JP4328396B2 - Dramにおけるメモリセルの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体メモリセルの製造方法に関し、特に、DRAMにおけるコンタクトの形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
DARMプロセスにおいては、製造方法の簡略化、低コスト化、高性能化が必須事項である。従来のディープノードコンタクトエッチング(deep node contact etching)を利用するDRAMのキャパシタオーバビットライン(COB)プロセスでは、DRAMセルのリフレシュタイム性能に影響を及ぼすことがある。これは、キャパシタノードから基板までの距離が比較的長くなるためである。また、ノードコンタクトホールのアスペクト比が高いので、フォトリソグラフィやエッチング技術を利用した形成が難しくなっており、これらによる不具合をかかえている。たとえば、キャパシタノードから基板までの距離が長いためオーバーエッチング時間が増え、信頼性を低下させる原因となっている。すなわち、高アスペクト比のノードコンタクトホールの形成は、コンタクトホールエッチング法で簡単に行えるものではない。
【0003】
数年前、ストレージ電極におけるコンタクトホールのアスペクト比が高いために起こる問題を軽減するため、コンタクトプラグを形成する方法が提示された。この技術は、Parkらの米国特許No.5,332,685「DARMセルの製造方法」に記載されている。また最近ではサムソン社から、同技術を改善した「ランディングパッド」を使った方法が提示されている。この技術は、IEDM '94の635ページにあるKangらの「256メガビット及び1ギガビットDRAMのための高信頼性プロセス技術」に記載されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような従来技術では、製造に必要なマスク工程数が多くなるため、プロセスが複雑になってしまう。したがって、ディープコンタクトエッチングにおける問題を解決可能で、より簡単な製法が望まれる。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明のDRAMにおけるメモリセル製造方法を説明する。本発明によれば、製造負荷を減少させながら必要性能は維持可能なインタープラグプロセスを実施する。
【0006】
その一態様によれば、基板上にアイソレーション領域を形成する工程と、その基板及びアイソレーション領域上にゲート電極を形成する工程と、そのゲート電極の側壁に窒化物からなる第1のスペーサを形成する工程と、前記基板にソース/ドレイン領域を形成する工程と、そのソース/ドレイン領域及び前記ゲート電極上に酸化物からなる第1の絶縁層を形成する工程と、その第1の絶縁層をパターニングしてから、酸化物と窒化物との選択比率が20:1の選択エッチングを使用して、第1の絶縁層を部分的に除去し、開口を形成する第1ステップと等方性エッチングを利用して開口上部を拡大する第2ステップとを含む2ステップエッチング工程によりエッチングし、前記ソース/ドレイン領域の一部を露出させる第1のコンタクトホールを形成する工程と、前記第1の絶縁層上及び第1のコンタクトホール内に第1の導電層を形成する工程と、そのうちの第1の絶縁層上の第1の導電層を除去してインタプラグを形成する工程と、前記第1の絶縁層及び第1の導電層上に第2の絶縁層を形成する工程と、前記第1の導電層の一部が露出するまで前記第2の絶縁層をパターニングしてエッチングし、第2のコンタクトホールを形成する工程と、前記第2の絶縁層上及び第2のコンタクトホール内に第2の導電層を形成してビットラインとする工程と、前記第2の導電層上に第3の絶縁層を形成する工程と、前記第1の導電層の一部が露出するまで、前記第3の絶縁層、第2の導電層及び第2の絶縁層をパターニングしてエッチングし、第3のコンタクトホールを形成する工程と、前記第3のコンタクトホールの内壁に第2のスペーサを形成する工程と、前記第3の絶縁層上及び前記第3のコンタクトホール内に第3の導電層を形成する工程と、その第3の導電層をパターニングしてエッチングし、キャパシタのストレージノードを形成する工程と、そのストレージノード上にキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、そのキャパシタ絶縁膜上にキャパシタプレートを形成する工程と、を実施する。
【0007】
