JP2009020933A - 発振装置、発振方法及びメモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発振周期指示信号を出力する第1の設定部(102〜104)と、前記発振周期指示信号に対して演算する演算器(111)と、前記演算された発振周期指示信号に応じた周期の発振信号を生成する発振部(105,106)とを有することを特徴とする発振装置が提供される。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の第1の実施形態によるメモリ装置の構成例を示すブロック図であり、図2はその動作を説明するためのタイミングチャートである。発振装置101は、ヒューズ回路102、テスト回路103、選択回路104、発振器105、分周器106、比較回路107及び加算回路111を有し、リフレッシュ要求信号S2を生成する。発振装置101は、測定モード、テストモード及びノーマルモードを有し、その発振方法を説明する。まず、測定モードによるリフレッシュ要求信号S2の周期の調整方法を説明する。テスト回路103は、測定モードにおける分周数を出力する。例えば、外部からテスト回路103が出力する分周数を制御可能である。測定モードにおいて、選択回路104は、テスト回路103が出力する分周数を選択する。ヒューズ回路102、テスト回路103及び選択回路104は、分周器106の分周数を設定するための設定部である。測定モードでは、加算回路111は、加算を行わないか、0を加算する。発振部は、発振器105及び分周器106を含む。発振器105は、イネーブル信号STに応じて発振信号S1を生成する。具体的には、発振器105は、発振信号を生成し、イネーブル信号STがハイレベルになると発振信号S1の出力を開始する。第1の分周器106は、カウンタを含み、選択回路104が出力する分周数で発振信号S1を分周してリフレッシュ要求信号(第1の分周信号)S2を出力し、発振信号S1の発振数(パルス数)をカウントしてカウント値S3を出力する。また、分周器106は、イネーブル信号STがハイレベルになるとカウント値S3を0にリセットし、イネーブル信号STがローレベルになるとカウント値S3のカウントを停止してカウント値S3を保持する。なお、発振器105は、イネーブル信号STがローレベルになると、発振信号S1の出力を停止するようにしてもよい。
図4は、本発明の第2の実施形態によるメモリ装置の構成例を示すブロック図である。本実施形態(図4)は、第1の実施形態(図1)に対して、高温用設定部401、低温用設定部402及び温度検出器403を追加したものである。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。リフレッシュ要求信号S2の周期は、温度により変えることが好ましい。メモリ110は、高温では蓄積電荷の放電速度が速いため分周数を小さくしてリフレッシュ要求信号S2の周期を短くし、低温では蓄積電荷の放電速度が遅いため分周数を大きくしてリフレッシュ要求信号S2の周期を長くすることが好ましい。これにより、消費電力を小さくすることができる。高温用設定部401には高温時の小さい分周数を記憶させ、低温用設定部402には低温時の大きい分周数を記憶させる。高温設定部401及び低温設定部402は、それぞれ図1のヒューズ回路102及びテスト回路103を有する。温度検出器403は、温度を検出する。選択回路104は、温度検出器403により検出された温度が閾値よりも高温であるときには高温用設定部401が出力する分周数を選択し、温度検出器403により検出された温度が閾値よりも低温であるときには低温用設定部402が出力する分周数を選択する。高温用設定部401、低温設定部402及び選択回路104は、温度検出器403により検出された温度に応じて分周器106の分周数を設定するための設定部である。
図5は、本発明の第3の実施形態によるメモリ装置の構成例を示すブロック図である。本実施形態(図5)は、第1の実施形態(図1)に対して、ヒューズ回路501、テスト回路502、選択回路503、分周器504及び温度検出器505を追加したものである。発振部は、発振器105、分周器106及び504を含む。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。
図6は、本発明の第4の実施形態によるメモリ装置の構成例を示すブロック図である。本実施形態(図6)は、第1の実施形態(図1)に対して、制御回路601を追加したものである。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。第1の実施形態では、分周数を制御することにより、リフレッシュ要求信号S2の周期を調整していたが、本実施形態では、定電流値又は定電圧値を制御することにより、リフレッシュ要求信号S2の周期を調整する。
図10は、本発明の第5の実施形態によるメモリ装置の構成例を示すブロック図である。本実施形態(図10)は、第1の実施形態(図1)に対して、ヒューズ回路1001、テスト回路1002及び選択回路1003を追加したものである。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。
図11は、本発明の第6の実施形態によるメモリ装置の構成例を示すブロック図である。本実施形態(図11)は、第4の実施形態(図6)に対して、ヒューズ回路1001、テスト回路1002及び選択回路1003を追加したものである。以下、本実施形態が第4の実施形態と異なる点を説明する。本実施形態は、第4の実施形態に第5の実施形態を適用したものである。
発振周期指示信号を出力する第1の設定部と、
前記発振周期指示信号に対して演算する演算器と、
前記演算された発振周期指示信号に応じた周期の発振信号を生成する発振部と
を有することを特徴とする発振装置。
(付記2)
前記発振部は、メモリのリフレッシュ要求信号を生成するための発振信号を生成することを特徴とする付記1記載の発振装置。
(付記3)
前記発振部は、
発振信号を生成する発振器と、
