A))는, 상기 하나의 미러 블록의 다른 사출측 미러 요소(이 경우, 사출측 미러 요소(51B∼51F))와 제1 방향(S1) 및 제2 방향(S2)에서 인접하고 있지 않다. 그 때문에, 하나의 미러 블록이, 하나의 사출측 미러 요소에 제1 방향(S1) 또는 제2 방향(S2)에서 인접하는 다른 사출측 미러 요소를 구비하는 경우와 비교하여, 하나의 사출측 미러 요소(51)의 미러면(46)을 용이하게 가공할 수 있다. 특히, 하나의 사출측 미러 요소의 미러면(46) 주연의 가공 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 하나의 미러 블록을 구성하는 사출측 미러 요소(예컨대, 사출측 미러 요소(51A))의 미러면(46)에 반사막을 제막하는 경우에 있어서도, 하나의 사출측 미러 요소의 미러면(46) 전체에 반사막을 적절히 제막할 수 있다. 즉, 미러면(46) 전체를 실질적인 미러면으로 할 수 있다. 그 때문에, 미러면(46)의 일부(예컨대, 주연)에 반사막을 적절히 제막할 수 없는 경우와 비교하여, 사출측 플라이아이 미러(22)의 반사 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「인접하고 있다」는 것은, 「2개의 미러 요소(M)가, 공차에 기초하는 간극을 두고 밀접하게 배치되어 있다」것을 나타내고 있으며, 「인접하고 있지 않다」는 것은, 「2개의 미러 요소(M)가, 공차에 기초하는 간극보다 현저히 이격되어 배치되어 있다」는 것을 나타내고 있다. 예컨대, 미러 블록(50A1)의 사출측 미러 요소(51A)와 사출측 미러 요소(51C)는, 제1 방향(S1)에 있어서 미러 요소(51A, 51C)의 사이에 별도의 미러 요소(51)를 배치할 수 있는 거리 이상으로 이격시키고 있기 때문에, 미러 요소(51A, 51C)는「인접하고 있지 않다」는 것을 나타내고 있다.
(2) 하나의 미러 블록에 있어서, 서로 인접하는 사출측 미러 요소(M)의 측면은, 서로 대향하고 있지 않다. 그 때문에, 측면끼리가 인접하도록 배치된 복수의 사출측 미러 요소(M)를 구비하는 미러 블록과는 달리, 사출측 미러 요소(M)의 미러면(46)을 가공하기 쉽다. 특히, 사출측 미러 요소(M)의 미러면(46)의 주연의 가공 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 미러 블록을 구성하는 사출측 미러 요소(M)의 미러면(46)에 반사막을 제막하는 경우에 있어서도, 미러면(46) 전체에 반사막을 적절히 제막할 수 있다. 즉, 미러면(46) 전체를 실질적인 미러면으로 할 수 있다. 그 때문에, 미러면(46)의 일부(예컨대, 주연)에 반사막을 적절히 제막할 수 없는 경우와 비교하여, 사출측 플라이아이 미러(22)의 반사 효율을 향상시킬 수 있다.
(3) 제1 미러 블록과 인접하는 제2 미러 블록은, 제1 미러 블록의 연결부에 의해, 상기 제1 미러 블록에 대하여 상대적으로 위치 결정된다. 그 때문에, 복수의 미러 블록을 용이하게 조합할 수 있다.
(4) 본 실시형태의 사출측 플라이아이 미러(22)는, 하나의 사출측 미러 요소(M)를 갖는 미러 블록(50H, 50I)(도 5의 (b),(c)참조)을 구비하고 있다. 사출측 미러 요소(M) 단위로 사출측 설치면(45a) 상에 정확히 위치 결정하는 것은 매우 곤란하다. 이러한 점에서, 본 실시형태에 있어서, 미러 블록(50H, 50I)은, 사출측 미러 요소(M) 뿐만 아니라 제1 방향(S1)으로 연장되는 연결부(62)를 구비하고 있다. 즉, 미러 블록(50H, 50I)의 길이 방향에서의 길이(이 경우, 제1 방향(S1)에서의 길이)는, 사출측 미러 요소(M)의 길이 방향에서의 길이보다 길다. 그 때문에, 미러 블록(50H, 50I)의 길이 방향에서의 양단에 위치 결정용 기구를 설치함으로써, 상기 미러 블록(50H, 50I)을, 사출측 설치면(45a) 상에 적절히 위치 결정한 상태로 설치할 수 있다. 따라서, 사출측 설치면(45a) 상에서의 사출측 미러 요소(M)의 위치 결정 정밀도를 향상시킬 수 있는 만큼, 사출측 플라이아이 미러(22)의 반사 효율을 향상시킬 수 있다.
(5) 사출측 플라이아이 미러(22)의 반사 효율을 향상시킬 수 있었기 때문에, 레티클(R)이나 웨이퍼(W)에 대한 조도를 높게 할 수 있다. 즉, 노광 장치(11)의 스루풋의 향상에 공헌할 수 있다.
(6) 미러 블록(50)을 조합하는 경우, 각 미러 블록(50)은 연결부에 있어서 전용의 지그 등에 의해 파지된다. 그 때문에, 미러 블록(50)의 사출측 미러 요소(M)가 지그 등으로 파지되는 경우와 비교하여, 조합시의 사출측 미러 요소(M)의 파손이나 미러면(46)에 제막된 반사막의 파손 등의 발생을 억제할 수 있다.
(7) 예컨대, 미러 블록(50A)의 연결부(52)에 돌출부(53)를 형성하지 않는 경우에는, 미러 블록(50A)과 사출측 설치대(45)의 접촉 면적이 좁아지는 만큼, 노광광(EL)의 입사에 따라 미러 블록(50A)에서 발생하는 열을 사출측 설치대(45)에 방열하기 어렵게 된다. 이러한 점에서, 본 실시형태의 미러 블록(50A)의 연결부(52)는 돌출부(53)를 형성하고 있다. 그 때문에, 미러 블록(50A)과 사출측 설치대(45)의 접촉 면적을 넓게 할 수 있다. 그 결과, 노광광(EL)의 입사에 따라 미러 블록(50A)에서 발생하는 열을 사출측 설치대(45)에 양호한 효율로 방열할 수 있고, 나아가서는 발열에 따르는 입사측 플라이아이 미러(21)의 미러면의 열변형의 발생을 억제할 수 있다. 또, 이 효과와 동등한 효과는, 다른 타입의 미러 블록(50B∼50I)에서도 얻을 수 있다.
(제2 실시형태)
다음에, 본 발명의 제2 실시형태를 도 9 및 도 10에 기초하여 설명한다. 또, 제2 실시형태는, 연결부에 형성되는 사출측 미러 요소의 배열이 제1 실시형태와 상이하다. 따라서, 이하의 설명에 있어서는, 제1 실시형태와 상이한 부분에 관해 주로 설명하는 것으로 하고, 제1 실시형태와 동일 또는 상당하는 부재 구성에는 동일 부호를 붙여 중복 설명을 생략하는 것으로 한다.
도 9의 (a),(b)에 도시한 바와 같이, 사출측 플라이아이 미러(22)를 구성하는 미러 블록(140)은, 제1 방향(S1)으로 배치되는 복수(도 9에서는 3개)의 사출측 미러 요소(141)를 구비하고 있다. 각 사출측 미러 요소(141)의 미러면(46)은, 평면에서 보아 대략 정방형을 이루고 있다. 그리고, 제1 방향(S1)에 있어서 서로 인접하는 하나의 사출측 미러 요소(141)의 미러면(46)의 하나의 정점과 다른 사출측 미러 요소(141)의 미러면(46)의 하나의 정점이 대향하도록 각 사출측 미러 요소(141)가 배치되어 있다. 이 경우, 미러면(46)의 2개의 대각선 중 하나의 대각선이 연장되는 방향은, 제1 방향(S1)과 일치하고 있다. 또, 각 사출측 미러 요소(141)의 배치 양태는, 미러면(46)의 대각선이 연장되는 방향과 제1 방향(S1)이 일치하는 양태여도 좋고, 일치하지 않는 양태여도 좋다. 또한, 이 배열 양태는, 하나의 미러 블록(140)에 있어서, 하나의 사출측 미러 요소(141)의 측면(즉, 사출측 설치면(45a)과 거의 직교하는 면)(141a)은, 다른 사출측 미러 요소(141)의 측면(141a)에 대향하고 있지 않은 배열 양태라고도 할 수 있다.
