DE102020206876B4 - EUV-Strahlungsquelle, Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle und Einsatz für einen Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle - Google Patents

EUV-Strahlungsquelle, Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle und Einsatz für einen Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle Download PDF

Info

Publication number
DE102020206876B4
DE102020206876B4 DE102020206876.3A DE102020206876A DE102020206876B4 DE 102020206876 B4 DE102020206876 B4 DE 102020206876B4 DE 102020206876 A DE102020206876 A DE 102020206876A DE 102020206876 B4 DE102020206876 B4 DE 102020206876B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
insert
longitudinal direction
radiation source
passage channel
euv radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102020206876.3A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102020206876A1 (de
Inventor
Iris Pilch
Juan Jose Hasbun Wood
Christof Metzmacher
Michael Hagg
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102020206876.3A priority Critical patent/DE102020206876B4/de
Priority to NL2028265A priority patent/NL2028265B1/en
Priority to US17/336,480 priority patent/US11550225B2/en
Priority to JP2021093499A priority patent/JP7284781B2/ja
Publication of DE102020206876A1 publication Critical patent/DE102020206876A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102020206876B4 publication Critical patent/DE102020206876B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70975Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Ein innerer Einsatz (11) für eine Durchtrittsöffnung (10) in einem äußeren Einsatz (8) für eine EUV-Strahlungsquelle (1) ist mehrteilig ausgebildet und/oder weist mehrere sich in Längsrichtung (9) erstreckende Abschnitte (26, 27) mit unterschiedlichen Innendurchmessern (di, da) auf.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine EUV-Strahlungsquelle, einen Einsatz für eine derartige EUV-Strahlungsquelle und einen Einsatz für einen Einsatz für eine derartige EUV-Strahlungsquelle. Außerdem betrifft die Erfindung ein Beleuchtungssystem, eine Projektionsbelichtungsanlage und ein Metrologiesystem mit einer derartigen EUV-Strahlungsquelle.
  • In einer EUV-Strahlungsquelle kann Nutzstrahlung im EUV-Bereich dadurch erzeugt werden, dass in einer Quellkammer der EUV-Strahlungsquelle ein Quell-Plasma gezündet wird. Die US 2011 / 0 089 834 A1 beschreibt eine Ausführung einer EUV-Strahlungsquelle mit einer Elektroden-Plasma-Erzeugungseinrichtung. Aus der EP 1 774 838 B1 ist eine induktiv gekoppelte Plasmaquelle bekannt.
  • Eine EUV-Strahlungsquelle ist beispielsweise auch aus Blackborow et al. (2010), „EUV source development for AIMS and blank inspection"; Proc SPIE, 7636 bekannt.
  • EUV-Strahlungsquellen finden in Beleuchtungssystemen für Projektionsbelichtungsanlagen, insbesondere für die EUV-Lithographie, - Inspektionsanlagen sowie Metrologiesystemen, Verwendung. Eine entsprechende Projektionsbelichtungsanlage ist beispielsweise aus der WO 2009/100 856 A1 bekannt.
  • Aus der DE 10 2015 203 160 A1 ist eine optische Anordnung für die EUV-Lithografie bekannt.
  • Beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage ist es wesentlich, dass die EUV-Strahlungsquelle Strahlungspulse mit im Wesentlichen gleichbleibender, konstanter Intensität erzeugt. Es hat sich gezeigt, dass dies insbesondere nach einem Austausch von Verschleißteilen der Strahlungsquelle nicht unmittelbar der Fall ist. Üblicherweise müssen EUV-Strahlungsquellen daher nach einem Austausch von Verschleißteilen einen langwierigen und aufwändigen Konditionierungsprozess unterzogen werden.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine EUV-Strahlungsquelle zu verbessern. Es ist insbesondere eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine EUV-Strahlungsquelle derart zu verbessern, dass der Konditionierungs-Prozess nach einem Austausch von Verschleißteilen der EUV-Strahlungsquelle vereinfacht, insbesondere verkürzt wird.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Strahlungsquelle mit einem in eine Kammeröffnung einsetzbaren ersten Einsatz mit einem sich in einer Längsrichtung erstreckenden Durchtrittskanal und einem im Durchtrittskanal angeordneten inneren Einsatz gelöst. Der Kern der Erfindung besteht darin, den inneren Einsatz mehrteilig auszubilden und/oder derart, dass er mehrere, insbesondere zwei, drei oder mehr, sich in Längsrichtung erstreckende Abschnitte mit unterschiedlichen Innendurchmessern aufweist.
  • Der in die Kammeröffnung einsetzbare erste Einsatz und der im Durchtrittskanal angeordnete innere Einsatz bilden selbstständige Gegenstände der vorliegenden Erfindung.
  • Der erste Einsatz wird auch als äußerer Einsatz oder als „Carrier“ („Träger“) bezeichnet. Teilweise wird auch der erste Einsatz mit dem Durchtrittskanal und dem inneren Einsatz als Ganzes als Bore bezeichnet.
