JP2002359248A - メサ型半導体装置の製造方法 - Google Patents
メサ型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2002359248A JP2002359248A JP2001166175A JP2001166175A JP2002359248A JP 2002359248 A JP2002359248 A JP 2002359248A JP 2001166175 A JP2001166175 A JP 2001166175A JP 2001166175 A JP2001166175 A JP 2001166175A JP 2002359248 A JP2002359248 A JP 2002359248A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- etching
- manufacturing
- silicon
- mesa
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】シリコン半導体素子チップとリードとが鉛を主
成分とする接合材で接合されたメサ型半導体装置におい
て、半導体素子チップのｐｎ接合面をアルカリエッチン
グした際の表面への鉛の析出、付着を防止する。 【解決手段】エツチング用のアルカリ溶液にエチレンジ
アミン四酢酸塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三
酢酸塩、ヒドロキシエチリデン二ホスホン酸塩、メチレ
ンホスホン酸、ジエチレントリアミン五酢酸塩のいずれ
かを加え、またはアルカリエツチング後に、それらを加
えた純水で洗浄する。アルカリエツチング、流水洗浄、
イソプロピルアルコール置換の後、チタネートやシリコ
ン系カツプリング剤を含むイソプロピルアルコールに浸
漬しても良い。
成分とする接合材で接合されたメサ型半導体装置におい
て、半導体素子チップのｐｎ接合面をアルカリエッチン
グした際の表面への鉛の析出、付着を防止する。 【解決手段】エツチング用のアルカリ溶液にエチレンジ
アミン四酢酸塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三
酢酸塩、ヒドロキシエチリデン二ホスホン酸塩、メチレ
ンホスホン酸、ジエチレントリアミン五酢酸塩のいずれ
かを加え、またはアルカリエツチング後に、それらを加
えた純水で洗浄する。アルカリエツチング、流水洗浄、
イソプロピルアルコール置換の後、チタネートやシリコ
ン系カツプリング剤を含むイソプロピルアルコールに浸
漬しても良い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子チッ
プと配線導体とを鉛を主成分とする接合材で接合し、ｐ
ｎ接合表面を水酸化カリウム溶液でエッチングした、い
わゆるメサ型半導体装置の製造方法に関する。
プと配線導体とを鉛を主成分とする接合材で接合し、ｐ
ｎ接合表面を水酸化カリウム溶液でエッチングした、い
わゆるメサ型半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的なメサ型半導体装置の製造方法
を、シリコン半導体整流素子を例にとって説明する。図
８（ａ）〜（ｊ）は、従来のメサ型シリコン半導体整流
素子の製造プロセスの工程順に示した断面図である。
を、シリコン半導体整流素子を例にとって説明する。図
８（ａ）〜（ｊ）は、従来のメサ型シリコン半導体整流
素子の製造プロセスの工程順に示した断面図である。
【０００３】導電型がｎ型で、比抵抗が数〜数十Ωcm、
（１１１）面方位、厚さ３５０μm、直径１５cmのシリ
コンウェハ801 を２０００メッシュ以上の砥粒で研削
し、その表面を酸エッチ後、先ずオキシ塩化燐（ＰＯＣ
ｌ3 ）をソースにして燐をドープし、シリコンウェハ80
1 の両面に深さ数μm のｎ+ 層を形成した後、片面を２
０００メッシュ以上の砥粒で研削して厚さを約３００μ
m とする。
（１１１）面方位、厚さ３５０μm、直径１５cmのシリ
コンウェハ801 を２０００メッシュ以上の砥粒で研削
し、その表面を酸エッチ後、先ずオキシ塩化燐（ＰＯＣ
ｌ3 ）をソースにして燐をドープし、シリコンウェハ80
1 の両面に深さ数μm のｎ+ 層を形成した後、片面を２
０００メッシュ以上の砥粒で研削して厚さを約３００μ
m とする。
【０００４】次に研削した面にＢＮ或いはほう素含有溶
液をスピンナー塗布して拡散源としてホウ素をドーピン
グした後、高温の拡散処理をして、共に厚さ３０〜５０
μmのｎ+ 層803 、ｐ+ 層804 を形成する［図８
（ａ）］。続いて、両面にＮｉ−Ｐの無電解めっきを施
し、熱処理してＮｉ−Ｓｉ層とＮｉ−Ｐ層からなるＮｉ
電極805 を形成する［同図（ｂ）］。
液をスピンナー塗布して拡散源としてホウ素をドーピン
グした後、高温の拡散処理をして、共に厚さ３０〜５０
μmのｎ+ 層803 、ｐ+ 層804 を形成する［図８
（ａ）］。続いて、両面にＮｉ−Ｐの無電解めっきを施
し、熱処理してＮｉ−Ｓｉ層とＮｉ−Ｐ層からなるＮｉ
電極805 を形成する［同図（ｂ）］。
【０００５】次にはんだ浴槽中にディップして両面に厚
さ数μm のはんだ層806 を形成する［同図（ｃ）］。更
にダイシングソーなどで数mm角の大きさのチップサイズ
にダイシングする［同図（ｄ）］。807 は切断ラインで
ある。次に半導体デバイスチップ816 を配線導体808 に
はんだ付けする［同図（ｅ）］。このとき、同図（ｊ）
のようにリートフレーム814 にはんだ付けをするタイ
プもある。
さ数μm のはんだ層806 を形成する［同図（ｃ）］。更
にダイシングソーなどで数mm角の大きさのチップサイズ
にダイシングする［同図（ｄ）］。807 は切断ラインで
ある。次に半導体デバイスチップ816 を配線導体808 に
はんだ付けする［同図（ｅ）］。このとき、同図（ｊ）
のようにリートフレーム814 にはんだ付けをするタイ
プもある。
【０００６】次にリード付けした半導体チップ816 のダ
イシング時の損傷や歪み、汚れ等を除去するために混酸
（ふっ酸−硝酸−酢酸）で約５０μm エッチングする
［同図（ｆ）］。次に１５重量% （以下wt% と記す）Ｋ
ＯＨ溶液で８５℃、数分間のエッチングで約１０μm エ
ッチングする［同図（ｇ）］。この工程は本発明に係わ
る重要なポイントになる。
イシング時の損傷や歪み、汚れ等を除去するために混酸
（ふっ酸−硝酸−酢酸）で約５０μm エッチングする
［同図（ｆ）］。次に１５重量% （以下wt% と記す）Ｋ
ＯＨ溶液で８５℃、数分間のエッチングで約１０μm エ
ッチングする［同図（ｇ）］。この工程は本発明に係わ
る重要なポイントになる。
【０００７】ＫＯＨ溶液でエッチングした表面711 を十
分に洗浄した後、シリコンデバイス812 および配線導体
808 の一部を完全に覆うようにポリイミド膜812 で保護
する［同図（ｈ）］。最後にエポキシ樹脂813 でトラン
スファーモールドする［同図（ｉ）］。従来のこの種の
半導体装置に関する表面処理は、特にＫＯＨ等のアルカ
リ性溶液での処理の後には加熱水で構成各部材表面に生
