JPH11150051A - 露光方法及び装置 - Google Patents

露光方法及び装置

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JPH11150051A
JPH11150051A JP9315080A JP31508097A JPH11150051A JP H11150051 A JPH11150051 A JP H11150051A JP 9315080 A JP9315080 A JP 9315080A JP 31508097 A JP31508097 A JP 31508097A JP H11150051 A JPH11150051 A JP H11150051A
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mask
illumination
optical system
exposure
substrate
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JP9315080A
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Naomasa Shiraishi
直正 白石
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Original Assignee
Nikon Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 照明光の可干渉性が高い場合にウエハ上での
露光量のむらを低減できる走査露光型の露光装置を提供
する。 【解決手段】 レチクルを照明する照明光学系内に、断
面形状が長方形のレンズエレメント31aを縦横に配列
してなるフライアイレンズ31が配置され、フライアイ
レンズ31の射出面に形成される多数の2次光源23か
らの照明光でレチクルの照明領域21を重畳して照明す
る。フライアイレンズ31のレンズエレメントの配列方
向を非走査方向に対応する方向から角度θだけ傾斜させ
ておくことによって、レチクル上の照明領域21内に形
成される干渉縞24の明暗の長手方向を走査方向(Y方
向)に対して角度θだけ傾斜させる。走査露光時に、レ
チクル上の各点が照明領域21を横切る際に、各点が干
渉縞24のピッチ方向に相対移動するため、露光量が平
滑化される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、液晶表示素子、又は薄膜磁気ヘッド等を製造するた
めのリソグラフィ工程で、マスクパターンを基板上に転
写するために使用される露光方法及び露光装置に関し、
更に詳しくはステップ・アンド・スキャン方式のような
走査露光型の露光方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子等を製造する際に、従来は照
明光学系からの露光用の照明光でマスクとしてのレチク
ルを照明し、そのレチクルのパターンを投影光学系を介
して、基板としてのレジストが塗布されたウエハ(又は
ガラスプレート等)上の各ショット領域に縮小投影する
一括露光型の投影露光装置(ステッパー)が多用されて
いた。これに対して最近は、投影光学系を大型化するこ
となく、大面積のパターンを高精度にウエハ上の各ショ
ット領域に転写するために、レチクル及びウエハを投影
倍率を速度比として同期移動して露光を行うステップ・
アンド・スキャン方式のような走査露光型の投影露光装
置(走査型露光装置)が開発されている。
【0003】これらの露光装置においては、ウエハ上に
転写されたパターンの線幅が露光領域内で均一になるよ
うに、レチクル上の照明領域内での照度分布の高い均一
性が要求されている。そこで、従来より露光装置の照明
光学系内には、レチクル上での照明光の照度分布を均一
化するためにフライアイレンズ、又はロッドレンズ等の
オプティカル・インテグレータが設けられている。前者
のフライアイレンズは、入射面がレチクルのパターン面
(レチクル面)と共役(結像関係)になるように配置さ
れるため、入射面の形状(即ち、断面形状)がレチクル
上の照明領域と相似な長方形のレンズエレメントを縦横
に多数並べて形成されている。そして、各レンズエレメ
ントの射出面にはそれぞれ2次光源(光源像)が形成さ
れ、各レンズエレメントの入射面がレチクル面と共役で
あることより、各レンズエレメントから射出される照明
光がレチクル上で重畳されて、レチクル面での照度分布
が均一化される。
【0004】また、照度分布均一性を一層高めるため
に、照明光学系の光軸方向にフライアイレンズを2段配
置する方法(以下、「ダブル・フライアイ方式」と呼
ぶ)も採用されている。更に、高解像度化に対する要求
に応えるため、照明光の波長(露光波長)は年々短波長
化しており、現在では遠紫外から更には極紫外の波長域
が必要とされている。ところが、これらの波長域で現状
で単色性がよく、かつ高輝度の光源は、KrF(波長2
48nm)、ArF(波長193nm)等のエキシマレ
ーザ光源である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く、露光装置
において遠紫外から極紫外にかけて現状で使用できる光
源はエキシマレーザ光源のようなレーザ光源であるが、
レーザ光源からの照明光は空間的な可干渉性が高い。そ
のため、レチクル面上、ひいてはウエハの露光面上に、
干渉縞による露光量むらが生じ易いという不都合があ
る。
【0006】特に、走査型露光装置の場合には、使用さ
れている投影光学系の露光領域がアスペクト比(縦横
比)の大きな長方形となるため、照明光学系内のフライ
アイレンズの各レンズエレメントの形状もそれに合わせ
て長方形となり、その長辺方向については、短辺方向に
比べて配列できるレンズエレメントの数が減少してしま
う。これによって、フライアイレンズの各レンズエレメ
