JP2014512677A - ミラーアレイ - Google Patents

Abstract

表面法線（４１）に対して垂直に延びる全表面を有するミラーアレイ（２２）であって、それぞれが反射面（３６）、及び少なくとも１変位自由度を有する複数のミラー素子（２３）
を備え、ミラー素子（２３）の全体が、ミラーアレイ（２２）の全反射面の寄せ木張りを形成し、ミラーアレイ（２２）を、全反射面の寄せ木張りが複数のミラーアレイ（２２）のタイル張りによって拡張され得るようにタイル要素としてモジュール式に具現したミラーアレイ。
【選択図】図２４

Description

本発明は、ミラーアレイに関する。本発明はさらに、このタイプのミラーアレイを備えた光学コンポーネント及び光学アセンブリに関する。本発明はさらに、このタイプの光学コンポーネント及びこのタイプの光学アセンブリを製造する方法に関する。さらに、本発明は、光学コンポーネントを取り扱うツールに関する。最後に、本発明は、ＥＵＶ投影露光装置の光学ユニット、ＥＵＶ投影露光装置の照明系、投影露光装置、微細構造又はナノ構造コンポーネントを製造する方法、及びこの方法により製造したコンポーネントに関する。

複数の個別ミラーからなるミラーを備えた光学アセンブリが、従来技術から既知である。

特許文献１は、例えば、複数の変位可能な個別ミラーを有するミラーアレイを開示している。

国際公開第２０１０／０４９０７６号パンフレット

本発明の１つの目的は、このタイプのミラーアレイを改良することである。

この目的は、請求項１の特徴により達成される。本発明の核心は、ミラーアレイの反射面をこのタイプの複数のアレイを並置することにより任意の所望の方法で拡張できるように、ミラーアレイをモジュール式に具現することにある。これは、ミラーアレイがタイル要素として具現され、その結果として実質的に任意の所望のサイズの表面をこのタイプのアレイで寄せ木張りする（parqueted）ことができることにより達成される。

寄せ木張りは、２つのタイル要素間、すなわち２つのミラーアレイ間の実際の用途で常に存在する距離が、特に想定される用途でごく僅かであることを意味すると以下で理解すべきである。複数のミラーアレイから構成されたマルチアレイ反射面の充填度は、好ましくは少なくとも０．７５、特に少なくとも０．８、特に少なくとも０．８５、特に少なくとも０．９、特に少なくとも０．９５である。この場合、充填度という用語は、全表面に対する全反射面の比を示す。このように高い充填度により、放射損失が回避され、換言すれば、光スループット、すなわち透過率が高まる。

寄せ木張りは、特に碁盤目状配列（tesselation）である。任意の所望のサイズ及び形状の表面を寄せ木張り、特に碁盤目状に配列するために用いることができるタイル要素としてのミラーアレイのこのようなモジュール実施形態は、ミラー面を調整可能なミラーの製造における融通性を高くする。

このタイプのミラーアレイで寄せ木張りできる全表面積は、例えば４００×４００ｍｍ^２のサイズを有し得る。これは異なるサイズを有することもできる。さらに、アレイで寄せ木張りできる全表面の形状は、実質的に所望通りである。境界条件は、個々のミラーアレイの全表面積によって与えられるにすぎない。個々のミラーアレイの全表面積は、特に、１ｍｍ^２〜１０，０００ｍｍ^２の範囲、特に１０ｍｍ^２〜１，０００ｍｍ^２の範囲、特に１００ｍｍ^２〜５００ｍｍ^２の範囲である。個々のミラーアレイは、例えば、矩形、特に正方形の全表面を有する。しかしながら、これらは、三角形又は六角形で具現することもできる。原理上、他の形状も可能である。

ミラーアレイは、ミラーアレイの全反射面の寄せ木張りを形成する複数のミラー素子を備える。場合によっては集積密度とも称するミラーアレイの充填度は、好ましくは少なくとも０．８５、特に少なくとも０．９、特に少なくとも０．９５である。

ミラーアレイは、複数のミラー素子を備える。アレイのミラー素子の数は、特に少なくとも４個、特に少なくとも１６個、特に少なくとも６４個、特に少なくとも２５６個、特に少なくとも１０２４個である。ミラー素子は、マトリックス状に、すなわち行列状に配置することができる。

ミラーアレイのミラー素子は、それぞれが少なくとも１変位自由度を有する。これは、ミラー素子を担持し且つミラー素子がそれに対して変位可能な基板又は担持構造に対する各ミラー素子の変位自由度を意味するとみなされる。ミラー素子は、それぞれが少なくとも１変位自由度、好ましくは少なくとも２変位自由度、特に少なくとも３変位自由度を有する。これは特に、少なくとも１傾斜及び／又は並進自由度を含む。ミラー素子は、特に２傾斜自由度を有する。これにより、ミラーアレイの全反射面を各要件に非常に柔軟に適合させることができる。したがって、放射線ビーム、特に部分放射線ビームを、本発明によるミラー素子によって柔軟に偏向させることができる。

放射線ビームは、特に５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲、特に１０ｎｍ〜１５ｎｍの範囲の波長を有するＥＵＶ放射線であり得る。これは、特に、微細構造又はナノ構造コンポーネント、特に半導体チップを製造する投影露光装置でミラーアレイを用いる場合に有利である。

請求項２によれば、ミラーアレイは、小さな横方向オーバーハング（overhang：張り出し）（横方向オーバーヘッド（overhead））しか有さない。ミラーアレイの、特に複数のアレイから構成されたマルチアレイ反射面の充填度は、その結果として増加する。ミラーアレイの全表面は、アレイの全反射面よりも特に５ｍｍ以下、特に３ｍｍ以下、特に１ｍｍ以下、特に０．５ｍｍ以下、特に０．３ｍｍ以下、特に０．２ｍｍ以下、特に０．１ｍｍ以下、表面法線に対して垂直な方向に突出している。同じ方向の全範囲に対する横方向オーバーハング（横方向オーバーヘッド）の比は、特に０．１以下、特に０．０５以下、特に０．０３以下、特に０．０２以下、特に０．０１以下である。オーバーハングは、同じ方向のミラーアレイの全範囲よりも特に少なくとも１オーダ小さい。複数のミラーアレイの事実上継ぎ目のない並置が、その結果として可能となる。したがって、ミラーアレイは、実質的に密集して、すなわち事実上隙間なく配置することができる。

本発明のさらに別の目的は、ミラーアレイを備えた光学コンポーネントを改良することである。

この目的は、請求項３の特徴により達成される。本発明の核心は、シャドウキャスティング（shadow casting）原理を用いてミラーアレイに対して配置した担持構造上にミラーアレイを配置することにある。担持構造は、ミラーアレイの全表面よりも特に５ｍｍ以下、特に３ｍｍ以下、特に１ｍｍ以下、特に０．５ｍｍ以下、特に０．３ｍｍ以下、特に０．２ｍｍ以下、特に０．１ｍｍ以下、表面法線に対して垂直な方向に突出する。好ましくは、担持構造は、ミラーアレイの全表面よりも全く突出しない。換言すれば、担持構造の横方向オーバーヘッドは０である。表面法線に対して垂直なその断面は、特にミラーアレイのものと同一である。このタイプの光学コンポーネントの密集配置が、その結果として可能となる。これは高い充填度につながる。原理上、負の横方向オーバーヘッドを有する、すなわちミラーアレイの全表面よりも小さな断面を有する担持構造を具現することも可能である。

好ましくは、光学コンポーネントをモジュール式に具現する。光学コンポーネントは、特に、全反射面をこのタイプの複数のタイル要素のタイル張りによって任意の所望の方法で拡張させることができるようにタイル要素として具現する。

請求項４によれば、担持構造を縁部領域のみでミラーアレイに機械的に接続する。ミラーアレイと担持構造との間の機械的分離が、その結果として改善される。原理上、ミラーアレイを担持構造の中央領域に、特に中央領域のみに機械的に接続することも可能である。

表面法線に対して垂直な方向の縁部領域の幅は、特に、ミラーアレイの全反射面を超えたミラーアレイの全表面の横方向オーバーヘッドに正確に対応する。縁部領域は、その小さな幅にも関わらず機械的に安定して具現される。これは、担持構造が高い機械的安定性を有する材料から作られることによって可能となる。例として、セラミック材料、ケイ素、二酸化ケイ素、亜硝酸アルミニウム（aluminum nitrite）、及び酸化アルミニウムが、担持構造の材料として適当である。しかしながら、他の材料も同様に考えられる。担持構造の機械的に安定した実施形態は、コンポーネントの機械的取扱性を向上させる。さらに、担持構造へのさらに他の機能構成部品の組み込みも、その結果として可能となる。

担持構造は、ミラーアレイに面した側に切欠部を有する。切欠部は、表面法線に対して垂直な方向で縁部領域によって囲まれる。切欠部により、光学コンポーネントのさらに他の構成部品を担持構造に省スペースで配置することが可能である。さらに、結果として信号経路を短縮することができる。

請求項５によれば、特に、ミラー素子の変位を制御する制御デバイスを担持構造に組み込むことができる。上記制御デバイスは、好ましくは担持構造の切欠部に配置できる。これは、電子変位回路とも呼ばれることのあるいわゆる特定用向け集積回路（ＡＳＩＣ）として具現することが好ましい。このタイプの電子変位回路（ＡＳＩＣ）は、費用効率的に製造することができる。さらに、これは各要件に非常に柔軟に適合させることができる。これは、担持構造に面したミラーアレイの後側に直接結合することができる。これにより、信号の密度及び数が最大の領域での信号の伝導及び再分配が不要になる。したがって、いわゆるインターポーザを省くことができる。いわゆるフリップチップ接点を、ＡＳＩＣとの接触を行わせるために好ましくは設けることができる。特に、ＡＳＩＣの接点接続の全部をＡＳＩＣの同じ側に、特にミラーアレイに面した側に配置することが可能である。したがって、原理上同じく可能であるＡＳＩＣのスルーホールめっき（through plating）を省くことができる。これにより、ＡＳＩＣの製造が容易になる。特に、ミラーアレイとＡＳＩＣとの間の全部の信号接続部、特に全部の電気接点を、ＡＳＩＣの同じ側に位置付ける。これにより、全部の線をミラーアレイの後側に単層で配置することが可能となる。これは、製造プロセスを単純化し、製造費の削減につながる。

ＡＳＩＣは、ミラー素子を制御する信号処理タスクの少なくとも一部を行う。ＡＳＩＣは、中央制御デバイスに信号接続される。ＡＳＩＣの空間的に隣接した配置とミラー素子へのその割り当てが、中央制御デバイスとミラー素子のアクチュエータとの間の信号伝送に関する要件を減らす。結果として、第１に、光学コンポーネントの小型構成が可能となる。第２に、寄生電磁場の影響が減り、干渉信号が減る。

有利には、ＡＳＩＣと担持構造との間にサーマルインタフェースを設けることができる。これは、ＡＳＩＣからの熱を担持構造を通して放散することを可能にする。このタイプのサーマルインタフェースは、例えばスプリングフォイルとも呼ばれる波形金属箔として、又は金属ばねのアレイとして具現することができる。

ミラー素子を駆動するための信号線を、担持構造に組み込む。この場合、信号の流れは、担持構造のうちミラーアレイに対して反対側の電気インタフェースから担持構造及びＡＳＩＣを通してミラーアレイへ、又は逆方向に生じる。担持構造内の信号線は、めっき貫通孔、特にシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）として具現することが好ましい。これらは、特に金を充填した貫通孔として具現することができる。このタイプのめっき貫通孔は、バッチプロセスで作製することができる。

本発明によれば、光学コンポーネントのモジュール構成のためには、ミラーアレイの平面からインタフェースまでのコンポーネント内の信号の数及び密度を最大限に減らすことが有利であることが認識された。ＡＳＩＣの領域における信号低減は、４：１〜７：１の範囲であることが好ましい。信号をより低減したより大きなＡＳＩＣも原理上可能である。さらなる信号低減は、ＡＳＩＣとインタフェースとの間の領域で行われる。当該さらなる信号低減は、特に少なくとも４：１、特に少なくとも１０：１である。これは、特定の信号、例えば制御デバイスの供給電圧の組み合わせにより達成することができる。結果として、第１に、必要な線及び／又は接点の数が減り、第２に、かかる組み合わせが接点接続の冗長性を高める。

ＡＳＩＣは直列に駆動することができる。これにより、特に、必要な信号線を減らすことができる。

担持構造に組み込んだ新号線により、各光学コンポーネントに対する電気信号の流れを表面法線の方向に伝導することが可能である。したがって、第１にコンポーネントのコンポーネント部品の、第２に当該コンポーネント部品における信号の流れの垂直方向の集積（vertical integration）が可能となる。原理上、ミラーアレイからコンポーネントのインタフェースへの純粋に垂直方向の信号伝導を達成することも可能である。この目的で、ＡＳＩＣに、めっき貫通孔、特にシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）、及び両面接点接触を設けることができる。結果として、信号経路がさらに短縮される。さらに、熱経路も結果として短縮される。

