CN101946190A - 微光刻的投射曝光设备使用的分面镜 - Google Patents

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Abstract

分面镜用作微光刻的投射曝光设备中的光束引导元件。该分面镜具有多个分立镜(21)。对于入射照明光的单独偏转,在每种情况下这些分立镜(21)被连接到驱动器,使得这些分立镜关于至少一个倾斜轴(x,y)分别地可倾斜。连接到驱动器的控制装置被配置,使得给定组的分立镜(21)能够组合成分立镜组(19),该分立镜组在每种情况下包括至少两个分立镜(21)。结果是当分立镜安装在投射曝光设备中时,分立镜增加用于设置由投射曝光设备照明物场的各种照明几何形状的变化性。用于形成分面镜的分立镜的各种实施例被描述。

Description

微光刻的投射曝光设备使用的分面镜
技术领域
本发明涉及用作微光刻的投射曝光设备中的光束引导光学元件的分面镜(facet mirror)。另外,本发明涉及微光刻的投射曝光设备的包括至少一个这样的分面镜的照明光学部件、包括这样的照明光学部件的投射曝光设备、使用这样的投射曝光设备制造微结构或纳米结构元件的方法以及通过这样的方法制造的微结构元件或纳米结构元件。
背景技术
这种类型的分面镜在US 6,438,299 B1和US 6,658,084 B2中进行了公开。
发明内容
本发明的目的是开发一种开始提到的类型的分面镜(facet mirror),从而通过将该分面镜安装在投射曝光设备中,增加了设置各种照明几何形状以使用该投射曝光设备对物场进行照明的变化性。
根据本发明,该目的通过具有权利要求1或权利要求4中陈述的特征的分面镜而得以实现。
根据本发明,由于分面镜被划分成多个彼此独立地可倾斜的分立镜(separate mirror),因此分面镜可变地被划分为分立镜组。这可有助于生成具有不同边界的组,用于适合于将被照明的物场的形状。分立镜单独地可被驱动,这确保物场的多个不同照明,而不会由于阻挡或遮挡而损失任何光。具体而言,可装备有分面镜的照明光学部件可适配于辐射源的光学参数,例如光束发散性或光束横截面上的强度分布。分面镜能够以这样的方式设计,使得几个分立镜组在每种情况下独立地对整个物场进行照明。根据本发明的分面镜可设置有多于10个、多于50个或甚至多于100个这样的分立镜组。分立镜照明通道是由分面镜引导的照明光束的一部分光束路径,该照明光束由分面镜的分立镜中的仅一个引导。根据本发明,对于整个物场的照明需要该类型的两个分立镜照明通道。在根据US 6,438,199 B1和US 6,658,084 B2的分面镜的例子中,分立镜照明通道在每种情况下照明了其大小与物场相应的物场部分。
在根据权利要求2的分立镜的例子中,分配的分立镜照明通道能够彼此单独地照明物场,或分立镜照明通道能够被布置为使得以限定的方式彼此交叠。物场可以由多于两个的分立镜照明通道进行照明,例如由多于十个的分立镜照明通道进行照明。
根据权利要求4的分面镜的优点相应于上文中参考根据权利要求1的分面镜已经描述的那些优点。
根据权利要求5的分面镜尤其用作投射曝光设备的照明光学部件中的场分面镜。取决于分立镜组的大小和形状,被照明的相应大小和形状的物场是可实现的。在矩形物场中,在每种情况下都由一个分立镜组形成的分立面(separate facet)的面纵横比相应于场纵横比。分立镜组不需具有分立镜的固定布置。例如,分立镜以这样的方式可被驱动,以允许多个所选择的分立镜被可变地分配给分立镜组,从而分配给具有给定形状的面(facet)。操作中,取决于形成面的给定分立镜组,分面镜则能够支持各种给定的面形状。
代替形状与物场的整个形状相应的分立面,可以形成与半场相应的分立面或分立面组,换句话说,沿物场尺寸的一半延伸的场。在每种情况中,这种类型的两个半场相结合用于整个物场的照明。还可想象到的是形成形状与物场的部分场相应的分立面或分立面组。该类型的数个部分场则可被结合用于整个物场的照明,数个部分场可以是彼此互补的。
根据权利要求6和7的组形状也适合于当前物场几何形状。通过从分立镜组的格栅布置(raster arrangement)中地选择其边界类似于期望包络的形状的分立镜、通过逐个像素的近似,还可以获得弓形、环形或圆形包络。
根据权利要求8的分面镜尤其用作投射曝光设备的照明光学部件中的光瞳分面镜。
照明光学部件优选地装配有被划分成根据本发明的分立镜的场分面镜,以及划分成根据本发明的分立镜的光瞳分面镜。通过将分立镜组布置在关于场分面镜和光瞳分面镜的相应组中,则可以实际地实现特定照明角度分布,即照明设置,而不会损失光。例如在US 2006/0132747 A1中描述的该类型的镜面反射器也可被划分为根据本发明的分立镜。由于镜面反射器用于调节物场中的照明角度分布和强度分布,因此由于划分成分立镜的附加可变性尤其是有利的。
使用微镜阵列领域中已经公知的建设性的解决方案,可以获得根据权利要求9的实施例。微镜阵列例如在US 7,061,582 B2中进行了描述。所选择的平铺(tiling)类型取决于分立镜组的所需的形状。具体而言,可以使用从“Mathematisches Mosaik”(Mathematical Mosaic),科隆(1977)中的Istvan Reimann:“Parkette,geometrisch betrachtet”(A geometric view of tilings)以及Jan Gulberg:“Mathematics-From the birth of numbers”纽约/伦敦(1997)中已经公知的平铺。
根据权利要求10的分立镜的构造需要相对较小的努力。这种类型的平面的分立镜使得分立镜组能够用大致弯曲的反射表面形成。替换地,分面镜的分立镜可以是弯曲的,尤其椭圆形弯曲,这分别地导致分立镜的对于照明光或成像光的成束效果。分立镜尤其是凹弯曲的。具体而言,分面镜可以是多椭圆形镜。该类型的弯曲分立镜可以由具有平面反射表面的分立镜组替换,其中替换的该类型的弯曲分立镜的非平面表面由微面的多面体近似。
当设置分面镜的反射表面的特定外形时,根据权利要求11的可位移能力增加了可变性。这不仅允许形成组,而且能够对各个组内的反射表面限定特定的曲率和自由表面,其具有期望的成像或任何其它成束效果。由于分立镜沿垂直于反射表面的法线分别地被驱动用于位移,因此分立镜中共同的遮挡能够被最小化。
使用微镜阵列领域中已经公知的建设性的解决方案,还可以获得根据权利要求12的布置。
根据权利要求13的驱动确保分立镜根据该设置快速且单独驱动。
如果需要,例如当组合或共同地阻挡分立镜,根据权利要求14的平行驱动,尤其成行或成列,允许分立镜被共同地驱动而不需要任何努力。
就物场上的照明强度而言或就调节特定的取决于场的照明强度分布,根据权利要求15的设计使得能够校正物场照明的均匀性。替换地或附加地,光瞳照明可以通过单独地驱动分立镜而被设置,使得光瞳面的照明的强度分布能够通过驱动分立镜而被设置。具体而言,通过驱动分立镜来分布光瞳面的照明强度可尤其取决于被照明的场大小或场形状而进行。替换地或附加地,光瞳面内的照明强度可以通过驱动分立镜而被分布,使得经由被照明的物场设置入射照明角度的给定变化。例如,场中心的照明角度分布则可与场边缘处的照明角度分布不同。
分立镜的单独驱动当然还可以用于补偿由于其它原因导致的物场上的照明角度分布或强度分布的非均匀性,或更一般而言,以校正与在物场上检测到的默认强度分布值或照明角度分布值的偏差。
根据权利要求16的平面载体有利于生产分面镜。通过相应地形成分面镜的上游照明光或成像光,可以实现分面镜的载体的平面布置。
至少一个分立镜的镜体可以相对于坚硬的载体主体关于倾斜接头的至少一个倾斜轴是可倾斜的。该倾斜接头可以是固体接头,该固体接头具有垂直于倾斜轴的接头厚度S,以及沿倾斜轴的接头长度L,并且L/S>50。在尤其允许用少许努力执行调整的给定的较低硬度,接头长度与接头厚度的该关系确保经由固体接头从镜体到载体主体充分地散热。与接头厚度相比较大的接头长度为经由固体接头的热传递提供足够大的横截面。当调整分立镜时,与接头长度相比较小的接头厚度允许用少许努力就实现镜体的给定角度偏转。这允许使用驱动元件来倾斜镜体,这仅需要少许努力并由此可以是例如非常紧凑的。具体而言,用于使镜体倾斜的合适的驱动元件是那些安装在传统微镜阵列中的驱动元件。该类型的微镜阵列对于本领域技术人员而言是公知的,例如在EP 1 289 273 A1中公开的“MEMS”(微机电系统)。与具有小得多的L/S比率的微镜的传统扭悬(参考Yeow等的Sensors and Actuators A 117(2005),331-340)相比,当使用根据本发明的固体接头时,热传递得到显著改善。如果由于相当多的残余吸收导致的热需要从镜体驱散,那么这是特别有利的,例如如同这样的情况:当使用EUV辐射作为由分立镜反射的有用光时。通过在载体主体内提供微型通道,这允许借助于特别薄的流动冷却流体进行主动冷却,镜体和载体主体之间的热传递可附加地得到改善。
根据权利要求17的照明光学部件的优点相应于下文中参考根据本发明的分面镜已经描述的那些优点。
具体而言,根据权利要求18的照明光学部件可结合由分立镜形成的场分面镜的优点与由分立镜形成的光瞳分面镜的优点,这使得可用于大多数不同的照明设置,而几乎不损失任何光。与上游场分面镜相比,光瞳分面镜可具有大量的分立镜。上游场分面镜使得能够实现光瞳分面镜的各种照明形状,并且如果需要调整的面相应地被驱动用于位移,尤其可倾斜,那么能够因此实现照明光学部件的各种照明设置。光瞳分面镜可尤其具有大量的分立镜,该分立镜的数量大于场分面镜的分立面的数量。如果分立面继而由分立镜组构成,那么场分面镜可比光瞳分面镜具有更多的分立镜。
根据权利要求19的部分物场照明还增加物场照明方面的灵活性,导致用于校正的附加自由度。物场内的被照明物场部分的相对位移相应地允许物场照明被校正。
根据权利要求20的包括场分面镜的照明光学部件的优点相应于上文中参考根据权利要求18的照明光学部件已经描述的那些优点。
根据权利要求21的投射曝光设备的优点相应于上文中已经讨论的优点。
根据权利要求22的投射曝光设备使得能够获得较高结构分辨率。
根据权利要求23的镜面反射器减小在照明光学部件中是必须的照明光的反射的数量。这增加照明光学部件的总传输。
根据权利要求24的离散照明允许镜面反射器的分立镜设置成彼此间隔开,这给诸如分立镜的悬挂和位移机构或位移驱动器的装置提供足够的空间以布置在分立镜之间。
根据权利要求25的分面镜例如可以是聚光器分面镜(collector facet mirror)。这种类型的聚光器分面镜尤其可包括椭圆的分立镜,并通常可应用于不使用镜面反射器的照明光学部件。
如果根据权利要求26的镜面反射器比上游分面镜具有更多的分立镜,那么上游分面镜可用于产生镜面反射器的各种照明形状,由此产生照明光学部件的各种照明设置。如果镜面反射器的分立镜的数量小于上游分面镜的分立镜的数量,那么通过照明光学部件也可以实现物场的不同照明角度分布。
场分面镜的分立镜的数量可相当多地超过镜面反射器的分立镜的数量。
就照明光束形成而言,根据权利要求27的聚光器减小对于下游分面镜的要求。至少一个分面镜可暴露于来自聚光器的会聚照明。
根据权利要求28的聚光器与分面镜相比花费更少的努力被制造。
当物场被局部照明时,根据权利要求29的长场轴和扫描方向之间的角度防止或减少非均匀性照明。例如该角度总计为10°。其它角度也是可能的,例如在1和3°之间的范围内、在3和5°的范围内、在5和7°之间的范围内或在7和9°之间的范围内。大于10°的角度通常也是可能的。替换地,物场部分可以这样的方式布置,使得在沿扫描方向的物场部分之间没有连续的边界。替换地或另外地,分立镜可以这样的方式定向,使得经由照明光学部件成像到物场的分立镜的边缘不与扫描方向平行。照明光学部件的至少一个分面镜的分立镜可以这样的方式布置,使得分立镜组的图像中的阴影相对于彼此垂直于扫描方向偏移,从而防止由阴影导致的强度减小在长场轴的特定位置(即特定场高度)累积。
根据权利要求30的制造方法的优点和根据权利要求31的微结构元件的优点相应于上文中参考权利要求1至29已经解释的那些优点。微结构元件能够被获得,即使在亚微米范围内,这也显示出高整合密度。
附图说明
下文中将借助于附图更加详细地对本发明实施例进行解释,其中:
图1示出了穿过EUV投射光刻的投射曝光设备的示意性子午截面图;
图2示出了一部分场分面镜的示意性平面图,其中场分面镜由用于根据图1的投射曝光设备的分立镜构成;
图3从图2的方向III示出了根据图2的分面镜的一行分立镜的一部分;
图4至6示出了由图3中示出的一行分立镜的分立镜形成的一行反射表面的各种形状的高度示意图,所述一行反射表面以三种不同的构造示出;
图7示出了由分立面配置的场分面镜的另一实施例的一部分的平面图,分立镜被组合成界定分立面的布置的示例性分立镜组;
图8示出了由分立镜配置的光瞳分面镜的示意性平面图,用于根据图1的投射曝光设备,例如用于界定各种环形的或环状的照明设置;
图9至13示出了根据图2的分面镜的分立镜的各种分组的例子,其中分立镜被组合成界定分立面的分立镜组;
图14示出了类似于图8且也由多个分立镜构成的光瞳分面镜,暴露于圆形照明的多个分立镜组被照明以界定第一近似传统的照明设置;
图15示出了根据图14的光瞳分面镜,相同数量的分立镜组也暴露于圆形照明,以界定另一近似环状的照明设置;
图16示出了根据图2的场分面镜的分立镜的分组的另一实施例,用于环状或弓形场的照明;
图17至20示出了被分组为分立镜组的场分面镜的分立镜的另一例子;
图21和22示出了被分组为分立镜组的光瞳分面镜的分立镜的另一例子;
图23示出了具有设置在由分立镜构成的分面镜的反射表面上的分立镜的平铺的另一实施例;
图24示出了穿过EUV投射光刻的投射曝光设备的光学设计的另一实施例的示意性子午截面图,其中投射曝光设备的照明光学部件包括镜面反射器;
图25示出了穿过EUV投射光刻的投射曝光设备的照明系统的另一实施例的一部分的示意性子午截面图;
图26示出了包括镜面反射器的EUV投射光刻的投射曝光设备的照明光学部件的光学设计的另一实施例的类似于图24的视图;
图27示出了照明光学部件的聚光器分面镜的椭圆分立镜分配到镜面反射器的分立镜的替换形式的类似于图26的视图;
图28示出了打在根据图26和27的镜面反射器上的源图像的平面图;
图29示出了投射曝光设备的替换实施例的部分被照明的物场的平面图;
图30示出了用于根据图2的场分面镜的分立镜的平面图;
图31示出了沿图30中的方向XXXI的分立镜的视图,其中示出的分立镜的反射表面处于未倾斜的中性位置;
图32示出了图31的放大截面图;
图33示出了沿图30中的方向XXXII的分立镜的视图;
图34示出了借助于驱动器处于倾斜位置的分立镜的类似于图31的视图;
图35示出了根据图30至34的分立镜的倾斜接头的截面图,其中该倾斜接头是固体接头;
图36示出了用于根据图30至34的分立镜的镜体的受控倾斜的静电电容驱动器的实施例的示意图,在驱动器的两个电极之间没有施加电压;
图37示出了根据图36的驱动器,其中电压施加在驱动器的两个电极之间;
图38和39示出了由分立镜构成的分面镜的反射表面的平铺的另一实施例。
具体实施方式
图1示出了穿过微光刻的投射曝光设备1的示意性子午截面图。投射曝光设备1的照明系统2具有辐射源3和照明光学部件4,照明光学部件4照明物平面6中的物场5。在此过程中,掩模母版(reticle)(图中未示出)被照明,其中该掩模母版布置在物场5中,且由掩模母版夹具(未示出)保持在合适的位置。投射光学部件7用于将物场5成像到像平面9中的像场8。掩模母版上的结构成像到晶片(图中未示出)的光敏层上,该晶片布置在像场8的区域内的像平面9中,并且由晶片夹具(未示出)固定在合适的位置。
辐射源3是发射5nm和30nm之间的范围内的有用光的EUV辐射源。该辐射源可以是等离子体源,例如GDPP源(气体放电产生的等离子体)或LPP源(激光产生的等离子体)。基于同步加速器的辐射源也可用作辐射源3。本领域技术人员将在例如US6,859,515 B2中找到这种类型的辐射源的有用信息。由辐射源3发射的EUV辐射10由聚光器11聚焦。相应的聚光器在EP 1 225 481 A中公开。聚光器11的下游的EUV辐射10在照射到场分面镜13之前传播穿过中间焦平面12。场分面镜13设置在照明光学部件4的平面内,该平面与物平面6光学共轭。
