CN101902863A - 在发生故障的情况下对电子镇流器进行重置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及在发生故障的情况下对电子镇流器进行重置。一种用于驱动一个或多个灯的镇流器包括控制器和用于加速控制器重置的电流降低电路。在检测到故障时,所述控制器在预设时间段内禁用所述镇流器并且重置。所述控制器附加地在所供应的第二值与所供应的第一值的比率降到低于阈值时重置。所述电流降低电路在小于预设时间段的时间段内降低所供应的第二值,以使得所述比率降到低于所述阈值并且所述控制器重置。一种应急照明系统包括作为主镇流器的镇流器、备用镇流器、以及主电源。如果主电源断电并且备用镇流器将所述一个或多个灯从主镇流器断开,则所述控制器检测到故障。所述电流降低电路在主电源断电时加速所述控制器的重置。
Description
相关申请的交叉引用
与本申请同时提交的名称为“Electronic Ballast Control Circuit”的共同发明并且共同拥有的美国专利申请序列号12/474,049的全部内容通过引用并入本申请。另外,与本申请同时提交的名称为“RelampingCircuit for Dual Lamp Electronic Ballast”的共同发明并且共同拥有的美国专利申请序列号12/474,141的全部内容通过引用并入本申请。
技术领域
本发明总体上涉及用于给一个或多个灯提供功率(power)的电子镇流器。更具体而言,本发明涉及响应于功率跳变(power toggle)而快速地重新启动镇流器。
背景技术
镇流器给一个或多个灯提供功率并且调节被提供给所述灯的电流、电压、和/或功率。镇流器常常含有一个或多个控制器、集成电路、以及其它有源和无源部件以调节被提供给灯的功率。故障可能中断镇流器的操作。例如,瞬间的功率中断(interruption)、比如电源断电(de-energize)和重新通电(re-energize)可能影响镇流器的连续操作。在一些镇流器中,功率跳变这一事件导致在驱动该镇流器中的功率电路的控制器中检测到故障并且去激活该镇流器直到控制器重置。控制器的重置在经过预设时间段之后发生。控制器重置将该控制器“重新启动”为其初始上电状态,以使得该控制器开始其启动周期。镇流器在该预设时间段期间保持关闭,并且在该控制器完成重置之前不给灯提供功率。重置时间段通常由功率电路的电容性放电来确定。
发明内容
本发明的方面包括一种用于驱动灯的镇流器。在一个实施例中,连接到电源的整流器被配置成从该电源接收电力(electricity)。该整流器在接收电力时生成DC总线电压。驱动电路被配置成从整流器接收DC总线电压并且在接收DC总线电压时生成用于驱动该灯的灯电压。控制器被配置成:控制该驱动电路;监控对应于DC总线电压的第一值;以及附加地监控对应于灯电压的第二值。当该控制器检测到故障状况时,该控制器在预设时间段内禁用驱动电路。其后,该控制器重置以控制驱动电路来驱动该灯。该控制器还可以在第二值与第一值的比率降到低于阈值时重置。电流降低电路被配置成通过在小于该预设时间段的时间段内降低被供应给该控制器的第二值来加速控制器在故障状况下的重置。降低的第二电流值与第一电流值的比率降到低于该阈值,并且该控制器重置。
本发明的方面进一步包括一种用于驱动灯的应急照明系统。在一个实施例中,主镇流器是上述镇流器。该应急照明系统进一步包括备用镇流器,所述备用镇流器被配置成在主电源断电时选择性地从备用电源驱动该灯。在一个实施例中,备用镇流器包括继电器,所述继电器被配置成在主电源通电(energize)时选择性地将主电源连接到主镇流器的整流器。该继电器被配置成在主电源断电时选择性地将备用镇流器连接到该灯。该继电器被进一步配置成在主电源断电时选择性地将该灯从驱动电路断开。当主电源通电时,该灯由主镇流器来驱动,并且备用镇流器继电器选择性地将驱动电路与该灯连接。当主电源断电时,该灯由备用镇流器来驱动,并且备用镇流器继电器选择性地将驱动电路与该灯断开。主镇流器的控制器检测到由于驱动电路与灯的断开而造成的故障状况。当该电源重新通电时,该控制器重置并且该灯由主镇流器来驱动,并且备用镇流器继电器选择性地将驱动电路与该灯连接。
本发明内容被提供是为了以简化形式介绍概念的摘录,所述概念在下面的具体实施方式中予以进一步描述。本发明内容并不意在标识要求保护的主题的关键特征或基本特征,也不意在用于帮助确定要求保护的主题的范围。
在下文中,其它目的和特征将部分变得显而易见并且部分被指出。
附图说明
图1是部分以框图形式、部分以示意图形式的根据本发明实施例的用于驱动灯的示例性镇流器的图。
图2是部分以框图形式、部分以示意图形式的根据本发明实施例的包括主镇流器和应急镇流器的示例性应急照明系统的图。
图3是部分以框图形式、部分以示意图形式的根据本发明实施例的用于与灯镇流器一起使用的示例性电流降低电路的图。
图4是部分以框图形式、部分以示意图形式的用于驱动灯的示例性镇流器的图,该图示出了灯镇流器的可选特征。
贯穿所述附图,相应的附图标记指示相应的部分。
具体实施方式
本发明的实施例包括用于驱动灯121的镇流器100。连接到电源102的整流器120被配置成从电源102接收电力并且在接收电力时生成DC总线电压Vbus。驱动电路117被配置成从整流器120接收DC总线电压并且在接收DC总线电压Vbus时生成灯电压Vb以驱动灯121。驱动电路117由控制器111来控制,其中控制器111监控对应于DC总线电压Vbus的第一值108、以及对应于灯电压Vb的第二值106。
