JP2010056163A - 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板にパターン像を露光する際に、基板に形成されるパターンの形成精度の悪化を抑制できる露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】露光装置11においてレチクルRを保持するレチクルステージ15は、吸着面45aを有する静電チャック45を備えている。静電チャック45の吸着面45aは、Y軸方向に沿った断面形状が凸状をなすように形成されている。そのため、レチクルRを吸着面45aに静電吸着させる際には、レチクルRのうち中央部分が最初に吸着面45aに静電吸着され、その後、レチクルRのうち中央部分とは異なる部位が吸着面45aに静電吸着される。
【選択図】図1
【解決手段】露光装置11においてレチクルRを保持するレチクルステージ15は、吸着面45aを有する静電チャック45を備えている。静電チャック45の吸着面45aは、Y軸方向に沿った断面形状が凸状をなすように形成されている。そのため、レチクルRを吸着面45aに静電吸着させる際には、レチクルRのうち中央部分が最初に吸着面45aに静電吸着され、その後、レチクルRのうち中央部分とは異なる部位が吸着面45aに静電吸着される。
【選択図】図1
Description
本発明は、露光装置、露光方法、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。
一般に、EUV(Extreme Ultraviolet )光を用いて、基板にパターンを形成する露光装置は、所定のパターンが形成された反射型のマスクを保持するためのマスク保持装置を備えている。このマスク保持装置には、平面状の吸着部を有する静電チャックが設けられており、マスクは、静電チャックの吸着面に静電吸着されるようになっている。そして、露光時には、静電チャックに露光光が照射されるマスクを静電吸着させた状態で、マスクとウエハとを相対的に走査露光させ、マスクに形成されたパターンをウエハに形成していた(例えば、特許文献1参照)。
特開平11‐219900号公報
ところで、反射型のマスクは、低熱膨張ガラスなどで構成される板状のマスク本体を有しており、該マスク本体の第1面側には、例えばクロムからなる導電層が形成されている。また、マスク本体の第2面側には、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)とを交互に積層してなる反射層と、該反射層上に成膜される吸収層とが形成されている。そして、吸収層には、その一部を加工することによって所定のパターンが形成されている。
ところが、図11(a)に示すように、反射型のマスク100は、マスク本体101の第1面101a側に形成される導電層102の膜応力と第2面101b側に形成される反射層103の膜応力との違いにより撓んでしまう。具体的には、マスク100の静電チャック110側となる被吸着面は、凹状に歪んでしまう。そのため、平面状の静電チャック110の吸着面110aに対して凹状に歪んだ被吸着面を有するマスク100を静電吸着させる際には、図11(b)に示すように、以下に示す問題が発生するおそれがあった。
すなわち、マスク100には、マスク保持装置の静電チャック110の吸着面110aに接触した部分から吸着面110aへの吸着力が付与されることから、マスク100は、その縁部から中央部分に向かう順に吸着面110aに吸着される。そのため、マスク100の中央部分を吸着面110aに完全に吸着させることができず、マスク100の中央部分では、該マスク100のパターン形成面の平坦度が悪化してしまう。そのため、基板に形成されるパターンの精度が悪化するおそれがあった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板にパターン像を露光する際に、基板に形成されるパターンの形成精度の悪化を抑制できる露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法を提供することにある。
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図1〜図10に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の露光装置は、所定のパターンが形成された反射型のマスク(R)の少なくとも一部に放射ビーム(EL)を照射し、前記マスク(R)で反射した前記放射ビーム(EL)を投影光学系(16)を介して基板(W)に照射する露光装置(11)において、前記マスク(R)を吸着する吸着部(45)を有するマスク保持装置(15)と、前記放射ビーム(EL)に対して前記吸着部(45)を所定方向に移動させる移動装置(46)と、を備え、前記吸着部(45)は、前記所定方向に沿った断面形状が凸状で形成された吸着面(45a)を有することを要旨とする。
本発明の露光装置は、所定のパターンが形成された反射型のマスク(R)の少なくとも一部に放射ビーム(EL)を照射し、前記マスク(R)で反射した前記放射ビーム(EL)を投影光学系(16)を介して基板(W)に照射する露光装置(11)において、前記マスク(R)を吸着する吸着部(45)を有するマスク保持装置(15)と、前記放射ビーム(EL)に対して前記吸着部(45)を所定方向に移動させる移動装置(46)と、を備え、前記吸着部(45)は、前記所定方向に沿った断面形状が凸状で形成された吸着面(45a)を有することを要旨とする。
上記構成によれば、被吸着面が凹状に歪んだマスク(R)を吸着面(45a)に吸着させる場合であっても、基板(W)に形成されるパターンの精度を維持することができる。