  • Der innere Einsatz wird teilweise auch als „Sleeve“ (Hülse) bezeichnet. Er kann insbesondere hülsenartig ausgebildet sein. Er kann insbesondere hülsenartige Abschnitte aufweisen.
  • Der innere Einsatz weist insbesondere hohlzylindrische Abschnitte auf. Hierunter sei verstanden, dass der vom inneren Einsatz definierte, insbesondere in Richtung senkrecht zur Längsrichtung begrenzte, innere Durchtrittskanal zumindest abschnittsweise zylindrisch, insbesondere kreiszylindrisch, ausgebildet ist. Er kann insbesondere einen kreisförmigen Querschnitt aufweisen.
  • Der Außenumfang des inneren Einsatzes kann prinzipiell im Wesentlichen beliebig sein. Der innere Einsatz kann insbesondere auch einen kreisförmigen Außenumfang aufweisen.
  • Der Träger und/oder der innere Einsatz können vorzugsweise austauschbar sein. Es handelt sich insbesondere um austauschbare Verschleißteile.
  • Der äußere Durchtrittskanal kann insbesondere im Wesentlichen zylinderförmig, insbesondere kreiszylinderförmig, ausgebildet sein. Er kann insbesondere derart ausgebildet sein, dass er sich zu einem oder beiden Enden hin aufweitet.
  • Der erste, äußere Einsatz steht insbesondere in elektrischem Kontakt mit einem Element der Quellkammer, insbesondere mit einer mit elektrischer Spannung beaufschlagbaren Platte derselben.
  • Der Träger steht insbesondere in thermischem Kontakt zur Quellkammer, insbesondere zu einer mit Spannung beaufschlagbaren Platte derselben.
  • Der Träger steht insbesondere in elektrischem Kontakt mit einem Element der Quellkammer, insbesondere mit einer Grundplatte derselben.
  • Der Träger steht insbesondere in thermischem Kontakt zur Quellkammer, insbesondere zu einer mit Grundplatte derselben.
  • Der Träger dient unter anderem als hochleistungs-elektrischer Leiter.
  • Der Träger dient unter anderem als hochleistungs-thermischer Leiter. Der Träger trägt insbesondere zur Vakuum-Stabilität und zur strukturellen Stabilität der Quellkammer bei. Er dient außerdem insbesondere zur Positionierung des Quellplasmas.
  • Mit Hilfe des zweiten, inneren Einsatzes wird die Position des Quellplasmas weiter begrenzt. Der innere Einsatz dient insbesondere als „confinement“ (räumliche Begrenzung“) des Plasmas.
  • Der innere Einsatz dient darüber hinaus insbesondere als Schutz für den äußeren Einsatz, insbesondere gegen das Quellplasma. Das Quellplasma kann zu einem Absputtern des ersten Einsatzes und/oder des zweiten Einsatzes führen. Dies kann zu Verschmutzungen der Strahlungsquelle führen.
  • Gemäß einem Aspekt der Erfindung liegt der innere Einsatz flächig im äußeren Durchtrittskanal an.
  • Dies ermöglicht eine mechanisch stabile, insbesondere präzise Anordnung des inneren Einsatzes im äußeren Einsatz.
  • Der innere Einsatz liegt insbesondere im Wesentlichen über seinen gesamten Umfang, insbesondere über seine gesamte äußere Oberfläche, in Richtung senkrecht zur Längsrichtung im äußeren Durchtrittskanal an.
  • Der innere Einsatz kann insbesondere im Wesentlichen spielfrei im Durchtrittskanal angeordnet sein. Der innere Einsatz kann insbesondere thermisch in den ersten Durchtrittskanal eingeschrumpft werden. Er kann auch im Durchtrittskanal verlötet, verschweißt oder verklebt sein. Er ist insbesondere formschlüssig und/oder stoffschlüssig im Durchtrittskanal angeordnet.
  • Er kann um die Längsachse rotierbar im Durchtrittskanal angeordnet sein. Er kann auch durch symmetriebrechende Mittel gegen Rotationen um die Längsachse gesichert sein.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist der innere Einsatz eine in Längsrichtung definierte Endposition im äußeren Einsatz auf. Er kann hierzu einen oder mehrere Anschlagselemente, beispielsweise in Form eines Kragens, einer Schulter, einer Verdickung, insbesondere einer endseitigen Verdickung, aufweisen. Er kann auch eine leicht konisch ausgebildete Außenseite aufweisen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist der innere Einsatz derart im äußeren Durchtrittskanal angeordnet, dass er eine sich parallel zur Längsrichtung von einem ersten Endbereich zu einem zweiten Endbereich erstreckende Innenwand des äußeren Durchtrittskanals im Bereich des ersten Endbereichs in Richtung senkrecht zur Längsrichtung vollständig überdeckt.
  • Es hat sich ergeben, dass hierdurch der erste Einsatz, insbesondere der äußere Durchtrittskanal, besonders wirksam vor einer Abnutzung durch das Quellplasma geschützt wird. Außerdem wurde hierdurch die Pulse-to-Pulse-Stabilität verbessert.
  • Alternativ hierzu ist eine kürzere Ausbildung des inneren Einsatzes möglich. Hierdurch können thermische Spannungen im inneren Einsatz reduziert werden.
  • Gemäß einer besonders vorteilhaften Alternative erstreckt sich der innere Einsatz bis zum Endbereich des äußeren Durchtrittskanals, wobei er zwei, drei oder mehr in Längsrichtung aneinander angrenzende Teile aufweist.
  • Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es zu Vorteilen, insbesondere im Hinblick auf die Pulse-to-Pulse-Stabilität der Strahlungsquelle nach einem Austausch des inneren Einsatzes führen kann, wenn dieser mehrteilig, insbesondere zweiteilig, dreiteilig oder mehrteilig, ausgebildet ist, und/oder wenn der inneren Durchtrittskanal mehrere sich in Längsrichtung erstreckende Abschnitte mit unterschiedlichen Innendurchmessern aufweist. Gemäß einem Aspekt der Erfindung weist der innere Einsatz insbesondere eine Mehrzahl von in Längsrichtung aneinander angrenzende Bestandteile auf, wobei mindestens zwei der Bestandteile sich in Längsrichtung erstreckende Abschnitte mit unterschiedlichen, in Längsrichtung konstanten Innendurchmessern aufweisen.
  • Hierbei kann es sich insbesondere um hohlzylindrische Bestandteile handeln. Im Übergangsbereich zwischen den Bestandteilen mit unterschiedlichen Innendurchmessern weist der innere Durchtrittskanal vorzugsweise Abschrägungen auf. Der innere Durchtrittskanal kann insbesondere einen Innendurchmesser aufweisen, welcher als Funktion einer Position in Längsrichtung durch eine stetige Funktion beschreibbar ist. Der innere Durchtrittskanal kann insbesondere stufenlos ausgebildet sein.
  • Der Durchmesser des inneren Durchtrittskanals kann insbesondere als Funktion von einer Position in Längsrichtung durch eine monotone, insbesondere jedoch nicht streng monotone, Funktion beschrieben werden.
  • Der innere Einsatz weist insbesondere bereichsweise konstante, jedoch abschnittsweise unterschiedliche Innendurchmesser auf.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist der innere Einsatz einen im Wesentlichen konstanten Außendurchmesser auf. Hierdurch wird ein Einführen des Einsatzes in den äußeren Einsatz sowie ein sicherer Sitz des inneren Einsatzes im äußeren Durchtrittskanal erleichtert und/oder verbessert.
  • Der innere Einsatz kann auch eine äußere Form mit einer leicht konischen Ausbildung aufweisen. Hierdurch kann eine vorbestimmte Einschubtiefe, insbesondere eine Endposition des inneren Einsatzes im äußeren Einsatz, definiert werden.
  • Der innere Einsatz kann auch ein oder mehrere Anschlagelemente, beispielsweise in Form einer Schulter, eines Kragens oder einer Verdickung, insbesondere einer endseitigen Verdickung, aufweisen. Auch hierdurch kann eine vorbestimmte Endposition sichergestellt werden.
  • Der innere Einsatz ist vorzugsweise aus einem oder mehreren plasmabeständigen Materialien.
  • Der innere Einsatz ist insbesondere aus einem oder mehreren hitzebeständigen Materialien. Die Materialien des inneren Einsatzes weisen insbesondere einen oder mehrere Materialien mit einem Schmelzpunkt von mindestens 1000°C, insbesondere mindestens 1500°C, insbesondere mindestens 2000°C auf. Im Falle von Siliziumkarbid, welches im Vakuum nicht zum Schmelzen gebracht wird, sondern sich zersetzt, ist hierbei unter Schmelzpunkt die Temperatur verstanden, bei welcher es zu einer entsprechenden Zersetzung kommt.
  • Der innere Einsatz ist vorzugsweise aus einem oder mehreren Materialien mit einer Wärmeleitfähigkeit von mindestens 100 W/(m · K), insbesondere von mindestens 130 W/(m · K).
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist der innere Einsatz zumindest teilweise aus Molybdän oder einer Molybdän-Verbindung hergestellt.
  • Es hat sich herausgestellt, dass sich Molybdän oder MolybdänVerbindungen gut zur Herstellung eines entsprechenden Einsatzes eignen. Ein innerer Einsatz aus Molybdän führte insbesondere zu einer hohen Stabilität von Anfang an. Ein innerer Einsatz aus Molybdän führte außerdem zu einer anfänglich hohen Brightness.
  • Der Einsatz kann insbesondere abschnittsweise aus Molybdän oder einer Molybdän-Verbindung hergestellt sein. Er kann insbesondere einen oder mehrere Abschnitte aufweisen, welche aus Molybdän oder einer Molybdän-Verbindung bestehen, das heißt vollständig aus Molybdän oder einer Molybdän-Verbindung sind.
  • Der innere Einsatz kann auch ein oder mehrere Bestandteile aus Siliziumkarbid aufweisen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung kann auch der äußere Einsatz zumindest teilweise, insbesondere vollständig, aus Molybdän oder einer Molybdän-Verbindung hergestellt sein. Er kann insbesondere monolithisch ausgebildet sein.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wurde erkannt, dass es vorteilhaft sein kann, den Träger und den inneren Einsatz einteilig, monolithisch auszubilden. Ein derartiger monolithischer Einsatz kann insbesondere aus Molybdän oder einer Molybdän-Verbindung hergestellt sein oder bestehen.
  • Weitere Aufgaben der Erfindung bestehen darin, ein Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage, eine Masken-Inspektionsanlage oder ein Metrologiesystem zu verbessern.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Beleuchtungssystem mit einer Strahlungsquelle mit einem Einsatz gemäß der vorhergehenden Beschreibung gelöst. Die Vorteile ergeben sich aus denen des Einsatzes.
  • Weitere Aufgaben der Erfindung bestehen darin, eine Projektionsbelichtungsanlage für die Lithographie und eine Masken-Inspektionsanlage oder ein Metrologiesystem zu verbessern.