在正常操作时,控制器111在控制器111检测到故障状况后的预设时间段之后重置。当灯镇流器100的部件出于任何原因而不以预期的方式运行时发生故障状况。因此,当灯镇流器100的部件遭受完全失效(例如该部件停止正常运行并且必须用新的正常运行的部件来更换)时、以及当灯镇流器100的部件遭受间歇性的瞬时故障(例如该部件正常运行,然后不能正常运行,但是在没有采取任何外部措施的情况下恢复正常运行)时,可能发生故障状况。因此,故障状况例如可以包括:电源102生成暂时性的电压尖峰;以及灯121由于其内部的一个或多个部件的老化而达到其寿命终点、或者由于外部事件而损坏。作为一些其它的例子,故障可以是如下各项之中的一个或多个:短路;短路的灯丝或开灯丝(open filament);开路;整流灯负载;电弧;接地故障;灯灭(lamp out)、灯寿命结束(EOLL)、灯被移除、或者灯故障;电气扰动、比如功率中断;灯电压、灯电流、总线电压、以及总线电流的不对称;不稳定的电压或电流;异常的启动或者灯点燃电压或电流;以及功率的频率、相位、幅度、电压或电流处于预设范围之外。总的来说,故障可以是导致控制器重置的任何状况。本领域的技术人员能够认识到除了在此所指出的示例性状况以外的其它故障状况。
检测到故障与由控制器进行的重置之间的预设时间段经常是所定义的固定时间段。在一些实施例中,预设时间段对应于控制器的内部控制定时器为了用信号通知控制器重置所需的时间量。在一些实施例中,预设时间段是电容性放电所需的时间量。在预设时间段超时之后,控制器重置使该控制器进入其初始加电状态以开始启动周期。本发明所针对的是在预设时间段期间响应于功率跳变而缩短所述预设时间段,以使得重置被加速。
根据本发明的实施例,提供了一种电流降低电路,其响应于功率跳变而使控制器在预设时间段结束之前重置。具体来说,电源降低电路在预设时间段期间使控制器重置。电流降低电路响应于功率跳变使控制器控制驱动电路来驱动灯而不管预设时间段是否已经超时。在正常操作时,当第二值与第一值的比率小于阈值时,控制器自动地重置。在一些实施例中,该比率是对应于DC总线电压(第二值)的电流与对应于灯电压(第一值)的电流的比率。电流降低电路利用该自动重置来降低所述比率并且迫使在预设时间段超时之前自动重置。
根据本发明的实施例,通过连接到灯的对应于灯电压的一侧的电流降低电路来加速控制器重置。电流降低电路在功率从开启跳变到关闭再到开启时降低被供应给控制器的第二值(其对应于灯电压)。由于电流降低电路,被降低的第二电流值与第一电流值的比率降到低于阈值,并且控制器重置以开始启动周期,以便控制驱动电路来驱动灯。因此,当发生故障并且控制器正在等预设时间段超时(time out thepreset period)时,功率跳变将使电流降低电路通过降低第二电流值来重置控制器。
图1图示了本发明的示例性灯镇流器100的一个实施例。镇流器100由交流(“AC”)电源102供电。镇流器100包括可选的EMI滤波器118、整流器120、可选的升压(boost)功率因数校正(“PFC”)级116、包括逆变器110的驱动电路117、控制器111、以及电流降低电路140。
在一些实施例中,可选的EMI滤波器118调节从电源102所接收到的功率,从而抑制电源线上所传导的干扰。在这样的实施例中,整流器120然后从可选的EMI滤波器118接收经调节的功率。在所有的实施例中,整流器120都接收功率(无论是否经过调节)并且将经整流的直流(“DC”)电压输出到灯镇流器110的整流线114和地115上。连接在整流线114与地115之间的电容器C1调节经整流的DC电压。在一些实施例中,可选的升压PFC级116接收经调节的、经整流的DC电压并且将DC总线电压输出到DC总线112(可替代地被称为“Vbus”)上。DC总线电压被增加到超过整流线114的经整流的DC电压。有利地,在一些实施例中,升压PFC级116产生大致为450伏的DC总线电压。连接在DC总线112与地113之间的电容器C2进一步调节DC总线112上的功率,而无论所述功率是从电容器C1还是可选的升压PFC级116接收的。可替代地,在一些实施例中,可选的升压PFC级116包括C2。
DC总线112和地113连接到逆变器110。在一些实施例中,逆变器110是半桥逆变器110,所述半桥逆变器110从DC总线112和地113接收DC功率并且将AC功率输出到用于驱动至少一个灯121的谐振灯丝加热电路119。在一些实施例中,灯镇流器100驱动多个灯(未示出)。逆变器110、以及在一些实施例中,可选的升压PFC级116通过控制器111的一个或多个输出而被控制以驱动该灯121。
在正常操作时,控制器111具有三个操作状态。当控制器111开始操作时,控制器111执行启动程序,所述启动程序在此被称为启动周期(第一操作状态)。在启动周期之后,控制器111控制逆变器110保持灯通电,这在此处被称为稳态操作(第二操作状态)。当控制器111检测到故障时,控制器111中止控制逆变器110以在预设时间段内去激活镇流器100,这在此处被称为不活动预设时间段(第三操作状态)。在不活动预设时间段之后,控制器111重置以通过执行启动周期(第一操作状态)来开始控制逆变器110。