また、本発明の露光方法は、所定のパターンが形成された反射型のマスク(R)の少なくとも一部に放射ビーム(EL)を照射し、前記マスク(R)で反射した前記放射ビーム(EL)を投影光学系(16)を介して前記基板(W)に照射した状態で、前記マスク(R)と前記基板(W)とを所定方向に相対的に走査する露光方法において、前記所定方向に沿った断面形状が凸形状で形成された吸着面(45a)に、前記マスク(R)を吸着させ、前記マスク(R)と前記基板(W)とを所定方向に相対的に走査する間、前記投影光学系の光軸方向における前記マスクの少なくとも一部の位置を調整することを要旨とする。
また、本発明の露光方法は、所定のパターンが形成された反射型のマスク(R)の少なくとも一部に放射ビーム(EL)を照射し、前記マスク(R)で反射した前記放射ビーム(EL)を投影光学系(16)を介して前記基板(W)に照射した状態で、前記マスク(R)と前記基板(W)とを所定方向に相対的に走査する露光方法において、前記所定方向に沿った断面形状が凸形状で形成された吸着面(45a)に、前記マスク(R)を吸着させ、前記マスク(R)と前記基板(W)とを所定方向に相対的に走査する間、前記投影光学系の光軸方向における前記マスクの少なくとも一部の位置を調整することを要旨とする。
上記構成によれば、断面形状が凸形状で形成された吸着面(45a)にマスク(R)を吸着させた場合であっても、マスク(R)と前記基板(W)とを所定方向に相対的に走査する間、マスク(R)の少なくとも一部の位置が調整されるため、基板(W)に形成されるパターンの精度を維持することができる。
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
本発明によれば、基板にパターン像を露光する際に、基板に形成されるパターンの形成精度の悪化を抑制できる。
(第1の実施形態)
以下に、本発明を具体化した第1の実施形態について図1〜図7に基づき説明する。なお、図1、図4、図5及び図7では、後述するレチクルRの大きさを誇張して図示している。
以下に、本発明を具体化した第1の実施形態について図1〜図7に基づき説明する。なお、図1、図4、図5及び図7では、後述するレチクルRの大きさを誇張して図示している。
図1に示すように、本実施形態の露光装置11は、波長が100nm程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光ELとして用いるEUV露光装置であって、内部が真空雰囲気となるチャンバ12(図1では二点鎖線で示す。)内に設置されている。この露光装置11は、露光光源13と、照明光学系14と、所定のパターンが形成された反射型のレチクルRを保持するレチクルステージ15と、投影光学系16と、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハWを保持するウエハステージ17とを備えている。なお、本実施形態の露光光源13としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該露光光源13は、波長が5〜20nm(例えば13.5nm)となるEUV光を射出する。
照明光学系14は、チャンバ12の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体18(図1では一点鎖線で示す。)を備えている。この筐体18内には、露光光源13から射出された露光光ELを集光するコリメート用ミラー19が設けられており、該コリメート用ミラー19は、入射した露光光ELを略平行に変換して射出する。そして、コリメート用ミラー19から射出された露光光ELは、オプティカルインテグレータの一種であるフライアイ光学系20に入射する。このフライアイ光学系20は、一対のフライアイミラー21,22を備えており、該各フライアイミラー21,22のうち入射側に配置される入射側フライアイミラー21は、レチクルRの被照射面Ra(即ち、図1における下面であって、パターン形成面)とは共役となる位置に配置されている。こうした入射側フライアイミラー21で反射された露光光ELは、射出側に配置される射出側フライアイミラー22に入射する。
また、照明光学系14には、射出側フライアイミラー22から射出された露光光ELを筐体18外に射出するコンデンサミラー24が設けられている。そして、コンデンサミラー24から射出された露光光ELは、コンデンサミラー24よりもレチクルR側に配置された折り返し用の反射ミラー25により、レチクルステージ15に保持されるレチクルRに導かれる。なお、照明光学系14を構成する各ミラー19,21,22,24,25の反射面には、露光光ELを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)を交互に積層した多層膜から構成される。
レチクルステージ15は、後述する投影光学系16の物体面側に配置されており、被照射面Raが投影光学系16に対向する側に位置するようにレチクルRを保持するようになっている。レチクルステージ15に保持されるレチクルRの被照射面Ra近傍には、図1及び図2に示すように、被照射面Raのうち露光光ELが照射される照射領域IAを規定するための開口26を有する照明領域規定部材27が配置されている。この照明領域規定部材27の開口26は、X軸方向(図2では左右方向)に延びる円弧状をなすように形成されている。具体的には、開口26は、照射領域IAのX軸方向(図2では左右方向)における幅が、レチクルRのX軸方向における幅よりも幅狭であって、且つ被照射面Raのうちパターンが形成されたパターン領域Rb(図2において一点鎖線で囲まれた領域)のX軸方向における幅と略同等となるように形成されている。そして、レチクルRの被照射面Raで反射した露光光ELは、照明領域規定部材27の開口26を通過して投影光学系16に導かれる。なお、開口26の形状は、レチクルRのうち露光光ELが照射される照射領域IA(図7(a)参照)のY軸方向(図1では左右方向)における幅が8mmとなるように設定されている。
