JP2010278008A - 障害発生時における電子バラストのリセット - Google Patents
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Abstract
【課題】プリセット時間中における電力トグルに応じたプリセット時間短縮により、リセットが加速されるランプ駆動用のバラストを提供することである。
【解決手段】コントローラ111が、スタートアップ後の安定運転状態下に障害を検出するとインバーター110の運転を中断させ、ランプ121への駆動電力供給を中断させるプリセット不動時間に入る。プリセット時間経過後コントローラ111はリセットされ、スタートアップサイクルを開始してバラスト100をリスタートさせる。当該プリセット不動時間中に電力をオン−オフ−オンとトグルさせることにより、電流減少回路140がI2/I1比を低下させて自動リセットを強制させる。
【選択図】図1
【解決手段】コントローラ111が、スタートアップ後の安定運転状態下に障害を検出するとインバーター110の運転を中断させ、ランプ121への駆動電力供給を中断させるプリセット不動時間に入る。プリセット時間経過後コントローラ111はリセットされ、スタートアップサイクルを開始してバラスト100をリスタートさせる。当該プリセット不動時間中に電力をオン−オフ−オンとトグルさせることにより、電流減少回路140がI2/I1比を低下させて自動リセットを強制させる。
【選択図】図1
Description
“Electronic Ballast Control Circuit”と称する共同発明及び共同所有の米国特許出願第12/474,049号及び“Relamping Circuit for Dual Lamp Electronic Ballast”と題する共同発明及び共同所有の米国特許出願第12/474,141号は、ここに参照することにより本明細書の一部とする。
本発明は一般に、1つ以上のランプに電力を提供する電子バラストに関し、詳しくは、電源トグルに応じてバラストを素早くリスタートさせることに関する。
本発明は一般に、1つ以上のランプに電力を提供する電子バラストに関し、詳しくは、電源トグルに応じてバラストを素早くリスタートさせることに関する。
バラストは、1つ以上のランプに電力を提供し、各ランプに提供される電流、電圧及びまたは電力を調整する。バラストは、1台以上のコントローラー、集積回路及びその他の、ランプに提供する電力を調整する能動及び受動の各部品をしばしば収納する。バラストの作用は障害により中断され得る。例えば、電源の切断及び接続の如き電力の瞬断はバラストの継続作用に影響を与え得る。バラストの中には、電力トグルが起きるとバラスト電源回路駆動用のコントローラに障害を検出させ、コントローラがリセットされるまで停止するものもある。コントローラはプリセット時間経過後にリセットされる。リセットにより、コントローラはその初期電源投入状態下に“リスタート”してそのスタートアップサイクルを開始する。前記プリセット時間中はバラストは停止されたままであり、コントローラのリセットが完了するまでランプには電力は供給されない。リセット時間は代表的には電源回路の容量放電により決定される。
プリセット時間中における電力トグルに応じたプリセット時間短縮により、リセットが加速されるランプ駆動用のバラストを提供することである。
本発明の1様相によれば、ランプ駆動用のバラストが提供される。ある実施形態では、電源に接続した整流器が電源から電気を受ける構成を有する。整流器は電気を受けるとDCバス電圧を発生する。駆動回路が、整流器からDCバス電圧を受け、DCバス電圧を受けるとランプ駆動用電圧を発生する構成を有する。コントローラが、駆動回路を制御し、DCバス電圧に相当する第1電流値を監視し、ランプ電圧に相当する第2電流値を追加的に監視する構成を有する。コントローラは、障害状況を検出するとプリセット時間に渡り駆動回路を停止させ、次いで、リセットされ、駆動回路を制御してランプを駆動させる。コントローラは、第2電流値対第1電流値の比が閾値以下となる場合にもリセットされ得る。電流減少回路は、プリセット時間未満の時間に渡り、コントローラに供給する第2電流値を低下させることにより、障害状況時のコントローラのリセット時間を短縮させる構成を有する。低下された第2電流値対第1電流値の比が閾値以下になるとコントローラがリセットされる。
本発明の他の様相によれば、ランプ駆動用の非常用照明システムが提供される。ある実施形態では、上述した如きバラストが主バラストを構成する。非常用照明システムは、主電源切断時にランプをバックアップ電源で選択的に駆動させる構成を有するバックアップバラストリレー202を更に含む。ある実施形態では、バックアップバラストリレー202は、主電源通電時に主バラストの整流器に主電源を選択的に接続する構成を有するリレーを含む。バックアップバラストリレーは、主電源切断時に当該バックアップバラストリレー202をランプに選択的に接続させる構成を有する。リレーは、主電源切断時にランプを駆動回路から選択的に切断する形態を更に有する。主電源を通電させるとランプは主バラストにより駆動され、バックアップバラストリレー202が駆動回路及びランプを選択的に接続する。主電源を切断すると、ランプはバックアップバラストリレー202により駆動され、バックアップバラストリレー202が駆動回路とランプとを選択的に切断する。主バラストのコントローラは駆動回路及びランプの切断による障害状況を検出する。電源を再通電させるとコントローラはリセットされ、主バラストがランプを駆動し、バックアップバラストリレー202が駆動回路及びランプを選択的に接続する。
プリセット時間中における電力トグルに応じたプリセット時間短縮によりリセットが加速されるランプ駆動用のバラストが提供される。
本発明の実施形態には、ランプ121を駆動するためのバラスト100が含まれる。電源102に接続した整流器120が、電源102から電気を受けてDCバス電圧Vbusを発生する構成を有する。駆動回路117が、整流器120からDCバス電圧Vbusを受けて、ランプ121を駆動するランプ電圧Vbを発生する構成を有する。駆動回路117は、DCバス電圧Vbusに相当する第1電流値108と、ランプ電圧Vbに相当する第2電流値106とを監視するコントローラ111により制御される。