在稳态操作时,控制器111控制逆变器110给谐振灯丝加热电路119提供功率,所述谐振灯丝加热电路119进而提供用于驱动灯121的功率。灯121尤其是包括灯阴极104,所述灯阴极104具有阴极电阻Rcathode以及阴极端子122和124。端子124通过电阻器R9连接到DC总线112。端子122在连接点125处连接到DC阻隔电容器Cdc 1的端子,其中另一端子在连接点126处连接到R9。在连接点125处连接有DC阻隔电容器Cdc2的端子,其中另一端子连接到地。在一些实施例中,Cdc2将125处的电压降低为DC总线112电压的一半的值。
在稳态操作时,控制器111在灯121正常操作并且阴极104导电时驱动可选的升压PFC级116(在其存在情况下)以及逆变器110。控制器111监控输入端106处(引脚13)的与灯相关的电流I2和电压V2,并且监控输入端108处(引脚14)的与总线相关的电流I1和电压V1。在稳态操作时,元件R4、R5、R6、R7、R8、R9、C4、C5、Cdc1以及Cdc2将总线电压V1、电流I1、灯电压V2和电流I2保持在如下的值:所述值使得I2与I 1的比率大于阈值。所述阈值表示如下的值:在低于所述值的情况下,在灯电压V2与总线电压Vbus之间存在不可接受的不对称。具体来说,当灯电压V2(由电流I2来指示)与总线电压V1(由电流I1来指示)相比的比率降到低于该阈值,则指示代表故障状况的不可接受的不对称。例如,低于该阈值的比率可能是由于总线电压Vbus的幅度的不可接受的下降、比如由于功率中断造成的下降。
因此,控制器被编程为(在具有或没有电流降低电路140的情况下)在启动周期之后的稳态操作期间以如下方式操作。只要比率I2/I1大于阈值(例如3/4或0.75或者更高),则控制器111就继续控制逆变器110的操作以提供用于驱动灯121的功率。
在启动之后的稳态操作中,当控制器111检测到故障时,控制器111中止逆变器110的操作,从而中止用于驱动灯121的功率,并且控制器111进入不活动预设时间段。在所述预设时间段过去(即不活动预设时间段超时)后,控制器111重置并且开始启动周期以重新启动镇流器100。在此处所指出的一些实施例中,需要迫使在该不活动预设时间段期间重置。如下面所指出的那样,功率在不活动预设时间段期间从开启跳变到关闭再到开启将使得电流降低电路140降低I2/I1比率并且迫使自动重置。
控制器111在关闭之后或者在不活动预设时间段之后以启动周期开始操作,在所述启动周期期间,控制器111检查灯121和灯镇流器100是否发生故障。如果控制器111未检测到故障,则控制器111继续启动周期。只要未发生故障,当启动周期完成时,控制器111就前进到稳态周期并且在稳态周期中操作。
如上面所指出的那样,控制器111在控制器111的初始上电时以及在不活动预设时间段结束时的重置之后操作在启动周期中。存在使控制器111重置并且操作在启动周期中的一个附加情形。如上面所指出的那样,控制器111通过监控相应电流I1来分析总线电压V1,并且控制器111通过监控相应电流I2来分析灯电压V2。对I1和I2的这种监控允许控制器111确定是否在灯121中存在其它问题(例如故障)、比如但不限于灯寿命结束和整流器效应。此外,控制器111监控比率I2/I1并且在正常操作时预期该比率高于阈值(例如0.75)。换言之,在稳态操作期间、在不活动预设时间段期间、以及在启动周期期间,控制器111监控比率I2/I1,并且比率I2/I1在正常情况下大于该阈值。然而,如果该比率降到低于该阈值,则控制器111通过立即重置并且发起启动周期来进行响应。实施例利用控制器111的这种立即重置性质。具体来说,电流降低电路140在被功率跳变(即从开启到关闭再到开启)激活时将降低I2以使该比率降到低于该阈值,并且由此迫使控制器111重置并且发起启动周期。在一些实施例中,以这种方式操作的控制器是可从德国Nuremberg的InfineonTechnologies股份公司购买的OS2331418或ICB2FLOSRAM。
例如,在启动之后的稳态操作中,如果比率I2/I1变得小于该阈值,则控制器111将中止逆变器110的操作并且中止用于驱动灯121的功率。控制器111将立即重置。在重置之后,控制器111开始启动周期以重新启动镇流器100。
作为另一例子,在故障之后的不活动预设时间段期间,如果比率I2/I1变得小于该阈值,则控制器111将立即重置并且将不等到该预设时间段过去(超时)才重置。在重置之后,控制器111开始启动周期以重新启动镇流器100。
当控制器111在没有电流降低电路140的情况下在启动之后操作在稳态操作中,并且控制器111检测到镇流器或灯故障(例如瞬间的失去电源、灯寿命结束、整流器效应等等)时,控制器111去激活逆变器110并且开始等不活动预设时间段超时。在一些实施例中,不活动预设时间段是40秒。比率I2/I1在正常操作时在该预设时间段期间继续为大于或等于该阈值,以使得控制器111在该预设时间段期间并不重置。
当控制器111结合电流降低电路140操作在启动之后的稳态操作中并且控制器111检测到镇流器或灯故障(例如瞬间的失去电源、灯寿命结束、整流器效应等等)时,控制器111去激活逆变器110并且开始等不活动预设时间段超时。然而,如果该故障是功率跳变(例如从关闭到开启再到关闭)、或者如果功率跳变处于该预设时间段过去的期间,则该功率跳变激活电流降低电路140。结果,电流降低电路140降低I2,这将I2/I1比率降低到小于该阈值。这迫使控制器111重置并且开始启动周期。如上面所指出的那样,在启动周期中的该时刻,控制器111检查灯121和灯镇流器100是否存在故障,并且如果没有检测到故障,则其后基本上立刻重新启动灯镇流器100。