  • Diese Aufgaben werden durch entsprechende Anlagen mit einer Strahlungsquelle mit einem Einsatz gemäß der vorhergehenden Beschreibung gelöst. Die Vorteile ergeben sich aus denen des Einsatzes.
  • Weitere Vorteile und Details der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Es zeigen:
    • 1 eine schematische Schnittzeichnung einer EUV-Strahlungsquelle,
    • 2 eine teilschematische Schnittdarstellung durch einen Ausschnitt aus einer Quellkammer der EUV-Strahlungsquelle im Bereich eines Durchtrittskanals und
    • 3 eine Darstellung gemäß 2 mit einer Variante des inneren Einsatzes im Durchtrittskanal.
  • In 1 ist eine schematische Schnittzeichnung eines exemplarischen Ausführungsbeispiels einer EUV-Strahlungsquelle 1 dargestellt. Die EUV-Strahlungsquelle 1 ist Teil eines nicht explizit dargestellten Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage. Für grundsätzliche Details wird exemplarisch auf die DE 10 2017 212 352 A1 verwiesen, die hiermit vollständig als Bestandteil der vorliegenden Anmeldung in diese integriert ist.
  • Die EUV-Strahlungsquelle 1 weist eine zweiteilige Quellkammer 2 mit einem oberen Kammerteil 3 und einem unteren Kammerteil 4 auf. Zwischen dem oberen Kammerteil 3 und dem unteren Kammerteil 4 befindet sich eine Mittenplatte 5. Die Mittenplatte 5 bildet eine Kammerwand der Quellkammer 2, insbesondere des oberen Kammerteils 3.
  • Die Mittenplatte 5 weist exzentrische Öffnungen 6 und eine zentrale Öffnung 7 auf.
  • Die Mittenplatte 5 kann mehrteilig ausgebildet sein. Sie kann insbesondere eine der Quellkammer 2 zugewandte, mit Hochspannung beaufschlagbare Platte 18 und eine hiervon separate äußere Grundplatte 19 aufweisen.
  • In die zentrale Öffnung 7 ist ein erster Einsatz 8 eingesetzt. Der erste Einsatz 8 bildet einen äußeren Einsatz. Der erste Einsatz 8 wird auch als „Carrier“ („Träger“) bezeichnet. Er weist einen sich in einer Längsrichtung 9 erstreckenden ersten Durchtrittskanal 10 auf.
  • Im ersten Durchtrittskanal 10 ist ein zweiter Einsatz 11 angeordnet. Der zweite Einsatz 11 weist einen sich in Längsrichtung 9 erstreckenden zweiten Durchtrittskanal 12 auf. Der Träger mit dem inneren Einsatz 11 wird zum Teil auch als „Bore“ (Bohrung) bezeichnet.
  • Der erste Durchtrittskanal 10 wird auch als äußerer Durchtrittskanal bezeichnet. Der zweite Durchtrittskanal 12 wird auch als innerer Durchtrittskanal bezeichnet. Die beiden Durchtrittskanäle 10, 12 weisen eine gemeinsame, sich in Längsrichtung 9 erstreckende Längsachse 13 auf.
  • Im Betrieb der EUV-Strahlungsquelle 1 dienen die exzentrischen Öffnungen 6 sowie die zentrale Öffnung 7, insbesondere die Durchtrittskanäle 10, 12 für den Durchtritt eines in den Kammerteilen 3, 4 gezündeten Quellplasmas.
  • Bei der EUV-Strahlungsquelle 1 handelt es sich um einen Induktions-Plasmastromgenerator.
  • An die EUV-Strahlungsquelle 1 schließen sich Bestandteile einer nicht explizit dargestellten Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage, einer Masken-Inspektionsanlage oder eines Metrologiesystems an. Die Beleuchtungsoptik ist insbesondere Bestandteil eines Beleuchtungssystems. Das Beleuchtungssystem kann insbesondere ein oder mehrere Spiegel, insbesondere ein oder mehrere Facettenspiegel, umfassen. Die Beleuchtungsoptik dient insbesondere zur Überführung von von der EUV-Strahlungsquelle 1 erzeugten Beleuchtungsstrahlung zu einer Maske mit abzubildenden Strukturen. Die Maske wird auch als Retikel bezeichnet.
  • Ebenfalls schematisch dargestellt ist in der 1 ein sich an die EUV-Strahlungsquelle 1 anschließender Wartungsbereich 14. Zwischen dem Wartungsbereich 14 und der EUV-Strahlungsquelle 1 ist ein Interface mit einer Domeblende 15 vorgesehen. Für Details sei auf die DE 10 2017 212 352 A1 , insbesondere 23 und zugehörige Beschreibung, verwiesen.
  • Der Wartungsbereich 14 ist mit Hilfe einer Wartungsklappe 16 vakuumdicht gegen einen Außenbereich 17 verschließbar. Die Wartungsklappe 16 kann zu Wartungsarbeiten geöffnet werden. In geöffnetem Zustand der Wartungsklappe 16 ist ein Zugang zum Wartungsbereich 14 und hierüber zu der EUV-Strahlungsquelle 1 möglich. Es ist insbesondere möglich, die beiden Einsätze 8, 11 durch den Wartungsbereich 14 hindurch aus der EUV-Strahlungsquelle 1 zu entnehmen, beispielsweise um sie auszuwechseln.
  • Im Folgenden werden unter Bezugnahme auf die 2 Details des ersten Einsatzes 8 sowie insbesondere des zweiten Einsatzes 11 beschrieben. Entsprechende Ausbildungen der Einsätze 8, 11 sind unabhängig von den übrigen konstruktiven Details der EUV-Strahlungsquelle 1 vorteilhaft.
  • Der äußere, erste Einsatz 8 ist beispielsweise über mehrere Schrauben mit der Platte 18 verbunden. Er weist insbesondere einen elektrischen Kontakt 21 zur Platte 18 auf. Im Verbindungsbereich zwischen dem ersten Einsatz 8 und der Platte 18 ist ein O-Ring vorgesehen.