通常運転時において、コントローラ111は、障害状況を検出するとプリセット時間経過後にリセットされる。障害状況はランプバラスト100の部品が何らかの理由で予定通り動作しない場合に発生する。従って、ランプバラスト100のある部品が完全に故障した場合(例えば、当該部品が正常に機能しなくなり、適正機能する新品と交換する必要がある場合)のみならず、ランプバラスト100のある部品が間欠且つ一時的に故障する場合(例えば、適正機能部品が故障して適正機能しなくなったが、外的作用を加えることなく適正機能を回復した場合)に生じ得る。従って、障害状況には、例えば、電源102による一時的なスパイク電圧発生のみならず、ランプ121の、内側部品の1つ以上が劣化した寿命切れまたは外的事象による破損が含まれ得る。障害のその他の幾つかの例には以下のものが含まれ得る、即ち、短絡;フィラメント切れまたはオープンフィラメント;開放回路;整流ランプ負荷;アーク放電;地絡;表示復帰;ランプ寿命(EOLL);ランプの外れまたはランプ切れ;停電の如き電力攪乱;非対称の、ランプ電圧、ランプ電流、バス電圧、バス電流;不安定な電圧または電流;始動またはランプ点灯時の異常電圧または異常電流;プリセット範囲外の周波数、位相、電力量、電圧または電流、の1つ以上であり得る。一般に、障害は、コントローラをリセットさせる任意状況であり得るが、ここに例示される以外のその他の障害状況が含まれ得る。
コントローラによる、障害検出及びリセットの間のプリセット時間は、しばしば一定定義時間とされる。ある実施形態ではプリセット時間は、コントローラ内部のコントロールタイマがコントローラリセット信号を発生するに要する時間に相当する。ある実施形態では、プリセット時間は容量放電に要する時間とされる。プリセット時間経過後、リセットされたコントローラはその初期電源通電状態となってスタートアップサイクルを開始する。本発明は、プリセット時間中の電力トグルに応じたプリセット時間短縮によりリセットを加速させることを指向するものである。
本発明のある実施形態において、電流減少回路が提供され、当該回路は、電力トグルに応じてプリセット時間経過前にコントローラをリセットさせる。詳しくは、電流減少回路は、プリセット時間中にコントローラをリセットさせる。電流減少回路は、電力トグルに応じて、プリセット時間の経過に関わらずコントローラにランプ駆動回路を駆動させる。通常運転時には、第2電流値対第1電流値の比が閾値未満である場合、コントローラは自動リセットする。ある実施形態では、前記電流値の比はDCバス電圧に相当する電流(第2電流値)と、ランプ電圧に相当する電流(第1電流値)との比である。電流減少回路は、当該電流値の比を低下させることで、コントローラの自動リセットを利用してプリセット時間経過前にコントローラを強制自動リセットさせる。
本発明の実施形態において、コントローラのリセットは、ランプ側に連結した電流減少回路により、ランプ電圧に対応して加速される。電流減少回路は、電力をオン−オフ−オンとトグルした場合に、コントローラに供給される第2電流値(ランプ電圧に相当)を低下させる。電流減少回路により第2電流値対第1電流値の比が閾値以下となるとコントローラはリセットされてスタートアップサイクルを開始し、駆動回路を制御してランプを駆動させる。従って、障害が発生し且つコントローラのプリセット時間経過後である場合は、電力トグルにより第2電流値を低下させて電流減少回路をリセットさせる。
図1には本発明のランプバラスト100の1実施形態が例示される。バラスト100は、交流(AC)電源102で駆動される。バラスト100は、随意的なEMIフィルタ118と、整流器120と、随意的な昇圧型力率改善(PFC)ステージ116と、インバーター110を含む駆動回路117と、コントローラ111と、電流減少回路140と、を含む。
随意的なEMIフィルタ118は、ある実施形態では電源102から受ける電力を調整し、電力線の伝導干渉を抑制する。この実施形態では整流器120は、次いで随意的なEMIフィルタ118からの調整された電力を受ける。全ての実施形態において、整流器120は電力を受け(調整または未調整に拘わらず)、整流した直流(DC)電圧をランプバラスト100用の整流ライン114及び接地115に出力する。
随意的なEMIフィルタ118は、ある実施形態では電源102から受ける電力を調整し、電力線の伝導干渉を抑制する。この実施形態では整流器120は、次いで随意的なEMIフィルタ118からの調整された電力を受ける。全ての実施形態において、整流器120は電力を受け(調整または未調整に拘わらず)、整流した直流(DC)電圧をランプバラスト100用の整流ライン114及び接地115に出力する。
キャパシタC1が整流ライン114と接地115との間に接続され、整流DC電圧を調整する。随意的な実施形態では、昇圧型PFCステージ116が当該調整済み整流DC電圧を受け、DCバス112においてDCバス電圧(Vバスとも称する)を出力する。DCバス電圧は整流ライン114の整流DC電圧に渡り増大される。ある実施形態では、昇圧型PFCステージ116は約450ボルトのDCバス電圧を生じさせる。DCバス112及び接地113との間に連結したキャパシタC2が、DCバス112における、キャパシタC1または随意的な昇圧型PFCステージ116の何れから受けた電力を更に調整する。あるいは、ある実施形態では、随意的な昇圧型PFCステージ116がC2を含む。
DCバス112及び接地113はインバーター110に連結される。ある実施形態では、インバーター110は、DCバス112及び接地113からDC電力を受け、少なくとも1つのランプ121を駆動する共振フィラメント加熱回路119にAC電力を出力するハーフブリッジインバーターである。ある実施形態では、ランプバラスト100は図示しない複数のランプを駆動する。インバーター110と、幾つかの実施形態における随意的な昇圧型PFCステージ116とは、コントローラ111の1つ以上の出力により、ランプ121を駆動するように制御される。
通常運転時におけるコントローラ111の動作モードは3つである。コントローラ111は、その運転開始時においてスタートアップルーチンを実行する。当該運転状況はここではスタートアップサイクル(第1運転状態)と称する。スタートアップサイクル後、コントローラ111はインバーター110を制御してランプ通電を維持させる。当該運転状況をここでは安定状態運転(第2運転状態)と称する。コントローラ111は、障害を検出するとインバーター110の制御を中断してバラスト100をプリセット時間において停止させる。当該状況をここではプリセット不動時間(第3運転状態)と称する。プリセット不動時間経過後、コントローラ111はリセットされてスタートアップサイクルを実行(第1運転状態)し、インバーター110の制御を開始する。