概括而言,当控制器111在没有电流降低电路140的情况下操作在启动之后的稳态操作中时,如果控制器111检测到后面跟着功率跳变的故障(例如功率中断或者EOLL故障),则控制器111在等预设时间段超时之后重置。另一方面,当控制器111结合电流降低电路140操作在启动之后的稳态操作中时,如果控制器111检测到后面跟着功率跳变的故障,则电流降低电路140将I2/I1的比率降低到低于该阈值,由此在小于该预设时间段内加速控制器111的重置。
作为特定的例子,下面的情形可以是后面跟着功率跳变的故障。该故障可以是:功率例如由于电源102失灵而被中断,这被控制器111认为是故障,因为灯电压V2与总线电压V1的比率降到低于该阈值。响应于所检测到的功率中断,控制器关闭驱动电路以开始等预设时间段(其例如可以是40秒)超时。在小于该预设时间段(在此即40秒)内,镇流器100的用户切换(toggle)电源102,从而使电流降低电路140将I2/I1比率降低到低于该阈值比率,这引起控制器111的自动重置。由于该功率中断故障已经被清除,所以控制器111在小于该预设时间段内重新启动镇流器。
作为另一例子,下面的情形可以是后面跟着功率跳变的故障。灯121达到其寿命的终点,并且控制器111检测到灯寿命结束(EOLL)故障并且关闭驱动电路117以开始等预设时间段(其例如可以是40秒)超时。在小于该预设时间段(在此即40秒)内,镇流器100的用户更换灯121以清除该故障,并且切换电源102,从而使电流降低电路140将I2/I1的比率降低到低于该阈值。这引起控制器111自动重置。由于该EOLL故障已经被清除,所以控制器111在小于该预设时间段(即40秒)的时间内重新启动镇流器100。在小于该预设时间段(即40秒)内,如果用户不更换灯121并且切换电源102,则这将使电流降低电路140将I2/I1的比率降低到低于该阈值比率,控制器111自动重置。控制器111将重新启动,但是EOLL故障还未被清除,在启动周期期间,控制器111将检测到该故障并且开始等该预设时间段超时。
电流降低电路140在图1中作为镇流器100的一部分而被示出,并且在图3中以隔离的简化形式被示出。电流降低电路140包括具有阳极和阴极的有源元件D5,其中阳极在连接点128处连接在灯121的对应于灯电压Vb的一侧。电流降低电路140进一步包括分压器,所述分压器具有串联的第一电阻R1/R2和第二电阻R3,其中第一电阻R1/R2的第一末端连接到整流线114,并且第一电阻R1/R2的第二末端在连接点130处连接到该有源元件的阴极。第二电阻R3的第一末端在连接点130处连接到该有源元件的阴极,并且第二电阻R3的第二末端连接到电路地。在稳态操作时,阴极电压Va大于阳极电压Vb,以使得有源元件D5反向偏压并且不传导电流。如果阴极电压Va小于阳极电压Vb、例如整流线114电压降到低于阳极电压Vb,则有源元件D5正向偏压并且传导电流。
在电流降低电路140的一些实施例中,二极管D5连接在连接点128和连接点130处。二极管D5以这种方法被连接,使得当电压Va小于电压Vb时,二极管D5变为正向偏压并且传导电流I3。在整流线114与连接点130之间,电阻R1与电阻R2串联。电阻R3的一个末端连接在连接点130处,其中电阻R3的另一末端连接到电路地。滤波电容器C3连接在连接点130处和地处,以使得滤波电容器C3与电阻R11并联。电阻R1、R2和R3形成在稳态操作下保持Va<Vb的电阻分压器。在从开启到关闭再到开启的功率跳变时,整流线电压114下降(在功率跳变为关闭时),使得Va=0伏并且二极管D5变为正向偏压。二极管D5传导电流I3,从而导致I2与I1的失衡,使得I2/I1比率小于阈值。在一些实施例中,电流降低电路140在从开启到关闭再到开启的功率跳变的1秒或少于1秒之内将I2/I1比率降低到小于该阈值。
图2示出了应急照明系统203的实施例。应急照明系统201包括以上针对图1所描述的用于驱动灯121的主镇流器100。应急照明系统203还包括备用镇流器200。备用镇流器200例如可以包括继电器202、备用电源204、以及整流器/DC充电器/继电器控制器208。主电源201在通电时选择性地连接到主镇流器100。在主电源201保持通电的正常操作期间,灯121通过备用镇流器的继电器202选择性地连接到主镇流器100并且被主镇流器100驱动。
如果主电源201变为断电,则发生失去电源,并且灯121选择性地由备用镇流器200的备用电源204来驱动。主镇流器100的控制器111检测到由于灯断开造成的故障,在预设时间段已经超时之后重置(如上所述)。整流线114上的电压由于失去电源而下降,并且电流降低电路140操作以使控制器111在小于预设时间段内重置(如上所述)。一旦主电源201已经重新通电,则主电源201再次选择性地连接到主镇流器100并且灯121再次选择性地由主镇流器100来驱动。
因此,当主电源201通电时,灯121由主镇流器100来驱动,并且备用镇流器继电器202选择性地将驱动电路117与灯121连接。当主电源201断电时,灯121由备用镇流器200来驱动,并且备用镇流器继电器202选择性地断开驱动电路117和灯121,以使得控制器111检测到由于驱动电路117与灯121断开而造成的故障。当主电源201重新通电时,控制器111重置并且灯121由主镇流器100来驱动,并且备用镇流器继电器202选择性地将驱动电路117与灯121连接。