投影光学系16は、図1に示すように、チャンバ12の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒28(図1では一点鎖線で示す。)を備えている。この鏡筒28内には、複数枚(本実施形態では6枚)の反射型のミラー29,30,31,32,33,34が収容されている。そして、物体面側であるレチクルR側から導かれた露光光ELは、第1ミラー29、第2ミラー30、第3ミラー31、第4ミラー32、第5ミラー33、第6ミラー34の順に反射され、ウエハステージ17に保持されるウエハWに導かれる。なお、各ミラー29〜34の反射面には、露光光ELを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)を交互に積層した多層膜から構成される。また、鏡筒28は、折り返し用の反射ミラー25も収容している。
ウエハステージ17は、ウエハWを静電吸着する静電チャック35と、ウエハWをY軸方向に所定ストローク(後述するレチクルRの所定ストロークを後述する所定倍率で除算した値に相当するストローク)で移動させるウエハステージ駆動部36とを備えている。このウエハステージ駆動部36は、ウエハWをX軸方向及びZ軸方向(図1では上下方向)にも移動可能に構成されている。また、ウエハステージ17には、静電チャック35を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのZ軸方向における位置及びX軸周り、Y軸周りの傾斜角を調整する図示しないZレベリング機構とが組み込まれている。そして、投影光学系16から射出された露光光ELがウエハWの被照射面(即ち、図1における上面)を照射することにより、ウエハWには、レチクルR上の上記パターンを所定倍率に縮小したパターンが形成される。
次に、レチクルステージ15に保持されるレチクルRについて図3(a)(b)(c)に基づき説明する。
図3(a)(b)(c)に示すように、レチクルRは、低膨張ガラスなどから形成される薄板を矩形状に加工したレチクル本体40を備え、該レチクル本体40の第1面40a(図3では上面)側には、クロムや窒化クロムなどの導電材料を含んでなる導電層41が形成されている。この導電層41の膜厚は、略70nm(ナノメータ)となっている。
図3(a)(b)(c)に示すように、レチクルRは、低膨張ガラスなどから形成される薄板を矩形状に加工したレチクル本体40を備え、該レチクル本体40の第1面40a(図3では上面)側には、クロムや窒化クロムなどの導電材料を含んでなる導電層41が形成されている。この導電層41の膜厚は、略70nm(ナノメータ)となっている。
また、レチクル本体40において第1面40aの反対側の第2面40b(図3では下面)側には、露光光ELを反射可能な反射層42が形成されており、該反射層42は、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)との組からなる膜を40組程度積層した多層膜で構成されている。また、反射層42上には、露光光ELを吸収可能な吸収層43が形成されており、該吸収層43の一部を加工することにより所定のパターンが形成される。
ここで、導電層41は、該導電層41を構成する材料の特性によって、レチクル本体40の第1面40a上で収縮しようとする。また、反射層42は、該反射層42を構成する材料の特性によって、レチクル本体40の第2面40bに沿って延びようとする。そのため、レチクル本体40には、導電層41の収縮応力及び反射層42の引っ張り応力が作用する。その結果、レチクルRは、その中央部分が−Z方向側(図3(b)(c)では下側であって、中央部分の法線方向)に歪む。すなわち、レチクルRの被照射面Raは、凸状に変形すると共に、レチクルRにおいて被照射面Raの反対側の被吸着面は、凹状に変形する。なお、本実施形態の被照射面Raの形状は、その中央部分(即ち、被照射面Raのうち最も−Z方向側となる部位)とその縁部(即ち、被照射面Raのうち最も+Z方向側(図3(b)(c)では上側)となる部位)との差hrが略1μm(マイクロメータ)となるような形状である。
次に、上記レチクルRを保持するためのレチクルステージ15について図1及び図4に基づき説明する。
図1及び図4(a)に示すように、レチクルステージ15は、レチクルRを静電吸着するための静電チャック45を備えると共に、レチクルステージ駆動部46の駆動によってY軸方向に所定ストロークで移動するようになっている。このレチクルステージ駆動部46には、静電チャック45(レチクルステージ15)を複数の自由度方向(本実施形態では、Z軸方向とθx方向(X軸周りの回転方向)の2方向)に移動させる位置調整装置47が設けられている。
図1及び図4(a)に示すように、レチクルステージ15は、レチクルRを静電吸着するための静電チャック45を備えると共に、レチクルステージ駆動部46の駆動によってY軸方向に所定ストロークで移動するようになっている。このレチクルステージ駆動部46には、静電チャック45(レチクルステージ15)を複数の自由度方向(本実施形態では、Z軸方向とθx方向(X軸周りの回転方向)の2方向)に移動させる位置調整装置47が設けられている。
この位置調整装置47は、複数の図示しない電磁力発生部を有している。そして、位置調整装置47は、静電チャック45をY軸方向に所定ストロークで移動させる場合、各電磁力発生部から発生される電磁力の大きさを個別に調整し、静電チャック45の吸着面45a(図4(a)では下面)のうち照明領域規定部材27の開口26に対向する部位が、投影光学系16の光軸方向(Z軸方向)において、所定位置に維持されるように、静電チャック45をZ軸方向やθx方向に移動させる。なお、詳しくは後述するが、静電チャック45の吸着面45aは、+X方向から見た場合の輪郭が円弧状をなすように形成されている。そして、位置調整装置47は、吸着面45aを+X方向から見た場合の円弧状の輪郭の曲率中心を回動中心として静電チャック45を回動させるべく駆動するようになっている。