  • Der erste Einsatz 8 ist beispielsweise über eine Mehrzahl von Schrauben mit der Grundplatte 19 verbunden. Er weist insbesondere einen elektrischen Kontakt 23 zur Grundplatte 19 auf. Im Kontaktbereich zwischen dem ersten Einsatz 8 und der Grundplatte 19 ist ein O-Ring vorgesehen. Der innere, zweite Einsatz 11 liegt umfangsseitig am Innenumfang des ersten Durchtrittskanals 10 an. Er ist insbesondere im Wesentlichen spielfrei im ersten Durchtrittskanal 10 angeordnet. Er kann jedoch in Längsrichtung verschiebbar im ersten Durchtrittskanal 10 angeordnet sein.
  • Der innere Einsatz 11 kann thermisch im Durchtrittskanal 10 eingeschrumpft sein. Der innere Einsatz 11 kann auch mit dem Durchtrittskanal 10 verlötet, verschweißt, verklebt sein. Er kann insbesondere formschlüssig und/oder stoffschlüssig mit dem Durchtrittskanal 10 verbunden sein.
  • Bei der in der 2 dargestellten Variante ist der innere Einsatz 11 zweiteilig ausgebildet. Er weist insbesondere einen inneren Teil 26 und einen in Längsrichtung 9 an diesen angrenzenden äußeren Teil 27 auf. Der innere Teil 26 und der äußere Teil 27 sind durch separate Teile gebildet.
  • Die beiden Teile 26, 27 sind aneinandergelegt.
  • Der innere Teil 26 und der äußere Teil 27 weisen über ihre Erstreckung in Längsrichtung 9 im Wesentlichen konstante Außendurchmesser auf. Sie weisen insbesondere identische Außendurchmesser auf.
  • Der innere Teil 26 und der äußere Teil 27 können aus demselben Material sein. Sie können insbesondere aus Siliziumkarbid sein. Es ist auch möglich, einen oder beide dieser Teile 26, 27 aus Molybdän oder einer Molybdän-Verbindung herzustellen. Der innere Teil 26 und/oder der äußere Teil 27 können insbesondere aus Molybdän oder einer Molybdän-Verbindung bestehen.
  • Der äußere Teil 27 weist einen größeren Innendurchmesser als der innere Teil 26 auf. Das Verhältnis des Innendurchmessers da des äußeren Teils 27 zum Innendurchmesser di des inneren Teils 26 liegt im Bereich von 1,1 bis 5, insbesondere im Bereich von 1,5 bis 3.
  • Der äußere Teil 27 erstreckt sich in Längsrichtung bis zu einem inneren Endbereich 28 des ersten Durchtrittskanals 10. Im Bereich des gegenüberliegenden zweiten Endbereichs des ersten Durchtrittskanals 10 ist dieser nicht vom Einsatz 11 überdeckt.
  • Der äußere Teil 27 ist hülsenartig ausgebildet. Er ist insbesondere hohlzylindrisch ausgebildet. Er kann insbesondere einen Querschnitt mit einem kreisförmigen Außenumfang und einem kreisförmigen Innenumfang aufweisen.
  • Der innere Teil 26 ist hülsenartig ausgebildet. Er ist insbesondere im Wesentlichen hohlzylindrisch ausgebildet. Er weist jedoch endseitige Abschrägungen 30, 31 auf.
  • Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf die 3 eine Variante des inneren, zweiten Einsatzes 11 beschrieben. Identische Komponenten tragen dieselben Bezugszeichen wie bei der Variante gemäß 2.
  • Bei dieser Variante erstreckt sich der erste Durchtrittskanal 10 bis zum inneren Ende des ersten Einsatzes 8 in Längsrichtung 9. Er weist im Gegensatz zur Variante gemäß 2 keine Abschrägung auf. Entsprechend erstreckt sich der äußere Teil 27 des Einsatzes 11 bis zum Ende des ersten Einsatzes 8 in Längsrichtung 9.
  • Der äußere Teil 27 weist bei der Variante gemäß 3 etwa dieselbe Erstreckung in Längsrichtung 9 auf wie der innere Teil 26.
  • Allgemein können die beiden Teile 26, 27 in Längsrichtung 9 im Wesentlichen gleiche Erstreckungen aufweisen. Es ist auch möglich, die beiden Teile 26, 27 mit unterschiedlichen Erstreckungen in Längsrichtung 9 auszubilden. Der Unterschied kann insbesondere mehr als 10 %, insbesondere mehr als 20 %, insbesondere mehr als 50 % betragen. Er kann insbesondere weniger als 300 %, insbesondere weniger als 200 %, insbesondere weniger als 100 % betragen.
  • Die Gesamterstreckung der beiden Teile 26, 27 in Längsrichtung 9 liegt insbesondere im Bereich von 2 cm bis 15 cm, insbesondere im Bereich von 3 cm bis 10 cm, insbesondere im Bereich von 4 cm bis 8 cm.
  • Gemäß einer Variante sind die beiden Teile 26, 27 nicht als separate Teile, sondern einteilig ausgebildet. Der innere, zweite Einsatz 11 weist auch bei dieser Variante zwei sich in Längsrichtung 9 erstreckende Abschnitte mit unterschiedlichen Innendurchmessern da, di auf.
  • Eine einteilige Ausbildung des Einsatzes 11 erleichtert die Herstellung des Einsatzes 11. Sie erleichtert außerdem die präzise Anordnung des Einsatzes 11 im Durchtrittskanal 10.
  • Eine zwei- oder mehrteilige Ausbildung des Einsatzes 11 gemäß der in der 2 dargestellten Variante führt zu einer Reduktion der thermischen Spannungen in den einzelnen Bestandteilen des Einsatzes 11. Hierdurch kann die Gefahr eines Brechen des Einsatzes 11 beim Betrieb der EUV-Strahlungsquelle 1 verringert werden.
  • In den 2 und 3 sind zweiteilige Varianten des Einsatzes 11 dargestellt. Dies ist nicht einschränkend zu verstehen. Der Einsatz 11 kann auch einteilig, dreiteilig, vierteilig oder mehrteilig ausgebildet sein. Er kann allgemein einen, zwei, drei, vier oder mehr in Längsrichtung 9 aneinander angrenzende Bestandteile aufweisen.

