TWI835940B - 用於更換投射曝光設備的反射鏡的方法以及用於執行此方法的位置與指向資料量測裝置 - Google Patents

Abstract

當更換投射曝光設備中的反射鏡時，首先要移除要更換的反射鏡(41)。所移除的要更換的反射鏡的位置與指向資料由一位置與指向資料量測裝置來量測(43)。此外，使用位置與指向資料量測裝置來量測應插入以取代要更換的反射鏡的更換反射鏡的位置與指向資料(46)。根據首先為要更換的反射鏡的位置與指向資料以其次為更換反射鏡的位置與指向資料之間的確定差異，重做更換反射鏡的軸承點(48)。安裝重做的更換反射鏡(54)。這產生了反射鏡更換方法，其中減少了投射曝光設備中的更換反射鏡的調整費用。

Description

用於更換投射曝光設備的反射鏡的方法以及用於執行此方法的位置與指向資料量測裝置

本發明關於用於更換投射曝光設備中的反射鏡的方法。此外，本發明關於用於執行此一方法的位置與指向資料量測裝置。

用以生產具有微結構和奈米結構的半導體組件的投射曝光設備的操作需要確保相應高解析度的光學單元。只有當光學部件以高位置準確度彼此對齊時，才能確保這種高解析度。因此，在投射曝光設備內更換反射鏡需要極高的定位準確度，且先前與高調整支出有關。

DE 10 2012 209 412 A1揭露了一種位置與指向資料量測裝置。在DE 10 2016 203 990 A1中描述了照明系統的系統調整。

本發明的一目的為發展開頭所述類型的反射鏡更換方法，使得投射曝光設備中的更換反射鏡的調整費用降低。

根據本發明，此目的由包含申請專利範圍第1項中指定的特徵的更換方法來實現。

可使用位置與指向量測裝置相對於機械參考來量測光學表面的角度和位置資料。位置與指向資料資料可包含所有六個剛體​​自由度，即三個平移自由度和三個旋轉自由度。如果已知反射鏡的光學表面相對於軸承點的指向和位置，且如果已知要更換的反射鏡的軸承點的位置（或位置與指向），則原則上足以精確地在更換反射鏡上再現這些軸承點的位置、或位置與指向。如果此軸承點定位是完美的，且沒有殘留誤差，則確保在安裝更換反射鏡後，更換反射鏡的反射鏡表面與原始安裝的要更換的反射鏡的反射鏡表面位於完全相同的位置，無需進一步調整。在其他情況下，與沒有量測及重做更換反射鏡的軸承點的更換方法相比，可顯著減少調整費用。

取決於更換方法的組態，由位置與指向資料量測裝置對要更換的反射鏡的位置與指向資料所進行的量測(該量測在移除要更換的反射鏡之後)可實施作為更換方法的構成部分。或者，有可能使用已移除的要更換的反射鏡的位置與指向資料，該資料已預先進行量測。

也可在要更換的反射鏡的位置與指向資料之前量測更換反射鏡的位置與指向資料。為了量測位置與指向資料，可使用位置與指向資料量測裝置，如原則上從DE 10 2012 209 412 A1已知的。

申請專利範圍第2項所述的量測位置與指向資料避免了漂移的問題。在此處，量測順序不一定重要。

不需要達到絕對的位置與指向資料量測準確度；相反地，在要更換的反射鏡的量測與更換反射鏡的量測之間獲得高的相對量測準確度就足夠了。

量測首先為要更換的反射鏡以及其次為更換反射鏡的位置與指向資料可在一天之內實現、可在12小時內實現、且特別是可在更短的時間內(例如兩個小時內或一小時內)實現。

申請專利範圍第3項所述的在相同位置處量測位置與指向資料避免了由於位置與指向資料量測裝置的整體位移而可能出現的位置與指向資料誤差。

申請專利範圍第4項或第5項所述的重做軸承點已發現是特別合適的。替代地或補充地，在重做期間，軸承點可能發生塑性變形。

當更換申請專利範圍第6項所述的琢面反射鏡時，更換方法的優點特別有效。琢面反射鏡可為投射曝光設備的照明光學單元的光瞳琢面反射鏡或場琢面反射鏡。替代地，要更換的反射鏡也可為照明光學單元的任何其他反射鏡、直接設置在照明光源下游的集光器、或用以將遮罩側物場成像至晶圓側影像場的投射曝光設備的投射光學單元的反射鏡。

