TWI797466B - 曝光裝置及物品的製造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一種曝光裝置,是一邊將原版及基板朝掃描方向移動一邊將前述基板曝光的曝光裝置,具有由來自光源的光將前述原版的被照明面照明的照明光學系統,前述照明光學系統,是包含:被配置於從前述被照明面的共軛面朝前述光源側遠離的位置的第1遮光部、及被配置於從前述共軛面朝前述被照明面側遠離的位置的第2遮光部、及被配置於前述第1遮光部及前述第2遮光部之間將前述被照明面的照明範圍劃界的遮蔽部,沿著前述照明光學系統的光軸的方向中的前述共軛面及前述第1遮光部之間的第1距離、及沿著前述光軸的方向中的前述共軛面及前述第2遮光部之間的第2距離的和,是5mm以上,且,20mm以下,前述第1遮光部及前述第2遮光部,是配置成前述第1距離及前述第2距離成為不同。
Description
本發明,是有關於曝光裝置及物品的製造方法。
以往使用的曝光裝置,是由照明光學系對於原版(光柵或是遮罩)進行照明,將原版的圖型透過投影光學系投影在基板(晶圓)上。在曝光裝置中,伴隨半導體設備的微細化,而被要求實現高解像度。為了實現高解像度,曝光光的短波長化、投影光學系的開口數(NA)的增加(高NA化)及變形照明(環形照明、偶極照明、四極照明等)是有效的。
另一方面,伴隨近年來的設備構造的多層化,在曝光裝置中,也被要求重疊精度的提高。專利文獻1的曝光裝置,是具有:被配置於從曝光裝置的被照明面的共軛面朝光源側散焦的位置的遮光部、及被配置於從被照明面的共軛面朝被照明面側散焦的位置的遮光部。專利文獻1的曝光裝置,對於提高重疊精度是有效的。
[專利文獻1]日本特開2010-73835號公報
但是專利文獻1的曝光裝置,其會發生因為遮光部所產生的照度下降,並且會發生集成有效光源的非對稱性(XY非對稱性)。若在集成有效光源發生了大的非對稱性的話,例如,朝縱方向及橫方向將相同線條寬度的線條和空間圖型轉印在基板的情況時,在縱方向的圖型及橫方向的圖型之間會產生線條寬度差。
本發明,是提供一種曝光裝置,有利於抑制在被照明面中發生照度下降及在集成有效光源發生非對稱性。
為了達成上述目的,本發明的一態樣的曝光裝置,是一邊將原版及基板朝掃描方向移動,一邊將前述基板曝光的曝光裝置,具有由來自光源的光將前述原版的被照明面照明的照明光學系統,前述照明光學系統,是包含:被配置於從前述被照明面的共軛面朝前述光源側遠離的位置的第1遮光部、及被配置於從前述共軛面朝前述被照明面側遠離的位置的第2遮光部、及被配置於前述第1遮光部及前述第2遮光部之間,將前述被照明面的照明範圍
劃界的遮蔽部,沿著前述照明光學系統的光軸的方向中的前述共軛面及前述第1遮光部之間的第1距離、及沿著前述光軸的方向中的前述共軛面及前述第2遮光部之間的第2距離的和,是5mm以上,且,20mm以下,前述第1遮光部及前述第2遮光部,是配置成前述第1距離及前述第2距離成為不同。
依據本發明的話,可以提供一種曝光裝置,例如,有利於抑制在被照明面中發生照度下降及在集成有效光源發生非對稱性。
本發明的其他的特徵及優點,可藉由參照附圖的以下的說明而更明白。又,在附圖中,對於相同或同樣的結構,是附加相同的參照編號。
1:光源
1b:光軸
2:選路光學系統
5:射出角度保存光學元件
6:衍射光學元件
7:聚光鏡
8:遮光構件
9:傅里葉轉換面
10:稜鏡單元
11:變焦透鏡單元
12:光學積分器
12a:光線
12b:光線
12c:光線
13:光圏
14:聚光鏡
15:半反射鏡
16:光量測量光學系統
17:感測器
18:第1遮光部
18a:第1遮光構件
18aA:端部
18b:第2遮光構件
18bA:端部
18c:中點
19:遮蔽單元
19a:共軛面
19aa,19bb:點
19b:領域
19c:直線
19cc:點
19d:掃描遮蔽葉片
20:第2遮光部
20a:第3遮光構件
20aA:端部
20b:第4遮光構件
20bA:端部
20c:中點
21:聚光鏡
22:鏡子
23:準直透鏡
24:被照明面
24a,24b:有效光源
24c:有效光源