Claims (11)

  1. EUV-Strahlungsquelle (1) aufweisend 1.1. eine Quellkammer (2) mit 1.1.1. einer mindestens eine Kammeröffnung (7) aufweisenden Kammerwand (5), 1.1.2. einem in die Kammeröffnung (7) eingesetzten ersten Einsatz (8) mit einem sich in einer Längsrichtung (9) erstreckenden äußeren Durchtrittskanal (10) und 1.1.3. einem im äußeren Durchtrittskanal (10) angeordneten inneren Einsatz (11) mit einem sich in Längsrichtung (9) erstreckenden inneren Durchtrittskanal (12), 1.2. wobei der innere Einsatz (11) 1.2.1. mehrteilig ausgebildet ist und/oder 1.2.2. mehrere sich in Längsrichtung (9) erstreckende Abschnitte (26, 27) mit unterschiedlichen Innendurchmessern (di, da) aufweist.
  2. Einsatz (8) für eine EUV-Strahlungsquelle (1) gemäß Anspruch 1 mit 2.1. einem sich in einer Längsrichtung (9) erstreckenden äußeren Durchtrittskanal (10) und 2.2. einem im äußeren Durchtrittskanal (10) angeordneten inneren Einsatz (11) mit einem sich in Längsrichtung (9) erstreckenden inneren Durchtrittskanal (12), 2.3. wobei der innere Einsatz (11) 2.3.1. mehrteilig ausgebildet ist und/oder 2.3.2. mehrere sich in Längsrichtung (9) erstreckende Abschnitte (26, 27) mit unterschiedlichen Innendurchmessern (di, da) aufweist.
  3. Einsatz (8) gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der innere Einsatz (11) flächig im äußeren Durchtrittskanal (10) anliegt.
  4. Einsatz (8) gemäß einem der Ansprüche 2 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der innere Einsatz (11) derart im äußeren Durchtrittskanal (10) angeordnet ist, dass er eine sich parallel zur Längsrichtung (9) von einem ersten Endbereich (28) zu einem zweiten Endbereich (29) erstreckende Innenwand des äußeren Durchtrittskanals (10) im Bereich des ersten Endbereichs (28) in Richtung senkrecht zur Längsrichtung (9) vollständig überdeckt.
  5. Einsatz (11) für einen ersten Einsatz (8) für eine EUV-Strahlungsquelle (1) gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, 5.1. mit einem sich in Längsrichtung (9) erstreckenden inneren Durchtrittskanal (12), 5.2. dadurch gekennzeichnet, 5.2.1. dass der Einsatz (11) mehrteilig ausgebildet ist und/oder 5.2.2. dass Einsatz (11) mehrere sich in Längsrichtung (9) erstreckende Abschnitte (26, 27) mit unterschiedlichen Innendurchmessern (di, da) aufweist.
  6. Einsatz (11) gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass er eine Mehrzahl von in Längsrichtung (9) aneinander angrenzende Bestandteile (26, 27) aufweist, wobei mindestens zwei der Bestandteile sich in Längsrichtung (9) erstreckende Abschnitte mit unterschiedlichen, in Längsrichtung (9) konstanten Innendurchmessern (di, da) aufweisen.
  7. Einsatz (11) gemäß einem der Ansprüche 5 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass er einen im Wesentlichen konstanten Außendurchmesser aufweist.
  8. Einsatz (11) gemäß einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass er zumindest teilweise aus Molybdän oder einer Molybdän-Verbindung hergestellt ist.
  9. Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage, eine Maskeninspektionsanlage oder ein Metrologiesystem mit einer EUV-Strahlungsquelle (1) mit einem Einsatz (8) gemäß einem der Ansprüche 2 bis 8.
  10. Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie umfassend 10.1. ein Beleuchtungssystem gemäß Anspruch 9 zur Beleuchtung eines in einem Objektfeld angeordneten Retikels und 10.2. eine Projektionsoptik zur Abbildung des Retikels auf einen in einem Bildfeld angeordneten Wafer.
  11. Metrologiesystem zur Inspektion einer Maske für die EUV-Lithographie mit einem Beleuchtungssystem gemäß Anspruch 9.
DE102020206876.3A 2020-06-03 2020-06-03 EUV-Strahlungsquelle, Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle und Einsatz für einen Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle Active DE102020206876B4 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020206876.3A DE102020206876B4 (de) 2020-06-03 2020-06-03 EUV-Strahlungsquelle, Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle und Einsatz für einen Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle
NL2028265A NL2028265B1 (en) 2020-06-03 2021-05-20 EUV radiation source, insert for an EUV radiation source and insert for an insert for an EUV radiation source
US17/336,480 US11550225B2 (en) 2020-06-03 2021-06-02 EUV radiation source, insert for an EUV radiation source and insert for an insert for an EUV radiation source
JP2021093499A JP7284781B2 (ja) 2020-06-03 2021-06-03 Euv放射線源、euv放射線源のためのインサート、および、euv放射線源のためのインサートのためのインサート