成した金属水酸化物を加速溶解させたり、カリウムイオ
ン除去などの洗浄効果を高めようとする処置が取られて
いる。
分に洗浄した後、シリコンデバイス812 および配線導体
808 の一部を完全に覆うようにポリイミド膜812 で保護
する［同図（ｈ）］。最後にエポキシ樹脂813 でトラン
スファーモールドする［同図（ｉ）］。従来のこの種の
半導体装置に関する表面処理は、特にＫＯＨ等のアルカ
リ性溶液での処理の後には加熱水で構成各部材表面に生
成した金属水酸化物を加速溶解させたり、カリウムイオ
ン除去などの洗浄効果を高めようとする処置が取られて
いる。
【０００８】図９は図８（ｇ）から（ｈ）に移る工程の
工程フローチャートである。ＫＯＨ溶液でエッチングし
た後、流水洗浄を繰り返し、イソプロピルアルコール
（以下ＩＰＡと記す）で置換し、乾燥する。
工程フローチャートである。ＫＯＨ溶液でエッチングし
た後、流水洗浄を繰り返し、イソプロピルアルコール
（以下ＩＰＡと記す）で置換し、乾燥する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のような部材構成
よりなる従来のメサ型半導体素子においては、ＫＯＨな
どの表面処理において、シリコンの溶解、シリコンの部
分的酸化、鉛、錫などの析出、カリウムイオン等の付着
（吸着）等の現象が生じやすい。例えば上記半導体装置
では、主要構成部材は、はんだ中の鉛（９０% 以上の鉛
成分とする高温はんだ）、シリコンデバイス、配線導体
のニッケル或いは銀、リードフレームのニッケル等であ
るが、その内、ニッケルおよび銀はＫＯＨ溶液中では非
常に安定てある。
よりなる従来のメサ型半導体素子においては、ＫＯＨな
どの表面処理において、シリコンの溶解、シリコンの部
分的酸化、鉛、錫などの析出、カリウムイオン等の付着
（吸着）等の現象が生じやすい。例えば上記半導体装置
では、主要構成部材は、はんだ中の鉛（９０% 以上の鉛
成分とする高温はんだ）、シリコンデバイス、配線導体
のニッケル或いは銀、リードフレームのニッケル等であ
るが、その内、ニッケルおよび銀はＫＯＨ溶液中では非
常に安定てある。
【００１０】シリコンは下記酸化物を生成し、溶解す
る。
る。
【００１１】
【化１】Ｓｉ＋２ＯＨ- ＋Ｈ2 Ｏ→ＳｉＯ3 2- ＋４Ｈ はんだについては、先ず両性元素である鉛と錫とが溶解
する。このとき主組成の鉛がはんだ表面を覆うようにな
ると言われている。さらに鉛は、容易に酸化を受け、Ｐ
ｂＯが表面に形成されると推定される。
する。このとき主組成の鉛がはんだ表面を覆うようにな
ると言われている。さらに鉛は、容易に酸化を受け、Ｐ
ｂＯが表面に形成されると推定される。
【００１２】
【化２】ＰｂＯ＋２ＯＨ- →Ｐｂ（ＯＨ）4 2- 更に、
【００１３】
【化３】Ｐｂ（ＯＨ）4 2- ＋２Ｈ+ ＋Ｈ2 → Ｐｂ↓＋
４Ｈ2 Ｏ 以上のような経過を経て鉛はシリコンデバイスの表面に
析出する。半導体表面での上述の金属元素の析出、成長
が生じると、半導体素子完成後の高温高湿放置試験、高
温高湿引加試験で、漏れ電流の増加、短絡不良等を引き
起こすことがある。
４Ｈ2 Ｏ 以上のような経過を経て鉛はシリコンデバイスの表面に
析出する。半導体表面での上述の金属元素の析出、成長
が生じると、半導体素子完成後の高温高湿放置試験、高
温高湿引加試験で、漏れ電流の増加、短絡不良等を引き
起こすことがある。
【００１４】このような問題に鑑み本発明の目的は、高
温高湿放置試験、高温高湿引加試験での、漏れ電流の増
加、短絡不良等を防止した、高信頼性の半導体装置を提
供することにある。
温高湿放置試験、高温高湿引加試験での、漏れ電流の増
加、短絡不良等を防止した、高信頼性の半導体装置を提
供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、前述の各処理を施すことにより、構成各部材から
のシリコン半導体表面への溶出析出を防止することがで
きる。以下、各処理とその作用について説明する。先
ず、半導体素子チップと配線導体とを鉛を主成分とする
接合材で接合した後、シリコンチップのｐｎ接合表面を
水酸化カリウム溶液でエッチングするメサ型半導体装置
の製造方法において、例えばエチレンジアミン四酢酸塩
を加えた水酸化カリウム溶液でエッチングし、または水
酸化カリウム溶液でエッチングした後にエチレンジアミ
ン四酢酸塩を加えた水で水洗するものとする。
めに、前述の各処理を施すことにより、構成各部材から
のシリコン半導体表面への溶出析出を防止することがで
きる。以下、各処理とその作用について説明する。先
ず、半導体素子チップと配線導体とを鉛を主成分とする
接合材で接合した後、シリコンチップのｐｎ接合表面を
水酸化カリウム溶液でエッチングするメサ型半導体装置
の製造方法において、例えばエチレンジアミン四酢酸塩
を加えた水酸化カリウム溶液でエッチングし、または水
酸化カリウム溶液でエッチングした後にエチレンジアミ
ン四酢酸塩を加えた水で水洗するものとする。
【００１６】またはエチレンジアミン四酢酸塩を加えた
水酸化カリウム溶液でエッチングした後、エチレンジア
ミン四酢酸塩を加えた水で水洗してもよい。錯化合物で
あるエチレンジアミン四酢酸塩の一つ、例えばエチレン
ジアミン四酢酸四ナトリウムは、下記の化学式で表され
る。
水酸化カリウム溶液でエッチングした後、エチレンジア
ミン四酢酸塩を加えた水で水洗してもよい。錯化合物で
あるエチレンジアミン四酢酸塩の一つ、例えばエチレン
ジアミン四酢酸四ナトリウムは、下記の化学式で表され
る。
【００１７】
【化４】 ここで、Ｏ* は、各分子が四個の官能基としての酸素原
子をそれぞれ示す。Ｎ*は供与体窒素原子である。
子をそれぞれ示す。Ｎ*は供与体窒素原子である。
【００１８】エチレンジアミン四酢酸四ナトリウムをＫ
ＯＨアルカリエッチング溶液中に溶解させて使用すると
き、ｐＨが高いと、エチレンジアミン四酢酸四ナトリウ
ムと鉛とが非常に安定なエチレンジアミン四酢酸四ナト
リウム−鉛錯体を形成する。また、この時の錯体は、二
価の電荷を持ち易くなる。この錯体は鉛の配位数が６
で、エチレンジアミン四酢酸四ナトリウムとは八面体型
錯体を形成すると言われている。
ＯＨアルカリエッチング溶液中に溶解させて使用すると
き、ｐＨが高いと、エチレンジアミン四酢酸四ナトリウ
ムと鉛とが非常に安定なエチレンジアミン四酢酸四ナト
リウム−鉛錯体を形成する。また、この時の錯体は、二
価の電荷を持ち易くなる。この錯体は鉛の配位数が６
で、エチレンジアミン四酢酸四ナトリウムとは八面体型
錯体を形成すると言われている。
【００１９】図１０（ｂ）はその八面体型錯体の構造図
である。４個の酸素（Ｏ）原子と２個の窒素（Ｎ）原子
が、鉛（Ｐｂ）原子を中心とする八面体の６つの頂点を
占めている［図１０（ａ）］。その頂点位置のＮ原子と
Ｏ原子との間は、−ＣＯ−ＣＨ2 −の分枝で結ばれ、ま
たＮ原子とＮ原子との間は、−ＣＨ2 −ＣＨ2 −の分枝
で結ばれている。
である。４個の酸素（Ｏ）原子と２個の窒素（Ｎ）原子
が、鉛（Ｐｂ）原子を中心とする八面体の６つの頂点を
占めている［図１０（ａ）］。その頂点位置のＮ原子と
Ｏ原子との間は、−ＣＯ−ＣＨ2 −の分枝で結ばれ、ま