在下文中,EUV辐射10还被称为为照明光或成像光。
在场分面镜13的下游,EUV辐射10由光瞳分面镜14反射。该光瞳分面镜14设置在照明光学部件4的光瞳面内,该光瞳面与投射光学装置7的光瞳面光学共轭。借助于光瞳分面镜14和以传输光学部件15的形式的成像光学组件,场分面镜13的分立的场面(separate field facet)19成像到物场5,该场分面镜13也被称为子场或分立镜组,并且在下文中将详细描述,并且相应于光束路径的方向,该传输光学部件15包括由16、17和18标示的面镜。传输光学部件15的最后的镜子18是掠入射镜。
图1示出了笛卡尔xyz坐标系,这便于位置关系的描述,该坐标系是全局的坐标系,用于描述投射曝光设备1的元件在物平面6和像平面9之间的位置关系。x轴垂直于图1的图画平面,并延伸到该平面内。y轴朝向图1中的右侧延伸。z轴在图1中向下延伸,并因此垂直于物平面6和像平面9。
图2示出了场分面镜13的构造细节的高度示意性视图。场分面镜13的整个反射表面20被分成行和列,以形成分立镜21的格栅。每个分立镜21的各自的反射表面是平面。一分立镜行22包括多个紧邻的分立镜21。一分立镜行22可包括几十个到几百个分立镜21。在根据图2的例子中,分立镜21是方形形状。允许实现的平铺具有尽可能小的间隙的其它形状的分立镜也是可应用的。用于分立镜的这些替换形状从平铺的数学理论中已知。在此方面,将参考“Mathematisches Mosaik”(Mathematical Mosaic),科隆(1977)中的Istvan Reimann:“Parkette,geometrisch betrachtet”(A geometric view of tilings)以及Jan Gulberg:“Mathematics-From the birth of numbers”纽约/伦敦(1997)。
具体而言,场分面镜13可如DE 10 2006 036 064 A1中所述进行配置。
取决于场分面镜13的设计,分立镜列23也包括多个分立镜21。分立镜列23例如由几十个分立镜21构成。
图2示出了笛卡尔xyz坐标系,该坐标系用作场分面镜13的局部坐标系,用于更容易描述位置关系。相应的局部xyz坐标系还可以在后续的示出分面镜或其一部分的平面图的附图中找到。在图2中,x轴朝向右侧水平延伸,并且平行于分立镜的行22。在图2中y轴向上延伸,并且平行于分立镜的列23。z轴垂直于图2的图画平面,并延伸出所述图画平面外。
在投射曝光期间,掩模母版夹具和晶片夹具沿y方向被同步扫描。扫描方向和y方向之间的较小角度是可能的,如下文所述。
场分面镜13的反射表面20具有沿x方向的广度x0。沿y方向,场分面镜13的反射表面20具有广度y0
取决于场分面镜13的设计,分立镜21具有的x/y广度在例如600μm×600μm至例如2mm×2mm的范围内。分立镜21可以被成形,从而对于照明光10具有聚焦效果。当场分面镜13暴露于发散照明光3中时,分立镜21的该聚焦效果特别有利。取决于设计,整个场分面镜13具有x0/y0的广度,该广度达到例如300mm×300mm或600mm×600mm。分立场面19示出了25mm×4mm或104mm×8mm的典型x/y广度。取决于各自的分立场面19的大小和形成这些单独的场面19的分立镜21的大小之间的关系,每个分立场面19具有相应数量的分立镜21。
每个分立镜21连接到驱动器24,以单独偏转入射照明光10;这在图2中通过两个虚线的分立镜21示出,这两个虚线的分立镜布置在反射表面20的下方左手侧的角落里,以及在图3中示出,其中图3示出了分立面行22的一部分的更详细视图。在每种情况下,驱动器24布置在分立镜21一侧,其远离分立镜21的反射侧。该驱动器24例如可以是压电式驱动器。从微镜阵列的设计中已知这样的驱动器的设计。
在每种情况下,分立镜行22的驱动器24经由信号线25连接到行信号总线26。分立镜行22被分配到行信号总线26的对应之一。分立镜行22的行信号总线26继而连接到主信号总线27。所述主信号总线27经由信号连接到场分面镜13的控制装置28。该控制装置28尤其配置为并行驱动分立镜21,换句话说,一行或一列分立镜21共同地被驱动。
每个分立镜21关于彼此垂直的两个倾斜轴可单独地倾斜,这两个倾斜轴中的第一倾斜轴平行于x轴,并且这两个倾斜轴中的第二倾斜轴平行于y轴。这两个倾斜轴设置在各自的分立镜21的分立的反射表面中。
除此之外,借助于驱动器24,分立镜21在z方向上可单独位移。因此,分立镜21可彼此分开地被驱动,以沿反射表面20的法向位移。这允许改变反射表面20的整个外形,如图4至6中高度示意的视图所示。这允许反射表面轮廓被制成具有较大矢状高度,换句话说反射表面的形貌具有较高的变化,其形式为均布置在一个平面内的类似于菲涅尔透镜的镜区域。划分成类似于菲涅尔带的镜区域消除了具有较大矢状高度的这种镜面形貌的基本曲率。
图4示出了分立镜行22的一部分分立镜21的分立的反射表面,借助于控制装置28和驱动器24,该分立镜行22的所有分立镜21都被设置成具有相同的绝对z位置。结果导致该分立镜行22的平面行反射表面。如果场分面镜13的所有分立镜21根据图4设置,那么场分面镜13的整个反射表面20是平面的。
图5示出了该分立镜行22的分立镜21的驱动,其中中心的分立镜21m相对于相邻的分立镜21r1、21r2和21r3在负z方向位移。这导致阶梯式布置,该布置致使照射到根据图5的该分立镜行22的EUV辐射10的相应相位偏移。由两个中心分立镜21m反射的EUV辐射10经历最大的相位偏移。在边缘处的分立镜21r3产生最小的相位偏移。相对于中心分立镜21m产生的相位滞后,设置在其之间的分立镜21r1、21r2产生的相位滞后逐渐变得越来越小。
图6示出了在该分立镜行22的显示的截面上的分立镜21的驱动,使得一方面通过分立镜21相对于彼此沿z方向的偏移配置,并且另一方面通过分立镜21相对于彼此取向,形成分立镜的凸行22。这对于产生场分面镜13的分立镜组的成像效果是有用的。自然地,分立镜组21的相应的凹布置也是可能的。
取决于经由控制装置28的驱动,上文中参考图5和6解释的相应形式不限于x维度,而是甚至在场分面镜13的y维度中可以继续。
驱动器24经由控制装置28的单独驱动允许给定分组的分立镜21被布置在上述分立镜组中,每个分立镜组包括至少两个分立镜21,在每种情况下一个分立镜组界定场分面镜13的分立场面19。由几个分立镜21构成的这些分立场面19与例如从US 6,438,199 B1或US 6,658,084 B2中已知的场面具有相同的效果。
图7示出了该类型的分组,该图示出了场分面镜13的替换实施例的场面板(field facet plate)的一部分反射表面20,其中与图2所示相比,该场分面镜13包括更多数量的分立镜21。与上文中参考图2至6已经进行解释的元件相应的元件具有相同的附图标记,并且不再详细讨论。在图7的例子中,通过经由控制装置28的组合驱动,在反射表面20上形成总共12个分立镜组19。每个分立镜组19由分立镜21的24×3阵列构成,换句话说,具有三行分立镜,每行分立镜具有二十四个分立镜21。因此,每个分立镜组19即每个通过该组形成的分立场面具有8比1的纵横比。该纵横比相应于将被照明的物场5的纵横比。
每个分立镜组19的分立镜21相对于彼此布置,使得每个分立镜组19的形状相应于传统场分面镜的分立面的形状。因此,每个分立镜组19界定分立面。
图8示出了安装在投射曝光设备1内的光瞳分面镜14的细节。光瞳分面镜14包括圆形的光瞳面板29,该光瞳面板设置有多个分立镜21。在根据图8的实施例中,有用的分立镜21关于光瞳面板29的中心30布置为环形构造。该构造的环状宽度大致相应于十一个相邻分立镜21的宽度。同样地,光瞳面板29的中心30设置有分立镜21,这些分立镜也布置成相应的格栅图案;然而,这些分立镜21没有被显示,因为它们没有用于根据图8的环形即环状设置。
该环形构造的分立镜21布置为成行或成列的格栅图案,相应于上文中根据图2至7描述的场分面镜13。光瞳分面镜14的分立镜21也具有驱动器,并且由控制装置28驱动。这些驱动器和驱动器的信号连接类型与上文中关于场分面镜13所述的相应。
光瞳分面镜14的分立镜21也可分构成分立镜组。这将在下文中借助于图14和15进行解释。
图9至13示出了场分面镜13的分立镜21的各种例子,其中场分面镜13被分组为分立镜组。
图9示出了这样的情况,其中场分面镜13的所有分立镜21被分组为单个分立镜组31。在此情况下,场分面镜13的所有分立镜21由控制装置28以相同的方式驱动,例如,处于相同z位置的镜子关于x轴倾斜,并关于y轴倾斜相同的倾斜角度。如果这两个倾斜角度中的每个倾斜角度总计为零,那么场分面镜13将是由分立镜21构成的平面镜。场分面镜13的总纵横比是x0/y0
根据图10,场分面镜13被划分成两个分立镜组32、33。图10的上分立镜组32包括场分面镜13的上一半,而分立镜组33包括场分面镜13的下一半。这两个组32、33中的每个组的分立镜21再次由控制装置28以相同的方式驱动。这可导致场分面镜包括相应于分立镜组32、33的两个分立面。这些分立面32、33的纵横比是2x0/y0
根据图11,场分面镜13被划分成总共四个分立镜组34至37,这些分立镜组具有的纵横比是4x0/y0,并且在每种情况下覆盖反射表面20的整个行宽。因此,这四个分立镜组34至37界定四个具有上述纵横比的分立面。
根据图12,场分面镜13的分立镜21被划分成总共八个分立镜组38至45,这些分立镜组在每种情况下相应于一行场分面镜13,并且具有的纵横比是8x0/y0。因此这样分组可以产生总共具有八个分立面的场分面镜。
根据图13,场分面镜13的分立镜21被分组,使得在每行场分面镜13中,在每种情况下八个相邻的分立镜21被分组为一个分立镜组46。这些分立镜组46中的每一个分立镜组具有的纵横比是8∶1。如果场分面镜13的每分立镜行22由例如80个分立镜21构成,那么根据图13的分组的每行22包括十个分立镜组46,这合计达到总共80个分立镜组46。在根据图13的实施例中,这允许场分面镜13形成有80个分立面。
图14和15示出了作为场分面镜的光瞳分面镜47的照明,光瞳分面镜47与光瞳分面镜14相类似,该场分面镜总共具有十九个分立镜组,这些分立镜组根据图2至7和9至13所述被划分成组。类似于根据图8的光瞳分面镜14,光瞳分面镜47的圆形光瞳面板29覆盖有形成行和列的格栅图案的分立镜21。光瞳分面镜47的被照明的分立镜21由阴影线表示。照明被引导到在每种情况下具有圆形边界的分立镜组48。在分立镜组48的圆形边界内,由场分面镜生成的多个图像被布置,该场分面镜设置在照明光的光束路径的上游,所述多个图像是被设定为圆形的辐射源的图像,或是所述辐射源的图像的图像。该辐射源可以根据图1的被设定为圆形的辐射源1而被提供。所述辐射源的图像可以设置在照明和成像光的光束路径的中间焦点中。这些多个图像也被称为源图像。如果光瞳分面镜47的中间焦点中的源图像偏离圆形形状,那么分立镜组48的形状相应地可适合于源图像的形状。如果辐射源的图像例如是椭圆形,那么光瞳分面镜47上的分立镜48可具有相应的椭圆边界。辐射源图像或源图像的其它形状也是可能的,例如六边形或矩形形状,这导致光瞳分面镜47上的最佳平铺。通过在中间焦平面内的相应光阑布置,辐射源图像的这些形状也是可以实现的。通过改变光瞳分面镜47的分立镜组48的分组布置,照明光学部件4可适于改变辐射源图像在中间焦点的形状,该形状变化是由于光阑的改变而导致的。当辐射源改变时,例如当GDPP辐射源由LPP辐射源替换时,这也是可应用的。
光瞳分面镜47的每个分立镜组48正好由场分面镜13的一个分立镜组(例如由分立镜组19(参看图7))照明。光瞳分面镜47设置有总共十九个被照明的分立镜组48。如已经提及的,上游场分面镜13被划分为十九个指定的分立镜组19。场分面镜13的十九个分立镜组19分配到光瞳分面镜47上的十九个分立镜组48导致总共十九个通道,用于EUV辐射10从场分面镜13到物场5的光路径。
在光瞳分面镜的每个分立镜组48内,九个中心分立镜21被完全照明,而围绕中心分立镜21的其它分立镜21被部分照明。这些至少部分被照明的分立镜21形成分立镜组48,借助于控制装置28,该分立镜组48将作为一组被驱动。每个分立镜组48的分立镜21被驱动,使得经由光瞳分面镜47的分立镜组48和下游传输光学部件16,场分面镜13的指定的分立镜组(例如是根据图7的实施例的指定的分立镜组19)的图像被成像到物场5。借助于场分面镜13,在分立镜组48的位置处生成二次辐射源,该二次辐射源被成像到投射平面7的光瞳面。因此,EUV辐射10在光瞳分面镜47上的强度分布直接关联物平面6内物场5的照明的照明角度分布。
在根据图14的照明例子中,分立镜组48大致均匀地分布在光瞳面板29上。因而,物场5以这样的照明角度被照明,该照明角度分布在光瞳面板29的整个孔径上。这导致物场5的从所有方向的近似传统的照明,这是由投射光学部件7的像侧数值孔径来限定的。
图15示出了光瞳分面镜47的不同于图14的照明,换句话说,已经改变了投射曝光设备1的照明设置。通过场分面镜13的各自的分立镜组的成组或集体驱动,例如根据图7的分立镜组19,光瞳面板29的边缘处的分立镜组49被照明。这导致物场5在物平面6内的近似环状照明角度分布的照明。照明分布的环形的最小宽度由分立镜组49的宽度界定,这样该最小宽度是可以调节的。
为了确保即使当照明设置已经根据图15被改变,各个场面被成像到物场5,分立场面(例如根据图7的实施例的分立镜组19)和分立镜组49的分立镜21这两者需要相应地通过使用控制装置28使各个组倾斜而被重新调整。换句话说,当照明设置改变时,一方面场分面镜13的分立镜组和另一方面光瞳分面镜47的分立镜组需要由控制装置28同步驱动。
当使用根据图8的光瞳分面镜14时,根据图15的照明也是可能的。所述光瞳分面镜14可以各种环形照明设置照明物场,这些环形照明设置的差别之处在于物场5中的最小和最大照明角度。
图16示出了场分面镜13的分立镜21的分组的另一替换样式。根据图16的场分面镜13的分立镜组50被分组,使得分立镜组50具有弓形的包络51。该包络51通过选择相应的分立镜21而再现。分立镜组50包括在图16中用阴影示出的那些分立镜21。相应地,分立镜组50形成弓形分立面,用于照明物平面6内的相应的弓形或环形物场5。同样地,可以形成多个这样的具有弓形或环形包络51的分立镜组50,用于照明相应形成的物场。如同上述的其它分立镜组一样,场分面镜13的分立面21的数量需要一方面取决于分立镜组的期望数量进行设置,并且另一方面取决于再现期望的包络(例如包络51)的期望分辨率进行设置,借助于分立镜21的平铺或格栅图案。
图17至20示出了场分面镜13的分立镜组或分立面19的布置或构造的各种例子。如参考图2至16所述,这些分立镜组19中的每一个被划分成多个没有详细示出的分立镜21。在图17至20中示出的每个分组能够由同一场分面镜13生成。这些图在每种情况下仅示出了分立镜组19,另一方面,设置在这些分组之间但没有被使用的分立镜没有示出。
根据图17的场分面镜13被分组为总共四个的分立镜组19的列52。场分面镜13被中心十字形区域53中的上游元件遮挡;在该区域53中,相邻的分立镜组19被设置成彼此间距更远,使得在该区域53中没有成组的分立镜。
根据图18的场分面镜13被分组,使得继而由多个分立镜(未示出)构成的分立镜组19布置成列,这些列相对于彼此以图7中示出的截面所示的方式偏移。在分立镜组19的该构造中,中心的宽度增加的场分面镜13的水平中心部分54没有覆盖成组的分立镜21。该部分54也由设置在根据图18的场分面镜13的上游的部件遮挡。
在根据图18的场分面镜13中,分立镜组19设置在超级组55中。一些相邻超级组的行相对于彼此偏移,以形成根据图18的场分面镜13的圆形包络。