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020206876.3A DE102020206876B4 (de) 2020-06-03 2020-06-03 EUV-Strahlungsquelle, Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle und Einsatz für einen Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102020206876A1 DE102020206876A1 (de) 2021-12-09
DE102020206876B4 true DE102020206876B4 (de) 2022-01-05

Family

ID=78605027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102020206876.3A Active DE102020206876B4 (de) 2020-06-03 2020-06-03 EUV-Strahlungsquelle, Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle und Einsatz für einen Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11550225B2 (de)
JP (1) JP7284781B2 (de)
DE (1) DE102020206876B4 (de)
NL (1) NL2028265B1 (de)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009100856A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
EP1774838B1 (de) 2004-07-09 2011-04-20 Energetiq Technology Inc. Induktiv angesteuerte plasma-lichtquelle
US20110089834A1 (en) 2009-10-20 2011-04-21 Plex Llc Z-pinch plasma generator and plasma target
DE102015203160A1 (de) 2014-03-13 2015-09-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung für die EUV-Lithographie
DE102017212352A1 (de) 2017-07-19 2018-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Reinigungsmodul und Verfahren zur in situ Reinigung einer Quellkammer einer EUV-Strahlungsquelle, Strahlungsquellenmodul und Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage sowie Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6326931A (ja) 1986-07-19 1988-02-04 Fujitsu Ltd ガスプラズマx線発生装置
DE10260458B3 (de) * 2002-12-19 2004-07-22 Xtreme Technologies Gmbh Strahlungsquelle mit hoher durchschnittlicher EUV-Strahlungsleistung
US7948185B2 (en) * 2004-07-09 2011-05-24 Energetiq Technology Inc. Inductively-driven plasma light source
JP2006324173A (ja) 2005-05-20 2006-11-30 Ushio Inc 極端紫外光発生装置の電極部
EP2201435B1 (de) 2007-10-09 2013-02-13 Carl Zeiss SMT GmbH Vorrichtung zur steuerung der temperatur eines optischen elements
US9560734B2 (en) * 2009-02-20 2017-01-31 Lawrence Livermore National Security, Llc Dense plasma focus (DPF) accelerated non radio isotopic radiological source
JP5544663B2 (ja) 2011-05-09 2014-07-09 レーザーテック株式会社 Euvマスク検査装置、euvマスク検査方法
US9268031B2 (en) * 2012-04-09 2016-02-23 Kla-Tencor Corporation Advanced debris mitigation of EUV light source
RU2593147C1 (ru) * 2015-05-14 2016-07-27 Общество С Ограниченной Ответственностью "Эуф Лабс" Устройство и способ для получения высокотемпературной плазмы и эуф излучения