ントの長辺方向、即ち投影光学系の露光領域の長辺方向
については、形成される2次光源の数が減少し、干渉縞
による露光量むらを完全に無くすことが難しくなる。
【0007】また、従来の走査型露光装置のフライアイ
レンズは、1段のフライアイレンズの場合でも、ダブル
・フライアイ方式の場合でも、フライアイレンズの各レ
ンズエレメントの配列方向はレチクル(ウエハについて
も同様)の走査方向に対応する方向に平行か、又は直交
する方向であったため、レーザ光源を使用した場合の干
渉縞は、ピッチ方向(明線と暗線との配列方向)が投影
光学系の露光領域の長辺方向と平行になるように形成さ
れる。このため、走査露光を行っても、ウエハ上で干渉
縞の照度は平均化されず、走査方向に直交する方向に干
渉縞と同じピッチで露光量むらが残存するため、転写さ
れる回路パターンの線幅が、露光領域内の位置によって
ばらついていた。
【0008】本発明は斯かる点に鑑み、照明光の可干渉
性が高い場合にウエハ上での露光量のむらを低減できる
走査露光型の露光方法、及び露光装置を提供することを
目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明による露光方法
は、マスク(R)と基板(W)とを同期移動して、その
マスクのパターンをその基板上に転写する露光方法にお
いて、互いに異なる入射角で複数の照明ビームをそのマ
スクに照射し、それら複数の照明ビームによって形成さ
れる干渉縞(24)の配列方向と直交する方向と、その
マスクの移動方向(Y方向)とを交差させるものであ
る。
【0010】斯かる本発明によれば、干渉縞(24)の
明部及び暗部の長手方向は、走査露光時のそのマスクの
移動方向に対して交差している(非平行となっている)
ため、そのマスク上の各点は照明領域を横切る際に干渉
縞(24)の明部及び暗部を通過する。従って、いわば
露光量の積分、又は平滑化によってマスク上の各点での
露光量が均一化され、ひいてはその基板上での露光量む
らが低減される。
【0011】また、本発明による第1の露光装置は、マ
スク(R)と基板(W)とを同期移動して、そのマスク
のパターンをその基板上に転写する露光装置において、
複数の光源像(23)を形成するオプティカル・インテ
グレータ(31)を有し、それら複数の光源像からそれ
ぞれ射出される光束をそのマスクに照射する照明光学系
(1,2,3,4A,5,4B,6,7)を備え、その
照明光学系内の複数の光源像(23)の配列方向を、そ
のマスクの移動方向と直交する方向に対応する軸(x
軸)に対して傾けるものである。
【0012】斯かる本発明によれば、それら複数の光源
像(23)からの光束によって形成される干渉縞の配列
方向もそのマスクの移動方向と直交する方向に対応する
軸(x軸)に対して傾斜するため、本発明の露光方法が
使用できる。即ち、走査露光によって露光量が干渉縞の
配列方向に積分されるため、露光量むらが低減される。
【0013】この場合、そのオプティカル・インテグレ
ータ(36)を複数のレンズエレメント(36a)より
形成し、その照明光学系内で複数の光束を互いに異なる
入射角でそのオプティカル・インテグレータ(36)に
照射すると共に、その各レンズエレメント(36a)に
よって形成される少なくとも2つの光源像(28;3
9)の配列方向をその軸(x軸)に対して傾けるように
してもよい。これは、そのオプティカル・インテグレー
タ(36)の前段に更に別のオプティカル・インテグレ
ータ(33)、又は光束分岐光学系(38)等を配置し
て、各レンズエレメント(36a)毎に複数の光源像を
形成させることを意味する。これによって照度分布の均
一性が向上するが、複数の光源像によってマスク
(R)、ひいては基板(W)上に干渉縞が形成される。
本発明では、この干渉縞の配列方向もそのマスクの移動
方向に直交する方向に対して傾斜しているため、走査露
光後の露光量が均一化される。
【0014】また、本発明の第2の露光装置は、マスク
(R)のパターンを基板(W)上に転写する露光装置に
おいて、互いに異なる入射角で複数の照明ビームをマス
ク(R)に照射する照明光学系と、それら複数の照明ビ
ームに対してマスク(R)を相対移動するのに同期し
て、マスク(R)から射出される複数の照明ビームに対
して基板(W)を相対移動する走査システム(8〜1
6)とを備え、それら複数の照明ビームによってマスク
(R)上に形成される干渉縞(24)の配列方向と直交
する方向と、そのマスクの移動方向(Y方向)とを交差
させるものである。
【0015】斯かる本発明においても、そのマスク上に
形成される干渉縞の配列方向がそのマスクの移動方向に
直交する方向に対して傾斜するため、走査露光後の露光
量が均一化される。
【0016】次に、本発明による第3の露光装置は、照
明光でマスク(R)を照明する照明光学系を有し、その
マスクと基板(W)とを同期して対応する走査方向(Y
方向)に移動することによってそのマスクのパターンを
その基板上に転写する露光装置において、その照明光学
系は、それぞれその照明光の1個、又は複数個の光源像
を形成する複数のレンズエレメント(31a)を束ねて
構成されるフライアイレンズ(31)を備え、このフラ
イアイレンズの複数のレンズエレメント(31a)の配
列方向がその走査方向と直交する方向(非走査方向)に
対応する方向(x方向)に対して所定角度θだけ傾斜し
たものである。
【0017】また、その所定角度θの実用的な範囲は1
°〜15°程度である。斯かる本発明によれば、照明光
の可干渉性が高い場合にマスク及び基板上に生じる干渉
縞の明暗の縞の長手方向は、走査方向に対して角度θだ
け傾いたものとなる。この場合、その基板が静止した状
態では照度むらが生じていることになるが、走査露光型
ではその基板が照明光の露光領域(干渉縞)に対して走
査方向に移動しながら露光が行われる。そのため、その
基板上の一点に着目すると、この点は露光中に干渉縞の
明部、及び暗部を横切るため、この点に対する露光量