静電チャック45の吸着面45aは、図4(a)(b)に示すように、+X方向(図4(a)では紙面手前側)や−X方向(図4(a)では紙面奥手側)から見た場合の輪郭が円弧状となるように形成されると共に、X軸方向における各部位の輪郭の曲率が略同等となるように形成されている。すなわち、静電チャック45をX軸方向における複数の部位で切断した際の各部位の断面形状は、略同一である。また、吸着面45aにおいて、中央部分(即ち、吸着面45aのうち最も−Z方向側となる部位)と縁部(即ち、吸着面45aのうち最も+Z方向側となる部位)との差hcは、20μm以下の差(例えば10μm)に設定されており、上記レチクルR側の差hrよりも大きい。すなわち、吸着面45aの曲率は、レチクルRの+Z方向側の面の曲率(所定の曲率)よりも大きい。
また、静電チャック45内には、Y軸方向に延びる電極48がY軸方向と直交するX軸方向に沿って複数(本実施形態では5つ)配置されており、該各電極48には、吸着制御部49から個別に給電される。そして、静電チャック45の吸着面45aにレチクルRを静電吸着させる場合、吸着制御部49は、各電極48のうちX軸方向における中央に位置する電極48に給電した後、該電極48にX軸方向で隣接する両電極48に給電し、その後、X軸方向において最も外側に位置する両電極48に給電する。
なお、静電チャック45内には、X軸方向で互いに隣り合う電極48同士の間に図示しない絶縁層が設けられている。そのため、静電チャック45の吸着面45aのうち給電される電極48とX軸方向において位置対応する部分からは、レチクルRに対して吸着力が付与される。一方、静電チャック45の吸着面45aのうち給電されていない電極48とX軸方向において位置対応する部分からは、レチクルRに対して吸着力が付与されない。
次に、本実施形態の静電チャック45の吸着面45aにレチクルRを静電吸着させる際の作用について図5(a)(b)に基づき説明する。なお、図5(a)(b)は、静電チャック45及びレチクルRをX軸方向における中央付近をY軸方向に沿って切断した場合の断面を模式的に示した作用図である。
さて、各電極48のうちX軸方向における中央に位置する電極48が給電されると、レチクルRのうち該給電される電極48にX軸方向において位置対応する部位が、静電チャック45の吸着面45aに静電吸着される。この際、レチクルRは、図5(a)に示すように、Z軸方向において吸着面45aに近い部位が吸着面45aに静電吸着された後、図5(b)に示すように、レチクルRのうちY軸方向における中央部分から離間した部位が、吸着面45aに静電吸着される。
そして次に、最初に給電が開始された電極48に対して、X軸方向において隣接する両電極48が給電されると、レチクルRのうち該給電される両電極48に対応する部位が、吸着面45aに静電吸着される。この際も、レチクルRは、Z軸方向において吸着面45aに近い部位から順に吸着面45aに静電吸着される。そして次に、X軸方向において最も外側に位置する両電極48が給電される。
すなわち、本実施形態の静電チャック45は、レチクルRをレチクルRの中央部分から周縁部に向かって順次静電吸着する。そのため、従来のようにレチクルRの周縁部が最初に吸着面45aに吸着される場合とは異なり、吸着面45aに静電吸着されたレチクルRの被照射面Raの中央部分の変形を抑制することができる。したがって、レチクルRの被照射面Raのパターンの歪みが抑制される。
次に、露光装置11を制御する制御装置50について図1に基づき説明する。
図1に示すように、制御装置50は、レチクルステージ駆動部46及びウエハステージ駆動部36に電気的に接続されている。そして、制御装置50は、ウエハWに対して露光処理を行う場合、レチクルR及びウエハWを所定方向としてのY軸方向に、同期移動させるべく各駆動部36,46を制御する。また、制御装置50は、レチクルR及びウエハWを同期移動する間、レチクルRを投影光学系16の光軸方向におけるレチクルRの被照射面Raの高さを調整する。
図1に示すように、制御装置50は、レチクルステージ駆動部46及びウエハステージ駆動部36に電気的に接続されている。そして、制御装置50は、ウエハWに対して露光処理を行う場合、レチクルR及びウエハWを所定方向としてのY軸方向に、同期移動させるべく各駆動部36,46を制御する。また、制御装置50は、レチクルR及びウエハWを同期移動する間、レチクルRを投影光学系16の光軸方向におけるレチクルRの被照射面Raの高さを調整する。
また、制御装置50は、図示しないCPU、ROM及びRAMなどを有するデジタルコンピュータを備え、制御装置50のROMには、露光装置11を制御するための各種制御処理、各種マップ(例えば、図6に示すマップ)及び各種閾値などが予め記憶されている。また、制御装置50のRAMには、露光装置11の駆動中に適宜書き換えられる情報が記憶される。
次に、ROMに記憶されるマップについて図6に基づき説明する。
図6に示すマップは、レチクルRをY軸方向へ移動させる場合において、レチクルRのうち露光光ELが照射される照射位置Ps(即ち、照射領域IAの位置)と、レチクルRのθx方向における回転角Ax(以下、単に回転角という。)との関係を示すものである。なお、レチクルRの回転角Axが0(零)°である場合、レチクルRのY軸方向における中央位置は、照明領域規定部材27の開口26に対して、略同一位置に位置している。
図6に示すマップは、レチクルRをY軸方向へ移動させる場合において、レチクルRのうち露光光ELが照射される照射位置Ps(即ち、照射領域IAの位置)と、レチクルRのθx方向における回転角Ax(以下、単に回転角という。)との関係を示すものである。なお、レチクルRの回転角Axが0(零)°である場合、レチクルRのY軸方向における中央位置は、照明領域規定部材27の開口26に対して、略同一位置に位置している。