申請專利範圍第7項所述的再現照明光束路徑導致了特別敏感的位置與指向資料量測。當再現照明光束路徑時，可根據照明光的相應參數來再現量測光的光束方向及/或光束直徑及/或光束發散度，使得這些參數在預定的公差範圍內彼此對應。再現的量測光束路徑的光束方向可與照明光束路徑的光束方向相反。

考慮申請專利範圍第8項所述的照明通道子集係簡化了位置與指向資料量測步驟。當量測位置與指向資料時，可量測個別通道的整體傾斜度，亦即個別通道的傾斜度的平均值。

申請專利範圍第9項所述的選擇子集導致了在更換方法期間的位置與指向資料量測的可能性，這適用於要更換的反射鏡在投射曝光設備的操作過程中的實際使用。

申請專利範圍第10項所述的停止有助於簡單的子集選擇。

申請專利範圍第11項所述的的位置與指向資料量測裝置的優點對應於已在前文中參考本發明的更換方法作出解釋的優點。

對於位置與指向資料量測裝置，原則上可使用根據DE 10 2012 209 412 A1的裝置，然後根據需要量測要更換的反射鏡及更換反射鏡。

原則上，申請專利範圍第12項所述的位置與指向資料量測裝置的優點對應於前文中結合申請專利範圍第6項及第8項已經進行解釋的優點。由於考慮的照明通道減少為一子集，將相應地簡化要使用位置與指向資料量測裝置來執行的量測過程。原則上，可避免多餘的多個位置與指向資料的確定。

位置與指向資料量測裝置具有一成像光學單元，用以將光闌成像到反射鏡支架的配置平面上。這種成像光學單元有助於選擇總體上可能的量測光束橫截面的非常特定的部分。

申請專利範圍第13項所述的光闌的配置有助於簡單地停止量測光束的不需要的分量。

通過相應的光闌組態，特別地，有可能選擇待量測的照明通道的子集選擇，其對應於在其中使用待量測反射鏡的投射曝光設備的照明設定。接著，在投射曝光設備內操作的過程中，位置與指向資料量測裝置非常適用於待量測反射鏡的實際使用。

投射曝光設備所生產的組件可為微晶片，例如為記憶體晶片。

微影刻投射曝光設備1用於生產微結構或奈米結構的電子半導體組件。光源2發射用於例如在5 nm和30 nm之間的波長範圍內的照明的EUV輻射。光源2可為GDPP(氣體放電激發電漿)源或LPP(雷射激發電漿)源。基於同步加速器的輻射源也可用於光源2。舉例來說，所屬技術領域中具有通常知識者可在US 6,859,515 B2中找到關於這類光源的資訊。EUV照明光或照明輻射3用於投射曝光設備1內的照明和成像。光源2下游的EUV照明光3首先通過集光器4，其可例如為現有技術中已知的具有多殼結構的嵌套集光器、或為橢圓形集光器。相應的集光器揭露於EP 1 225 481 A。在集光器4下游，EUV照明光3首先穿過中間焦點平面5，其可用於將EUV照明光3與不需要的輻射或粒子部分分開。在穿過中間焦點平面5之後，EUV照明光3首先撞擊場琢面反射鏡6。照明光3的總光束在中間焦點平面5中具有數值孔徑α。

原則上，可使用具有更長波長的光(例如波長為193 nm的DUV光)作為照明光3。

為了便於描述位置關係，在每一情況下將繪示笛卡爾全局xyz座標系統於圖式中。在圖1中，x軸垂直於繪圖平面延伸，並延伸出繪圖平面。y軸在圖1中向右延伸。z軸在圖1中向上延伸。