根据图17和18的场分面镜13的分立镜组19具有的纵横比x/y是13∶1。因此这些分立镜组19可由13个相邻的方形分立镜21形成。
图19示出了多个弓形或环形分立镜组50的构造的例子,每个分立镜组50与上文中参考图16所述的相应。分立镜组50,即根据图19的场分面镜13的分立面,布置为十个分立镜组50的超级组56,在图19中每个分立镜组叠置。超级组56继而布置成五个超级组列。超级组56对称布置,这样允许它们被列入圆形包络57中。
图20示出了场分面镜13的另一构造,该场分面镜13被划分成弓形或环形分立镜组50。这些分立镜组50继而被分组为超级组58,超级组在每种情况下包括不同数量的分立镜组50。在图20的左下方示出的超级组58a例如被划分成九个分立镜组50。其它的超级组58具有或多或少的分立镜组50。由于聚光器11形成的中心阴影,场分面镜13的中心部分59没有设置分立镜组13。
根据图19和20的实施例的分立镜组50的纵横比总计为x/y=13∶1,其中x指的是分立镜组50之一沿x方向的宽度,并且y指的是分立镜组50之一沿y方向的广度。
图21和22示出了光瞳分面镜47划分成分立镜组60、61的各种划分。另外,这些图仅示出了分立镜组,没有示出成组的分立镜之间的分立镜。根据图21和22的划分使用同一光瞳分面镜47就可以实现。
在根据图21的实施例中,光瞳分面镜47被划分成分立镜组60,这些分立镜组形成多个绕中心区域62的同心圆。每个分立镜组60继而由光瞳分面镜47的多个分立镜21构成,如上文中参考图8、14和15所述。光瞳分面镜47总共包括多于100个分立镜组60,在根据图21的实施例中,分立镜21的数量总计多于1000。
根据图22的分立镜21被分组,使得圆形的分立镜组61布置为近似六边形的封闭包。
根据图21和22的分组已经被证实特别适合于形成具有给定照明角度分布的照明设置。如果需要的话,一些分立镜组60、61或其超级组可被阻挡掉,通过倾斜它们的物分面镜13的上游分立镜组19,以界定特定照明设置。
作为图2的替换,图23示出了覆盖有分立镜21的上述分面镜之一的反射表面20的平铺。根据图23的平铺的分立镜21也是方形。分立镜21没有布置为行和列的格栅图案,而是相邻列相对于彼此偏移了分立镜21的边长的一半。
根据图23的平铺允许弓形或环形分立镜组(例如根据图19和20的分立镜组50)被形成,从而邻近包络51有较小的损失,与布置为行和列的格栅图案的平铺相比,在给定的最大允许损失,这需要更少的分立镜或像素分辨率。
图24示出了包括替换的照明光学部件的投射曝光设备1。与上文中参考图1至23已经描述的那些元件相应的元件具有相同的附图标记,并且不再详细讨论。
辐射源3的下游的第一个元件是光束形成聚光器63,该光束形成聚光器在根据图1的布置中具有聚光器11的功能。聚光器63的下游设置有镜面反射器64。镜面反射器64形成入射EUV辐射10,使得EUV辐射10照明物平面6中的物场5,这导致在图24中没有示出的投射光学部件的光瞳面65中的给定的、例如具有圆形边界的均匀照明的光瞳照明分布,换句话说相应的照明设置,所述光瞳面65设置在掩模母版的下游。镜面反射器65的效果在US 2006/0132747 A1中进行了描述。类似于上文描述的分面镜,镜面反射器64的反射表面划分成分立镜21。取决于照明需求,镜面反射器64的这些分立镜被分组为分立镜组,即被分组为镜面反射器64的面。
图25示出了光瞳分面镜14的替换照明,该照明与根据图1的照明不同。与上文中参考图1至23已经描述的那些元件相应的元件具有相同的附图标记,并且不再详细讨论。在图25中,照明系统2被示出并且包括光瞳分面镜14。
与根据图1的照明系统2相对照,根据图25的照明系统2没有设置聚光器11和场分面镜13之间的中间焦平面。在图25中没有详细示出的场分面镜13的分立镜组的反射表面可以是平面表面。
在上述场分面镜13的分立镜组的各种实施例的一个实施例中,一些分立镜21的驱动可单独地与该组的剩余分立镜21的驱动不同,换句话说它们可从分立镜组中去除。因此,由此形成的场分面镜13的各个分立面能够单独地设置特定阻挡或遮蔽,这对于校正物场5内的照明强度的均匀性是有用的。
相应地,在光瞳分面镜14、47的分立镜组的上述各种实施例中的一个实施例内,一些分立镜21的驱动可单独地与该组的其它分立镜21的驱动不同,换句话说它们可从分立镜组中去除。借助于特定的阻挡或遮蔽,光瞳分面镜14、47上的各种源图像(参看图14和15中的48)能够被单独地阻挡掉。这对于校正或设置在物场5上的照明角度的特定强度分布是有用的。
相应地,结合在镜面反射器64上的分立镜组的分立面可单独地从分立镜组中去除。
图26示出了照明光学部件的另一实施例。与上文中参考图1至25已经描述的那些元件相应的元件具有相同的附图标记,并且不再详细讨论。
辐射源3的下游的第一个元件是聚光器66,该聚光器66具有连续的镜面,换句话说没有设置面。该镜面例如可以是椭圆的镜面。聚光器66可以由嵌套的聚光器替换。
在中间焦平面12的下游,EUV辐射10照射在聚光器分面镜67上。所述聚光器分面镜67具有平面载板68,该平面载板加入到固定在其上的椭圆体的分立镜69的x/y阵列。该椭圆体的分立镜69紧邻反射面,导致最大部分的EUV辐射10将被聚光器分面镜67的椭圆体分立镜69反射。该椭圆体分立镜69连接到驱动器(未示出),该驱动器允许椭圆体分立镜69单独地倾斜。椭圆体分立镜69形成,使得它们都吸收相同立体角的EUV辐射10。
辐射源3设置在椭圆体聚光器66的一个焦点中,然而中间焦平面12的中间焦点设置在椭圆体聚光器66的其它焦点中。
在聚光器分面镜67的下游,镜面反射器70设置在EUV辐射10的光束路径中,该镜面反射器70包括分立镜21的x/y阵列。由EUV辐射10照射的每个椭圆体分立镜69被分配到后续光束路径中镜面反射器70的分立镜21之一,导致EUV辐射10将被划分为大量的辐射通道,这些辐射通道相应于被照射的椭圆体分立镜69的数量,并且这些辐射通道中的每一个辐射通道达到椭圆体分立镜69之一,然后分别地达到镜面反射器70的分配的分立镜21。
中间焦平面12的中间焦点设置在椭圆体分立镜69之一的对应的焦点中,同时在椭圆体分立镜69的第二焦点中设置镜面反射器70的分立镜21,其被分配到所述椭圆体分立镜69。换句话说,该镜面反射器70设置在用于辐射源3的源图像72的像平面71中。这些源图像72离散地布置在像平面71中,换句话说它们布置成离彼此一定距离。这在图28中示出,该图28是在镜面反射器70的位置的源图像72的平面图。相应于镜面反射器的被照明的分立面21的数量,提供了总共数百个这样的源图像72,这些源图像设置为等距的x/y格栅图案。所有的源图像72的包络基本上具有肾或豆的形状。
从镜面反射器70上的源图像72继续,布置掩模母版的物平面6内的物场5的物场部分73经由各个辐射通道被照明。该物场部分73以通常变形的矩形x/y格栅图案的方式覆盖物场5。
由于该物场部分73在每种情况下被分配到一个源图像72,因此该物场部分73还被称为源斑点。该物场部分73的被照明形状与椭圆体分立镜69的边界形状相关联。
镜面反射器70没有布置在根据图26的照明光学部件的光瞳面内。
物场5具有局部环形形状,例如具有沿y方向8mm宽度并且沿x方向104mm宽度的槽。镜面反射器70的分立镜21形成EUV辐射的辐射通道,使得由物场部分73形成的物场在物平面6内被照明,并且在与下游投射光学装置的光瞳面相一致的照明光学部件的下游光瞳面中获得期望的强度分布,由此确保在掩模母版上获得期望的照明角度分布。
图26是逐个通道的照明的示意性轮廓,其中相邻的椭圆体分立镜69导致EUV辐射10照射在镜面反射器70的相邻分立镜21上。这样的相邻关系不是必须的。事实上,可期望去除这样的相邻布置,使得例如一方面邻近关系的椭圆体分立镜69以及另一方面镜面反射器70的分立镜21不会通过点反转、镜像或通过识别功能彼此转换。这在下文中还被称为在图27中示出的邻近关系的混合,该图27示出了椭圆体分立镜69与镜面反射器70的分立镜21的另一关系。
当邻近关系根据图27被混合时,这导致通过镜面反射器70产生的物场部分73的相应的混合照明,这允许物场5被照明并且具有较好的均匀性。这减小对物场照明的均匀性的影响,这是由于辐射源3的发射特性的改变,或镜面反射器70的上游布置的光学系统的反射率(尤其在表面上)的改变,例如由于镜面的选择性的污染。
例如使用US 6,438,199 B1中公开的算法可以产生椭圆体分立镜69到镜面反射器70的分立镜21的混合分配。该分配例如可以是交叉方式,结果是镜面反射器70的相邻分立镜21被来自非相邻椭圆体分立镜69的光照射。
镜面反射器70的分立镜21的数量超过聚光器分面镜67的椭圆体分立镜69的数量。以此方式,椭圆体分立镜69的驱动器能够被驱动,使得镜面反射器70的分立镜21的各个子组被调整以实现物场5的各种期望照明。每个源图像72可在分立镜21中的恰好一个分立镜上生成。
镜面反射器70的分立镜21在每种情况下也连接到驱动器,这允许它们相对于像平面71单独地倾斜。在调整椭圆体分立镜69之后,这使得能够相应地重新调整镜面反射器70的分立镜21。
图26和27示出了椭圆体分立镜69的组74的示意图,该椭圆体分立镜69的组74沿y方向延伸,并且分配到镜面反射器70的分立镜21的组75以及分配到物场点73的组、分立镜21的组75和沿y方向延伸的物场点73的组。
一方面聚光器分面镜67以及另一方面镜面反射器70的驱动器可被驱动,使得椭圆体分立镜69或镜面反射器70的分立镜21能够成组地被驱动。然而,这样的特定组的驱动不是必须的。
聚光器分面镜67可由分开预制的椭圆体分立镜69组装。制造聚光器分面镜67的另一方法允许所述聚光器分面镜67单片地形成,例如通过单钻石加工。然后聚光器分面镜67借助于HSQ或聚酰胺旋转涂层而变平滑。该HSQ方法在Farhad Salmassi等,Applied Optics,45卷,no.11,2404至2408页中进行了描述。
制造聚光器分面镜67的另一方法允许聚光器分面镜67借助于电镀而由基体电化学地形成。
辐射源3、聚光器66和聚光器分面镜67可以集成为多源阵列。该类型的多源阵列在德国专利申请No.10 2007 008 702.2中进行了描述,该申请被认为是完全结合到本申请中。在将被照明的区域中,换句话说在物场中,多源阵列的每个辐射源仅能够照明局部区域,换句话说物场部分。
椭圆体分立镜69,或如果分立镜21是弯曲的,甚至上述实施例的分立镜21可继而由多个平面微镜配置,并且所述多个平面表面以类似多面体的方式近似椭圆体分立镜69或弯曲的分立镜21的各个弯曲表面。
一般地,这些微镜可继而借助于驱动器而可位移,这些微镜近似椭圆体分立镜69或弯曲的分立镜21的弯曲表面。在此情况下,这些微镜可用于影响分立镜69、21的成像特性。
该类型的微镜例如可以被设计成类似于微镜阵列(MMA),在微镜阵列中使用横向连接的弹簧接头,可移动地安装分立镜,并且微镜阵列静电地可被驱动。该类型的微镜阵列对于本领域技术人员公知为“MEMS”(微机电系统),该类型的微型阵列例如在EP 1 289 273 A1中公开。
在上述实施例中,分立镜21和69提供了照明通道,用于在投射曝光设备1的物场5中交叠EUV辐射10,换句话说照明光。这样的照明通道AK示例性地在图26和27中示出。相应的照明通道还在根据图1至25的实施例中找到。这些分立镜21和69具有这样的广度的镜面,使得这些分立镜照明通道照明物场5中的比物场5小的物部分。这示意性地在镜面反射器70的图26和27中示出。通过组装分配给不同的分立镜照明通道的物场部分,物场5的该照明还通常地应用于根据图1至25的实施例中。
图29是示例性物场5的示意图,该物场由总共22个照明通道照明,并且所述照明通道照明相应的22个物场部分76。物场部分76之间的边界77、78分别沿x方向或沿y方向延伸。
扫描方向yscan不是严格地平行于y方向,换句话说该扫描方向不是垂直于物场5的长场轴x,而是相对于所述场轴x倾斜角度α,其中在使用具有根据图29的物场照明的投射曝光设备1的投射曝光期间,晶片夹具和掩模母版夹具同步地沿该扫描方向位移。因此,当扫描通过物场5时,仅仅在一部分扫描处理期间,掩模母版上的点看见,沿y方向延伸且在两物场部分76之间的边界78中的一个(甚至看不到)。这防止在通过物场5的整个扫描处理期间,掩模母版上的将被成像的点沿边界78之一总是移动,这改善了掩模母版上将被成像的点的强度的均匀性,当物场被局部照明时该掩模母版上的点被暴露。
替换地,物场部分能够被布置,使得沿扫描方向在物场点之间没有连续的边界。如果相应于根据图23的旋转90°的布置的物场5使用相应于根据图23的分立面21的物场部分而被照明,那么获得例如相对于彼此偏移的交叠的物场部分的这种布置。在此情况下,存在相对于彼此偏移且垂直于扫描方向的物场部分的行,结果是即使扫描方向yscan严格地与y方向一致,在掩模母版上也没有一个这样的点,即在扫描通过物场5时总是沿物场部分之间的边界移动的点。因此,该类型的偏移布置还有助于避免不期望的在扫描处理期间暴露于该场点的强度的不均匀性。
如果物场部分具有边缘不平行于扫描方向的边界形状时,可以获得相应的均匀性。这例如可以通过梯形的或棱形的分立镜21而实现,该分立镜21的形状界定物场部分的形状。
为了防止分立镜21、69的锋利边缘被成像到像场,这将导致像场8内不期望的强度非均匀性,使用传输光学部件15可以实现分立镜21、69的图像的特定散焦,或镜像的特定像差。为此目的,传输光学部件15可以被配置,使得在物平面6的上游或下游生成分立镜21、69的图像的锋利边缘。
分立镜21、69可具有多层涂层,该多层涂层包括钼和硅的分立层,以优化分立镜21、69对于使用的EUV波长的反射率。
在光瞳分面镜包括没有划分成分立镜的光瞳面的情况下,分立镜照明通道可通过同一个光瞳面而被成组地传输到物场5。这些光瞳面中的每一个都界定组照明通道,其结合分配到该光瞳面的分立镜照明通道。于是,该组照明通道的数量相应于没有划分成分立镜的光瞳面的数量。相应于组照明通道划分成分立镜照明通道,这些光瞳面中的每一个以及每个组照明通道则被分配到场分面镜的大量的分立镜。为了修改照明角度分布,光瞳面的数量可超过组照明通道的数量。
在场分面镜和光瞳分面镜都划分成分立镜21的实施例中,场分面镜的相邻分立镜21不需要经由相邻光瞳面分立镜而被传输(与根据图26和27的镜面反射器的上述描述相比较);事实上,可提供成组的场面分立镜和光瞳面分立镜,这些分立镜在空间任意混合,用于整个物场5的结合照明。
下文是分立镜的实施例的更加详细的描述,例如借助于图30至34,形成根据图2的场分面镜13的分立镜21之一。与上文中参考图1至29已经进行解释的元件相应的元件具有相同的附图标记,并且不再详细讨论。
根据图31至34的分立镜21具有镜板形式的镜体79。该镜体79由硅组成。镜体79具有矩形的反射表面80,在根据图30至34的实施例中为大致方形形状,用于反射EUV辐射10。反射表面80可设置有多层反射涂层,用于优化分立镜21对于EUV辐射10的反射率。
分立镜21的镜体79相对于由硅组成的坚硬载体主体可绕两个倾斜轴倾斜。这两个倾斜轴在图30至34中用w1和w2表示。这两个倾斜轴w1、w2中的每一个是倾斜接头82、83的一部分,在每种情况下该倾斜接头是固体接头。这两个倾斜轴w1、w2彼此垂直。倾斜轴w1平行于x轴,而倾斜轴w2平行于y轴。镜体70和载体主体81可由FiO2或Fi3N4形成。倾斜轴w2设置在镜体79的延伸平面内。邻近镜体79的实际反射表面80,存在不能倾斜的较小的死表面区域83a,该死表面区域83a在图30中示出在倾斜轴w2的上方。这两个倾斜轴w1、w2平行于反射表面80的平面延伸。替换地,倾斜接头82、83也可以被布置,使得两个倾斜轴w1、w2中的至少一个设置在反射表面80的平面内。
适合于形成分立镜21的可适应EUV和高真空材料的其它例子包括CVD(化学气相沉积)金刚石、SiC(碳化硅)、SiO2(二氧化硅)、Al2O3、铜、镍、铝合金和钼。
图32示出了倾斜轴w1的倾斜接头82的放大视图。倾斜接头83相应地形成。