図6に示されるように、照射位置Psが0(零)である場合、レチクルRのうちY軸方向における中央位置が照射領域IAとなるため、レチクルRの回転角Axは、0(零)°となる。また、照射位置Psが0(零)よりも大きい場合、レチクルRのうちY軸方向における中央位置よりも+Y方向側(図1では右側)の位置が照射領域IAとなるため、レチクルRの回転角Axは、照射位置Psが大きくなるに連れて大きな角度になる。また、照射位置Psが0(零)よりも小さい場合、レチクルRのうちY軸方向における中央位置よりも−Y方向側(図1では左側)の位置が照射領域IAとなるため、レチクルRの回転角Axは、照射位置Psが小さくなるに連れて小さな角度になる。
次に、本実施形態のレチクルRの移動について、図7(a)(b)に基づき説明する。
さて、レチクルRが静電チャック45に静電吸着された後、レチクルRは、図7(a)に示すように、その被照射面Raのうち最も−Y方向側に形成されたパターンが露光光ELに照射されるように調整される。すなわち、被照射面Raのパターン領域Rbのうち最も−Y方向側の領域が、照射領域IAに設定される。そして、レチクルRの被照射面Raにおける現時点の照射領域IAが露光光ELによって照射されると、レチクルステージ駆動部46の駆動によってレチクルRが−Y方向に所定ストローク移動するとともに、ウエハステージ駆動部36の駆動によってウエハWがレチクルRに同期して−Y方向に移動する。
さて、レチクルRが静電チャック45に静電吸着された後、レチクルRは、図7(a)に示すように、その被照射面Raのうち最も−Y方向側に形成されたパターンが露光光ELに照射されるように調整される。すなわち、被照射面Raのパターン領域Rbのうち最も−Y方向側の領域が、照射領域IAに設定される。そして、レチクルRの被照射面Raにおける現時点の照射領域IAが露光光ELによって照射されると、レチクルステージ駆動部46の駆動によってレチクルRが−Y方向に所定ストローク移動するとともに、ウエハステージ駆動部36の駆動によってウエハWがレチクルRに同期して−Y方向に移動する。
すると、レチクルRの被照射面Ra内において照射領域IAは、+Y方向側に所定ストロークだけ変位する。こうした照射領域IAの変位に伴って、レチクルRの回転角Axが、位置調整装置47の駆動によって調整される。すなわち、レチクルRがY軸方向に移動したとしても、Z軸方向における照射領域IAの位置が調整される。また、図7(b)に示すように、照射領域IA内において、最も−Z方向側となる部位と最も+Z方向側となる部位との差Δhは、50nm(ナノメータ)以下になる。そのため、ウエハWにパターンを形成させる際に発生するディストーションは、許容範囲内のものとなる。
こうしたレチクルRの−Y方向への移動、及び、θx方向及びZ軸方向への変位によって、レチクルRのうち最も+Y方向のパターン付近が照射領域IAに設定されると、該照射領域IAへの露光光ELの照射が完了する。その結果、ウエハWの一つのショット領域には、所定のパターンが形成される。
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
(1)静電チャック45の吸着面45aは、+X方向側や−X方向側から見た場合の形状が円弧状をなしている。そのため、吸着面45aにレチクルRを静電吸着させる場合、レチクルRのY軸方向における両周縁部よりも中央部分に対して吸着面45aから吸着力が最初に作用する。そのため、レチクルRのY軸方向における中央部分が吸着面45aに最初に静電吸着された後に、レチクルRの中央部分とは異なる部位が吸着面45aに吸着される。したがって、従来の場合とは異なり、レチクル本体40に対する導電層41の膜応力と、反射層42の膜応力との違いによってレチクルRが撓んでいるとしても、ウエハWにパターンを形成させる際に、許容されない量のディストーションが発生することを抑制できる。
(1)静電チャック45の吸着面45aは、+X方向側や−X方向側から見た場合の形状が円弧状をなしている。そのため、吸着面45aにレチクルRを静電吸着させる場合、レチクルRのY軸方向における両周縁部よりも中央部分に対して吸着面45aから吸着力が最初に作用する。そのため、レチクルRのY軸方向における中央部分が吸着面45aに最初に静電吸着された後に、レチクルRの中央部分とは異なる部位が吸着面45aに吸着される。したがって、従来の場合とは異なり、レチクル本体40に対する導電層41の膜応力と、反射層42の膜応力との違いによってレチクルRが撓んでいるとしても、ウエハWにパターンを形成させる際に、許容されない量のディストーションが発生することを抑制できる。
(2)静電チャック45の吸着面45aは、その曲率がレチクルRの曲率よりも大きくなるように形成されている。そのため、吸着面45aにレチクルRを静電吸着させる場合、レチクルRのY軸方向における中央部分を、吸着面45aに最初に静電吸着させることができる。
(3)仮に吸着面45aにおいて、中央部と縁部との差hcが20μmよりも大きい場合、レチクルRの照射領域IAにおける差Δhが50nmよりも大きくなってしまう可能性がある。このように差Δhが50nmよりも大きい場合には、照射領域IAのZ軸方向における高低差が大き過ぎることに起因して、ウエハWに形成されるパターンに歪みが生じる可能性がある。そこで、本実施形態では、吸着面45aは、その中央部分とその縁部との差hcが20μm以下となるように形成されている。そのため、照射領域IAのZ軸方向における高低差を極力小さくできるため、ウエハWに形成されるパターンの歪みの発生を抑制できる。
(4)また、静電チャック45は、X軸方向における各部位での断面形状が略同一となるように形成されている。そのため、こうした静電チャック45の吸着面45aに静電吸着されるレチクルRの被照射面RaのX軸方向における各位置のZ軸方向における高さ位置を、互いに略同一位置とすることができる。