信号低減により、光学コンポーネントの電気インタフェースを最小化することがさらに可能である。請求項６によれば、電気インタフェースを担持構造のうちミラーアレイに対して反対側、つまり後側に配置する。インタフェースは、特に、担持構造の完全に後側に配置する。接点の横方向配置を省くことができる。相互に対するコンポーネントの柔軟な配置性が結果として向上する。原理上、隣接して配置したコンポーネント同士を担持構造上で横方向に接続するために、１つ又は複数のさらなるインタフェースを設けることも可能である。

インタフェースの接続は、コンタクトピンとして具現することができる。これらは、担持構造に組み込んだピン、いわゆる「ビア」ピンとして具現することが好ましい。結果として、第１に、インタフェースの製造が容易になり、第２に、特に製造時の損傷の危険が減る。その代替として、担持構造の後側に平面状に具現した電気接点又はプラグ接続インタフェースも可能である。平面状に具現した接点は、コンポーネントの配置における公差、すなわち所要精度を大きくする。コンポーネントの配置がその結果として単純化される。

請求項７によれば、担持構造は、少なくとも１つの強磁性体を含む。磁力によるコンポーネントの取り扱い及び／又は固定が、その結果として可能となる。強磁性体は、金属板又は金属箔として具現することができる。強磁性体は、永久磁石式に具現することもできる。これは特に、永久磁石材料から構成することができる。これは、特にＡＳＩＣと担持構造との間で担持構造の切欠部に配置することができる。その代替又は付加として、このタイプの強磁性体は、担持構造の後側に設けることができる。これは、担持構造に結合することができる。これは、担持構造及び／又はＡＳＩＣに直接施す、特に電着で施すことができる。これは、磁性素子と担持構造との間の特に確実な安定した接続につながる。

本発明のさらに別の目的は、上記の記述に従った少なくとも１つのコンポーネントを備えた光学アセンブリを改良することである。この目的は、請求項８の特徴により達成される。

本発明の核心は、少なくとも１つの光学コンポーネントを固定デバイスによってベースプレートに固定することにある。ベースプレートは、機械的に剛性に具現する。したがって、これはアセンブリに構造安定性を与える。これは同時に、ヒートシンクとして働く。ベースプレートのサイズ及び形状は、実質的に自由に選択できる。これは特に、アセンブリの残りのコンポーネントの技術的限界とは無関係である。ベースプレートは平坦に具現することができる。これは湾曲状に具現することもできる。ベースプレートは、良好な熱伝導率を有するよう具現することが有利である。これは、少なくとも１５０Ｗ／（ｍＫ）の熱伝導率を有する。ベースプレートの熱伝導率は、特に２２０Ｗ（ｍＫ）、特に少なくとも３５０Ｗ／（ｍＫ）であり得る。これは、金属製、例えば銅製又はアルミニウム製であり得る。特に、その表面を研磨することができる。原理上、ベースプレートは、熱伝導率の低い材料、特に石英又はガラスから構成することもできる。この場合、これにいわゆる「サーマルビア」、すなわち高熱伝導性材料、特に銅を充填した貫通孔を設ける。

アセンブリの冷却、特に光学コンポーネントからの熱の移動を向上するために、冷却システムをさらに設けることができる。冷却システムは、ベースプレートに熱的に接続する。これは特に、ベースプレートに組み込むことができる。この場合、これは、ベースプレートの所定の領域に、特に縁部領域のみに配置することができる。これは、ベースプレートの向きと平行に延びるようにベースプレートに配置することもできる。ベースプレートへの冷却システムの組み込みは、特に有利な冷却能力につながる。ベースプレートを別個の冷却システムに間接的に連結することも可能である。別個の冷却システムは、ベースプレートからのその機械的分離を可能にする。ベースプレートから冷却システムへの熱の流れを確保するために、熱伝導率の高い軟質要素をこの場合に設けることができる。銅ケーブル、銅箔、又はカプセル化した高配向グラファイト、いわゆるＨＯＰＧから構成した要素が特にこの目的に適している。冷却流体の流れにより励起された光学コンポーネントのミラー素子の振動を、それにより回避することができる。

アセンブリは、上述のタイプの複数の光学コンポーネントを備えることができ、これらの光学コンポーネントは、特に同一に具現される。請求項９によれば、アセンブリは、少なくとも５個の光学コンポーネントを備える。アセンブリは、特に少なくとも１６個、特に少なくとも６４個、特に少なくとも２５６個、特に少なくとも１０２４個のこのタイプの光学コンポーネントを備えることができる。アセンブリは、任意の所望の方法で拡張できることが好ましい。したがって、これにより、アセンブリのサイズ及び形態を各要件に非常に柔軟に適合させることが可能となる。

好ましくは、隣接して配置したコンポーネント間の距離は、１ｍｍ以下、特に５００μｍ以下、特に３００μｍ以下、特に２００μｍ以下、特に１００μｍ以下、特に５０μｍ以下である。２つの隣接して配置したコンポーネント間の距離は、特に、光学コンポーネントの全表面がその全反射面よりも突出する絶対値と最大でも同じ大きさである。ベースプレート上の光学コンポーネントのこのような密集配置は、上述のタイプのミラーアレイでの任意の所望のサイズの表面の事実上隙間のない寄せ木張りを可能にする。したがって、これは特に、任意の所望のサイズ及び／又は形状の表面を変位可能なミラー素子で任意の所望の方法で寄せ木張りすることを可能にする。

請求項１０によれば、少なくとも１つの光学コンポーネントをベースプレートに交換可能に配置する。特に、これは非破壊的に交換可能である。これはさらに、ベースプレート上の光学コンポーネントの配置の融通性を高める。さらに、ベースプレート上のコンポーネントの交換可能な配置は、修理目的で有利である。原理上、コンポーネントをベースプレートに接続固定する、特に接着結合することも可能である。機械的安定性及び／又は熱伝導をそれにより改善することができる。このような場合、固定デバイスを例えば接着剤層として具現する。

請求項１１によれば、固定デバイスは磁気手段を含む。固定デバイスは、特に、ベースプレートに組み込んだ永久磁石を含む。固定デバイスは、付加的な強磁性体及び／又は電磁石を有し得る。永久磁石は、真空に適した高磁性材料又は対応の材料の組み合わせから形成することができる。特に、サマリウムコバルト磁石又はネオジム鉄ボロン磁石が適当である。代替的な材料も同様に可能である。固定デバイスの永久磁石は、ベースプレートに完全に組み込む、すなわちベースプレートによって完全に囲むことができる。永久磁石は、ベースプレートに封入配置することができる。原理上、ベースプレートにおける永久磁石の交換可能な配置も考えられる。

永久磁石は、特に、ベースプレートに配置したコンポーネントに少なくとも１０Ｎの保持力を加えるために用いることができるような寸法及び配置にする。したがって、磁石を用いて、コンポーネントをベースプレートにしっかりと固定することができる。

ベースプレート上の光学コンポーネントの取り付け／取り外し中、特に熱プロセスを省くことができる。

ベースプレート上の光学コンポーネントの向きが自己位置合わせされるように、永久磁石をベースプレートに配置し、磁性素子を光学コンポーネントに配置することが特に有利であり得る。この場合、特に、ベースプレート上の光学コンポーネントの位置は、表面法線に対して垂直な方向に規定され得る。付加的な機械的位置合わせ手段を省くことができる。言うまでもなく、付加的な位置合わせ手段を設けることもできる。

固定デバイスの磁石が光学コンポーネントに加える力は、調節可能であることが有利である。この目的で、磁石と光学コンポーネントに面したベースプレートの表面との間の距離が調整可能であり得る。その代替及び／又は付加として、固定デバイスの永久磁石が光学コンポーネントに加える力を、さらなる磁場を少なくとも一時的に印加することにより調節することができる。このようなさらなる一時的な磁場は、付加的な電磁石によって特に単純に発生させることができる。こうした電磁石は、永久磁石のうち光学コンポーネントに対して反対側に、特にベースプレートの後側に配置することが好ましい。これらは、特にベースプレートの後側に解放可能に配置することができる。これには、これらをベースプレート上のコンポーネントの取り付け及び／又は取り外しのためにベースプレートの後側に配置できるが、ベースプレートに光学コンポーネントを設けた後に再度取り外すことができるという利点がある。付加的な電磁石により、永久磁石が光学コンポーネントに加える力を、非常に精密に且つ／又は場所別に（location-specifically）、すなわち特にコンポーネント別に補償することができる。これにより、特に、少なくとも取り付け／取り外しプロセス中にいわゆるゼロ挿入力インタフェース（ＺＩＦ）を形成するように、ベースプレートと光学コンポーネントとの間に機械的接続を形成することが可能となる。

さらに、コンポーネントの向きを単純化する光学手段をベースプレートに設けることができる。これがさらにコンポーネントの取り付けを単純化する。

コンポーネントの取り外しを単純化するために、開口をベースプレートに設けることができる。このタイプの開口は、コンポーネントを圧縮空気によって支持されるよう取り外すことを可能にし得る。特に、ベースプレートに配置すべき光学コンポーネント毎にベースプレートに１つ又は複数の開口を配置することができる。

ベースプレート上の光学コンポーネントの取り付けを単純化するために、請求項１２によれば、ベースプレートにばね式（sprung）コンタクトピン、いわゆるばね式ピンを配置し、特にこれらをベースプレートに組み込むことができる。上記ばね式ピンは、光学コンポーネントの担持構造の後側で電気インタフェースとの電気接点をもたらす役割を果たす。ばね式ピンは、特に、ベースプレート上の光学コンポーネントの配置中にインタフェースの電気接点区域に位置付けられるよう配置する。この場合、このタイプのピンと光学コンポーネントにおける接点との間の接触抵抗は、特に１００ｍΩ以下である。電流スパイクに起因して生じ得る電圧変動は、小さな接触抵抗により低減される。さらに、信号伝送中の発熱もその結果として低減される。

コンタクトピンは、列状に配置することが好ましい。これは製造を容易にする。コンタクトピンは、特に、セラミック、ガラス、又はテフロンで鋳造することができ、群別にベースプレートに組み込むことができる。コンタクトピンは、特にそれぞれベースプレートの固定デバイスの磁石間に列状に、特に複列で配置することができる。このような格子状配置は、アセンブリのモジュール構成に寄与する。

両側がばね式のコンタクトピンの実施形態が特に有利である。これらは、ベースプレート上の光学コンポーネントの配置と、例えば中央制御デバイス及び／又は回路板又はベースプレートの後側のさらに他の電子コンポーネントからの信号線の配置との両方を容易にする。

ばね式、特に両ばね式（doubly sprung）コンタクトピンの使用により、コンタクトピンと各電気接点の対応の合わせ面との間の公差を広くすることができる。コンタクトピンのテーパ状実施形態の場合、公差は、それぞれ関連する電気接点の合わせ面の直径の半分又は縁部長（edge length）の半分に正確に対応する。これは、例えば１ｍｍの縁部長を有する合わせ面の場合には０．５ｍｍである。これにより、ベースプレートの製造、特にベースプレートにおけるコンタクトピンの配置及び／又は取り付けが容易になる。複数の電気接点をベースプレートに配置すべき光学コンポーネント毎に設けるので、このような単純化が特に有利である。ベースプレートと個々の光学コンポーネントとの間の電気接点の数は、特に少なくとも２０個、特に少なくとも３０個、特に少なくとも５０個、特に少なくとも７０個である。この数は、光学コンポーネントのサイズに応じて、特にこのタイプのコンポーネントのミラーアレイのミラー素子の数に応じて変わる。

さらに、信号取り出し及び伝導用の回路板、特にセラミック又は金属回路板（ＰＣＢ）をベースプレートの後側に配置することができる。これはさらに、ミラー素子を制御するための信号伝導を単純化する。したがって、特にベースプレート上の信号分布を調節するための付加的な電子コンポーネントを、ベースプレートの後側に配置することができる。このタイプの電子コンポーネントは、特に、個々の光学コンポーネントの較正データを含むことができる。

本発明のさらに別の目的は、光学コンポーネントを製造する方法を改良することである。この目的は、請求項１３の特徴により達成される。

本発明の核心は、いわゆる実装、すなわち担持構造へのミラーアレイの接続を完全にバッチプロセスで、すなわちウェハレベルで実行することにある。ウェハレベルではなくチップレベルで進めるさらに他のプロセスステップを省くことができる。これは、コンポーネントの製造を大幅に簡略化する。

本発明のさらに別の目的は、上述のコンポーネントを取り扱うツールを提供することである。この目的は、請求項１４の特徴により達成される。

本発明の核心は、個別に制御可能な保持力を発生させる少なくとも１つの電磁石と、ツールと光学コンポーネントとの間の機械的接触領域を事前規定するスペーサ要素とを備えた特徴を具現することにある。

スペーサ要素は、光学コンポーネントの取り扱い中にミラーアレイの全反射面の周りに延びる縁部とのみ接触するよう具現することが好ましい。これにより、第１にミラー素子との接触が回避される。これにより、第２に、担持構造の領域におけるツールがコンポーネントよりも横方向に、すなわち表面法線に対して垂直な方向に突出しないことが確実になる。これにより、コンポーネントをベースプレートに密集して配置することができる。