24d:有效光源
24e:領域
24ee:分布
24f:直線
24g:點
24h:點
24i:點
25:原版
26:投影光學系統
27:基板
28:基板載台
29:原版載台
100:曝光裝置
110:照明光學系統
附圖,是被包含在說明書中,並構成說明書的一部分,且用於顯示本發明的實施例,並與說明書的記載一起說明本發明的原理。
[第1圖]顯示本發明的一態樣的曝光裝置的結構的概略剖面圖。
[第2圖]說明第1遮光部、遮蔽單元及第2遮光部的詳細用的圖。
[第3圖]說明集成有效光源用的圖。
[第4圖]說明第1遮光部及第2遮光部的功能用的圖。
[第5圖]說明減少集成有效光源的XY非對稱性用的結構用的圖。
[第6圖]說明有關於第1遮光部及第2遮光部的具體的數值例用的圖。
[第7圖]說明有關於第1遮光部及第2遮光部的具體的數值例用的圖。
以下,參照附圖詳細說明實施方式。又,以下的實施方式不是用於限定申請專利範圍。在實施方式中雖記載了複數特徵,但是這些的複數特徵的全部不一定是發明所必須,且,複數特徵也可以任意地組合。進一步,在附圖中,對於同一或是同樣的結構附加同一的參照編號,並省略重複說明。
第1圖,是顯示本發明的一態樣的曝光裝置100的結構的概略剖面圖。曝光裝置100,是一邊將原版25及基板27朝掃描方向移動,一邊將基板27曝光(掃描曝光),將原版25的圖型轉印在基板上的步進掃描方式的曝光裝置(掃描器)。曝光裝置100,是具有:由來自光源1的光將原版25(光柵或是遮罩)照明的照明光學系統110、及將原版25的圖型投影在基板27(晶圓和玻璃板等)的投影光學系統26。
光源1,是包含:波長約365nm的水銀燈泡
和波長約248nm的KrF準分子雷射、波長約193nm的ArF準分子雷射等的準分子雷射等,射出將原版25照明用的光束(曝光光)。
照明光學系統110,是包含:選路光學系統2、及射出角度保存光學元件5、及衍射光學元件6、及聚光鏡7、及遮光構件8、及稜鏡單元10、及變焦透鏡單元11。且,照明光學系統110,是包含:光學積分器12、及光圏13、及聚光鏡14、及第1遮光部18、及第2遮光部20、及遮蔽單元19、及聚光鏡21、及準直透鏡23。
選路光學系統2,是被設於光源1及射出角度保存光學元件5之間,將來自光源1的光束導引至射出角度保存光學元件5。射出角度保存光學元件5,是被設於衍射光學元件6的光源側,將來自光源1的光束,一邊固定地維持發散角度,一邊導引至衍射光學元件6。射出角度保存光學元件5,是包含複眼透鏡、微透鏡陣列和纖維束等的光學積分器。射出角度保存光學元件5,是用於減少藉由衍射光學元件6而形成的光強度分布(圖型分布)影響光源1的輸出變動。
衍射光學元件6,是被配置於與照明光學系統110的瞳面成為傅里葉轉換的關係的面。衍射光學元件6,是藉由衍射作用將來自光源1的光束的光強度分布轉換,而在與投影光學系統26的瞳面共軛的面也就是照明光學系統110的瞳面和與照明光學系統110的瞳面共軛的面,形成所期望的光強度分布。衍射光學元件6,也可以是由
計算機設計使可在衍射圖型面獲得所期望的衍射圖型的計算機全息圖(CGH:Computer Generated Hologram)。在本實施方式中,將形成於投影光學系統26的瞳面的光源形狀稱為有效光源形狀。又,「有效光源」,是指被照明面及被照明面的共軛面中的光強度分布或是光角度分布的意思。衍射光學元件6,是被設於射出角度保存光學元件5及聚光鏡7之間。
在照明光學系統110中,也可以設置複數衍射光學元件6。例如,複數衍射光學元件6的各個是分別被安裝(搭載)於對應轉台(未圖示)的複數狹縫中的1個。複數衍射光學元件6,是各別形成不同的有效光源形狀。這些的有效光源形狀,是包含小圓形的形狀(比較小的圓形的形狀)、大圓形的形狀(比較大的圓形的形狀)、環形形狀、偶極形狀、四極形狀、其他的形狀。由環形形狀、偶極形狀或是四極形狀的有效光源形狀將被照明面照明的方法,是被稱為變形照明。
來自射出角度保存光學元件5的光束,是藉由衍射光學元件6而被衍射,並被導引至聚光鏡7。聚光鏡7,是被設於衍射光學元件6及稜鏡單元10之間,將藉由衍射光學元件6而被衍射的光束集光,並在傅里葉轉換面9形成衍射圖型(光強度分布)。