灯镇流器100可以可选地包括如4所示的用于选择性地操作灯驱动器的控制电路302。控制电路302允许镇流器利用两个级A和B来驱动四个灯(未示出)。级A包括升压功率因数控制态416A和组合半桥谐振LC电路417A,这二者都由对应于上述控制器111的用于驱动两个灯的ASIC 411A来控制。类似地,级B包括升压功率因数控制态416B和组合半桥谐振LC电路417B,这二者都由同样对应于上述控制器111的用于驱动两个灯的ASIC 411BA来控制。控制电路302进一步允许镇流器通过在不去除连接到灯的输出线的情况下关闭驱动灯的逆变器之一来在二灯操作模式下操作。与本申请同时提交的名称为Electronic Ballast Control Circuit的共同发明并且共同拥有的美国专利申请序列号12/474,049的全部内容通过引用并入本申请,并且描述有控制电路302的实施例。
灯镇流器100可以进一步可选地包括更换光源(re-lamping)电路300,如图4所示,所述更换光源电路300响应于用户更换由该镇流器供电的第一灯或第二灯(未绘出)中的任一个而该使该镇流器重新启动。与本申请同时提交的名称为Relamping Circuit for Dual LampElectronic Ballast的共同发明并且共同拥有的美国专利申请序列号12/474,141的全部内容通过引用并入本申请,并且描述有更换光源电路300的实施例。
当介绍本发明或其(一个或多个)优选实施例的元件时,冠词“一”、“一个”以及“该”和“所述”旨在意味着存在一个或多个元件。术语“包括”、“包含”和“具有”旨在成为包括性的,并且意味着可能存在不同于所列出的元件的附加元件。。
在详细描述了本发明的各方面的情况下,显而易见的将是,在不偏离本发明的在所附权利要求中限定的方面范围的情况下,修改和变型是可能的。由于在不偏离本发明范围的情况下可以对上述构造、系统、产品和方法作出各种改变,因此旨在:被包含在上述说明以及在附图中示出的所有内容都应当被解释为说明性的而不是以限制性的意义来解释。鉴于上述内容,能够获悉:已实现本发明的若干目的并且已获得其它有利结果。
Claims (12)
1.一种用于驱动灯的镇流器,包括:
整流器,其连接到电源,所述整流器被配置成从所述电源接收电力以及在接收电力时生成DC总线电压;
驱动电路,其被配置成从所述整流器接收DC总线电压以及在接收DC总线电压时生成用于驱动所述灯的灯电压;
控制器,其被配置成控制所述驱动电路,所述控制器监控对应于DC总线电压的第一值以及监控对应于灯电压的第二值,其中当所述控制器检测到故障状况时,所述控制器在预设时间段内禁用所述驱动电路以及其后重置以控制所述驱动电路来驱动所述灯,以及其中所述控制器在第二值与第一值的比率降到低于阈值时重置以控制所述驱动电路来驱动所述灯;以及
电流降低电路,其被配置成在故障状况的情况下加速所述控制器的重置,其中所述电流降低电路在小于预设时间段的时间段内降低被供应给所述控制器的第二值,以使得降低的第二值与第一值的比率降到低于所述阈值,从而使所述控制器重置。
2.根据权利要求1所述的镇流器,其中所述电流降低电路包括:
被配置成在故障状况的情况下以及在电力从开启跳变到关闭再到开启的情况下加速所述控制器的重置的电流降低电路,其中所述电流降低电路在小于预设时间段的时间段内降低被供应给所述控制器的第二值,以使得降低的第二电流值与第一电流值的比率降到低于所述阈值,从而使所述控制器重置。
3.根据权利要求1所述的镇流器,其中当所述控制器未检测到故障并且所述电源给所述整流器供应电力时,对应于第二值的电流与对应于第一值的电流的比率被保持在所述阈值或者高于所述阈值。
4.根据权利要求1所述的镇流器,其中所述电流降低电路连接到所述灯的对应于灯电压的一侧以用于加速所述控制器的重置,所述电流降低电路包括:
有源元件,其具有阳极和阴极,所述阳极连接在所述灯的对应于灯电压的一侧;
分压器,其具有串联的第一电阻和第二电阻,其中第一电阻的第一末端连接到整流线,并且第一电阻的第二末端连接到所述有源元件的阴极,其中第二电阻的第一末端连接到所述有源元件的阴极,并且第二电阻的第二末端连接到电路地;
其中当所述电源通电并且阴极电压大于阳极电压时,所述有源元件反向偏压并且不传导电流;以及
其中当所述电源断电并且阴极电压小于阳极电压时,所述有源元件正向偏压并且传导电流。
5.根据权利要求4所述的镇流器,其中正向偏压的有源元件将电流从所述灯的对应于灯电压的一侧传导离开,从而降低第一电流值,由此降低的第一电流值与第二电流值的比率降到低于所述阈值,从而使所述控制器重置。
6.根据权利要求4所述的镇流器,其中滤波电容器与第二电阻并联,滤波电容器的第一末端连接到第二电阻的第一末端,并且滤波电容器的第二末端连接到第二电阻的第二末端。
7.一种用于驱动灯的应急照明系统,所述系统包括:
用于驱动灯的主镇流器,包括:
整流器,其连接到主电源,所述整流器被配置成从所述电源接收电力以及在接收电力时生成DC总线电压;
驱动电路,其被配置成从所述整流器接收DC总线电压以及在接收DC总线电压时生成用于驱动所述灯的灯电压;