(積算露光量)は実質的に平滑化される。即ち、基板上
の全部の点の露光量は、走査露光によって干渉縞の明部
及び暗部の照度を積分した形で共通に平滑化されるた
め、その基板上での走査露光後の露光量のむらは極めて
少なくなる。これによって、基板上に転写される回路パ
ターンの線幅のばらつきも解消される。
【0018】ここで、図2(B)を参照して、フライア
イレンズの各レンズエレメントの配列方向の傾斜の角度
θ、即ちマスク上での(基板上でも同様)走査方向(Y
方向)に対する干渉縞(24)の明暗の縞の長手方向の
角度θ(rad)の望ましい範囲につき説明する。図2
(B)において、干渉縞(24)の明暗のピッチをP、
マスク上での照明領域(21)の走査方向(Y方向:短
辺方向)の幅をLRとすると、マスク上の或る点(2
5)が走査露光時に照明領域(21)を横切るまでに干
渉縞(24)上でピッチ方向に移動する距離δRは、近
似的に次のようになる。
【0019】δR=LR・θ (1) この距離δRが干渉縞(24)のピッチP以上であれ
ば、走査露光時に十分な平滑化効果を得ることができる
ため、角度θの下限は次のようになる。 δR=LR・θ≧P (2) また、フライアイレンズの各レンズエレメントの配列方
向を傾斜させると、図2(B)の点線の輪郭(26)で
示すように、例えば視野絞りで照明領域を設定する前の
照明光による照明領域の輪郭も角度θだけ傾斜したほぼ
矩形となっている。そこで、実際に視野絞りで設定する
照明領域(21)も或る程度までは傾斜させても走査露
光には支障が無いが、投影光学系を使用する場合には、
照明領域(21)が斜めになると広い有効視野が必要と
なって走査露光の利点が損なわれる。そこで、角度θは
十分な平滑化効果が得られている範囲で小さい方が良い
ことになる。一例として、(1)式の距離δRはピッチ
Pの20倍程度までであれば良く、角度θの上限は近似
的に次のようになる。
【0020】δR=LR・θ≦20・P (3) (2)式、(3)式をまとめると、角度θの望ましい範
囲は近似的に次のようになる。 P/LR≦θ≦20・P/LR (4) 実際の露光装置では、一例として基板上での露光領域の
走査方向の幅は7mm、干渉縞のピッチは100μm程
度である。マスクから基板への投影倍率をβとすると、
(4)式の幅LRは7/β(mm)、ピッチPは100
/β(μm)となるため、角度θの実用的な範囲は、
0.014≦θ(rad)≦0.28となる。これをd
egに換算すると、角度θの実用的な(望ましい)範囲
はほぼ1°〜15°となる。
【0021】次に、本発明による第4の露光装置は、照
明光でマスク(R)を照明する照明光学系を有し、その
マスクと基板(W)とを同期して対応する走査方向(Y
方向)に移動することによってそのマスクのパターンを
その基板上に転写する露光装置において、その照明光学
系は、それぞれその照明光の1個、又は複数個の光源像
を形成する複数のレンズエレメント(33a)を束ねて
形成される第1のフライアイレンズ(33)と、この第
1のフライアイレンズからの照明光を集光してそれぞれ
例えば複数個の光源像を形成する複数のレンズエレメン
ト(36a)を束ねて形成される第2のフライアイレン
ズ(36)と、を備え、それら2つのフライアイレンズ
の少なくとも一方(33)の複数のレンズエレメントの
配列方向がその走査方向と直交する方向に対応する方向
に対して所定角度θだけ傾斜しているものである。
【0022】斯かる本発明においても、少なくとも一方
のフライアイレンズのレンズエレメントの配列方向の傾
斜によって、基板上の露光領域に形成される干渉縞のピ
ッチ方向が傾斜するため、走査露光による平滑化効果で
基板上での露光量むらが小さくなる。この場合も、角度
θの望ましい範囲は例えば(4)式で表されるが、その
実用的な範囲は1°〜15°程度である。
【0023】次に、本発明による第5の露光装置は、照
明光でマスク(R)を照明する照明光学系を有し、その
マスクと基板(W)とを同期して対応する走査方向(Y
方向)に移動することによってそのマスクのパターンを
その基板上に転写する露光装置において、その照明光学
系は、その照明光を互いに異なる方向に進む2つの光束
(ILa,ILb)に分岐する分岐光学系(38)と、
この分岐光学系から供給される2つの光束よりそれぞれ
光源像を形成する複数のレンズエレメント(36a)を
束ねて構成されるフライアイレンズ(36)と、を備
え、分岐光学系(38)によるその照明光の分岐方向が
その走査方向と直交する方向に対応する方向に対して所
定角度θだけ傾斜しているものである。
【0024】斯かる本発明においても、その分岐光学系
(38)の傾斜によって、基板上の露光領域に形成され
る干渉縞のピッチ方向が傾斜するため、走査露光による
平滑化効果で基板上での露光量むらが少なくなる。この
場合も、角度θの望ましい範囲は例えば(4)式で表さ
れるが、その実用的な範囲は1°〜15°程度である。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、本発明による露光装置の第
1の実施の形態につき図1〜図3を参照して説明する。
本例は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装
置に本発明を適用したものである。図1は本例の投影露
光装置を示し、この図1において、露光光源1から射出
された露光用の照明光IL0は、整形光学系2を通過し
て断面形状が所定の大きさのほぼ円形の照明光に整形さ
れる。そして、照明光IL0は光軸IAXに沿って照度
均一化ユニット3に入射する。本例の照度均一化ユニッ
ト3は、フライアイレンズ31、及びこの射出面に配置
された開口絞り(σ絞り)32より構成され、フライア
イレンズ31を構成する複数のレンズエレメントの各射
出面にそれぞれ2次光源(光源像)が形成される。そし
て、これら複数の2次光源からの照明光を転写対象のレ
チクルRに重畳して照射することによって、レチクルR