安定状態運転では、コントローラ111はインバーター110を制御して共振フィラメント加熱回路119に電力を供給し、結局はランプ121を駆動する電力を供給する。ランプ121は、中でも陰極抵抗Rを持つランプ陰極104と、陰極端子122及び124と、を含む。陰極端子124は抵抗器R9を介してDCバス112に接続し、陰極端子122は、他方の陰極端子が接続ポイント126位置で抵抗器R9に接続する状態下に、接続ポイント125位置でDCブロッキングキャパシタCdc1の端子に接続する。DCブロッキングキャパシタCdc2は、その一方の端子が接続ポイント125位置に接続され、他方の端子が接地される。ある実施例では、DCブロッキングキャパシタCdc2は、接続ポイント125位置での電圧を、DCバス112電圧の半分に低下させる。
安定運転状態ではコントローラ111は、ランプ121が適正駆動され且つ陰極104が導電性を有する場合、もしあれば随意的な昇圧型PFCステージ116と、インバーター110とを駆動する。コントローラ111は、入力106(ピン13)位置で、ランプに関連する電流I2及び電圧V2を監視し、入力108(ピン14)位置で、バスに関連する電流I1及び電圧V1を監視する。安定運転状態では、素子R4、R5、R6、R7、R8、R9、C4、C5、Cdc1及びCdc2は、バス電圧V1、電流I1、ランプ電圧V2、電流I2を、I2対I1比が閾値以上となる如き値に維持する。閾値は、ランプ電圧V2及びバス電圧Vbus間に、それ以下の値では受け入れ難い非対称性が生じる値を表わす。詳しくは、ランプ電圧V2(電流I2で表わす)対バス電圧V1(電流I1で表わす)比が閾値以下となると、障害状況を表わす受け入れ難い非対称性が生じる。例えば、前記比が閾値以下となると、バス電圧Vbusが、停電時における如く受け入れ難い程に低下する。
従って、コントローラはスタートアップサイクル後の安定運転状態中は以下の態様(電流減少回路140を有するまたは有さない状態下に)下に運転するようプログラムされる。I2/I1比が閾値以上(例えば、3/4または0.75またはそれ以上)である限りにおいて、コントローラ111は、インバーターがランプ121駆動電力を供給するよう当該インバーター110を制御し続ける。
コントローラ111は、スタートアップ後の安定運転状態下に障害を検出すると、インバーター110の運転を中断させ、ランプ121への駆動電力供給を中断させるプリセット不動時間に入る。プリセット時間経過後(即ち、プリセット不動時間経過後)、コントローラ111はリセットされ、スタートアップサイクルを開始してバラスト100をリスタートさせる。ここに記載する如き幾つかの実施形態において、当該プリセット不動時間中にリセットを強制させる要望がある。以下に記述する如く、プリセット不動時間中に電力をオン−オフ−オンとトグルさせることにより、電流減少回路140がI2/I1比を低下させて自動リセットを強制させる。
コントローラ111は、スタートアップ後の安定運転状態下に障害を検出すると、インバーター110の運転を中断させ、ランプ121への駆動電力供給を中断させるプリセット不動時間に入る。プリセット時間経過後(即ち、プリセット不動時間経過後)、コントローラ111はリセットされ、スタートアップサイクルを開始してバラスト100をリスタートさせる。ここに記載する如き幾つかの実施形態において、当該プリセット不動時間中にリセットを強制させる要望がある。以下に記述する如く、プリセット不動時間中に電力をオン−オフ−オンとトグルさせることにより、電流減少回路140がI2/I1比を低下させて自動リセットを強制させる。
コントローラ111は、電力オフ後に、またはプリセット不動時間経過後に運転を開始してスタートアップサイクルに入り、その間、ランプ121及びランプバラスト100の障害状況をチェックする。コントローラ111は、障害を検出しない場合はスタートアップサイクルを継続する。コントローラ111は、障害が生じない限りにおいて、スタートアップサイクル完了後に安定運転状態下に運転される。
上述した如く、コントローラ111はその初期始動に際して及びプリセット不動時間経過後のリセット後にスタートアップサイクルにおいて運転される。コントローラ111をリセットさせてスタートアップサイクルにおいて運転させる別法がある。上述した如く、コントローラ111は相当する電流I1を監視することによりバス電圧V1を分析し、相当する電流I2を監視することによりランプ電圧V2を分析する。電流I1及び電流I2を監視することにより、コントローラ111は、これに限定しないが、ランプの寿命切れや整流器の効果切れの如きその他の問題(例えば障害)がランプ121に生じているかを判定し得る。また、コントローラ111はI2/I1比を監視して、通常運転時には当該比が閾値(例えば0.75)以上であることを予測する。
上述した如く、コントローラ111はその初期始動に際して及びプリセット不動時間経過後のリセット後にスタートアップサイクルにおいて運転される。コントローラ111をリセットさせてスタートアップサイクルにおいて運転させる別法がある。上述した如く、コントローラ111は相当する電流I1を監視することによりバス電圧V1を分析し、相当する電流I2を監視することによりランプ電圧V2を分析する。電流I1及び電流I2を監視することにより、コントローラ111は、これに限定しないが、ランプの寿命切れや整流器の効果切れの如きその他の問題(例えば障害)がランプ121に生じているかを判定し得る。また、コントローラ111はI2/I1比を監視して、通常運転時には当該比が閾値(例えば0.75)以上であることを予測する。
言い換えると、コントローラ111は安定運転状態中、プリセット不動時間中、更にはスタートアップサイクル中においてI2/I1比を監視し、I2/I1比は通常は閾値以上である。しかしながら、コントローラ111は当該比が閾値以下となるのに反応して即座にリセットされ、スタートアップサイクルを開始する。詳しくは、電力トグル(例えば、オン−オフ−オンの)により起動させた電流減少回路140によりI2が低下されると前記比が閾値以下に低下し、かくしてコントローラ111は強制リセットされ、スタートアップサイクルを開始する。ある実施形態では、当該態様下に動作するコントローラは、ドイツ国NurembergのInfineon Technologies,AGから入手可能なOS2331418またはICB2FLOSRAM(商標名)である。
例えば、スタートアップ後の安定運転状態では、I2/I1比が閾値より小さくなるとコントローラ111はインバーター110の運転を中断させ、ランプ121を駆動する電力を断続させる。コントローラ111は即座にリセットされ、リセット後、スタートアップサイクルを開始してバラスト100をリスタートさせる。