또한, 미러 블록(140)은, 사출측 미러 요소(141)의 측벽(즉, 미러면(46)과는 상이한 부위)으로부터 제1 방향(S1)으로 돌출되는 연결부(142)를 구비하고 있다. 연결부(142)는, 제1 방향(S1)에 있어서 서로 인접하는 사출측 미러 요소(141)끼리를 연결한다. 본 실시형태에서도, 하나의 미러 블록(140)을 구성하는 사출측 미러 요소(141)끼리는 직접 연결되어 있지 않다. 또한, 연결부(142)의 제2 방향(S2)에서의 길이, 즉 연결부(142)의 폭(H1)은, 사출측 미러 요소(141)의 제2 방향(S2)에서의 길이, 즉 사출측 미러 요소(141)의 폭(H2)보다 좁다. 예컨대, 연결부(142)의 폭(H1)은, 사출측 미러 요소(141)의 폭(H2)의 절반 미만이다. 연결부(142)는, 미러 블록(140)이 사출측 설치면(45a) 상에 설치된 경우, 사출측 설치면(45a)에 접촉한다.
또한, 미러 블록(140)은, 제2 방향(S2)에서 인접하는 다른 미러 블록(140)의 연결부(142)의 일부가 수용되는 걸어맞춤용 공간(144)을 구비하고 있다. 이 걸어맞춤용 공간(144)은, 사출측 미러 요소(141)의 측벽의 일부를 깎음으로써 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 사출측 미러 요소(141)의 제2 방향(S2)에서의 양단에, 걸어맞춤용 공간(144)이 각각 형성되어 있다.
도 10의 (a),(b)에 도시한 바와 같이, 사출측 플라이아이 미러(22)는, 복수의 미러 블록(140)이 제2 방향(S2)으로 병렬로 배치되어 구성된다. 하나의 미러 블록의 연결부(142)가 다른 미러 블록의 걸어맞춤용 공간(144)에 걸어맞춰짐으로써, 미러 블록이 서로 연결된다.
제1 미러 블록(140A)(140)을 구성하는 사출측 미러 요소(141) 중 제1 사출측 미러 요소(141A)는, 제1 미러 블록(140A)의 +S2 방향측에 배치되는 제2 미러 블록(140B)(140)을 구성하는 사출측 미러 요소(141) 중 제2 사출측 미러 요소(141B)에 대하여, 제1 방향(S1) 및 제2 방향(S2)의 양방과 교차하는 제3 방향(S3)에서 인접하고 있다. 제1 사출측 미러 요소(141A)와 제2 사출측 미러 요소(141B)는, 이들의 측면(141a)끼리가 대향한 상태로 인접하고 있다. 또, 제3 방향(S3)은, 예컨대, 사출측 설치면(45a) 내에서 제1 방향(S1)을 반시계 방향으로 45°회전시켰을 때의 방향을 나타낸다.
또한, 제1 미러 블록(140A)을 구성하는 사출측 미러 요소(141) 중, 제1 사출측 미러 요소(141A)의 +S1 방향측에 위치하는 제4 사출측 미러 요소(141D)는, 제2 사출측 미러 요소(141B)에 대하여, 제3 방향(S3)과 직교하는 제4 방향(S4)에서 인접하고 있다. 제4 사출측 미러 요소(141D)와 제2 사출측 미러 요소(141B)는, 이들의 측면(141a)끼리가 대향한 상태로 인접하고 있다. 또, 제4 방향(S4)은, 사출측 설치면(45a)을 따르는 방향이다.
이 때, 제1 미러 블록(140A)의 걸어맞춤용 공간(144) 중, +S2 방향측에 위치하는 각 걸어맞춤용 공간(144) 내에는, 제2 미러 블록(140B)의 연결부(142)의 일부가 수용된다. 또한, 제2 미러 블록(140B)의 걸어맞춤용 공간(144) 중, -S2 방향측에 위치하는 각 걸어맞춤용 공간(144) 내에는, 제1 미러 블록(140A)의 연결부(142)의 일부가 수용된다. 그 결과, 제2 미러 블록(140B)은, 제1 미러 블록(140A)에 연결된다. 또한, 제2 미러 블록(140B)을 구성하는 사출측 미러 요소(141)는, 제1 미러 블록(140A)을 구성하는 사출측 미러 요소(141)에 위치 결정된다.
마찬가지로, 제1 미러 블록(140A)의 제1 사출측 미러 요소(141A)는, 제1 미러 블록(140A)의 -S2 방향측에 배치되는 제3 미러 블록(140C)(140)을 구성하는 사출측 미러 요소(141) 중 제3 사출측 미러 요소(141C)에 대하여, 제4 방향(S4)에서 인접하고 있다. 또한, 제1 미러 블록(140A)의 제4 사출측 미러 요소(141D)는, 제3 사출측 미러 요소(141C)에 대하여, 제3 방향(S3)에서 인접하고 있다.
이 때, 제1 미러 블록(140A)의 걸어맞춤용 공간(144) 중, -S2 방향측에 위치하는 각 걸어맞춤용 공간(144) 내에는, 제3 미러 블록(140C)의 연결부(142)의 일부가 수용된다. 또한, 제3 미러 블록(140C)의 걸어맞춤용 공간(144) 중, +S2 방향측에 위치하는 각 걸어맞춤용 공간(144) 내에는, 제1 미러 블록(140A)의 연결부(142)의 일부가 수용된다. 그 결과, 제3 미러 블록(140C)은, 제1 미러 블록(140A)에 연결된다. 또한, 제3 미러 블록(140C)을 구성하는 사출측 미러 요소(141)는, 제1 미러 블록(140A)을 구성하는 사출측 미러 요소(141)에 위치 결정된다.
사출측 플라이아이 미러(22)를 구성하는 모든 미러 블록(140)은, 상술한 바와 같이 조합된 상태에서 사출측 설치면(45a) 상에 위치 결정된 상태로 설치된다. 이 때의 설치 방법은 제1 실시형태의 경우와 동등하므로, 여기서는 설명을 생략한다.
따라서, 본 실시형태에서는, 상기 제1 실시형태의 효과 (2)∼(6)과 동등한 효과를 얻을 수 있다.
(제3 실시형태)
다음에, 본 발명의 제3 실시형태를 도 11 및 도 12에 기초하여 설명한다. 또, 제3 실시형태는, 사출측 플라이아이 미러(22)를 구성하는 미러 블록의 형상이 제1 및 제2 각 실시형태와 상이하다. 따라서, 이하의 설명에 있어서는, 제1 및 제2 각 실시형태와 상이한 부분에 관해 주로 설명하는 것으로 하고, 제1 및 제2 각 실시형태와 동일 또는 상당하는 부재 구성에는 동일 부호를 붙여 중복 설명을 생략하는 것으로 한다.
본 실시형태의 사출측 플라이아이 미러(22)는, 도 11의 (a),(b),(c),(d)에 도시하는 복수(이 경우, 4개) 타입의 미러 블록(150A, 150B, 150C, 150D)으로 구성되어 있다. 각 미러 블록(150A∼150D)은, 하나의 사출측 미러 요소(151)(151A, 151B, 151C, 151D)와, 사출측 미러 요소(151)에 있어서 미러면(46)과는 상이한 부위로부터 돌출되는 연결부(152)를 구비하고 있다. 각 연결부(152)는, 제1 방향(S1)으로 연장되어 있다. 또한, 연결부(152)의 제1 방향(S1)에서의 길이(H3)는, 사출측 미러 요소(151)의 N개분(N은, 2 이상의 자연수로서, 본 실시형태에서는 4개)에 상당하는 길이이다. 본 실시형태에서는, 연결부(152)의 길이(H3)는, 사출측 미러 요소(151)의 4개에 대응하는 길이보다 약간 길다. 또한, 연결부(152)의 제2 방향(S2)에서의 길이, 즉 연결부(152)의 폭(H4)은, 사출측 미러 요소(151)의 제2 방향(S2)에서의 길이, 즉 사출측 미러 요소(151)의 폭의 절반 미만이다. 보다 구체적으로는, 연결부(152)의 폭(H4)은, 사출측 미러 요소(151)의 폭의 1/N 미만이다.
도 11의 (a)에 도시한 바와 같이, 미러 블록(150A)은, 연결부(152)의 +S1 방향측의 단부에 배치되는 사출측 미러 요소(151A)를 구비하고 있다. 이 사출측 미러 요소(151A)의 미러면(46)과는 반대측에, 연결부(152)가 배치되어 있다. 즉, 사출측 미러 요소(151A)는, 연결부(152)에 지지된 상태로 사출측 설치면(45a) 상에 설치된다. 또한, 사출측 미러 요소(151A)의 -S2 방향측의 단부는, 연결부(152)의 -S2 방향측의 단부와 제2 방향(S2)에서 일치하고 있다. 그리고, 사출측 미러 요소(151A)의 미러면(46)과는 반대측의 면과, 연결부(152)의 +S2 방향측의 면에 의해, 걸어맞춤용 공간(154)이 형성된다.