本発明の多くの長所や前記の状態は、付随図面を参照した下記の詳細説明により、いっそう明白になり、かつ、いっそう理解できよう。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明によるDRAMのメモリセル製造方法の一例を以下に説明する。
【0009】
図1〜図6に、本発明によるメモリセル製造方法を工程順に断面図で概略図示してある。
【0010】
図1Aは、中心回路素子のメモリセルを製造する第1の段階の断面図であり、図1Bは、周辺回路素子のトランジスタを製造する第1の段階の断面図である。
【0011】
<100>結晶面をもつ単結晶基板10が使用され、この基板10に、アイソレーション領域が形成される。アイソレーション領域は、フィールド酸化膜や浅いトレンチ領域でよい。本例では、基板10の素子間絶縁に、厚いフィールド酸化(FOX)膜12を形成している。FOX膜12は従来法で形成可能であり、本例では通常のフォトリソグラフィとドライエッチングを使用する。すなわち、まずFOX膜12をパターニングする窒化シリコン膜を基板上に形成し、次いで基板の露出部分に酸素雰囲気中の熱酸化処理を実施して、厚さ約4000〜6000オングストロームのFOX膜12を成長させる。そして、窒化シリコン膜を除去する。
【0012】
次に、MOSFET用のゲート酸化膜として酸化シリコン層を基板10の表面に形成する。本例では、800〜950℃の温度で酸素雰囲気を利用することにより酸化シリコン層を形成するが、この他にも、適当な酸化化学反応及び手順を利用して酸化膜を形成するなど可能である。本例では、厚さ80〜150オングストロームの酸化シリコン層を形成している。
【0013】
続いて、低圧化学蒸着法(LPCVD)を使い、FOX膜12の上に第1ポリシリコン層及び酸化シリコン層を形成する。そして、MOSFETのゲート電極とするために第1ポリシリコン層をドープ処理する。本例では、第1ポリシリコン層の厚さを500〜2000オングストロームとするので、1020〜1021ions/cm3の濃度とした燐ドーパントでドープを行う。次いで、ポリシリコンゲートとこれに続いて形成される金属コネクトとの間の相互接続をよくするため、第1ポリシリコン層上に第1タングステンシリサイド層を形成する。このように第1ポリシリコン層と第1タングステンシリサイド層が積層されてポリサイド層14が形成される。
【0014】
この後に従来同様にして第1絶縁層16を形成する。本例の第1絶縁層16は、窒化シリコン層あるいは酸化シリコン層のいずれでもよい。第1絶縁層16の厚さは1000〜2500オングストロームとする。第1絶縁層16を形成すると、通常のフォトリソグラフィ及びエッチングを使ってゲート構造14,16を形成する。そしてゲート構造14,16の側壁に、側壁スペーサ16Aが設けられる。本例の側壁スペーサ16Aは窒化シリコンからなる。
【0015】
図2Aは、中心回路における次の段階を示しており、図2Bは、同じく周辺回路における次の段階を示している。
【0016】
周知の方法で不純物注入して活性化させることにより、活性領域17(MOSFETのソース及びドレイン)を形成する。このときに、当業者にはよく知られているように、ライトリィドープドレイン(LDD)構造を形成することも可能である。
【0017】
これに続いて、基板10及びゲート構造の上に、絶縁のための第2絶縁層18を形成する。本例における第2絶縁層18は、通常のCVDを使った1500〜3000オングストロームの厚さのTEOSなど酸化物で構成されている。そして、この第2絶縁層18をパターニングしてソース/ドレイン領域の一部表面を露出させ、第1コンタクトホールを形成する。本例では、第2絶縁層18のパターニングにフォトリソグラフィを利用しているが、第2絶縁層18の部分除去には2ステップのエッチングを行う。
【0018】
その2ステップエッチング工程の第1ステップでは、セルフアラインコンタクト(SAC)エッチングを使用して第2絶縁層18を部分的に除去し、開口を形成する。本例では、ソース/ドレイン領域の表面が露出するまで第2絶縁層18に選択的エッチングを施す。この選択的エッチング処理では、酸化物と窒化物の選択比率を20:1としている。
【0019】
2ステップエッチング工程の第2ステップでは、等方性エッチングを利用する。この等方性エッチングにより、開口上部を物理的に拡大することができる。このときの等方性エッチングには適当なエッチング処理、たとえばHF溶液を使用したウエットエッチングなどを使えばよい。あるいは、CF4ガスを使用したプラズマエッチングを使うこともできる。