その他の例として、障害発生後のプリセット不動時間中にI2/I1比が閾値より小さくなると、コントローラ111はプリセット不動時間経過を待たずに(即ち、中断して)即座にリセットされる。リセット後、コントローラ111はスタートアップサイクルを開始し、バラスト100をリスタートさせる。
電流減少回路140を使用しない場合、コントローラ111は、スタートアップ後の安定状態での運転中にバラストまたはランプの障害、例えば、電力瞬断、ランプ寿命切れ、整流効果切れ、等を検出するとインバーター110を停止させ、プリセット不動時間の中断を開始させる。ある実施形態では、プリセット不動時間は40秒である。通常運転時のプリセット不動時間中のI2/I1比は継続的に閾値に等しいまたはそれ以上であることから、コントローラ111はプリセット不動時間中にリセットされることはない。
電流減少回路140を組み込んだ場合、コントローラ111は、スタートアップ後の安定状態での運転中にバラストまたはランプの障害、例えば、電力瞬断、ランプ寿命切れ、整流効果切れ、等を検出するとインバーター110を停止させ、プリセット不動時間の中断を開始させる。しかしながら、障害が電力トグル(例えば、オフ−オン−オフ)である場合、または、プリセット不動時間経過中に電力をトグルさせると、当該電力トグルにより電流減少回路140が起動され、その結果、電流減少回路140がI2を低下させ、結局、I2/I1比が閾値未満となる。これによりコントローラ111は強制リセットされてスタートアップサイクルを開始する。先に述べた如く、スタートアップサイクルのこの時点において、コントローラ111はランプ121及びランプバラスト100の障害をチェックし、その後、障害が検出されない場合は実質的に即座にランプバラスト100をリスタートさせる。
要約すると、電流減少回路140を使用しない場合、スタートアップ後に安定状態運転中のコントローラ111は、電力トグルに伴う障害(例えば、停電またはEOLL障害)を検出するとプリセット不動時間経過後にリセットされる。一方、電流減少回路140を使用する場合、スタートアップ後に安定状態運転中のコントローラ111は、電力トグルに伴う障害を検出すると、電流減少回路140がI2/I1比を閾値以下に低下させ、かくしてコントローラ111のリセットがプリセット不動時間以内に加速される。
電力トグルに伴う障害例には以下のものがあり得る。例えば、コントローラ111は、電源102故障により発生した停電を、ランプ電圧V2対バス電圧V1比が閾値以下となって生じた障害と判定する。コントローラは、停電を検出すると駆動回路をシャットダウンさせてプリセット時間(例えば、40秒であり得る)を開始させる。バラスト100のユーザーがプリセット時間(即ち40秒)以内において電源102をトグルさせると、電流減少回路140がI2/I1比を閾値以下に低減させ、かくしてコントローラ111は自動リセットされる。停電障害が解消されるとコントローラ111はプリセット時間経過を待たずにバラストをリスタートさせる。
電源トグルに伴う他の障害例には以下のものがあり得る。コントローラ111は、ランプ121の寿命切れをランプ寿命切れ(EOLL)障害として検出し、駆動回路117をシャットダウンさせてプリセット時間(例えば40秒)を開始させる。プリセット時間(即ち、40秒)未満に於いて、バラスト100のユーザーがランプ121を交換して障害を解消し、電源102をトグルさせると電流減少回路140がI2/I1比を閾値以下に低減させ、かくしてコントローラ111は自動リセットされる。EOLL障害が解消されると、コントローラ111はプリセット時間(即ち、40秒)以内にバラストをリスタートさせる。仮に、プリセット時間(即ち、40秒)未満に於いて、ユーザーがランプ121を交換せずに電源102をトグルした場合でも電流減少回路140はI2/I1比を閾値以下に低減させ、コントローラ111は自動リセットされる。しかしコントローラ111がリセットされてもEOLL障害は解消されていないため、スタートアップサイクル中に当該障害を検出し、プリセット時間を開始させる。
電流減少回路140は図1ではバラスト100の一部として例示され、図3では当該電流減少回路のみが略示されている。電流減少回路140は陽極及び陰極を持つ能動素子D5を含み、ランプ121側に接続した陽極が、接続ポイント128位置のランプ電圧Vbに相当する。電流減少回路140は、直列接続した第1抵抗R1/R2及び第2抵抗R3を備える分圧器を更に含み、第1抵抗R1/R2の第1端は整流ライン114に接続され、第2端は接続ポイント130位置で能動素子の陰極に接続される。第2抵抗R3の第1端は接続ポイント130位置で能動素子の陰極に接続され、第2端は回路接地に接続される。安定運転状態では陰極電圧Vaは陽極電圧Vb以上であるので、能動素子D5には逆バイアスが掛かり電流は流れない。陰極電圧Vaが陽極電圧Vb未満、例えば、整流ライン114電圧が陽極電圧Vb以下となると、能動素子D5に順バイアスが掛かり電流が流れる。
電流減少回路140のある実施形態では、ダイオードである能動素子D5が接続ポイント128及び接続ポイント130位置に接続される。能動素子D5は、電圧Vaが電圧Vb未満である場合は能動素子D5に順バイアスが掛かり電流I3が流れ始める如き態様下に接続される。抵抗R1は、整流ライン114と、接続ポイント130との間で抵抗R2に直列接続される。抵抗R3はその一端が接続ポイント130に接続され、他端は回路接地に接続される。フィルタキャパシタC3が接続ポイント130及び接地に接続され、かくしてフィルタキャパシタC3と抵抗R11とが並列接続される。抵抗R1、R2、R3は、安定状態運転時のVa<Vbを維持する抵抗デバイダを構成する。電力をオン−オフ−オンとトグルした場合に整流ライン114の電圧が低下(電力トグル“オフ”時に)して、例えばVa=0ボルトとなると、能動素子D5には順バイアスが掛かる。能動素子D5は電流I3を伝導させ、かくしてI2及びI1間を不平衡化させ、I2/I1比を、例えば閾値未満とする。ある実施形態では電流減少回路140は、電力をオン−オフ−オンとトグルした場合に1秒あるいはそれ未満の内にI2/I1比を閾値未満に低下させる。
図2には非常用照明システム203の実施形態が例示される。非常用照明システム203は、図1に関して先に説明した如き、ランプ121駆動用の主バラスト100を含む。非常用照明システム203はバックアップバラスト200をも含む。バックアップバラスト200は、例えば、バックアップバラストリレー202と、バックアップ電源204と、整流器/DC充電器/リレー用のコントローラ208と、を含み得る。主電源201は通電中は主バラスト100に選択的に接続される。通常運転中、主電源201は通電状態に維持され、ランプ121はバックアップバラストリレー202を介して主バラスト100に選択的に接続され且つ当該主バラスト100により駆動される。