上での(ひいてはウエハW上での)照度分布が均一化さ
れる。
【0026】また、フライアイレンズ31の射出面、即
ち開口絞り32の配置面は、レチクルRのパターン面に
対する光学的フーリエ変換面(瞳面)となり、かつフラ
イアイレンズ31の入射面はそのレチクルRのパターン
面に対して実質的に共役となるように配置されている。
開口絞り32は、一例として光軸を中心とする円形開口
が形成された絞りであるが、開口絞り32は、小さい円
形開口、輪帯状の開口、及び光軸を中心として4個に分
割された開口等を有する他の複数の開口絞り(不図示)
と交換自在に配置されており、これらの開口絞りの切り
換えによって照明条件を、円形開口を用いる照明、輪帯
照明、又は4開口を使用する照明等に切り換えられるよ
うに構成されている。
【0027】なお、露光光源1としては、KrF(波長
248nm)、ArF(波長193nm)、若しくはF
2 (波長:157nm)等のエキシマレーザ光源、YA
Gレーザの高調波発生装置、又は金属蒸気レーザ光源等
のように空間的な可干渉性の良い光束を発生するレーザ
光源が使用される。但し、水銀ランプのような露光光源
を使用する場合でも、ウエハ上に干渉縞が形成されるよ
うな場合には本発明が有効である。
【0028】図1において、照度均一化ユニット3から
射出される照明光IL1は、第1のリレーレンズ4A、
視野絞り(固定ブラインド)5、第2のリレーレンズ4
B、光路折り曲げ用のミラー6、及びコンデンサレンズ
7を介してレチクルRのパターン面(下面)の長方形の
照明領域21を照明する。視野絞り5の配置面はレチク
ルRのパターン面とほぼ共役であり、視野絞り5の開口
の形状によってレチクルR上の照明領域が規定される。
なお、実際には視野絞り5の近傍に、視野絞り5の開口
を走査露光に同期して開閉するための可動視野絞り(可
動ブラインド)も配置されている。この可動視野絞りに
よって、走査露光の開始直後、及び終了直前にウエハ上
の不要な領域に照明光が照射されるのが防止される。
【0029】レチクルR上の照明領域21内のパターン
の像は、両側(又はウエハ側に片側)テレセントリック
な投影光学系PLを介して投影倍率β(βは、1/4、
又は1/5等)で縮小されて、フォトレジストが塗布さ
れたウエハW上の長方形の露光領域22に投影される。
この場合、露光光源1〜コンデンサレンズ7より照明光
学系が構成されており、ミラー6よりも前の照明光学系
の光軸IAXを、ミラー6で折り曲げた光軸が投影光学
系PLの光軸AXに合致している。以下、投影光学系P
Lの光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内
で走査露光時の走査方向(図1の紙面に平行な方向)に
Y軸を取り、走査方向に直交する非走査方向(図1の紙
面に垂直な方向)にX軸を取って説明する。
【0030】このとき、レチクルRはレチクルステージ
8上に吸着保持され、レチクルステージ8はレチクルベ
ース9上でY方向に連続移動すると共に、X方向、Y方
向、及び回転方向にレチクルRの位置決めを行う。レチ
クルステージ8の端部に固定された移動鏡10m、及び
対応するレーザ干渉計10によってレチクルステージ8
(レチクルR)の2次元的な位置が計測され、この計測
値、及び装置全体の動作を統轄制御する主制御系11か
らの制御情報に基づいて、レチクルステージ駆動系12
は例えばリニアモータ方式でレチクルステージ8の動作
を制御する。レーザ干渉計10の計測値は主制御系11
にも供給されている。
【0031】一方、ウエハWは不図示のウエハホルダ上
に吸着保持され、このウエハホルダは試料台13上に固
定され、試料台13はウエハステージ14上に固定され
ている。試料台13は、ウエハWのフォーカス位置(Z
方向の位置)、及び傾斜角の制御を行い、ウエハステー
ジ14は、Y方向に試料台13を連続移動すると共に、
X方向、Y方向に試料台13をステップ移動する。試料
台13の上端に固定された移動鏡15m及び対応するレ
ーザ干渉計15によって試料台13(ウエハW)の2次
元的な位置が計測され、この計測値、及び主制御系11
からの制御情報に基づいてウエハステージ駆動系16
が、例えばリニアモータ方式でウエハステージ14の動
作を制御する。レーザ干渉計15の計測値は主制御系1
1にも供給されている。主制御系11は、露光光源1の
発光動作も制御している。
【0032】走査露光時には、レチクルステージ8を介
してレチクルRが照明領域21に対して+Y方向(又は
−Y方向)に所定速度VRで移動するのに同期して、ウ
エハステージ14を介してウエハW上の露光対象のショ
ット領域が露光領域22に対して−Y方向(又は+Y方
向)に速度β・VR(βは投影倍率)で移動する。そし
て、レチクルステージ8とウエハステージ14との同期
が取れている区間内で、露光光源1の発光が行われる。
【0033】次に、本例の照度均一化ユニット3の構成
等につき図2を参照して説明する。図2(A)は、図1
の照度均一化ユニット3を開口絞り32方向に見た図、
図2(B)は、図1のレチクルRのパターン面の照明領
域21を示す平面図であり、図2(B)の走査方向(Y
方向)、及びこれに直交する非走査方向(X方向)に対
応する図2(A)内の方向をそれぞれy方向、及びx方
向としている。
【0034】図2(A)に示すように、フライアイレン
ズ31は、ほぼx方向(非走査方向)に細長い長方形の
断面形状の複数のレンズエレメント31aを、ほぼx方
向に3列、及びほぼy方向(走査方向)に9行〜11行
密着して配列して形成され、各レンズエレメント31a
の射出面にはそれぞれ1個の2次光源(光源像)23が
形成される。この場合、フライアイレンズ32の入射面
はレチクルRのパターン面と実質的に共役であるため、
レンズエレメント31aの断面形状は、レチクルR上の
長方形の照明領域21の共役像を覆う大きさであると共
に、その照明領域21に対して概ね相似な長方形である
ことが要求される。