도 11의 (b) 및 도 12에 도시한 바와 같이, 미러 블록(150B)은, 사출측 미러 요소(151A)의 -S1 방향측에 배치되는 사출측 미러 요소(151B)를 구비하고 있다. 이 사출측 미러 요소(151B)의 미러면(46)과는 반대측에, 연결부(152)가 배치되어 있다. 이 연결부(152)는, 미러 블록(150A)의 연결부(152)의 +S2 방향측에 위치하고 있다. 그리고, 사출측 미러 요소(151B)의 미러면(46)과는 반대측의 면과, 연결부(152)의 -S2 방향측의 면에 의해, 제1 걸어맞춤용 공간(154)이 형성된다. 또한, 사출측 미러 요소(151B)의 미러면(46)과는 반대측의 면과, 연결부(152)의 +S2 방향측의 면에 의해, 제2 걸어맞춤용 공간(154)이 형성된다.
도 11의 (c) 및 도 12에 도시한 바와 같이, 미러 블록(150C)은, 사출측 미러 요소(151B)의 -S1 방향측에 배치되는 사출측 미러 요소(151C)를 구비하고 있다. 이 사출측 미러 요소(151C)의 미러면(46)과는 반대측에, 연결부(152)가 배치되어 있다. 이 연결부(152)는, 미러 블록(150B)의 연결부(152)의 +S2 방향측에 위치하고 있다. 그리고, 사출측 미러 요소(151C)의 미러면(46)과는 반대측의 면과, 연결부(152)의 -S2 방향측의 면에 의해, 제1 걸어맞춤용 공간(154)이 형성된다. 또한, 사출측 미러 요소(151C)의 미러면(46)과는 반대측의 면과, 연결부(152)의 +S2 방향측의 면에 의해, 제2 걸어맞춤용 공간(154)이 형성된다.
도 11의 (d) 및 도 12에 도시한 바와 같이, 미러 블록(150D)은, 사출측 미러 요소(151C)의 -S1 방향측에 배치되는 사출측 미러 요소(151D)를 구비하고 있다. 이 사출측 미러 요소(151D)의 미러면(46)과는 반대측에, 연결부(152)가 배치되어 있다. 그리고, 사출측 미러 요소(151D)는, 연결부(152)의 -S1 방향측의 단부가 되는 위치에 배치되어 있다. 연결부(152)는, 미러 블록(150C)의 연결부(152)의 +S2 방향측에 위치하고 있다. 또한, 연결부(152)의 +S2 방향측의 단부는, 사출측 미러 요소(151D)의 +S2 방향측의 단부와 제2 방향(S2)에서 일치하고 있다. 그리고, 사출측 미러 요소(151D)의 미러면(46)과는 반대측의 면과, 연결부(152)의 -S2 방향측의 면에 의해, 걸어맞춤용 공간(154)이 형성된다.
그리고, N개(이 경우, 4개)의 타입의 미러 블록(150A∼150D)은, 도 12에 도시한 상태로 조합된다. 즉, 미러 블록(150A∼150D)은, 이들의 제1 방향(S1)에서의 양단이 각각 일치하도록 조합된다. 그렇게 하면, +S1 방향측으로부터 -S1 방향측을 따라서, 사출측 미러 요소(151A), 사출측 미러 요소(151B), 사출측 미러 요소(151C), 사출측 미러 요소(151D)가 순서대로 배치된다.
이 때, 미러 블록(150A)의 걸어맞춤용 공간(154) 내에는, 다른 미러 블록(150B∼150D)의 연결부(152)의 +S1 방향측의 단부가 수용된다. 또한, 미러 블록(150B)의 제1 걸어맞춤용 공간(154) 내에는 미러 블록(150A)의 연결부(152)의 일부가 수용되고, 미러 블록(150B)의 제2 걸어맞춤용 공간(154) 내에는 미러 블록(150C, 150D)의 연결부(152)의 일부가 수용된다. 또한, 미러 블록(150C)의 제1 걸어맞춤용 공간(154) 내에는 미러 블록(150A, 150B)의 연결부(152)의 일부가 수용되고, 미러 블록(150C)의 제2 걸어맞춤용 공간(154) 내에는 미러 블록(150D)의 연결부(152)의 일부가 수용된다. 그리고, 미러 블록(150D)의 걸어맞춤용 공간(154) 내에는, 다른 미러 블록(150A∼150C)의 연결부(152)의 -S1 방향측의 단부가 수용된다.
그 결과, 미러 블록(150A)을 제1 미러 블록으로 간주한 경우, 다른 미러 블록(150B∼150D)은, 미러 블록(150A)에 대하여 연결된다. 또한, 사출측 미러 요소(제1 미러 요소)(151A)에 대하여, 다른 사출측 미러 요소(151B∼151D)가 위치 결정된다.
그 후, 사출측 미러 요소(151A∼151D)는, N개(이 경우, 4개)의 타입의 미러 블록(150A∼150D)을 조합한 상태에서 사출측 설치면(45a) 상에 설치된다. 이 때, 사출측 설치면(45a)에는, N개의 타입의 미러 블록(150A∼150D)을 조합한 블록군이 복수 설치된다. 본 실시형태에서도, 각 미러 블록(150A∼150D)은, 위치 결정된 상태로 사출측 설치면(45a) 상에 설치된다. 이 때의 설치 방법은, 제1 실시형태의 경우와 동등하므로, 여기서는 설명을 생략한다.
따라서, 본 실시형태에서는, 상기 각 실시형태의 효과 (1),(3)∼(6)과 동등한 효과에 더하여, 이하에 나타내는 효과를 얻을 수 있다.
(8) 상기 각 실시형태의 사출측 플라이아이 미러(22)에서는, 일부의 사출측 미러 요소(151)만을 교환하고자 하는 경우에도, 사출측 설치면(45a)으로부터 모든 미러 블록을 떼어낼 필요가 있다. 그러나, 본 실시형태의 사출측 플라이아이 미러(22)에서는, 일부의 사출측 미러 요소(151)를 교환하는 경우, 상기 일부의 사출측 미러 요소(151)를 포함하는 블록군(도 12 참조)을 사출측 설치면(45a)으로부터 떼어내기만 하면 된다. 즉, 사출측 설치면(45a)으로부터 모든 미러 블록을 떼어낼 필요가 없다. 그 때문에, 일부의 사출측 미러 요소(151)의 교환을 수반하는 사출측 플라이아이 미러(22)의 메인터넌스를 간략화시킬 수 있다.
(제4 실시형태)
다음에, 본 발명의 제4 실시형태를 도 13 및 도 14에 기초하여 설명한다. 또, 제4 실시형태는, 사출측 플라이아이 미러(22)를 구성하는 미러 블록의 형상이 제1∼제3 각 실시형태와 상이하다. 따라서, 이하의 설명에 있어서는, 제1∼제3 각 실시형태와 상이한 부분에 관해 주로 설명하는 것으로 하고, 제1∼제3 각 실시형태와 동일 또는 상당하는 부재 구성에는 동일 부호를 붙여 중복 설명을 생략하는 것으로 한다.
도 13은, 사출측 플라이아이 미러(22)의 구성을 간략화한 평면도이다. 도 13에 도시한 바와 같이, 사출측 플라이아이 미러(22)는, 제1 방향(S1)을 따라서 복수(도 13에서는 7개)의 사출측 미러 요소(161)가 배치되어 있다. 이러한 1열분의 사출측 미러 요소(161)에 의해, 2개의 미러 블록이 구성되어 있다.
도 14의 (a),(b)에 도시한 바와 같이, 사출측 플라이아이 미러(22)는, 2개의 타입의 미러 블록(160A, 160B)에 의해 구성된다. 미러 블록(160A)은, +S1 방향측으로부터 -S1 방향측의 순으로 배치되는 사출측 미러 요소(161A, 161B, 161C, 161D)를 구비하고 있다. 이들 사출측 미러 요소(161A∼161D) 중, 사출측 미러 요소(161A)는, 사출측 플라이아이 미러(22)를 구성하는 사출측 미러 요소(161) 중 가장 +S1 방향측에 위치하고 있다. 또한, 사출측 미러 요소(161D)는, 사출측 플라이아이 미러(22)를 구성하는 사출측 미러 요소(161A∼161D) 중 가장 -S1 방향측에 위치하고 있다. 또한, 제1 방향(S1)에 있어서, 사출측 미러 요소(161A, 161B)의 사이, 사출측 미러 요소(161B, 161C)의 사이 및 사출측 미러 요소(161C, 161D)의 사이에는, 다른 미러 블록(160B)을 구성하는 사출측 미러 요소(161)를 배치할 수 있는 스페이스가 각각 개재되어 있다.
