JP2006344939A5 - - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 claims 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 claims 2
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 claims 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2005-0049453 | 2005-06-09 | ||
| KR1020050049453A KR101124569B1 (ko) | 2005-06-09 | 2005-06-09 | 식각액, 이를 이용하는 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터기판의 제조 방법 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006344939A JP2006344939A (ja) | 2006-12-21 |
| JP2006344939A5 true JP2006344939A5 (enExample) | 2009-06-18 |
| JP4988242B2 JP4988242B2 (ja) | 2012-08-01 |
Family
ID=37509918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006121189A Active JP4988242B2 (ja) | 2005-06-09 | 2006-04-25 | 配線形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7357878B2 (enExample) |
| JP (1) | JP4988242B2 (enExample) |
| KR (1) | KR101124569B1 (enExample) |
| CN (1) | CN1877448A (enExample) |
| TW (1) | TWI388062B (enExample) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7288444B2 (en) * | 2001-04-04 | 2007-10-30 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
| KR20060097381A (ko) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
| KR100987840B1 (ko) * | 2007-04-25 | 2010-10-13 | 주식회사 엘지화학 | 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
| KR100982395B1 (ko) | 2007-04-25 | 2010-09-14 | 주식회사 엘지화학 | 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
| JP2009194351A (ja) * | 2007-04-27 | 2009-08-27 | Canon Inc | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP5363713B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2013-12-11 | 三洋半導体製造株式会社 | エッチング液組成物 |
| KR20090095181A (ko) | 2008-03-05 | 2009-09-09 | 삼성전자주식회사 | 금속배선 형성용 식각액 조성물, 이 조성물을 이용한도전막의 패터닝 방법 및 평판 표시 장치의 제조방법 |
| KR101747391B1 (ko) * | 2009-07-07 | 2017-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
| CN102655155B (zh) * | 2012-02-27 | 2015-03-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和显示装置 |
| KR102290801B1 (ko) * | 2013-06-21 | 2021-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US20150069011A1 (en) * | 2013-09-11 | 2015-03-12 | Carestream Health, Inc. | Wet etching patterning compositions and methods |
| KR102118461B1 (ko) * | 2013-11-25 | 2020-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막트랜지스터를 포함한 어레이기판 및 그 제조방법 |
| KR102091541B1 (ko) * | 2014-02-25 | 2020-03-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101972630B1 (ko) * | 2015-01-05 | 2019-04-26 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
| KR20160108944A (ko) * | 2015-03-09 | 2016-09-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| CN104893728B (zh) * | 2015-04-10 | 2018-11-27 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种用于ITO/Ag/ITO薄膜的低张力的蚀刻液 |
| TWI631205B (zh) * | 2015-11-06 | 2018-08-01 | 東友精細化工有限公司 | 銀蝕刻液組合物和使用該組合物的顯示基板 |
| KR102433385B1 (ko) * | 2015-11-10 | 2022-08-17 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
| KR20190058758A (ko) | 2017-11-21 | 2019-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 |
| KR102554816B1 (ko) | 2018-04-23 | 2023-07-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 제조 방법 |
| KR102661845B1 (ko) | 2018-10-11 | 2024-04-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102669119B1 (ko) | 2018-11-14 | 2024-05-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 표시 장치의 제조 방법 |
| JP6895577B2 (ja) * | 2019-11-21 | 2021-06-30 | 東京応化工業株式会社 | エッチング液、エッチング液の製造方法、被処理体の処理方法、及びルテニウム含有配線の製造方法 |
| US11898081B2 (en) | 2019-11-21 | 2024-02-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Ruthenium-etching solution, method for manufacturing ruthenium-etching solution, method for processing object to be processed, and method for manufacturing ruthenium-containing wiring |
| KR102676044B1 (ko) | 2020-04-29 | 2024-06-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102659176B1 (ko) | 2020-12-28 | 2024-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 은 함유 박막의 식각 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 표시장치의 제조 방법 |
| CN115188768A (zh) * | 2021-03-22 | 2022-10-14 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6132522A (en) * | 1996-07-19 | 2000-10-17 | Cfmt, Inc. | Wet processing methods for the manufacture of electronic components using sequential chemical processing |
| JP2000008184A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 多層導電膜のエッチング方法 |
| US6387600B1 (en) * | 1999-08-25 | 2002-05-14 | Micron Technology, Inc. | Protective layer during lithography and etch |
| JP2002231706A (ja) | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッチング液及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP4668533B2 (ja) * | 2001-07-06 | 2011-04-13 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 配線用エッチング液とこれを利用した配線の製造方法及びこれを含む薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| KR100848109B1 (ko) | 2001-10-23 | 2008-07-24 | 삼성전자주식회사 | 배선용 식각액, 이를 이용한 배선의 제조 방법 및 이를포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 |
| WO2003036377A1 (en) * | 2001-10-23 | 2003-05-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | A etchant for wires, a method for manufacturing the wires using the etchant, a thin film transistor array substrate and a method for manufacturing the same including the method |
| KR100415617B1 (ko) * | 2001-12-06 | 2004-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 에천트와 이를 이용한 금속배선 제조방법 및박막트랜지스터의 제조방법 |
| US20030162398A1 (en) * | 2002-02-11 | 2003-08-28 | Small Robert J. | Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same |
| US20030168431A1 (en) * | 2002-02-25 | 2003-09-11 | Ritdisplay Corporation | Etchant composition for silver alloy |
| KR100853216B1 (ko) | 2002-06-25 | 2008-08-20 | 삼성전자주식회사 | 배선용 식각액, 이를 이용한 배선의 제조 방법, 그 배선을포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
| JP2004156070A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Kanto Chem Co Inc | 透明導電膜を含む積層膜のエッチング液組成物 |
| JP2004356616A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 配線用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法 |
| KR100960687B1 (ko) * | 2003-06-24 | 2010-06-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 구리(또는 구리합금층)를 포함하는 이중금속층을 일괄식각하기위한 식각액 |
| TW200510570A (en) * | 2003-08-22 | 2005-03-16 | Arch Spec Chem Inc | Novel aqueous based metal etchant |
-
2005
- 2005-06-09 KR KR1020050049453A patent/KR101124569B1/ko not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-02-09 US US11/351,015 patent/US7357878B2/en active Active
- 2006-03-16 TW TW095108951A patent/TWI388062B/zh active
- 2006-03-27 CN CNA2006100674071A patent/CN1877448A/zh active Pending
- 2006-04-25 JP JP2006121189A patent/JP4988242B2/ja active Active
-
2008
- 2008-02-21 US US12/035,316 patent/US7955521B2/en active Active
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