【0035】また、各2次光源23からの光束は可干渉
であるため、ほぼx方向、及びほぼy方向に離れた2次
光源23同士からの光束の干渉によって、図2(B)の
照明領域21には干渉縞24が形成される。この場合、
干渉縞は、ほぼy方向に沿っても形成されるが、y方向
には2次光源23の個数が多いと共に、走査方向では積
分効果があるため、ほぼy方向に沿って形成される干渉
縞は殆ど問題にはならず、ほぼx方向に形成される干渉
縞24が問題となる。
【0036】本例では、その干渉縞24の明暗のピッチ
方向が非走査方向(X方向)に平行にならないように、
図2(A)に示すように、フライアイレンズ31の各レ
ンズエレメント31aの断面の長手方向の配列方向を、
露光時の走査方向(y方向)に直交する非走査方向(x
方向)から所定の角度θだけ傾けて配置している。この
ように、フライアイレンズ31の各レンズエレメント3
1aの配列方向を傾けると、各レンズエレメント31a
の射出面に形成される2次光源23の配列方向も、ほぼ
x方向に隣接する2次光源23を結ぶ直線51で示すよ
うに、x方向に対して角度θだけ傾斜して配列される。
【0037】そして、2次光源23の配列がx方向から
角度θだけ傾斜している結果、図2(B)に示すよう
に、レチクルR上の照明領域21内に形成される干渉縞
24の明暗の縞の長手方向は走査方向(Y方向)から角
度θだけ傾く。この場合、照明領域21のY方向の幅を
LRとすると、レチクルR上の任意の一点25が、走査
露光時に照明領域21を走査方向(Y方向)に横切る際
に、干渉縞24の明暗のピッチ方向に移動する距離δR
は、近似的にLR・θ((1)式参照)で表される。ま
た、干渉縞24の明暗のピッチをPとすると、その距離
δRは、ほぼ1ピッチ(P)以上であれば、走査露光時
に積算される露光量のむらが極めて小さくなる。
【0038】一方、フライアイレンズ31の各レンズエ
レメント31aも傾いているため、図1の視野絞り5で
制限しない場合の照明領域は、図2(B)に点線の照明
領域26で示すように、長手方向がX方向に対して角度
θだけ傾斜している。本例では、その照明領域26から
図1の視野絞り5によって長手方向がX方向に平行な長
方形の照明領域21を選択していることになる。従っ
て、角度θが大きくなる程、光量損失が増えるため、角
度θは距離δRがほぼ20ピッチ(20・P)以下程度
の範囲で使用することが望ましい。この結果、角度θ
(rad)の望ましい範囲は、(4)と同じくほぼ次の
ようになる。
【0039】 P/LR≦θ≦20・P/LR (5) また、現状では代表的に、干渉縞24のピッチPをウエ
ハW上に換算した値は100μm程度、照明領域21の
Y方向の幅をウエハW上に換算した値は7mm程度(即
ち、露光領域22の幅)であるため、(5)式より角度
θの望ましい範囲はdeg換算で1°〜15°程度とな
る。
【0040】上記のように本例では、照明領域21内の
干渉縞24の明部及び暗部の長手方向がY方向から所定
の角度θだけ傾斜しているため、レチクルR上の各点
は、走査露光時に照明領域21をY方向に横切る際に、
干渉縞24のピッチ方向に1ピッチ以上相対移動する。
従って、レチクルR上の各点で積算される露光量は、干
渉縞24の明部及び暗部の露光量を平均化した(即ち、
平滑化した)値となって、互いにほぼ同一レベルとな
る。これはウエハW上の各点についても同様であるた
め、本例では走査露光後のウエハW上での露光量むらが
極めて少なくなり、その結果として、最終的に形成され
る回路パターンの線幅均一性が向上する。
【0041】なお、上記の実施の形態では、図2(A)
に示すように、フライアイレンズ31の傾斜に応じて傾
いた元の照明領域26から、図1の視野絞り5によって
長手方向がX方向となった照明領域21を取り出してい
るが、照明領域21自体を傾斜させてもよい。図3は、
元の照明領域26の傾斜に合わせて、斜めに取り出した
照明領域21Aを示し、この図3において、照明領域2
1Aは長手方向にはX方向に対して角度θだけ傾斜して
おり、その走査方向に沿った辺はY軸に平行に設定され
ている。即ち、照明領域21Aは平行四辺形状であり、
照明領域21AのY方向の幅LRAは、図2(B)の照
明領域21の幅LRよりも広くできる。また、走査露光
方式では、照明領域21Aのように或る程度傾斜してい
る領域を使用しても、特に不都合はなく、元の照明領域
26の照明光の利用効率が向上する。但し、照明領域2
1A自体が傾斜しているため、図1の投影光学系PLの
有効視野を照明領域21を使用する場合に比べて大きく
する必要がある。従って、投影光学系PLの有効視野を
狭くしても大面積のパターンを露光できるというステッ
プ・アンド・スキャン方式の利点を活かすためには、照
明領域21Aの傾斜角はあまり大きくしない方が良い。
【0042】次に、図4及び図5を参照して、本発明の
第2の実施の形態につき説明する。本例はダブル・フラ
イアイ方式の照度均一化ユニットに本発明を適用したも
のである。以下では、本例の照度均一化ユニットを、図
1の整形光学系2とリレーレンズ4Aとの間に配置した
ものとして説明する。図4は、本例の照度均一化ユニッ
ト3Aを示す一部を切り欠いた構成図であり、この図4
において、図1の整形光学系2からの照明光IL0は、
1段目のフライアイレンズ33に入射し、フライアイレ
ンズ33の射出面に形成される複数の2次光源からの光
束は、レンズ34及びレンズ35を経て2段目のフライ
アイレンズ36に入射する。そして、フライアイレンズ
36の射出面に形成される多数の2次光源からの光束の
内で、開口絞り37の開口を通過した照明光IL1が図
1のリレーレンズ4Aに向かう。
【0043】本例においても、2段目のフライアイレン
ズ36の射出面(開口絞り37の配置面)は、図1のレ
チクルRのパターン面に対する瞳面であり、かつフライ
アイレンズ36の入射面はそのパターン面とほぼ共役で
ある。更に、1段目のフライアイレンズ33の射出面は