控制器,其被配置成控制所述驱动电路,所述控制器监控对应于DC总线电压的第一值以及监控对应于灯电压的第二值,其中当所述控制器检测到故障状况时,所述控制器在预设时间段内禁用所述驱动电路以及其后重置以控制所述驱动电路来驱动所述灯,以及其中所述控制器在第二值与第一值的比率降到低于阈值时重置以控制所述驱动电路来驱动所述灯;以及
电流降低电路,其被配置成在功率跳变的情况下加速所述控制器的重置,其中所述电流降低电路在小于预设时间段的时间段内降低被供应给所述控制器的第二值,以使得降低的第二值与第一值的比率降到低于所述阈值,从而使所述控制器重置;以及
备用镇流器,其被配置成在主电源断电时选择性地从备用电源驱动所述灯,所述备用镇流器包括继电器,所述继电器被配置成:在主电源通电时选择性地将主电源连接到主镇流器的整流器;在主电源断电时选择性地将备用镇流器连接到所述灯;以及在主电源断电时选择性地将所述灯从所述驱动电路断开;
其中当主电源通电时,所述灯由主镇流器来驱动,并且备用镇流器继电器选择性地将所述驱动电路与所述灯连接;
其中当主电源断电时,所述灯由备用镇流器来驱动,并且备用镇流器继电器选择性地将所述驱动电路与所述灯断开,以使得所述控制器检测到由于所述驱动电路与所述灯的断开而造成的故障状况;以及
其中当电源重新通电时,所述控制器重置并且所述灯由主镇流器来驱动,并且备用镇流器继电器选择性地将所述驱动电路与所述灯连接。
8.根据权利要求7所述的应急照明系统,其中当所述电源在小于预设时间段的时间段内重新通电时,所述电流降低电路将所述比率降低到小于所述阈值以重置所述控制器,从而使得所述灯由主镇流器来驱动。
9.根据权利要求7所述的应急照明系统,其中当不存在故障状况并且主电源通电时,对应于第二值的电流与对应于第一值的电流的比率被保持在所述阈值或者高于所述阈值。
10.根据权利要求7所述的应急照明系统,其中连接到所述灯的对应于灯电压的一侧的用于加速所述控制器的重置的电流降低电路包括:
有源元件,其具有阳极和阴极,所述阳极连接在所述灯的对应于灯电压的一侧;
分压器,其具有串联的第一电阻和第二电阻,其中第一电阻的第一末端连接到整流线,并且第一电阻的第二末端连接到所述有源元件的阴极,其中第二电阻的第一末端连接到所述有源元件的阴极,并且第二电阻的第二末端连接到电路地;
其中当所述电源通电并且阴极电压大于阳极电压时,所述有源元件反向偏压并且不传导电流;以及
其中当所述电源断电并且阴极电压小于阳极电压时,所述有源元件正向偏压并且传导电流。
11.根据权利要求10所述的应急照明系统,其中正向偏压的有源元件将电流从所述灯的对应于灯电压的一侧传导离开,从而降低第一电流值,由此降低的第一电流值与第二电流值的比率降到低于所述阈值,从而使所述控制器重置。
12.根据权利要求10所述的应急照明系统,其中滤波电容器与第二电阻并联,滤波电容器的第一末端连接到第二电阻的第一末端,并且滤波电容器的第二末端连接到第二电阻的第二末端。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109315038A (zh) * | 2016-04-15 | 2019-02-05 | 尼古拉·布热本内尔 | Led照明系统和装置 |
CN113348731A (zh) * | 2018-11-28 | 2021-09-03 | 纳米格有限公司 | 用于提供交互式模块化照明的系统和方法 |
Families Citing this family (341)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
EP2543238A1 (en) * | 2010-03-04 | 2013-01-09 | Metrolight Ltd | Parallel-connected ballast circuits |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8981656B2 (en) * | 2012-04-03 | 2015-03-17 | General Electric Company | Relamping circuit for fluorescent ballasts |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
CN104429166A (zh) * | 2012-07-17 | 2015-03-18 | 通用电气公司 | 再点灯电路 |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US8742668B2 (en) * | 2012-09-05 | 2014-06-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for stabilizing plasma ignition |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US9170872B2 (en) | 2013-01-16 | 2015-10-27 | Nike, Inc. | Reset supervisor |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
