JP2011228536A - 反射光学部材、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】放射ビームの反射効率を向上させることができる反射光学部材、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】射出側フライアイミラーは、射出側ミラー要素ＭＡ１，ＭＡ２，ＭＡ３を有するミラーブロック５０Ａと、射出側ミラー要素ＭＢ１を有するミラーブロック５０Ｂと、射出側ミラー要素ＭＣ１，ＭＥ１を有するミラーブロック５０Ｃ，５０Ｅと、射出側ミラー要素ＭＤ１，ＭＤ２を有するミラーブロック５０Ｄとを備えている。
【選択図】図７

Description

本発明の態様は、複数のミラー要素を有する反射光学部材、該反射光学部材を備える光学系、該光学系を備える露光装置及び該露光装置を用いるデバイスの製造方法に関するものである。

従来、半導体素子や液晶表示素子等の各種デバイスを製造するためのリソグラフィ工程において、レチクルまたはフォトマスクに形成されたデバイス用の回路パターンに露光光を照射し、感光性材料（レジスト）が塗布された基板（ウエハまたはガラスプレート等）に露光する露光装置が使用されている。露光装置の一例として、一括露光型の投影露光装置（ステッパー）や走査露光型の投影露光装置（スキャニングステッパー）が知られている。

近年、より集積度の高いデバイスを製造するために、より高精細な回路パターンを基板に形成する露光技術が求められている。この回路パターンを高精細化する手段の一つとして、より波長の短い露光光を用いた投影露光装置の開発が進められている。その一例として、波長５〜２０ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光を露光光に用いたＥＵＶ露光装置が挙げられる。このようなＥＵＶ露光装置では、ＥＵＶ光に対して高い透過率を示す硝材が限られることから、照明光学系及び投影光学系は、例えばモリブデン（Ｍｏ）とケイ素（Ｓｉ）の多層膜が反射面に形成された反射光学部材によって構成される。

このようなＥＵＶ露光装置の照明光学系は、オプティカルインテグレータとして、複数のミラー要素によって構成される入射側フライアイミラーと射出側フライアイミラーとを備えている。これらの入射側フライアイミラー及び射出側フライアイミラーは、照明光学系の照明瞳に形成される光強度分布が均一でかつ回転対称なものとなるように、入射側ミラー要素の反射面の形状や向き、及び射出側ミラー要素の反射面の形状や向きがそれぞれ調整されている。（特許文献１参照）

米国特許出願公開第２００７／０２７３８５９Ａ１号明細書

ところで、一般に、フライアイミラーは、反射面が形成された複数のミラー要素と、該複数のミラー要素が設置されるベース部材とを備えている。任意数のミラー要素を組み合わせることによって、一つのミラーブロックが構成される。そして、複数のミラー要素に反射面を形成する際には、ミラーブロック毎に製膜を行っている。

しかしながら、１つのミラーブロック内で互いに隣り合うミラー要素間の境界部には、隣り合うミラー要素の反射面の形状や向きなどによって、設置面に直交する方向における差分（以下、段差と呼ぶ。）が生じることがある。こうした段差が大きい場合には、段差の影響によって、反射面に形成する多層膜が適切に製膜できない部分（以下、「非製膜部分」ともいう。）が生じる虞がある。こうした非製膜部分の反射効率は、反射膜が適切に製膜された部分の反射効率よりも低下してしまう。

本発明の態様は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、放射ビームの反射効率を向上させることができる反射光学部材、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。

上記の課題を解決するため、本発明の態様は、実施形態に示す図１〜図１５に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の態様は、所定面（４５ａ）内に配置された複数のミラー要素（Ｍ）を有する反射光学部材において、前記複数のミラー要素（Ｍ）のうち、第１のミラー要素（ＭＡ１、ＭＧ１、ＭＬ１、ＭＭ１）、第２のミラー要素（ＭＡ２、ＭＧ２、ＭＬ２、ＭＭ２）及び第３のミラー要素（ＭＡ３、ＭＧ３、ＭＬ３、ＭＭ３）を有し、前記所定面（４５ａ）内における第１方向に関して前記第１のミラー要素（ＭＡ１、ＭＧ１、ＭＬ１、ＭＭ１）と前記第２のミラー要素（ＭＡ２、ＭＧ２、ＭＬ２、ＭＭ２）とが連結され、前記所定面（４５ａ）において前記第１方向と交差する第２方向に関して前記第１のミラー要素（ＭＡ１、ＭＧ１、ＭＬ１、ＭＭ１）と前記第３のミラー要素（ＭＡ３、ＭＧ３、ＭＬ３、ＭＭ３）とが連結された第１ミラーブロック（５０Ａ、５０Ｇ、５０Ｌ、５０Ｍ）と、前記複数のミラー要素（Ｍ）のうち、前記第２方向に関して前記第２のミラー要素（ＭＡ２、ＭＧ２、ＭＬ２、ＭＭ２）に隣接し、且つ前記第１方向に関して前記第３のミラー要素（ＭＡ３、ＭＧ３、ＭＬ３、ＭＭ３）に隣接する第４のミラー要素（ＭＢ１、ＭＩ１、ＭＭ２、ＭＬ２）を有する第２ミラーブロック（５０Ｂ、５０Ｉ、５０Ｍ、５０Ｌ）と、前記複数のミラー要素（Ｍ）のうち、前記第２方向に関して前記第１及び第２のミラー要素（ＭＡ１，ＭＡ２、ＭＧ１，ＭＧ２、ＭＬ１，ＭＬ２、ＭＭ１，ＭＭ２）の何れか一方に隣接する第５のミラー要素（ＭＣ１，ＭＥ１、ＭＤ１，ＭＤ２、ＭＪ２，ＭＪ３、ＭＬ５）を有し、該第５のミラー要素（ＭＣ１，ＭＥ１、ＭＤ１，ＭＤ２、ＭＪ２，ＭＪ３、ＭＬ５）が前記第１及び第２のミラー要素（ＭＡ１，ＭＡ２、ＭＧ１，ＭＧ２、ＭＬ１，ＭＬ２、ＭＭ１，ＭＭ２）を基準として前記第２方向に関して前記第３及び第４のミラー要素（ＭＡ３，ＭＢ１、ＭＧ３，ＭＩ１、ＭＬ３，ＭＭ２、ＭＭ３，ＭＬ２）の反対側に配置される第３ミラーブロック（５０Ｃ，５０Ｅ、５０Ｄ、５０Ｊ、５０Ｌ）と、前記複数のミラー要素（Ｍ）のうち、前記第１方向に関して前記第１及び第３のミラー要素（ＭＡ１，ＭＡ３、ＭＧ１，ＭＧ３、ＭＬ１，ＭＬ３、ＭＭ１，ＭＭ３）の何れか一方に隣接する第６のミラー要素（ＭＤ１，ＭＤ２、ＭＨ１、ＭＧ５，ＭＫ１、ＭＰ１，ＭＰ２）を有し、該第６のミラー要素（ＭＤ１，ＭＤ２、ＭＨ１、ＭＧ５，ＭＫ１、ＭＰ１，ＭＰ２）が前記第１及び第３のミラー要素（ＭＡ１，ＭＡ３、ＭＧ１，ＭＧ３、ＭＬ１，ＭＬ３、ＭＭ１，ＭＭ３）を基準として前記第１方向に関して前記第２及び第４のミラー要素（ＭＡ２，ＭＢ１、ＭＧ２，ＭＩ１、ＭＬ２，ＭＭ２、ＭＭ２，ＭＬ２）の反対側に配置される第４ミラーブロック（５０Ｄ、５０Ｈ、５０Ｇ，５０Ｋ、５０Ｐ）と、を備えることを要旨とする。

