JPS6070724A - オ−ミツク接点を形成する方法 - Google Patents
オ−ミツク接点を形成する方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は薄膜異質接合光起電力電池、並びに周期律表
のＩＢ族の少なくとも１種類の金属元素と周期律表のＶ
ＩＡ族の１種期の非金属元素とで形成されたｐ形半導体
化合物の薄膜に対してオーミック接点を形成する方法に
関する。
のＩＢ族の少なくとも１種類の金属元素と周期律表のＶ
ＩＡ族の１種期の非金属元素とで形成されたｐ形半導体
化合物の薄膜に対してオーミック接点を形成する方法に
関する。
テルル化カドミウムの様なＩＩ Ｂ −ＶＩＡ族のｐ形
化合物に良好なオーミック接点を作ることが難しいこと
はよく知られている。その反面、こういう材料は光起電
力の用途によって非常に重要である。
化合物に良好なオーミック接点を作ることが難しいこと
はよく知られている。その反面、こういう材料は光起電
力の用途によって非常に重要である。
その結果、薄膜太陽電池の用途にこういう化合物を利用
出来るかどうかは、これに対して抵抗値の小さいオーミ
ック接点を作ることが出来るかどうかによって太いに左
右される。従って、ｐ形ＣｄＴｅにオーミック接点をつ
ける為に、次に述べる手順が広く用いられている。（イ
）ｐ形ＣｄＴｅを酸性溶液で食刻し、その後（ロ）真空
蒸着又は無電気めっきによシ白金、金、ニッケル又は銅
の様な適当な金属を沈積することである。
出来るかどうかは、これに対して抵抗値の小さいオーミ
ック接点を作ることが出来るかどうかによって太いに左
右される。従って、ｐ形ＣｄＴｅにオーミック接点をつ
ける為に、次に述べる手順が広く用いられている。（イ
）ｐ形ＣｄＴｅを酸性溶液で食刻し、その後（ロ）真空
蒸着又は無電気めっきによシ白金、金、ニッケル又は銅
の様な適当な金属を沈積することである。
最初の工程に普通便われる酸性１食刻剤は、Ｈ２Ｓ０ｑ
＋ Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７＋ Ｈ２Ｏ、ＨＮＯ３＋に２Ｃｒ２
０７ ＋ Ｈ２Ｏ、ＨＮＯ３＋ Ｋ２Ｃｒ２０７ ＋
ＡｇＮＯ３＋ Ｈ２Ｏ、ＩＦ ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２０＋Ｈ
Ｆ ＋ ＨＮＯ３＋ Ｈ２Ｏ、ＨＮＯ３＋ Ｈ２Ｏ＊及
び臭素メタノールでおる。酸性食刻剤がテルル分の多い
面を残し、それが沈積する金属とｐ形ＣｄＴｅの間の接
触を改善すると考えられる。この様な酸性食刻は、比抵
抗の小さい単結晶ＣｄＴｅに関連して使われるのが普通
であシ、接点を沈積した後、接触を改善する為に、Ｈ２
の雰囲気内で１５０℃で５乃至１５分の熱処理を行なう
ことがある。最近の研究によると、Ｋ２Ｃｒ ２０７
＋ Ｈ２ＳＯ１１＋’Ｈ２０によって食刻した後、Ａｕ
＋ Ｃｕ合金を蒸着することによυ、比抵抗の小さい
単結晶ｐ形ＣｄＴｅに対して最もよいオーミック接点を
作ることが出来ることが結論されている。
＋ Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７＋ Ｈ２Ｏ、ＨＮＯ３＋に２Ｃｒ２
０７ ＋ Ｈ２Ｏ、ＨＮＯ３＋ Ｋ２Ｃｒ２０７ ＋
ＡｇＮＯ３＋ Ｈ２Ｏ、ＩＦ ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２０＋Ｈ
Ｆ ＋ ＨＮＯ３＋ Ｈ２Ｏ、ＨＮＯ３＋ Ｈ２Ｏ＊及
び臭素メタノールでおる。酸性食刻剤がテルル分の多い
面を残し、それが沈積する金属とｐ形ＣｄＴｅの間の接
触を改善すると考えられる。この様な酸性食刻は、比抵
抗の小さい単結晶ＣｄＴｅに関連して使われるのが普通
であシ、接点を沈積した後、接触を改善する為に、Ｈ２
の雰囲気内で１５０℃で５乃至１５分の熱処理を行なう
ことがある。最近の研究によると、Ｋ２Ｃｒ ２０７
＋ Ｈ２ＳＯ１１＋’Ｈ２０によって食刻した後、Ａｕ
＋ Ｃｕ合金を蒸着することによυ、比抵抗の小さい
単結晶ｐ形ＣｄＴｅに対して最もよいオーミック接点を
作ることが出来ることが結論されている。
薄膜装置（厚さが１０マイクロメータ未満）の場合、比
抵抗の比較的大きい材料（比抵抗が１００オーム−ｍよ
シ大きい）を相手とするが、この時は接点の問題は尚更
深刻になる。単結晶のＣｄＴｅに使われる強い酸性食刻
剤は、非常に希釈した（約０．１％）の臭素メタノール
を別とすると薄膜には使わないのが普通である。これま
で報告されたいろいろな方法の中には、何等食刻せずに
、新鮮なＣｄＴｅ０面に接点材料を直接適用すること、
並びに蒸着によシ又は化学的な方法によシ、この面にＣ
ｕｚＴｅ層を形成するものがある。然し、これまで最も
普通の方法は、中位の臭素メタノールによる食刻の後、
接点を沈積するものである。都合の悪いことに、Ｃｕｚ