(5)さらに、レチクルRは、静電チャック45の吸着面45aに静電吸着される場合、そのX軸方向における中央部分が最初に静電吸着された後、該中央部分とは異なる部分が順番に静電吸着される。そのため、レチクルRのX軸方向における両周縁部から吸着面45aに静電吸着される場合とは異なり、レチクルRのX軸方向における中央部分の変形の悪化を抑制できる。
(6)露光する際には、レチクルRの被照射面Raに形成される照射領域IAのZ軸方向における位置を調整させつつ、レチクルRがY軸方向に移動する。そのため、露光中においては、レチクルRの照射領域IAと投影光学系16との位置関係が維持されるため、ウエハWに適切な形状のパターンを形成することができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態を図8に従って説明する。なお、第2の実施形態は、レチクルRの照射領域IAのZ軸方向(投影光学系16の光軸方向)における位置を計測可能な装置を設けた点が第1の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第1の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第1の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
次に、本発明の第2の実施形態を図8に従って説明する。なお、第2の実施形態は、レチクルRの照射領域IAのZ軸方向(投影光学系16の光軸方向)における位置を計測可能な装置を設けた点が第1の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第1の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第1の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
図8に示すように、露光装置11には、レチクルRに形成される照射領域IAのZ軸方向における高さ位置及び照射領域IAの形状を計測可能な計測装置55が設けられている。この計測装置55には、Z軸方向と交差する方向に向けて計測光を発光可能な複数(本実施形態では3つ)の発光器56(例えばハロゲンランプやレーザ)が設けられており、該各発光器56から出力された計測光は、照射領域IA内において互いに異なる位置P1,P2,P3に入射する。なお、これら各位置P1〜P3は、Y軸方向において互いに異なるようにそれぞれ設定される。
また、計測装置55には、レチクルRの照射領域IAの各位置P1〜P3で反射された計測光を受光可能な複数(本実施形態では3つ)の受光器57(例えばCCD)が設けられている。これら各受光器57は、レチクルRの照射領域IAにて反射した計測光を受光した際のZ軸方向における受光位置に応じた検出信号を算出装置58にそれぞれ出力する。続いて、算出装置58は、各受光器57からの各検出信号に基づき現時点の照射領域IAのZ軸方向における位置をそれぞれ算出し、該算出結果を上記制御装置50に送信する。そして、制御装置50は、算出装置58から受信した、現時点の照射領域IAのZ軸方向における位置に関する情報をRAMに記憶させる。
なお、上記第1の実施形態では、レチクルRの照射領域IAの位置(照射位置Ps)とレチクルRの回転角Axとの関係を示すマップが制御装置50のROMに予め記憶されていた。また、本実施形態では、レチクルRを静電チャック45の吸着面45aに静電吸着させる毎に、計測装置55によって、レチクルRの照射位置PsとレチクルRの回転角Axとの関係が取得され、マップが制御装置50によって作成される。
すなわち、静電チャック45の吸着面45aにレチクルRを静電吸着させた場合、露光処理を実行する前に、レチクルステージ駆動部46は、レチクルRを所定ストロークで−Y方向に移動させる。この際、計測装置55は、レチクルRのY軸方向に沿った各部位のZ軸方向における位置を計測し、該計測結果を制御装置50に送信する。そして、制御装置50は、計測装置55から受信した情報に基づき、レチクルRの照射位置PsとレチクルRの回転角Axとの関係を算出し、該各算出結果に基づき図6に示すようなマップを作成してRAMに記憶させる。
その後の露光処理時では、RAMに記憶させたマップを利用し、レチクルRの位置調整が行われる。その結果、上記第1の実施形態と同様に、ウエハWには、適切な形状のパターンが形成される。
したがって、本実施形態では、上記第1の実施形態の効果(1)〜(6)に加えて以下に示す効果を得ることができる。
(7)本実施形態では、レチクルRが静電チャック45の吸着面45aに新たに静電吸着される毎に、レチクルRの照射位置PsとレチクルRの回転角Axとの関係を示すマップが作成される。そして、新たに作成されたマップを利用して露光時のレチクルRの位置調整が行われる。そのため、実測値に基づき作成されたマップを利用してレチクルRの照射領域IAのZ軸方向における位置調整が行われることから、ウエハWにより適切な形状のパターンを形成させることができる。
(7)本実施形態では、レチクルRが静電チャック45の吸着面45aに新たに静電吸着される毎に、レチクルRの照射位置PsとレチクルRの回転角Axとの関係を示すマップが作成される。そして、新たに作成されたマップを利用して露光時のレチクルRの位置調整が行われる。そのため、実測値に基づき作成されたマップを利用してレチクルRの照射領域IAのZ軸方向における位置調整が行われることから、ウエハWにより適切な形状のパターンを形成させることができる。
なお、上記各実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・第2の実施形態では、露光前に静電チャック45に静電吸着されたレチクルRの被照射面Raの形状を計測し、図6に示すようなマップを作成していたが、レチクルRの照射領域IAのZ軸方向における位置を計測しつつ、露光処理を実行してもよい。この場合、マップを作成するための時間を省略できる分だけ、リソグラフィ工程の効率化を図ることができる。