ツールは、少なくとも１つの、特に複数の、好ましくは個別に駆動可能な電磁石（単数又は複数）を備える。当該電磁石（単数又は複数）により、第１に、光学コンポーネントを保持する保持力を発生させることができ、第２に、ベースプレートの固定デバイスの磁石が光学コンポーネントに加える保持力をツールの磁石により補償することができる。したがって、ツールは、ベースプレート上の光学コンポーネントの特に柔軟な無振動配置を可能にする。

ツールは、少なくとも１つの、特に複数の、ツールに対する光学コンポーネントの印加圧力を監視する感圧センサ（単数又は複数）をさらに有し得る。当該センサ（単数又は複数）は、ツールの磁石が発生させた保持力を調節する調節デバイスの一部であり得る。さらに、ツールは、１つ又は複数の光学センサ、例えばカメラ、特に小型カメラを有することができ、これによってベースプレートに対する光学コンポーネントの向きを監視及び／又は位置合わせすることができる。さらに、第１距離センサを設けることができ、これによってツールと光学コンポーネントとの間の距離を測定することができる。特に有利な一実施形態では、ツールは、少なくとも１つの、特に複数の、特に少なくとも３個の距離センサを有し、これによってベースプレートに対するツールの、特にツールが保持する光学コンポーネントの距離及び向きを測定することができる。さらに、ツールは、ベースプレートに対するツールの、したがってツールが保持するコンポーネントの向きを支持する特に光学タイプの少なくとも１つの、特に複数の補助デバイス（単数又は複数）を有することができる。さらに、ツールは、位置決めシステム、特にいわゆるピックアンドプレースロボットを備えることができる。さらなる詳細及び利点は、例示的な実施形態の説明から明らかとなるであろう。

本発明のさらに別の目的は、光学アセンブリを製造する方法を特定することである。この目的は、請求項１５の特徴により達成される。

本発明の核心は、ベースプレートにコンポーネントを配置する目的で、固定デバイスの磁石が上記コンポーネントに加える固定力が、さらなる磁場によって少なくとも部分的に、特に完全に補償されることにある。固定デバイスの磁石が配置すべきコンポーネントに加える固定力は、特に一時的にのみ、すなわち各コンポーネントの配置中にのみ補償される。さらなる磁場は、例えば、光学コンポーネントを取り扱うツールに配置した１つ又は複数の永久磁石によって補償することができる。これは、ベースプレートの後側に配置した１つ又は複数の磁石、特に１つ又は複数の電磁石によって補償することもできる。固定要素が配置すべきコンポーネントに加える固定力の補償は、コンポーネントが非常に静かに、特に無振動でベースプレートに置かれることを確実にすることを可能にする。これにより、特に、個々の光学コンポーネントの非破壊的な装着及び取り外しの繰り返しが可能である。特に一時的なコンポーネントの取り付け中、ベースプレートは、光学コンポーネントのためのいわゆるゼロ挿入力インタフェース（ＺＩＦ）を形成する。ツールが光学コンポーネントに加える保持力が十分に強ければ、固定デバイスの磁石がコンポーネントに加える固定力が部分的にしか補償されなくても十分であり得る。

本発明のさらに別の有利な態様によれば、ベースプレートに配置される、またベースプレートからの取り外し中の光学コンポーネントには、当該コンポーネントのうちベースプレートに対して反対側でのみツールが接触する。これには、ベースプレート上に多くのコンポーネントが密集している場合でも、任意のコンポーネントを交換、すなわち取り外し及び／又は再挿入できるという利点がある。残りのコンポーネントは特に、この目的で取り外す必要がない。さらに、このタイプの光学コンポーネントの取り扱いにより、接触中のミラーアレイと担持構造との間の結合領域に生じ得る損傷が防止される。

本発明のさらに他の目的は、投影露光装置の光学ユニット、特に照明ユニット及び／又は投影光学ユニット、ＥＵＶ投影露光装置の照明系、及び同じくこのタイプの投影露光装置を改良することである。これらの目的は、請求項１６〜１８の特徴により達成される。利点は上述の利点に対応する。

本発明のさらに他の態様は、微細構造又はナノ構造コンポーネントを製造する方法を改良すること、及びこのようにして製造したコンポーネントを改良することにある。これらの目的は、請求項１９及び２０の特徴により達成される。利点は、同様にすでに説明した利点に対応する。

本発明のさらなる詳細及び利点は、添付図面を参照して複数の例示的な実施形態の説明に基づき明らかとなるであろう。

照明系及び投影光学ユニットを備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置の子午断面の概略図を示す。 ミラーアレイ（ＭＭＡ）を備えた投影露光装置の照明系及び照明系により照明される瞳ファセットミラーの実施形態を示す。 照明設定に対応する瞳ファセット照明を有する図２に示す瞳ファセットミラーの例示的な平面図を概略的に示す。 ミラー素子の変位により発生させることができる瞳ファセットミラーに対するミラーアレイのチャネル割り当てを含む図３に示す照明系を概略的に示す。 輪帯照明設定に相当する瞳ファセット照明を有する図３に示す瞳ファセットミラーの概略平面図を示す。 図２及び図４に示すミラーアレイの相互に並んだ２つのミラー素子の概略図を示す。 ミラーアレイ（ＭＭＡ）を有する光学コンポーネントの実施形態の概略断面を示す。 ミラーアレイ（ＭＭＡ）を有する光学コンポーネントのさらに別の実施形態の概略断面を示す。 ミラーアレイ（ＭＭＡ）を有する光学コンポーネントのさらに別の実施形態の概略断面を示す。 ミラーアレイ（ＭＭＡ）を有する光学コンポーネントのさらに別の実施形態の概略断面を示す。 個々の細部を説明する光学コンポーネントの担持構造の概略図を示す。 個々の細部を説明する光学コンポーネントの担持構造の概略図を示す。 個々の細部を説明する光学コンポーネントの担持構造の概略図を示す。 個々の細部を説明する光学コンポーネントの担持構造の概略図を示す。 個々の細部を説明する光学コンポーネントの担持構造の概略図を示す。 ベースプレートに配置したミラーアレイ（ＭＭＡ）を有する４つの光学コンポーネントを備えた光学アセンブリの例示的な図を示す。 ベースプレートの実施形態の断面を示す。 コンタクトピン及びベースプレートに組み込んだ磁石の配置を個々の細部を説明するために示す、図１７に示すベースプレートの概略平面図を示す。 ベースプレートにおけるばね式コンタクトピン及びベースプレートの後側に配置した回路板の配置の代替的な一実施形態を示す。 ベースプレートにおけるばね式コンタクトピン及びベースプレートの後側に配置した回路板の配置の代替的な一実施形態を示す。 冷却システムの一実施形態を説明するベースプレートの概略図を示す。 冷却システムの一実施形態を説明するベースプレートの概略図を示す。 冷却システムの一実施形態を説明するベースプレートの概略図を示す。 ベースプレートに配置したコンポーネントを備えた光学アセンブリの断面を示す。 本発明のさらに他の態様を説明するベースプレート上のコンポーネントの配置の概略図を示す。 光学コンポーネントの製造中の中間製品を示す。 光学コンポーネントの製造中の中間製品を示す。 光学コンポーネントの製造中の中間製品を示す。 光学コンポーネントの製造中の中間製品を示す。 光学コンポーネントの製造中の中間製品を示す。 光学コンポーネントの製造中の中間製品を示す。 光学コンポーネントの製造中の中間製品を示す。 光学コンポーネントの製造中の中間製品を示す。 光学コンポーネントの製造中の中間製品を示す。 光学コンポーネントを製造する方法シーケンスの方法ステップを概略的に示す。 光学コンポーネントを取り扱うツールの図を概略的に示す。 図２４に示すアセンブリを製造するためにベースプレートにコンポーネントを配置する方法の図を概略的に示す。 図２４に示すアセンブリを製造する方法シーケンスの方法ステップを概略的に示す。

最初に、投影露光装置１の基本構成を、図を参照して以下で説明する。

図１は、マイクロリソグラフィ用の投影露光装置１の子午断面を概略的に示す。投影露光装置１の照明系２は、放射線源３に加えて、物体面６の物体視野５を露光する照明光学ユニット４を有する。物体視野５は、例えば１３／１のｘ／ｙアスペクト比で矩形状又は円弧状に作ることができる。この場合、物体視野５に配置した反射レチクル（図１には図示せず）を露光させ、当該レチクルは、微細構造又はナノ構造半導体コンポーネントの製造用の投影露光装置１により投影される構造を有する。投影光学ユニット７は、物体視野５を像面１９の像視野８に結像するよう働く。レチクル上の構造は、像面９の像視野８の領域に配置したウェハの感光層に結像されるが、当該ウェハは図示していない。

レチクルホルダ（図示せず）により保持されたレチクルとウェハホルダ（図示せず）により保持されたウェハは、投影露光装置１の動作中にｙ方向に同期走査される。投影露光学ユニット７の結像スケールに応じて、レチクルをウェハに対して逆方向に走査することも可能である。

投影露光装置１を用いて、レチクルの少なくとも一部を、特に半導体コンポーネントの、例えばマイクロチップの微細構造又はナノ構造コンポーネントのリソグラフィ製造のためにウェハ上の感光層の領域に結像させる。スキャナ又はステッパとしての投影露光装置１の実施形態に応じて、レチクル及びウェハをスキャナ動作で連続的にｙ方向に時間同期させて、又はステッパ動作で段階的に移動させる。

放射線源３は、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の放出使用放射線を有するＥＵＶ放射線源である。これは、プラズマ源、例えばＧＤＰＰ源（ガス放電生成プラズマ）又はＬＰＰ源（レーザ生成プラズマ）を含むことができる。他のＥＵＶ放射線源、例えばシンクロトロン又は自由電子レーザ（ＦＥＬ）に基づくものも可能である。

放射線源３から出射したＥＵＶ放射線１０は、コレクタ１１によって集束される。対応のコレクタが、欧州特許第１ ２２５ ４８１号明細書から既知である。コレクタ１１の下流で、ＥＵＶ放射線１０は、中間焦点面１２を通って伝播した後に複数の視野ファセット１３ａを有する視野ファセットミラー１３に当たる。視野ファセットミラー１３は、物体面６に対して光学的に共役な照明光学ユニット４の平面に配置される。

ＥＵＶ放射線は、以下では使用放射線、照明光、又は結像光とも称する。

視野ファセットミラー１３の下流で、ＥＵＶ放射線１０は、複数の瞳ファセット１４ａを有する瞳ファセットミラー１４により反射される。瞳ファセットミラー１４は、照明光学ユニット７の入射瞳面に、又はそれに対して光学的に共役な平面にある。視野ファセットミラー１３及び瞳ファセットミラー１４は、より詳細に後述する複数の個別ミラーから構成される。この場合、個別ミラーへの視野ファセットミラー１３の細分は、物体視野５全体をそれぞれ単独で照明する視野ファセット１３ａのそれぞれが個別ミラーの１つずつで表されるようにすることができる。代替的に、視野ファセット１３ａの少なくともいくつか又は全部を複数のかかる個別ミラーにより構成することが可能である。同じことが、視野ファセット１３ａにそれぞれ割り当てた瞳ファセットミラー１４の瞳ファセット１４ａの構成にも対応して当てはまり、これらの瞳ファセットは、それぞれが単一の個別ミラーによって又は複数のかかる個別ミラーによって形成され得る。

ＥＵＶ放射線１０は、ミラー面に対する垂直入射で測定して２５°以下の入射角で２つのファセットミラー１３、１４に当たる。したがって、ＥＵＶ放射線１０は、垂直入射動作範囲で２つのファセットミラー１３、１４に照射される。斜入射での照射も可能である。瞳ファセットミラー１４は、投影光学ユニット７の瞳面を構成するか又は投影光学ユニット７の瞳面に対して光学的に共役である照明光学ユニット４の平面に配置される。瞳ファセットミラー１４と、ＥＵＶ放射線１０のビーム経路の順にミラー１６、１７、及び１８を有する透過光学ユニット１５の形態の結像光学アセンブリとを用いて、視野ファセットミラー１３の視野ファセットを重畳して物体視野５に結像させる。透過光学ユニット１５の最終ミラー１８は、斜入射用のミラー（「斜入射ミラー」）である。透過光学ユニット１５は、瞳ファセットミラー１４と共に、ＥＵＶ放射線１０を視野ファセットミラー１３から物体視野５へ伝達する後続光学ユニットとも称する。照明光１０は、放射線源３から物体視野５へ複数の照明チャネルにより案内される。当該照明チャネルのそれぞれが、視野ファセットミラー１３の視野ファセット１３ａ及びその下流に配置した瞳ファセットミラー１４の瞳ファセット１４ａに割り当てられる。視野ファセットミラー１３及び瞳ファセットミラー１４の個別ミラーは、アクチュエータシステムによって傾斜可能とすることができ、その結果、視野ファセット１３ａへの瞳ファセット１４ａの割り当ての変化と、それに応じた照明チャネルの構成変化とを達成することができる。これにより、物体視野５にわたる照明光１０の照明角度分布が異なる種々の照明設定が得られる。