미러 블록(160A)은, 사출측 미러 요소(161A∼161D)의 미러면(46)과는 상이한 부위로부터 돌출되는 연결부(162)를 구비하고 있다. 이 연결부(162)는, 사출측 미러 요소(161A∼161D)의 미러면(46)의 반대측에 위치하고, 제1 방향(S1)으로 연장되어 있다. 즉, 각 사출측 미러 요소(161A∼161D)는, 연결부(162)에 지지된 상태로 사출측 설치면(45a) 상에 설치된다. 이러한 연결부(162)의 제2 방향(S2)에서의 길이, 즉 연결부(162)의 폭(H5)은, 사출측 미러 요소(161A∼161D)의 제2 방향(S2)에서의 길이, 즉 사출측 미러 요소(161A∼161D)의 폭(H6)의 절반 미만이다. 또한, 연결부(162)는, 그 -S2 방향측의 단부가 사출측 미러 요소(161A∼161D)의 -S2 방향측의 단부와 일치하고 있다. 그리고, 사출측 미러 요소(161A∼161D)의 미러면(46)의 반대측의 면과 연결부(162)의 +S2 방향측의 면에 의해, 걸어맞춤용 공간(164)이 형성된다.
미러 블록(160B)은, 제1 방향(S1)에 있어서, 사출측 미러 요소(161A, 161B)의 사이에 위치하는 사출측 미러 요소(161E)와, 사출측 미러 요소(161B, 161C)의 사이에 위치하는 사출측 미러 요소(161F)와, 사출측 미러 요소(161C, 161D)의 사이에 위치하는 사출측 미러 요소(161G)를 구비하고 있다. 제1 방향(S1)에 있어서, 사출측 미러 요소(161E, 161F)의 사이 및 사출측 미러 요소(161F, 161G)의 사이에는, 다른 미러 블록(160A)을 구성하는 사출측 미러 요소(161)(161B, 161C)를 배치할 수 있는 스페이스가 각각 개재되어 있다.
미러 블록(160B)은, 사출측 미러 요소(161E∼161G)의 미러면(46)과는 상이한 부위로부터 돌출되는 연결부(162)를 구비하고 있다. 이 연결부(162)는, 사출측 미러 요소(161E∼161G)의 미러면(46)의 반대측에 위치하고, 제1 방향(S1)으로 연장되어 있다. 즉, 각 사출측 미러 요소(161E∼161G)는, 연결부(162)에 지지된 상태로 사출측 설치면(45a) 상에 설치된다. 이러한 연결부(162)의 제2 방향(S2)에서의 길이, 즉 연결부(162)의 폭(H5)은, 사출측 미러 요소(161E∼161G)의 제2 방향(S2)에서의 길이, 즉 사출측 미러 요소(161E∼161G)의 폭(H6)의 절반 미만이다. 또한, 연결부(162)는, 그 +S2 방향측의 단부가 사출측 미러 요소(161E∼161G)의 +S2 방향측의 단부와 일치하고 있다. 그리고, 사출측 미러 요소(161E∼161G)의 미러면(46)의 반대측의 면과 연결부(162)의 -S2 방향측의 면에 의해, 걸어맞춤용 공간(164)이 형성된다.
그리고, 미러 블록(160A)의 걸어맞춤용 공간(164) 내에 미러 블록(160B)의 연결부(162)의 일부가 수용되도록 하여, 미러 블록(160A)과 미러 블록(160B)이 조합된다. 그렇게 하면, 미러 블록(160B)의 걸어맞춤용 공간(164) 내에 미러 블록(160A)의 연결부(162)의 일부가 수용된다. 즉, 미러 블록(160A, 160B)은, 이들의 연결부(162)에 의해 서로 연결된다. 그 결과, 사출측 미러 요소(161A, 161B)의 사이에 사출측 미러 요소(161E)가 배치되고, 사출측 미러 요소(161B, 161C)의 사이에 사출측 미러 요소(161F)가 배치되고, 또한, 사출측 미러 요소(161C, 161D)의 사이에 사출측 미러 요소(161G)가 배치된다. 즉, 미러 블록(160A, 160B)의 연결부(162)는, 미러 블록(160A)을 구성하는 사출측 미러 요소(제1 미러 요소)(161A∼161D)에 대하여, 미러 블록(160B)을 구성하는 사출측 미러 요소(제2 미러 요소)(161E∼161G)를 위치 결정한다.
그 후, 미러 블록(160A, 160B)은, 사출측 설치면(45a) 상에 설치된다. 본 실시형태에서도, 미러 블록(160A, 160B)은, 위치 결정된 상태로 사출측 설치면(45a) 상에 설치된다. 이 때의 설치 방법은, 제1 실시형태의 경우와 동등하므로, 여기서는 설명을 생략한다.
따라서, 본 실시형태에서는, 상기 각 실시형태의 효과 (1),(3)∼(6),(8)과 동등한 효과를 얻을 수 있다.
(제5 실시형태)
다음에, 본 발명의 제5 실시형태를 도 15∼도 17에 기초하여 설명한다. 또, 제5 실시형태는, 미러 블록에서의 연결부의 위치가 제2 실시형태와 상이하다. 따라서, 이하의 설명에 있어서는, 제2 실시형태와 상이한 부분에 관해 주로 설명하는 것으로 하고, 제2 실시형태와 동일 또는 상당하는 부재 구성에는 동일 부호를 붙여 중복 설명을 생략하는 것으로 한다.
도 15 및 도 16에 도시한 바와 같이, 사출측 플라이아이 미러(22)는, 복수 타입의 미러 블록(170A, 170B)을 조합함으로써 구성되어 있다. 미러 블록(170A)에 있어서, 연결부(172)는, 사출측 설치면(45a)과 직교하는 수직 방향(P1)에 있어서 미러면(46)보다 상기 미러면(46)의 반대측의 면에 가까운 위치에 형성되어 있다. 또한, 미러 블록(170A)에 있어서, 걸어맞춤용 공간(174)은, 수직 방향(P1)에 있어서 미러면(46)의 반대측의 면보다 미러면(46)에 가까운 위치에 형성되어 있다. 즉, 미러 블록(170A)에 있어서, 연결부(172) 및 걸어맞춤용 공간(174)은, 수직 방향(P1)에 있어서 서로 상이한 위치에 배치되어 있다.
또한, 미러 블록(170B)은, 미러 블록(170A)과 제2 방향(S2)에서 인접한다. 이 미러 블록(170B)에 있어서, 연결부(172)는, 수직 방향(P1)에 있어서 미러면(46)의 반대측의 면보다 미러면(46)에 가까운 위치에 형성되어 있다. 즉, 미러 블록(170B)의 연결부(172)는, 수직 방향(P1)에 있어서, 미러 블록(170A)의 걸어맞춤용 공간(174)과 동일 위치에 배치된다. 또한, 미러 블록(170B)에 있어서, 걸어맞춤용 공간(174)은, 수직 방향(P1)에 있어서 미러면(46)보다 상기 미러면(46)의 반대측의 면에 가까운 위치에 형성되어 있다. 즉, 미러 블록(170B)의 걸어맞춤용 공간(174)은, 수직 방향(P1)에 있어서, 미러 블록(170A)의 연결부(172)와 동일 위치에 배치된다.
본 실시형태에서는, 하나의 미러 블록에 있어서, 연결부(172)는, 수직 방향(P1)에 있어서 걸어맞춤용 공간(174)과 상이한 위치에 배치되어 있다. 그 때문에, 본 실시형태의 연결부(172)는, 상기 제2 실시형태의 연결부와 비교하여, 제2 방향(S2)에서의 길이, 즉 폭을 넓게 할 수 있다.
그리고, 도 17의 (a),(b),(c)에 도시한 바와 같이, 미러 블록(170A, 170B)을 조합하는 경우, 미러 블록(170A)의 걸어맞춤용 공간(174) 내에는, 미러 블록(170B)의 연결부(172)의 일부가 수용된다. 또한, 미러 블록(170B)의 걸어맞춤용 공간(174) 내에는, 미러 블록(170A)의 연결부(172)의 일부가 수용된다. 즉, 미러 블록(170A, 170B)의 연결부(172)는, 미러 블록(제1 미러 블록)(170A)을 구성하는 사출측 미러 요소(제1 미러 요소)(171)에 대하여, 미러 블록(제2 미러 블록)(170B)을 구성하는 사출측 미러 요소(제2 미러 요소)(171)를 위치 결정한다.