為了便於描述投射曝光設備1的個別光學部件的位置關係，在每一情況下也將繪示笛卡爾局部xyz或xy座標系統於以下圖式中。除非另有說明，相應的局部xy座標展開光學部件的相應主要配置平面，例如反射平面。全局xyz座標系統和局部xyz或xy座標系統的x軸彼此平行。局部xyz或xy座標系統的相應y軸相對於全局xyz座標系統的y軸成一角度，該角度對應於相應光學部件圍繞x軸的傾斜角度。

圖2以示例性方式顯示了琢面反射鏡6的場琢面7的琢面配置。場琢面7是矩形的，且在各個情況下具有相同的x/y外觀比。x/y外觀比可例如為12/5、可為25/4、或可為104/8。

場琢面7預定了場琢面反射鏡6的反射表面，且被分組成四行，每行具有6至8個場琢面反射鏡群組8a、8b。場琢面群組8a分別具有七個場琢面7。兩個中心場琢面行的邊緣上的兩個附加場琢面群組8b分別具有四個場琢面7。場琢面反射鏡6的琢面配置具有間隙9，其中在兩個中心琢面行之間以及在第三琢面線和第四琢面線之間，由於支撐集光器4的輻條而使場琢面反射鏡6蒙上了陰影。

在此處未示出的變化型式中，場琢面反射鏡6係建構為具有多個可傾斜的個別反射鏡的MEMS反射鏡陣列，其中每一場琢面7由複數個這類個別反射鏡所形成。場琢面反射鏡6的這類架構已揭露於US 2011/0001947 A1。

在場琢面反射鏡6處反射之後，分裂成分配給個別場琢面7的同心射線或部分光束的EUV照明光3撞擊光瞳琢面反射鏡10上。

場琢面反射鏡6的場琢面7可在複數個照明傾斜位置之間傾斜，因此這改變了由相應場琢面7所反射的照明光3的光束路徑的方向，因此能夠改變所反射的照明光3在光瞳琢面反射鏡10上的入射點。在各個照明傾斜位置之間可位移的相應場琢面已揭露於US 6,658,084 B2和US 7,196,841 B2。這有助於照明設定的預先規定，亦即用於照明物場的照明角度的分佈。照明設定的示例尤其已揭露於DE 10 2008 021 833 A1。

圖3顯示了在光瞳琢面反射鏡10的光瞳琢面載體13上的圓形光瞳琢面11的示例琢面配置。光瞳琢面11圍繞一中心設置於一個在另一個內部的琢面環中。至少一光瞳琢面11被分配給由其中一場琢面7所反射的EUV照明光3的每一部分光束，使得相應的撞擊琢面對包含場琢面7的其中一者，且光瞳琢面11的其中一者為EUV照明光3的相關部分光束預定義了物場照明通道。光瞳琢面11對場琢面7的逐通道分配是基於投射曝光設備1的期望照明來實現的。

在下文中，光瞳琢面反射鏡10也稱作用於量測的反射鏡。在下文中，光瞳琢面11也稱作個別琢面。

場琢面反射鏡6包含數百個場琢面7，例如300個場琢面7。光瞳琢面反射鏡10的光瞳琢面11的數量可至少等於場琢面反射鏡6的所有場琢面7的傾斜位置的總和。

在此處未顯示的變化型式中，光瞳琢面反射鏡10係建構為具有多個可傾斜個別反射鏡的MEMS反射鏡陣列，其中每一光瞳琢面11由複數個這類的個別反射鏡所形成。US 2011/0001947 A1中已揭露了光瞳琢面反射鏡10的這種構造。

經由光瞳琢面反射鏡10(參見圖1)和由三個EUV反射鏡14、15、16組成的下游轉移光學單元17，將場琢面7成像到投射曝光設備1的物體平面18。EUV反射鏡16實施為用於切線入射的反射鏡(切線入射反射鏡)。形式為遮罩19的物體設置在物體平面18中，使用EUV照明光3從遮罩19照明形式為照明場的照明區域，該照明場與投射曝光設備1的下游投射光學單元21的物場20重合。物場照明通道在物場20中疊加。EUV照明光3從遮罩19反射。