垂直于倾斜轴w1,换句话说沿图32的z方向,倾斜接头82具有接头厚度S。沿该倾斜轴w1,换句话说沿图32的x方向,倾斜接头82具有接头长度L(参看图33)。接头长度L的尺寸与镜体79的横向延伸可比较。
在根据图30至34的分立镜21中,接头长度L等于大约1mm。在图中过大的接头厚度S等于1μm。因此,在根据图30至34的分立镜21中,L/S的商大致等于1000。
镜体79经由倾斜接头83与中间载体主体84连接为一体,该倾斜接头83的尺度,特别是其接头厚度S和接头长度L相应于倾斜接头82的接头厚度和接头长度。该中间载体主体84也由硅组成。根据图33的横截面,中间载体主体84是L形状,并且具有紧邻倾斜接头83的接头部分85,以及设置在镜体79下方的板部分86,换句话说在镜体79的远离反射表面80的一侧。在倾斜接头83的区域中,在镜体79和中间载体主体84的接头部分85之间存在距离B,该距离B也被称为倾斜接头83的宽度。
中间载体主体84的板部分86经由倾斜接头82与载体主体81的接头部分87连接为一体。该接头部分87固定到载体主体81的板部分88。载体主体81的板部分88设置在中间载体主体84的板部分86下方。在图31和33中所示的中性位置处,中间载体主体84的板部分86、载体主体81的板部分88彼此平行。
两个电极驱动器89、90被设置用于镜体79关于两个倾斜轴x1、x2的受控倾斜(参看图34)。电极驱动器89分配给倾斜接头82,并因此也被称为w1驱动器90。电极驱动器90分配给倾斜接头83,并因此也被称为w2驱动器。w2驱动器的第一电极是镜体79,该镜体自身是导电的。w2驱动器90的相对电极91是导电的涂层,该涂层施加于中间载体主体84的板部分86,并且该涂层面对镜体79。在分立镜21的中性位置中,相对电极79离镜体79具有大约100μm的距离。
w2驱动器90的两个电极90、91经由信号线92连接到可驱动的电压源93。该电压源93经由信号线94连接到驱动器控制装置95。
相对电极91同时是w1驱动器89的电极。w1驱动器89的相对电极96由导电涂层形成,该导电涂层施加于载体主体81的板部分88。w1驱动器89的相对电极96设置在载体主体81的板部分88的面对中间载体主体84的板部分86的一侧上。在该中性位置,换句话说在未受力的状态中,w1驱动器89的相对电极96离中间载体主体84的板部分86的距离等于100μm。
电极91、96经由信号线92电连接到另一电压源97。电压源97经由另一控制线98连接到驱动器控制装置95。
当施加直流电压V1和V2(参看图34)时,中间载体主体84的板部分86可控地关于倾斜轴w1朝向载体主体81的板部分88可倾斜,并且镜体79可控地关于倾斜轴w2相对于中间载体主体84的板部分86可倾斜,在每种情况下可倾斜给定的倾斜角度。关于各自的倾斜轴w1、w2的倾斜角度的模尤其取决于倾斜接头82、83的尺度、取决于电极90、91、96的表面面积、取决于彼此离开的距离,并且当然取决于施加的电压V1、V2的量。施加的电压V1、V2允许关于两个倾斜轴w1、w2连续地调整倾斜角度。
图34示出了倾斜的位置,在该位置,在施加电压V1、V2之后,一方面,中间载体主体84的板部分86关于倾斜轴w1已经相对于并且朝向载体主体81的板部分88倾斜,并且另一方面,镜体79关于倾斜轴w2已经相对于且朝向中间载体主体84的板部分86倾斜。入射EUV辐射10由镜体79的反射表面80以确定的方式偏转,如图34所述。
图35是图32的替换视图,示出了倾斜接头82的实施例中的尺度关系。在该实施例中,接头厚度S也等于大约1μm,接头宽度B等于大约20μm,并且与图35的绘图平面垂直的接头长度L等于大约1mm。
图36和37示出了驱动器119的另一实施例,用于例如单个镜子21的反射表面80关于至少一个倾斜轴w1、w2的受控倾斜。与上文中参考图30至35已经进行解释的元件相应的元件具有相同的附图标记,并且不再详细讨论。
驱动器119具有可动电极120,该电极的自由端121(参看图36和37)设置有分配给驱动器119的倾斜接头,以与图36和37中没有示出的接头主体建立可动连接。可动电极120是平坦的,并且在图36和37的截面图中示出。在根据图36和37的横截面视图中,可动电极120是弯曲的。
驱动器119的相对电极22刚性连接载体主体81的板部分88。相对电极122例如是施加到载体主体81的板部分88上的涂层。在可动电极120和相对电极122之间设置有层,该层是电介质123的形式。电介质123可以是相对电极122上的平坦的涂层。
相对电极122在接触区域124内与可动电极120直接接触。可动电极120的远离区域125与相对电极122隔开,并且与电介质123隔开。可动电极120的自由端121是远离区域125的一部分。
图36和37示出了可动电极120的两个位置。图36示出了中性位置,在该位置,在两个电极120、122之间没有施加电压。可动电极120的自由端121于是设置在离板部分88最大距离处。图37示出了这样的位置,在该位置中,在电极120、122之间施加大约80V的倾斜电压。
在根据图37的该倾斜位置中,可动电极120的邻近接触区域124的区域也开始与电介质123接触,导致自由端121离载体主体81的板部分88的距离相应地减小。
根据图36和37的这样的驱动器119也称为微型卷轴驱动器。
倾斜接头的其它实施例可以具有接头长度L比接头厚度S的不同尺度关系。L/S可以大于50、大于100、大于250或甚至大于500。大于1000的L/S关系也是可能的。
上文解释的用于使镜体79倾斜的驱动器可包括集成的传感器,该传感器用于测量关于倾斜轴w1、w2的各个倾斜角度。该传感器可尤其用于监控预设倾斜角度。
图38和39示出了上述包括分立镜21的分面镜之一的反射表面20上的平铺的另一实施例。
在根据图38的平铺中,相邻列的分立镜21沿y方向相对于彼此偏移。这在图38中借助于两列S1和S2示出。布置在这些列S1、S2中的分立镜组19的相邻分立镜21在每种情况下沿y方向相对于彼此偏移了分立镜21的y范围的一半。在其它相邻列中,比较列S3和S4,在这些列中彼此相邻布置的分立镜组19的分立镜21在每种情况下沿y方向相对于彼此偏移了分立镜21的整个y范围。该偏移允许实现分立镜组19的曲率的给定较大半径,尽管各个分立镜21的y范围较大。以此方式,例如分立镜组19可适合于弯曲的物场形状。在图38的边缘的分立镜组19之一被突出,以更加容易地被辨认。
图39示出了分立镜21的布置以及这些分立镜21分组为分立镜组19的替换分组的另一实施例。仅在图39的x方向上局部示出的分立镜组19具有x/y纵横比,该纵横比相应于根据图38的分立镜组19的纵横比。与根据图38的分立镜组19相对照,根据图39的分立镜组19是矩形形状。根据图39的这些分立镜组19中的每一个可照明矩形的物场。还可能的是使用根据图39的矩形分立镜组19来照明弓形的物场;在此情况下,例如掠入射镜18(参看图1)于是将确保形成相应的场。
用分立镜21平铺分面镜13的方式类似于用木板瓦平铺房屋墙壁。每个分立镜组19包括七行相邻的分立镜21,这些分立镜叠置。这些行之间的接头140是连续水平的,换句话说它们沿x方向延伸。在其中一行中的相邻分立镜21之间的接头141相对于y方向以角度T设置,即相对于分立镜21的列布置的方向。在示出的实施例中,角度T等于大约12°。其它接头角度T也是可能的,例如5°、8°、15°、19°或20°的接头角度T。
每个分立镜21具有的x/y纵横比,其相应于分立镜19的x/y纵横比。根据图39,这似乎不是这种情况,这是由于当沿x方向观看时分立镜21以压缩视图示出。
投射曝光设备1用于将物场5中的至少一部分掩模母版成像到像场8内的晶片上的光敏层区域,用于微结构或纳米结构元件的光刻制造,尤其诸如微芯片的半导体元件。取决于投射曝光设备1是否被设计为扫描曝光机或步进曝光机,掩模母版和晶片以时间上同步的方式沿y方向位移,即当以扫描器模式操作时连续地位移或当以步进模式操作时递增地位移。
如果这些分立镜21和69不是布置在照明光学部件的场平面内时,那么对于分立镜21和69的倾斜角度的经界定的设置允许沿y方向在像场8上界定成像光10的强度扫描分布,即强度分布。该类型的扫描分布可以是类似于高斯分布的y坐标的函数。替换地,该类型的扫描分布可以是梯形形状的y坐标的函数。该类型的替换扫描分布也可以通过用高斯函数对矩形函数进行卷积而获得。

Claims (31)

1.在EUV微光刻的投射曝光设备(1)中用作光学元件的分面镜(13,14;47;64;67,70),
-所述分面镜(13,14;47;64;67,70)包括分立镜(21;69),所述分立镜提供分立镜照明通道(AK),用于将照明光(10)引导到所述投射曝光设备(1)的物场(5),
-所述分立镜(21;69)具有镜面,使得所述分立镜照明通道(AK)照明所述物场(5)内比所述物场(5)小的物场部分(73;76);和
-所述分立镜(21;69)经由驱动器(24)能够倾斜。
2.根据权利要求1所述的分面镜,其特征在于,所述分立镜(21;69)具有这样的镜面,使得需要至少两个分立镜照明通道(AK)用于照明整个物场(5)。
3.根据权利要求1所述的分面镜,其特征在于,至少一个分立镜组(19;31;32,33;34至37;38至45;46;48;50;60;61)被设计成照明整个物场(5)。
4.在微光刻的投射曝光设备(1)中用作光学元件的分面镜(13,14;47;64;67,70),
-包括多个分立镜(21;69),
-对于入射照明光(10)的单独偏转,在每种情况下所述多个分立镜被连接到至少一个驱动器(24),
-使得所述多个分立镜通过分离的驱动能够关于至少一个倾斜轴(x,y)倾斜,
-连接到所述驱动器(24)的控制装置(28),被配置使得允许将分立镜(21;69)分组为给定的分立镜组(19;31;32,33;34至37;38至45;46;48;50;60;61),所述分立镜组在每种情况下设置至少两个分立镜。
5.根据权利要求3至4中任一项所述的分面镜,其特征在于,所述分立镜组形成分立面(19;31;32,33;34至37;38至45;46;50),所述分立面具有的面形状,其相应于所述投射曝光设备(1)中将被照明的物场(5)的场形状。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的分面镜,其特征在于,所述分立镜组(19;31;32,33;34至37;38至45;46)具有矩形包络。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的分面镜,其特征在于,所述分立镜组(48;49;50)具有弓形的、环形的或圆形的包络(51)。
8.根据权利要求3至7中任一项所述的分面镜,其特征在于,所述分立镜组形成镜区域(48;49;60;61),所述镜区域具有相应于所述投射曝光设备(1)内被照明的物场(5)中的照明角度分布的布置。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的分面镜,其特征在于,所述分立镜(21)是多边形,并且以平铺的方式覆盖所述分立面或镜区域。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的分面镜,其特征在于,所述分立镜(21)中的每一个分立镜具有平坦的反射表面。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的分面镜,其特征在于,所述分立镜(21)能够单独地被驱动,用于沿所述分面镜的反射表面(20)的法线(z)位移。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的分面镜,其特征在于,镜区域(48;49;60;61)或分立面(19;31;32,33;34至37;38至45;46;50)的分立镜以行和列布置。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的分面镜,其特征在于,所述控制装置(28)经由信号总线(26,27)连接到所述驱动器(24)。
14.根据权利要求13所述的分面镜,其特征在于,所述控制装置(28)被配置用于成行的分立镜(21)的集体驱动。
15.根据权利要求3至14中任一项所述的分面镜,其特征在于,所述控制装置(28)被配置,使得一个分立镜组(19;31;32,33;34至37;38至45;46;50;60;61)的各个分立镜(21)的驱动能够分别地不同于所述分立镜组的剩余分立镜(21)的驱动。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的分面镜,其特征在于,所有的分立镜(21;69)布置在共同的平面载体(68)上。
17.微光刻的投射曝光设备(1)使用的照明光学部件(4),包括至少一个根据权利要求1至16中任一项所述的分面镜。
18.根据权利要求17所述的照明光学部件,其特征在于根据权利要求1至16中任一项所述的两个分面镜(13,14)。
19.根据权利要求17或18所述的照明光学部件,其特征在于,分立镜组(74,75)被分配给分立镜照明通道,所述分立镜照明通道照明物场(5)中的相邻物场部分(73;76),并组合以形成整个物场。
20.根据权利要求17至19中任一项所述的照明光学部件,其特征在于,所述分面镜(13)布置在所述照明光学部件(4)的物平面内。
21.投射曝光设备,包括根据权利要求17至20中任一项所述的照明光学部件(4)、生成照明和成像光(10)的辐射源(3)以及投射光学部件(7),所述投射光学部件将所述投射曝光设备的物场(5)成像到像场(8)。
22.根据权利要求21所述的投射曝光设备,其特征在于,所述辐射源(3)是EUV辐射源。
23.根据权利要求21或22所述的投射曝光设备,其特征在于,所述分面镜是在所述辐射源(3)和所述物场(5)之间设置在所述照明光(10)的光束路径中的镜面反射器(64;70)。
24.根据权利要求23所述的投射曝光设备,其特征在于,在所述镜面反射器(70)的上游形成照明光(10)的光束,使得所述镜面反射器(70)用分配给所述镜面反射器(70)的分立镜(21)的所述辐射源(3)的多个图像(72)离散地进行照明。
25.根据权利要求21至24中任一项所述的投射曝光设备,其特征在于,所述分面镜(67)布置在所述辐射源(3)和镜面反射器(64;70)之间。
26.根据权利要求24和25所述的投射曝光设备,其特征在于,与所述镜面反射器(70)相比,布置在所述辐射源(3)和所述镜面反射器(70)之间的所述分面镜(67)包括更少量的分立镜(69)。
27.根据权利要求21至26中任一项所述的投射曝光设备,其特征在于,照明光(10)的聚光器(66)布置在所述辐射源(3)和至少一个分面镜(67)之间。
28.根据权利要求27所述的投射曝光设备,其特征在于,所述聚光器(66)具有连续的即非分面的镜面。
29.根据权利要求21至28中任一项所述的投射曝光设备,在投射曝光期间,扫描方向(yscan)以对于所述投射曝光设备(1)的像场(8)和物场(5)的长场轴(x)的垂线(y)的角度(α)延伸,在扫描方向用于保持图案将投射到其上的晶片的晶片夹具与用于保持掩模母版的掩模母版夹具同步地位移,其中所述掩模母版包括将被投射的图案。
30.制造微结构或纳米结构元件的方法,所述方法包括下列步骤:
-提供晶片,所述晶片的至少一部分被涂敷有光敏材料的涂层;
-提供包括将被成像的结构的掩模母版;
-提供根据权利要求21至29中任一项所述的投射曝光设备(1);
-借助于所述投射曝光设备(1)的投射光学部件(7),将所述掩模母版的至少一部分投射到所述涂层的区域上。
31.一种用根据权利要求30所述的方法制造的微结构元件。
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CN201310194962.0A Active CN103293665B (zh) 2008-02-15 2009-02-06 微光刻的投射曝光设备使用的分面镜