그 후, 모든 미러 블록(170A, 170B)이 조합되면, 상기 미러 블록(170A, 170B)은, 사출측 설치면(45a) 상에 설치된다. 본 실시형태에서도, 각 미러 블록(170A, 170B)은, 위치 결정된 상태로 사출측 설치면(45a) 상에 설치된다. 이 때의 설치 방법은, 제1 실시형태의 경우와 동등하므로, 여기서는 설명을 생략한다.
따라서, 본 실시형태에서는, 상기 각 실시형태의 효과 (2)∼(6)과 동등한 효과를 얻을 수 있다.
(제6 실시형태)
다음에, 본 발명의 제6 실시형태를 도 18 및 도 19에 기초하여 설명한다. 또, 제6 실시형태는, 사출측 플라이아이 미러(22)를 구성하는 미러 블록의 형상이 제1∼제5 각 실시형태와 상이하다. 따라서, 이하의 설명에 있어서는, 제1∼제5 각 실시형태와 상이한 부분에 관해 주로 설명한다.
도 18에 도시한 바와 같이, 본 실시형태의 사출측 플라이아이 미러(22)를 구성하는 사출측 미러 요소(181)는, 평면에서 보아 대략 육각 형상을 이루는 미러면(46)을 갖고 있다. 이러한 사출측 플라이아이 미러(22)는, 복수의 미러 블록(180)으로 구성되어 있다.
미러 블록(180)은, 제1 방향(S1)을 따라서 배치되는 복수의 사출측 미러 요소(181)와, 복수의 사출측 미러 요소(181)의 미러면(46)과는 상이한 부위로부터 돌출되는 연결부(182)를 구비하고 있다. 사출측 미러 요소(181)는, 제1 방향(S1)에 있어서 소정 간격만큼 이격된 상태로 배치되어 있다. 또한, 연결부(182)는, 복수의 사출측 미러 요소(181)의 미러면(46)과는 반대측에 배치되고, 제1 방향(S1)으로 연장되어 있다. 이러한 연결부(182)의 제2 방향(S2)에서의 길이, 즉 연결부(182)의 폭(H7)은, 사출측 미러 요소(181)의 제2 방향(S2)에서의 길이, 즉 사출측 미러 요소(181)의 폭(H8)의 절반 미만이다. 또한, 연결부(182)의 -S2 방향측의 단부는, 각 사출측 미러 요소(181)의 -S2 방향측의 단부와 제2 방향(S2)에서 일치하고 있다. 그리고, 사출측 미러 요소(181)의 미러면(46)과 반대측의 면과 연결부(182)의 +S2 방향측의 면에 의해, 걸어맞춤용 공간(184)이 형성되어 있다.
그리고, 도 19에 도시한 바와 같이, 미러 블록(180)을 조합한 경우, 제1 미러 블록(180A)(180)의 걸어맞춤용 공간(184) 내에는, 제1 미러 블록(180A)의 +S2 방향측에 위치하는 제2 미러 블록(180B)(180)의 연결부(182)의 일부가 수용된다. 그 결과, 제1 미러 블록(180A)에 제2 미러 블록(180B)이 연결된다. 또한, 제1 미러 블록(180A)의 -S2 방향측에 위치하는 제3 미러 블록(180C)(180)의 걸어맞춤용 공간(184) 내에는, 제1 미러 블록(180A)의 연결부(182)의 일부가 수용된다. 그 결과, 제3 미러 블록(180C)에 제1 미러 블록(180A)이 연결된다.
이 경우, 제1 미러 블록(180A)의 사출측 미러 요소(181)는, 제2 미러 블록(180B)의 사출측 미러 요소(181)와 제1 방향(S1) 및 제2 방향(S2)의 양방과 교차하는 제3 방향(S3)(도 19 참조)에서, 측면끼리가 대향한 상태로 인접한다. 또한, 제1 미러 블록(180A)의 사출측 미러 요소(181)는, 제2 미러 블록(180B)의 사출측 미러 요소(181)와 제3 방향(S3)과 교차하는 제4 방향(S4)(도 19 참조)에서, 측면끼리가 대향한 상태로 인접한다. 또한, 제1 미러 블록(180A)의 사출측 미러 요소(181)는, 제2 미러 블록(180B)의 -S2 방향측에 위치하는 제4 미러 블록(180D)의 사출측 미러 요소(181)와 측면끼리가 대향한 상태로 인접한다.
그 후, 모든 미러 블록(180)이 조합되면, 상기 미러 블록(180)은, 사출측 설치면(45a) 상에 설치된다. 본 실시형태에서도, 각 미러 블록(180)은, 위치 결정된 상태로 사출측 설치면(45a) 상에 설치된다. 이 때의 설치 방법은, 제1 실시형태의 경우와 동등하므로, 여기서는 설명을 생략한다.
따라서, 본 실시형태에서는, 상기 각 실시형태의 효과 (1),(3)∼(6)과 동등한 효과에 더하여, 이하에 나타내는 효과를 얻을 수 있다.
(제7 실시형태)
다음에, 본 발명의 제7 실시형태를 도 20 및 도 21에 기초하여 설명한다. 또, 제7 실시형태는, 미러 블록을 구성하는 연결부의 위치가 제6 실시형태와 상이하다. 따라서, 이하의 설명에 있어서는, 제6 실시형태와 상이한 부분에 관해 주로 설명한다.
도 20에 도시한 바와 같이, 미러 블록(190)은, 제1 방향(S1)으로 연장되는 연결부(192)와, 제1 방향(S1)을 따라서 배치되는 복수의 사출측 미러 요소(191)를 구비하고 있다. 연결부(192)는, 각 사출측 미러 요소(191)의 제2 방향(S2)에서의 중앙에 배치되어 있다. 그리고, 사출측 미러 요소(191)의 미러면(46)과 반대측의 면과 연결부(192)의 +S2 방향측의 면에 의해, 제1 걸어맞춤용 공간(194A)이 형성되어 있다. 또한, 사출측 미러 요소(191)의 미러면(46)과 반대측의 면과 연결부(192)의 -S2 방향측의 면에 의해, 제2 걸어맞춤용 공간(194B)이 형성되어 있다.
그리고, 도 21에 도시한 바와 같이, 각 미러 블록(190)을 조합한 경우, 제1 미러 블록(190A)의 제1 걸어맞춤용 공간(194A) 내에는, 제1 미러 블록(190A)의 +S2 방향측에 위치하는 제2 미러 블록(190B)의 연결부(192)의 일부가 수용된다. 그 결과, 제1 미러 블록(190A)에 제2 미러 블록(190B)이 연결된다. 또한, 제1 미러 블록(190A)의 제2 걸어맞춤용 공간(194B) 내에는, 제1 미러 블록(190A)의 -S2 방향측에 위치하는 제3 미러 블록(190C)의 연결부(192)의 일부가 수용된다. 그 결과, 제1 미러 블록(190A)에 제3 미러 블록(190C)이 연결된다.
따라서, 본 실시형태에서는, 상기 각 실시형태의 효과 (1),(3)∼(6)과 동등한 효과를 얻을 수 있다.
(제8 실시형태)
다음에, 본 발명의 제8 실시형태를 도 22에 기초하여 설명한다. 또, 제8 실시형태는, 미러 블록을 구성하는 연결부의 형상이 제1∼제7 각 실시형태와 상이하다. 따라서, 이하의 설명에 있어서는, 제1∼제7 각 실시형태와 상이한 부분에 관해 주로 설명하는 것으로 하고, 제1∼제7 각 실시형태와 동일 또는 상당하는 부재 구성에는 동일 부호를 붙여 중복 설명을 생략하는 것으로 한다.
도 22에 도시한 바와 같이, 본 실시형태의 사출측 플라이아이 미러(22)의 미러 블록(200)은, 제1 방향(S1)을 따라서 배치되는 복수(도 22에서는 3개)의 사출측 미러 요소(201)를 구비하고 있다. 각 사출측 미러 요소(201)에 있어서 미러면(46)과는 상이한 부위(제1 방향(S1)측의 측벽)에는, 제1 방향(S1)으로 돌출되는 연결부(202)가 설치되어 있다. 이 연결부(202)의 두께(즉, 사출측 설치면(45a)과 직교하는 수직 방향(P1)에서의 길이)(H9)는, 사출측 미러 요소(201)의 수직 방향(P1)에서의 길이와 거의 동등하다.