舉例來說，在物場20處的照明光3的總光束具有物體側數值孔徑NA，其可在0.04至0.15之間的範圍內。

投射光學單元21將物體平面18中的物場20成像至影像平面23中的影像場22。在該影像平面23中設置有承載光敏感層的晶圓24，其透過投射曝光設備1在投射曝光期間曝光。在投射曝光期間，遮罩19和晶圓24都在y方向上以同步的方式進行掃描。投射曝光設備1係實施為掃描器。在下文中，掃描方向y也稱作物體位移方向。

場琢面反射鏡6、光瞳琢面反射鏡10、和轉移光學單元17的反射鏡14至16為投射曝光設備1的照明光學單元25的部件。在圖1中未顯示的照明光學單元25的變化型式中，轉移光學單元17也可部分或全部省去，因此在光瞳琢面反射鏡10和物場20之間可不設置另外的EUV反射鏡、設置剛好一個另外的EUV反射鏡、或剛好兩個另外的UV反射鏡。光瞳琢面反射鏡10可設置在投射光學單元21的入射光瞳平面中。

照明光學單元25與投射光學單元21一起形成了投射曝光設備1的光學系統。

場琢面反射鏡6表示照明光學單元25的第一琢面反射鏡。場琢面7表示照明光學單元25的第一琢面。

光瞳琢面反射鏡10表示照明光學單元25的第二琢面反射鏡。光瞳琢面11表示照明光學單元25的第二琢面。

圖4顯示了場琢面反射鏡6的另一具體實施例。與前文參照圖2的場琢面反射鏡6所解釋的部件相對應的部件具有相同的元件符號，且僅針對與圖2的場琢面反射鏡6的部件不同的部件進行解釋。圖4的場琢面反射鏡6包含具有弓形場琢面7的場琢面配置。這些場琢面7被設置成總共五行，其在每一情況下具有複數個場琢面群組8。場琢面配置被內接在場琢面反射鏡6的承載板26的圓形邊界中。

場琢面7的整體容納在尺寸為FFx、FFy的區域內的場琢面反射鏡6的相應承載板26上。

在根據圖4的具體實施例中，場琢面7全部具有相同面積且具有在x方向上的寬度與在y方向上的長度的相同比例，這對應於圖2的具體實施例的場琢面7的x/y外觀比。

圖5顯示了位置與指向資料量測裝置27的具體實施例，其用以使用光瞳琢面反射鏡10的示例來量測反射鏡(特別是琢面反射鏡)的位置與指向資料。位置與指向資料量測裝置27在用以更換投射曝光設備1中的反射鏡的方法中使用，這將在下文中進行描述。要更換的反射鏡可為光瞳琢面反射鏡10、場琢面反射鏡6、或原則上可為光源2和晶圓24之間導引照明光3的投射曝光設備1的任何其他反射鏡。

從DE 10 2012 209 412 A1中已知這類位置與指向資料量測裝置的基本結構。

位置與指向資料量測裝置27包含用於量測光29的光源28。量測光可為具有照明光3的波長的光、或為具有不同波長(例如在DUV、UV、或VIS範圍)的光。量測光光源28可組態為LED。

用於量測的反射鏡以精確的位置與指向固定在反射鏡支架28a中，其在圖5中僅進行了示意性顯示。

從量測光光源28出發，根據量測光29的光束方向、光束直徑和光束發散度來模擬量測光29的光束路徑，使得其對應照明光學單元25內的光瞳琢面反射鏡10下游的照明光3的光束路徑。特別是量測光29在用於量測的光瞳琢面反射鏡10處的反射區域中，量測光束路徑對應於照明光學單元25中的照明光束路徑，其中量測光束路徑具有與照明光束路徑相反的方向。

量測光29的量測光分光束29_i 對應於照明光學單元25的照明通道。

在光瞳琢面反射鏡10的光瞳琢面11處反射以進行量測之後，所反射的量測光分光束29_i 朝向對應場琢面反射鏡6的配置平面的量測平面30傳播。量測平面30可理解為量測光光源28的輸出光闌31的影像平面。當比較圖5的量測光束路徑與圖1的量測光束路徑時，量測平面30對應場琢面反射鏡6的配置平面，即照明光束路徑的場平面，且輸出光闌31的位置與指向對應物體平面18。