Ｔ ｅ層を使うと、不安定になる傾向かあシ、接点金属
を直接適用するのも、単純な臭素メタノールの食刻も、
一般的に希望される程。
抵抗の比較的大きい材料（比抵抗が１００オーム−ｍよ
シ大きい）を相手とするが、この時は接点の問題は尚更
深刻になる。単結晶のＣｄＴｅに使われる強い酸性食刻
剤は、非常に希釈した（約０．１％）の臭素メタノール
を別とすると薄膜には使わないのが普通である。これま
で報告されたいろいろな方法の中には、何等食刻せずに
、新鮮なＣｄＴｅ０面に接点材料を直接適用すること、
並びに蒸着によシ又は化学的な方法によシ、この面にＣ
ｕｚＴｅ層を形成するものがある。然し、これまで最も
普通の方法は、中位の臭素メタノールによる食刻の後、
接点を沈積するものである。都合の悪いことに、Ｃｕｚ
Ｔ ｅ層を使うと、不安定になる傾向かあシ、接点金属
を直接適用するのも、単純な臭素メタノールの食刻も、
一般的に希望される程。
良好なオーミック接点が得られない。
従って、この発明の目的は、ｎＢ−ＶＩＡ族化合物と導
電金属層の間のオーミック接点を形成する改良された方
法を提供することである。特にこの発明の目的は、ｐ形
テルル化カドミウムに対するオーミック接点を形成する
ことである。
電金属層の間のオーミック接点を形成する改良された方
法を提供することである。特にこの発明の目的は、ｐ形
テルル化カドミウムに対するオーミック接点を形成する
ことである。
全般的に云うと、この発明では、ｎ Ｂ −ＶＩＡ族の
ｐ形化合物、特にＣｄＴｅの薄膜を酸性溶液、好ましく
は酸化性酸性溶液で食刻し、その後薄膜の面を強い塩基
性溶液で処理し、最後にこの面の上に導電金属層を沈積
する。
ｐ形化合物、特にＣｄＴｅの薄膜を酸性溶液、好ましく
は酸化性酸性溶液で食刻し、その後薄膜の面を強い塩基
性溶液で処理し、最後にこの面の上に導電金属層を沈積
する。
この発明が理解し易い様に、次に図面とこの発明の好ま
しい特定の実施例及びその例を説明する。
しい特定の実施例及びその例を説明する。
これまでの要約と同じく、こういう例はこの発明を制約
するものと解されるべきではない。この発明は特許請求
の範囲の記載によって限定される。
するものと解されるべきではない。この発明は特許請求
の範囲の記載によって限定される。
第１図に示す様に、この発明の好ましい実施例は、ガラ
スの様な透明な絶縁材料の第１のシート１０の上に酸化
錫インジウムの様な透明な導電材料の層１１がある。層
１１の上に硫化カドミウムの様な半導体材料の層１２が
沈積される。この材料は、後で説明する薄膜半導体化合
物とは異なる。
スの様な透明な絶縁材料の第１のシート１０の上に酸化
錫インジウムの様な透明な導電材料の層１１がある。層
１１の上に硫化カドミウムの様な半導体材料の層１２が
沈積される。この材料は、後で説明する薄膜半導体化合
物とは異なる。
層１１．１２の組合せが、後で説明する薄膜１３の半導
体化合物とは異なるｎ形のバンドの窓の広い半導体基板
を構成する。周期律表のＩＩＢ族の少なくとも１種類の
金属元素と周期律表のＶＩＡ族の１種類の非金属元素と
で形成される半導体化合物の膜１３が層１２の上に沈積
される。膜１３の面の上に金の様な導電金属の層１４が
沈積される。
体化合物とは異なるｎ形のバンドの窓の広い半導体基板
を構成する。周期律表のＩＩＢ族の少なくとも１種類の
金属元素と周期律表のＶＩＡ族の１種類の非金属元素と
で形成される半導体化合物の膜１３が層１２の上に沈積
される。膜１３の面の上に金の様な導電金属の層１４が
沈積される。
この発明の目的は、層１４が膜１３と良好なオーミック
接触をする様にすることである。必要であれば、層１４
の面の上に適当な格子パターンを沈積することが出来る
。
接触をする様にすることである。必要であれば、層１４
の面の上に適当な格子パターンを沈積することが出来る
。
第２図に示したこの発明の実施例は、この発明の実施例
と同一であシ、と、′れを実現する方法は、特定の半導
体装置について説明するのが最も判シ易い。次にその構
成方法を説明する。第１図に示した光起電力装置を作る
方法が、米国特許第４゜３８８．４８３号に詳しく記載
されている。この米国特許に記載される様に、テルル化
カドミウム膜１３を電着してその熱処理金して、ｐ形テ
ルル化カドミウム膜を形成した後、更に評価する為に、
膜１３を４つの区分に切断する。この膜の第１の区分を
容積で９８重量％のＨ２Ｓ０Ｌ１１部及び飽和に２Ｃｒ
２０７溶液１部から成る溶液を用いて、約２秒間食刻し
、その後脱イオン水で洗滌し、窒素ガスを吹付けて乾か
す。次に電池を高温（６５℃）のヒドラジンの中に１分
間浸漬し、その後脱イオン水で洗滌し、窒素を吹付けて
乾かす。次に、膜１３の面に金属１４を蒸着した。この
結果得られた光起電力電池を測定した結果が第３図の曲
線ａで示されている。これは充填係数が約０．５５であ