또한, 미러 블록(200)에는, 제2 방향(S2)에서 인접하는 다른 미러 블록(200)의 연결부(202)를 수용하는 공간(즉, 상기 각 실시형태에서 말하는 걸어맞춤용 공간에 상당하는 부위)이 형성되어 있지 않다.
그리고, 미러 블록(200)을 조합한 경우, 제1 미러 블록(200A)(200)의 +S2 방향측에는 제2 미러 블록(200B)(200)이 배치되고, 상기 제2 미러 블록(200B)의 -S2 방향측에는 제4 미러 블록(200D)(200)이 배치된다. 또한, 제1 미러 블록(200A)의 -S2 방향측에는 제3 미러 블록(200C)(200)이 배치된다.
제1 미러 블록(200A)의 사출측 미러 요소(201)는, 제2 미러 블록(200B)의 사출측 미러 요소(201)와 제1 방향(S1) 및 제2 방향(S2)과 교차하는 제3 방향(S3)에서, 측면끼리가 대향한 상태로 인접한다. 또한, 제1 미러 블록(200A)의 사출측 미러 요소(201)는, 제2 미러 블록(200B)의 사출측 미러 요소(201)와 제3 방향(S3)과 교차하는 제4 방향(S4)에서, 측면끼리가 대향한 상태로 인접한다. 마찬가지로, 제1 미러 블록(200A)의 사출측 미러 요소(201)는, 제3 미러 블록(200C)의 사출측 미러 요소(201)와 제3 방향(S3)에서, 측면끼리가 대향한 상태로 인접한다. 또한, 제1 미러 블록(200A)의 사출측 미러 요소(201)는, 제3 미러 블록(200C)의 사출측 미러 요소(201)와 제4 방향(S4)에서, 측면끼리가 대향한 상태로 인접한다.
또한, 제1 미러 블록(200A)의 사출측 미러 요소(201)는, 제4 미러 블록(200D)의 사출측 미러 요소(201)와, 제2 미러 블록(200B)의 연결부(202)를 사이에 두고 대향하고 있다.
그 후, 모든 미러 블록(200)이 조합되면, 상기 미러 블록(200)은, 사출측 설치면(45a) 상에 설치된다. 본 실시형태에서도, 각 미러 블록(200A∼200D)은, 위치 결정된 상태로 사출측 설치면(45a) 상에 설치된다. 이 때의 설치 방법은, 제1 실시형태의 경우와 동등하므로, 여기서는 설명을 생략한다.
따라서, 본 실시형태에서는, 상기 각 실시형태의 효과 (1),(3)∼(8)과 동등한 효과에 더하여, 이하에 나타내는 효과를 얻을 수 있다.
(9) 본 실시형태의 미러 블록(200)(200A∼200D)에는, 상기 각 실시형태의 미러 블록(200)과는 달리, 연결부(202)의 일부를 수용하기 위한 공간(걸어맞춤용 공간)을 형성할 필요가 없다. 그 때문에, 미러 블록(200)을 용이하게 가공할 수 있다.
또한, 연결부(202)의 두께(H9)를 두껍게 할 수 있는 만큼, 연결부(202)의 강도를 강하게 할 수 있다. 그 때문에, 미러 블록(200)끼리의 부착을 용이한 것으로 할 수 있다.
또, 상기 각 실시형태는 이하와 같은 별도의 실시형태로 변경해도 좋다.
·제1∼제4, 제6 및 제7의 실시형태에 있어서, 연결부(52, 142, 152, 162, 182, 192)를, 수직 방향(P1)에 있어서 미러면(46)의 반대측의 면보다 상기 미러면(46)에 가까운 위치에 설치해도 좋다.
·각 실시형태에 있어서, 사출측 미러 요소(M)의 미러면(46)의 형상은, 사각형이나 육각형 이외의 다른 임의의 형상(예컨대, 삼각형, 원형, 타원형)이어도 좋다.
·각 실시형태에서는, 미러 블록은, 사출측 설치면(45a) 상에서는 약간 이격되어 배치되어 있다. 그러나, 사출측 플라이아이 미러(22)의 성능(반사 특성 등)을 노광 장치(11)에서 필요한 성능 이상으로 할 수 있는 경우에는, 인접하는 미러 블록끼리를 접촉시켜도 좋다.
·제1 실시형태에 있어서, 사출측 플라이아이 미러(22)를, 미러 블록(50A∼50I) 중 어느 하나의 타입의 미러 블록을 사용하여 구성해도 좋다. 또한, 미러 블록(50A∼50I)과는 사출측 미러 요소(51)의 개수나 배치 양태가 상이한 다른 타입의 미러 블록을 사용하여, 사출측 플라이아이 미러(22)를 구성해도 좋다.
·제3 실시형태에 있어서, 사출측 플라이아이 미러(22)를, 2 이상이고 또한 4 이외의 임의의 수(예컨대, 6개)의 타입의 미러 블록을 사용하여 구성해도 좋다. 이러한 미러 블록의 연결부(152)의 길이(H3) 및 폭(H4)은, 미러 블록의 개수(N)에 따른 길이 및 폭이 된다.
·본 발명을 입사측 플라이아이 미러(21)에 구체화해도 좋다. 예컨대, 도 23의 (a),(b)에 도시한 바와 같이, 입사측 플라이아이 미러(21)는, 제1 방향(S1)을 따라서 배치되는 복수의 입사측 미러 요소(41)를 갖는 미러 블록(210)을 복수 구비하고 있다. 하나의 미러 블록(210A)(210)을 구성하는 입사측 미러 요소(41)의 사이에는, 도 23의 (a) 및 도 24에 도시한 바와 같이, 다른 미러 블록(210B)(210)을 구성하는 입사측 미러 요소(41)를 배치할 수 있는 스페이스가 개재되어 있다. 또한, 하나의 미러 블록(210A)의 각 입사측 미러 요소(41)의 +S2 방향측에는, 제1 방향(S1)으로 돌출되는 연결부(212)가 돌출 형성되어 있다. 도 23의 (a)에서는, 연결부(212)는, 입사측 설치면(40a)에 접촉 가능한 위치에 형성되어 있다. 또한, 하나의 미러 블록(210A)의 각 입사측 미러 요소(41)의 -S2 방향측에는, 다른 미러 블록(210B)의 연결부(212)를 수용하는 걸어맞춤용 공간(214)이 형성되어 있다.
그리고, 도 24에 도시한 바와 같이, 하나의 미러 블록(210A)과 다른 미러 블록(210B)을 조합함으로써, 제1 방향(S1)으로 연장되는 미러열이 형성된다. 이와 같이 구성된 미러열을 제2 방향(S2)으로 배열함으로써, 입사측 플라이아이 미러(21)가 구성된다.
또, 다른 미러 블록(210B)을 구성하는 각 입사측 미러 요소(41)에 있어서, 하나의 미러 블록(210A)의 연결부(212)에 대응하는 위치에는, 하나의 미러 블록(210A)의 연결부(212)를 수용하는 걸어맞춤용 공간(214)이 형성되어 있다.
이와 같이, 본 발명을 입사측 플라이아이 미러(21)에 구체화한 경우, 반사율을 향상시키는 효과 외에, 반사광의 강도를 균일하게 하고, 결과적으로, 레티클을 균일한 조도로 조명할 수 있다는 효과도 있다.
또한, 이 경우, 제1 방향(S1) 및 제2 방향(S2)에서 서로 인접하는 입사측 미러 요소(41)는, 밀접해 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 구성하면, 각 입사측 미러 요소(41)의 사이에 간극이 개재하지 않는 만큼, 입사측 플라이아이 미러(21)에서의 광량 손실을 적게 할 수 있다.
·각 실시형태에 있어서, 미러 블록과 설치면(40a, 45a) 사이에는, 미러 블록을 구성하는 재료보다 열전도성이 높고 또한 강성이 낮은 재료(예컨대 구리)로 구성되는 열전도층을 설치해도 좋다.
·각 실시형태에 있어서, 노광 장치(11)는, 반도체 소자 등의 마이크로디바이스 뿐만 아니라, 광 노광 장치, EUV 노광 장치, X선 노광 장치, 및 전자선 노광 장치 등에서 사용되는 레티클 또는 마스크를 제조하기 위해, 마더 레티클로부터 유리 기판이나 실리콘 웨이퍼 등에 회로 패턴을 전사하는 노광 장치여도 좋다. 또한, 노광 장치(11)는, 액정 표시 소자(LCD) 등을 포함하는 디스플레이의 제조에 사용되어 디바이스 패턴을 유리 플레이트 상에 전사하는 노광 장치, 박막 자기 헤드 등의 제조에 사용되어, 디바이스 패턴을 세라믹 웨이퍼 등에 전사하는 노광 장치, 및 CCD 등의 촬상 소자의 제조에 사용되는 노광 장치 등이어도 좋다.