位置関係の説明を容易にするために、特にグローバルデカルトｘｙｚ座標系を以下で用いる。ｘ軸は、図１において観察者に向かって図面の平面に対して垂直に延びる。ｙ軸は、図１において右側に延びる。ｚ軸は、図１において上方に延びる。

ローカルデカルトｘｙｚ座標系を後続の図からの選択図に示し、ｘ軸は、図１に示すｘ軸と平行に延び、ｙ軸は、上記ｘ軸と共に各光学素子の光学面を張る。

図２は、投影露光装置１の照明系１９の代替的な構成を示す。図１を参照してすでに説明したものに相当するコンポーネントは、同じ参照符号を有し、再度詳述はしない。

ＬＰＰ源として同様に具現され得る放射線源３から出射した使用放射線１０は、最初に第１コレクタ２０によって集光される。コレクタ２０は、放射線源３を中間焦点面１２に結像するか又は放射線源３からの光を中間焦点面１２の中間焦点に集束させる放物面鏡であり得る。コレクタ２０は、使用放射線１０が０°に近い入射角でこれに照射されるよう動作させることができる。コレクタ２０は、このとき、垂直入射付近で動作するので、垂直入射（ＮＩ）ミラーとも称する。斜入射で動作するコレクタをコレクタ２０の代わりに用いることもできる。

中間焦点面１２の下流には、使用放射線１０、すなわちＥＵＶ放射線ビームを案内する光学アセンブリの例としてマルチ又はマイクロミラーアレイ（ＭＭＡ）の形態の視野ファセットミラー２１が配置される。マルチ又はマイクロミラーアレイ（ＭＭＡ）は、以下で単にミラーアレイ２２とも称する。視野ファセットミラー２１は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）として具現される。これは、行列状の配列でマトリックス状に配置した複数の個別ミラーを有する。個別ミラーは、以下でミラー素子２３とも称する。ミラー素子２３は、以下でも説明するようにアクチュエータシステムによって傾斜可能であるよう設計される。全体として、視野ファセットミラー２１は、約１００，０００個のミラー素子２３を有する。ミラー素子２３のサイズに応じて、視野ファセットミラー２１は、例えば１，０００個、５，０００個、７，０００個、又は数十万個のミラー素子２３、例えば５００，０００個のミラー素子２３を有することもできる。

スペクトルフィルタを視野ファセットミラー２１の上流に配置することができ、当該スペクトルフィルタは、使用放射線１０を放射線源３の放出のうち投影露光に使用可能でない他の波長成分から分離する。スペクトルフィルタは図示しない。

８４０Ｗのパワー及び６．５ｋＷ／ｍ^２のパワー密度を有する使用放射線１０を、視野ファセットミラー２１に照射する。使用放射線１０は、異なるパワー及び／又はパワー密度を有することもできる。

ファセットミラー２１の個別ミラーアレイ全体は、５００ｍｍの直径を有し、ミラー素子２３を密集させて設計される。ミラー素子２３による、完全な視野ファセットアレイの充填度又は集積密度とも称する面積占有率は、少なくとも７０％である。ミラー素子２３は、視野ファセット２１ａがそれぞれ１つのミラー素子２３のみによって実現される限り、倍率は別として、物体視野５の形態を表す。ファセットミラー２１は、それぞれが視野ファセット２１ａを表し且つｙ方向に約５ｍｍの寸法及びｘ方向に約１００ｍｍの寸法を有する５００個のミラー素子２３から形成することができる。１つだけのミラー素子２３による各視野ファセット２１ａの実現の代替形態として、視野ファセット２１ａのそれぞれをより小さなミラー素子２３の群により形成することができる。ｙ方向に５ｍｍ及びｘ方向に１００ｍｍの寸法を有する視野ファセット２１ａは、例えば、５ｍｍ×５ｍｍの寸法を有する１×２０個のミラー素子２３のアレイ〜０．５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有する１０×２００個のミラー素子２３のアレイによって構成することができる。本発明によれば、視野ファセット２１ａへのミラー素子２３の割り当ては融通性がある。視野ファセット２１ａは、特に最初にミラー素子２３の適切な駆動により規定される。ミラー素子２３の形態は、特に、巨視的なフィールドファセットの形態とは無関係であり得る。

使用光１０は、ファセットミラー２１のミラー素子２３から瞳ファセットミラー１４へ反射される。瞳ファセットミラー１４は、約２，０００個の固定瞳ファセット１４ａを有する。瞳ファセット１４ａが相互に並んだ複数の同心円状のリングとして配置されることで、最も内側のリングの瞳ファセット１４ａは、扇形に構成され、それに直接隣接するリングの瞳ファセット１４ａは、部分リング形（ring-sector-shaped）に構成される。瞳ファセットミラー１４の象限内では、瞳ファセット１４ａがリング１２のそれぞれに相互に並んで存在し得る。瞳ファセット１４ａのそれぞれをミラーアレイ２２として具現することができる。

使用光１０は、瞳ファセット１４ａから物体面６に配置した反射レチクル２４へ反射される。図１に示す投影露光装置に関連して上述したように、次に投影光学ユニット７が続く。

図１に示す照明光学ユニット４に関連して上述したように、透過光学ユニット１５をファセットミラー１４とレチクル２４との間に再度設けることができる。

図３は、図２に示す従来の照明設定をほぼ達成できる瞳ファセットミラー１４の瞳ファセット１４ａの照明を例として示す。瞳ファセットミラー１４の２つの内側瞳ファセットリングにおいて、周方向に１つ置きの瞳ファセット１４ａ（every second done of the pupil facets 14a）を照明する。図３におけるこの交互照明図は、この照明設定の場合に実現される充填密度が輪帯照明設定の場合の１／２であることを象徴することを意図したものである。均一な照明分布も同様に２つの内側瞳ファセットリングで求められるが、占有密度は１／２である。図３に示す２つの外側瞳ファセットリングは照明されていない。

図４は、輪帯照明設定がそこで設定される限りにおける、照明光学ユニット４の場合の条件を概略的に示す。視野ファセットミラー２１のミラー素子２３は、瞳ファセットミラー１４において部分リング形の瞳ファセット１４ａの外側リングが使用光１０で照明されるようにアクチュエータ（以下でも説明する）を用いてアクチュエータシステムによって傾斜させられる。瞳ファセットミラー１４のこの例示的な照明を図５に示す。この照明を発生させるためのミラー素子２３の傾斜を、ミラー素子２３の１つの例に基づいて図４に例として示す。

図２〜図５に示す照明設定を切り替えるために、ミラー素子２３を傾斜角で枢動させることができる。ミラー素子２３は、特に、少なくとも±５０ｍｒａｄ、特に少なくとも±８０ｍｒａｄ、特に±１００ｍｒａｄの範囲の傾斜角で枢動可能である。各傾斜位置は、少なくとも０．２ｍｒａｄ、この場合は特に少なくとも０．１ｍｒａｄ、特に少なくとも０．０５ｍｒａｄの精度で満たすことができる。

ミラー素子２３は、使用放射線１０の波長でそれらの反射率を最適化するための多層コーティングを有する。多層コーティングの温度は、投影露光装置１の動作中に４２５Ｋを超えるべきではない。これは、例として後述するミラー素子２３の構成によって達成される。図２に概略的に示すような照明光学ユニット４のミラー素子２３は、真空排気可能なチャンバ２５に収容される。図２は、真空排気可能なチャンバ２５の境界壁２６を概略的に示しているだけである。チャンバ２５は、遮断弁２８を収容した流体ライン２７を介して真空ポンプ２９と連通する。真空排気可能なチャンバ２５内の作動圧力は、数Ｐａ（分圧Ｈ_２）である。他の全ての分圧は、１０^−７ｍｂａｒを明らかに下回る。

ミラー素子２３は、基板３０に配置する。基板３０は、熱伝導セクション３１を介してミラー本体３２に機械的に接続する。熱伝導セクション３１の一部は、ミラー本体３２を基板３０に対して傾斜させることができる関節体３３である。関節体３３は、固体関節として具現することができるが、ミラー本体３２を規定の傾斜自由度で、例えば１つ又は２つ特に相互に垂直に配置した傾斜軸を中心に傾斜させる。関節体３３は、基板３０に固定した外側保持リング３４を有する。さらに、関節体３３は、外側保持リング３４に関節式に接続した内側保持体３５を有する。当該保持体は、ミラー素子２３の反射面３６の中央の下に配置する。スペーサ３７を、中央保持体３５と反射面３６との間に配置する。

ミラー体３２に加わった熱、特に入射使用放射線１０の吸収により発生した熱は、熱伝導セクション３１を介して、すなわちスペーサ３７、中央保持体３５、関節体３３、及び外側保持体３４を介して基板３０へ放散される。少なくとも１０ｋＷ／ｍ^２、特に少なくとも３０ｋＷ／ｍ^２、特に少なくとも５０ｋＷ／ｍ^２、の熱パワー密度を、熱伝導セクション３１を介して基板３０へ放散させることができる。基板３０へ放散された熱パワーは、ミラー素子２３に応じて、少なくとも２．５ｍＷ、特に少なくとも７．５ｍＷ、特に少なくとも１２．５ｍＷであり得る。熱伝導セクション３１は、代替的に、少なくとも１ｋＷ／ｍ^２の熱パワー密度又はミラー体３２が吸収した少なくとも０．２５ｍＷを基板３０へ放散させるよう設計される。吸収されたパワーは、放射線源３からの使用放射線１０の吸収パワーに加えて、例えば吸収電力パワーでもあり得る。

スペーサ３７に対して保持体３５の反対側で、アクチュエータピン３８を上記保持体に配置する。アクチュエータピン３８は、スペーサ３７よりも小さな外径を有し得る。アクチュエータピン３８は、スペーサ３７と同じ直径又はスペーサ３７よりも大きな直径を有することもできる。

基板３０は、アクチュエータピン３８を囲むスリーブを形成する。いずれの場合も、合計３個の電極５４がスリーブに組み込まれ、これらの電極は、相互に電気的に絶縁されてそれぞれ周方向に約１２０°未満にわたって延びるよう配置される。電極５４は、この実施形態では電極ピンとして具現されるアクチュエータピン３８に対して対向電極を構成する。この場合、アクチュエータピン３８は、特に中空シリンダとして具現することができる。原理上、アクチュエータピン３８につき異なる数の電極５４を設けることも可能である。特に、アクチュエータピン３８につき４個以上の電極５４を設けることができる。１つ又は複数の電極５４とアクチュエータ３８との間に電位差を発生させることにより、アクチュエータピン３８に対して静電力を発生させることが可能であり、この力は、図６の右側半分に例として示すように、ミラー素子２３の偏向をもたらし得る。

基板３０は、特にシリコンウェハから形成することができ、そこにミラー素子２３のアレイ全体が配置される。

アクチュエータピン３８は、ローレンツアクチュエータの一部でもあり得る。この場合、永久磁石をアクチュエータピン３８の自由端に配置する。永久磁石は、そのＮ極及びＳ極がアクチュエータピン３８に沿って相互に並んで配置されるような向きにされ得る。このタイプのローレンツアクチュエータは、米国特許第７，１４５，２６９号明細書から既知である。これは、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）としてバッチプロセスで製造することができる。２０ｋＰａの力密度をこのタイプのローレンツアクチュエータで達成することができる。力密度は、アクチュエータのうちアクチュエータ力が作用する面積に対するアクチュエータ力の比として定義される。アクチュエータピン３８の断面は、アクチュエータのうちアクチュエータ力が作用する本質的に検討対象となる側面積の測度としての役割を果たし得る。

ローレンツアクチュエータとしての実施形態の代替形態として、ミラー素子２３を傾斜させるアクチュエータは、例えば国際公開第２００７／１３４５７４号パンフレットのようにリラクタンスアクチュエータとして、又は圧電アクチュエータとして具現することができる。５０ｋＰａの力密度をリラクタンスアクチュエータで達成することができる。構成に応じて、５０ｋＰａ〜１ＭＰａの力密度を圧電アクチュエータで達成することができる。

特に基板３０における個別ミラー２３の配置及びアクチュエータによるそれらの枢動性に関するさらなる詳細と、関節体及び熱伝導セクション３１の実施形態とに関しては、国際公開第２０１０／０４９０７６号パンフレットを参照されたい。

ミラーアレイ２２を有する光学コンポーネント４０のさらなる態様及び詳細を、図７〜図１５を参照して以下で説明する。ミラー素子２３及び基板３０を有するミラーアレイ２２は、表面法線４１に対して垂直に延びる全表面を有する。これは、それぞれが反射面３６及び２変位自由度を有する複数のミラー素子２３を備える。概して、ミラー素子２３は少なくとも１変位自由度を有する。ミラー素子２３は、３以上の変位自由度を有することもできる。ミラー素子２３は、特に少なくとも１傾斜自由度、好ましくは少なくとも２傾斜自由度を有する。ミラー素子２３は、並進自由度も有し得る。反射面３６は、０．５ｍｍ×０．５ｍｍ、１ｍｍ×１ｍｍ、４ｍｍ×４ｍｍ、８ｍｍ×８ｍｍ、又は１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさを有し得る。反射面３６は、正方形から逸脱することもできる。反射面３６の他の寸法も同様に可能である。