なお、本発明の態様をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明の態様が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。

本発明の態様によれば、放射ビームの反射効率を向上させることができる。

本実施形態における露光装置を示す概略構成図。 （ａ）（ｂ）はフライアイミラーを模式的に示す平面図。 （ａ）は本実施形態の射出側フライアイミラーの要部を模式的に示す平面図、（ｂ）は射出側フライアイミラーの要部を模式的に示す側断面図。 （ａ）従来のフライアイミラーの一部を模式的に示す平面図、（ｂ）は従来のミラーブロックを模式的に示す側断面図、（ｃ）は図４（ｂ）の一部を拡大した側断面図。 射出側フライアイミラーを設計する際の手順を説明するフローチャート。 （ａ）は射出側フライアイミラーの一部を模式的に示す側断面図、（ｂ）は疑似ブロックを設計する際の様子を説明する模式図。 （ａ）は一つのミラーブロックを模式的に示す斜視図、（ｂ）は図７（ａ）に示すミラーブロックを含む複数のミラーブロックを模式的に示す平面図。 （ａ）は一つのミラーブロックを模式的に示す斜視図、（ｂ）は図７（ａ）に示すミラーブロックを含む複数のミラーブロックを模式的に示す平面図。 （ａ）は一つのミラーブロックを模式的に示す斜視図、（ｂ）は図７（ａ）に示すミラーブロックを含む複数のミラーブロックを模式的に示す平面図。 （ａ）は一つのミラーブロックを模式的に示す斜視図、（ｂ）は一つのミラーブロックを模式的に示す斜視図。 （ａ）は図７（ａ）に示すミラーブロックを模式的に示す平面図、（ｂ）は図１１（ａ）の１１−１１線矢視断面図。 ミラーブロックに反射膜が製膜される様子を説明する模式図。 別の実施形態における射出側フライアイミラーの一部を模式的に示す平面図。 デバイスの製造例のフローチャート。 半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。

以下に、本発明の態様を具体化した一実施形態について図１〜図１２に基づき説明する。なお、本実施形態では、投影光学系の光軸に平行な方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面内で走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向をＹ軸方向とし、その走査方向に直交する非走査方向をＸ軸方向として説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転方向をθｘ方向、θｙ方向、θｚ方向ともいう。

図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、光源装置１２から射出される、波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置である。こうした露光装置１１は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定されるチャンバ１３（図１では二点鎖線で囲まれた部分）を備えている。このチャンバ１３内には、光源装置１２からチャンバ１３内に供給された露光光ＥＬで所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲを照明する照明光学系１４と、パターンの形成されたパターン形成面Ｒａが−Ｚ方向側（図１では下側）に位置するようにレチクルＲを保持するレチクルステージ１５とが設けられている。また、チャンバ１３内には、レチクルＲを介した露光光ＥＬでレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷを照射する投影光学系１６と、露光面（感光性材料が塗布されたウエハ表面）Ｗａが＋Ｚ方向側（図１では上側）に位置するようにウエハＷを保持するウエハステージ１７とが設けられている。

光源装置１２は、波長が５〜２０ｎｍのＥＵＶ光を露光光ＥＬとして出力する装置であって、図示しないレーザ励起プラズマ光源を備えている。このレーザ励起プラズマ光源では、例えば半導体レーザ励起を利用したＹＡＧレーザやエキシマレーザなどの高出力レーザで高密度のＥＵＶ光発生物質（ターゲット）を照射することによりプラズマが発生され、該プラズマからＥＵＶ光が露光光ＥＬとして放射される。こうした露光光ＥＬは、図示しない集光光学系によって集光されてチャンバ１３内に出力される。

照明光学系１４は、チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体１８（図１では一点鎖線で囲まれた部分）を備えている。この筐体１８内には、光源装置１２から出力された露光光ＥＬを集光するコリメート用ミラー１９が設けられており、該コリメート用ミラー１９は、入射した露光光ＥＬを略平行に変換してオプティカルインテグレータの一種であるフライアイ光学系２０（図１では破線で囲まれた部分）に向けて射出する。このフライアイ光学系２０は、一対のフライアイミラー（反射光学部材）２１，２２を備えており、該各フライアイミラー２１，２２のうち入射側に配置される入射側フライアイミラー２１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａと光学的に共役となる位置に配置されている。こうした入射側フライアイミラー２１で反射された露光光ＥＬは、射出側に配置される射出側フライアイミラー２２に入射する。なお、各フライアイミラー２１，２２については、後述する。

また、照明光学系１４には、射出側フライアイミラー２２から射出された露光光ＥＬを筐体１８外に射出するコンデンサミラー２３が設けられている。そして、コンデンサミラー２３から射出された露光光ＥＬは、後述する鏡筒２７内に設置された折り返し用の反射ミラー２４により、レチクルステージ１５に保持されるレチクルＲに導かれる。

レチクルステージ１５は、投影光学系１６の物体面側に配置されており、レチクルＲを静電吸着するための第１静電吸着保持装置２５を備えている。この第１静電吸着保持装置２５は、誘電性材料で形成され且つ吸着面２６ａを有する基体２６と、該基体２６内に配置される図示しない複数の電極部とを備えている。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体２６から発生されるクーロン力により、吸着面２６ａにレチクルＲが静電吸着される。

また、レチクルステージ１５は、図示しないレチクルステージ駆動部の駆動によって、Ｙ軸方向（図１における左右方向）に移動可能である。すなわち、レチクルステージ駆動部は、第１静電吸着保持装置２５に保持されるレチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、レチクルステージ駆動部は、レチクルＲをＸ軸方向（図１において紙面と直交する方向）、Ｚ軸方向及びθｚ方向にも移動させることが可能である。なお、レチクルＲのパターン形成面Ｒａが露光光ＥＬで照明される場合、該パターン形成面Ｒａの一部には、Ｘ軸方向に延びる略円弧状の照明領域が形成される。

投影光学系１６は、露光光ＥＬでレチクルＲのパターン形成面Ｒａを照明することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率（例えば１／４倍）に縮小させる光学系であって、チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒２７を備えている。この鏡筒２７内には、複数枚（本実施形態では６枚）の反射型のミラー２８，２９，３０，３１，３２，３３が収容されている。これら各ミラー２８〜３３は、図示しないミラー保持装置を介して鏡筒２７にそれぞれ保持されている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、第１ミラー２８、第２ミラー２９、第３ミラー３０、第４ミラー３１、第５ミラー３２、第６ミラー３３の順に反射され、ウエハステージ１７に保持されるウエハＷの露光面Ｗａに導かれる。

照明光学系１４及び投影光学系１６が備える各ミラー１９，２１〜２４，２８〜３３のミラー面には、露光光ＥＬを反射する反射層がそれぞれ形成されている。これら各反射層は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜をそれぞれ有している。

ウエハステージ１７は、ウエハＷを静電吸着するための第２静電吸着保持装置３４を備え、該第２静電吸着保持装置３４は、誘電性材料で形成され且つ吸着面３５ａを有する基体３５と、該基体３５内に配置される図示しない複数の電極部とを備えている。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体３５から発生されるクーロン力により、吸着面３５ａにウエハＷが静電吸着される。また、ウエハステージ１７には、第２静電吸着保持装置３４を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのＺ軸方向（図１では上下方向）における位置及びＸ軸周り、Ｙ軸周りの傾斜角を調整する図示しないＺレベリング機構とが組み込まれている。