傅里葉轉換面9,是位於光學積分器12及衍射光學元件6之間,與衍射光學元件6之間具有光學的傅里葉轉換的關係的面。藉由交換被配置於照明光學系統110
的光路的衍射光學元件6,就可以變更形成於傅里葉轉換面9的衍射圖型的形狀。
遮光構件8,是可朝與照明光學系統110的光軸1b垂直的方向移動,且被配置於傅里葉轉換面9的上游側(光源側)。遮光構件8,是被配置於從傅里葉轉換面9的位置稍微遠離(散焦)的位置。
稜鏡單元10及變焦透鏡單元11,是被設於傅里葉轉換面9及光學積分器12之間,作為將形成於傅里葉轉換面9的光強度分布擴大的變焦光學系統的功能。稜鏡單元10,是對於形成於傅里葉轉換面9的光強度分布,調整其環形率等並將其導引至變焦透鏡單元11。且,變焦透鏡單元11,是被設於稜鏡單元10及光學積分器12之間。變焦透鏡單元11,是例如,包含複數變焦透鏡,對於形成於傅里葉轉換面9的光強度分布,調整其以照明光學系統110的NA及投影光學系統26的NA的比為基準的σ值並導引至光學積分器12。
光學積分器12,是被設於變焦透鏡單元11及聚光鏡14之間。光學積分器12,是包含對應環形率、開口角及σ值被調整的光強度分布,形成多數的2次光源並導引至聚光鏡14的複眼透鏡(蠅眼透鏡)。但是,光學積分器12,也可以取代複眼透鏡(蠅眼透鏡),而包含光學硬管、衍射光學元件、微透鏡陣列等的其他的光學元件。光學積分器12,是由經過衍射光學元件6的光束將被配置於被照明面24的原版25均一地照明。在光學積分器12及聚光鏡14
之間,是設有光圏13。
聚光鏡14,是被設於光學積分器12及原版25之間。由此,可以將從光學積分器12被導引的多數的光束集光而將原版25重疊地照明。將光線入射至光學積分器12並由聚光鏡14集光的話,聚光鏡14的焦平面也就是共軛面19,是藉由幾乎矩形的形狀而被照明。
在聚光鏡14的後段中,被配置有半反射鏡15。由半反射鏡15被反射的曝光光的一部分,是入射至光量測量光學系統16。在光量測量光學系統16的後段中,被配置有將光量測量的感測器17。依據由感測器17所測量的光量,而使曝光時的曝光量適切地被控制。
第1遮光部18及第2遮光部20之間,具體而言,在與被照明面24共軛的面也就是共軛面19a或是在共軛面19a的附近,配置有包含X葉片及Y葉片的遮蔽單元(遮蔽部)19,由幾乎矩形的形狀的光強度分布被照明。又,共軛面19a的附近,是指為了使遮蔽單元19的X葉片及Y葉片彼此之間不會干涉而對於共軛面19a遠離了必要的距離,例如,從共軛面19a朝光軸方向遠離0.2mm程度的意思。遮蔽單元19,是為了將原版25(被照明面24)的照明範圍劃界而配置,與原版載台29及基板載台28同步地被掃描。原版載台29,是將原版25保持地移動的載台,基板載台28,是將基板27保持地移動的載台。
在從遮蔽單元19(被照明面24的共軛面19a)遠離(散焦)的位置,設有2個遮光部,在本實施方式中,設
有第1遮光部18及第2遮光部20。第1遮光部18,是被配置於從被照明面24的共軛面19a朝光源側遠離的位置。第2遮光部20,是被配置於從被照明面24的共軛面19a朝被照明面側遠離的位置。
藉由對於來自聚光鏡21的光束具有規定的傾斜的鏡子22而被反射的光,是透過準直透鏡23,將原版25照明。
投影光學系統26,是將原版25的圖型投影在基板27。原版25的圖型的解像性,是依存於有效光源形狀。因此,藉由在照明光學系統110中形成適切的有效光源分布,就可以提高原版25的圖型的解像性。
參照第2圖,說明第1遮光部18、遮蔽單元19及第2遮光部20的詳細。在第2圖中,y方向,是顯示掃描方向。遮蔽單元19,是包含在掃描曝光中移動的掃描遮蔽葉片19d及19e。
第1遮光部18,是如第2圖所示,包含第1遮光構件18a及第2遮光構件18b。第1遮光構件18a的第2遮光構件側的端部18aA及第2遮光構件18b的第1遮光構件側的端部18bA,是位於光線有效領域內,藉由將光線的一部分遮光來調整到達被照明面24的光的強度。例如,在第1遮光構件18a中,連結有致動器(未圖示)。藉由這種致動器而使第1遮光構件18a沿著掃描方向(y方向)移動,可以變更藉由第1遮光構件18a的端部18aA及第2遮光構件18b的端部18bA而被限定的開口寬度。如此,第1遮光部18,是構成