前記演算された発振周期指示信号に応じた分周数で前記発振信号を分周する第1の分周器とを有することを特徴とする付記1記載の発振装置。
(付記4)
前記発振部は、
前記演算された発振周期指示信号に応じた電流を生成する制御部と、
前記生成された電流に応じた周期の発振信号を生成する発振器とを有することを特徴とする付記1記載の発振装置。
(付記5)
前記発振部は、
前記演算された発振周期指示信号に応じた電圧を生成する制御部と、
前記生成された電圧に応じた周期の発振信号を生成する発振器とを有することを特徴とする付記1記載の発振装置。
(付記6)
さらに、演算係数を固定値として前記演算器に出力する演算係数出力部を有することを特徴とする付記1記載の発振装置。
(付記7)
前記発振器は、前記発振信号の発振数をカウントするカウンタを有し、
さらに、前記カウントされた発振数及びリファレンス数を比較する比較器を有することを特徴とする付記1記載の発振装置。
(付記8)
前記カウンタは、前記発振信号を分周した第1の分周信号を生成する第1の分周器を有することを特徴とする付記7記載の発振装置。
(付記9)
前記第1の設定部は、前記第1の分周器の分周数を前記発振周期指示信号として出力することを特徴とする付記8記載の発振装置。
(付記10)
前記第1の設定部は、温度に応じて前記第1の分周器の分周数を前記発振周期指示信号として出力することを特徴とする付記9記載の発振装置。
(付記11)
さらに、温度を検出する温度検出器を有し、
前記第1の設定部は、前記検出された温度に応じて前記第1の分周器の分周数を前記発振周期指示信号として出力することを特徴とする付記10記載の発振装置。
(付記12)
前記発振部は、前記第1の分周信号を分周した第2の分周信号を生成し、温度に応じて前記第1の分周信号又は前記第2の分周信号を出力する第2の分周器を有することを特徴とする付記8記載の発振装置。
(付記13)
前記第1の設定部は、前記第1の分周器の分周数を前記発振周期指示信号として出力し、
さらに、前記第2の分周器の分周数を設定するための第2の設定部を有することを特徴とする付記12記載の発振装置。
(付記14)
前記第1の設定部は、前記発振周期指示信号を記憶するヒューズ回路を有することを特徴とする付記1記載の発振装置。
(付記15)
前記演算器は、加算又は減算を行うことを特徴とする付記1記載の発振装置。
(付記16)
付記1記載の発振装置と、
データを記憶するメモリと、
前記発振信号を基に前記メモリに対してリフレッシュ動作を行うメモリコントローラと
を有することを特徴とするメモリ装置。
(付記17)
前記メモリは、ノーマルメモリセル及び冗長メモリセルを有し、
前記演算器は、前記ノーマルメモリセルを前記冗長メモリセルに置き換える前の発振信号の周期が前記ノーマルメモリセルを前記冗長メモリセルに置き換えた後の発振信号の周期よりも長くなるように演算することを特徴とする付記16記載のメモリ装置。
(付記18)
発振周期指示信号を出力する出力ステップと、
前記発振周期指示信号に対して演算する演算ステップと、
前記演算された発振周期指示信号に応じた周期の発振信号を生成する発振ステップと
を有することを特徴とする発振方法。
(付記19)
前記発振ステップは、
発振信号を発振器により生成するステップと、
前記演算された発振周期指示信号に応じた分周数で前記発振信号を分周するステップとを有することを特徴とする付記18記載の発振方法。
(付記20)
前記発振ステップは、
前記演算された発振周期指示信号に応じた周期の発振信号を生成するステップと、
前記発振信号を分周するステップとを有することを特徴とする付記18記載の発振方法。
102 ヒューズ回路
103 テスト回路
104 選択回路
105 発振器
106 分周器
107 比較回路
108 出力回路
109 メモリコントロール回路
110 メモリ
111 加算回路
Claims (10)
- 発振周期指示信号を出力する第1の設定部と、
前記発振周期指示信号に対して演算する演算器と、
前記演算された発振周期指示信号に応じた周期の発振信号を生成する発振部と
を有することを特徴とする発振装置。 - 前記発振部は、メモリのリフレッシュ要求信号を生成するための発振信号を生成することを特徴とする請求項1記載の発振装置。
- 前記発振部は、
発振信号を生成する発振器と、
前記演算された発振周期指示信号に応じた分周数で前記発振信号を分周する第1の分周器とを有することを特徴とする請求項1記載の発振装置。 - 前記発振部は、
前記演算された発振周期指示信号に応じた電流を生成する制御部と、
前記生成された電流に応じた周期の発振信号を生成する発振器とを有することを特徴とする請求項1記載の発振装置。 - 前記発振部は、
前記演算された発振周期指示信号に応じた電圧を生成する制御部と、
前記生成された電圧に応じた周期の発振信号を生成する発振器とを有することを特徴とする請求項1記載の発振装置。 - さらに、演算係数を固定値として前記演算器に出力する演算係数出力部を有することを特徴とする請求項1記載の発振装置。
- 前記発振器は、前記発振信号の発振数をカウントするカウンタを有し、
さらに、前記カウントされた発振数及びリファレンス数を比較する比較器を有することを特徴とする請求項1記載の発振装置。 - 請求項1記載の発振装置と、
データを記憶するメモリと、
前記発振信号を基に前記メモリに対してリフレッシュ動作を行うメモリコントローラと
を有することを特徴とするメモリ装置。 - 前記メモリは、ノーマルメモリセル及び冗長メモリセルを有し、
前記演算器は、前記ノーマルメモリセルを前記冗長メモリセルに置き換える前の発振信号の周期が前記ノーマルメモリセルを前記冗長メモリセルに置き換えた後の発振信号の周期よりも長くなるように演算することを特徴とする請求項8記載のメモリ装置。 - 発振周期指示信号を出力する出力ステップと、
前記発振周期指示信号に対して演算する演算ステップと、
前記演算された発振周期指示信号に応じた周期の発振信号を生成する発振ステップと
を有することを特徴とする発振方法。
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