たＮ原子とＮ原子との間は、−ＣＨ2 −ＣＨ2 −の分枝
で結ばれている。
【００２０】このようにＫＯＨ溶液中にエチレンジアミ
ン四酢酸四ナトリウムを溶解させておくことにより、Ｐ
ｂＯ、Ｐｂ（ＯＨ）4 2- と非常に安定な錯体を形成し、
シリコン半導体素子表面への鉛の析出が防止される。一
次水洗槽中にエチレンジアミン四酢酸四ナトリウムを溶
解させておいて洗浄しても同様な結果が得られる。
ン四酢酸四ナトリウムを溶解させておくことにより、Ｐ
ｂＯ、Ｐｂ（ＯＨ）4 2- と非常に安定な錯体を形成し、
シリコン半導体素子表面への鉛の析出が防止される。一
次水洗槽中にエチレンジアミン四酢酸四ナトリウムを溶
解させておいて洗浄しても同様な結果が得られる。
【００２１】ＥＤＴＡの濃度は０．２〜２００×１０-3
モル／リットル（以下mol/l と記す）とするのがよい。
０．２×１０-3mol/l 未満では錯体形成の効果が少な
い。反対に２００×１０ -3mol/l より多すぎると、溶解
度を越す。また析出した鉛と反応する量があれば十分で
あり、過剰にあっても効果は飽和することになる。従っ
てＥＤＴＡの濃度は０．２〜２００×１０-3mol/l の範
囲が適当である。
モル／リットル（以下mol/l と記す）とするのがよい。
０．２×１０-3mol/l 未満では錯体形成の効果が少な
い。反対に２００×１０ -3mol/l より多すぎると、溶解
度を越す。また析出した鉛と反応する量があれば十分で
あり、過剰にあっても効果は飽和することになる。従っ
てＥＤＴＡの濃度は０．２〜２００×１０-3mol/l の範
囲が適当である。
【００２２】同様な効果をもつ材料としては、エチレン
ジアミン四酢酸のアミン塩や、ヒドロキシエチルエチレ
ンジアミン三酢酸塩、ヒドロキシエチリデン二ホスホン
酸塩、メチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五酢
酸塩等がある。エチレンジアミン四酢酸のアミン塩の二
例の化学式を以下に示す。
ジアミン四酢酸のアミン塩や、ヒドロキシエチルエチレ
ンジアミン三酢酸塩、ヒドロキシエチリデン二ホスホン
酸塩、メチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五酢
酸塩等がある。エチレンジアミン四酢酸のアミン塩の二
例の化学式を以下に示す。
【００２３】
【化５】
【００２４】
【化６】 ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸塩、ヒドロキ
シエチリデン二ホスホン酸塩、メチレンホスホン酸、ジ
エチレントリアミン五酢酸塩のそれぞれの一例の化学式
を以下に示す。
シエチリデン二ホスホン酸塩、メチレンホスホン酸、ジ
エチレントリアミン五酢酸塩のそれぞれの一例の化学式
を以下に示す。
【００２５】
【化７】
【００２６】
【化８】
【００２７】
【化９】
【００２８】
【化１０】 これらの材料もエチレンジアミン四酢酸四ナトリウムと
同様に用いることができる。
同様に用いることができる。
【００２９】また、半導体素子チップと配線導体とを鉛
を主成分とする接合材で接合し、シリコン半導体素子チ
ップのｐｎ接合表面を水酸化カリウム溶液でエッチング
し、水洗した後、チタン、バナジウム、ジルコニウム、
ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タングス
テン、シリコンの内のいずれかを含むカップリング剤を
加えたイソプロピルアルコールで置換するものとする。
を主成分とする接合材で接合し、シリコン半導体素子チ
ップのｐｎ接合表面を水酸化カリウム溶液でエッチング
し、水洗した後、チタン、バナジウム、ジルコニウム、
ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タングス
テン、シリコンの内のいずれかを含むカップリング剤を
加えたイソプロピルアルコールで置換するものとする。
【００３０】半導体素子チップと配線導体とを鉛を主成
分とする接合材で接合した後、シリコンチップのｐｎ接
合表面を水酸化カリウム溶液でエッチングし、水洗、イ
ソプロピルアルコール置換して一旦大気中で乾燥した
後、チタン、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、モリ
ブデン、ハフニウム、タンタル、タングステン、シリコ
ンの内のいずれかを含むカップリング剤を加えたイソプ
ロピルアルコールに浸漬し、乾燥してもよい。特にその
場合は、先の乾燥を２００℃以上でおこない、後の乾燥
を１８０℃以下でおこなうとよい。
分とする接合材で接合した後、シリコンチップのｐｎ接
合表面を水酸化カリウム溶液でエッチングし、水洗、イ
ソプロピルアルコール置換して一旦大気中で乾燥した
後、チタン、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、モリ
ブデン、ハフニウム、タンタル、タングステン、シリコ
ンの内のいずれかを含むカップリング剤を加えたイソプ
ロピルアルコールに浸漬し、乾燥してもよい。特にその
場合は、先の乾燥を２００℃以上でおこない、後の乾燥
を１８０℃以下でおこなうとよい。
【００３１】これらは、カップリング剤を用いてＫＯＨ
処理後の鉛析出を防止し、或いはシリコン半導体素子表
面を安定化させるものである。ここでカップリング剤と
は一分子中に少なくとも二種の反応性の異なる官能基を
持つものを言う。このとき、両方の官能基を結合するの
に配位数の高い金属系元素が中核元素として使用され
る。中でも水溶液、非水溶液でも電析不可能な金属元素
Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ等を含む
カップリング剤が適している。
処理後の鉛析出を防止し、或いはシリコン半導体素子表
面を安定化させるものである。ここでカップリング剤と
は一分子中に少なくとも二種の反応性の異なる官能基を
持つものを言う。このとき、両方の官能基を結合するの
に配位数の高い金属系元素が中核元素として使用され
る。中でも水溶液、非水溶液でも電析不可能な金属元素
Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ等を含む
カップリング剤が適している。
【００３２】そのような金属元素の一つとしてＴｉ元素
を中核元素としているチタネート系カップリング剤、イ
ソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チ
タネートを取り上げ、その作用を説明する。イソプロピ
ルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート
の化学式は次のようなものである。
を中核元素としているチタネート系カップリング剤、イ
ソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チ
タネートを取り上げ、その作用を説明する。イソプロピ
ルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート
の化学式は次のようなものである。
【００３３】
【化１１】 ここで （ＣＨ3 ）2 ＣＯＨはイソプロピルアルコール
である。またＮＨ2 ＣＨ 2 ＣＨ2 ＮＨＣＨ2 ＯはＮ−ア
ミノエチル−アミノエチル基であり、これをＡとする
と、化１１は
である。またＮＨ2 ＣＨ 2 ＣＨ2 ＮＨＣＨ2 ＯはＮ−ア
ミノエチル−アミノエチル基であり、これをＡとする
と、化１１は
【００３４】
【化１２】 と表せる。イソプロピルアルコールは化１２のように酸
の一種と見なせる。
の一種と見なせる。
【００３５】ＫＯＨ処理、水洗後の鉛とシリコンの表面
に存在する水酸基（ＯＨ基）とイソプロピル基のＯＨ基
とが次のように水素結合する。
に存在する水酸基（ＯＨ基）とイソプロピル基のＯＨ基
とが次のように水素結合する。
【００３６】
【化１３】 更に、カップリング剤を分解させない温度ね例えば１１
０℃程度に加熱すれば、水素結合を部分的に化学結合す
ることができて、一層効果を増すことができる。水素結
合の場合結合力は２０kJ/molであるが、化学結合させる
と結合力は数百kJ/molであり、数十倍強い結合を得るこ
とができる。
０℃程度に加熱すれば、水素結合を部分的に化学結合す
ることができて、一層効果を増すことができる。水素結
合の場合結合力は２０kJ/molであるが、化学結合させる
と結合力は数百kJ/molであり、数十倍強い結合を得るこ
とができる。
【００３７】鉛も全く同様に反応するので、鉛表面を不
安定にしているＯＨ基が無くなる。シリコン表面のＳｉ
のダングリングボンド（結合手）もチタネートでカップ
リングされて、電荷的に中和され、表面準位の少ない安
定した表面が得られる。酸素原子を介してＴｉ元素が存
在するか、Ｔｉは電析不可能な金属グループなので、シ
リコン表面への析出やマイグレーションによる導通不良
の原因になり難い。
安定にしているＯＨ基が無くなる。シリコン表面のＳｉ
のダングリングボンド（結合手）もチタネートでカップ
リングされて、電荷的に中和され、表面準位の少ない安
定した表面が得られる。酸素原子を介してＴｉ元素が存
在するか、Ｔｉは電析不可能な金属グループなので、シ
リコン表面への析出やマイグレーションによる導通不良
の原因になり難い。
【００３８】次にカップリング剤がシリコン系カップリ
ング剤である場合の作用を説明する。シリコンカップリ
ング剤は、
ング剤である場合の作用を説明する。シリコンカップリ
ング剤は、
【００３９】
【化１４】 なる基本構造を持っている。
【００４０】Ｘ基は、半導体でいえばポリイミド、エポ
キシ樹脂などと容易に化学結合する反応基、例えばビニ
ル基、アミノ基、エポキシ基、メタクリル基、フェニル
基、メルカプト基などである。ＯＲはシリコン、金属、
無機質膜などの無機材料と化学結合する反応基、例えば
メトキシ基（ＣＨ3 Ｏ−）、エトキシ基（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ
−）などである。
キシ樹脂などと容易に化学結合する反応基、例えばビニ
ル基、アミノ基、エポキシ基、メタクリル基、フェニル
基、メルカプト基などである。ＯＲはシリコン、金属、
無機質膜などの無機材料と化学結合する反応基、例えば
メトキシ基（ＣＨ3 Ｏ−）、エトキシ基（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ
−）などである。
【００４１】基本的な反応機構について述べる。
【００４２】
【化１５】 に少量の水を加え、ＯＲ基の加水分解を促す。
【００４３】
【化１６】 縮合反応により、
【００４４】
【化１７】 水素結合により、
【００４５】
【化１８】 部分的化学結合により
【００４６】
【化１９】 となり、表面が安定化される。
【００４７】水分の存在が完全なカップリング剤効果の
ポイントになる。カップリング剤を加えたＩＰＡ浸漬後
の乾燥は、１８０℃以下でおこなうことが重要である。
また、１８０℃以下では、Ｘ官能基が熱分解しないの
で、水素結合より更に強固な化学結合をさせることがで
き、安定化効果を高めることが可能である。
ポイントになる。カップリング剤を加えたＩＰＡ浸漬後
の乾燥は、１８０℃以下でおこなうことが重要である。
また、１８０℃以下では、Ｘ官能基が熱分解しないの
で、水素結合より更に強固な化学結合をさせることがで
き、安定化効果を高めることが可能である。
【００４８】特に、シリコンカップリング剤の場合は、
縮合して大きな分子になることと、シリコンは析出し難
いことでマイグレーションを生じないことなどにより、
チタネートの場合より更に高信頼性の半導体装置を得る
ことができる。カップリング剤の濃度は０．１〜１０体
積% （以下vol%と記す）とするのがよい。
縮合して大きな分子になることと、シリコンは析出し難
いことでマイグレーションを生じないことなどにより、
チタネートの場合より更に高信頼性の半導体装置を得る
ことができる。カップリング剤の濃度は０．１〜１０体
積% （以下vol%と記す）とするのがよい。
【００４９】０．１〜１０vol%未満では効果が少ない。
反対に１０vol%より多すぎても効果が飽和してしまう。
従って０．１〜１０vol%の範囲が適当である。表面保護
膜がポリイミド樹脂膜であるものとすれば、ポリイミド
基と容易に反応するＸ基を持っているので、ポリイミド
樹脂膜の密着性が改善される。
反対に１０vol%より多すぎても効果が飽和してしまう。
従って０．１〜１０vol%の範囲が適当である。表面保護
膜がポリイミド樹脂膜であるものとすれば、ポリイミド
基と容易に反応するＸ基を持っているので、ポリイミド
樹脂膜の密着性が改善される。
【００５０】
【発明の実施の形態】以下実施例を基に、本発明の実施
の形態を説明する。本発明は図７（ｆ）のアルカリエッ
チングおよびその直後の処理に関するものであり、その
前後の工程は図７（ａ）〜（ｅ）および図７（ｇ）以降
と同じでよいので、説明を省略する。図８の従来法にお
けるアルカリエッチングおよびその直後の処理の工程フ
ロー図に対応する工程フロー図を参照しながら説明す
る。
の形態を説明する。本発明は図７（ｆ）のアルカリエッ
チングおよびその直後の処理に関するものであり、その
前後の工程は図７（ａ）〜（ｅ）および図７（ｇ）以降
と同じでよいので、説明を省略する。図８の従来法にお
けるアルカリエッチングおよびその直後の処理の工程フ
ロー図に対応する工程フロー図を参照しながら説明す
る。
【００５１】［実施例１］図１は、本発明にかかる実施
例１のシリコン整流素子のアルカリエッチングおよびそ
の直後の処理工程の工程フロー図である。エチレンジア
ミン四酢酸四ナトリウム（図中ではＥＤＴＡ）を２０×
１０-3mol/l 加えた１５wt% ＫＯＨエッチング液で、８
５℃、１５分間のエッチングをおこなった後、一次流水
洗浄、二次流水洗浄、ＩＰＡ置換を経て、乾燥する。こ
の後は保護膜塗布、エポキシ樹脂モールドして完成す
る。特に本発明に係わるポイント工程は四角の枠で囲っ
た。
例１のシリコン整流素子のアルカリエッチングおよびそ
の直後の処理工程の工程フロー図である。エチレンジア
ミン四酢酸四ナトリウム（図中ではＥＤＴＡ）を２０×
１０-3mol/l 加えた１５wt% ＫＯＨエッチング液で、８