可變狹縫。且,在本實施方式中,對於第1遮光部18,設有將第1遮光構件18a及第2遮光構件18b沿著照明光學系統110的光軸1b的方向移動的第1移動部FMU。
第2遮光部20,是如第2圖所示,包含第3遮光構件20a及第4遮光構件20b。第3遮光構件20a的第4遮光構件側的端部20aA及第4遮光構件20b的第3遮光構件側的端部20bA,是位於光線有效領域內,藉由將光線的一部分遮光來調整到達被照明面24的光的強度。在第3遮光構件20a中,連結有致動器(未圖示)。藉由這種致動器而使第3遮光構件20a沿著掃描方向(y方向)移動,就可以變更藉由第3遮光構件20a的端部20aA及第4遮光構件20b的端部20bA而被限定的開口寬度。如此,第2遮光部20,是構成可變狹縫。且,在本實施方式中,對於第2遮光部20,設有將第3遮光構件20a及第4遮光構件20b朝沿著照明光學系統110的光軸1b的方向移動的第2移動部SMU。
如第2圖所示,在包含光軸1b且與掃描方向平行的平面內,沿著光軸1b的方向中的共軛面19a及第1遮光構件18a的端部18aA之間的第1距離是設成d1。且,在包含光軸1b且與掃描方向平行的平面內,沿著光軸1b的方向中的共軛面19a及第3遮光構件20a的端部20aA之間的第2距離是設成d2。此情況,第1距離d1及第2距離d2是不同的值。且,共軛面19a及第2遮光構件18b的端部18bA之間的距離是與第1距離d1相等,共軛面19a及第4遮光構件20b的端部20bA之間的距離是與第2距離d2相等。如此,第1遮光
部18及第2遮光部20,是配置成第1距離d1及第2距離d2為不同。
且如第2圖所示,在包含光軸1b且與掃描方向平行的平面內,第1遮光構件18a的端部18aA及第2遮光構件18b的端部18bA的中點是設成18c。同樣地,第3遮光構件20a的端部20aA及第4遮光構件20b的端部20bA的中點是設成20c。從中點18c至第1遮光構件18a的端部18aA及第2遮光構件18b的端部18bA為止的距離是設成S1,從中點20c至第3遮光構件20a的端部20aA及第4遮光構件20b的端部20bA為止的距離是設成S2。此情況,距離S1及距離S2是不同的值。又,將中點18c及中點20c連結的直線,是與光軸1b平行。
參照第3圖a及第3圖b,說明集成有效光源。在第3圖a及第3圖b中,y方向,是顯示掃描方向。第3圖a,是顯示被照明面24的照明領域24e,第3圖b,是顯示與被照明面24共軛關係的共軛面19a(遮蔽單元19)的照明領域19b。
進行曝光時,照明領域24e是被掃描。此時,將曝光面上的某點照明的入射角度分布,是累計了將與照明領域24e中的掃描方向(y方向)平行的直線24f的各點照明的入射角度分布,將此稱為集成有效光源。直線19c在共軛面19a中因為是與直線24e的各點共軛的點的集合,所以集成有效光源,是與累計了藉由通過直線19c的各點的光束將被照明面24照明的入射角度分布者等價。
參照第4圖a、第4圖b及第4圖c,說明第1遮光部18及第2遮光部20的功能。在第4圖a、第4圖b及第4圖c中,y方向,是顯示掃描方向。第4圖a,是光學積分器12、聚光鏡14、第1遮光部18及第2遮光部20附近的放大圖。在第4圖a中,顯示從光學積分器12射出,透過聚光鏡14,通過共軛面19a的點A、B及C的光線。在此,點A、B及C,是第3圖b所示的直線19上的點。第4圖b,是顯示被照明面24的點A’、B’及C’的各個中的有效光源24a、24b及24c的圖。點A’、B’及C’的各個,是與被照明面24的共軛面19a的點A、B及C成為共軛關係。第4圖c,是顯示將通過包含被照明面24的點A’、B’及C’的直線上的全部的光線累計後的集成有效光源24d的圖。
又,在本實施方式中,為了容易理解發明,有效光源是以傳統照明的圓形的形狀的情況為例進行說明,但是可依據稜鏡單元10和衍射光學元件6的組合而成為環形和多極等的形狀。本發明,不被限定於由衍射光學元件6和稜鏡單元10等形成的有效光源的形狀。