シ、全体的な効率が７．４チであった。
と同一であシ、と、′れを実現する方法は、特定の半導
体装置について説明するのが最も判シ易い。次にその構
成方法を説明する。第１図に示した光起電力装置を作る
方法が、米国特許第４゜３８８．４８３号に詳しく記載
されている。この米国特許に記載される様に、テルル化
カドミウム膜１３を電着してその熱処理金して、ｐ形テ
ルル化カドミウム膜を形成した後、更に評価する為に、
膜１３を４つの区分に切断する。この膜の第１の区分を
容積で９８重量％のＨ２Ｓ０Ｌ１１部及び飽和に２Ｃｒ
２０７溶液１部から成る溶液を用いて、約２秒間食刻し
、その後脱イオン水で洗滌し、窒素ガスを吹付けて乾か
す。次に電池を高温（６５℃）のヒドラジンの中に１分
間浸漬し、その後脱イオン水で洗滌し、窒素を吹付けて
乾かす。次に、膜１３の面に金属１４を蒸着した。この
結果得られた光起電力電池を測定した結果が第３図の曲
線ａで示されている。これは充填係数が約０．５５であ
シ、全体的な効率が７．４チであった。
この発明の方法と比較する為、ｐ形テルル化カドミウム
膜の２番目の区分を容積で９８重量％のＨ２Ｓ０ｑ溶液
１部、飽和に２Ｃｒ２０？溶液１部を用いて、約２秒間
食刻し、その後脱イオン水で洗滌し、窒素を吹付けて乾
かした。その後金層１４を蒸着によって沈積した。前に
述べた様に、この従来の方法は、比抵抗の小さい単結晶
のｐ形ＣｄＴｅに良好な接点をつける最良の方法とこれ
まで考えられていたものである。
膜の２番目の区分を容積で９８重量％のＨ２Ｓ０ｑ溶液
１部、飽和に２Ｃｒ２０？溶液１部を用いて、約２秒間
食刻し、その後脱イオン水で洗滌し、窒素を吹付けて乾
かした。その後金層１４を蒸着によって沈積した。前に
述べた様に、この従来の方法は、比抵抗の小さい単結晶
のｐ形ＣｄＴｅに良好な接点をつける最良の方法とこれ
まで考えられていたものである。
その結果得られる光起電力電池の性能が第３図の曲線す
で示されておシ、この場合ｖｏｃ及びＩｓｃの両方が減
少し、曲線の形によって、充填係数は約０．３２になシ
、全体的な効率は２．９俤であった。
で示されておシ、この場合ｖｏｃ及びＩｓｃの両方が減
少し、曲線の形によって、充填係数は約０．３２になシ
、全体的な効率は２．９俤であった。
このデータは、従来の方法では、この発明の方法に較べ
て、層１４と膜１３の間に大きな直列抵抗があることを
示している。ｐ形のテルル化カドミウムの３番目の区分
を用い、このｐ形のテルル化カドミウム膜の面を０．１
％の臭素メタノール溶液で約３秒間食刻し、その後メタ
ノールで洗滌し、窒素ガスを吹付けて乾かすことによシ
、別の比較を行なった。その後、蒸着によって金層１４
を沈積した。前に述べた様に、この手順は、抵抗値の大
きいｐ形のテルル化カドミウムの多結晶薄膜に対して知
られている普通の手順であシ、その結果得られた光起電
力電池の性能が第３図の曲線Ｃで示されている。この場
合もｖｏｃ及びＩｎｃの両方が曲線ａに較べて小さくな
シ、その結果、充填係数は約０．４にな夛、全体的な効
率は約３係になる。
て、層１４と膜１３の間に大きな直列抵抗があることを
示している。ｐ形のテルル化カドミウムの３番目の区分
を用い、このｐ形のテルル化カドミウム膜の面を０．１
％の臭素メタノール溶液で約３秒間食刻し、その後メタ
ノールで洗滌し、窒素ガスを吹付けて乾かすことによシ
、別の比較を行なった。その後、蒸着によって金層１４
を沈積した。前に述べた様に、この手順は、抵抗値の大
きいｐ形のテルル化カドミウムの多結晶薄膜に対して知
られている普通の手順であシ、その結果得られた光起電
力電池の性能が第３図の曲線Ｃで示されている。この場
合もｖｏｃ及びＩｎｃの両方が曲線ａに較べて小さくな
シ、その結果、充填係数は約０．４にな夛、全体的な効
率は約３係になる。
曲線Ｃの形は、膜１３と層１４の界面に実質的な抵抗が
あることを示している。更にＩの太き力値でｌ−Ｖの勾
配が減少することは、Ａｕ／ｐ−ＣｄＴｅ界面に望まし
くない障壁が存在していることを示している。最後に、
層１４を沈積する前に、高温のヒドラジンの中に１分間
浸漬し、その後脱イオン水で洗滌して、窒素を吹付けて
乾かす以外は、第３の区分と同じ様にして、ｐ形のテル
ル化カドミウム膜の４番目の区分を処理した。その後、
膜１３の上に金層１４を蒸着した。この結果得られた光
起電力装置が第３図の曲ａｄで示されておシ、充填係数
は０．２６、全体的な効率は約２．５チである。この曲
線の形は、Ａｕ／ＣｄＴｅ界面に非常に強力な障壁があ
ることを示している。
あることを示している。更にＩの太き力値でｌ−Ｖの勾
配が減少することは、Ａｕ／ｐ−ＣｄＴｅ界面に望まし
くない障壁が存在していることを示している。最後に、
層１４を沈積する前に、高温のヒドラジンの中に１分間
浸漬し、その後脱イオン水で洗滌して、窒素を吹付けて