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Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310194962.0A Active CN103293665B (zh) 2008-02-15 2009-02-06 微光刻的投射曝光设备使用的分面镜

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9411241B2 (zh)
EP (1) EP2243047B1 (zh)
JP (3) JP5487118B2 (zh)
KR (2) KR101593712B1 (zh)
CN (2) CN101946190B (zh)
TW (2) TWI639892B (zh)
WO (1) WO2009100856A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103547955A (zh) * 2011-03-25 2014-01-29 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射镜阵列
CN104246617A (zh) * 2012-03-09 2014-12-24 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv投射光刻的照明光学单元及包含该照明光学单元的光学系统

Families Citing this family (161)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7843632B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
EP2243047B1 (en) 2008-02-15 2021-03-31 Carl Zeiss SMT GmbH Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
DE102009000099A1 (de) * 2009-01-09 2010-07-22 Carl Zeiss Smt Ag Mikrospiegelarray mit Doppelbiegebalken Anordnung und elektronischer Aktorik
DE102009045135A1 (de) * 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE102009045694B4 (de) 2009-10-14 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102009054540B4 (de) * 2009-12-11 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithographie
DE102009054888A1 (de) * 2009-12-17 2011-06-22 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Optisches Element mit einer Mehrzahl von refletiven Facettenelementen
JP2013516079A (ja) * 2009-12-29 2013-05-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 照明システム、リソグラフィ装置および照明方法
DE102010001388A1 (de) * 2010-01-29 2011-08-04 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Facettenspiegel zum Einsatz in der Mikrolithografie
WO2011107601A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Micronic Mydata AB 1.5d slm for lithography
DE102011004615A1 (de) * 2010-03-17 2011-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102010029651A1 (de) 2010-06-02 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern
DE102011085132A1 (de) 2010-11-24 2012-05-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe für die Projektionslithografie
DE102010062720B4 (de) 2010-12-09 2012-07-12 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem
DE102011003928B4 (de) 2011-02-10 2012-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102011004326A1 (de) 2011-02-17 2012-08-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102011005840A1 (de) 2011-03-21 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Steuerbare Mehrfachspiegelanordnung, optisches System mit einer steuerbaren Mehrfachspiegelanordnung sowie Verfahren zum Betreiben einer steuerbaren Mehrfachspiegelanordnung
DE102011005940A1 (de) 2011-03-23 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Spiegelanordnung, optisches System mit EUV-Spiegelanordnung und Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems mit EUV-Spiegelanordnung
DE102011077234A1 (de) 2011-06-08 2012-12-13 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Spiegelanordnung, optisches System mit EUV-Spiegelanordnung und Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems mit EUV-Spiegelanordnung
JP6093753B2 (ja) * 2011-03-23 2017-03-08 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euvミラー機構、euvミラー機構を備えた光学系、及びeuvミラー機構を備えた光学系を操作する方法
EP2697688B1 (en) 2011-04-14 2018-12-19 Carl Zeiss SMT GmbH Facet mirror device
DE102011076297A1 (de) * 2011-05-23 2012-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Blende
US8681413B2 (en) 2011-06-27 2014-03-25 Kla-Tencor Corporation Illumination control
DE102011078928A1 (de) 2011-07-11 2013-01-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102011080052A1 (de) 2011-07-28 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, optisches System mit Spiegel und Verfahren zur Herstellung eines Spiegels
DE102011082065A1 (de) 2011-09-02 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Array
DE102011086513A1 (de) 2011-11-16 2013-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
EP2798402B1 (en) 2011-12-28 2021-11-24 Carl Zeiss SMT GmbH Mask and scanning projection exposure method for microlithography
DE102012201235B4 (de) 2012-01-30 2013-08-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Einstellen einer Beleuchtungsgeometrie für eine Be-leuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012202536A1 (de) 2012-02-20 2013-08-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102012203716A1 (de) 2012-03-09 2013-09-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie sowie optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102012203950A1 (de) 2012-03-14 2013-09-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102012204273B4 (de) 2012-03-19 2015-08-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102012204833A1 (de) 2012-03-27 2013-02-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Glatte euv-spiegel und verfahren zu ihrer herstellung
DE102012206609B4 (de) 2012-04-23 2023-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlführungsoptik für ein Vielstrahlsystem sowie Verfahren
DE102012206612A1 (de) 2012-04-23 2013-10-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement zur Führung eines Strahlungsbündels
DE102012207511A1 (de) 2012-05-07 2013-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel
DE102012207866A1 (de) 2012-05-11 2013-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe für eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie
DE102012208016A1 (de) 2012-05-14 2013-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE102012208064A1 (de) 2012-05-15 2013-11-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012208521A1 (de) 2012-05-22 2013-06-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102012010093A1 (de) 2012-05-23 2013-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel
DE102012209132A1 (de) 2012-05-31 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102012210174A1 (de) 2012-06-18 2013-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
DE102012210961A1 (de) 2012-06-27 2013-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe für eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie
DE102012212064A1 (de) * 2012-07-11 2014-01-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographianlage mit segmentiertem Spiegel
DE102012212453A1 (de) 2012-07-17 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik
DE102012212664A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Einstellen eines Beleuchtungssettings
DE102012213515A1 (de) 2012-08-01 2014-02-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012213937A1 (de) 2012-08-07 2013-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Austauscharray
DE102012219936A1 (de) 2012-10-31 2014-04-30 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lichtquelle zur Erzeugung eines Nutz-Ausgabestrahls für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102012220596A1 (de) 2012-11-13 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