參照第4圖a,從光學積分器12與光軸1b平行地被射出,透過聚光鏡14,朝向共軛面19a的點A的光線12a,並未藉由第1遮光部18及第2遮光部20而被遮光。因此,被照明面24的點A’中的有效光源24a,是如第4圖b所示,成為幾乎圓形,在掃描方向幾乎對稱。
另一方面,從光學積分器12朝比光軸1b更靠第1遮光構件側傾斜地射出,透過聚光鏡14,朝向共軛面
19a的點B的光線12b,其一部分是藉由第1遮光構件18a及第3遮光構件20a而被遮光。因此,被照明面24的點B’中的有效光源24b,是對於圓形成為掃描方向的兩端欠缺的形狀,在x方向(與y方向垂直交叉的方向)的分布及y方向的分布之間具有非對稱性(XY非對稱性)。
且從光學積分器12朝比光軸1b更靠第2遮光構件側傾斜地射出,透過聚光鏡14,朝向共軛面19a的點C的光線12c,其一部分是藉由第2遮光構件18b及第4遮光構件20b而被遮光。因此,被照明面24的點C’中的有效光源24c,是對於圓形成為掃描方向的兩端欠缺的形狀,在x方向(與y方向垂直交叉的方向)的分布及y方向的分布之間具有非對稱性(XY非對稱性)。
如此,考慮將通過包含點A、B及C的直線上的全部的光束累計後的集成有效光源24d的話,集成有效光源24d,是如第4圖c所示,具有XY非對稱性。
參照第5圖a及第5圖b,說明減少集成有效光源24d的XY非對稱性用的結構。第5圖a,是顯示將藉由以最大角度θ0將共軛面19a照明的光束而形成的被照明面24照明的照明分布24ee(照明領域24e)的圖。共軛面19a的分布,是藉由聚光鏡21及準直透鏡23,而由成像倍率β在被照明面24成像。
將共軛面19a照明的光束的最大入射角度是設成θ0。以使通過第1遮光構件18a的端部18aA的角度θ0的光線、及通過第3遮光構件20a的端部20aA的角度-θ0的光
線,在共軛面19a的點19aa成為一點交叉的方式,決定第1距離S1及第2距離S2。又,如上述,第1距離S1,是從中點18c至第1遮光構件18a的端部18aA為止的距離,第2距離S2,是從中點20c至第3遮光構件20a的端部20aA為止的距離。將第1遮光構件18a的端部18aA及第3遮光構件20a的端部20aA連結的直線與共軛面19a交叉的點是設成19bb,點19bb及點19cc之間的距離是設成S。對應共軛面19a的點19aa、19bb及19cc的各個的被照明面24的點是設成24g、24h及24i。
在被照明面24中,將比點24g更內側的領域照明的光線,因為不會藉由第1遮光構件18a及第3遮光構件20a而被遮光,所以其強度是成為固定。且,在被照明面24中,將比點24h更外側的領域照明的光線,因為是藉由第1遮光構件18a及第3遮光構件20a而被遮光,所以其強度是成為零。照明分布24ee的另一方的端,是藉由第2遮光構件18b及第4遮光構件20b而被遮光,成為同樣的形狀。因此,照明分布24ee,是成為接近梯形的形狀。這種梯形的下底及上底的各個是設成w0及w100。
將被照明面24的點24i及點24g之間的點照明的有效光源,是與上述的點A’中的有效光源同樣地,幾乎為圓形。將被照明面24的點24g及點24h之間的點照明的有效光源,是與上述的點B’中的有效光源同樣地,具有大的XY非對稱性。且,被照明面24的點24g及點24h之間的點,因為是藉由第1遮光部18及第2遮光部20的雙方而被遮
光,所以照度的下降會發生。因此,藉由加大w100對於w0的比,並減小點24g及點24h之間的距離,就可以抑制照度的下降及集成有效光源24d的XY非對稱性的發生。
照明分布24ee的下底w0,是表示成w0=2βS。另一方面,照明分布24ee的上底w100,是表示成w100=2β(S1-d1×tanθ0)=2β(S2-d2×tanθ0)。因此,上底w100對於下底w0的比w100/w0,是表示成w100/w0=(S1-d1×tanθ0)/S=(S2-d2×tanθ0)/S。