乾かす以外は、第３の区分と同じ様にして、ｐ形のテル
ル化カドミウム膜の４番目の区分を処理した。その後、
膜１３の上に金層１４を蒸着した。この結果得られた光
起電力装置が第３図の曲ａｄで示されておシ、充填係数
は０．２６、全体的な効率は約２．５チである。この曲
線の形は、Ａｕ／ＣｄＴｅ界面に非常に強力な障壁があ
ることを示している。
第３図に示したサンプルに対する測定結果を表１にまと
めである。表１に示す様に、この発明の方法によって達
成される改良によシ、過大な直列抵抗がなくなると共に
、Ａｕ／ＣｄＴｅ界面の望ましくない障壁がなくなシ、
装置の効率が２倍以上になる。
めである。表１に示す様に、この発明の方法によって達
成される改良によシ、過大な直列抵抗がなくなると共に
、Ａｕ／ＣｄＴｅ界面の望ましくない障壁がなくなシ、
装置の効率が２倍以上になる。
表１
２ 重クロム酸塩食刻 ２９
３ 臭素メタノール食刻 ３０
この発明の方法の各にの工程で、いろいろな材料を使う
ことが出来る。非金属分の多い面を形成する様に、膜の
面を酸性溶液で食刻することに関しては、食刻剤は重ク
ロム酸塩又は過酸化物化合物の様な、強い酸＋酸化剤の
任意のものであってよい。同様に、酸は硫酸、硝酸、塩
化水素酸又は弗化水素酸の様な任意の強い酸であってよ
い。２番目の「食刻」に使われる塩基性溶液について云
うと、これはヒドラジンの様々任意の強い塩基又は水酸
化カリウム或いは水酸化ナトリウムの様なアルカリ金属
水酸化物の溶液であってよい。「食刻」に特にカギを付
したのは、面から測定し得る様な材料を除去するもので
はなく、酸で食刻した面を処理して、金の様な金属と一
層よいオーミック接触をする様に、テルル分をよシ多く
するものだからでおる。導電層を形成する為に使うこと
の出来る金属は、白金、金、銀、銅又はこれらの１つ又
は更に多くの合金であってよい。
ことが出来る。非金属分の多い面を形成する様に、膜の
面を酸性溶液で食刻することに関しては、食刻剤は重ク
ロム酸塩又は過酸化物化合物の様な、強い酸＋酸化剤の
任意のものであってよい。同様に、酸は硫酸、硝酸、塩
化水素酸又は弗化水素酸の様な任意の強い酸であってよ
い。２番目の「食刻」に使われる塩基性溶液について云
うと、これはヒドラジンの様々任意の強い塩基又は水酸
化カリウム或いは水酸化ナトリウムの様なアルカリ金属
水酸化物の溶液であってよい。「食刻」に特にカギを付
したのは、面から測定し得る様な材料を除去するもので
はなく、酸で食刻した面を処理して、金の様な金属と一
層よいオーミック接触をする様に、テルル分をよシ多く
するものだからでおる。導電層を形成する為に使うこと
の出来る金属は、白金、金、銀、銅又はこれらの１つ又
は更に多くの合金であってよい。
食刻及び処理工程自体について説明すると、食刻時間は
、薄い表面層（厚さが約１００乃至１，０００′Ａ）だ
けが食刻によって除かれる様に、酸化性化合物の濃度に
応じて調節しなければならない。更に、酸性食刻剤は、
テルル分の多い面の様な非金属分の多い面を形成する様
な種類にすべきでおる。
、薄い表面層（厚さが約１００乃至１，０００′Ａ）だ
けが食刻によって除かれる様に、酸化性化合物の濃度に
応じて調節しなければならない。更に、酸性食刻剤は、
テルル分の多い面の様な非金属分の多い面を形成する様
な種類にすべきでおる。
この為、臭素メタノール食刻剤の様な食刻剤は、割合化
学量論的な面を残すので、この所望の結果を達成出来な
い。
学量論的な面を残すので、この所望の結果を達成出来な
い。
塩基性溶液を用いた処理について云うと、時間は溶液の
温度に関係する。６５℃の溶液では１乃至５分で所望の
結果が得られるが、室温の溶液を使う場合、最低限５分
が望ましい。然し、必要最小限よシも長い時間が必ずし
も有利ではない。表２及び３は、塩基性溶液に於ける処
理時間の関数として、２つの異なる基板に対してこの発
明に従って作られた２組の装置に対する太陽電池のパラ
メータを示している。
温度に関係する。６５℃の溶液では１乃至５分で所望の
結果が得られるが、室温の溶液を使う場合、最低限５分
が望ましい。然し、必要最小限よシも長い時間が必ずし
も有利ではない。表２及び３は、塩基性溶液に於ける処
理時間の関数として、２つの異なる基板に対してこの発
明に従って作られた２組の装置に対する太陽電池のパラ
メータを示している。
表２
装置 塩基性食刻剤 効率
Ａ ２５℃で３０分 ６．５９％
Ｂ ２５℃で１５分 ６．６１チ
Ｃ７０℃で５分 ６．５６分
表３
装置 塩基性食刻剤 効率
Ｄ ２５℃で１５分 ９．１チ
Ｅ ２５℃で４５分 ９．１係
Ｆ ２５℃で９０分 ８９チ
測定された効率は、こ＼で考えている時間では、処理時
間の影響を受けない。室温で約１０乃至４５分の範囲内
の処理をすると、面から酸化物の望ましくない影響をな
くすだけでなく、その後で沈積する金属層と良好なオー