こうしたウエハステージ１７は、図示しないウエハステージ駆動部によって、Ｙ軸方向に移動可能である。すなわち、ウエハステージ駆動部は、第２静電吸着保持装置３４に保持されるウエハＷをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、ウエハステージ駆動部は、第２静電吸着保持装置３４に保持されるウエハＷをＸ軸方向に所定ストロークで移動させることが可能であるとともに、Ｚ軸方向にも移動させることが可能となるように構成されている。

そして、ウエハＷの一つのショット領域にレチクルＲのパターンを形成する場合、照明光学系１４によって照明領域をレチクルＲに形成した状態で、レチクルステージ駆動部の駆動によって、レチクルＲをＹ軸方向（例えば、＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側）に所定ストローク毎に移動させる。また同時に、ウエハステージ駆動部の駆動によって、ウエハＷをレチクルＲのＹ軸方向に沿った移動に対して投影光学系１６の縮小倍率に応じた速度比でＹ軸方向（例えば、−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側）に同期して移動させる。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハＷの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。

次に、各フライアイミラー２１，２２について、図２（ａ）（ｂ）に基づき説明する。なお、本実施形態では、図２（ａ）（ｂ）における左右方向、上下方向及び紙面と直交する方向を、Ａ方向、Ｂ方向及びＣ方向というものとする。

図２（ａ）に示すように、入射側フライアイミラー２１は、インバーなどの低熱膨張鋼又は合金製の厚板から構成される入射側設置台４０を備えており、該入射側設置台４０は、平面度が高くなるように研磨などの加工が施された入射側設置面４０ａを有している。この入射側設置面４０ａには、反射膜が製膜された略円弧状のミラー面４１ａを有する複数の入射側ミラー要素４１が配置されている。具体的には、入射側フライアイミラー２１は、入射側設置面４０ａに沿うＢ方向に沿って配置される複数の入射側ミラー要素４１から構成されるミラー列が、入射側設置面４０ａ内においてＢ方向とほぼ直交するＡ方向に沿って複数配置された構成である。そして、入射側フライアイミラー２１に入射した露光光ＥＬの光束は、入射側ミラー要素４１のミラー面４１ａ毎に波面分割され、波面分割された多数の光束は、射出側フライアイミラー２２に入射する。

図２（ｂ）に示すように、射出側フライアイミラー２２は、インバーなどの低熱膨張鋼又は合金製の厚板から構成される射出側設置台４５を備えており、該射出側設置台４５は、平面度が高くなるように研磨などの加工が施された射出側設置面４５ａを有している。この射出側設置面４５ａは、Ａ方向に延びる図示しない直線及びＢ方向に延びる図示しない直線と平行であると共に、Ｃ方向に延びる図示しない直線と直交する平面である。こうした射出側設置面４５ａには、反射膜が製膜されたミラー面４６を有する複数の射出側ミラー要素Ｍが二次元的に配置されている。すなわち、各ミラー面４６は、Ｃ方向から見た場合に平面視略矩形状をなすようにそれぞれ形成されており、各射出側ミラー要素Ｍは、それらのミラー面４６の対角線がＡ方向及びＢ方向と交差するように、それぞれ配置されている。

また、各射出側ミラー要素Ｍのミラー面４６は、個別対応する各入射側ミラー要素４１のミラー面４１ａと同一の焦点距離をそれぞれ有している。そのため、射出側ミラー要素Ｍのミラー面４６には、該ミラー面４６に個別対応する入射側ミラー要素４１のミラー面４１ａから射出された光束が入射する。すなわち、射出側フライアイミラー２２近傍には、多数の光源像（二次光源ともいう。）が形成される。そして、射出側フライアイミラー２２から射出された多数の光束がレチクルＲのパターン形成面Ｒａ上で重畳することにより、レチクルＲ上での高照度均一性が確保される。

本実施形態の射出側フライアイミラー２２は、図３（ａ）に示すように、複数の射出側ミラー要素Ｍを有する複数のミラーブロック５０を備えている。これら各ミラーブロック５０は、図３（ｂ）に示すように、位置決め機構５１によって、射出側設置台４５に位置決めされた状態でそれぞれ固定されている。位置決め機構５１は、ミラーブロック５０のミラー面４６の反対側に設けられ、ミラーブロック５０の長手方向における両端側に形成された係合穴５２と、射出側設置台４５に設けられ、係合穴５２に対応する位置に形成された貫通孔５３と、貫通孔５３を介して、係合穴５２に螺合するねじ５４とを備えている。

貫通孔５３は、ミラーブロック５０の厚み方向（Ｃ方向）のうち、−Ｃ方向側（図３（ｂ）では下側）に位置する大径部、及びミラーブロック５０の厚み方向のうち、＋Ｃ方向側（図３（ｂ）では上側）に位置する小径部をそれぞれ有している。ねじ５４は、先端部が射出側設置面４５ａから＋Ｃ方向側に突出するように貫通孔５３内に設けられている。そして、ねじ５４の先端がミラーブロック５０の係合穴５２に螺合されることにより、ミラーブロック５０は、射出側設置台４５に位置決めされた状態となる。また、ねじ５４の側壁には雄ねじ加工が施されており、係合穴５２および貫通孔５３の小径部の側壁にはねじ５４の雄ねじ加工に対応した雌ねじ加工が施されている。その結果、ねじ５４がミラーブロック５０の係合穴５２に螺合されることによって、ミラーブロック５０が射出側設置台４５に固定される。つまり、位置決め機構５１は、ねじ５４と係合穴５２とを有する固定機構を兼ねることになる。

なお、位置決め機構５１は、ミラーブロック５０を射出側設置台４５に固定する固定機構を兼ねる必要はなく、位置決め機構５１と固定機構とを個別に設けてよい。例えば、固定機構は、位置決め機構５１とは異なる場所で、ミラーブロック５０を固定する構成が挙げられる。この場合、ねじ５４の雄ねじ加工および係合穴５２と貫通孔５３の雌ねじ加工は必要なく、例えば、円筒もしくは段付円筒形状を有する平行ピン等を用いて、係合穴５２と貫通孔５３とを嵌め合わせることで、ミラーブロック５０が射出側設置台４５上で位置決めされる。位置決めされたミラーブロック５０は、位置決め機構５１と異なる場所で、固定機構により射出側設置台４５に固定される。これによって、位置決め機構５１に比べて固定機構をより多く設けることができるため、ミラーブロック５０を射出側設置台４５により強く固定することができる。なお、固定機構は、ねじ５４と係合穴５２とを螺合する構成に限らず、ミラーブロック５０または射出側フライアイミラー２２を囲むフレームを用いて固定すること等が挙げられる。

ところで、射出側フライアイミラーは、複数の射出側ミラー要素を有する複数のミラーブロックを組み合わせて構成することが一般的である。そこで、従来の射出側フライアイミラーについて、図４（ａ）（ｂ）（ｃ）に基づき説明する。