共軛面19a的點19aa及19bb,是由通過第1遮光構件18a的端部18aA的直線與共軛面19a交叉的點表示。因此,在d1<d1的情況中,w100/w0,是d1愈小愈接近1,d1=0時成為1。且,在d1>d2的情況中,w100/w0,是d2愈小愈接近1,d2=0時成為1。
如上述,在第1遮光部18及第2遮光部20之間,被配置有掃描遮蔽葉片19d及19e。掃描遮蔽葉片19d及19e,因為是在掃描曝光中移動,所以某程度的空間是成為必要。因此,沿著光軸1b的方向中的第1遮光部18及第2遮光部20之間的距離,無法比規定值D更小。規定值D,是使用第1遮光部18及共軛面19a之間的第1距離d1及第2遮光部20及共軛面19a之間的第2距離d2,表示成D=d1+d2。一般,規定值D,是5mm以上,且,20mm以下。
第5圖b,是顯示第1距離d1及第2距離d2為等同的情況時,藉由在最大角度θ0將共軛面19a照明的光束
而形成的將被照明面24照明的照明分布24ee的圖。因為具有D=d1+d2的條件,所以第5圖b所示的第1距離d1是比第5圖a所示的第1距離d1更大。因此,w100/w0,是如第5圖b所示,變小。
以下,說明有關於第1遮光部18及第2遮光部20的具體的數值例。當D=8[mm]、S=5[mm]、θ0=0.4[rad]時,w100/w0及d1/d2的關係是如第6圖所示。在第6圖中,縱軸是顯示w100/w0,橫軸是顯示d1/d2。如第6圖所示,w100/w0及d1/d2的關係,是由2次式表示,當d1=d2時成為最小。
集成有效光源24d是具有XY非對稱性的情況,若修正這種XY非對稱性的話,會使照度下降。為了減少這種照度的下降,而有必要將XY非對稱性成為15%以下的話,w100/w0 0.7以上較佳。參照第6圖可知,為了使w100/w0成為0.7以上,d2/d1>2或是d2/d1<1/2是必要的。
接著,參照第7圖,說明d2/d1的最大值及最小值的條件。相當於照明分布24ee的傾斜部分的第4圖b所示的點C’及B’,是在掃描方向具有光線重心漂移(重心光線的偏離)。光線重心漂移,因為會影響重疊精度而不佳,但是可以藉由d1及d2的比來控制光線重心漂移。
第7圖,是傳統照明的習知的結構,具體而言,只有在被照明面的共軛面的上游側配置有遮光部的結構的光線重心漂移是設成1時,顯示本實施方式中的光線重心漂移。在第7圖中,縱軸是顯示光線重心漂移,橫軸
是顯示d1/d2。參照第7圖,光線重心漂移,是d2/d1成為最小值,具體而言,是成為0。這是不會引起光線重心漂移的意思。為了提高重疊精度,光線重心漂移,是只有在被照明面的共軛面的上游側配置有遮光部的習知的結構的一半以下較佳。參照第7圖可知,為了將光線重心漂移成為習知的結構的一半以下,1/4.<d2/d1<4是必要的。
因此,為了滿足從共軛面19a至第1遮光部18為止的第1距離d1及從共軛面19a至第2遮光部20為止的第2距離d2的條件,是d1≠d2,較佳是成為1/4<d2/d1<1/2或是2<d2/d1<4。如此,第1距離d1及第2距離d2之中,一方的距離是比另一方的距離的2倍更大,且,比4倍更小較佳。
且在本實施方式中,如上述,設有將第1遮光構件18a沿著掃描方向移動的致動器和將第1遮光部18(第1遮光構件18a及第2遮光構件18b)朝沿著光軸1b的方向移動的第1移動部FMU。同樣地,設有將第3遮光構件20a沿著掃描方向移動的致動器和將第2遮光部20(第3遮光構件20a及第4遮光構件20b)朝沿著光軸1b的方向移動的第2移動部SMU。藉由具有這種驅動機構,藉由照明模式而成為可設定最適合的d1、d1、S1及S2,可以進一步減少(抑制)光線重心漂移、照度的下降、有效光源中的XY非對稱性。
本發明的實施方式中的物品的製造方法,是例如對於平面顯示器、液晶顯示元件、半導體元件、
MEMS等的物品的製造最佳。這種製造方法,是包含:使用上述的曝光裝置100將被塗抹了感光劑的基板曝光的過程、及將被曝光的感光劑顯像的過程。且,將被顯像的感光劑的圖型作為遮罩對於基板進行蝕刻過程和離子注入過程等,而在基板上形成電路圖型。反覆這些的曝光、顯像、蝕刻等的過程,在基板上形成由複數層所構成的電路圖型。在後續過程,對於形成有電路圖型的基板進行方塊切割,進行晶片的裝配、接合、檢查過程。且,這種製造方法,是包含其他的周知的過程(氧化、鍍膜、蒸鍍、摻雜、平坦化、保護層剝離等)。本實施方式中的物品的製造方法,與習知相比,可有利於物品的性能、品質、生產性及生產成本的至少1個。