５℃、１５分間のエッチングをおこなった後、一次流水
洗浄、二次流水洗浄、ＩＰＡ置換を経て、乾燥する。こ
の後は保護膜塗布、エポキシ樹脂モールドして完成す
る。特に本発明に係わるポイント工程は四角の枠で囲っ
た。
【００５２】図２は、実施例１のシリコン整流素子（記
号△）および比較例（記号×）として従来法によるシリ
コン整流素子の高温での印加試験結果の特性比較図であ
る。試験条件は、温度１２５℃、逆方向電圧１５００V
、デューティ１００% とした。高温での印加試験は、
表面状態の差異を顕著に示す試験である。
号△）および比較例（記号×）として従来法によるシリ
コン整流素子の高温での印加試験結果の特性比較図であ
る。試験条件は、温度１２５℃、逆方向電圧１５００V
、デューティ１００% とした。高温での印加試験は、
表面状態の差異を顕著に示す試験である。
【００５３】本発明による処理により得られたシリコン
整流素子は、漏れ電流のレベルが１／４以下になってお
り、シリコンデバイス表面の状態が改善されたことがわ
かる。 ［実施例２］図３は、本発明にかかる実施例２のシリコ
ン整流素子のアルカリエッチングおよびその直後の処理
工程の工程フロー図である。
整流素子は、漏れ電流のレベルが１／４以下になってお
り、シリコンデバイス表面の状態が改善されたことがわ
かる。 ［実施例２］図３は、本発明にかかる実施例２のシリコ
ン整流素子のアルカリエッチングおよびその直後の処理
工程の工程フロー図である。
【００５４】１５wt% ＫＯＨエッチング液で、８５℃、
１５分間のエッチングをおこなった後、一次洗浄は静止
型にしてエチレンジアミン四酢酸四ナトリウム（図中で
はＥＤＴＡ）を２０×１０-3mol/l 加えた純水で洗浄
し、次いで二次流水洗浄、三次流水洗浄、ＩＰＡ置換を
経て、乾燥する。この後は実施例１と同様とした。本発
明に係わるポイント工程は四角の枠で囲った。
１５分間のエッチングをおこなった後、一次洗浄は静止
型にしてエチレンジアミン四酢酸四ナトリウム（図中で
はＥＤＴＡ）を２０×１０-3mol/l 加えた純水で洗浄
し、次いで二次流水洗浄、三次流水洗浄、ＩＰＡ置換を
経て、乾燥する。この後は実施例１と同様とした。本発
明に係わるポイント工程は四角の枠で囲った。
【００５５】本発明による処理により得られたシリコン
整流素子は、漏れ電流のレベルが実施例１と同程度であ
った。 ［実施例３］図４は、本発明にかかる実施例３のシリコ
ン整流素子のアルカリエッチングおよびその直後の処理
工程の工程フロー図である。
整流素子は、漏れ電流のレベルが実施例１と同程度であ
った。 ［実施例３］図４は、本発明にかかる実施例３のシリコ
ン整流素子のアルカリエッチングおよびその直後の処理
工程の工程フロー図である。
【００５６】１５wt% ＫＯＨエッチング液で、８５℃、
１５分間のエッチングをおこなった後、一次流水洗浄、
二次流水洗浄、ＩＰＡ置換をした後、チタネートを１vo
l%加えたＩＰＡに３分か浸漬し、乾燥する。この後は実
施例１と同様とした。本発明に係わるポイント工程は四
角の枠で囲った。本発明による処理により得られたシリ
コン整流素子も、漏れ電流のレベルが実施例１と同程度
であった。
１５分間のエッチングをおこなった後、一次流水洗浄、
二次流水洗浄、ＩＰＡ置換をした後、チタネートを１vo
l%加えたＩＰＡに３分か浸漬し、乾燥する。この後は実
施例１と同様とした。本発明に係わるポイント工程は四
角の枠で囲った。本発明による処理により得られたシリ
コン整流素子も、漏れ電流のレベルが実施例１と同程度
であった。
【００５７】［実施例４］図５は、本発明にかかる実施
例４のシリコン整流素子のアルカリエッチングおよびそ
の直後の処理工程の工程フロー図である。１５wt% ＫＯ
Ｈエッチング液で、８５℃、１５分間のエッチングをお
こなった後、一次流水洗浄、二次流水洗浄、ＩＰＡ置換
をした後、一旦大気中、２００℃で３分間の乾燥をし、
更にチタネートを１vol%加えたＩＰＡに３分間浸漬し、
大気中、１２０℃で３分間乾燥した。この後は実施例１
と同様とした。本発明に係わるポイント工程は四角の枠
で囲った。
例４のシリコン整流素子のアルカリエッチングおよびそ
の直後の処理工程の工程フロー図である。１５wt% ＫＯ
Ｈエッチング液で、８５℃、１５分間のエッチングをお
こなった後、一次流水洗浄、二次流水洗浄、ＩＰＡ置換
をした後、一旦大気中、２００℃で３分間の乾燥をし、
更にチタネートを１vol%加えたＩＰＡに３分間浸漬し、
大気中、１２０℃で３分間乾燥した。この後は実施例１
と同様とした。本発明に係わるポイント工程は四角の枠
で囲った。
【００５８】本実施例のシリコン整流素子のの高温印加
試験の結果も図２に記した（記号□）。漏れ電流のレベ
ルが実施例１と同等であった。 ［実施例５］図６は、本発明にかかる実施例５のシリコ
ン整流素子のアルカリエッチングおよびその直後の処理
工程の工程フロー図である。
試験の結果も図２に記した（記号□）。漏れ電流のレベ
ルが実施例１と同等であった。 ［実施例５］図６は、本発明にかかる実施例５のシリコ
ン整流素子のアルカリエッチングおよびその直後の処理
工程の工程フロー図である。
【００５９】１５wt% ＫＯＨエッチング液で、８５℃、
１５分間のエッチングをおこなった後、一次流水洗浄、
二次流水洗浄、ＩＰＡ置換をした後、シリコンカツプリ
ング剤を１vol%加えたＩＰＡに３分か浸漬し、乾燥す
る。この後は実施例１と同様とした。本発明に係わるポ
イント工程は四角の枠で囲った。本実施例のシリコン整
流素子も、漏れ電流のレベルが実施例１と同程度であっ
た。
１５分間のエッチングをおこなった後、一次流水洗浄、
二次流水洗浄、ＩＰＡ置換をした後、シリコンカツプリ
ング剤を１vol%加えたＩＰＡに３分か浸漬し、乾燥す
る。この後は実施例１と同様とした。本発明に係わるポ
イント工程は四角の枠で囲った。本実施例のシリコン整
流素子も、漏れ電流のレベルが実施例１と同程度であっ
た。
【００６０】［実施例６］図７は、本発明にかかる実施
例６のシリコン整流素子のアルカリエッチングおよびそ
の直後の処理工程の工程フロー図である。１５wt% ＫＯ
Ｈエッチング液で、８５℃、１５分間のエッチングをお
こなった後、一次流水洗浄、二次流水洗浄、ＩＰＡ置換
をした後、一旦大気中、２００℃で３分間の乾燥をし、
更にシリコンカツプリング剤としてビニル−エポキシ系
のカップリング剤を１vol%加えたＩＰＡに３分間浸漬
し、大気中、１２０℃で３分間乾燥した。この後は実施
例１と同様とした。本発明に係わるポイント工程は四角
の枠で囲った。
例６のシリコン整流素子のアルカリエッチングおよびそ
の直後の処理工程の工程フロー図である。１５wt% ＫＯ
Ｈエッチング液で、８５℃、１５分間のエッチングをお
こなった後、一次流水洗浄、二次流水洗浄、ＩＰＡ置換
をした後、一旦大気中、２００℃で３分間の乾燥をし、
更にシリコンカツプリング剤としてビニル−エポキシ系
のカップリング剤を１vol%加えたＩＰＡに３分間浸漬
し、大気中、１２０℃で３分間乾燥した。この後は実施
例１と同様とした。本発明に係わるポイント工程は四角
の枠で囲った。
【００６１】本実施例のシリコン整流素子のの高温印加