·각 실시형태에 있어서, 광원 장치(12)에서 사용되는 EUV광 발생 물질은, 기체형의 주석(Sn)이어도 좋고, 액체형 또는 고체형의 주석이어도 좋다. 또한, EUV광 발생 물질로서, 크세논(Xe)을 사용해도 좋다.
·각 실시형태에 있어서, 광원 장치(12)는, 예컨대 g선(436 nm), i선(365 nm), KrF 엑시머 레이저(248 nm), F2 레이저(157 nm), Kr2 레이저(146 nm), Ar2 레이저(126 nm) 등을 공급할 수 있는 광원이어도 좋다. 또한, 광원 장치(12)는, DFB 반도체 레이저 또는 파이버 레이저로부터 발진되는 적외역, 또는 가시역의 단일 파장 레이저광을, 예컨대 에르븀(또는 에르븀과 이테르븀의 쌍방)이 도핑된 파이버 앰프로 증폭하고, 비선형 광학 결정을 이용하여 자외광으로 파장 변환한 고조파를 공급할 수 있는 광원이어도 좋다.
·각 실시형태에 있어서, 광원 장치(12)는, 방전형 플라즈마 광원을 갖는 장치여도 좋다.
·각 실시형태에 있어서, 노광 장치(11)를, 스텝·앤드·리피트 방식의 장치에 구체화해도 좋다.
·각 실시형태에 있어서, 연결부는, 직선이나 곡선 등으로 형성되어 있어도 좋다.
·걸어맞춤용 공간은, 홈, 절결, 단부(段部), 오목부 등으로 형성되어 있어도 좋다.
·하나의 미러 블록의 복수의 미러 요소와, 별도의 미러 블록의 복수의 미러 요소가 공차에 기초하는 간극을 두고 밀접하게 배치되었을 때, 상기 별도의 미러 블록의 복수의 미러 요소는, 상기 하나의 미러 블록의 복수의 연결 본체부를 수용하도록 형성된 복수의 걸어맞춤부를 구비해도 좋다. 또한, 상기 하나의 미러 블록의 복수의 미러 요소가, 상기 별도의 미러 블록의 복수의 연결 본체부를 수용하도록 형성된 복수의 걸어맞춤부를 구비해도 좋다. 상기 하나의 미러 블록의 복수의 미러 요소는 서로 동일한 형상이고, 상기 별도의 미러 블록의 복수의 미러 요소는, 서로 동일한 형상으로 형성되어 있어도 좋다.
·제1 복수 미러 요소는, 복수의 미러 요소가 형성된 제1 미러 블록에 있어서, 제1 미러 요소를 포함하는 복수의 미러 요소를 나타내고 있다. 제2 복수 미러 요소는, 제2 미러 블록에 형성된 복수의 미러 요소를 나타내고 있다.
다음에, 본 발명의 실시형태의 노광 장치(11)에 의한 디바이스의 제조 방법을 리소그래피 공정에서 사용한 마이크로디바이스의 제조 방법의 실시형태에 관해 설명한다. 도 25는, 마이크로디바이스(IC나 LSI 등의 반도체칩, 액정 패널, CCD, 박막 자기 헤드, 마이크로머신 등)의 제조예의 플로우차트를 도시한 도면이다.
우선, 단계 S101(설계 단계)에 있어서, 마이크로디바이스의 기능·성능 설계(예컨대, 반도체 디바이스의 회로 설계 등)를 행하고, 그 기능을 실현하기 위한 패턴 설계를 행한다. 계속해서, 단계 S102(마스크 제작 단계)에 있어서, 설계한 회로 패턴을 형성한 마스크(레티클(R) 등)를 제작한다. 한편, 단계 S103(기판 제조 단계)에 있어서, 실리콘, 유리, 세라믹스 등의 재료를 사용하여 기판(실리콘 재료를 사용한 경우에는 웨이퍼(W)가 된다)을 제조한다.
다음으로, 단계 S104(기판 처리 단계)에 있어서, 단계 S101∼단계 S104에서 준비한 마스크와 기판을 사용하여, 후술하는 바와 같이, 리소그래피 기술 등에 의해 기판 상에 실제의 회로 등을 형성한다. 계속해서, 단계 S105(디바이스 조립 단계)에 있어서, 단계 S104에서 처리된 기판을 사용하여 디바이스 조립을 행한다. 이 단계 S105에는, 다이싱 공정, 본딩 공정, 및 패키징 공정(칩 봉입) 등의 공정이 필요에 따라 포함된다. 마지막으로, 단계 S106(검사 단계)에 있어서, 단계 S105에서 제작된 마이크로디바이스의 동작 확인 테스트, 내구성 테스트 등의 검사를 행한다. 이러한 공정을 거친 후에 마이크로디바이스가 완성되어, 이것이 출하된다.
도 26은, 반도체 디바이스인 경우에서의 단계 S104의 상세 공정의 일례를 도시한 도면이다.
단계 S111(산화 단계)에 있어서는, 기판의 표면을 산화시킨다. 단계 S112(CVD 단계)에 있어서는, 기판 표면에 절연막을 형성한다. 단계 S113(전극 형성 단계)에 있어서는, 기판 상에 전극을 증착에 의해 형성한다. 단계 S114(이온 주입 단계)에 있어서는, 기판에 이온을 주입한다. 이상의 단계 S111∼단계 S114의 각각은, 기판 처리의 각 단계의 전(前)처리 공정을 구성하고 있고, 각 단계에 있어서 필요한 처리에 따라 선택되어 실행된다.
기판 프로세스의 각 단계에 있어서, 상술한 전처리 공정이 종료되면, 이하와 같이 하여 후처리 공정이 실행된다. 이 후처리 공정에서는, 우선, 단계 S115(레지스트 형성 단계)에 있어서, 기판에 감광성 재료를 도포한다. 계속해서, 단계 S116 (노광 단계)에 있어서, 위에서 설명한 리소그래피 시스템(노광 장치(11))에 의해 마스크의 회로 패턴을 기판에 전사한다. 다음으로, 단계 S117(현상 단계)에 있어서, 단계 S116에서 노광된 기판을 현상하여, 기판의 표면에 회로 패턴으로 이루어지는 마스크층을 형성한다. 또한 계속해서, 단계 S118(에칭 단계)에 있어서, 레지스트가 잔존하고 있는 부분 이외의 부분의 노출 부재를 에칭에 의해 제거한다. 그리고, 단계 S119(레지스트 제거 단계)에 있어서, 에칭이 끝나 불필요해진 감광성 재료를 제거한다. 즉, 단계 S118 및 단계 S119에 있어서, 마스크층을 통해 기판의 표면을 가공한다. 이들 전처리 공정과 후처리 공정을 반복 행함으로써, 기판 상에 다중으로 회로 패턴이 형성된다.