主電源201を切断すると電力損失が生じ、ランプ121はバックアップバラスト200のバックアップ電源204により選択的に駆動される。主バラスト100のコントローラ111は、(先に説明した如く)プリセット時間経過後にランプ切れ障害を検出する。整流ライン114における電圧は電力損失により降下し、コントローラ111は電流減少回路140により、(先に説明した如く)プリセット時間未満の時間でリセットされる。主電源201を再通電させると主電源201は主バラスト100に選択的に再接続され、主バラスト100によるランプ121の選択的駆動が再開される。
従って、主電源201を通電させると、ランプ121は主バラスト100により駆動され、バックアップバラストリレー202が駆動回路117とランプ121とを選択的に接続する。主電源201を切断するとランプ121はバックアップバラスト200により駆動され、バックアップバラストリレー202が駆動回路117とランプ121との接続を選択的に切断し、コントローラ111が、駆動回路117とランプ121との切断障害を検出する。主電源201への通電を再開すると、コントローラ111はリセットされ、ランプ121は主バラスト100により駆動され、バックアップバラストリレー202が駆動回路117とランプ121とを選択的に接続する。
ランプバラスト100は、ランプドライバを選択的に動作させる、図4に示す如き制御回路302を随意的に含み得る。制御回路302は、バラストによる、2つのステージA及びステージBでの4個のランプ(図示せず)の駆動を許容する。ステージAには、上述したコントローラ111に相当するASIC411Aにより何れも制御される、2個のランプを駆動するための、昇圧型力率制御ステージ416A及び複合回路方式ハーフブリッジ型共振LC回路417Aが含まれる。同様に、ステージBには、同じく上述したコントローラ111に相当するASIC411Bにより制御される、2個のランプを駆動する、昇圧型力率制御ステージ416B及び複合回路方式ハーフブリッジ型共振LC回路417Bが含まれる。制御回路302は、ランプに接続するバラストの出力線を取り外すことなく、ランプを駆動するインバーターの一方を停止させることにより、2個のランプを駆動するモードでの当該バラストの動作を許容する。“Electronic Ballast Control Circuit”と称する共同発明及び共同所有の米国特許出願第12/474,049号は、ここに参照することにより本明細書の一部とするものであり、制御回路302の各実施例が説明される。
ランプバラスト100は、図4に示す如く、バラストにより給電される第1ランプまたは第2ランプ(図示せず)の何れかをユーザーが交換するのに応じて、バラストをリスタートせしめるランプ再点灯回路300を随意的に更に含み得る。“Relamping Circuit for Dual Lamp Electronic Ballast”と題する共同発明及び共同所有の米国特許出願第12/474,141号は、ここに参照することにより本明細書の一部とし、且つランプ再点灯回路300の実施形態を説明するものとする。
ここで、本発明及びその単数または複数の好ましい実施形態における要素に関する、“1つの”、“この”、“前記”等は、それら要素が1つ以上であることを意味するものとし、また、“含む”、“有する”等については、列挙した各要素以外に追加的な要素が存在することを意味するものとする。
ここで、本発明及びその単数または複数の好ましい実施形態における要素に関する、“1つの”、“この”、“前記”等は、それら要素が1つ以上であることを意味するものとし、また、“含む”、“有する”等については、列挙した各要素以外に追加的な要素が存在することを意味するものとする。
12 電流
13、14 ピン
100 ランプバラスト
102 電源
104 陰極
106 第2電流値
108 第1電流値
110 インバーター
111 コントローラ
112 DCバス
113、115 接地
114 整流ライン
116 昇圧型PFCステージ
117 駆動回路
118 EMIフィルタ
119 共振フィラメント加熱回路
120 整流器
121 ランプ
122 陰極端子
125、126、128、130 接続ポイント
140 電流減少回路
200 バックアップバラスト
201 主電源
202 バックアップバラストリレー
203 非常用照明システム
204 バックアップ電源
208 コントローラ
300 ランプ再点灯回路
302 制御回路
416A、416B 昇圧型力率制御ステージ
417A 複合回路方式ハーフブリッジ型共振LC回路
13、14 ピン
100 ランプバラスト
102 電源
104 陰極
106 第2電流値
108 第1電流値
110 インバーター
111 コントローラ
112 DCバス
113、115 接地
114 整流ライン
116 昇圧型PFCステージ
117 駆動回路
118 EMIフィルタ
119 共振フィラメント加熱回路
120 整流器
121 ランプ
122 陰極端子
125、126、128、130 接続ポイント
140 電流減少回路
200 バックアップバラスト
201 主電源
202 バックアップバラストリレー
203 非常用照明システム
204 バックアップ電源
208 コントローラ
300 ランプ再点灯回路
302 制御回路
416A、416B 昇圧型力率制御ステージ
417A 複合回路方式ハーフブリッジ型共振LC回路
Claims (12)
- ランプ駆動用のバラストであって、
電源に接続された整流器にして、電源から電力を受け、当該電力を受けるとDCバス電圧を発生する構成を有する整流器と、
整流器からDCバス電圧を受け、当該DCバス電圧を受けるとランプ駆動用のランプ電圧を発生する構成を有する駆動回路と、
該駆動回路を制御する構成を有するコントローラにして、前記DCバス電圧に相当する第1電流値を監視し、ランプ電圧に相当する第2電流値を監視し、前記コントローラが、障害状況を検出するとプリセット時間において駆動回路を停止させ、次いでリセットされ、駆動回路を制御してランプを駆動させ、第2電流値対第1電流値の比が閾値以下となるとリセットされ、駆動回路を制御してランプを駆動させるコントローラと、
障害状況発生時におけるコントローラのリセットを加速させる構成を有する電流減少回路にして、所定のプリセット時間未満において、コントローラに供給される第2電流値を減少させ、かくして、第2電流値対第1電流値の比を閾値以下に低下させることによりコントローラをリセットさせる電流減少回路と、