・第2の実施形態では、露光前に静電チャック45に静電吸着されたレチクルRの被照射面Raの形状を計測し、図6に示すようなマップを作成していたが、レチクルRの照射領域IAのZ軸方向における位置を計測しつつ、露光処理を実行してもよい。この場合、マップを作成するための時間を省略できる分だけ、リソグラフィ工程の効率化を図ることができる。
・各実施形態において、静電チャック45は、1つの電極48のみを備えた構成であってもよい。このように構成しても、平面状の吸着面を有する静電チャックを利用する場合に比して、レチクルRの中央部分の変形を抑制できる。
・各実施形態において、静電チャック45の吸着面45aは、その中央部分とその周縁部との差hcが20μm以下であれば、任意の曲率を有する形状であってもよい。例えば、吸着面45aの曲率は、レチクルRの曲率と同等であってもよい。
・各実施形態において、静電チャック45は、レチクルRを吸着面45aに静電吸着させる際に、レチクルRのY軸方向における中央部分を、該中央部分とは異なる部位よりも先に吸着面45aに静電吸着させることが可能な形状であれば、任意の形状であってもよい。
・各実施形態において、静電チャック45は、その吸着面45aから突出する複数の凸部を設けた構成であってもよい。
・各実施形態において、露光装置11は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置11は、液晶表示素子(LCD)などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
・各実施形態において、露光装置11は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置11は、液晶表示素子(LCD)などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
・各実施形態において、露光光源13は、例えばg線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、F2レーザ(157nm)、Kr2レーザ(146nm)、Ar2レーザ(126nm)等を供給可能な光源であってもよい。また、露光光源13は、DFB半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(またはエルビウムとイッテルビウムの双方)がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。
また、こうした露光光源13を利用する露光装置11は、内部が真空雰囲気に設定されたチャンバ12内に設置しなくてもよい。この場合、静電チャック45は、真空チャックであってもよい。
次に、本発明の実施形態の露光装置11によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図9は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップS101(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS102(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクルRなど)を製作する。一方、ステップS103(基板製造ステップ)において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板(シリコン材料を用いた場合にはウエハWとなる。)を製造する。
次に、ステップS104(基板処理ステップ)において、ステップS101〜ステップS104で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS105(デバイス組立ステップ)において、ステップS104で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップS105には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS106(検査ステップ)において、ステップS105で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
図10は、半導体デバイスの場合におけるステップS104の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS111(酸化ステップ)おいては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ステップS111(酸化ステップ)おいては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS115(レジスト形成ステップ)において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップS116(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置11)によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップS117(現像ステップ)において、ステップS116にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップS118(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS119(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップS118及びステップS119において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