ミラーアレイ２２は、特に少なくとも４個、特に少なくとも１６個、特に少なくとも６４個、特に少なくとも２５６個、特に少なくとも１０２４個のミラー素子２３を有する。ミラー素子２３は、矩形、特に正方形のマトリックス状に配置することが好ましい。ミラー素子２３は正方形断面を有する。ミラー素子２３は、原理上、三角形、矩形、又は六角形で具現することもできる。ミラー素子２３は寄せ木張り要素として具現される。ミラー素子２３の全体は、ミラーアレイ２２の全反射面の寄せ木張りを形成する。寄せ木張りは特に碁盤目状配列である。ミラー素子２３は、特に密集して配置される。ミラーアレイは、特に、少なくとも０．８５、特に少なくとも０．９、特に少なくとも０．９５の充填度を有する。この場合、場合によっては集積密度とも称する充填度は、アレイ２２の全表面に対する全反射面、すなわちミラーアレイ２２の全部のミラー素子２３の反射面３６の和の比を示す。

ミラー素子２３の反射面３６は平坦に具現される。原理上、これは、凹状又は凸状として又は自由曲面として具現することもできる。

ミラー素子２３の反射面３６には、特に、使用放射線１０の波長でその反射率を最適化する（多層）コーティングを設ける。多層コーティングは、特に、ＥＵＶ領域の、特に５ｎｍ〜３０ｎｍの波長を有する使用放射線１０の反射を可能にする。

ミラーアレイ２２はモジュール式に具現される。ミラーアレイ２２は、特に、ミラーアレイ２２の全反射面の寄せ木張りをこのタイプの、すなわち複数の同一に具現したミラーアレイ２２の複数のタイル要素のタイル張りによって任意の所望の方法で拡張させることができるようにタイル要素として具現される。この場合、「寄せ木張り」及び「タイル張り」という異なる用語は、ミラー素子２３による個々のミラーアレイ２２の全反射面の寄せ木張りと複数のミラーアレイ２２によるマルチミラーアレイのそれとを区別するためだけに用いられる。これらはいずれも、１つの平面内で単純に接続した領域の隙間のない重ならない被覆を示す。全反射面の被覆が、この場合に完全に隙間のない状態ではなく、充填度＜１に反映されるようなものであっても、充填度が上記の値、特に少なくとも０．８５を有する場合は寄せ木張り又はタイル張りという用語を以下で用いる。

ミラー素子２３は基板３０によって保持される。基板３０は、表面法線４１に対して垂直な方向に延びる縁部領域４２を有する。縁部領域４２は、特に、ミラー素子２３の周りに周方向に配置される。縁部領域４２は、表面法線４１に対して垂直な方向に、５ｍｍ以下、特に３ｍｍ以下、特に１ｍｍ以下、特に０．５ｍｍ以下、特に０．３ｍｍ以下、特に０．２ｍｍ以下の幅ｂ、特に最大幅ｂを有する。したがって、ミラーアレイ２２の全表面は、全反射面、すなわちその外縁部よりも５ｍｍ以下、特に３ｍｍ以下、特に１ｍｍ以下、特に０．５ｍｍ以下、特に０．３ｍｍ以下、特に０．２ｍｍ以下、表面法線４１に対して垂直な方向に突出している。

ミラーアレイ２２の全表面積は、１ｍｍ×１ｍｍ〜５０ｍｍ×５０ｍｍ、特に１０ｍｍ×１０ｍｍ〜２５ｍｍ×２５ｍｍの範囲である。他の寸法も原理上同様に可能である。これは、特に正方形から逸脱することもできる。ミラーアレイ２２の全反射面を超えたその全表面のオーバーハングは、横方向オーバーヘッドとも称する。同じ方向の全範囲に対する横方向オーバーヘッドの比は、０．１以下、特に０．０５以下、特に０．０３以下、特に０．０２以下、特に０．０１以下である。したがって、横方向オーバーハングは、ミラーアレイ２２の全反射面の全範囲よりも少なくとも１オーダ小さい。

光学コンポーネント４０は、ミラーアレイ２２に加えて担持構造４３を備える。担持構造４３は、表面法線４１の方向にミラーアレイ２２に対してオフセットして、特に隣接して配置される。担持構造４３は、ミラーアレイ２２の基板３０の断面と同一の断面を有することが好ましい。担持構造４３は、概して基板３０よりも、したがってミラーアレイ２２の全表面よりも表面法線４１に対して垂直な方向に５ｍｍ以下、特に３ｍｍ以下、特に１ｍｍ以下、特に０．５ｍｍ以下、特に０．１ｍｍ以下、特に０．０５ｍｍ以下突出し、特に全く突出しない。このタイプの配置を、「シャドウキャスティング原理」に従った配置とも称する。これは、特に、担持構造４３が表面法線４１の方向でミラーアレイ２２の全表面の平行投影内に完全に配置されることを意味すると理解される。

担持構造４３は、セラミック及び／又はケイ素含有及び／又はアルミニウム含有材料から構成される。これは、高い機械的安定性と共にミラーアレイ２２からの放熱を可能にする。担持構造４３の材料の例として、セラミック材料、ケイ素、二酸化ケイ素、亜硝酸アルミニウム及び酸化アルミニウム、例えばＡｌ_２Ｏ_３セラミックが挙げられる。担持構造４３は、特にウェハから製造することができる。担持構造４３は、いわゆるサーマルビアを設けた石英又はガラスウェハから製造することもできる。

担持構造４３は、片側に開いた切欠部４４を有する。切欠部４４は、さらに他の機能構成部品を収納するために片側に開いた収容空間を形成する。切欠部４４は、ミラーアレイ２２の反対側で、表面法線４１の方向に担持構造のベース４５によって境界を定められる。切欠部４４は、横方向に、すなわち表面法線４１に対して垂直な方向に、担持構造４３の縁部領域４６によって境界を定められる。縁部領域４６は、表面法線４１に対して垂直な方向に幅ｂ_ｃを有する。この場合、０．５×ｂ≦ｂ_ｃ≦２×ｂと言える。担持構造４３の縁部領域４６は、特に、基板３０の縁部領域４２と全く同じくらいの幅、ｂ＝ｂ_ｃであり得る。

担持構造４３は、上記縁部領域４５のみでミラーアレイ２２に機械的に接続する。シール要素６１を担持構造４３とミラーアレイ２２との間に配置する。シール要素６１は、ミラーアレイ２２の基板３０の後側４８の金属化部（metallization）に組み込まれる。シール要素６１は、担持構造４の縁部領域４６に配置したシールリングとして具現することもできる。その結果、切欠部４４に形成した収容空間が、少なくともコンポーネント４０の製造中に液密に、特に気密に密閉すなわち閉鎖される。原理上、ＡＳＩＣ５２を封入して、すなわち液密又は気密に閉鎖して配置することが可能である。これは、ミラーアレイ２２とＡＳＩＣ５２との間の連続中間層（図示せず）も必要とする。

複数の信号線４７を担持構造４３に組み込む。信号線４７は、電気めっき貫通孔、いわゆる「ビア」として具現する。信号線４７は、ミラーアレイ２２のうち反射面３６の反対側である後側４８に直接結合する。信号線４７には、ミラーアレイ２２の反対側、すなわち担持構造５４の後側４９で接触素子５０をさらに設ける。各コンポーネント４０は、３１個以上、特に５１個以上、特に７１個以上の信号線４７を有し得る。信号線４７は、特に、ミラー素子２３の変位を制御する制御デバイス５１の電力供給の役割を果たす。ミラー素子２３の変位を制御する制御デバイス５１は、担持構造４３に組み込まれる。これは、特に特定用途向け集積回路５２（ＡＳＩＣ）として具現される。コンポーネント４０は、複数のＡＳＩＣ５２を有し得る。コンポーネント４０は、少なくとも１個のＡＳＩＣ５２、特に少なくとも２個、特に少なくとも４個、特に少なくとも９個、特に少なくとも１６個、特に少なくとも２５個、特に少なくとも１００個のＡＳＩＣ５２を備える。この場合、ＡＳＩＣ５２のそれぞれを少なくとも１つのミラー素子２３に、特に複数のミラー素子２３に、特にすくなとも２個、特に少なくとも４個、特に少なくとも８個のミラー素子２３に信号接続する。ミラー素子２３を変位させるアクチュエータの制御の詳細に関しては、国際公開第２０１０／０４９０７６号パンフレットを参照されたい。

ＡＳＩＣ５２への信号線４７は、担持構造４３の後側４９から担持構造４３を通してミラーアレイ２２の後側４８へ延び、そこからミラーアレイ２２の後側４８に沿ってフリップチップ接点５３を介してＡＳＩＣ５２へ延びる。フリップチップ技術の説明は、文献Baugruppentechnologie der Electronik-Montage」［"Technology for Assemblies in Electric Mounting"］（Wolfgang Scheel編、第２版、Verlag Technik、ベルリン、１９９９年）で見ることができる。したがって、集積又はローカルドライバ電子部品（integrated or local driver electronics）への信号線は、ミラーアレイ２２の後側４８に通じる。ＡＳＩＣ５２で発生させたミラー素子２３の１つの変位を制御する制御電圧は、ミラーアレイ２２の後側４８のさらに別のフリップチップ接点５３を介して対応の電極５４に印加される。結果として、ＡＳＩＣ５２の１つの電気接点接続の全部がＡＳＩＣ５２の同じ側に位置付けられる。これらは、特に、ＡＳＩＣ５２のうちミラーアレイ２２に面した側に位置付けられる。原理上同様に可能であるＡＳＩＣ５２の両面接点接続及びスルーホールめっきが、それにより回避される。信号線４７のこのような配置のさらなる利点は、信号線４７の全部を単一の金属層でミラーアレイ２２の後側に配設できることである。これは、製造プロセスの単純化に、したがって製造費の削減につながる。

さらに、信号線４７は、特定の信号線４７がミラーアレイ２２に面した担持構造４３の前側４３ａ及び／又は上記担持構造の後側４９に配設されるよう具現及び配置される。例として、ＡＳＩＣ５２の供給電圧用の信号線４７を相互に接続する。これは、担持構造４３の領域における信号低減につながる。担持構造４３の領域における信号低減は、特に少なくとも１０：１である。

担持構造４３の後側４９で、コンポーネント４０は電気インタフェース５５を有する。インタフェース５５は、特に、担持構造４３のうちミラーアレイ２２に対して反対側である後側４９に完全に配置される。原理上可能である横方向接点を完全に省くことができる。したがって、信号の流れ中に「シャドウキャスティング原理」も満たされる（図２５を参照）。その結果、コンポーネント４０のコンポーネント部品とコンポーネント４０における信号及び熱の流れの両方が、表面法線４１の方向に向けられる。したがって、コンポーネント４０は垂直方向の集積を有する。

図７に示す実施形態の場合、電気インタフェース５５は、担持構造４３の後側４９に施した複数のコンタクトピン５６を有する。その代替形態として、図９に例として示すように、電気インタフェース５５の接触素子５０を平面状に具現することもできる。

その代替形態として、電気インタフェース５５の接触素子５０を担持構造４３における一体型ピンとして具現することもできる。この場合、例えば金を充填した貫通孔として具現される担持構造４３のめっき貫通孔（ビア）を、担持構造の後側４９の領域で部分的に露出させる。これは特に、めっき貫通孔を囲む担持構造４３の材料の一部をエッチング除去することによって達成することができる。めっき貫通孔の露出部分が、続いて接触素子５０を形成する。

さらに、担持構造４３は、強磁性体５７を備える。担持構造４３は、特に少なくとも１つの強磁性体５７を含む。複数の強磁性体５７を設けることもできる。強磁性体５７は、金属板又は金属箔として具現する。強磁性体５７は、永久磁石素子として具現することもできる。図７及び図９に例として示す実施形態によれば、金属箔５７を担持構造４３の切欠部４４内に配置する。特に、上記金属箔を担持構造４３に接続固定する。金属箔は、例えば担持構造に結合することができる。金属箔は、接着結合することもできる。強磁性体５７として担持構造４３への強磁性金属層の直接電着も同様に可能である。金属箔５７は、図１０に例として示すように、担持構造４３の後側４９に配置することもできる。原理上、切欠部４４内及び担持構造４３の後側４９での金属箔の配置の組み合わせも可能である。

金属箔５７は、特にＡＳＩＣ５２と担持構造４３のベース４５との間に配置することができる。この場合、上記金属箔は、ＡＳＩＣ５２と担持構造４３との間のサーマルインタフェースを形成することもできる。この場合、金属箔５７を軟質の波形金属箔、すなわちいわゆるスプリングフォイルとして具現することが有利である。

さらに、付加的な熱伝導要素７８をＡＳＩＣ５２と担持構造４３のベース４５との間、特にＡＳＩＣ５２と金属箔５７との間に配置することができる。複数の熱伝導要素７８を設けることもできる。ＡＳＩＣ５２は、特に、切欠部４４内の熱伝導要素７８に少なくとも部分的に埋め込むことができる。ＡＳＩＣ５２と担持構造４３のベース４５との間のこのようなサーマルインタフェースは、コンポーネント４０を通る熱流の垂直方向の集積を改善する。ミラーアレイ２２からの、特にＡＳＩＣ５２からの熱は、この場合、担持構造４３のベース４５へ、そして担持構造４３を通して直接、すなわち実質的に表面法線４１の方向に放散させることができる。