11 : 노광 장치 14 : 조명 광학계
20 : 플라이아이 광학계
21, 22 : 반사 광학 부재의 일례로서의 플라이아이 미러
40 : 베이스 부재의 일례로서의 입사측 설치대
40a : 입사측 설치면 41 : 입사측 미러 요소
41a, 46 : 반사부로서의 미러면
45 : 베이스 부재의 일례로서의 사출측 설치대
45a : 사출측 설치면
50, 50A∼50I, 140, 140A∼140C, 150A∼150D, 160A, 160B, 170A, 170B, 180, 180A∼180D, 190, 190A∼190C, 200, 200A∼200D, 210, 210A, 210B : 미러 블록
51, 51A∼51F, 141, 141A∼141D, 151, 151A∼151D, 161, 161A∼161G, 171, 181, 191, 201, M : 사출측 미러 요소
52, 62, 152, 162, 182, 192 : 지지부로서도 기능하는 연결부
54, 64, 74, 84, 94, 104, 114, 124, 134, 144, 154, 164, 174, 184, 194A, 194B, 214 : 걸어맞춤부의 일례로서의 걸어맞춤용 공간
142, 172, 202, 212 : 연결부 EL : 노광광
R : 마스크의 일례로서의 레티클 W : 기판의 일례로서의 웨이퍼

Claims (22)

  1. 광을 반사하는 반사부를 갖는 복수의 미러 요소를, 베이스 부재의 설치면에 설치한 반사 광학 부재에 있어서,
    상기 복수의 미러 요소 중 제1 미러 요소 및 제5 미러 요소를 갖는 제1 미러 블록과, 상기 복수의 미러 요소 중 제2 미러 요소를 갖는 제2 미러 블록을 구비하고,
    상기 제1 미러 블록은, 상기 제1 미러 요소 및 제5 미러 요소의 반사부와는 상이한 부위로부터 상기 설치면을 따르는 제1 방향으로 돌출되는 연결부를 갖고,
    상기 제2 미러 블록은 상기 연결부와 걸어맞추는 걸어맞춤부를 포함하고,
    상기 제1, 제2 및 제5 미러 요소는 상기 제1 방향을 따라서 나란히 위치하고, 상기 제1 미러 요소와 상기 제5 미러 요소 사이에 상기 제2 미러 요소가 위치하는 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 미러 요소 중 제3 미러 요소를 갖는 제3 미러 블록을 더 구비하고,
    상기 연결부는, 상기 제1 미러 요소에 대하여, 상기 제2 미러 요소 및 상기 제3 미러 요소를 포함하는 복수의 미러 요소를 위치 결정하는 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제2항에 있어서, 상기 제2 미러 블록은, 상기 걸어맞춤부가 상기 제1 미러 블록의 상기 연결부와 걸어맞춰짐으로써, 상기 제1 미러 블록에 대하여 상기 설치면 내에서 위치 결정되는 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 미러 블록은, 상기 미러 요소의 반사부와는 상이한 부위로부터 돌출되고, 상기 제1 미러 블록과 연결하는 연결부를 더 갖고,
    상기 제1 미러 블록은, 상기 제2 미러 블록의 상기 연결부와 걸어맞추는 걸어맞춤부를 더 갖는 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  7. 제2항에 있어서, 상기 연결부는, 상기 미러 요소의 반사부와는 상이한 부위로부터 상기 설치면을 따르는 제1 방향으로 돌출되고,
    상기 설치면 내에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서의 상기 연결부의 폭은, 상기 제2 방향에서의 상기 미러 요소의 폭보다 좁은 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 미러 블록은, 상기 제1 방향에 있어서 서로 상이한 위치에 배치되는, 상기 제1 미러 요소를 포함하는 제1 복수의 미러 요소를 갖고,
    상기 제1 복수의 미러 요소는, 상기 연결부를 통해 연결되는 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 미러 블록은, 상기 제1 복수의 미러 요소 중 상기 제1 방향에 있어서 가장 일단측에 배치되는 미러 요소와, 상기 제1 복수의 미러 요소 중 가장 타단측에 배치되는 미러 요소를 갖는 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제1 미러 블록은, 상기 제1 방향을 따라서 배치되는 상기 제1 미러 요소와 제4 미러 요소를 갖고,
    상기 제1 미러 요소는, 상기 설치면을 따르는 방향이고 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 교차하는 제3 방향에서 측면끼리가 대향하도록 상기 제2 미러 요소와 인접하고,
    상기 제4 미러 요소는, 상기 설치면을 따르는 방향이고 상기 제1, 제2 및 제3 방향과 교차하는 제4 방향에서 측면끼리가 대향하도록 상기 제2 미러 요소와 인접하고,
    상기 제1 미러 블록의 상기 연결부는, 상기 제1 미러 요소와 상기 제4 미러 요소를 연결하는 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제1 미러 블록은, 상기 제1 방향을 따라서 배치되는 상기 제1 미러 요소와 제4 미러 요소를 갖고,
    상기 제1 미러 요소는, 상기 제1 방향에서 상기 제2 미러 요소와 인접하고,
    상기 제4 미러 요소는, 상기 제1 방향에서 상기 제2 미러 요소와 인접하고,
    상기 연결부는, 상기 제1 미러 요소와 상기 제4 미러 요소를 연결하는 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  12. 제8항에 있어서, 상기 제1 미러 블록은, 상기 제1 방향에 있어서 서로 상이한 위치에 배치되는 상기 제1 미러 요소, 제4 미러 요소 및 상기 제5 미러 요소를 갖고,
    상기 제1 미러 요소는, 상기 제1 방향에서 상기 제2 미러 요소와 인접하고,
    상기 제4 미러 요소는, 상기 설치면을 따르는 방향이고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 상기 제2 미러 요소와 인접하고,
    상기 제5 미러 요소는, 상기 제1 방향에서 상기 제2 미러 요소와 인접하고,
    상기 제1 미러 블록의 상기 연결부는, 상기 제1 미러 요소와 상기 제4 미러 요소와 상기 제5 미러 요소를 연결하는 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  13. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 제2 미러 블록은, 상기 제2 미러 요소의 상기 반사부와는 상이한 부위로부터 상기 제1 방향으로 돌출되는 연결부를 더 갖고,
    상기 제2 미러 블록의 상기 연결부는, 상기 설치면과 직교하는 방향에 있어서 상기 제1 미러 블록의 상기 연결부와는 상이한 위치에 배치되어 있고,
    상기 제1 미러 블록의 상기 제1 미러 요소에는, 상기 직교하는 방향에 있어서 상기 제2 미러 블록의 상기 연결부와 동일 위치에 배치되고, 이 연결부에 걸어맞춰지는 걸어맞춤부가 형성되는 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  14. 제2항에 있어서, 상기 제1 미러 블록의 상기 연결부는, 상기 설치면을 따르는 제1 방향으로 연장되고,
    상기 연결부의 상기 설치면 내에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서의 폭은, 상기 제1 미러 요소의 상기 제2 방향에서의 폭의 절반 미만이고,
    상기 제1 미러 요소는, 상기 연결부의 제1 방향에서의 일단측에 위치하고, 상기 연결부를 통해 상기 설치면에 설치되는 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제2 미러 블록은, 상기 제1 방향으로 연장되는 연결부를 갖고,
    상기 연결부의 상기 제2 방향에서의 폭은, 상기 제2 미러 요소의 상기 제2 방향에서의 폭의 절반 미만이고,
    상기 제2 미러 요소는, 상기 제1 미러 요소의 상기 제1 방향에서의 타단측에 위치하고, 상기 연결부를 통해 상기 설치면에 설치되는 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제2 미러 블록의 상기 연결부는, 상기 제2 방향에 있어서 상기 제1 미러 블록의 상기 연결부와는 상이한 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  17. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연결부의 상기 제1 방향에서의 길이는, 상기 제1 방향에서의 상기 미러 요소의 길이의 N배(N은 2 이상의 자연수)이고,
    상기 연결부의 상기 제2 방향에서의 폭은, 상기 미러 요소의 상기 제2 방향에서의 폭의 1/N 이하인 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  18. 제1항에 있어서, 상기 제1 미러 블록 및 상기 제2 미러 블록은, 해당 미러 블록을 구성하는 상기 미러 요소를 지지하는 지지부를 각각 갖는 것을 특징으로 하는 반사 광학 부재.
  19. 삭제
  20. 복수의 미러 요소를 갖는 한쌍의 반사 광학 부재를 구비하고,
    상기 한쌍의 반사 광학 부재 중 적어도 한쪽은, 제1항에 기재된 반사 광학 부재인 것을 특징으로 하는 광학계.
  21. 정해진 패턴이 형성된 마스크를 조명 광학계로부터 사출되는 광으로 조명함으로써 형성된 패턴의 이미지를 기판에 투영하는 노광 장치에 있어서,
    상기 조명 광학계는, 제20항에 기재된 광학계를 갖는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  22. 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스의 제조 방법에 있어서,
    상기 리소그래피 공정은, 제21항에 기재된 노광 장치를 사용하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8975601B1 (en) 2013-11-25 2015-03-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for electron beam lithography
US8969836B1 (en) * 2013-11-26 2015-03-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for electron beam lithography
DE102015209175A1 (de) 2015-05-20 2016-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100890818B1 (ko) * 2008-08-18 2009-03-30 정지석 친환경 식생 블록
WO2009081711A1 (ja) * 2007-12-21 2009-07-02 Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. 取付姿勢測定装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4238390B2 (ja) 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
JP2000098114A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 多光源形成反射鏡の製造方法及び該反射鏡を用いた光学装置
JPWO2007138805A1 (ja) 2006-05-25 2009-10-01 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102007008448A1 (de) * 2007-02-19 2008-08-21 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Herstellung von Spiegelfacetten für einen Facettenspiegel
JP5428375B2 (ja) * 2009-02-18 2014-02-26 株式会社ニコン 保持装置、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009081711A1 (ja) * 2007-12-21 2009-07-02 Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. 取付姿勢測定装置
KR100890818B1 (ko) * 2008-08-18 2009-03-30 정지석 친환경 식생 블록

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US20130335720A1 (en) 2013-12-19

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