DE102013202590A1 (de) 2013-02-19 2014-09-04 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lichtquelle zur Erzeugung eines Nutz-Ausgabestrahls für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102013204305A1 (de) 2013-03-13 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zur Aktuierung wenigstens eines Elementes in einem optischen System
JP6453251B2 (ja) 2013-03-14 2019-01-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための照明光学ユニット
DE102014204388A1 (de) 2013-03-14 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
WO2014139814A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for projection lithography
DE102013209442A1 (de) 2013-05-22 2014-11-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
DE102013218748A1 (de) 2013-09-18 2014-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
DE102013211268B4 (de) 2013-06-17 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtunsoptik für die lithografische Projektionsbelichtung
DE102013212613B4 (de) * 2013-06-28 2015-07-23 Carl Zeiss Sms Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102013213545A1 (de) * 2013-07-10 2015-01-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102013217269A1 (de) * 2013-08-29 2015-03-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrospiegel-Array
DE102013218130A1 (de) 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102013218131A1 (de) * 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik sowie Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithographie
DE102013218749A1 (de) 2013-09-18 2015-03-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102013219057A1 (de) 2013-09-23 2015-03-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102013219986A1 (de) 2013-10-02 2015-04-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102014220203A1 (de) 2013-11-21 2015-05-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
EP2876498B1 (en) * 2013-11-22 2017-05-24 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102013224435A1 (de) 2013-11-28 2015-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Messanordnung zur Messung optischer Eigenschaften eines reflektiven optischen Elements, insbesondere für die Mikrolithographie
DE102014201622A1 (de) 2014-01-30 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Spiegelelements
DE102014203187A1 (de) * 2014-02-21 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102014203189A1 (de) * 2014-02-21 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Array
DE102014206589A1 (de) 2014-04-04 2015-10-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Justieren eines Spiegels einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102014210609A1 (de) 2014-06-04 2015-12-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
NL2015073A (en) 2014-07-15 2016-04-12 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus and method of manufacturing devices.
DE102014222884A1 (de) 2014-11-10 2016-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungseinrichtung für ein Projektionsbelichtungssystem
DE102014215088A1 (de) 2014-07-31 2016-02-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungseinrichtung für ein Projektionsbelichtungssystem
DE102014216802A1 (de) * 2014-08-25 2016-02-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektions-Lithographie
DE102014217610A1 (de) * 2014-09-03 2016-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102014217611A1 (de) * 2014-09-03 2016-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102014217608A1 (de) 2014-09-03 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer zweiten Facette eines im Strahlengang zweiten facettierten Elements einer Beleuchtungsoptik
DE102014217612A1 (de) * 2014-09-03 2016-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungoptik für die Projektonslithograpfie
DE102014221173A1 (de) 2014-10-17 2016-04-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlungsquellenmodul
DE102014221175A1 (de) 2014-10-17 2016-04-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Projektionsbelichtungssystem
DE102014223326B4 (de) 2014-11-14 2018-08-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Vorhersage mindestens eines Beleuchtungsparameters zur Bewertung eines Beleuchtungssettings und Verfahren zur Optimierung eines Beleuchtungssettings
KR20170086559A (ko) 2014-11-18 2017-07-26 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 투영 리소그라피를 위한 광학 서브시스템 및 투영 리소그라피를 위한 조명 광학 유닛
DE102014223453A1 (de) 2014-11-18 2016-05-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102014226272A1 (de) 2014-12-17 2016-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Einrichtung
DE102014226920A1 (de) 2014-12-23 2016-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
DE102014226918A1 (de) 2014-12-23 2016-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
DE102014226917A1 (de) 2014-12-23 2015-12-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithographie
DE102014226921A1 (de) 2014-12-23 2016-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlungsquellenmodul
TWI701517B (zh) 2014-12-23 2020-08-11 德商卡爾蔡司Smt有限公司 光學構件
DE102015201870A1 (de) * 2015-02-03 2016-08-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zur Positionsmanipulation eines Elementes, insbesondere in einem optischen System
DE102015208571A1 (de) 2015-05-08 2016-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
WO2016128253A1 (de) 2015-02-11 2016-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die euv-projektionslithografie
DE102015202411A1 (de) 2015-02-11 2016-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102015203469A1 (de) 2015-02-26 2015-04-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer gekrümmten optischen Spiegelfläche
DE102015208514A1 (de) * 2015-05-07 2016-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für die EUV-Projektionslithografie sowie Beleuchtungsoptik mit einem derartigen Facettenspiegel
DE102015209175A1 (de) 2015-05-20 2016-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel
DE102015212658A1 (de) 2015-07-07 2017-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographieanlage und verfahren zum betreiben einer lithographieanlage
DE102015212878A1 (de) 2015-07-09 2017-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlführungsvorrichtung
DE102015213275A1 (de) 2015-07-15 2017-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung für eine Lithographiebelichtungsanlage und Spiegelanordnung umfassendes optisches System
DE102015216438A1 (de) 2015-08-27 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Sensoranordnung für eine Lithographieanlage, Lithographieanlage und Verfahren zum Betreiben einer Lithographieanlage
WO2017050360A1 (en) 2015-09-23 2017-03-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Method of operating a microlithographic projection apparatus and illuminations system of such an apparatus