ミック接触をする様な形で、面を処理する適当な結果が
得られる様に思われる。
間の影響を受けない。室温で約１０乃至４５分の範囲内
の処理をすると、面から酸化物の望ましくない影響をな
くすだけでなく、その後で沈積する金属層と良好なオー
ミック接触をする様な形で、面を処理する適当な結果が
得られる様に思われる。
従来に較べてこの発明が達成する重要な利点をはつきシ
と示す多くの特徴がおる。この為、この発明によって得
られた予想外の並外れた結果を例示する為に、若干の目
につく特徴だけを指摘する。
と示す多くの特徴がおる。この為、この発明によって得
られた予想外の並外れた結果を例示する為に、若干の目
につく特徴だけを指摘する。
１つの特徴が第３図に示されている。単結晶のｐ形のテ
ルル化カドミウム並びに多結晶のｐ形のテルル化カドミ
ウムに対する普通の面の処理では、何れも金属層とテル
ル化カドミウム層の間に実質的な抵抗が生ずる。従って
、この発明の結果を達成する為には、上に述べた処理工
程を使うことが必要である。この発明の別の特徴は、多
結晶の面に関係するが、普通の食刻用の臭素メタノール
を使うと、その後の塩基性処理と組合せても、所望の結
果が得られないことである。この為、所望の結果をもた
らすのは、酸性食刻と塩基性処理の独特の組合せである
。
ルル化カドミウム並びに多結晶のｐ形のテルル化カドミ
ウムに対する普通の面の処理では、何れも金属層とテル
ル化カドミウム層の間に実質的な抵抗が生ずる。従って
、この発明の結果を達成する為には、上に述べた処理工
程を使うことが必要である。この発明の別の特徴は、多
結晶の面に関係するが、普通の食刻用の臭素メタノール
を使うと、その後の塩基性処理と組合せても、所望の結
果が得られないことである。この為、所望の結果をもた
らすのは、酸性食刻と塩基性処理の独特の組合せである
。
以上の説明はこの発明を例示するものにすぎず、この発
明がこれに制約されるものではないことを承知されたい
。特許請求の範囲の記載から、当業者に容易に考えられ
る様ないろいろな変更は、この発明の範囲内に含まれる
ことを承知されたい。
明がこれに制約されるものではないことを承知されたい
。特許請求の範囲の記載から、当業者に容易に考えられ
る様ないろいろな変更は、この発明の範囲内に含まれる
ことを承知されたい。
第１図はこの発明によって作られた光起電力電池の好ま
しい実施例の簡略断面図、第２図はこの発明に従って作
られた光起電力電池の別の実施例の断面図、第３図は従
来の方法及びこの発明の方法を用いて作られた種々の電
池の電圧−電流特性を示すグラフである。 手続補正書（自発） 昭和５９年１０月２ノ日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 特願昭５９−１６０１９９号 ２、発明の名称 オーミック接点を形成する方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 ソハイオ コマーシャル デベロブメント カン
パニー名 称 ビービー ７オトヴオルテツイクス リ
ミテッド４、代理人 〒１０７ 東京都港区赤坂２丁目２番２１号６、補正の
対象 （１）願書の特許出願人代表者の鼎
しい実施例の簡略断面図、第２図はこの発明に従って作
られた光起電力電池の別の実施例の断面図、第３図は従
来の方法及びこの発明の方法を用いて作られた種々の電
池の電圧−電流特性を示すグラフである。 手続補正書（自発） 昭和５９年１０月２ノ日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 特願昭５９−１６０１９９号 ２、発明の名称 オーミック接点を形成する方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 ソハイオ コマーシャル デベロブメント カン
パニー名 称 ビービー ７オトヴオルテツイクス リ
ミテッド４、代理人 〒１０７ 東京都港区赤坂２丁目２番２１号６、補正の
対象 （１）願書の特許出願人代表者の鼎
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）周期律表のＪＩＢ族の少なくとも１種類の金属元素
と周期律表のＶＩＡ族の１種類の非金属元素とで形成さ
れたｐ形半導体化合物の薄膜に対してオーミック接点を
形成する方法に於て、前記薄膜の表面を酸性溶液で食刻
して非金属分の多面を形成し、前記酸で食刻した薄膜の
面を塩基性溶液で処理し、前記食刻して処理した面の上
に導電金属層を沈積する工程から成る方法。 ２、特許請求の範囲１）に記載した方法に於て、酸性溶
液が酸化性酸性溶液である方法。 ３）特許請求の範囲２）に記載した方法に於て、前記酸
化性酸性溶液が重クロム依又は過酸化物化合物を酸化剤