個別量測光分光束29_i 的配置出現在量測平面30中，作為分配給個別光瞳琢面11的量測光光闌32；該量測光光闌的配置分佈與場琢面反射鏡6上的場琢面7的分佈相對應。量測光光闌32的實際分佈與目標分佈(特別是在照明光學單元25內的預定場琢面配置)的偏差由位置與指向量測裝置27轉換為用於量測的光瞳琢面反射鏡10的實際位置與指向資料與目標位置與指向資料(其應在用於量測的反射鏡正確定位的情況下獲得)之間的位置與指向資料差。

位置與指向資料量測裝置27可實施使得其不包含移動部件。

位置與指向資料量測裝置27的部件(特別是量測光光源28、反射鏡支架28a和設置在量測平面30中的量測光偵測單元40)由位置與指向資料量測裝置27的一共同的支撐框架所承載(圖中未示出的)。

量測光偵測單元40包含空間解析偵測器，例如CCD或CMOS偵測器，藉此有可能確定量測光光闌32在量測平面30中的精確位置。

當量測用於量測的反射鏡的位置與指向資料時，不必考慮分配給所有光瞳琢面11的所有照明通道(即量測光分光束29_i 的所有光路)。考慮這些照明通道的一子集就已足夠，該子集對應於例如在操作投射曝光設備1時實際上使用的照明設定。舉例來說，此子集因此可為在環形照明設定、偶極照明設定、或多極照明設定情況下被照明的那些光瞳琢面11。在極端情況下，有可能僅量測很少的個別琢面，例如少於10個或少於5個這類個別琢面，例如僅一個、兩個或三個個別琢面。

圖6顯示了位置與指向資料量測裝置27的具體實施例的量測光束路徑，其具有用以選擇此一照明通道子集的此一光闌33的變化型式。與前文已參考圖1及圖5(特別是參考圖5)進行解釋的部件及功能相對應的部件及功能將以相同的元件符號標示且將不再詳細討論。

圖6顯示了在量測光源28的輸出光闌31與用於量測的反射鏡10上游的中間焦點34之間的量測光束路徑，其設置在另一量測光束路徑中且在圖6中用虛線表示。在輸出光闌31之後，量測光29首先通過聚光透鏡35，在聚光透鏡35的協助下使量測光束路徑平行。平行的量測光束接著穿過光闌33且量測光部分29_B (其尚未停止)接著穿過聚焦透鏡元件36。聚焦透鏡元件36確保將光闌輪廓37成像到用於量測的反射鏡10，使得位於此光闌輪廓37內的光瞳琢面11的子集由該處的量測光29撞擊，且因此所配備的位置與指向資料量測裝置27考慮了分配給這些被撞擊的光瞳琢面11的照明通道的子集。圖6使用虛線說明了整個量測光束的假想邊緣光束路徑29_A ，而沒有停止在光闌33下游的量測光束路徑中。

因此，透鏡元件36代表一成像光學單元，其用以將光闌33成像到位置與指向資料量測裝置27的反射鏡支架的配置平面上。

圖7顯示了光闌38的另一具體實施例，用以選擇分配給個別琢面的照明通道的子集，其對應量測光分光束29_i 。光闌38的功能對應圖6的光闌33的功能。與前文已參考圖1至圖6(特別是參考圖5及圖6)進行解釋的部件及功能相對應的部件及功能將以相同的元件符號標示且將不再詳細討論。

光闌38設置在輸出光闌31和用於量測的反射鏡10之間的量測光束路徑中作為陰影投射光闌。

光闌38在用於量測的反射鏡10被撞擊之前直接停止量測光束。

下文將基於圖8描述用以選擇分配給個別琢面的照明通道的子集的光闌39的另一具體實施例。與前文已參考圖1至圖7(特別是參考圖5至圖7)進行解釋的部件及功能相對應的部件及功能將以相同的元件符號標示且將不再詳細討論。

