JP2006287191A - チャネル長を増大させた半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
チャネル長を増大させた半導体素子及びその製造方法Info
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Abstract
【解決手段】半導体素子は、半導体基板の所定領域に形成されたトレンチ(26)と、第1リセス(28)と、トレンチ及び第1リセスに埋め込まれたフィールド酸化膜(30)(STI+LOI)と、フィールド酸化膜により画定され、第1領域(21A)、及び第1領域に比べて表面の位置が低い第2領域(21B)である第2リセス(33)を有する活性領域と、第1領域及び第2領域の境界領域の上に形成され、一方の側面が第1領域の表面まで延び、他方の側面が第2領域の表面まで延び、ステップ構造を有するステップゲートパターン(SG)とを備える。
【選択図】図2
Description
22 パッド酸化膜
23 パッド窒化膜
24 第1反射防止膜
25 STIマスク
26 トレンチ
27 スペーサ
28 第1リセス
29 リセス酸化膜
30 フィールド酸化膜
31 第2反射防止膜
32 STARマスク
33 第2リセス
34 ゲートパターン酸化膜
35 ゲートパターン電極
36 ゲートパターンハードマスク
Claims (23)
- 半導体基板の所定領域に形成されたトレンチと、
該トレンチの下に形成された第1リセスと、
前記トレンチ及び前記第1リセスに埋め込まれたフィールド酸化膜と、
該フィールド酸化膜により画定され、第1領域、及び該第1領域に比べて表面の位置が低い第2領域である第2リセスを有する活性領域と、
前記第1領域及び前記第2領域の境界領域の上に形成され、一方の側面が前記第1領域の表面まで延びて、他方の側面が前記第2領域の表面まで延びて、ステップ構造を有するステップゲートパターンと
を備えることを特徴とする半導体素子。 - 前記フィールド酸化膜が埋め込まれた前記第1リセスが、
前記トレンチの下から側方に延びた半楕円形状のであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。 - 前記フィールド酸化膜が、
前記第1リセスの表面上に形成された第1絶縁膜と、
前記トレンチの側壁に形成されたスペーサ状の第2絶縁膜と、
前記第1リセス及び前記トレンチを全て埋め込む第3絶縁膜と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。 - 前記第1絶縁膜及び前記第3絶縁膜が、酸化膜であり、
前記第2絶縁膜が、酸化膜、窒化膜及び酸化膜の三重層構造の膜であることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子。 - 前記第2リセスにおいて、
前記第1領域と前記第2領域との間の段差が、200Å〜600Åであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。 - 半導体基板の所定領域に形成されたトレンチと、
該トレンチの下に形成された第1リセスと、
前記トレンチ及び前記第1リセスに埋め込まれたフィールド酸化膜と、
該フィールド酸化膜により画定され、所定の深さの第2リセスを有する活性領域と、
下部が前記第2リセスに埋め込まれ、上部が前記活性領域の表面上に突出するリセスゲートパターンと
を備えることを特徴とする半導体素子。 - 前記フィールド酸化膜が埋め込まれた前記第1リセスが、
前記トレンチの下から側面に延びた半楕円形状であることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子。 - 前記フィールド酸化膜が、
前記第1リセスの表面上に形成された第1絶縁膜と、
前記トレンチの側壁に形成されたスペーサ状の第2絶縁膜と、
前記第1リセス及び前記トレンチを全て埋め込む第3絶縁膜と
を備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子。 - 前記第1絶縁膜及び前記第3絶縁膜が、酸化膜であり、
前記第2絶縁膜が、酸化膜、窒化膜及び酸化膜の三重層構造の膜であることを特徴とする請求項8に記載の半導体素子。 - 素子分離領域及び活性領域が画定された半導体基板の素子分離領域にトレンチを形成するステップと、
該トレンチの下に両端が前記活性領域側に側方に延びる第1リセスを形成するステップと、
該第1リセス及び前記トレンチに埋め込まれるフィールド酸化膜を形成するステップと、
前記活性領域の一部を所定の深さにエッチングし、第1領域に比べて表面の位置が低い第2領域である第2リセスを形成するステップと、
前記第1領域及び前記第2領域の境界領域の上に形成され、一方の側面が前記第1領域の表面まで延び、他方の側面が前記第2領域の表面まで延びて、ステップ構造を有するゲートパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第1リセスを形成する前記ステップが、
前記トレンチの側壁に接するスペーサを形成するステップと、
該スペーサをエッチングバリアにして前記トレンチの底を等方性エッチングし、前記第1リセスを形成するステップと
を含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記等方性エッチングが、
前記第1リセスの両端が、前記スペーサの下から側方に延びるようなエッチング条件で行われることを特徴とする請求項11に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記等方性エッチングが、
266.6Pa〜26664Pa(2Torr〜200Torr)の圧力下で、0.5分〜60分間、HClの流量を0.1slm〜1slm、H2の流量を10slm〜50slmにし、且つエッチング温度を700℃〜1000℃にして行われることを特徴とする請求項12に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記等方性エッチングの前に、
水素雰囲気中、且つ800℃〜1000℃で前熱処理することを特徴とする請求項11に記載の製造方法。 - 前記スペーサを形成する前記ステップが、
前記トレンチの底を側壁酸化させ、第1酸化膜を形成するステップと、
該第1酸化膜上にライナー窒化膜を蒸着するステップと、
該ライナー窒化膜上にライナー酸化によって第2酸化膜を形成するステップと、
該第2酸化膜、前記ライナー窒化膜、及び前記第1酸化膜に対して全面エッチングするステップと
を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第2リセスの深さが、
200Å〜600Åであることを特徴とする請求項10に記載の半導体素子の製造方法。 - 素子分離領域及び活性領域が画定された半導体基板の素子分離領域にトレンチを形成するステップと、
該トレンチの下に両端が前記活性領域側に側方に延びる第1リセスを形成するステップと、
該第1リセス及び前記トレンチに埋め込まれるフィールド酸化膜を形成するステップと、
前記活性領域の一部を所定の深さにエッチングし、第2リセスを形成するステップと、
下部が前記第2リセスに埋め込まれ、上部が前記活性領域の表面上に突出するリセスゲートパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第1リセスを形成する前記ステップが、
前記トレンチの側壁に接するスペーサを形成するステップと、
該スペーサをエッチングバリアにして前記トレンチの底を等方性エッチングし、前記第1リセスを形成するステップと
を含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記等方性エッチングが、
前記第1リセスの両端が、前記スペーサの下から側方に延びるようなエッチング条件で行われることを特徴とする請求項18に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記等方性エッチングが、
266.6Pa〜26664Pa(2Torr〜200Torr)の圧力下で、0.5分〜60分間、HClの流量を0.1slm〜1slm、H2の流量を10slm〜50slmにし、且つエッチング温度を700℃〜1000℃にして行われることを特徴とする請求項19に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記等方性エッチングの前に、
水素雰囲気中、且つ800℃〜1000℃で前熱処理することを特徴とする請求項18に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記スペーサを形成する前記ステップが、
前記トレンチの底を側壁酸化させ、第1酸化膜を形成するステップと、
該第1酸化膜上にライナー窒化膜を蒸着するステップと、
該ライナー窒化膜上にライナー酸化によって第2酸化膜を形成するステップと、
該第2酸化膜、前記ライナー窒化膜、及び前記第1酸化膜に対して全面エッチングするステップと
を含むことを特徴とする請求項18に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第2リセスの深さが、
200Å〜600Åであることを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。
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