本發明並非只被限制於上述實施方式,在不脫離發明的精神及範圍內,可進行各式各樣的變更及變形。因此,為了公告發明的範圍而附加了請求項。
18a:第1遮光構件
18aA:端部
18b:第2遮光構件
18c:中點
19a:共軛面
19aa:點
19bb:點
19cc:點
20a:第3遮光構件
20aA:端部
20b:第4遮光構件
20c:中點
24:被照明面
24ee:分布
24g:點
24h:點
24i:點
Claims (6)
- 一種曝光裝置,是一邊將原版及基板朝掃描方向移動,一邊將前述基板曝光的曝光裝置,其特徵為:具有由來自光源的光將前述原版的被照明面照明的照明光學系,前述照明光學系,是包含:被配置於從前述被照明面的共軛面朝前述光源側遠離的位置的第1遮光部、及被配置於從前述共軛面朝前述被照明面側遠離的位置的第2遮光部、及被配置於前述第1遮光部及前述第2遮光部之間,將前述被照明面的照明範圍劃界的遮蔽部,沿著前述照明光學系的光軸的方向中的前述共軛面及前述第1遮光部之間的第1距離、及沿著前述光軸的方向中的前述共軛面及前述第2遮光部之間的第2距離的和,是5mm以上,且,20mm以下,前述第1遮光部及前述第2遮光部,是配置成前述第1距離及前述第2距離為不同。
- 如請求項1的曝光裝置,其中,前述第1距離及前述第2距離之中,一方的距離是比另一方的距離的2倍更大,且,比4倍更小。
- 如請求項1的曝光裝置,其中,進一步具有: 將前述第1遮光部朝沿著前述光軸的方向移動的第1移動部、及將前述第2遮光部朝沿著前述光軸的方向移動的第2移動部。
- 如請求項1的曝光裝置,其中,前述遮蔽部,是被配置於前述共軛面或是前述共軛面的附近。
- 如請求項1的曝光裝置,其中,前述第1遮光部及前述第2遮光部的各個,是包含可變狹縫。
- 一種物品的製造方法,具有:使用如請求項1的曝光裝置將基板曝光的過程、及將已被曝光完成的前述基板顯像的過程、及從已被顯像完成的前述基板製造成物品的過程。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004319770A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2010073835A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2011010560A1 (ja) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2011155040A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2017215487A (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置および物品製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69434080T2 (de) * | 1993-06-11 | 2005-10-20 | Nikon Corp. | Abtastbelichtungsvorrichtung |
JPH08211787A (ja) * | 1995-02-08 | 1996-08-20 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
JP2000010013A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Nikon Corp | 位相差顕微鏡及び重ね合わせ測定装置 |