図４（ａ）に示すように、従来の射出側フライアイミラー６０は、複数のミラーブロック６１を備えており、該各ミラーブロック６１は、Ａ方向に沿って配置される複数（図４（ａ）では４つ）の射出側ミラー要素６２をそれぞれ有している。図４（ｂ）に示すように、一つのミラーブロック６１において、互いに隣り合う各射出側ミラー要素６２の境界部分の各々には、Ｃ方向における差分（以下、段差ともいう。）ΔＤがそれぞれ形成される。そして、各射出側ミラー要素６２のミラー面には、ミラーブロック６１単位で反射膜がそれぞれ製膜される。そのため、一つのミラーブロック６１において、互いに隣り合う各射出側ミラー要素６２の境界部分に形成される段差ΔＤが小さい場合、各射出側ミラー要素６２のミラー面には、全面に亘ってほぼ均一な反射膜を製膜することができる。

しかし、図４（ｂ）（ｃ）に示すように、一つのミラーブロック６１において、互いに隣り合う各射出側ミラー要素６２の境界部分に形成される段差ΔＤが大きい場合、互いに隣り合う各ミラー面の境界部分近傍には、適切な膜厚（具体的には、膜の積層数）を有する反射膜を製膜できない。反射膜が適切に形成されない部分における露光光ＥＬの反射率は、反射膜が適切に形成された部分における露光光ＥＬの反射率よりも低い。そのため、このように反射膜を適切に製膜できない部分が多い従来の射出側フライアイミラー６０では、入射する露光光ＥＬの反射効率が低下してしまう。

したがって、露光光ＥＬの反射効率の向上を図るためには、反射膜を適切に製膜できない部分を低減できるように、射出側フライアイミラーを設計する必要がある。具体的には、複数のミラーブロックの組み合わせで構成される射出側フライアイミラーでは、ミラーブロック内において、互いに隣り合う各射出側ミラー要素Ｍの境界部分に形成される段差ΔＤを極力小さくすることが望ましい。

そこで次に、本実施形態の射出側フライアイミラー２２の設計方法について、図５に示すフローチャート、及び図６に示す図面に基づき説明する。
ステップＳ１０は、射出側フライアイミラー２２を設計するステップである。このステップＳ１０では、射出側フライアイミラー２２として所望する特性を得ることができるように、射出側フライアイミラー２２が設計される。ここでは、各射出側ミラー要素Ｍのミラー面４６の形状及びミラー面４６の水平面に対する傾斜角などが、個別に設計される。例えば、射出側フライアイミラー２２近傍の照明瞳面に、輪帯状の二次光源を形成するための射出側フライアイミラーを設計する場合、該射出側フライアイミラーを構成する各射出側ミラー要素Ｍのミラー面４６の形状や向きは、輪帯状の二次光源を形成できるように個別に設計される。

ステップＳ１１は、互いに隣接する各射出側ミラー要素Ｍ間の段差ΔＤを検出するステップである。このステップＳ１１では、Ａ方向及びＢ方向において互いに隣り合う各射出側ミラー要素Ｍの境界部分に形成される段差ΔＤの各々が取得される（図６（ａ）参照）。

ステップＳ１２は、段差ΔＤが基準距離ＫＤ以上となる部分を境界とする複数の疑似ブロック５５を設計するステップである。このステップＳ１２では、Ａ方向及びＢ方向において互いに隣り合う各射出側ミラー要素Ｍの境界部分のうち、段差ΔＤが予め設定された基準距離ＫＤ以上となる境界部分が検出される。ここで、上述したように、一つのミラーブロック５０内で段差ΔＤの大きい部分は、他の部分と比較して反射膜を製膜し難い。そこで、本実施形態では、反射膜を製膜にしにくい部分を検出するための基準値として、基準距離ＫＤが予め設定される。本実施形態において、基準距離ＫＤは、ミラー要素の反射面を矩形形状とした場合に、ミラー要素の反射面の１辺の長さ以下の長さで設定される。例えば、基準距離ＫＤは、ミラー要素の反射面の１辺の長さの２分の１に設定される。しかしながら、この基準距離ＫＤは、ミラー要素に形成する反射膜をより均一に製膜するために、２分の１より小さく設定してもよい。また、基準長さＫＬについて判定するステップ１４を説明する際に詳述するが、全てのミラーブロックにおいてミラーブロックの長さＬが基準長さＫＬ以上となる条件を満たすために、基準距離ＫＤは、ミラー要素の反射面の１辺の長さの２分の１より大きく設定してもよい。

図６（ａ）に示すように、各射出側ミラー要素Ｍのうち、図６（ａ）で最も左側に位置する射出側ミラー要素Ｍ１と該射出側ミラー要素Ｍ１に隣接する射出側ミラー要素Ｍ２との境界部分における段差ΔＤは、基準距離ＫＤ未満である。また、射出側ミラー要素Ｍ２と該射出側ミラー要素Ｍ２の図６（ａ）における右側で隣接する射出側ミラー要素Ｍ３との境界部分における段差ΔＤは、基準距離ＫＤ以上である。また、射出側ミラー要素Ｍ３と該射出側ミラー要素Ｍ３の図６（ａ）における右側で隣接する射出側ミラー要素Ｍ４との境界部分における段差ΔＤは、基準距離ＫＤ未満である。また、射出側ミラー要素Ｍ４と該射出側ミラー要素Ｍ４の図６（ａ）における右側で隣接する射出側ミラー要素Ｍ５との境界部分における段差ΔＤは、基準距離ＫＤ未満である。そして、射出側ミラー要素Ｍ５と該射出側ミラー要素Ｍ５の図６（ａ）における右側で隣接する射出側ミラー要素Ｍ６との境界部分における段差ΔＤは、基準距離ＫＤ以上である。

そして、図６（ｂ）に示すように、ステップＳ１０で設計した射出側フライアイミラー２２を、段差ΔＤが基準距離ＫＤ以上となる境界部分を含む複数箇所で切断することにより、複数の疑似ブロック５５が形成される。なお、疑似ブロック５５は、所望の射出側フライアイミラー２２を設計するために、一時的に形成される設計データ上のミラーブロックである。

図５に戻り、ステップＳ１３は、各疑似ブロック５５の長さＬを検出するステップである。このステップＳ１３では、ステップＳ１２で形成された各疑似ブロック５５の長さＬが検出される。ここでいう長さＬは、疑似ブロック５５で最も長い方向における長さである。そのため、一の疑似ブロック５５では、Ａ方向における長さが長さＬとして検出される一方で、他の疑似ブロック５５では、Ａ方向と交差する方向（例えばＢ方向）における長さが長さＬとして検出されることもある。

ステップＳ１４は、疑似ブロック５５の長さＬが基準長さＫＬ以上であるか否かを判定するステップである。このステップＳ１４では、各疑似ブロック５５のうち、ステップＳ１３で検出された長さＬが予め設定された基準長さＫＬ未満となる疑似ブロック５５が有るか否かが判定される。上述したように、ミラーブロック５０は、その長手方向における両端側で射出側設置台４５に位置決めされた状態で固定される（図３（ｂ）参照）。そして、位置決め機構５１による位置決めの精度は、長さＬが長いほど位置決め機構５１の間隔を広くすることができるため、高くなる。そのため、長さＬが短すぎる場合には、位置決め機構５１による位置決めの精度が低くなり、射出側設置台４５において各射出側ミラー要素Ｍを適切に配置できなくなったり、互いに隣り合う各射出側ミラー要素Ｍ間の間隔が適切な間隔と大きく異なったりすること等が考えられる。また、これによって、射出側フライアイミラー２２で反射する露光光ＥＬの反射方向が変わってしまい、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに照明される露光光ＥＬの照明領域内の照度分布にムラが生じる等の影響が考えられる。そこで、本実施形態では、射出側フライアイミラー２２における露光光ＥＬの反射方向が変わる影響や、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに照明される露光光ＥＬの照明領域内の照度分布にムラが生じる影響を抑制するための基準値として、基準長さＫＬが設定される。この基準長さＫＬは、射出側フライアイミラー２２の直径の長さ以下の長さで設定される。例えば、基準長さＫＬは、射出側フライアイミラー２２の直径の長さの５分の１に設定される。しかしながら、この基準長さＫＬは、ミラーブロック５０の位置決め精度を高めるために、射出側フライアイミラー２２の直径の長さの５分の１より大きく設定してもよい。また、全てのミラーブロックにおける全ての段差が基準距離ＫＤ未満となる条件を満たすために、射出側フライアイミラー２２の直径の長さの５分の１より小さく設定してもよい。