さらに、コンポーネント４０は、配向要素（orienting elements）５８を有する。配向要素５８は、第１にコンポーネント４０の把持及び取り扱いを、第２により詳細に後述するベースプレート５９上でのその配置及び配向を容易にする位置決めデバイスの一部であり得る。配向要素５８は、特に光学的、機械的、又は電気的に具現することができる。配向要素５８は、特にミラーアレイ２２の基板３０の縁部領域４２に配置する。したがって、配向要素５８は、コンポーネント４０の前側６０に配置する。配向要素５８は、対応して担持要素４３の後側４９に設けることもできる。担持構造４３の後側４９の配向要素５８は、特に、ベースプレート５９の対応の要素との相互作用の結果としてベースプレート５９上でコンポーネント４０の自己位置合わせをもたらすよう具現することができる。配向要素５８は、さらに、ベースプレート５９上のコンポーネント４０の滑動を防止する。したがって、配向要素５８は、コンポーネント４０の所定の配置及び向きをもたらして確保することができる。

コンポーネント４０のさらに別の実施形態の態様を、図８を参照して以下で説明する。同一の部品には上述の例示的な実施形態と同じ参照符号を与えてあり、その説明をここで参照する。

図８は、主にコンポーネント４０ａを通る電気接点及び信号線４７の細部を概略的に示す。この実施形態では、信号線４７は、ＡＳＩＣ５２ａを通って延びる。この目的で、ＡＳＩＣ５２ａにいわゆるめっき貫通孔、特にシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）を設ける。ＡＳＩＣ５２ａは両面接点接続を有する。コンポーネント４０ａを通る信号経路は、その結果としてさらにより短縮される。結果として短絡の危険が減る。さらに、熱抵抗が減る。これは、垂直方向の集積と横方向オーバーヘッドのさらなる低減とに寄与する。

担持構造４３のさらに他の態様を、図１１〜図１４を参照して以下で説明する。めっき貫通孔（スルービア）として具現した信号線４７が、特に図１１及び図１３において識別可能である。信号線は、特に、相互に対向して２列に配置される。原理上、信号線４７を１列又は２列以上、特に少なくとも３列、特に少なくとも４列以上で配置することも可能である。信号線４７は、特に、切欠部４４の４辺全部に配置することもできる。信号線４７は、例えば、複列で、特にオフセットした複列で配置することもできる。

図１１〜図１４に示す実施形態では、強磁性金属箔５７を担持構造４３の後側４９に施す。これは、接触素子５０と接触するための２つのストリップ状の、特に矩形の開口６２を有する。ミラーアレイ２２と接触するための接触素子６３が、図１１及び図２２でさらに強調されている。接触素子６３も同様に、相互に対向して２列に配置される。代替的な配置も同様に考えられる。さらに、担持構造６３内の信号低減用の接続線６４を例として図示する。図は、複数の接触素子６３がこのタイプの接続線６４によって同じ信号線４７に通じる、すなわち同じ信号線４７に電気的に接続される様子を例として示す。信号線４７、特に担持構造４３の接触素子６３の実際の数は、図１１〜図１４に示すものよりも大幅に多くすることができる。担持構造４３の後側４９の接触素子５０の数は、特に１０個〜２００個の範囲、特に４０個〜１５０個の範囲である。担持構造４３を通る信号線４７の数は、特に、担持構造４３の後側４９の接触素子５０の数と少なくとも同じである。担持構造４３を通る信号線４７の数は、特に１０個〜３００個の範囲、特に３０個〜２００個の範囲である。この数は、特に少なくとも５０個、特に少なくとも１００個である。ミラーアレイ２２と接触するための接触素子６３の数は、特に、信号線４７の数と少なくとも同じである。原理上、複数の信号線４７を個々の接触素子６３に接続することも可能である。この場合、接触素子６３の数を信号線４７の数よりも少なくすることもできる。接触素子６３の数は、原理上は１０個〜１，０００個の範囲である。この数は、特に少なくとも５０個、特に少なくとも１００個である。

図１５は、ミラーアレイ２２の後側４８における接点を例として示す。この場合、その下に位置する４個のＡＳＩＣ５２の位置を、例として説明の目的で破線で示す。この実施形態では、シールリング６１をミラーアレイ２２の基板３０の金属化した後側４８に組み込む。ＡＳＩＣ５２のそれぞれに対して、マトリックス状に配置したフリップチップ５３の群をミラーアレイ２２の後側４８に設ける。さらに、それぞれに４個の信号線４７が例として図示されており、これらは、電力供給と、ＡＳＩＣ５２への入力信号、特にデジタル入力信号の供給とを行う役割を果たす。したがって、信号線４７は、特にＡＳＩＣ５２を制御するための供給電圧リード及び／又はデータラインである。この場合、一群の信号線４７が、複数のＡＳＩＣ５２への供給の役割を果たすことができる。したがって、信号低減が生じる。フリップチップ接点５３は、同様に信号線４７をＡＳＩＣ５２に接続するために設けられる。接点５３及び信号線４７の全てが、ミラーアレイ２２の後側４８で単一の金属層に構造化すなわち一体化され得る。ミラーアレイ２２の後側４８における金属化の多層実施形態も同様に原理上可能である。ＡＳＩＣ５２の電圧及び信号供給と、ＡＳＩＣ５２によるミラーアレイ２２のアクチュエータの制御との例示的な詳細に関しては、国際公開第２０１０／０４９０７６号パンフレットを参照されたい。

コンポーネント４０は自立型の機能ユニットを形成する。

光学アセンブリ６５の細部及び詳細を、図１６〜図２４を参照して以下で説明する。アセンブリ６５は、例えば投影露光装置１の照明光学ユニット４のファセットミラー１３、１４として働き得る。原理上、アセンブリ６５は、投影露光装置１の投影光学ユニット７の一部でもあり得る。図１６に非常に概略的に示すように、アセンブリ６５は、ベースプレート５９及び上述の複数の光学コンポーネント４０、４０ａを備える。ベースプレート５９は、光学コンポーネント４０のための機械的支持要素を形成する。これは、ベースプレート５９の材料の材料加工、特に金属加工の可能性の範囲内で自由に選択できるサイズ及び形態を有する。さらに、ベースプレート５９は、光学コンポーネント４０を冷却する役割を果たす。コンポーネント４０、４０ａはベースプレート５９上に配置する。これらは、より詳細に後述する固定デバイス６６によってベースプレート５９に固定する。コンポーネント４０のモジュール構成により、原理上は任意の所望の数のコンポーネント４０をベースプレート５９に配置することが可能である。コンポーネント４０の数及び配置は、ベースプレート５９の寸法によってのみ制限される。概して、アセンブリ６５のコンポーネント４０の数は、少なくとも１個、特に少なくとも５個、特に少なくとも１６個、特に少なくとも６４個、特に少なくとも２５６個である。コンポーネント４０は、特に、実質的に隙間なくベースプレート５９の所定の領域に寄せ木張りされるようベースプレート５９上に配置する。コンポーネント４０は、特にベースプレート５９に密集して配置する。隣接するコンポーネント４０は、ベースプレート５９上で相互に距離ｄを置いて配置する。隣接して配置したコンポーネント４０間の距離ｄは、特に１ｍｍ以下、特に５００μｍ以下、特に３００μｍ以下、特に２００μｍ以下、特に１００μｍ以下、特に５０μｍ以下である。２つの隣接して配置したコンポーネント４０間の距離ｄは、特に個々のコンポーネント４０の横方向オーバーヘッドと最大でも同じ大きさである。したがって、個々のコンポーネント４０の垂直方向の集積により、実質的に任意の形状の、特に任意のサイズの全ミラー面をベースプレート５９上のコンポーネント４０の配置によって作製することが可能である。

有利な一実施形態によれば、コンポーネント４０を、ベースプレート５９上に交換可能に、特に非破壊的に交換可能に配置する。その代替形態として、コンポーネント４０をベースプレート５９に接続固定することが可能である。コンポ―根と４０は、例えば接着剤層（図示せず）によってベースプレート５９に接続することができる。特に、コンポーネント４０とベースプレート５９との間の熱伝導をそれによりさらに改善することができる。

コンポーネント４０とベースプレート５９との間の熱抵抗は、１Ｋ／Ｗ未満であることが好ましい。ベースプレート５９は、良好な熱伝導率を有する材料から構成される。ベースプレート５９は、特に金属、例えば銅、アルミニウム、又は上記元素の化合物から構成される。ベースプレート５９は、コンポーネント４０に面した前側６７に研磨面を有する。これにより、コンポーネント４０とベースプレート５９との間の機械的及び／又は熱的及び／又は電気的接触が改善する。特に、コンポーネント４０からベースプレート５９への伝熱抵抗を、表面の研磨の結果として低減することができる。

アセンブリ６５の、特に光学コンポーネント４０の冷却を改善するために、アセンブリ６５は冷却システム６８を有する。冷却システム６８は、冷却流体６９を入れることができる１つ又は複数の冷却ライン７０を備えることができる。各冷却ライン７０は、供給ライン７１、ベースプレート５９に組み込んだ冷却セクション７２、及び排出ライン７４を含む。供給ライン７１及び排出ライン７３はいずれも、ベースプレート５９のうち光学コンポーネント４０の反対側である後側７４に配置する。特に、ガス又は液体が冷却流体６９に適している。

冷却システム６８は、１つ又は複数の冷却ライン７０を有することができる。冷却ライン７０は、ベースプレート５９の周囲に分配されるよう配置することができる。冷却ライン７０をベースプレート５９の特定の周囲領域のみに、特にベースプレート５９の一辺のみに配置することも可能である。冷却セクション７２は、図２１に示すように、ベースプレート５９の縁部領域のみに配置することができる。この場合、上記冷却セクションを特に蛇行状に具現する。

図２２は、冷却システム６８の代替的な実施形態を示す。この実施形態では、冷却ライン７０、特に冷却セクション７２を、ベースプレート５９の範囲と平行に、すなわち特に表面法線４１に対して垂直に延びるよう配置する。冷却セクション７２は、この実施形態でもベースプレート５９に組み込まれる。冷却ライン７０の、特に冷却セクション７２のこのような配置は、ベースプレート５９における横方向温度勾配を低減、特に回避することを可能にする。

図２３は、冷却システム６８のさらに別の代替的又は付加的な実施形態を示す。この実施形態では、冷ライン７０を別個の冷却板７５に配置する。冷却板７５は、ベースプレート５９から離れて配置する。これは特に、ベースプレート５９から機械的に分離される。冷却板７５は、特に、表面法線４１の方向にベースプレート５９に対してオフセットするよう配置することができる。ベースプレート５９から冷却板７５への十分な熱流を確保するために、複数の熱伝導要素７６を設ける。熱伝導要素７６は、高い熱伝導率を有する機械的に柔軟な要素である。例として、銅ケーブル、銅箔、又は熱伝導に特化した他の機械的に柔軟な要素がこれらに適している。特に有利な一実施形態では、熱伝導要素７６をカプセル化した高配向グラファイト（ＨＯＰＧ）から作ることができる。

原理上、冷却板７５からのベースプレート５９の機械的分離は、ベースプレート５９と冷却板７５との間に配置した付加的な機械的制動要素７７によってさらに改善することができる。冷却システム６５のこの実施形態では、ベースプレートへの、特にその上に配置したコンポーネント４０への、特にミラー素子２３への冷却流体流により励起された振動の伝達を、少なくとも９０％の程度まで減らす、特に回避することができる。これにより、ミラー素子２３の位置安定性が、したがってアセンブリ６５のコンポーネント４０のミラーアレイ２２の光学的品質が向上する。

原理上、冷却板７５の配置を異ならせる、例えばベースプレート５９に対して横方向にオフセットして配置することも可能である。さらに、冷却板７５は、電気信号線を通してベースプレート５９に通じる導出開口（図２３には図示せず）を有し得る。

したがって、冷却システム６８をベースプレート５９に直接的又は間接的に連結することができる。冷却システム６８は、特に、上記ベースプレートと一体的に又はベースプレートとは別個に具現して、熱伝導要素７６によってベースプレートに接続することができる。

固定デバイス６６をより詳細に説明する。固定デバイス６６は、少なくとも１つの、特に複数の磁気手段を含む。したがって、固定デバイス６６は、磁気固定デバイス６６とも称する。これは、特に複数の永久磁石７９の配置を含む。永久磁石７９は、そのＮ極及びＳ極が表面法線４１の方向にそれぞれ相互に並べて配置されるよう配置する。ベースプレート５９に配置される各コンポーネント４０に対して、相互に逆の極性を有する２つの永久磁石７９を表面法線４１に対して垂直な方向に相互に並べて配置する。１つのコンポーネント４０につき異なる数の永久磁石７９も同様に可能である。特に、１つのコンポーネント４０につき１個、４個、又は８個の永久磁石７９を設けることが可能である。永久磁石７９の配置は、永久磁石７９がコンポーネント４０に加える保持力が最適化されるよう選択する。