2段目のフライアイレンズ36の入射面に対する瞳面で
あり、かつフライアイレンズ33の入射面はフライアイ
レンズ36の入射面とほぼ共役である。
【0044】図5(A)は、図4の照度均一化ユニット
3A内のフライアイレンズ33をレンズ34方向に見た
図、図5(B)は、図4のフライアイレンズ36を開口
絞り37方向に見た図、図5(C)は、本例の照度均一
化ユニット3Aを用いた場合の図1のレチクルRのパタ
ーン面の照明領域21を示す平面図であり、図5(C)
の走査方向(Y方向)、及びこれに直交する非走査方向
(X方向)に対応する図5(A),(B)内の方向をそ
れぞれy方向、及びx方向としている。
【0045】図5(A)に示すように、1段目のフライ
アイレンズ33は、断面形状がほぼy方向に細長い長方
形のレンズエレメント33aを複数個(本例では7個)
ほぼx方向に密着して配列して形成され、各レンズエレ
メント33aの射出面にはそれぞれ1個の2次光源27
が形成される。また、図5(B)に示すように、2段目
のフライアイレンズ36は、x方向に細長い長方形の断
面形状の複数のレンズエレメント36aを、x方向、及
びy方向に密着して配列して形成され、各レンズエレメ
ント36aの射出面にはそれぞれ1段目のフライアイレ
ンズ36のレンズエレメントと同じ個数の2次光源28
が形成される。本例でも、フライアイレンズ36の入射
面はレチクルRのパターン面と実質的に共役であるた
め、各レンズエレメント36aの断面形状は、レチクル
R上の長方形の照明領域21の共役像を覆う大きさであ
ると共に、その照明領域21に対して概ね相似な長方形
となっている。このように、本例のフライアイレンズ3
6の各レンズエレメントの配列方向はx方向、y方向に
一致させてある。
【0046】これに対して、図5(A)に示すように、
1段目のフライアイレンズ33のレンズエレメント33
aの配列方向は、x方向(非走査方向)から所定の角度
θだけ傾けてある。この結果、各レンズエレメント33
aの射出面に形成される2次光源27の配列方向も、隣
接する2次光源27を結ぶ直線52で示すように、x方
向に対して角度θだけ傾斜して配列される。
【0047】このように1段目の2次光源27の配列方
向が角度θだけ傾斜しているため、図5(B)に示すよ
うに、2段目のフライアイレンズ36の各レンズエレメ
ント36aの射出面に形成される複数の2次光源28の
配列方向も、各レンズエレメント内で隣接する2次光源
を結ぶ直線53で示すように、x方向に対して角度θだ
け傾斜する。これによって、図5(C)に示すように、
レチクルR上の幅LRの照明領域21内に形成されるピ
ッチPの干渉縞24の明暗の縞の長手方向は走査方向
(Y方向)から角度θだけ傾く。また、角度θの範囲
は、(5)式を満たすように設定されている。
【0048】この結果、レチクルR上の任意の一点25
は、走査露光時に照明領域21をY方向に横切る際に、
干渉縞24のピッチ方向に1ピッチ以上相対移動するこ
とになり、積算された露光量は平滑化される。即ち、走
査露光後のレチクルR上の各点での露光量、ひいてはウ
エハW上の各点での露光量は互いにほぼ同一レベルとな
り、露光量むらは極めて小さくなる。
【0049】なお、本例では、ダブルフライアイ方式に
おいて、1段目のフライアイレンズ33の配列方向を回
転しているが、その代わりに2段目のフライアイレンズ
36の配列方向を回転するようにしてもよい。次に、図
6を参照して、本発明の第3の実施の形態につき説明す
る。本例は光束分岐光学系を備えた照度均一化ユニット
に本発明を適用したものである。以下では、本例の照度
均一化ユニットを、図1の整形光学系2とリレーレンズ
4Aとの間に配置したものとして説明する。
【0050】図6(A)は、本例の照度均一化ユニット
3Bを示す一部を切り欠いた構成図であり、この図6
(A)において、図1の整形光学系2からの照明光IL
0は、光束分岐光学系としての射出面38a,38bが
山型に傾斜したプリズム38に入射する。プリズム38
の光束の分岐方向は非走査方向に対応するx方向にほぼ
平行になっており、プリズム38によって交差するよう
に分岐された第1及び第2の光束ILa,ILbは、フ
ライアイレンズ36に交差するように入射する。そし
て、フライアイレンズ36の射出面に形成される多数の
2次光源からの光束の内で、開口絞り37の開口を通過
した照明光IL1が図1のリレーレンズ4Aに向かう。
【0051】本例においても、フライアイレンズ36の
射出面(開口絞り37の配置面)は、図1のレチクルR
のパターン面に対する瞳面であり、かつフライアイレン
ズ36の入射面はそのパターン面とほぼ共役である。図
6(B)は、図6(A)の照度均一化ユニット3Bを開
口絞り37方向に見た拡大図であり、この図6(B)に
おいて、プリズム38の輪郭は縮小して示してある。本
例のフライアイレンズ36は、x方向に細長い長方形の
断面形状の複数のレンズエレメント36aを、x方向、
及び走査方向に対応するy方向に密着して配列して形成
され、各レンズエレメント36aの射出面にはそれぞれ
プリズム38によって分岐された光束と同じ個数(2
個)の2次光源39が形成される。このように、本例の
フライアイレンズ36の各レンズエレメントの配列方向
はx方向、y方向に一致させてある。
【0052】これに対して、プリズム38の光束の分岐
方向は、x方向(非走査方向)から所定の角度θだけ傾
けてある。この結果、フライアイレンズ36の各レンズ
エレメント36aの射出面に形成される2次光源39の
配列方向も、隣接する2次光源を結ぶ直線55で示すよ
うに、各レンズエレメント内でx方向に対して角度θだ
け傾斜する。これによって、図1のレチクルR上の照明
領域21内に形成される干渉縞の明暗の縞の長手方向は
走査方向(Y方向)から角度θだけ傾く。また、角度θ
の範囲は、(5)式を満たすように設定されている。
【0053】この結果、走査露光後のレチクルR上の各
点での露光量、ひいてはウエハW上の各点での露光量は