そして、ステップＳ１４の判定結果が肯定判定（ＹＥＳ）である場合、長さＬが基準長さＫＬ未満となる疑似ブロック５５が有るため、ステップＳ１５が実行される。一方、ステップＳ１４の判定結果が否定判定（ＮＯ）である場合、長さＬが基準長さＫＬ未満となる疑似ブロック５５がないため、ステップＳ１６が実行される。

ステップＳ１５は、長さＬが基準長さＫＬ以上となるように疑似ブロック５５の一部を再設定するステップである。このステップＳ１５では、各疑似ブロック５５の中から、長さＬが基準長さＫＬ未満となる疑似ブロック５５が抽出される。そして、抽出した疑似ブロック５５を、該疑似ブロック５５に隣接する他の疑似ブロック５５に連結することにより、新たな疑似ブロック５５が設計される。すなわち、一部の疑似ブロック５５が再設計される。このとき、抽出した疑似ブロック５５は、隣接する複数の疑似ブロック５５のうち、連結部分での段差ΔＤが最小となる他の疑似ブロック５５に連結される。その後、ステップＳ１６が実行される。

ステップＳ１６は、各疑似ブロック５５を各ミラーブロックとするステップである。このステップＳ１６では、各疑似ブロック５５がミラーブロック５０とみなされる。すなわち、射出側フライアイミラー２２を構成する各ミラーブロック５０の形状が、決定される。その結果、射出側フライアイミラー２２は、射出側ミラー要素Ｍの数や各射出側ミラー要素Ｍの配置態様の異なる複数のミラーブロック５０で構成される（図３（ａ）参照）。

各ミラーブロック５０において、互いに連結される各射出側ミラー要素Ｍの境界部分に形成される段差ΔＤを小さくした場合、射出側フライアイミラー２２は、射出側ミラー要素Ｍの配置態様の異なる複数種類のミラーブロック５０で構成されることになる。この場合、複数のミラーブロック５０の中には、第１のミラー要素と、第１方向に沿って第１のミラー要素に並置される第２のミラー要素と、第２方向に沿って第１のミラー要素に並置される第３のミラー要素とを有する第１ミラーブロックが必ず含まれる。また、第１ミラーブロックは、第４のミラー要素を含む複数のミラー要素を有する第２ミラーブロックと、第５のミラー要素を含む複数のミラー要素を有する第３ミラーブロックと、第６のミラー要素を含む複数のミラー要素を有する第４ミラーブロックと隣接することになる。射出側フライアイミラー２２は、第１〜第４ミラーブロックを含む複数のミラーブロック５０で構成することができる。これにより、反射光学部材に入射する放射ビームの反射効率が向上する。

次に、射出側フライアイミラー２２を構成する各ミラーブロック５０のうち、代表的なミラーブロックについて説明する。
まず、ミラーブロック５０Ａについて、図７（ａ）（ｂ）に基づき説明する。

図７（ａ）（ｂ）に示すように、ミラーブロック５０Ａは、５つの射出側ミラー要素ＭＡ１，ＭＡ２，ＭＡ３，ＭＡ４，ＭＡ５を備えている。射出側ミラー要素ＭＡ１の＋Ｂ方向側（図７（ｂ）では上側）には、射出側ミラー要素ＭＡ２が連結されており、射出側ミラー要素ＭＡ１の＋Ａ方向側（図７（ｂ）では右側）には、射出側ミラー要素ＭＡ３が連結されている。また、射出側ミラー要素ＭＡ３の＋Ａ方向側には、射出側ミラー要素ＭＡ４が連結されており、該射出側ミラー要素ＭＡ４の＋Ａ方向側には、射出側ミラー要素ＭＡ５が連結されている。すなわち、射出側ミラー要素ＭＡ１〜ＭＡ５のうち、射出側ミラー要素ＭＡ１は、Ａ方向及びＢ方向に関して、ミラーブロック５０Ａを構成する他の射出側ミラー要素（この場合、射出側ミラー要素ＭＡ２，ＭＡ３）に連結される。一方、射出側ミラー要素ＭＡ２〜ＭＡ５は、Ａ方向又はＢ方向に関して、ミラーブロック５０Ａを構成する他の射出側ミラー要素に連結される。

また、各射出側ミラー要素ＭＡ１〜ＭＡ５は、図７（ｂ）に示すように、Ａ方向及びＢ方向の少なくとも一方に関して、他のミラーブロックを構成する射出側ミラー要素Ｍにそれぞれ隣接している。すなわち、射出側ミラー要素ＭＡ２は、＋Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｂを構成する射出側ミラー要素ＭＢ１に隣接している。また、射出側ミラー要素ＭＡ２は、−Ａ方向側（図７では左側）において、ミラーブロック５０Ｃの射出側ミラー要素ＭＣ１に隣接すると共に、＋Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｃの射出側ミラー要素ＭＣ２に隣接している。また、射出側ミラー要素ＭＡ１，ＭＡ３〜ＭＡ５は、−Ｂ方向側（図７では下側）において、Ａ方向に延びるミラーブロック５０Ｄの射出側ミラー要素ＭＤ１，ＭＤ２，ＭＤ３，ＭＤ４に隣接している。また、射出側ミラー要素ＭＡ１は、−Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｅを構成する射出側ミラー要素ＭＥ１に隣接しており、射出側ミラー要素ＭＡ５は、＋Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｆを構成する射出側ミラー要素ＭＦ１に隣接している。そして、射出側ミラー要素ＭＡ３，ＭＡ４，ＭＡ５は、＋Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｂを構成する射出側ミラー要素ＭＢ１，ＭＢ２，ＭＢ３に隣接している。

次に、ミラーブロック５０Ｇについて、図８（ａ）（ｂ）に基づき説明する。
図８（ａ）（ｂ）に示すように、ミラーブロック５０Ｇは、５つの射出側ミラー要素ＭＧ１，ＭＧ２，ＭＧ３，ＭＧ４，ＭＧ５を備えている。射出側ミラー要素ＭＧ１の−Ａ方向側には、射出側ミラー要素ＭＧ２が連結されており、射出側ミラー要素ＭＧ１の−Ｂ方向側には、射出側ミラー要素ＭＧ３が連結されている。また、射出側ミラー要素ＭＧ３の＋Ａ方向側には、射出側ミラー要素ＭＧ４が連結されており、該射出側ミラー要素ＭＧ４の＋Ａ方向側には、射出側ミラー要素ＭＧ５が連結されている。すなわち、射出側ミラー要素ＭＧ１〜ＭＧ５のうち、射出側ミラー要素ＭＧ１，ＭＧ３は、Ａ方向及びＢ方向に関して、ミラーブロック５０Ｇを構成する他の射出側ミラー要素に連結される。一方、射出側ミラー要素ＭＧ２，ＭＧ４，ＭＧ５は、Ａ方向又はＢ方向に関して、ミラーブロック５０Ｇを構成する他の射出側ミラー要素に連結される。