試験の結果も図２に記した（記号○）。漏れ電流のレベ
ルが実施例１と同等か、やや良い結果であった。 ［実施例７］実施例６とほぼ同じであるが、シリコンカ
ツプリング剤としてエポキシ−メトキシ系のカップリン
グ剤を１vol%加えたＩＰＡに３分間浸漬し、大気中、１
２０℃で３分間乾燥した。
試験の結果も図２に記した（記号○）。漏れ電流のレベ
ルが実施例１と同等か、やや良い結果であった。 ［実施例７］実施例６とほぼ同じであるが、シリコンカ
ツプリング剤としてエポキシ−メトキシ系のカップリン
グ剤を１vol%加えたＩＰＡに３分間浸漬し、大気中、１
２０℃で３分間乾燥した。
【００６２】本実施例のシリコン整流素子の高温印加試
験の結果は、漏れ電流のレベルが実施例６よりやや良い
結果であった。
験の結果は、漏れ電流のレベルが実施例６よりやや良い
結果であった。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ア
ルカリエッチング液、またはエッチング後の洗浄液にエ
チレンジアミン四酢酸塩、ヒドロキシエチルエチレンジ
アミン三酢酸塩、ヒドロキシエチリデン二ホスホン酸
塩、メチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五酢酸
塩等を加えることにより、メサ型半導体装置のシリコン
デバイス表面の状態が改善され、鉛等の析出による漏れ
電流の増大が防止できることを示した。
ルカリエッチング液、またはエッチング後の洗浄液にエ
チレンジアミン四酢酸塩、ヒドロキシエチルエチレンジ
アミン三酢酸塩、ヒドロキシエチリデン二ホスホン酸
塩、メチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五酢酸
塩等を加えることにより、メサ型半導体装置のシリコン
デバイス表面の状態が改善され、鉛等の析出による漏れ
電流の増大が防止できることを示した。
【００６４】或いはアルカリエッチング、洗浄、ＩＰＡ
置換の後、カップリング剤を加えたＩＰＡに浸漬するこ
とも有効である。これらの方法により、及び高信頼性化
が容易に実現できる本発明は、極めて有用な発明であ
る。
置換の後、カップリング剤を加えたＩＰＡに浸漬するこ
とも有効である。これらの方法により、及び高信頼性化
が容易に実現できる本発明は、極めて有用な発明であ
る。
【図１】本発明実施例１のシリコン整流素子のアルカリ
エッチング及びその直後の製造工程フロー図
エッチング及びその直後の製造工程フロー図
【図２】実施例１のシリコン整流素子及び比較例の高温
印加試験特性図
印加試験特性図
【図３】本発明実施例２のシリコン整流素子のアルカリ
エッチング及びその直後の製造工程フロー図
エッチング及びその直後の製造工程フロー図
【図４】本発明実施例３のシリコン整流素子のアルカリ
エッチング及びその直後の製造工程フロー図
エッチング及びその直後の製造工程フロー図
【図５】本発明実施例４のシリコン整流素子のアルカリ
エッチング及びその直後の製造工程フロー図
エッチング及びその直後の製造工程フロー図
【図６】本発明実施例５のシリコン整流素子のアルカリ
エッチング及びその直後の製造工程フロー図
エッチング及びその直後の製造工程フロー図
【図７】本発明実施例６のシリコン整流素子のアルカリ
エッチング及びその直後の製造工程フロー図
エッチング及びその直後の製造工程フロー図
【図８】（ａ）〜（ｊ）はシリコン整流素子の製造方法
を説明するための製造工程順の断面図
を説明するための製造工程順の断面図
【図９】従来法によるシリコン整流素子のアルカリエッ
チング及びその直後の製造工程フロー図
チング及びその直後の製造工程フロー図
【図１０】（ａ）、（ｂ）は八面体錯体の構造図
801 シリコンウェハ 802 ｎ- 層 803 ｎ+ 層 804 ｐ+ 層 805 Ｎｉ−Ｓｉ／Ｎｉ−Ｐ層 806 はんだ層 807 チップ切断ライン 808 配線導体 810 混酸エッチング面 811 アルカリエッチング面 812 ポリイミド保護膜 813 エポキシ樹脂 814 リードフレーム 815 上部電極 816 シリコンチップ 817 ワイヤ 818 リード端子 819 チップ下部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 降旗 博明 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 伊藤 博史 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 倉持 英城 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 井川 修 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F043 AA02 BB02 BB27 GG10
Claims (13)
- 【請求項１】半導体素子チップと配線導体とを鉛を主成
分とする接合材で接合した後、シリコンチップのｐｎ接
合表面を水酸化カリウム溶液でエッチングをおこなうメ
サ型半導体装置の製造方法において、前記エッチングを
エチレンジアミン四酢酸塩、ヒドロキシエチルエチレン
ジアミン三酢酸塩、ヒドロキシエチリデン二ホスホン酸
塩、メチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五酢酸
塩のいずれかを加えた水酸化カリウム溶液でおこなうこ
とを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】半導体素子チップとリード線とを鉛を主成
分とする接合材で接合した後、シリコンチップのｐｎ接
合表面を水酸化カリウム溶液でエッチングをおこなうメ
サ型半導体装置の製造方法において、前記水酸化カリウ
ム溶液によるエッチングの後、エチレンジアミン四酢酸
塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸塩、ヒド
ロキシエチリデン二ホスホン酸塩、メチレンホスホン
酸、ジエチレントリアミン五酢酸塩のいずれかを加えた
水で水洗することを特徴とするメサ型半導体装置の製造
方法。 - 【請求項３】半導体素子チップと配線導体とを鉛を主成
分とする接合材で接合した後、シリコンチップのｐｎ接
合表面を水酸化カリウム溶液でエッチングをおこなうメ
サ型半導体装置の製造方法において、前記エッチングを
エチレンジアミン四酢酸塩、ヒドロキシエチルエチレン
ジアミン三酢酸塩、ヒドロキシエチリデン二ホスホン酸
塩、メチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五酢酸
塩のいずれかを加えた水酸化カリウム溶液でおこなった
後、エチレンジアミン四酢酸塩、ヒドロキシエチルエチ
レンジアミン三酢酸塩、ヒドロキシエチリデン二ホスホ
ン酸塩、メチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五
酢酸塩のいずれかを加えた水で水洗することを特徴とす
るメサ型半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】前記エッチング時または水洗時のエチレン