在根據圖8的具體實施例中，光闌39設置在用於量測的反射鏡10處的量測光29的反射區域中，該光闌的功能對應圖6的光闌33及圖7的光闌38的功能。

光闌39實施為近場光闌。光闌39設置在反射鏡支架28A的附近。

下文將基於圖9至圖17來解釋使用位置與指向資料量測裝置27的上述具體實施例的其中一者來更換投射曝光設備1中的反射鏡的方法。前文中已基於圖1至圖8進行描述的部件及功能具有相同的元件符號且不再詳細討論。

在移除步驟41期間，首先從投射曝光設備1移除要更換的反射鏡，例如光瞳琢面反射鏡10。在隨後的安裝步驟42中，接著將已移除的要更換的反射鏡安裝在位置與指向資料量測裝置27的反射鏡支架28a中。接著，在量測步驟43中使用位置與指向資料量測裝置27的相應具體實施例來量測要更換的反射鏡的位置與指向資料。然後，在另一移除步驟44中，再次從位置與指向資料量測裝置27中移除要更換的反射鏡。現在，在安裝步驟45中，將預計要安裝在投射曝光設備1中作為要更換的反射鏡的更換品的更換反射鏡安裝在位置與指向資料量測裝置27的反射鏡支架28a中。現在，在隨後的量測步驟46中，由位置與指向資料量測裝置27量測更換反射鏡的位置與指向資料。接著，在隨後的移除步驟47中，再次從位置與指向資料量測裝置27中移除更換反射鏡。

現在，在計算步驟48中，計算所量測的要更換的反射鏡的位置與指向資料以及所量測的更換反射鏡的位置與指向資料之間的位置與指向資料差。現在，根據這些位置與指向資料差來重做更換反射鏡的軸承點。

這一點將在下文中參照圖10至圖17作更詳細的闡明。

圖10示意性地顯示要更換的反射鏡的側視圖，其基於具有光瞳琢面11的要更換的光瞳琢面反射鏡以及具有軸承點13a、13b的光瞳琢面載體13。在相應的圖式中，圖11顯示了另一光瞳琢面反射鏡10T形式的更換反射鏡，其再次具有光瞳琢面11以及具有軸承點13Ta、13Tb的光瞳琢面載體13T。圖10和圖11以很誇大的方式顯示了首先為軸承點13a、13b與其次為軸承點13Ta、13Tb相對於整體反射鏡的相對位置之間的差異。

圖12顯示了位置與指向資料量測裝置27的反射鏡支架28a，其具有軸承容座49a、49b，這些軸承容座首先分配給軸承點13a、13Ta，其次分配給13b、13Tb。

圖13顯示了在量測步驟43期間要更換的光瞳琢面反射鏡10。

圖14顯示了在量測步驟46期間的更換反射鏡10T。考慮到首先為軸承點13a、13b和其次為軸承點13Ta、13Tb的不同相對位置，存在量測光光闌32的整體位移，其在圖13和圖14中由位移向量50示意性地顯示。計算步驟48和軸承點的重做尤其是基於此整體位移來實施。

圖15示意性地顯示了重做更換反射鏡10T上的軸承點的結果。在軸承點13Ta的區域中已安裝了間隙物51，因此現在得到的軸承點13Tar(就其相對於剩餘的光瞳琢面載體13的相對位置而言)對應要更換的光瞳琢面反射鏡10的軸承點13a的位置。在計算和重做步驟48期間，在另一軸承點13Tb的區域中發生了材料燒蝕，因此所產生的軸承點13Tbr就其位置而言對應於要更換的光瞳琢面反射鏡10的軸承點13b的位置。

圖16和圖17顯示了在用以保持照明光學單元25中的相應光瞳琢面反射鏡的投射曝光設備1的反射鏡容座52中的要更換的光瞳琢面反射鏡10(圖16)以及更換反射鏡10T(圖17)之間的比較。

在要更換的(原始)反射鏡10的保持器中，為了最佳化調整的目的，在軸承點13b與反射鏡容座52的相關容座部分之間設置有原始的間隙物53。

圖17顯示了更換反射鏡10T在投射曝光設備1的反射鏡容座52中的最終安裝步驟54之後的情況。由於已經重做的軸承點13Tar和13Tbr，可使用反射鏡容座52和原始間隙物53而不需修改，且所安裝的更換反射鏡10T在投射曝光設備1的照明光學單元25內具有與要更換的原始反射鏡10完全相同的位置與指向。