JP6617210B2 (ja) * | 2016-05-30 | 2019-12-11 | シグニファイ ホールディング ビー ヴィSignify Holding B.V. | 中性接続の喪失の場合における照明ドライバの保護方法及びそのような保護を含む照明ドライバ |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
KR20200108016A (ko) | 2018-01-19 | 2020-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
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KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
TWI815915B (zh) | 2018-06-27 | 2023-09-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
CN111593319B (zh) | 2019-02-20 | 2023-05-30 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
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US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
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US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
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US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
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US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
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TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
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TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002033502A1 (en) * | 2000-10-20 | 2002-04-25 | International Rectifier Corporation | Ballast control ic with power factor correction |
US20030076053A1 (en) * | 2001-01-12 | 2003-04-24 | Takashi Kambara | Ballast for a discharge lamp |
US7312588B1 (en) * | 2006-09-15 | 2007-12-25 | Osram Sylvania, Inc. | Ballast with frequency-diagnostic lamp fault protection circuit |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04183278A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-30 | Tokyo Electric Co Ltd | コンバータ装置 |
JPH04298998A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-22 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 電源回路および照明器具 |
JP3521448B2 (ja) * | 1993-07-14 | 2004-04-19 | 日立ライティング株式会社 | 放電灯点灯装置 |
JPH08106990A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-23 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 放電灯点灯装置及び照明装置 |
US5652479A (en) * | 1995-01-25 | 1997-07-29 | Micro Linear Corporation | Lamp out detection for miniature cold cathode fluorescent lamp system |
US6339296B1 (en) * | 1999-05-11 | 2002-01-15 | Jerzy M. Goral | Low profile emergency ballast |