ジアミン四酢酸塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン
三酢酸塩、ヒドロキシエチリデン二ホスホン酸塩、メチ
レンホスホン酸、ジエチレントリアミン五酢酸塩のいず
れかの濃度を０．２〜２００×１０-3mol/l とすること
を特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のメサ
型半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】半導体素子チップと配線導体とを鉛を主成
分とする接合材で接合した後、シリコンチップのｐｎ接
合表面を水酸化カリウム溶液でエッチングをおこなう半
導体装置の製造方法において、前記水酸化カリウム溶液
によるエッチングの後、チタン、バナジウム、ジルコニ
ウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タ
ングステン、シリコンの内のいずれかを含むカップリン
グ剤を加えたイソプロピルアルコールに浸漬することを
特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】前記水洗の後、チタン、バナジウム、ジル
コニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタ
ル、タングステン、シリコンの内のいずれかを含むカッ
プリング剤を加えたイソプロピルアルコールに浸漬する
ことを特徴とする請求項２または３に記載のメサ型半導
体装置の製造方法。 - 【請求項７】前記イソプロピルアルコールへの浸漬後、
一旦大気中で乾燥し、チタン、バナジウム、ジルコニウ
ム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タン
グステン、シリコンの内のいずれかを含むカップリング
剤を加えたイソプロピルアルコールに浸漬し、乾燥する
ことを特徴とする請求項５または６に記載のメサ型半導
体装置の製造方法。 - 【請求項８】先の乾燥を２００℃以上でおこない、後の
乾燥を１８０℃以下でおこなうことを特徴とする請求項
７に記載のメサ型半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】カップリング剤がイソプロピルトリＮアミ
ノエチル−アミノエチルチタネートであることを特徴と
する請求項５ないし８のいずれかに記載のメサ型半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１０】カップリング剤がシリコン系カップリン
グ剤であることを特徴とする請求項５ないし８のいずれ
かに記載のメサ型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】カップリング剤の濃度を０．１〜１０vo
l%とすることを特徴とする請求項５ないし１０のいずれ
かに記載のメサ型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】前記イソプロピルアルコールへの浸漬お
よび乾燥の後、前記ｐｎ接合表面に、表面保護膜を塗布
することを特徴とする請求項５または６に記載のメサ型
半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】後の乾燥後、前記ｐｎ接合表面に表面保
護膜を塗布することを特徴とする請求項７または８に記
載のメサ型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001166175A JP2002359248A (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | メサ型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001166175A JP2002359248A (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | メサ型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002359248A true JP2002359248A (ja) | 2002-12-13 |
Family
ID=19008744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001166175A Withdrawn JP2002359248A (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | メサ型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002359248A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006009668A1 (en) * | 2004-06-16 | 2006-01-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Silicon wafer etching process and composition |
| JP2006324452A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 半導体基板表面処理剤及び処理方法 |
| CN114050108A (zh) * | 2021-09-23 | 2022-02-15 | 黄山市七七七电子有限公司 | 一种酸蚀内藏台面的硅整流圆芯片生产工艺 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4831057A (ja) * | 1971-08-25 | 1973-04-24 | ||
| JPS5245271A (en) * | 1975-10-08 | 1977-04-09 | Hitachi Ltd | Process for washing surface of semiconductor element |
| JPH0457328A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Sekiyu Sangyo Kasseika Center | 硫化鉛系単結晶のエッチング方法 |
| JPH08111407A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-04-30 | Siemens Ag | 半導体結晶表面汚染の湿式化学的除去方法 |
| JPH08191148A (ja) * | 1995-01-10 | 1996-07-23 | Fuji Electric Co Ltd | 高耐圧メサ型半導体整流素子およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-06-01 JP JP2001166175A patent/JP2002359248A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4831057A (ja) * | 1971-08-25 | 1973-04-24 | ||