固定デバイス６６、特に永久磁石７９は、ベースプレート５９に組み込む。

固定デバイス６６は、強磁性体８０をさらに備える。付加的な強磁性体８０も同様にベースプレート５９に組み込む。これは、永久磁石７９が発生させた磁束を増幅する役割を果たす。

固定デバイス６６により、磁気保持力を光学コンポーネント４０に、特にその強磁性体５７に加えることができる。固定デバイス６６の永久磁石７９がコンポーネント４０にそれぞれ加える保持力は、特に少なくとも１０Ｎである。これは調節可能であり得る。これは、例えば、固定デバイス６６の永久磁石７９とコンポーネント４０の強磁性体５７との間の距離を調節することによって達成することができる。

永久磁石７９と強磁性体５７との間の距離は、最大１ｃｍの範囲、１００μｍ〜１ｍｍの範囲である。

永久磁石７９は、有利には、コンポーネント４０の強磁性体との相互作用時に、ベースプレート５９上のコンポーネント４０の向きが自己位置合わせされるようにベースプレート５９に配置され得る。

有利な一実施形態（図３７を参照）では、固定デバイス６６は付加的な電磁石８１を有することができる。この場合、電磁石８１は、永久磁石７９のうちコンポーネント４０の反対側、特にベースプレート５９の後側４７に配置することが好ましい。電磁石８１は、特に、ベースプレート５９の後側４７に解除可能に配置することができる。付加的な一時的磁場を電磁石によって発生させることができる。特に、永久磁石７９が光学コンポーネント４０に加える保持力の一時的な補償がそれにより可能である。したがって、電磁石８１により、特に取り付け／取り外しプロセスにおけるベースプレート５９と光学コンポーネント４０の１つとの間の機械的接続がいわゆるゼロ挿入力インタフェース（ＺＩＦ）を形成するように、固定デバイス６６を具現することが可能である。

さらに、ベースプレート５９は、光学コンポーネント４０のインタフェース５５との電気接触をもたらす手段を備える。これらをコンタクトピン８２として具現する。コンタクトピン７２は、ベースプレート５９の切欠部８３に組み込む。コンタクトピン８２は、列状に配置する。これらは、特に、固定デバイス６６の永久磁石７９の２つの相互に反対の側にそれぞれ配置する（図１８を参照）。これらは、隣接するコンポーネントを固定する役割を果たす永久磁石７９間に特に複列で配置する。コンタクトピン８２の配置は、特に、光学コンポーネント４０の後側４９におけるインタフェース５５の接触素子５０の配置に厳密に対応する。コンタクトピン８２は、各コンタクトピン７２がベースプレート５９上でのコンポーネント４０の配置時に当該コンポーネントのインタフェース５５の接触素子５０との電気接点を形成するよう配置する。コンタクトピン８２と接触素子５０との間の接触抵抗は、いずれの場合も特に１００ｍΩ以下である。有利な一実施形態では、両側に開いた格子状のチャネル８９をベースプレート５９に配置する。チャネル８９は、ベースプレート５９の前側６７からその後側７４まで延びる。チャネル８９は、特に固定デバイス６６の２つの永久磁石７９間にそれぞれ配置する。したがって、チャネル８９は、それぞれが光学コンポーネントに対して中央に配置されるよう配置する。コンポーネント４０の取り外しを容易にするために、圧縮空気をチャネル８９に入れることができる。

コンタクトピン８２とコンポーネントのインタフェース５５の関連の接触素子５０との間の電気接点の形成を容易にするために、コンタクトピン８２をそれぞればね式に、すなわち、スプリングコンタクトピン、略してスプリングピンとして具現する。これは、特に両側がばね式のものとして具現され得る。コンタクトピン８２は、群別に組み合わせて、特に、例えばセラミック、ガラス、又はテフロンから構成した電気絶縁基板８４に鋳込むことができる。基板８４は、全体としてベースプレート５９に組み込むことができる。このタイプの実施形態は、ベースプレート５９におけるコンタクトピン８２の特に単純な配置を可能にし、したがってコンタクトピン８２を製造する方法を容易にする。

ベースプレート５９の後側７４において、コンタクトピン８２はそれぞれが回路板８５と電気接触する。回路板８５は、特にセラミック又は金属材料から構成される。回路板８５は、特にプリント回路板（ＰＣＢ）であり得る。これは、ＡＳＩＣ５２によって個々のミラー２３を制御するための信号を取り込んで伝導する役割を果たす。特に、個々の光学コンポーネント４０の較正データを、回路板８５に施した付加的なマイクロチップ／ＡＳＩＣに記憶させることができる。アセンブリ６５は、特に複数の回路板８５を備える。回路板８５は、ストリップ状の実施形態である。これらは、インタフェース５５の接触素子５０の配置に対応して、ベースプレート５９の後側７４に平行ストリップとして配置する。コンタクトピン８２の複列にそれぞれ１つの回路板８５を設けることが可能である。回路板８５は、ベースプレート５９に接続固定する。回路板８５は、ベースプレート５９に解除可能に接続することができる。回路板８５は、特にベースプレート５９に螺着される。いずれの場合も、１つの回路板８５に複数の接続ねじ８６がこの目的にかなう。回路板８５をベースプレート５９に螺着すると、回路板８５の接触区域８７がコンタクトピン８２と電気接触する。代替的な実施形態では、コンタクトピン８２を回路板８５に直接接続、特にはんだ付け又は溶接する。この場合、コンタクトピン８２は、ベースプレート５９の切欠部８３に導入されることで、回路板８５を螺着するとベースプレート５９に一体化される。

コンタクトピン８２は、ベースプレート５９上のコンポーネント４０の方向付けのための光学的及び／又は機械的補助部として働く。このタイプの付加的な光学的及び機械的補助部８８を、ベースプレート５９の前面６７に配置することもできる。このタイプの補助部８８は、図１６に非常に単純化して概略的に示す。補助部８８は、特に、ベースプレート５９にコンポーネント４０を自動的に設けることを可能にする。これが、アセンブリ６５の製造を容易にする。機械的補助部８８は、ベースプレート５９上での光学コンポーネント４０の受動的な自己位置合わせをもたらすよう具現することが好ましい。

光学コンポーネント４０を製造する方法を、図３５を参照して以下で説明する。本方法を説明するために、この場合に得られる中間製品を図２６〜図３４に概略的に示す。第１に、予備プロセス１２３においてミラーアレイ２２を事前加工する。予備プロセスは、提供ステップ、研磨ステップ、及びコーティングステップを含み得る。これらの事前加工ステップの詳細に関しては、国際公開第２０１０／０４９０７６号パンフレット、特に図１７及び関連の説明を参照されたい。

接合ステップ９０において、事前加工したミラーアレイ２２及びキャリア基板９２を備えたミラーアレイウェハスタック９１を製造する。キャリア基板９２は、「ミラーハンドルウェハ」とも称する。これは第１に、ミラーアレイ２２のミラー素子２３を保護する役割を果たし、第２に、ミラーアレイウェハスタック９１の機械的安定性に決定的に寄与する。キャリア基板９２は、１つ又は特に複数の事前加工ミラーアレイ２２に接続することができる。キャリア基板９２はすでに、事前加工したミラーアレイ２２の一部でもあり得る。特に、キャリア基板９２はすでに、国際公開第２０１０／０４９０７６号パンフレットに記載の極めて滑らかな表面を有するマイクロミラーを製造する方法の一部であり得る。

連結ステップ９３において、ＡＳＩＣ５２を次にミラーアレイ２２の後側４８に結合する。これは、フリップチップ法で行うことができる。このようにして製造した中間製品を、図２７に概略的に示す。

提供ステップ９４は、キャリア構造４３を製造するための基板９５を設けることを含む。基板９５はウェハ、特にシリコンウェハ、特にいわゆるシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）ウェハである。ウェハはすでに、特に信号線４７用のめっき貫通孔９６を有する。上記基板には、接触素子５０をすでに設けておくこともできる。

塗布ステップ９７は、強磁性金属箔５７をＴＳＶウェハ９５に塗布することを含む。この場合、金属箔５７はすでに予備構造化されている（prestructured）。これはすでに、特にインタフェース５５への、特に接触素子５０へのアクセス用の開口６２を有する。適切な場合、別個の構造化ステップをこの目的で設ける。金属箔５７は、特にＴＳＶウェハ９５の後側４９に結合する。その代替形態として、ＴＳＶウェハ９５の後側４９への強磁性金属層の電着が可能である。

エッチングステップ９８において、ＴＳＶウェハ９５に切欠部４４を設ける。図３０に示す中間製品の場合、切欠部４４をＴＳＶウェハ９５のうち金属箔５７の反対側に配置する。

例として、シリコンディープエッチング法をエッチングステップ９８のために行う。原理上、切欠部４４は、何らかの他の方法で、例えば機械的方法によってＴＳＶウェハ９５に導入することもできる。

複数のコンポーネント４０を並行して製造するために、複数の切欠部４４をＴＳＶウェハ９５に導入することができる。切欠部４４は、特に同時に、単一の方法ステップでＴＳＶウェハ９５に導入することができる。

上述のように、金属箔５７の異なる配置を有するさまざまな実施形態が可能である。切欠部４４内に金属箔５７を配置する場合、エッチングステップ９８は、当然ながら塗布ステップ９７の前に行う。

塗布ステップ９７及びエッチングステップ９８は、共にＴＳＶウェハ９５の前処理ステップ１０５を形成する。ＴＳＶウェハ９５は、担持構造４３をその後形成する。

接続ステップ９９において、切欠部４４を設けたＴＳＶウェハ９５をミラーアレイウェハスタック９１に接続する。ＴＳＶウェハ９５は、特に、ミラーアレイウェハスタック９１の後側に結合する。これにより、ＴＳＶウェハ９５のめっき貫通孔９６とそれに対応するミラーアレイ２２の基板３０の後側４８の関連のフリップチップ接点５３との間の電気接点の形成が得られる。

鋸引きステップ１００において、ウェハ９５及びミラーアレイウェハスタック９１を表面法線４１の方向に鋸引きする。この場合、鋸引き切断部をコンポーネント４０の外形寸法に対応して配置する。鋸引きステップ１００中、ＴＳＶウェハ９５及びミラーアレイ２２の基板３０を完全に分断する。鋸引きステップ１００の切断深さは、ミラーアレイウェハスタック９１の最上層を形成するキャリア基板９３の分断が部分的なものにすぎず、特に無傷のままであるよう選択する。したがって、鋸引きステップ１００の後、その後のコンポーネント４０がキャリア基板９２のみによって繋ぎ合わせられる。

後続の個片化ステップ１０１において、キャリア基板９２をコンポーネント４０の個片化の目的で除去する。エッチング法をこの目的で行うことが好ましい。キャリア基板９２の除去後、保護層１０２が依然としてミラーアレイ２２上に位置する。保護層１０２は、例えば酸化ケイ素から構成される。

さらに別のエッチングステップ１０３において、保護層１０２を除去する。特に、フッ酸ガスによるエッチングをこの目的で行う。エッチングステップ１０３は、特に、ミラー素子２３の反射面３６の再酸化を防止するために非酸化性雰囲気中で行うことができる。保護層１０２の除去まで、ミラー素子２３は保護層１０２により保護される。したがって、ミラー素子２３は、特に連結ステップ９３中、保護層１２及びキャリア基板９２により保護される。ＡＳＩＣ５２の連結及びミラーアレイウェハスタック９１へのＴＳＶウェハ９５の接続は、特に個片化ステップ１０１前に行われる。

続いて、ミラー素子２３に、特にその反射面３６にコーティングを設けるために、コーティングステップ１０４を行うことができる。個オーティングは、特にＥＵＶ反射コーティングであり得る。特に多層コーティングが含まれ得る。

コンポーネント４０を製造する上記方法の１つの本質的な利点は、コンポーネント４０の製造がバッチプロセスで、すなわちウェハレベルで連続的に行われることである。チップレベルで実行されるプロセスステップを回避することができる。本方法は、結果として大幅に単純化される。コンポーネント４０の製造費をそれにより削減することができる。

光学コンポーネント４０を取り扱う、特に変位させるツール１０６を、図３６を参照して以下で説明する。ツール１０６は、ベース体１０７を備える。ベース体１０７は、光学コンポーネント４０の寸法に適合させた寸法を有する。複数の電磁石１０８、１０９をベース体１０７に配置し、電磁石の２つをそれぞれ例として図３６に示す。概して、ツール１０６は少なくとも１つの電磁石を備える。電磁石１０８は個別に駆動することができる。この目的で、ツール１０６は制御デバイス１１０を有する。電磁石１０９も、制御デバイス１１０により個別に駆動することができる。コンポーネント４０を保持する磁気保持力を、電磁石１０８によって発生させることができる。保持力は、制御デバイス１１０によって柔軟に制御することができる。電磁石１０９は、ベースプレート５９において固定デバイス６６がコンポーネント４０に加える保持力を補償する役割を果たす。上記保持力は、特に、コンポーネント４０とベースプレート５９との間の距離に応じて変わる。制御デバイス１１０によって電磁石１０９が発生させる磁力の制御により、固定デバイス６６がコンポーネント４０に加える力の補償を非常に厳密に行うことができる。

