JP2004533728A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 電界効果トランジスタ、特に、ＭＩＳ電界効果トランジスタであって、
   ａ）半導体基板の上に配置される少なくとも１つのウェブタイプの隆起であって、上面および側面を有するウェブタイプの隆起と、
   ｂ）該ウェブタイプの隆起の該上面の上に配置される第１のゲート酸化物層と、
   ｃ）該第１のゲート酸化物層の上に配置される第１のゲート電極であって、上面および側面を有する第１のゲート電極と、
   ｄ）該ウェブタイプの隆起の該側面の一部分および該第１のゲート電極の該側面の一部分の上に少なくとも配置される第２のゲート酸化物層と、
   ｅ）該第２のゲート酸化物層、および該第１のゲート電極の該上面の上に配置される第２のゲート電極と、
   ｆ）該ウェブタイプの隆起の上に配置されるソース領域およびドレイン領域と
   を有する、電界効果トランジスタ。
2. 前記第２のゲート酸化物層は、前記ウェブタイプの隆起の前記側面の上よりも、前記第１のゲート電極の前記側面の上で、より厚く製造される、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
3. 絶縁スペーサは、前記第１のゲート電極のレベルで前記第２のゲート酸化物層の上に配置される、請求項１または２に記載の電界効果トランジスタ。
4. 電界効果トランジスタ、特に、ＭＩＳ電界効果トランジスタであって、
   ａ）半導体基板の上に配置される少なくとも１つのウェブタイプの隆起であって、上面および側面を有するウェブタイプの隆起と、
   ｂ）該ウェブタイプの隆起の該側面の一部分の上に少なくとも配置される第１のゲート酸化物層と、
   ｃ）該第１のゲート酸化物層の上に配置される第１のゲート電極であって、上面および側面を有する第１のゲート電極と、
   ｄ）該ウェブタイプの隆起の該上面、および該第１のゲート電極の該上面の上に配置される第２のゲート酸化物層と、
   ｅ）該第２のゲート酸化物層、および該第１のゲート電極の該側面の上に配置される第２のゲート電極と、
   ｆ）該ウェブタイプの隆起の上に配置されるソース領域およびドレイン領域と
   を有する、電界効果トランジスタ。
5. 前記ウェブタイプの隆起は、該ウェブタイプの隆起の前記上面と該ウェブタイプの隆起の前記側面との間で丸みのあるエッジをさらに備える、請求項１〜４のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタ。
6. 前記エッジの湾曲の半径は、前記第１のゲート酸化物層または前記第２のゲート酸化物層の厚さに比例する、請求項５に記載の電界効果トランジスタ。
7. 前記ソース領域と前記ゲート電極との間、さらに、前記ドレイン領域と該ゲート電極との間にスペーサが配置される、請求項１〜６のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタ。
8. 前記第１のゲート電極は、ポリシリコン層を有する、請求項１〜７のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタ。
9. 前記第２のゲート電極は、ポリシリコン金属の２重層またはポリサイド層を有する、請求項１〜８のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタ。
10. ゲート酸化物層によって覆われた前記ウェブタイプの隆起の前記側面の一部分は、トレンチアイソレーションによって境界付けされる、請求項１〜９のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタ。
11. 前記ソース領域および前記ドレイン領域のドーピングプロファイルの深さは、ゲート酸化物層によって覆われている前記ウェブタイプの隆起の底面と、前記第２のゲート酸化物層の底面との間の高さの差よりも大きい、請求項１〜１０のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタ。
12. 電界効果トランジスタ、特に、ＭＩＳ電界効果トランジスタを製造する方法であって、
    ａ）半導体基板が提供される工程であって、第１のゲート酸化物層が該半導体基板の上に付与され、側面を備える第１のゲート電極層が該第１のゲート酸化物層に付与されている、工程と、
    ｂ）上面および側面を有する少なくとも１つのウェブタイプの隆起が生成される工程であって、該第１のゲート酸化物層および該第１のゲート電極層が該ウェブタイプの隆起の該上面の上に配置されている、工程と、
    ｃ）第２のゲート酸化物層が、該ウェブタイプの隆起の該側面の一部分および該第１のゲート電極層の該側面の一部分の上に少なくとも生成される工程と、
    ｄ）第２のゲート電極層が付与されることにより、該第２のゲート電極層が、該第２のゲート酸化物層、および該第１のゲート電極層の該上面の上に配置される工程と、
    ｅ）該第１のゲート電極層および該第２のゲート電極層が、第１および第２のゲート電極を形成するようにパターニングされ、ソース領域およびドレイン領域が生成される工程と
    を包含する、方法。
13. 前記ウェブタイプの隆起は、トレンチアイソレーション用のトレンチのパターニングにより生成される、請求項１２に記載の方法。
14. 前記トレンチアイソレーション用の前記トレンチは、酸化物で充填され、かつ、エッチングバックが実行され、これにより、前記ウェブタイプの隆起の前記側面の一部分が露出される、請求項１３に記載の方法。
15. 前記エッチングバックの前に、ＣＭＰ工程が実行される、請求項１４に記載の方法。
16. 前記ウェブタイプの隆起の前記上面と該ウェブタイプの隆起の前記側面との間の該ウェブタイプの隆起のエッジを丸み付けするために、少なくとも１回の熱処理が実行される、請求項１２〜１５のいずれか１つに記載の方法。
17. 前記ゲート酸化物層は、それぞれ、熱酸化によって生成される、請求項１２〜１６のいずれか１つに記載の方法。
18. 前記第２のゲート酸化物層は、選択的酸化によって生成され、これにより、前記第２のゲート酸化物層は、前記ウェブタイプの隆起の前記側面の上よりも、前記第１のゲート電極の前記側面の上で、より厚く製造される、請求項１２〜１７のいずれか１つに記載の方法。
19. 絶縁スペーサは、前記第１のゲート電極層が生成された後に生成され、これにより、該第１のゲート電極のレベルで、絶縁スペーサが前記第２のゲート酸化物層の上に配置される、請求項１２〜１８のいずれか１つに記載の方法。