一方面量測(43)要更換的反射鏡10的位置與指向資料以及另一方面量測(46)更換反射鏡10T的位置與指向資料是連續直接地實施，且可例如在兩個小時或更短的時間內發生。

在相同位置實施量測步驟43、46。因此，位置與指向資料量測裝置27在量測步驟43和46之間總體上沒有位移。

接著，如上所述，在更換光瞳琢面反射鏡10之後，首先在投射曝光設備1的協助下將遮罩19的一部分投射到晶圓24上。隨後，將晶圓24上已被照明光3曝光的光敏感層顯影。

1:微影刻投射曝光設備 2:光源 3:照明光 4:集光器 5:中間焦點平面 6:場琢面反射鏡 7:場琢面 8:場琢面群組 8a:反射鏡群組 8b:反射鏡群組 9:間隙 10T:更換反射鏡 11:光瞳琢面 13:光瞳琢面載體 13a:軸承點 13b:軸承點 13T:光瞳琢面載體 13Ta:軸承點 13Tar:軸承點 13Tb:軸承點 13Tbr:軸承點 14:反射鏡 15:反射鏡 16:反射鏡 17:轉移光學單元 18:物體平面 19:遮罩 20:物場 21:投射光學單元 22:影像場 23:影像平面 24:晶圓 25:照明光學單元 26:承載板 27:位置與指向資料量測裝置 28:光源 28a:反射鏡支架 29:量測光 29_A:假想邊緣光束路徑 29_B:量測光部分 29 _i :量測光分光束 30:量測平面 31:輸出光闌 32:量測光光闌 33:光闌 34:中間焦點 35:聚光透鏡 36:透鏡元件 37:光闌輪廓 38:光闌 39:光闌 40:量測光偵測單元 41:移除步驟 42:安裝步驟 43:量測步驟 44:移除步驟 45:安裝步驟 46:量測步驟 47:移除步驟 48:計算步驟 49a:軸承容座 49b:軸承容座 50:位移向量 51:間隙物 52:反射鏡容座 53:間隙物 54:安裝步驟 FFx:尺寸 FFy:尺寸 NA:數值孔徑 α:數值孔徑

下文將參照附圖更詳細地解釋本發明的示例性具體實施例。在圖式中：

圖1示意性地並相對於照明光學單元顯示了一微影投射曝光設備的縱剖面；

圖2顯示了根據圖1的投射曝光設備的照明光學單元的場琢面反射鏡的琢面配置的平面圖；

圖3顯示了根據圖1的投射曝光設備的照明光學單元的光瞳琢面反射鏡的琢面配置的平面圖；

圖4以類似於圖2的例圖顯示了場琢面反射鏡的另一具體實施例的琢面配置；

圖5示意性地顯示了用以量測投射曝光設備中的要更換的琢面反射鏡的位置與指向資料的一位置與指向資料量測裝置；

圖6顯示了在光源與待量測的琢面反射鏡之間的位置與指向資料量測裝置的一具體實施例的一量測光束路徑，其中在光束路徑中設置了用以停止不應量測的琢面照明通道的一光闌的第一具體實施例；

圖7及圖8分別以類似於圖5的例圖顯示了用以停止不應被量測的琢面照明通道的光闌的其他配置變化型式；

圖9顯示了用以更換投射曝光設備中的反射鏡的方法的流程圖，其包含要更換的反射鏡以及更換反射鏡的位置與指向資料的量測，在各個情況下具有位置與指向資料量測裝置的其中一變化型式；