平滑化されて互いにほぼ同一レベルとなり、露光量むら
は極めて少なくなる。なお、本発明は上述の実施の形態
に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の
構成を取り得ることは勿論である。
【0054】
【発明の効果】本発明の露光方法によれば、マスク、ひ
いては基板(ウエハ)上に形成される干渉縞の明暗の長
手方向がマスクの移動方向に対して交差するため、走査
露光中に積算される露光量が平滑化される。従って、基
板上での露光量むらが極めて少なくなり、最終的に基板
上に形成される回路パターンの線幅の均一性が向上する
利点がある。
【0055】次に、本発明の第1、又は第2の露光装置
によれば、マスク、ひいては基板(ウエハ)上に形成さ
れる干渉縞の明暗の長手方向がマスクの移動方向に対し
て交差するため、本発明の露光方法が使用できて、走査
露光中に積算される露光量が平滑化される。また、本発
明の第3、第4、又は第5の露光装置によれば、マス
ク、ひいては基板(ウエハ)上に形成される干渉縞の明
暗の長手方向が走査方向(移動方向)に対して所定角度
傾斜するため、本発明の露光方法が使用できて、走査露
光中に積算される露光量が平滑化される。従って、基板
上での露光量むらが極めて少なくなり、最終的に基板上
に形成される回路パターンの線幅の均一性が向上する利
点がある。
【0056】また、その干渉縞が傾斜する角度を1°〜
15°程度に設定する場合には、走査露光による露光量
の平滑化効果を十分受けることができると共に、照明光
の損失が少ない利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態で使用される投影露
光装置を示す概略構成図である。
【図2】(A)は、図1の照度均一化ユニット3を開口
絞り32方向に見た図、(B)は図1のレチクルR上の
照明領域21を示す平面図である。
【図3】レチクル上の照明領域の変形例を示す平面図で
ある。
【図4】本発明の第2の実施の形態の照度均一化ユニッ
トを示す一部を切り欠いた構成図である。
【図5】(A)は図4の照度均一化ユニットをAA線に
沿って見た図、(B)は図4の照度均一化ユニットをB
B線に沿って見た図、(C)は第2の実施の形態におけ
るレチクル上の照明領域を示す平面図である。
【図6】(A)は、本発明の第2の実施の形態の照度均
一化ユニットを示す一部を切り欠いた構成図、(B)は
図6(A)を開口絞り37方向に見た拡大図である。
【符号の説明】
R レチクル W ウエハ PL 投影光学系 1 露光光源 2 整形光学系 3,3A,3B 照度均一化ユニット 4A,4B リレーレンズ 5 視野絞り(固定ブラインド) 8 レチクルステージ 14 ウエハステージ 21 レチクル上の照明領域 22 ウエハ上の露光領域 31,33,36 フライアイレンズ 32,37 開口絞り 38 プリズム

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスクと基板とを同期移動して、前記マ
    スクのパターンを前記基板上に転写する露光方法におい
    て、 互いに異なる入射角で複数の照明ビームを前記マスクに
    照射し、前記複数の照明ビームによって形成される干渉
    縞の配列方向と直交する方向と、前記マスクの移動方向
    とを交差させることを特徴とする露光方法。
  2. 【請求項2】 マスクと基板とを同期移動して、前記マ
    スクのパターンを前記基板上に転写する露光装置におい
    て、 複数の光源像を形成するオプティカル・インテグレータ
    を有し、前記複数の光源像からそれぞれ射出される光束
    を前記マスクに照射する照明光学系を備え、 前記照明光学系内の前記複数の光源像の配列方向を、前
    記マスクの移動方向と直交する方向に対応する軸に対し
    て傾けることを特徴とする露光装置。
  3. 【請求項3】 前記オプティカル・インテグレータは複
    数のレンズエレメントからなり、 前記照明光学系内で複数の光束が互いに異なる入射角で
    前記オプティカル・インテグレータに照射されると共
    に、 前記各レンズエレメントによって形成される少なくとも
    2つの光源像の配列方向が前記軸に対して傾けられるこ
    とを特徴とする請求項2記載の露光装置。
  4. 【請求項4】 マスクのパターンを基板上に転写する露
    光装置において、 互いに異なる入射角で複数の照明ビームを前記マスクに
    照射する照明光学系と、 前記複数の照明ビームに対して前記マスクを相対移動す
    るのに同期して、前記マスクから射出される複数の照明
    ビームに対して前記基板を相対移動する走査システムと
    を備え、 前記複数の照明ビームによって前記マスク上に形成され
    る干渉縞の配列方向と直交する方向と、前記マスクの移
    動方向とを交差させることを特徴とする露光装置。
  5. 【請求項5】 照明光でマスクを照明する照明光学系を
    有し、前記マスクと基板とを同期して対応する走査方向
    に移動することによって前記マスクのパターンを前記基
    板上に転写する露光装置において、 前記照明光学系は、それぞれ前記照明光の光源像を形成
    する複数のレンズエレメントを束ねて構成されるフライ
    アイレンズを備え、 該フライアイレンズの前記複数のレンズエレメントの配
    列方向が前記走査方向と直交する方向に対応する方向に
    対して1°〜15°傾斜していることを特徴とする露光
    装置。
  6. 【請求項6】 照明光でマスクを照明する照明光学系を
    有し、前記マスクと基板とを同期して対応する走査方向
    に移動することによって前記マスクのパターンを前記基
    板上に転写する露光装置において、 前記照明光学系は、それぞれ前記照明光の光源像を形成
    する複数のレンズエレメントを束ねて形成される第1の