射出側ミラー要素ＭＧ１，ＭＧ２は、図８（ｂ）に示すように、＋Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｄの射出側ミラー要素ＭＤ２，ＭＤ１に隣接している。また、射出側ミラー要素ＭＧ１は、＋Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｈの射出側ミラー要素ＭＨ１に隣接している。また、射出側ミラー要素ＭＧ２は、−Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｅを構成する射出側ミラー要素ＭＥ２に隣接すると共に、−Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｉの射出側ミラー要素ＭＩ１に隣接している。また、射出側ミラー要素ＭＧ３は、−Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｉの射出側ミラー要素ＭＩ１に隣接している。また、射出側ミラー要素ＭＧ３，ＭＧ４は、−Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｊの射出側ミラー要素ＭＪ１，ＭＪ２に隣接すると共に、射出側ミラー要素ＭＧ４，ＭＧ５は、＋Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｈの射出側ミラー要素ＭＨ１，ＭＨ２に隣接している。また、射出側ミラー要素ＭＧ５は、＋Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｋの射出側ミラー要素ＭＫ１に隣接すると共に、−Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｌの射出側ミラー要素ＭＬ１に隣接している。

次に、ミラーブロック５０Ｌについて、図９（ａ）（ｂ）に基づき説明する。
図９（ａ）（ｂ）に示すように、ミラーブロック５０Ｌは、６つの射出側ミラー要素ＭＬ１，ＭＬ２，ＭＬ３，ＭＬ４，ＭＬ５，ＭＬ６を備えている。射出側ミラー要素ＭＬ１の−Ｂ方向側には、射出側ミラー要素ＭＬ２が連結されており、射出側ミラー要素ＭＬ１の＋Ａ方向側には、射出側ミラー要素ＭＬ３が連結されている。また、射出側ミラー要素ＭＬ３の＋Ａ方向側には、射出側ミラー要素ＭＬ４が連結されており、該射出側ミラー要素ＭＬ４の−Ｂ方向側には、射出側ミラー要素ＭＬ５が連結されている。そして、射出側ミラー要素ＭＬ５の＋Ａ方向側には、射出側ミラー要素ＭＬ６が連結されている。すなわち、射出側ミラー要素ＭＬ１〜ＭＬ５のうち、射出側ミラー要素ＭＬ１，ＭＬ４，ＭＬ５は、Ａ方向及びＢ方向に関して、ミラーブロック５０Ｌを構成する他の射出側ミラー要素に連結される。一方、射出側ミラー要素ＭＬ２，ＭＬ３，ＭＬ６は、Ａ方向又はＢ方向に関して、ミラーブロック５０Ｌを構成する他の射出側ミラー要素に連結される。

射出側ミラー要素ＭＬ１は、図９（ｂ）に示すように、＋Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｇの射出側ミラー要素ＭＧ５に隣接すると共に、射出側ミラー要素ＭＬ１，ＭＬ２は、−Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｊの射出側ミラー要素ＭＪ２，ＭＪ３に隣接している。また、射出側ミラー要素ＭＬ２は、−Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｍの射出側ミラー要素ＭＭ３に隣接すると共に、＋Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｍの射出側ミラー要素ＭＭ２に隣接している。また、射出側ミラー要素ＭＬ３は、＋Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｋの射出側ミラー要素ＭＫ１に隣接すると共に、−Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｍの射出側ミラー要素ＭＭ２に隣接している。また、射出側ミラー要素ＭＬ４は、＋Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｋの射出側ミラー要素ＭＫ２に隣接すると共に、＋Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｋの射出側ミラー要素ＭＭ３に隣接している。また、射出側ミラー要素ＭＬ５は、−Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｍの射出側ミラー要素ＭＭ２に隣接すると共に、−Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｍの射出側ミラー要素ＭＭ４に隣接している。また、射出側ミラー要素ＭＬ６は、＋Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｋの射出側ミラー要素ＭＫ３に隣接すると共に、−Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｍの射出側ミラー要素ＭＭ５に隣接している。そして、射出側ミラー要素ＭＬ６は、＋Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｎの射出側ミラー要素ＭＮ１に隣接している。

次に、ミラーブロック５０Ｍについて、図９（ｂ）及び図１０（ａ）に基づき説明する。
図９（ｂ）及び図１０（ａ）に示すように、ミラーブロック５０Ｍは、５つの射出側ミラー要素ＭＭ１，ＭＭ２，ＭＭ３，ＭＭ４，ＭＭ５を備えている。射出側ミラー要素ＭＭ１の＋Ｂ方向側には、射出側ミラー要素ＭＭ２が連結されており、射出側ミラー要素ＭＭ１の−Ａ方向側には、射出側ミラー要素ＭＭ３が連結されている。また、射出側ミラー要素ＭＭ１の＋Ａ方向側には、射出側ミラー要素ＭＭ４が連結されており、該射出側ミラー要素ＭＭ４の＋Ａ方向側には、射出側ミラー要素ＭＭ５が連結されている。すなわち、射出側ミラー要素ＭＭ１〜ＭＭ５のうち、射出側ミラー要素ＭＭ１は、Ａ方向及びＢ方向に関して、ミラーブロック５０Ｍを構成する他の射出側ミラー要素（この場合、射出側ミラー要素ＭＭ２，ＭＭ３，ＭＭ４）に連結される。一方、射出側ミラー要素ＭＭ２〜ＭＭ５は、Ａ方向又はＢ方向に関して、ミラーブロック５０Ｍを構成する他の射出側ミラー要素に連結される。

射出側ミラー要素ＭＭ３，ＭＭ２，ＭＭ４，ＭＭ５は、図９（ｂ）に示すように、＋Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｌの射出側ミラー要素ＭＬ２，ＭＬ３，ＭＬ５，ＭＬ６に隣接すると共に、射出側ミラー要素ＭＭ１，ＭＭ３，ＭＭ４，ＭＭ５は、−Ｂ方向側において、ミラーブロック５０Ｐの射出側ミラー要素ＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３，ＭＰ４に隣接している。また、射出側ミラー要素ＭＭ２は、−Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｌの射出側ミラー要素ＭＬ２に隣接すると共に、＋Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｌの射出側ミラー要素ＭＬ５に隣接している。また、射出側ミラー要素ＭＭ３は、−Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｊの射出側ミラー要素ＭＪ４に隣接すると共に、射出側ミラー要素ＭＭ５は、＋Ａ方向側において、ミラーブロック５０Ｑの射出側ミラー要素ＭＱ１に隣接している。