を含むバラスト。 - 電流減少回路が、
障害状況発生時及び、電力がオン−オフ−オンの順にトグルされた場合に、コントローラのリセットを加速させる構成を有する電流減少回路にして、該コントローラに供給される第2電流値を所定プリセット時間未満において低下させ、該低下した第2電流値対第1電流値の比を閾値以下に低下させることによりコントローラをリセットさせる電流減少回路である請求項1のバラスト。 - コントローラが障害状況を検出しない場合、第2電流値に相当する電流対第1電流値に相当する電流の比が閾値または閾値以上に維持され、かくして電源が整流器に電力を供給する請求項1のバラスト。
- コントローラのリセットを加速するために、電流減少回路が、ランプ電圧に相当するランプ側に接続され、前記電流減少回路が、
陽極及び陰極を備える能動素子にして、陽極がランプ電圧に相当するランプ側に接続した能動素子と、
直列接続した第1及び第2の各抵抗を備える分圧器にして、第1抵抗の第1端が整流ラインに接続され、第1抵抗の第2端が能動素子の陰極に接続され、第2抵抗の第1端が能動素子の陰極に接続され、第2抵抗の第2端が回路接地に接続された分圧器と、
を含み、能動素子が、電源が通電され且つ陰極電圧が陽極電圧より大きい場合は該能動素子に逆バイアスが掛かり電流が流れず、
能動素子が、電源を切断し且つ陰極電圧が陽極電圧未満である場合は該能動素子に順バイアスが掛かり電流が流れる請求項1のバラスト。 - 順バイアスが掛かる能動素子が、ランプ電圧に相当するランプ側から離れる方向に電流を送ることにより第1電流値を低下させ、かくして低下した第1電流値対第2電流値の比を閾値以下に低下させることによりコントローラをリセットさせる請求項4のバラスト。
- 第2抵抗にフィルタキャパシタが並列接続され、フィルタキャパシタの第1端が第2抵抗の第1端に接続され、フィルタキャパシタの第2端が第2抵抗の第2端に接続される請求項4のバラスト。
- ランプ駆動用の非常用照明システムであって、
ランプ駆動用の主バラストを含み、該主バラストが、
主電源に接続した整流器にして、電源から電力を受け、当該電力を受けるとDCバス電圧を発生する構成を有する整流器と、
整流器からDCバス電圧を受け、当該DCバス電圧を受けるとランプ駆動用のランプ電圧を発生する構成を有する駆動回路と、
該駆動回路を制御する構成を有するコントローラにして、前記DCバス電圧に相当する第1電流値を監視し、ランプ電圧に相当する第2電流値を監視し、前記コントローラが、障害状況を検出するとプリセット時間において駆動回路を停止させ、次いでリセットされ、駆動回路を制御してランプを駆動させ、第2電流値対第1電流値の比が閾値以下となるとリセットされ、駆動回路を制御してランプを駆動させるコントローラと、
電源がトグルされた場合にコントローラのリセットを加速させる構成を有する電流減少回路にして、コントローラに供給される第2電流値を、プリセット時間未満の時間において低下させ、低下された第2電流値対第1電流値の比を閾値以下に低下減少させ、かくしてコントローラをリセットさせる電流減少回路と、
主電源切断時にランプをバックアップ電源により選択的に駆動させる構成を有するバックアップバラストにして、主電源通電時に主電源を主バラストの整流器に接続させ、主電源切断時はバックアップバラストをランプに選択的に接続し、電源切断時にランプを駆動回路から選択的に切断させる構成を有するリレーを含むバックアップバラストと、
主電源を通電させるとランプが主バラストにより駆動され、バックアップバラストリレーが駆動回路とランプとを選択的に接続し、
主電源切断時はランプがバックアップバラストにより駆動され、バックアップバラストリレーが駆動回路とランプとを選択的に切断させ、かくして、コントローラが駆動回路及びランプの切断に基づく障害状況を検出し、
電源を再通電させると、コントローラがリセットされ且つランプが主バラストにより駆動され、バックアップバラストリレーが駆動回路とランプとを選択的に接続するランプ駆動用の非常用照明システム。 - 電源がプリセット時間未満の時間において再通電されると、電流減少回路が第2電流値対第1電流値の比を閾値未満に低下させてコントローラをリセットさせ、かくしてランプが主バラストにより駆動される請求項7のランプ駆動用の非常用照明システム。
- 障害状況が存在せず且つ主電源通電時は、第2電流値に相当する電流対第1電流値に相当する電流の比が閾値または閾値以上に維持される請求項7のランプ駆動用の非常用照明システム。
- コントローラのリセットを加速させるためにランプ電圧に相当するランプ側に接続した電流減少回路が、
陽極及び陰極を備える能動素子にして、陽極がランプ電圧に相当するランプ側に接続される能動素子と、
直列接続した第1抵抗及び第2抵抗を備える分圧器にして、第1抵抗の第1端が整流器ラインに接続され、第1抵抗の第2端が能動素子の陰極に接続され、第2抵抗の第1端が能動素子の陰極に接続され、第2抵抗の第2端が回路接地に接続され、
電源通電時は、能動素子に逆バイアスが掛かり電流が伝導されず、陰極電圧が陽極電圧より大きく、
電源切断時は能動素子に順バイアスが掛かり電流が伝導され、陰極電圧が陽極電圧未満である請求項7のランプ駆動用の非常用照明システム。 - 順バイアスの掛かる能動素子が、ランプ電圧に相当するランプ側から離れる方向に電流を伝導して第1電流値を低下させ、かくして、低下した第1電流値対第2電流値の比が閾値以下となり、コントローラがリセットされる請求項10のランプ駆動用の非常用照明システム。
- フィルタキャパシタが第2抵抗に並列接続され、フィルタキャパシタの第1端が第2抵抗の第1端に接続され、フィルタキャパシタの第2端が第2抵抗の第2端に接続される請求項10のランプ駆動用の非常用照明システム。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/474,080 US8004198B2 (en) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | Resetting an electronic ballast in the event of fault |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010278008A true JP2010278008A (ja) | 2010-12-09 |
Family