として含む方法。 ４）特許請求の範囲２）に記載した方法に於て、酸化性
酸性溶液が硫酸、硝酸、塩化水素酸又は弗化水素酸を酸
として含んでいる方法。 ５）特許請求の範囲１）に記載した方法に於て、塩基性
溶液がヒドラジン又はアルカリ金属水酸化物溶液で構成
される強い塩基性溶液である方法。 ６）特許請求の範囲１）に記載した方法に於て、導電金
属が白金、金、銀、銅又はこれらの金属の１つ又は更に
多くの合金を含んでいる方法。 ７）特許請求の範囲１）に記載した方法に於て、酸性溶
液が重クロム酸塩であシ、塩基性溶液がヒドラジンであ
る方法。 ８）特許請求の範囲７）に記載した方法に於て、重クロ
ム酸塩が容積で１部のＨ２ＳＯ１１及び１部の飽和に２
Ｃｒ２０７で構成される方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US524411 | 1983-08-18 | ||
| US06/524,411 US4456630A (en) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | Method of forming ohmic contacts |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070724A true JPS6070724A (ja) | 1985-04-22 |
| JPH0478004B2 JPH0478004B2 (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=24089102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59160199A Granted JPS6070724A (ja) | 1983-08-18 | 1984-07-30 | オ−ミツク接点を形成する方法 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4456630A (ja) |
| EP (1) | EP0139884B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6070724A (ja) |
| AU (1) | AU553558B2 (ja) |
| CA (1) | CA1208372A (ja) |
| DE (1) | DE3476141D1 (ja) |
| ES (1) | ES534777A0 (ja) |
| IL (1) | IL72460A (ja) |
| IN (1) | IN164151B (ja) |
| NO (1) | NO842822L (ja) |
| ZA (1) | ZA845431B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4666569A (en) * | 1984-12-28 | 1987-05-19 | Standard Oil Commercial Development Company | Method of making multilayer ohmic contact to thin film p-type II-VI semiconductor |
| US4680611A (en) * | 1984-12-28 | 1987-07-14 | Sohio Commercial Development Co. | Multilayer ohmic contact for p-type semiconductor and method of making same |
| US4735662A (en) * | 1987-01-06 | 1988-04-05 | The Standard Oil Company | Stable ohmic contacts to thin films of p-type tellurium-containing II-VI semiconductors |
| US4956304A (en) * | 1988-04-07 | 1990-09-11 | Santa Barbara Research Center | Buried junction infrared photodetector process |
| US5035769A (en) * | 1989-10-04 | 1991-07-30 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Nondestructive method for chemically machining crucibles or molds from their enclosed ingots and castings |
