JP2009212509A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 絶縁表面を有する基板上に、モノシランガス及び亜酸化窒素を材料ガスとして絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜に前記亜酸化窒素を用いたプラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 絶縁表面を有する基板上に、半導体層を形成し、
   モノシランガス及び亜酸化窒素を材料ガスとして前記半導体層を覆う絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜に前記亜酸化窒素を用いたプラズマ処理を行い、
   前記絶縁膜を介して前記半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加し、
   前記絶縁膜上に電極を形成する半導体装置の作製方法であって、
   前記一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体層及び前記電極を一対の電極とし、前記絶縁膜を誘電体とする容量素子が形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項２において、前記絶縁表面を有する基板上に成膜された非晶質半導体膜に対してレーザ光を照射して、前記半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項２において、半導体基板から分離させた半導体層を、前記絶縁表面を有する基板上に固定させた後、選択的にエッチングして、前記半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項２乃至４のいずれか一において、前記一導電型を付与する不純物元素はボロンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項２乃至４のいずれか一において、前記一導電型を付与する不純物元素はリンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 絶縁表面を有する基板上に、第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、
   モノシランガス及び亜酸化窒素を材料ガスとして前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を覆う絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜に前記亜酸化窒素を用いたプラズマ処理を行い、
   前記絶縁膜を介して前記第１の半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加し、
   前記第１の半導体層と重なる絶縁膜上に電極と、前記第２の半導体層と重なる絶縁膜上にゲート電極とを形成し、
   前記電極及びゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成し、
   前記層間絶縁膜上に前記第２の半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項７において、前記絶縁表面を有する基板上に成膜された非晶質半導体膜に対してレーザ光を照射して、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項７において、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の形成は、半導体基板から分離させた半導体層を、前記絶縁表面を有する基板上に固定させた後、選択的にエッチングして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項７乃至９のいずれか一において、前記第１の半導体層と、前記絶縁膜と、前記電極は、少なくとも一部が重なり、容量素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。