DE102016217555A1 (de) 2015-12-04 2016-11-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system einer mikrolithographischen projektionsanlage sowie verfahren zum messen eines kippwinkels
DE102015224598A1 (de) 2015-12-08 2016-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik
DE102015224742B4 (de) 2015-12-09 2020-06-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Anlage und Verfahren zum Betreiben einer Anlage
DE102015225510A1 (de) 2015-12-16 2017-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelelement, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US10890849B2 (en) 2016-05-19 2021-01-12 Nikon Corporation EUV lithography system for dense line patterning
DE102016212260A1 (de) 2016-07-05 2017-06-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Messung einer Ausrichtung eines Moduls
DE102016215300A1 (de) 2016-08-17 2016-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik
DE102016217426A1 (de) 2016-09-13 2017-08-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlteiler
DE102016222033A1 (de) 2016-11-10 2016-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Zuordnung von Feldfacetten zu Pupillenfacetten zur Schaffung von Beleuchtungslicht-Ausleuchtungskanälen in einem Be-leuchtungssystem in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
JP2018091759A (ja) * 2016-12-05 2018-06-14 リコーエレメックス株式会社 光切断検査装置
DE102017200428B3 (de) 2017-01-12 2018-06-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zum Vermessen eines Abbildungsfehlers
DE102017200658A1 (de) 2017-01-17 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102017200663A1 (de) 2017-01-17 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Zuordnung von Ausgangs-Kippwinkeln von kippbaren Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels für eine Projektionsbelich-tungsanlage für die Projektionslithografie
CN110291462B (zh) 2017-02-01 2021-07-20 卡尔蔡司Smt有限责任公司 设备和操作设备的方法
DE102017202930A1 (de) 2017-02-23 2017-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Regelung einer Beleuchtungsdosis einer Beleuchtung eines Objekt-feldes einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Projektionsbelichtungsanlage zur Durchführung des Verfahrens
CN110431486B (zh) * 2017-03-16 2022-03-15 株式会社尼康 控制装置及控制方法、曝光装置及曝光方法、元件制造方法、数据生成方法和计算机可读介质
US11934105B2 (en) 2017-04-19 2024-03-19 Nikon Corporation Optical objective for operation in EUV spectral region
US11054745B2 (en) 2017-04-26 2021-07-06 Nikon Corporation Illumination system with flat 1D-patterned mask for use in EUV-exposure tool
US11300884B2 (en) 2017-05-11 2022-04-12 Nikon Corporation Illumination system with curved 1d-patterned mask for use in EUV-exposure tool
WO2018208912A2 (en) * 2017-05-11 2018-11-15 Nikon Corporation Illumination system with curved 1d-patterned mask for use in euv-exposure tool
DE102017210162A1 (de) 2017-06-19 2017-08-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
EP3422102A1 (en) 2017-06-26 2019-01-02 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
DE102017210686B4 (de) 2017-06-26 2020-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Justieren eines Beleuchtungssystems für die Mikrolithographie
DE102017212352A1 (de) 2017-07-19 2018-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Reinigungsmodul und Verfahren zur in situ Reinigung einer Quellkammer einer EUV-Strahlungsquelle, Strahlungsquellenmodul und Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102017215664A1 (de) 2017-09-06 2019-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102017216703A1 (de) 2017-09-21 2019-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Charakterisierung mindestens einer optischen Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102017217266A1 (de) * 2017-09-28 2019-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung von Eigenschaften einer EUV-Quelle
DE102017219217B4 (de) 2017-10-26 2021-03-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Masken für die Mikrolithographie, Verfahren zur Bestimmung von Kantenpositionen der Bilder der Strukturen einer derartigen Maske und System zur Durchführung eines derartigen Verfahrens
DE102017220586A1 (de) 2017-11-17 2019-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel, Beleuchtungsoptik und optisches System für eine Projek-tionsbelichtungsanlage
DE102018200167A1 (de) * 2018-01-08 2019-07-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel, Beleuchtungsoptik und optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102018201457A1 (de) 2018-01-31 2019-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102018211077A1 (de) 2018-07-05 2018-10-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographieanlage und verfahren zum betreiben einer lithographieanlage
DE102018212224A1 (de) 2018-07-23 2020-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Rückkopplung von emittierter Strahlung in eine Laserquelle
DE102018221128A1 (de) 2018-12-06 2020-06-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Tauschen eines Spiegels in einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Lagedaten-Messeinrichtung zum Durchführen des Verfahrens
DE102019200193B3 (de) * 2019-01-09 2020-02-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102019217507A1 (de) 2019-02-04 2020-08-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102020205123A1 (de) 2020-04-23 2021-10-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Facetten-Baugruppe für einen Facettenspiegel
DE102020206876B4 (de) 2020-06-03 2022-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Strahlungsquelle, Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle und Einsatz für einen Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle
DE102020212351A1 (de) 2020-09-30 2022-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrospiegel-Array für eine beleuchtungsoptische Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102020213837A1 (de) 2020-11-04 2021-08-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel-Vorrichtung
KR20230130117A (ko) 2021-01-19 2023-09-11 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 투영 노광 시스템을 설정하는 방법, 마이크로리소그래피용투영 노광 방법 및 투영 노광 시스템
DE102021212394A1 (de) 2021-11-03 2023-05-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102021213827A1 (de) 2021-12-06 2023-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Optimierung einer Pupillen-Blendenform zur Nachbildung von Beleuchtungs- und Abbildungseigenschaften eines optischen Produktionssystems bei der Beleuchtung und Abbildung eines Objekts mittels eines optischen Messsystems
DE102021214366A1 (de) 2021-12-15 2023-06-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Vermeidung einer Degradation einer optischen Nutzoberfläche eines Spiegelmoduls, Projektionssystem, Beleuchtungssystem sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102022213100A1 (de) 2022-01-13 2023-07-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Aktuator-/sensor-vorrichtung, optikmodul und lithographieanlage