次に、ミラーブロック５０Ｂの＋Ｂ方向側に位置するミラーブロック５０Ｒについて、図１０（ｂ）に基づき説明する。
図１０（ｂ）に示すように、ミラーブロック５０Ｒは、９つの射出側ミラー要素ＭＲ１，ＭＲ２，ＭＲ３，ＭＲ４，ＭＲ５，ＭＲ６，ＭＲ７，ＭＲ８，ＭＲ９を備えている。射出側ミラー要素ＭＲ１の−Ａ方向側には、射出側ミラー要素ＭＲ２が連結されており、射出側ミラー要素ＭＲ１の−Ｂ方向側には、射出側ミラー要素ＭＲ３が連結されている。また、射出側ミラー要素ＭＲ３の−Ｂ方向側には、射出側ミラー要素ＭＲ４が連結されており、該射出側ミラー要素ＭＲ４の＋Ａ方向側には、射出側ミラー要素ＭＲ５が連結されている。また、射出側ミラー要素ＭＲ５の＋Ａ方向側には、射出側ミラー要素ＭＲ６が連結されており、該射出側ミラー要素ＭＲ６の＋Ｂ方向側には、射出側ミラー要素ＭＲ７が連結されている。そして、射出側ミラー要素ＭＲ７の＋Ｂ方向側には、射出側ミラー要素ＭＲ８が連結されており、該射出側ミラー要素ＭＲ８の＋Ａ方向側には、射出側ミラー要素ＭＲ９が連結されている。すなわち、射出側ミラー要素ＭＲ１〜ＭＲ９のうち、射出側ミラー要素ＭＲ１，ＭＲ４、ＭＲ６、ＭＲ８は、Ａ方向及びＢ方向に関して、ミラーブロック５０Ｒを構成する他の射出側ミラー要素に連結される。一方、射出側ミラー要素ＭＲ２，ＭＲ３，ＭＲ５，ＭＲ７，ＭＲ９は、Ａ方向又はＢ方向に関して、ミラーブロック５０Ｒを構成する他の射出側ミラー要素に連結される。

次に、ミラーブロック５０の製造手順について、図１１及び図１２に基づき説明する。
まず始めに、ミラーブロック５０Ａは、低熱膨張ガラスに切削などの加工処理が施されることにより生成される。そして、ミラーブロック５０Ａのミラー面４６の反対側の裏面には、射出側設置台４５の射出側設置面４５ａとの密着性を高めるように研磨処理が施される。続いて、ミラーブロック５０Ａの裏面において長手方向における両端側には、図１１（ａ）（ｂ）に示すように、係合穴５２をそれぞれ形成すると共に、該各係合穴５２の側壁には、雌ねじ加工が施される。

そして、ミラーブロック５０Ａを構成する各射出側ミラー要素ＭＡ１〜ＭＡ５のミラー面４６は、塵や埃などの異物を除去するための洗浄処理が行なわれる。続いて、各射出側ミラー要素ＭＡ１〜ＭＡ５のミラー面４６には、図１２に示すように、反射膜がそれぞれ製膜される。このとき、ミラーブロック５０Ａにおいて互いに隣り合う各射出側ミラー要素ＭＡ１〜ＭＡ５の境界部分の段差ΔＤの各々は、全て基準距離ＫＤ未満である。そのため、本実施形態のミラーブロック５０Ａにおいて反射膜を適切に形成しにくい部分は、従来のミラーブロックと比較して少なくなる。すなわち、各射出側ミラー要素ＭＡ１〜ＭＡ５において有効反射領域は、広くなる。

ミラーブロック５０Ａ以外の他のミラーブロック５０もまた、ミラーブロック５０Ａと同様の手順で製造される。そして、射出側設置台４５の射出側設置面４５ａに、各ミラーブロック５０をそれぞれ適切な位置に設置することにより、射出側フライアイミラー２２が完成する。

上述した過程を得て製造された各ミラーブロック５０は、基準距離ＫＤ未満の段差ΔＤのみを有するミラーブロックである。なお、射出側フライアイミラー２２の全体を構成する際に、１つのミラー要素のみを有するミラーブロックを含む場合や、基準距離ＫＤおよび基準長さＫＬの条件を満たさないミラーブロックを含んでもよい。このとき、例えば、１つのミラー要素のみを個別に製膜したり、基準距離ＫＤおよび基準長さＫＬの条件を満たさないミラーブロックをさらに分割して、１つのミラー要素毎に個別に製膜したりすればよい。

また、射出側フライアイミラー２２は、上述したミラーブロック５０Ａ〜５０Ｒを全て含むとは限らない。すなわち、所望される射出側フライアイミラー２２の特性によって、該射出側フライアイミラー２２を構成する各ミラーブロック５０の形状は異なる。そのため、所望する特性に応じた各ミラーブロック５０を設計することにより、射出側フライアイミラー２２の露光光ＥＬの反射効率が向上することになる。

したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）射出側フライアイミラー２２を構成するミラーブロック５０は、互いに連結される各射出側ミラー要素Ｍの境界部分の段差ΔＤが基準距離ＫＤを極力超えないように設計される。そのため、各ミラーブロック５０において反射膜を適切に製膜できない部分を少なくできる。こうした各ミラーブロック５０を組み合わせて射出側フライアイミラー２２を製造することにより、該射出側フライアイミラー２２の露光光ＥＬの反射効率を向上させることができる。

（２）本実施形態では、互いに隣り合う各射出側ミラー要素Ｍの境界部分に形成される段差ΔＤに基づき、各ミラーブロック５０の形状が個別に特定される。そのため、射出側フライアイミラー２２は、射出側ミラー要素Ｍの数や各射出側ミラー要素Ｍの配置態様などが異なる複数種類のミラーブロック５０で構成される。また、各ミラーブロック５０は、ブロック単位で反射膜の製膜処理が行なわれる。したがって、射出側フライアイミラー２２の露光光ＥＬの反射効率を向上させることができる。

（３）さらに、本実施形態では、互いに隣り合う各射出側ミラー要素Ｍの境界部分に形成される段差ΔＤだけではなく、長さＬをも考慮して、各ミラーブロック５０の形状が個別に特定される。すなわち、各ミラーブロック５０の中に、基準長さＫＬ未満の長さＬを有するミラーブロックが含まれることはない。こうした各ミラーブロック５０は、それらの長手方向における両端に設けられる位置決め機構５１によって位置決めされる。したがって、各ミラーブロック５０を、射出側設置台４５の所定位置に適切に設置でき、ひいては、射出側フライアイミラー２２の露光光ＥＬの反射効率を向上させ、さらに、露光光ＥＬの正しい光路からのずれを抑制することができる。

なお、基準距離ＫＤは、反射面に多層膜の製膜を行う製膜装置の製膜精度によって、その数値を変えてもよい。製膜装置の製膜精度としては、例えば、製膜装置の表面粗さの許容値（表面に凹凸がある場合でも表面を均一に製膜することができる凹凸の大きさの許容値）が挙げられる。製膜装置の表面粗さの許容値がより大きくなれば、段差ΔＤが大きい場合であっても反射面への製膜を均一に行うことができるため、基準距離ＫＤもより大きく設定することができる。

なお、上記実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・実施形態において、射出側フライアイミラー２２は、各ミラーブロック５０Ａ〜５０Ｒのうち少なくとも一つのミラーブロックを備えた構成でもよい。つまり、射出側フライアイミラーを構成する各ミラーブロック５０の形状は、射出側フライアイミラー２２の特性によって変更される。

・実施形態において、射出側フライアイミラー２２は、四角形以外の他の任意の形状のミラー面を有する射出側ミラー要素を複数備えた構成であってもよい。例えば、図１３に示すように、射出側フライアイミラー２２を構成する各ミラーブロック７０は、平面六角形状のミラー面７１を有する射出側ミラー要素７２を複数備えた構成であってもよい。この場合であっても、各ミラーブロック７０には、射出側ミラー要素７２の数や各射出側ミラー要素７２の配置態様の異なる複数種類のミラーブロック７０を組み合わせることにより構成される。

・実施形態において、射出側フライアイミラー２２に代えて、入射側フライアイミラー２１に、本発明の態様を適用してもよい。例えば、図２（ａ）に示すように、入射側フライアイミラー２１を構成する各ミラーブロックは、円弧形状のミラー面４１ａを複数有する入射側ミラー要素４１を複数備えた構成であってもよい。この場合であっても、各ミラーブロックには、入射側ミラー要素４１の数や各入射側ミラー要素４１の配置態様の異なる複数種類のミラーブロックを組み合わせることにより構成される。