11…露光装置、15…マスク保持装置としてのレチクルステージ、16…投影光学系、45…吸着部としての静電チャック、45a…吸着面、46…移動装置としてのレチクルステージ駆動部、47…位置調整装置、48…電極、55…計測装置、EL…放射ビームとしての露光光、hc,hr,Δh…差、IA…照射領域、P1〜P3…位置、R…マスクとしてのレチクル、W…基板としてのウエハ。
Claims (15)
- 所定のパターンが形成された反射型のマスクの少なくとも一部に放射ビームを照射し、前記マスクで反射した前記放射ビームを投影光学系を介して基板に照射する露光装置において、
前記マスクを吸着する吸着部を有するマスク保持装置と、
前記放射ビームに対して前記マスク保持装置を所定方向に移動させる移動装置と、を備え、
前記吸着部は、前記所定方向に沿った断面形状が凸状で形成された吸着面を有する露光装置。 - 前記吸着面は、前記所定方向に関する輪郭が所定の曲率以上の曲率を有する円弧状に形成されている請求項1に記載の露光装置。
- 前記所定の曲率とは、前記マスクのうち前記吸着面に吸着される被吸着面が有する曲率である請求項2に記載の露光装置。
- 前記吸着面は、前記所定方向において最も突出する突出部位の法線方向において前記所定方向における縁部と前記突出部位との差が20μm以下となるように形成されている請求項1〜請求項3のうち何れか一項に記載の露光装置。
- 前記吸着部は、前記所定方向に関する前記吸着面の輪郭が、前記所定方向と直交する方向のそれぞれの部位において同一形状となるように形成されている請求項1〜請求項4のうち何れか一項に記載の露光装置。
- 前記吸着部は、前記マスクの中央部分を前記吸着面に吸着した後、該中央部分以外の部位を前記吸着面に吸着させる請求項1〜請求項5のうち何れか一項に記載の露光装置。
- 前記吸着部は、前記マスクの前記所定方向と交差する方向における中央部分を前記吸着面に吸着した後、前記所定方向と交差する方向において前記中央部分とは異なる部位を前記吸着面に吸着させる請求項6に記載の露光装置。
- 前記吸着部は、静電チャックであり、
前記吸着部内には、複数の電極が設けられている請求項6又は請求項7に記載の露光装置。 - 前記各電極は、前記所定方向と交差する方向に沿ってそれぞれ配置されている請求項8に記載の露光装置。
- 前記移動装置は、前記マスク保持装置を前記所定方向に移動させる場合に、前記投影光学系の光軸方向における前記マスクの少なくとも一部の位置を調整する位置調整装置を有する請求項1〜請求項9のうち何れか一項に記載の露光装置。
- 前記投影光学系の光軸方向における前記マスクの少なくとも一部の位置を計測する計測装置をさらに備え、
該計測装置は、前記移動装置によって前記マスク保持装置を前記所定方向に移動させる場合に、前記マスクの少なくとも一部の位置を計測し、
前記位置調整装置は、前記計測装置の計測結果に基づき前記マスクの少なくとも一部の位置の調整を行う請求項10に記載の露光装置。 - 所定のパターンが形成された反射型のマスクの少なくとも一部に放射ビームを照射し、前記マスクで反射した前記放射ビームを投影光学系を介して基板に照射した状態で、前記マスクと前記基板とを所定方向に相対的に走査する露光方法において、
前記所定方向に沿った断面形状が凸形状で形成された吸着面に、前記マスクを吸着させ、
前記マスクと前記基板とを所定方向に相対的に走査する間、前記投影光学系の光軸方向における前記マスクの少なくとも一部の位置を調整する露光方法。 - 前記マスクと前記基板とを前記所定方向に相対的に走査する際には、前記放射ビームが照射される前記マスクの少なくとも一部の位置を計測し、該計測結果に基づき前記マスクの少なくとも一部の位置の調整を行う請求項12に記載の露光方法。
- 前記吸着面に吸着された前記マスクの表面形状を予め計測し、
前記マスクと前記基板とを前記所定方向に相対的に走査する際に、前記計測結果に基づき前記マスクの少なくとも一部の位置の調整を行う該請求項12に記載の露光方法。 - リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項1〜請求項11のうち何れか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
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JP2008217177A JP2010056163A (ja) | 2008-08-26 | 2008-08-26 | 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
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Cited By (1)
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CN103797329A (zh) * | 2011-09-16 | 2014-05-14 | Asml荷兰有限公司 | 用于监测光刻图案形成装置的设备 |
-
2008
- 2008-08-26 JP JP2008217177A patent/JP2010056163A/ja active Pending
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CN103797329A (zh) * | 2011-09-16 | 2014-05-14 | Asml荷兰有限公司 | 用于监测光刻图案形成装置的设备 |
JP2014527312A (ja) * | 2011-09-16 | 2014-10-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィパターニングデバイスを監視する装置 |
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