DE102022204098A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102022204996A1 (de) 2022-05-19 2023-11-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung eines Restgases mittels eines Restgasanalyseverfahrens in einem Vakuum einer Vakuumkammer
DE102022207546B3 (de) 2022-07-25 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel-Baugruppe, Beleuchtungsoptik, optisches System, Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie Bauteil
DE102022209214A1 (de) 2022-09-05 2024-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Einzelspiegel eines Pupillenfacettenspiegels und Pupillenfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage
WO2024056600A1 (en) 2022-09-13 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Method to adjust an illumination beam path within an illumination optics and illumination optics having an adjustment system
DE102022209908A1 (de) 2022-09-21 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel, Beleuchtungsoptik, Anordnung eines Facettenspiegels, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines nanostrukturierten Bauelements
DE102023208870A1 (de) 2022-09-23 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betreiben einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102023202360A1 (de) 2023-03-15 2023-06-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102023203095A1 (de) 2023-04-04 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Vorgeben einer Soll-Verteilung einer Beleuchtungs-Intensität über eine Feldhöhe eines Feldes einer Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3060357B2 (ja) * 1994-06-22 2000-07-10 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いてデバイスを製造する方法
JPH0881168A (ja) 1994-09-14 1996-03-26 Mitsubishi Denki Bill Techno Service Kk 多速度型引戸に於ける異物挟み込み検出装置
US6438299B1 (en) 1997-09-30 2002-08-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Assembly and method for furcating optical fibers
JPH11150051A (ja) * 1997-11-17 1999-06-02 Nikon Corp 露光方法及び装置
US20050002090A1 (en) * 1998-05-05 2005-01-06 Carl Zeiss Smt Ag EUV illumination system having a folding geometry
US6859515B2 (en) * 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
US6438199B1 (en) * 1998-05-05 2002-08-20 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system particularly for microlithography
DE10138313A1 (de) 2001-01-23 2002-07-25 Zeiss Carl Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm
DE10053587A1 (de) 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
US6195201B1 (en) * 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography
DE19931848A1 (de) 1999-07-09 2001-01-11 Zeiss Carl Fa Astigmatische Komponenten zur Reduzierung des Wabenaspektverhältnisses bei EUV-Beleuchtungssystemen
WO2001009684A1 (de) * 1999-07-30 2001-02-08 Carl Zeiss Steuerung der beleuchtungsverteilung in der austrittspupille eines euv-beleuchtungssystems
JP2004510344A (ja) * 2000-09-29 2004-04-02 カール ツァイス シュティフトゥング トレイディング アズ カール ツァイス 特にマイクロリソグラフィ用の照明光学系
EP1262836B1 (en) * 2001-06-01 2018-09-12 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1289273A1 (de) 2001-08-28 2003-03-05 Siemens Aktiengesellschaft Scanning-Kamera
US7090362B2 (en) 2001-11-09 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror having a number of mirror facets
WO2003040796A1 (en) * 2001-11-09 2003-05-15 Carl Zeiss Smt Ag Tilting mirror
TWI253545B (en) * 2001-11-30 2006-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
AU2002364975A1 (en) * 2002-02-09 2003-09-02 Carl Zeiss Smt Ag Multi-faceted mirror
DE10219514A1 (de) * 2002-04-30 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie
US6700644B2 (en) * 2002-06-05 2004-03-02 Euv Llc Condenser for photolithography system
KR100480620B1 (ko) 2002-09-19 2005-03-31 삼성전자주식회사 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
DE10317667A1 (de) 2003-04-17 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für ein Beleuchtungssystem
EP1486824A1 (en) * 2003-06-11 2004-12-15 ASML Netherlands B.V. A movable stage system for in a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus and device manufacturing method
EP1668421A2 (en) * 2003-09-12 2006-06-14 Carl Zeiss SMT AG Illumination system for a microlithography projection exposure installation
US6977718B1 (en) * 2004-03-02 2005-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Lithography method and system with adjustable reflector
JP2006080109A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Nikon Corp 照明装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
US7136214B2 (en) * 2004-11-12 2006-11-14 Asml Holding N.V. Active faceted mirror system for lithography
EP1814147A4 (en) * 2004-11-17 2010-06-02 Nikon Corp LIGHTING APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING MICRO DEVICE
JP2006253486A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Nikon Corp 照明装置、投影露光方法、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP2006253487A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Nikon Corp 照明装置、投影露光方法、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP5061903B2 (ja) * 2005-10-11 2012-10-31 株式会社ニコン 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2007234717A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Nikon Corp 露光装置
GB2438601B (en) * 2006-05-24 2008-04-09 Exitech Ltd Method and unit for micro-structuring a moving substrate
JPWO2007138805A1 (ja) * 2006-05-25 2009-10-01 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102006036064A1 (de) 2006-08-02 2008-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen ≦ 193 nm
US8937706B2 (en) * 2007-03-30 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
EP2243047B1 (en) 2008-02-15 2021-03-31 Carl Zeiss SMT GmbH Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103547955A (zh) * 2011-03-25 2014-01-29 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射镜阵列
CN103547955B (zh) * 2011-03-25 2017-06-09 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射镜阵列
US9791691B2 (en) 2011-03-25 2017-10-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror array
CN104246617A (zh) * 2012-03-09 2014-12-24 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv投射光刻的照明光学单元及包含该照明光学单元的光学系统
US9645501B2 (en) 2012-03-09 2017-05-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for EUV projection lithography, and optical system comprising such an illumination optical unit
CN104246617B (zh) * 2012-03-09 2018-09-25 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv投射光刻的照明光学单元及包含该照明光学单元的光学系统

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TWI639892B (zh) 2018-11-01
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CN103293665A (zh) 2013-09-11
KR20100126370A (ko) 2010-12-01
EP2243047A1 (en) 2010-10-27
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TW200942983A (en) 2009-10-16
US20110001947A1 (en) 2011-01-06

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