・実施形態において、射出側フライアイミラー２２は、射出側設置台４５を備えない構成でもよい。この場合、互いに隣り合うミラーブロック５０同士は、ねじやフレームなどによって、接続されることになる。

・実施形態において、位置決め機構５１は、上述した構成に限定されない。例えば、位置決め機構５１は、射出側フライアイミラー２２の反射面の反対側に設けられる係合部と、射出側設置台４５に設けられる突起部を備え、係合部に突起部を嵌め合わせることで、所望の位置に位置合わせするように構成してもよい。また、位置決め機構５１は、射出側設置台４５に設けられた突起部または誘導部に、射出側フライアイミラー２２を合わせることで、所望の位置に位置合わせする構成としてもよい。

・実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
・実施形態において、光源装置１２で用いられるＥＵＶ光発生物質は、気体状の錫（Ｓｎ）でもよいし、液体状又は固体状の錫でもよい。また、ＥＵＶ光発生物質として、キセノン（Ｘｅ）を用いてもよい。

・実施形態において、光源装置１２は、放電型プラズマ光源を有する装置でもよい。
・実施形態において、露光装置１１を、ステップ・アンド・リピート方式の装置に具体化してもよい。

・本発明の態様の反射光学部材を備える光学系は、露光装置以外の他の装置（例えば、プロジェクタ）などに搭載してもよい。
次に、本発明の態様の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１４は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。

まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。

次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。

図１５は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）においては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。

基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。

１１…露光装置、１４…照明光学系、２０…フライアイ光学系、２２，２３…反射光学部材としてのフライアイミラー、４１…入射側ミラー要素、４１ａ，４６，７１…ミラー面、４５…ベース部材としての射出側設置台、４５ａ…所定面としての射出側設置面、５０，５０Ａ〜５０Ｎ，５０Ｐ〜５０Ｒ，７０…ミラーブロック、５１…位置決め部としての位置決め機構、５２…被係合部としての係合穴、５４…係合部としてのねじ、ＥＬ…放射ビームとしての露光光、Ｍ，ＭＡ１〜ＭＡ５，ＭＢ１〜ＭＢ３，ＭＣ１，ＭＣ２，ＭＤ１〜ＭＤ４，ＭＥ１，ＭＥ２，ＭＦ１，ＭＧ１〜ＭＧ５，ＭＨ１，ＭＨ２，ＭＩ１１，ＭＪ１〜ＭＪ４，ＭＫ１〜ＭＫ３，ＭＬ１〜ＭＬ６，ＭＭ１〜ＭＭ５，ＭＮ１，ＭＰ１〜ＭＰ４，ＭＱ１，ＭＲ１〜ＭＲ９…射出側ミラー要素、Ｒ…マスクとしてのレチクル、Ｗ…基板としてのウエハ。

Claims (13)

1. 所定面内に配置された複数のミラー要素を有する反射光学部材において、
   前記複数のミラー要素のうち、第１のミラー要素、第２のミラー要素及び第３のミラー要素を有し、前記所定面内における第１方向に関して前記第１のミラー要素と前記第２のミラー要素とが連結され、前記所定面において前記第１方向と交差する第２方向に関して前記第１のミラー要素と前記第３のミラー要素とが連結された第１ミラーブロックと、
   前記複数のミラー要素のうち、前記第２方向に関して前記第２のミラー要素に隣接し、且つ前記第１方向に関して前記第３のミラー要素に隣接する第４のミラー要素を有する第２ミラーブロックと、
   前記複数のミラー要素のうち、前記第２方向に関して前記第１及び第２のミラー要素の何れか一方に隣接する第５のミラー要素を有し、該第５のミラー要素が前記第１及び第２のミラー要素を基準として前記第２方向に関して前記第３及び第４のミラー要素の反対側に配置される第３ミラーブロックと、
   前記複数のミラー要素のうち、前記第１方向に関して前記第１及び第３のミラー要素の何れか一方に隣接する第６のミラー要素を有し、該第６のミラー要素が前記第１及び第３のミラー要素を基準として前記第１方向に関して前記第２及び第４のミラー要素の反対側に配置される第４ミラーブロックと、を備えることを特徴とする反射光学部材。
2. 前記複数のミラー要素のうち、前記第２方向に関して前記第１のミラー要素及び前記第２のミラー要素の何れか他方に隣接する第７のミラー要素を有する第５ミラーブロックをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の反射光学部材。
3. 前記複数のミラー要素のうち、前記第１方向に関して前記第１のミラー要素及び前記第３のミラー要素の何れか他方に隣接する第８のミラー要素を有する第６ミラーブロックをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の反射光学部材。
4. 前記第１ミラーブロックと前記第２ミラーブロックとが対向する部分の間の前記所定面に垂直な第３方向に関する差分、
   前記第１ミラーブロックと前記第３ミラーブロックとが対向する部分の間の前記第３方向に関する差分及び
   前記第１ミラーブロックと前記第４ミラーブロックとが対向する部分の間の前記第３方向に関する差分の少なくとも一つの差分は、基準距離以上であることを特徴とする請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載の反射光学部材。
5. 前記第１ミラーブロックにおいて、第１のミラー要素と第２のミラー要素とが対向する部分における前記所定面に垂直な第３方向の差分と、第１のミラー要素と第３のミラー要素とが対向する部分における前記第３方向の差分とは、前記基準距離未満であることを特徴とする請求項４に記載の反射光学部材。
6. 前記所定面に、前記複数のミラー要素が設置される設置面を有するベース部材をさらに備えることを特徴とする請求項１〜請求項５のうち何れか一項に記載の反射光学部材。
7. 前記ミラーブロックは、前記設置面内に沿う一方向への長さが予め設定された基準長さ以上となるように、前記複数のミラー要素が配置された構成であることを特徴とする請求項６に記載の反射光学部材。
8. 前記ベース部材の前記設置面で前記ミラーブロックの位置決めを行なうための位置決め部をさらに備え、
   前記位置決め部は、
   前記ベース部材側に設けられ、且つ前記ミラーブロックの前記設置面内に沿う一方向における両端側に対応する位置に形成される係合部と、
   前記ミラーブロックの前記一方向における両端側に形成され、且つ前記係合部に係合される被係合部とを有することを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の反射光学部材。
9. 前記複数のミラー要素は、四角形状のミラー面をそれぞれ有しており、
   前記複数のミラーブロックにおいて、前記複数のミラー要素は、前記ミラー面の対角線が前記第１及び第２の各方向と交差するようにそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項８の何れか一項に記載の反射光学部材。
10. 前記複数のミラー要素の配置態様が互いに異なる複数のミラーブロックを備えることを特徴とする請求項１〜請求項９のうち何れか一項に記載の反射光学部材。
11. 複数のミラー要素を有する一対の反射光学部材を備え、
    前記一対の反射光学部材のうち少なくとも一方は、請求項１〜請求項１０のうち何れか一項に記載の反射光学部材であることを特徴とする光学系。
12. 所定のパターンが形成されたマスクを照明光学系から射出される放射ビームで照明することにより形成されたパターンの像を基板に投影する露光装置において、
    前記照明光学系は、請求項１１に記載の光学系を有することを特徴とする露光装置。
13. リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
    前記リソグラフィ工程は、請求項１２に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。

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