JP2005311166A - 半導体記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ソース/ドレイン拡散層のジャンクションの位置が変化することを回避可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 半導体記憶装置は、半導体基板1の表面に形成されたトレンチの底部の周囲に形成された拡散層11を含む。第1絶縁膜12、14はトレンチの内面上に配設される。導電膜13は、第1絶縁膜を介してトレンチ内に埋め込まれ、第1部分13aと第1部分より高い上面を有する第2部分13bとを有する。第1部分上に配設された第2絶縁膜15上に、第1ゲート電極22が配設される。第2ゲート電極22は、第1ゲート電極と離れて半導体基板の上方に配設される。接続導電層31は、半導体基板の表面に形成され且つ第2ゲート電極下方のチャネル領域を挟むソース/ドレイン拡散層26の一方と導電膜との上に亘る。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体記憶装置は、半導体基板1の表面に形成されたトレンチの底部の周囲に形成された拡散層11を含む。第1絶縁膜12、14はトレンチの内面上に配設される。導電膜13は、第1絶縁膜を介してトレンチ内に埋め込まれ、第1部分13aと第1部分より高い上面を有する第2部分13bとを有する。第1部分上に配設された第2絶縁膜15上に、第1ゲート電極22が配設される。第2ゲート電極22は、第1ゲート電極と離れて半導体基板の上方に配設される。接続導電層31は、半導体基板の表面に形成され且つ第2ゲート電極下方のチャネル領域を挟むソース/ドレイン拡散層26の一方と導電膜との上に亘る。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体記憶装置に関し、例えば、トレンチキャパシタを有するDRAM(dynamic random access memory)およびその製造方法に関する。
DRAMまたはDRAM混載デバイス(以下、単にDRAM)において、ディープトレンチ(deep trench : DT)内に形成されたキャパシタのストレージノードと、セルアレイトランジスタのソース/ドレイン拡散層との接続として、表面ストラップ(surface strap : SS)型のコンタクトが知られている。
図33(a)、図33(b)は、従来のDRAMの製造工程の一部を示す断面図である。図33a)と図33b)とは、図33(a)のXXXIIIBーXXXIIIB線において直交する関係を有している。図33(a)、図33(b)に示すように、ストレージノード101、カラー酸化膜102、ストレージノード101上の酸化膜(trench top oxide : TTO)103、素子分離絶縁膜104、ゲート電極(ワード線)105a、パッシングワード線105b、ソース/ドレイン拡散層106が形成される。ストレージノード101の上面は、半導体基板107の表面よりやや低い位置に位置する。パッシングワード線105bは、図33(a)と異なる断面において形成されたソース/ドレイン拡散層(図示せぬ)とともに、この断面の位置でセルアレイトランジスタを構成する。
次に、SS型のコンタクトの形成に先立ち、ストレージノード101を露出させるために、TTO膜103がエッチング等により除去される必要がある。TTO膜103の除去の際、素子分離絶縁膜104も同時にエッチングされることにより、図33(b)に示すように素子分離絶縁膜104の上方において半導体基板107の側壁が大きく露出する。この状態で、導電性ポリシリコン等のSS型のコンタクト108を形成すると、コンタクト108が半導体基板107の側壁と接触し、この接触部を介してポリシリコンからの不純物が拡散する。この拡散により、セルアレイトランジスタのソース/ドレイン拡散層106のジャンクションの位置が、先にイオン注入により形成された位置より深くへと変化する。このため、セルアレイトラジスタの性能が変化する。この問題は、デザインルールの微細化が進むに連れ、より顕著となる。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては次のものがある。
特開2001-345433号公報
特開平11-177043号公報
特開平6-209088号公報