【0020】
この2ステップエッチングの結果、図2に示されるような第1コンタクトホールが形成される。
【0021】
図3Aは中心回路、図3Bは周辺回路の次の段階を同様に示している。
【0022】
図3においては、第2絶縁層18に開けた第1コンタクトホールを埋める第2ポリシリコン層を形成する。本例ではLPCVDを使い第2ポリシリコン層を形成している。そして、この第2ポリシリコン層を、MOSFET構造用の導電プラグを形成するためにドープする。第2ポリシリコン層の厚さを2000〜4000オングストロームとする場合、1017〜1018ions/cm3の濃度の燐ドーパントでドープする。次いで第2絶縁層18の上にあるポリシリコン層を除去し、インタープラグ20を形成する。本例ではこの工程で、ブランケットポリシリコンエッチバック(blanket polysilicon etchback)プロセスを使う。このブランケットポリシリコンエッチバックには適当なエッチングプロセスを使えばよい。ブランケットポリシリコンエッチバックは、CF4ガスを使っての実施が可能である。これにより形成されるインタープラグ20が、ストレージノードコンタクトのアスペクト比を低減させる。
【0023】
次の段階が、中心回路の図4A及び周辺回路の図4Bに図示されている。
【0024】
図4のように、第2絶縁層18及びインタープラグ20の上に、次の段階で形成するビットラインとの絶縁用に第3絶縁層22を形成する。本例の第3絶縁層22は、通常のCVDを使って3500〜8500オングストロームの厚さに形成したBPSGなどの酸化物からなる。このとき、第2絶縁層18上に1500〜3000オングストローム厚の第3絶縁層22を残せるようにして、第3絶縁層22を平坦化処理するのが好ましい。その平坦化処理は、化学機械研磨プロセス(CMP)又はエッチバックプロセスの利用が可能である。エッチバックは、適当であればどのようなプロセスでも実施できる。
【0025】
この後、形成した第3絶縁層22をパターニングして第2コンタクトホールを形成する。その第3絶縁層22のパターニングには通常のフォトリソグラフィを利用し、そして第3絶縁層22の部分除去には、縮小コンタクトエッチング(reduced-contact etching:RCE)を行う。縮小コンタクトエッチングにより、ステッパのオーバーレイ仕様内においてビットラインがインタープラグ20の領域に収まることを保証できる。本例における縮小コンタクトエッチングは、オキサイドRCE、SiNRCE、ポリRCE、ポリマーRCEで行う。これにより、第2コンタクトホールが形成される。
【0026】
続いて、第3絶縁層22の第2コンタクトホールを埋める第3ポリシリコン層24を形成する。本例の第3ポリシリコン層24はLPCVDを使って形成し、MOSFET構造用の導電プラグを形成するとともにMOSFET構造用の導電線を形成するために、その第3ポリシリコン層をドープする。本例では、第3ポリシリコン層の厚さを500〜2000オングストロームとし、1020〜1021ions/cm3の濃度の燐ドーパントでドープする。そして、第3ポリシリコン層上に第2タングステンシリサイド層26を形成して第2コンタクトホールを埋め、次に形成する金属コンタクトとの相互接続をよくする。これら第3ポリシリコン層と第2タングステンシリサイド層の積層が、ビットラインとしてのポリサイド層となる。
【0027】
第2タングステンシリサイド層26の上には第4絶縁層28を形成する。この第4絶縁層28により、ビットラインとストレージ電極が絶縁される。本例の第4絶縁層28は、通常のCVDにより1000〜300オングストロームの厚さに蒸着したBPSGなどの酸化物とする。
【0028】
図5Aに、中心回路における次の段階、図5Bに、周辺回路における次の段階が示されている。
【0029】
この段階では、第4絶縁層28、第2タングステンシリサイド層26、第3ポリシリコン層24をパターニングして第3コンタクトホールを形成する。本例では、通常のフォトリソグラフィを使って第3絶縁層28、第2タングステンシリサイド層26、第3ポリシリコン層24をパターニングし、そして第4絶縁層28、第2タングステンシリサイド層26、第3ポリシリコン層24を除去するのに縮小コンタクトエッチング(RCE)プロセスを使用する。縮小コンタクトエッチングにより、インタープラグの領域内にノードコンタクトを確実に限定できる。本例の縮小コンタクトエッチングは、オキサイドRCE、SiNRCE、ポリRCE、ポリマーRCEで行う。
【0030】
