JP2006522488A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 絶縁材料を含んでおり、第１側面および第２側面を含む第１フィン構造と、
   単結晶シリコン材料を含んでおり、前記第１フィン構造の第１側面に隣接して形成される第２フィン構造と、
   単結晶シリコン材料を含んでおり、前記第１フィン構造の第２側面に隣接して形成される第３フィン構造と、
   前記第１フィン構造、第２フィン構造および第３フィン構造の一端に形成されるソース領域と、
   前記第１フィン構造、第２フィン構造および第３フィン構造の他端に形成されるドレイン領域と、
   少なくとも１つのゲートと、
   を含む、半導体デバイス。
2. 前記第１フィン構造の幅は、約２００Åから約１０００Åの間である、請求項１記載の半導体デバイス。
3. 前記絶縁材料は、酸化物または窒化物のいずれか一方を含む、請求項１記載の半導体デバイス。
4. 前記第２フィン構造および前記第３フィン構造のそれぞれの幅は、約１００Åから約１０００Åの間である、請求項１記載の半導体デバイス。
5. 前記第１フィン構造、前記第２フィン構造、および前記第３フィン構造は、半導体の基板の上面に形成される、請求項１ないし４のいずれかの項記載の半導体デバイス。
6. 第１フィン構造を形成すべく絶縁層をエッチングするステップと、
   アモルファスシリコン層をたい積するステップと、
   前記第１フィン構造の第１側面に隣接する第２フィン構造と、前記第１フィン構造の逆側の第２側面に隣接する第３フィン構造を形成すべく、前記アモルファスシリコン層をエッチングするステップと、
   前記第２フィン構造および前記第３フィン構造の少なくとも上面にメタル層をたい積するステップと、
   前記第２フィン構造と前記第３フィン構造中のアモルファスシリコンを単結晶シリコン材料に変換すべく、金属誘起結晶化処理を実行するステップと、
   ソース領域およびドレイン領域を形成するステップと、
   前記第１フィン構造、第２フィン構造ないし第３フィン構造上にゲート材料をたい積するステップと、
   少なくとも１つのゲート電極を形成すべく、ゲート材料をパターン化しエッチングするステップと、
   を有する、基板と、この基板上に形成される絶縁層とを含んだ半導体デバイスを製造する方法。
7. 前記絶縁層は、酸化物および窒化物の少なくとも一方を含む、請求項６記載の方法。
8. 単結晶シリコン材料を含む第１フィン構造と、
   前記単結晶シリコン材料を含む第２フィン構造と、
   前記第１フィン構造と前記第２フィン構造の間に位置し、絶縁材料を含む第３フィン構造と、含み、
   前記第３フィン構造は、前記第１フィン構造および前記第２フィン構造の前記単結晶シリコン材料に応力を誘起する、
   半導体デバイス。
9. 前記第１フィン構造および前記第２フィン構造のそれぞれの幅は、約１００Åから約１０００Åの間である、請求項８記載の半導体デバイス。
10. 前記第３フィン構造の幅は、約１００Åから約１０００Åの間である、請求項９記載の半導体デバイス。
11. 前記絶縁材料は、酸化物および窒化物の少なくとも一方を含む、請求項１０記載の半導体デバイス。
12. 前記第１フィン構造、第２フィン構造および第３フィン構造の一端に位置するソース領域と、
    前記第１フィン構造、第２フィン構造および第３フィン構造の他端に位置するドレイン領域と、
    少なくとも１つのゲートと、
    をさらに含む、請求項８記載の半導体デバイス。