JP4392879B2 (ja) * | 1998-09-28 | 2010-01-06 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP3571945B2 (ja) * | 1998-12-07 | 2004-09-29 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
JP2000223406A (ja) * | 1999-02-03 | 2000-08-11 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法 |
FR2831765B1 (fr) * | 2001-10-31 | 2004-02-13 | Automa Tech Sa | Dispositif pour insoler une face d'un panneau |
JP3718511B2 (ja) * | 2003-10-07 | 2005-11-24 | 株式会社東芝 | 露光装置検査用マスク、露光装置検査方法及び露光装置 |
JP2009302354A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Canon Inc | 露光装置、デバイス製造方法及び開口絞りの製造方法 |
JP5396885B2 (ja) * | 2009-01-29 | 2014-01-22 | 株式会社ニコン | 遮光ユニット、照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2011040716A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2011228556A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Nikon Corp | 可変スリット装置、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2015079807A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及び露光条件計算装置 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004319770A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2010073835A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2011010560A1 (ja) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2011155040A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2017215487A (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置および物品製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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WO2021044756A1 (ja) | 2021-03-11 |
JP7336922B2 (ja) | 2023-09-01 |
CN114303101B (zh) | 2023-07-07 |
JP2021039245A (ja) | 2021-03-11 |
TW202111450A (zh) | 2021-03-16 |
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CN116774533A (zh) | 2023-09-19 |
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