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体基板の側壁に接触する導電膜によりソース/ドレイン拡散層のジャンクションの位置が変化することを回避可能な半導体記憶装置およびその製造方法を提供しようとするものである。
本発明の第1の視点による半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成されたトレンチの底部の周囲に形成された拡散層と、前記トレンチの内面上に配設された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜を介して前記トレンチ内に埋め込まれ、且つ第1部分と前記第1部分より高い上面を有する第2部分とを有する、導電膜と、前記導電膜の前記第1部分上に配設され、且つ前記導電膜の前記第2部分と接し且つ前記導電膜の前記第2部分の表面より低い上面を有する第1部分と、前記半導体基板の表面より高い上面を有する第2部分と、を有する、第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に配設された第1ゲート電極と、前記第1ゲート電極と離れて前記半導体基板の上方に配設された第2ゲート電極と、前記半導体基板の表面に形成され、且つ前記第2ゲート電極下方のチャネル領域を挟む、ソース/ドレイン拡散層と、前記導電膜上と、前記ソース/ドレイン拡散層のいずれか一方の上と、に亘る接続導電層と、を具備することを特徴とする。
本発明の第2の視点による半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板の表面に形成されたトレンチの底部の周囲に拡散層を形成する工程と、前記トレンチの内面上に第1絶縁膜を形成する工程と、前記トレンチ内を、第1部分と前記第1部分より高い上面を有する第2部分とを有する導電膜により埋め込む工程と、前記導電膜の前記第1部分および前記導電膜の前記第2部分を覆う第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜上および前記半導体基板上に、第1ゲート電極および第2ゲート電極をそれぞれ形成する工程と、前記導電膜の前記第2部分の前記上面を露出させる工程と、前記導電膜の前記第2部分と、前記半導体基板の表面に形成され且つ前記第2ゲート電極下方のチャネル領域を挟むソース/ドレイン拡散層と、を覆う接続導電層を形成する工程と、を具備することを特徴とする。
本発明によれば、ソース/ドレイン拡散層のジャンクションの位置が変化することを防止しつつ、ストレージノードとパッシングワード線のゲート電極とがショートを起こすことを回避できる半導体記憶装置を提供できる。
本発明者等は、本発明の開発の過程において、図33(a)、図33(b)を参照して述べたような問題を回避可能なDRAMについて研究した。その結果、本発明者等は、以下に述べるような知見を得た。
まず、素子分離絶縁膜104の上面と半導体基板107の表面との高さの差(素子分離絶縁膜の落ち込み量)Hは、ストレージノード101の半導体基板107の表面からの落ち込み量Haと、素子分離絶縁膜104のストレージノード101の表面からの落ち込み量Hbと、の和で決定される。図に示すように、素子分離絶縁膜104の上面はストレージノード101の上面より低くに位置している。その理由は、TTO膜103に対するエッチングが、ストレージノード101が確実に露出されるように、オーバーエッチング気味の条件で行われるからである。
上記した、露出した半導体基板107の側壁においてコンタクト108が広範囲に接触することに起因した問題を緩和するためには、半導体基板107の側壁が素子分離絶縁膜104上で露出する量を減少させることが有効である。素子分離絶縁膜104の落ち込み量を少なくするには、図34(a)、図34(b)に示すように、ストレージノード101の半導体基板107の表面からの落ち込み量を少なくすることが考えられる。この結果、落ち込み量Haが減少し、図34(a)、図34(b)に示すように、素子分離絶縁膜104の落ち込み量が減少する(落ち込み量H´)。しかしながら、ストレージノード101とパッシングワード線105bとの距離が従来の構造より狭まり、これらの間でショートが発生する可能性が高まる。この結果、DRAM製品の歩留りが低下するため、この手法は好ましくない。
以下に、このような知見に基づいて構成された本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
(第1実施形態)