続いて、形成した第3コンタクトホールの内壁にスペーサ30を形成し、ノードコンタクトとしての第3コンタクトホールを完成する。スペーサ30に適当な材料は、たとえば窒化物、ポリマー、ポリシリコン、酸化物である。本例では、第4絶縁層28から開けた第3コンタクトホール内に薄い窒化膜を形成し、エッチングプロセスでその窒化膜をエッチバックすることで窒化膜スペーサを形成する。このスペーサ30により、ウエットディップエッチング(wet dip etching)プロセスにおけるノードコンタクトやビットラインの剥離を防止できる。すなわち、実際の製造工程では、コンタクトホールを導電材で埋める前にコンタクトホールを清浄するため、必要に応じてウエットディップエッチングが行われる。
【0031】
図6Aに、中心回路における最終段階、図6Bに、周辺回路における最終段階が示されている。
【0032】
第4絶縁層28に開けた第3コンタクトホールを埋める第4ポリシリコン層32を、LPCVDにより形成する。この第4絶縁層28上の第4ポリシリコン層32の厚さは、1500〜10000オングストロームとする。そして、第4ポリシリコン層32に1020〜1021ions/cm3の濃度の燐ドーパントでドーピングを施し、導電性を増加させる。このポリシリコンのドープ処理には、たとえばin−situドーピングなどの適当な手法を利用する。
【0033】
この後に、適切な従来手法にてキャパシタ絶縁膜(ONOなど)及び上部ストレージノードを形成すれば、キャパシタが完成する。すなわち、キャパシタの底部ストレージノード上に第5絶縁層34を形成し、この第5絶縁層34上に第5ポリシリコン層36を形成すれば、キャパシタ構造が完成する。
【0034】
本発明は上記の例で図示説明したものに限定されず、その他にも、本発明の請求範囲の中で多様な変更が可能なことは、当業者にとって明白である。
【0035】
【発明の効果】
本発明によれば、インタープラグにより、深く且つ小さなコンタクトホールの形成、ディープコンタクトエッチングによるノード基板の損傷やコンタクト深さ調整の困難性、デバイス性能やリフレッシュタイム設計への影響など、従来のディープノードコンタクトにおける問題点を解決することができる。さらに、縮小コンタクトエッチングを実施することにより、ステッパオーバレイ仕様で不要なインタープラグ領域へビットラインが入り込むことが防止される。すなわち、拡張されたプラグ表面領域をもつ本発明によれば、工程条件変動の許容度を上げ、信頼性を向上させられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のメモリセル製造方法を工程順に示す要部断面図。
【図2】図1の次の段階を示す要部断面図。
【図3】図2の次の段階を示す要部断面図。
【図4】図3の次の段階を示す要部断面図。
【図5】図4の次の段階を示す要部断面図。
【図6】図5の次の段階を示す要部断面図。
Claims (14)
- 基板上にアイソレーション領域を形成する工程と、
その基板及びアイソレーション領域上にゲート電極を形成する工程と、
そのゲート電極の側壁に窒化物からなる第1のスペーサを形成する工程と、
前記基板にソース/ドレイン領域を形成する工程と、
そのソース/ドレイン領域及び前記ゲート電極上に酸化物からなる第1の絶縁層を形成する工程と、
その第1の絶縁層をパターニングしてから、酸化物と窒化物との選択比率が20:1の選択エッチングを使用して、第1の絶縁層を部分的に除去し、開口を形成する第1ステップと等方性エッチングを利用して開口上部を拡大する第2ステップとを含む2ステップエッチング工程によりエッチングし、前記ソース/ドレイン領域の一部を露出させる第1のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第1の絶縁層上及び第1のコンタクトホール内に第1の導電層を形成する工程と、
そのうちの第1の絶縁層上の第1の導電層を除去してインタプラグを形成する工程と、
前記第1の絶縁層及び第1の導電層上に第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の導電層の一部が露出するまで前記第2の絶縁層をパターニングしてエッチングし、第2のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第2の絶縁層上及び第2のコンタクトホール内に第2の導電層を形成してビットラインとする工程と、