圖10示意性地顯示要更換的琢面反射鏡的側視圖；

圖11以類似於圖10的視圖顯示了更換反射鏡；

圖12以類似於圖10及圖11的視圖顯示了位置與指向資料量測裝置的一量測容座，其用以容納要更換的反射鏡以及更換反射鏡；

圖13以類似於圖10至圖12的視圖示意性地顯示了在量測圖10的要更換的反射鏡時的位置與指向資料量測裝置中的光束路徑；

圖14以類似於圖13的視圖顯示了在量測圖11的更換反射鏡時的位置與指向資料量測裝置中的光束路徑；

圖15以類似於圖10及圖11的視圖顯示了基於(首先為)要更換的反射鏡與(其次為)更換反射鏡的位置與指向資料之間的確定差異來重做軸承點之後的更換反射鏡，其中位置與指向資料在位置與指向資料量測裝置的協助下進行量測；

圖16以類似於圖10至圖15的視圖顯示了投射曝光設備的軸承容座中的要更換的反射鏡；以及

圖17以類似於圖16的視圖顯示了在圖16的軸承容座中重做其軸承點之後的更換反射鏡。

41:移除步驟

42:安裝步驟

43:量測步驟

44:移除步驟

45:安裝步驟

46:量測步驟

47:移除步驟

48:計算步驟

54:安裝步驟

Claims (12)

1. 一種用於更換在一投射曝光設備中的一反射鏡的方法，包含以下步驟：使用一位置與指向資料量測裝置來量測要更換的一反射鏡的位置與指向資料；使用該位置與指向資料量測裝置來量測一更換反射鏡的位置與指向資料，該更換反射鏡應插入以取代要更換的該反射鏡，基於首先為要更換的該反射鏡的量測的該位置與指向資料以及其次為該更換反射鏡的量測的該位置與指向資料之間的多個確定差異，重做該更換反射鏡的多個軸承點，安裝具有重做的該等軸承點的該更換反射鏡，作為要更換的該反射鏡的一替代品。
2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵在於連續地直接執行首先為要更換的該反射鏡以及其次為該更換反射鏡的該位置與指向資料的量測。
3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵在於在相同的位置執行要更換的該反射鏡以及該更換反射鏡的該位置與指向資料的量測。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項之其中任一項所述之方法，其特徵在於當重做該更換反射鏡的該等軸承點時，插入至少一間隙物。
5. 如申請專利範圍第1項到第3項之其中任一項所述之方法，其特徵在於當重做該更換反射鏡的該等軸承點時，至少進行材料燒蝕的實例。
6. 如申請專利範圍第1項到第3項之其中任一項所述之方法，其特徵在於該方法應用於一琢面反射鏡作為要更換的反射鏡的情況，其中該琢面反射鏡包含多個個別的琢面。
7. 如申請專利範圍第1項到第3項之其中任一項所述之方法，其特徵在於為了量測該位置與指向資料，再現了該投射曝光設備內的一照明光束路徑。
8. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其特徵在於當量測該位置與指向資料時，考慮與該等個別琢面相關聯的多個照明通道的一子集。
9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其特徵在於該子集對應於該投射曝光設備的一照明設定。
10. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其特徵在於藉由停止不應被量測的該等照明通道來選擇該子集。
11. 一種用以執行此如申請專利範圍第1項至第10項之其中一項所述之方法的位置與指向資料量測裝置，包含用於量測光的一光源，包含用於一待量測反射鏡的一反射鏡支架，在該反射鏡支架下游的該量測光的光束路徑中包含一量測光偵測單元，包含用以停止用於量測的該量測光的一光闌，以及包含用以將該光闌成像到該反射鏡支架的一配置平面上的一成像光學單元。
12. 一種用以量測包含多個個別琢面的一反射鏡的位置與指向資料的位置與指向資料量測裝置，包含用於量測光的一光源，包含用於待量測的該反射鏡的一反射鏡支架，在該反射鏡支架下游的該量測光的光束路徑中包含一量測光偵測單元，其中該位置與指向資料量測裝置係實施使得當量測該反射鏡的該位置與指向資料時，考慮與該等個別琢面關聯的多個照明通道的一子集，包含用以停止用於量測的該量測光的一光闌，包含用以將該光闌成像到該反射鏡支架的一配置平面上的一成像光學單元；其中該光闌設置於該光源與該反射鏡支架之間，該光闌設置為靠近該反射鏡支架。