    フライアイレンズと、 該第1のフライアイレンズからの照明光を集光してそれ
    ぞれ光源像を形成する複数のレンズエレメントを束ねて
    形成される第2のフライアイレンズと、を備え、 前記2つのフライアイレンズの少なくとも一方の前記複
    数のレンズエレメントの配列方向が前記走査方向と直交
    する方向に対応する方向に対して1°〜15°傾斜して
    いることを特徴とする露光装置。
  7. 【請求項7】 照明光でマスクを照明する照明光学系を
    有し、前記マスクと基板とを同期して対応する走査方向
    に移動することによって前記マスクのパターンを前記基
    板上に転写する露光装置において、 前記照明光学系は、前記照明光を互いに異なる方向に進
    む2つの光束に分岐する分岐光学系と、 該分岐光学系から供給される2つの光束よりそれぞれ光
    源像を形成する複数のレンズエレメントを束ねて構成さ
    れるフライアイレンズと、を備え、 前記分岐光学系による前記照明光の分岐方向が前記走査
    方向と直交する方向に対応する方向に対して1°〜15
    °傾斜していることを特徴とする露光装置。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1293834A2 (en) * 2001-09-14 2003-03-19 Canon Kabushiki Kaisha Illumination apparatus
CN100397404C (zh) * 2001-04-27 2008-06-25 株式会社东芝 曝光装置的照度不匀度的测定方法和修正方法
JP2008160109A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
JP2010258090A (ja) * 2009-04-22 2010-11-11 Orc Mfg Co Ltd 露光装置
JP2011512659A (ja) * 2008-02-15 2011-04-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー
DE102012210961A1 (de) * 2012-06-27 2013-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe für eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie
WO2022124211A1 (ja) * 2020-12-09 2022-06-16 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、および物品の製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100397404C (zh) * 2001-04-27 2008-06-25 株式会社东芝 曝光装置的照度不匀度的测定方法和修正方法
EP1293834A2 (en) * 2001-09-14 2003-03-19 Canon Kabushiki Kaisha Illumination apparatus
EP1293834A3 (en) * 2001-09-14 2004-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Illumination apparatus
US7126757B2 (en) * 2001-09-14 2006-10-24 Canon Kabushiki Kaisha Illumination apparatus, exposure apparatus using the same, and device fabricating method
JP2008160109A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
JP2011512659A (ja) * 2008-02-15 2011-04-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー
JP2014140047A (ja) * 2008-02-15 2014-07-31 Carl Zeiss Smt Gmbh マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー
JP2016075962A (ja) * 2008-02-15 2016-05-12 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー
US9411241B2 (en) 2008-02-15 2016-08-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
US9996012B2 (en) 2008-02-15 2018-06-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
JP2010258090A (ja) * 2009-04-22 2010-11-11 Orc Mfg Co Ltd 露光装置
DE102012210961A1 (de) * 2012-06-27 2013-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe für eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie
WO2022124211A1 (ja) * 2020-12-09 2022-06-16 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、および物品の製造方法

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