JP2001244089A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 放電灯点灯装置 |
JP4460202B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2010-05-12 | パナソニック電工株式会社 | 放電灯点灯装置 |
US7436123B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-10-14 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Discharge lamp ballast device and lighting appliance |
DE102005005058A1 (de) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Schaltungsanordnung |
DE102005017506A1 (de) * | 2005-04-15 | 2006-10-19 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Elektronisches Vorschaltgerät für eine Lampe |
US7880391B2 (en) * | 2008-06-30 | 2011-02-01 | Osram Sylvania, Inc. | False failure prevention circuit in emergency ballast |
-
2009
- 2009-05-28 US US12/474,080 patent/US8004198B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-04-20 CA CA2701212A patent/CA2701212C/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-04-27 EP EP10161147A patent/EP2257135B9/en not_active Not-in-force
- 2010-04-27 AT AT10161147T patent/ATE551880T1/de active
- 2010-05-28 CN CN201010194207.9A patent/CN101902863B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-05-28 JP JP2010122788A patent/JP2010278008A/ja not_active Ceased
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002033502A1 (en) * | 2000-10-20 | 2002-04-25 | International Rectifier Corporation | Ballast control ic with power factor correction |
US20030076053A1 (en) * | 2001-01-12 | 2003-04-24 | Takashi Kambara | Ballast for a discharge lamp |
US7312588B1 (en) * | 2006-09-15 | 2007-12-25 | Osram Sylvania, Inc. | Ballast with frequency-diagnostic lamp fault protection circuit |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109315038A (zh) * | 2016-04-15 | 2019-02-05 | 尼古拉·布热本内尔 | Led照明系统和装置 |
CN113348731A (zh) * | 2018-11-28 | 2021-09-03 | 纳米格有限公司 | 用于提供交互式模块化照明的系统和方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2701212C (en) | 2016-04-12 |
ATE551880T1 (de) | 2012-04-15 |
US20100301752A1 (en) | 2010-12-02 |
JP2010278008A (ja) | 2010-12-09 |
CN101902863B (zh) | 2014-11-12 |
EP2257135B9 (en) | 2012-09-26 |
US8004198B2 (en) | 2011-08-23 |
EP2257135B1 (en) | 2012-03-28 |
EP2257135A1 (en) | 2010-12-01 |
CA2701212A1 (en) | 2010-11-28 |
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