| GB9123684D0 (en) * | 1991-11-07 | 1992-01-02 | Bp Solar Ltd | Ohmic contacts |
| US5229324A (en) * | 1991-12-23 | 1993-07-20 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming contacts to p-type HgCdTe semiconductor material using lead and tin |
| US5557146A (en) * | 1993-07-14 | 1996-09-17 | University Of South Florida | Ohmic contact using binder paste with semiconductor material dispersed therein |
| JP3344287B2 (ja) * | 1996-08-30 | 2002-11-11 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体結晶の表面清浄化方法 |
| US5909632A (en) * | 1997-09-25 | 1999-06-01 | Midwest Research Institute | Use of separate ZnTe interface layers to form OHMIC contacts to p-CdTe films |
| US6281035B1 (en) | 1997-09-25 | 2001-08-28 | Midwest Research Institute | Ion-beam treatment to prepare surfaces of p-CdTe films |
| CN1214469C (zh) * | 2000-04-06 | 2005-08-10 | 阿克佐诺贝尔股份有限公司 | 制造光伏箔的方法 |
| WO2002091483A2 (en) * | 2001-05-08 | 2002-11-14 | Bp Corporation North America Inc. | Improved photovoltaic device |
| US20070184573A1 (en) * | 2006-02-08 | 2007-08-09 | Guardian Industries Corp., | Method of making a thermally treated coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating for use in a semiconductor device |
| US8298380B2 (en) * | 2006-05-23 | 2012-10-30 | Guardian Industries Corp. | Method of making thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating in color compression configuration, and product made using same |
| AU2009226128A1 (en) | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Solexant Corp. | Improved back contact in thin solar cells |
| US8410357B2 (en) * | 2008-03-18 | 2013-04-02 | Solexant Corp. | Back contact for thin film solar cells |
| US8143512B2 (en) * | 2008-03-26 | 2012-03-27 | Solexant Corp. | Junctions in substrate solar cells |
| WO2011044382A1 (en) * | 2009-10-07 | 2011-04-14 | Reel Solar Incorporated | Porous substrates for fabrication of thin film solar cells |
| US20110117696A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-19 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | CdTe SURFACE TREATMENT FOR STABLE BACK CONTACTS |