| JPS5245271A (en) * | 1975-10-08 | 1977-04-09 | Hitachi Ltd | Process for washing surface of semiconductor element |
| JPH0457328A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Sekiyu Sangyo Kasseika Center | 硫化鉛系単結晶のエッチング方法 |
| JPH08111407A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-04-30 | Siemens Ag | 半導体結晶表面汚染の湿式化学的除去方法 |
| JPH08191148A (ja) * | 1995-01-10 | 1996-07-23 | Fuji Electric Co Ltd | 高耐圧メサ型半導体整流素子およびその製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006009668A1 (en) * | 2004-06-16 | 2006-01-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Silicon wafer etching process and composition |
| US7323421B2 (en) | 2004-06-16 | 2008-01-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Silicon wafer etching process and composition |
| US7938982B2 (en) | 2004-06-16 | 2011-05-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Silicon wafer etching compositions |
| JP2006324452A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 半導体基板表面処理剤及び処理方法 |
| JP4586628B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2010-11-24 | 和光純薬工業株式会社 | 半導体基板表面処理剤及び処理方法 |
| CN114050108A (zh) * | 2021-09-23 | 2022-02-15 | 黄山市七七七电子有限公司 | 一种酸蚀内藏台面的硅整流圆芯片生产工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW411504B (en) | Cleaning method and cleaning solution for substrate | |
| US6514921B1 (en) | Cleaning agent | |
| US6410494B2 (en) | Cleaning agent | |
| JP5379441B2 (ja) | 基板処理用アルカリ性水溶液組成物 | |
| CN100437922C (zh) | 洗涤液及使用该洗涤液的洗涤方法 | |
| JP2586304B2 (ja) | 半導体基板の洗浄液および洗浄方法 | |
| JP3180779B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3219020B2 (ja) | 洗浄処理剤 | |
| JP5762475B2 (ja) | 基板の洗浄溶液 | |
| TW201235465A (en) | Liquid composition for cleaning semiconductor substrate and method for cleaning semiconductor substrate using same | |
| JPS6070724A (ja) | オ−ミツク接点を形成する方法 | |
| JP2006135287A (ja) | 洗浄液及びそれを用いた半導体素子の洗浄方法 | |
| TW439209B (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| KR20180020273A (ko) | 웨트 에칭 방법 및 에칭액 | |
| CN109830577A (zh) | 一种高质量发光二极管的制造方法 | |
| TWI224578B (en) | Fabrication of silicon micro mechanical structures | |
| JP2002359248A (ja) | メサ型半導体装置の製造方法 | |
| JP6768432B2 (ja) | シリコン基板の製造方法 | |
| JP3959044B2 (ja) | アルミニウムおよびアルミニウム合金のめっき前処理方法 | |
| US3489603A (en) | Surface pretreatment process | |
| CN208548341U (zh) | 石墨烯晶体管电路装置 | |
| JP2020097765A (ja) | エッチング液、被処理体の処理方法、及び半導体素子の製造方法。 | |
| CN102315096A (zh) | 多层半导体衬底的制备方法 | |
| JP3975861B2 (ja) | メサ型半導体装置の製造方法 | |
| TW460965B (en) | Cleaning method and device for silicon substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060703 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060704 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080515 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20081216 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090219 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20091112 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110422 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111213 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20120202 |