JP2005197463A - 半導体記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体記憶装置は、半導体基板1内に形成されたトレンチの内面上に配設され、且つ上面が半導体基板の表面の高さ以上の高さに位置する第1絶縁膜12、14を含む。拡散層11は、トレンチ深部周囲の半導体基板内に形成される。第1導電膜13は第1絶縁膜を介してトレンチ内に埋め込まれる。ゲート電極22は、半導体基板の表面上のゲート絶縁膜上に配設される。ソース/ドレイン拡散層25は、ゲート電極下のチャネル領域を挟むように半導体基板の表面に形成される。第2導電膜31は、第1導電膜上、第1絶縁膜上、およびソース/ドレイン拡散層のいずれか一方の上に延在する。
【選択図】 図1
Description
図1(a)、図1(b)は、本発明の第1実施形態に係る半導体記憶装置の断面図である。図1(a)と図1(b)とは、相互に直交する位置関係を有する。図1(a)、図1(b)に示すように、半導体基板1の表面にウェル領域2が形成されている。半導体基板1の表面内にはトレンチキャパシタCが形成され、半導体基板1(アクティブエリア)上には、MOSトランジスタTが形成される。キャパシタC、およびアレイトランジスタとして機能するMOSトラジスタTにより、DRAMのメモリセルが構成される。
第2実施形態は、第1実施形態の半導体記憶装置の製造方法の他の例に関する。図13(a)、図13(b)は、本発明の第2実施形態に係る半導体記憶装置の断面図である。図13(a)と図13(b)とは、相互に直交する位置関係を有する。第2実施形態に係る半導体記憶装置は、以下の点を除いて第1実施形態と同じである。すなわち、後述するように、製造工程が第1実施形態と異なるため、図13(a)および図13(b)に示すように、素子分離絶縁膜17の溝18の側壁上、およびトレンチ上絶縁膜16の側壁上にスペーサ絶縁膜15が形成されない。
第3実施形態は、第1実施形態の半導体記憶装置の製造方法の他の例に関し、半導体基板1上の全面に接続導電層31が形成された後に、接続導電層31の不要な部分が除去される。断面構造は、第2実施形態の図13(a)および図13(b)と同じである。
第4実施形態では、カラー酸化膜14上にスペーサ絶縁膜15が設けられない。図22(a)および図22(b)は、本発明の第4実施形態に係る半導体記憶装置の断面図である。図22(a)および図22(b)に示すように、カラー酸化膜14上には、スペーサ絶縁膜15が設けられることなく接続導電層31が直接設けられる。その他の部分に関しては、第2、第3実施形態と同じである。
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板内に形成されたトレンチの内面上に配設され、且つ上面が前記半導体基板の表面の高さ以上の高さに位置する第1絶縁膜と、
前記トレンチ深部周囲の前記半導体基板内に形成された拡散層と、
前記第1絶縁膜を介して前記トレンチ内に埋め込まれた第1導電膜と、
前記半導体基板の表面上のゲート絶縁膜上に配設されたゲート電極と、
前記ゲート電極下のチャネル領域を挟むように前記半導体基板の表面に形成されたソース/ドレイン拡散層と、
前記第1導電膜上、前記第1絶縁膜上、および前記ソース/ドレイン拡散層のいずれか一方の上に延在する第2導電膜と、
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1絶縁膜は、前記トレンチ内で前記半導体基板の側面を露出させることなく前記トレンチの内面上に配設されることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第2導電膜は、前記半導体基板の側面に接することなく配設されることを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1導電膜の上面は、前記半導体基板の表面の高さ以上の高さに位置することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 半導体基板内に形成された溝内に、上面が前記半導体基板の表面以上の第1高さを有する第1絶縁膜と、前記溝内に埋め込まれた第1導電膜と、を有するキャパシタを形成する工程と、
前記溝の上方において前記第1絶縁膜と前記第1導電膜上に第2絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板上に、ゲート電極と、前記ゲート電極の下のチャネル領域を挟むように前記半導体基板の表面に形成されたソース/ドレイン拡散層と、を有するトランジスタを形成する工程と、
前記第2絶縁膜を一部除去することにより、前記第1導電膜の上面を露出させる工程と、
前記露出された前記第1導電膜上、および前記ソース/ドレイン拡散層の一方の上に延在する接続導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
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