ID=42671707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010122788A Ceased JP2010278008A (ja) | 2009-05-28 | 2010-05-28 | 障害発生時における電子バラストのリセット |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8004198B2 (ja) |
EP (1) | EP2257135B9 (ja) |
JP (1) | JP2010278008A (ja) |
CN (1) | CN101902863B (ja) |
AT (1) | ATE551880T1 (ja) |
CA (1) | CA2701212C (ja) |
Families Citing this family (357)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9035556B2 (en) * | 2010-03-04 | 2015-05-19 | Jonathan Hollander | Parallel-connected ballast circuits |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8981656B2 (en) * | 2012-04-03 | 2015-03-17 | General Electric Company | Relamping circuit for fluorescent ballasts |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
WO2014012213A1 (en) * | 2012-07-17 | 2014-01-23 | General Electric Company | Relamping circuit |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US8742668B2 (en) * | 2012-09-05 | 2014-06-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for stabilizing plasma ignition |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US9170872B2 (en) | 2013-01-16 | 2015-10-27 | Nike, Inc. | Reset supervisor |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
MX2018012633A (es) * | 2016-04-15 | 2019-07-01 | Brebenel Nicolae | Sistema y dispositivo de iluminacion por led. |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
WO2017207329A1 (en) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | Philips Lighting Holding B.V. | Method of lighting driver protection in case of loss of neutral connection, and lighting driver including such protection |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
TWI844567B (zh) | 2018-10-01 | 2024-06-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
CN113348731A (zh) * | 2018-11-28 | 2021-09-03 | 纳米格有限公司 | 用于提供交互式模块化照明的系统和方法 |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
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US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
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TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
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CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04183278A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-30 | Tokyo Electric Co Ltd | コンバータ装置 |
JPH04298998A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-22 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 電源回路および照明器具 |
JPH0729690A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Hitachi Lighting Ltd | 放電灯点灯装置 |
JPH08106990A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-23 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 放電灯点灯装置及び照明装置 |
JP2001244089A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 放電灯点灯装置 |
JP2003203795A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 放電灯点灯装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5652479A (en) * | 1995-01-25 | 1997-07-29 | Micro Linear Corporation | Lamp out detection for miniature cold cathode fluorescent lamp system |