前記第2の導電層上に第3の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の導電層の一部が露出するまで、前記第3の絶縁層、第2の導電層及び第2の絶縁層をパターニングしてエッチングし、第3のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第3のコンタクトホールの内壁に第2のスペーサを形成する工程と、
前記第3の絶縁層上及び前記第3のコンタクトホール内に第3の導電層を形成する工程と、
その第3の導電層をパターニングしてエッチングし、キャパシタのストレージノードを形成する工程と、
そのストレージノード上にキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、
そのキャパシタ絶縁膜上にキャパシタプレートを形成する工程と、
を実施することを特徴とするDRAMのメモリセル製造方法。 - ゲート電極が、ポリサイド層と窒化シリコン層の積層構造をもつ請求項1に記載のメモリセル製造方法。
- 第1のスペーサを形成する工程は、ゲート電極及び基板上に窒化シリコン層を形成する段階と、その窒化シリコン層をエッチングして窒化シリコンスペーサを形成する段階と、を実施する請求項1に記載のメモリセル製造方法。
- 第1の絶縁層が、1000〜2500オングストロームの酸化層である請求項1に記載のメモリセル製造方法。
- 第1の導電層が、500〜2000オングストローム厚のポリシリコン層である請求項1に記載のメモリセル製造方法。
- 第2の絶縁層が、1500〜3000オングストローム厚の酸化層である請求項1に記載のメモリセル製造方法。
- 第2の導電層が、2000〜4000オングストローム厚のポリサイド層である請求項1に記載のメモリセル製造方法。
- 第2のスペーサが、ポリシリコン、窒化シリコン、酸化物、ポリマーのうちのいずれかの材質を使用したものである請求項1に記載のメモリセル製造方法。
- キャパシタ絶縁膜が、酸化層/窒化層/酸化層の積層構造をもつ請求項1に記載のメモリセル製造方法。
- キャパシタプレートが、ポリシリコンからなる請求項1に記載のメモリセル製造方法。
- 基板上にアイソレーション領域を形成する工程と、
その基板及びアイソレーション領域上にゲート電極を形成する工程と、
そのゲート電極の側壁に窒化物からなる第1のスペーサを形成する工程と、
前記基板にソース/ドレイン領域を形成する工程と、
そのソース/ドレイン領域及び前記ゲート電極上に酸化物からなる第1の絶縁層を形成する工程と、
その第1の絶縁層をパターニングしてから、酸化物と窒化物との選択比率が20:1の選択エッチングを使用して、第1の絶縁層を部分的に除去し、開口を形成する第1ステップと等方性エッチングを利用して開口上部を拡大する第2ステップとを含む2ステップエッチング工程によりエッチングし、前記ソース/ドレイン領域の一部を露出させる第1のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第1の絶縁層上及び第1のコンタクトホール内に第1の導電層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層をエッチストッパとしてその上の第1の導電層をエッチングし、プラグを形成する工程と、
前記第1の絶縁層及び第1の導電層上に第2の絶縁層を形成する工程と、
その第2の絶縁層に第2のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第2の絶縁層上及び前記第2のコンタクトホール内に第2の導電層を形成してビットラインとする工程と、
その第2の導電層上に第3の絶縁層を形成する工程と、
前記第3の絶縁層、第2の導電層、第2の絶縁層を通じて第3のコンタクトホールを形成し、前記第1の導電層の一部を露出させる工程と、
その第3のコンタクトホールの内壁に第2のスペーサを形成する工程と、
前記第3の絶縁層上に、ストレージノードが前記第3のコンタクトホールを通じて前記第1の導電層へ接続するキャパシタを形成する工程と、
を実施することを特徴とするDRAMのメモリセル製造方法。 - ゲート電極が、ポリサイド層と窒化シリコン層の積層構造をもつ請求項11に記載のメモリセル製造方法。
- 第1のスペーサが、窒化シリコンからなる請求項11に記載のメモリセル製造方法。
- 第2のスペーサが、ポリシリコン、窒化シリコン、酸化物、ポリマーのうちのいずれかの材質を使用したものである請求項11に記載のメモリセル製造方法。
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