| US8524524B2 (en) | 2010-04-22 | 2013-09-03 | General Electric Company | Methods for forming back contact electrodes for cadmium telluride photovoltaic cells |
| US8187963B2 (en) | 2010-05-24 | 2012-05-29 | EncoreSolar, Inc. | Method of forming back contact to a cadmium telluride solar cell |
| US9397238B2 (en) * | 2011-09-19 | 2016-07-19 | First Solar, Inc. | Method of etching a semiconductor layer of a photovoltaic device |
| US9276157B2 (en) | 2012-08-31 | 2016-03-01 | First Solar, Inc. | Methods of treating a semiconductor layer |
| US9231134B2 (en) | 2012-08-31 | 2016-01-05 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices |
| WO2014144120A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | First Solar, Inc. | Method of manufacturing a photovoltaic device |
| CN104518045B (zh) | 2013-09-26 | 2018-03-23 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 用来调理CdTe薄层太阳能电池的CdTe层的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US2822299A (en) * | 1955-11-28 | 1958-02-04 | Philips Corp | Method of making a cadmium-telluride semi-conductive device |
| US4319069A (en) * | 1980-07-25 | 1982-03-09 | Eastman Kodak Company | Semiconductor devices having improved low-resistance contacts to p-type CdTe, and method of preparation |
-
1983
- 1983-08-18 US US06/524,411 patent/US4456630A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-06-26 IN IN460/MAS/84A patent/IN164151B/en unknown
- 1984-07-10 CA CA000458561A patent/CA1208372A/en not_active Expired
- 1984-07-10 AU AU30462/84A patent/AU553558B2/en not_active Ceased
- 1984-07-11 NO NO842822A patent/NO842822L/no unknown
- 1984-07-13 ZA ZA845431A patent/ZA845431B/xx unknown
- 1984-07-20 IL IL72460A patent/IL72460A/xx unknown
- 1984-07-24 EP EP84108747A patent/EP0139884B1/en not_active Expired
- 1984-07-24 DE DE8484108747T patent/DE3476141D1/de not_active Expired
- 1984-07-30 JP JP59160199A patent/JPS6070724A/ja active Granted
- 1984-07-31 ES ES534777A patent/ES534777A0/es active Granted
Also Published As
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| JPH0478004B2 (ja) | 1992-12-10 |
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