US6339296B1 (en) * | 1999-05-11 | 2002-01-15 | Jerzy M. Goral | Low profile emergency ballast |
WO2002033502A1 (en) | 2000-10-20 | 2002-04-25 | International Rectifier Corporation | Ballast control ic with power factor correction |
DE10290425B4 (de) * | 2001-01-12 | 2011-01-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd., Kadoma-shi | Vorschaltgerät für eine Entladungslampe |
EP1819205B1 (en) * | 2004-12-03 | 2011-10-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Electric discharge lamp operation device and illumination instrument |
DE102005005058A1 (de) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Schaltungsanordnung |
DE102005017506A1 (de) * | 2005-04-15 | 2006-10-19 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Elektronisches Vorschaltgerät für eine Lampe |
US7312588B1 (en) * | 2006-09-15 | 2007-12-25 | Osram Sylvania, Inc. | Ballast with frequency-diagnostic lamp fault protection circuit |
US7880391B2 (en) * | 2008-06-30 | 2011-02-01 | Osram Sylvania, Inc. | False failure prevention circuit in emergency ballast |
-
2009
- 2009-05-28 US US12/474,080 patent/US8004198B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-04-20 CA CA2701212A patent/CA2701212C/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-04-27 AT AT10161147T patent/ATE551880T1/de active
- 2010-04-27 EP EP10161147A patent/EP2257135B9/en not_active Not-in-force
- 2010-05-28 CN CN201010194207.9A patent/CN101902863B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-05-28 JP JP2010122788A patent/JP2010278008A/ja not_active Ceased
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04183278A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-30 | Tokyo Electric Co Ltd | コンバータ装置 |
JPH04298998A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-22 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 電源回路および照明器具 |
JPH0729690A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Hitachi Lighting Ltd | 放電灯点灯装置 |
JPH08106990A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-23 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 放電灯点灯装置及び照明装置 |
JP2001244089A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 放電灯点灯装置 |
JP2003203795A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 放電灯点灯装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101902863A (zh) | 2010-12-01 |
US8004198B2 (en) | 2011-08-23 |
ATE551880T1 (de) | 2012-04-15 |
CN101902863B (zh) | 2014-11-12 |
US20100301752A1 (en) | 2010-12-02 |
EP2257135B9 (en) | 2012-09-26 |
EP2257135B1 (en) | 2012-03-28 |
CA2701212C (en) | 2016-04-12 |
EP2257135A1 (en) | 2010-12-01 |
CA2701212A1 (en) | 2010-11-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110422 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130527 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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