原理上、コンポーネント４０を所定の保持力でツール１０６によって保持することができれば十分である。この目的で、電磁石１０８が発生させる磁力を適切に制御する必要があるにすぎない。原理上、磁石１０９を不要にすることができる。

コンポーネント４０に作用する保持力、特にコンポーネント４０とツール１０６との間の印加圧力を測定するために、ツール１０６は感圧センサ１１のアレイを有する。感圧センサ１１１は、制御デバイス１１０に信号接続する。感圧センサ１１１は、特に、スペーサ要素１１２とベース体１０７との間にそれぞれ配置する。スペーサ要素１１２は、ミラーアレイ２２の基板３０の縁部領域４２に従って具現する。スペーサ要素１１２は、特に、縁部領域４２の幅ｂよりも小さな幅ｂ_ｓを有する。スペーサ要素１１２により、光学コンポーネント４０とツール１０６との間の接触が縁部領域４２のみで生じてミラー素子２３の領域では生じないことが確実になり得る。

原理上、感圧センサ１１１をスペーサ要素１１２に組み込むことができる。

光学的な、特に透過性の構造１１３をスペーサ要素１１２に導入し、上記構造は、ツール１０６を光学コンポーネント４０に対して正確な向きにすることを可能にする。コンポーネント４０に対するツール１０６の向きを監視及び／又は制御するために、光学センサ１１４、例えば小型カメラをさらに設ける。光学センサ１１４は、ベース体１０７に組み込むことができる。光学センサ１１４は、特に配向要素５８と相互作用するよう配向要素５８に適合させることができる。

さらに、ツール１０６と光学コンポーネント４０との間の距離を測定するための中央距離センサ１１５を設ける。距離センサ１１５は、ベース体１０７のうちコンポーネント４０に面する前面１１６の特に中心に、すなわち中央に配置する。原理上、複数の、特に少なくとも４個の距離センサ１１５を設けることもできる。距離センサ１１５は、制御デバイス１１０に信号接続する。

さらに、ベースプレート５９に対するツール１０６の、特にツール１０６が保持する光学コンポーネント４０の距離及び／又は向きを測定するために、距離センサ１１７を設ける。距離センサ１１７は、制御デバイス１１０に信号接続する。ツール１０６は、少なくとも３個、特に少なくとも４個の距離センサ１１７を有することが好ましい。

さらに、ベースプレート５９に対するツール１０６又はツール１０６が保持するコンポーネント４０の向きを監視及び／又は制御するために、１つ又は複数の光学基準１１８をベース体１０７に横方向に設けることができる。

光学コンポーネント４０の特に有利な取り扱いのために、上述の機能的構成部品を有するベース体１０７を、位置決めシステム、特にピックアンドプレースロボット１１９に接続する。ツール１０６を用いて、ベースプレート５９に光学コンポーネント４０を自動的に、特に全自動で設けることが可能である。

光学アセンブリ６５を製造する方法の態様を、図３７及び図３８を参照して以下で説明する。提供ステップ１２０は、ベースプレート５９に固定デバイス６６を設けることを含む。原理上、コンポーネント４０をベースプレート５９に配置するために、ベースプレート５９の後側７４に配置した１つ又は複数の電磁石８１によって固定デバイス６６の永久磁石７９が発生させる磁場を補償、特に中和することが可能である。永久磁石７９が発生させた磁場の磁石８１による部分的補償も可能である。この場合、電磁石８１をアセンブリ６５の、特にベースプレート５９の一部として設けることができ、ベースプレート５９に接続固定又は解除可能に接続することができる。その代替形態として、電磁場８１を別個の補助ツールの一部とすることもできる。原理上、電磁石８１の代わりに永久磁石を設けることもできる。

磁石７９が発生させた磁場の磁石８１による少なくとも部分的な補償は、任意の補償ステップ１２１として指定される。

１つ又は複数の配置ステップ１２２において、コンポーネント４０をベースプレート５９に配置する。これは、特にツール１０６を用いて行われる。本発明によれば、コンポーネント４０をベースプレート５９に配置する目的で、固定デバイス６６の永久磁石７９がそれぞれ配置されるコンポーネント４０に加える磁場が付加的な磁力によって補償されるようにする。付加的な磁力は、磁石８１によって、及び／又はツール１０６上にコンポーネント４０を保持するための電磁石１０８によって、及び／又は特に電磁石１０９によって加えることができる。補償は特に、配置されるコンポーネント４０に作用する力のみが補償される一方で、適切な場合はベースプレート５９にすでに配置されているコンポーネントがそれによる影響を受けないように行われる。これは、磁石８１及び／又は１０８及び／又は特に１０９の適切な配置及び／又は駆動の結果として可能である。永久磁石７９がコンポーネント４０に加える保持力の補償の結果として、ベースプレート５９は、配置されるコンポーネント４０に対するゼロ挿入力インタフェース（ＺＩＦ）を形成する。これにより、ベースプレート５９上でのコンポーネント４０の特に柔軟で静かな、特に無振動の配置が可能となる。特に、コンポーネント４０は、ベースプレート５９への接近時に突然弾け飛ぶ（snap away）ことができないようになる。

取り扱いの目的で、特にベースプレート５９における配置の目的で、又はベースプレート５９からの取り外しの目的で、コンポーネント４０には、ミラーアレイ２２の基板３０の縁部領域４２のみにツール１０６が接触する。特に、横方向の接触を省くことができる。この場合、ツール１０６がコンポーネント４０に加える保持力、特に印加圧力が、センサ１１１を用いて測定される。保持力は、特に制御デバイス１１０によって制御、特に自動制御され得る。

ベースプレート５９へのコンポーネント４０の接近、特に相互に平行なその向きは、距離センサ１１７によって監視される。

ベースプレート５９に対するコンポーネント４０の向きは、光学基準１１８によって監視される。

圧力センサ１１１及び／又は距離センサ１１７は、コンポーネント４０がベースプレート５９に接触しているか否かを示す。

コンポーネント４０がベースプレート５９上のその所定の位置に達した場合、永久磁石７９がコンポーネント４０に加えることができる保持力の補償をゼロに減らすことができる。補償は、好ましくは徐々に、特に連続的に減らされる。

コンポーネント４０を取り外すために、永久磁石７９が上記コンポーネント４０に加える保持力を、磁石８１によって、及び／又は特にツール１０６の電磁石１０８、１０９によってさらに補償することができる。コンポーネント４０の取り外しは、対応のチャネル８９に圧縮空気を入れることによってさらに支持することができる。

上述のコレクタ変形形態の１つを備えた投影露光装置１を用いる場合、レチクル２４及び照明光１０に対して感光性のコーティングを有するウェハを設ける。その後、レチクル２４の少なくとも一部を、投影露光装置１を用いてウェハに投影する。ウェハへのレチクル２４の投影中、レチクルホルダ及び／又はウェハホルダを物体面６と平行且つ／又は像面９と平行な方向に変位させることができる。レチクル２４及びウェハの変位は、好ましくは相互に同期して行うことができる。最後に、照明光１０により露光されたウェハ上の感光層を現像する。微細構造又はナノ構造コンポーネント、特に半導体チップはこのようにして製造される。

Claims (20)

1. 表面法線（４１）に対して垂直に延びる全表面を有するミラーアレイ（２２）であって、
   ａ．それぞれが
   ｉ．反射面（３６）、及び
   ｉｉ．少なくとも１変位自由度
   を有する複数のミラー素子（２３）
   を備え、
   ｂ．該ミラー素子（２３）の全体が、前記ミラーアレイ（２２）の全反射面の寄せ木張りを形成し、
   ｃ．前記ミラーアレイ（２２）を、前記全反射面の寄せ木張りが複数の前記ミラーアレイ（２２）のタイル張りによって拡張され得るようにタイル要素としてモジュール式に具現したミラーアレイ。
2. 請求項１に記載のミラーアレイ（２２）において、前記全表面は、前記全反射面よりも５ｍｍ以下、前記表面法線（４１）に対して垂直な方向に突出することを特徴とするミラーアレイ。
3. 光学コンポーネント（４０；４０ａ）であって、
   ａ．請求項１又は２に記載のミラーアレイ（２２）と、
   ｂ．前記表面法線（４１）の方向に前記ミラーアレイ（２２）に対してオフセット配置した担持構造（４３）と
   を備え、
   ｃ．該担持構造（４３）は、前記ミラーアレイ（２２）の全表面よりも１ｍｍ以下、前記表面法線（４１）に対して垂直な方向に突出することを特徴とする光学コンポーネント。
4. 請求項３に記載の光学コンポーネント（４０；４０ａ）において、前記担持構造（４３）を、縁部領域（２２）のみで前記ミラーアレイ（４１）に機械的に接続したことを特徴とする光学コンポーネント。
5. 請求項３又は４に記載の光学コンポーネント（４０；４０ａ）において、前記ミラー素子（２３）の変位を制御する制御デバイス（５１）を前記担持構造（４３）に組み込んだことを特徴とする光学コンポーネント。
6. 請求項３〜５のいずれか１項に記載の光学コンポーネント（４０；４０ａ）において、前記担持構造（４３）のうち前記ミラーアレイ（２２）に対して反対側に配置した電気インタフェース（５５）を設けたことを特徴とする光学コンポーネント。
7. 請求項３〜６のいずれか１項に記載の光学コンポーネント（４０；４０ａ）において、前記担持構造（４３）は少なくとも１つの強磁性体（５７）を備えることを特徴とする光学コンポーネント。
8. 光学アセンブリ（６５）であって、
   ａ．光学コンポーネント（４０；４０ａ）を配置するベースプレート（５９）と、
   ｂ．請求項３〜７のいずれか１項に記載の少なくとも１つの光学コンポーネント（４０；４０ａ）とを備え、
   ｃ．該少なくとも１つの光学コンポーネント（４０；４０ａ）を、固定デバイス（６６）によって前記ベースプレートに固定した光学アセンブリ。
9. 請求項８に記載の光学アセンブリ（６５）であって、請求項３〜７のいずれか１項に記載の少なくとも５個の光学コンポーネント（４０；４０ａ）を備えたことを特徴とする光学アセンブリ。
10. 請求項８及び９のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（６５）において、前記少なくとも１つの光学コンポーネント（４０；４０ａ）を、前記ベースプレート（５９）に交換可能に配置したことを特徴とする光学アセンブリ。
11. 請求項８〜１０のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（６５）において、前記固定デバイス（６６）は磁気手段（７９）を備えることを特徴とする光学アセンブリ。
12. 請求項８〜１１のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（６５）において、前記少なくとも１つのコンポーネント（４０；４０ａ）のインタフェース（５５）との電気接点を形成するばね式コンタクトピン（８２）を設けたことを特徴とする光学アセンブリ。
13. 請求項３〜７のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（４０；４０ａ）を製造する方法であって、
    請求項１又は２に記載の少なくとも１つのミラーアレイ（２２）及び被覆基板（９２）を有するウェハスタックを設けるステップと、
    キャリア基板（９５）を設けるステップと、
    該キャリア基板（９５）を前処理するステップと、
    該キャリア基板（９５）を前記ウェハスタックに接続するステップと
    を含み、前記キャリア基板（９５）を前記ウェハスタックに接続するバッチ法を行う方法。
14. 請求項３〜７のいずれか１項に記載の光学コンポーネント（４０；４０ａ）を取り扱うツール（１０６）であって、
    ａ．所定の保持力を発生させる少なくとも１つの電磁石（１０８、１０９）と、
    ｂ．前記ツール（１０６）と前記コンポーネント（４０；４０ａ）との間の所定の機械的接触領域を画定する少なくとも１つのスペーサ要素（１１２）と
    を備えたツール。
15. 請求項８〜１２のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（６５）を製造する方法であって、
    ベースプレート（５９）に磁気固定デバイス（６６、７９）を設けるステップと、
    コンポーネント（４０；４０ａ）を前記ベースプレート（５９）に配置するステップと
    を含み、前記コンポーネント（４０；４０ａ）を前記ベースプレート（５９）に配置する目的で、前記磁石（７９）が配置すべき前記コンポーネント（４０；４０ａ）それぞれに加える力を、付加的な磁場によって少なくとも部分的に補償する方法。
16. 請求項８〜１２のいずれか１項に記載のアセンブリ（６５）を備えた投影露光装置（１）の光学ユニット（４、７）。
17. ＥＵＶ投影露光装置（１）の照明系であって、
    ａ．請求項１６に記載の光学ユニット（４）と、
    ｂ．ＥＵＶ放射線源（３）と
    を備えた照明系。
18. 請求項１６に記載の光学ユニット（４、７）を備えたＥＵＶマイクロリソグラフィ用の投影露光装置（１）。
19. 微細構造又はナノ構造コンポーネントを製造する方法であって、
    感光性材料から構成される層を少なくとも部分的に施した基板を設けるステップと、
    被結像構造を有するレチクル（２４）を設けるステップと、
    請求項１８に記載の投影露光装置（１）を設けるステップと、
    該投影露光装置（１）を用いて、前記レチクル（２４）の少なくとも一部を前記基板の前記感光層の領域に投影するステップと
    を含む方法。
20. 請求項１９に記載の方法により製造したコンポーネント。

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