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1774838B1 (de) 2004-07-09 2011-04-20 Energetiq Technology Inc. Induktiv angesteuerte plasma-lichtquelle
WO2009100856A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
US20110089834A1 (en) 2009-10-20 2011-04-21 Plex Llc Z-pinch plasma generator and plasma target
DE102015203160A1 (de) 2014-03-13 2015-09-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung für die EUV-Lithographie
DE102017212352A1 (de) 2017-07-19 2018-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Reinigungsmodul und Verfahren zur in situ Reinigung einer Quellkammer einer EUV-Strahlungsquelle, Strahlungsquellenmodul und Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage sowie Projektionsbelichtungsanlage

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Blackborow et al. (2010), „EUV source development for AIMS and blank inspection"; Proc SPIE, 7636
BLACKBOROW, Paul A. [u.a.]: EUV source development for AIMS and blank inspection. In: Extreme ultraviolet (EUV) lithography : 22 - 25 February 2010, San Jose, California, United States. Bellingham, Wash. : SPIE, 2010 (Proceedings of SPIE ; 7636). 12 S. - ISBN 9780819480507. DOI: 10.1117/12.846559. URL: https://www.spiedigitallibrary.org/proceedings/Download?fullDOI=10.1117%2F12.846559 [abgerufen am 2020-06-22]

Also Published As

Publication number Publication date
US20210382395A1 (en) 2021-12-09
DE102020206876A1 (de) 2021-12-09
JP7284781B2 (ja) 2023-05-31
NL2028265A (en) 2021-12-14
NL2028265B1 (en) 2023-02-15
JP2021189454A (ja) 2021-12-13
US11550225B2 (en) 2023-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69233067T2 (de) Integrierte Schaltungen
DE60018968T2 (de) Plasma-Lichtbogenbrenner, Plasmabrennerkathode und Plasmabrennerelektrode
AT505766B1 (de) Vorrichtung zum einkoppeln von laserlicht in einen brennraum einer brennkraftmaschine
EP2370845B1 (de) Monolithische optische fassung
DE102016102206A1 (de) Schieberventil
EP2266750B1 (de) Werkzeugsystem
EP2345494A2 (de) Spannfutter für Werkzeuge
DE112005001120T5 (de) Austauschbarer Anodenmantel für eine Ionenquelle
DE102006055510B4 (de) Phasenplatte, Bilderzeugungsverfahren und Elektronenmikroskop
DE102020206876B4 (de) EUV-Strahlungsquelle, Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle und Einsatz für einen Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle
DE69838229T2 (de) Lampe
EP3805642A1 (de) Pilotkonuskühlung
DE102005024666B4 (de) Zündkerze mit mehreren Masseelektroden
DE102014009565B4 (de) Füllkammer für eine Druckgießmaschine
WO2023036645A1 (de) Halteanordnung für ein optisches element einer laserbearbeitungsanlage
DE2025099B2 (de) Anordnung für eine Kühlmittel-Strömung
DE102017210986B4 (de) Reduzierhülse
DE102005038582A1 (de) Werkzeugspanneinsatz und Werkzeugspanneinrichtung
DE102021207565B3 (de) Einsatz für eine Quellkammer einer EUV-Strahlungsquelle
DE102018218998A1 (de) Komponente und lithographieanlage
DE202020107491U1 (de) Plasmaquelle für ein Spektrometer
DE102018220889B4 (de) Verfahren zur Reparatur einer Verbindung in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE1552311B1 (de) Nachstellvorrichtung fuer spanabhebende Werkzeuge
WO2008034574A2 (de) Isolationsteil mit integrierten kühlkanälen
DE102018126791B4 (de) Lichtleiteranordnung und Verwendung eines hohlzylindrischen Kapillarabschnitts

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R082 Change of representative

Representative=s name: RAU, SCHNECK & HUEBNER PATENTANWAELTE RECHTSAN, DE

R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final