図1(a)、図1(b)は、本発明の第1実施形態に係る半導体記憶装置(DRAM)の断面構造を概略的に示している。図1(a)と図1(b)とは、図1(a)のIB−IB線において直交する関係を有している。
図1(a)、図1(b)は、本発明の第1実施形態に係る半導体記憶装置(DRAM)の断面構造を概略的に示している。図1(a)と図1(b)とは、図1(a)のIB−IB線において直交する関係を有している。
図1(a)、図1(b)に示すように、半導体基板1の表面にウェル領域2が形成されている。半導体基板1の表面内にはトレンチキャパシタCが形成され、半導体基板1(アクティブエリア)上には、MOS(metal oxide semiconductor)トランジスタTが形成される。キャパシタCと、アレイトランジスタとして機能するトラジスタTと、によりDRAMのメモリセルが構成される。
キャパシタCは、プレート電極となる拡散層11、キャパシタ絶縁膜12、ストレージノード(導電膜)13、カラー酸化膜14等により構成される。拡散層11は、n型の不純物が拡散されることにより形成される。カラー酸化膜14は、例えばシリコン酸化膜により構成され、トレンチの内面(半導体基板1の側面)において、キャパシタ絶縁膜12の上端から半導体基板1の表面よりやや低い位置まで形成される。キャパシタ絶縁膜12は、例えばシリコン窒化膜により構成される。カラー酸化膜14は、例えばシリコン酸化膜により構成される。
ストレージノード13は、トレンチ内部でキャパシタ絶縁膜12およびカラー酸化膜14(第1絶縁膜)上に設けられ、トレンチを埋め込む。ストレージノード13は、例えばAs等の不純物が注入されることにより導電性とされたアモルファスシリコンにより構成される。ストレージノード13は、半導体基板の表面より低い上面を有する第1部分13aと、ストレージノード13の端部に位置し、第1部分13aより高い上面を有する第2部分13bとを有する。
ストレージノード13の第2部分13bの上面は、典型的には半導体基板1の表面と同じ高さに位置する。第1部分13aの上面は、第1部分13aの上面と後述するパッシングワード線PWのゲート電極22とがショートを起こさないように十分な距離を有するように決定される。具体的には、ストレージノード13の第1部分13aの上面と後述するパッシングワード線PWとの間の距離が30nm〜80nm、好ましくは50nm〜60nmとなるように、第1部分13aの上面の位置が決定される。この値、および半導体基板1の表面とパッシングワード線PWとの間の距離を考慮して、ストレージノード13の第1部分13aの上面の位置が決定される。例えば半導体基板1の表面とパッシングワード線PWとの間の距離が30nmであれば、半導体基板1の表面と第1部分13aとの間の距離は、30nmである。
また、ストレージノード13の第2部分13bの幅は、ストレージノード13と接続導電層31との接触面積を確保する観点から10nm〜50nmとされる。
ストレージノード13の第1部分13a上には、例えばシリコン酸化膜からなるTTO膜(第2絶縁膜)15が設けられる。TTO膜15は、ストレージノード13の第2部分13b近傍の第1部分15aと、ストレージノード13の中央寄りの第2部分15bとを有する。第2部分15bの厚さは、すなわち、ストレージノード13の第1部分13aの上面と後述するパッシングワード線PWとの間の距離である。
TTO膜の第1部分15aの上面はカラー酸化膜14の上面と同じ高さに位置する。ここで、同じ高さとは、共通の膜から形成された、または同じ高さを有するように平坦化が行われた、または共通のエッチング工程により同じ高さを有するように処理された等の結果、実質的に同じ高さであることを意味する。したがって、完全に同じ高さを有することを意味するものではない。このことは、本明細書、請求の範囲を通じて同様である。TTO膜の第1部分15aの幅は、例えば0〜30nmである。
カラー酸化膜14およびTTO膜の第1部分15aのそれぞれ上面は、ストレージノード13の上面よりやや低い位置に位置する。これは、製造工程のある段階においてストレージノード13を覆っているTTO膜15が一部除去される際、ストレージノード13の第2部分13bが確実に露出するようにオーバーエッチング気味の条件下で除去され、このとき同時に上面がエッチバックされるためである。
半導体基板1の表面に素子分離絶縁膜16が設けられる。素子分離絶縁膜16は、STI(shallow trench isolation)構造を有し、例えばシリコン酸化膜により構成される。素子分離絶縁膜16は、実際には、TTO膜15と一体に形成されている。
素子分離絶縁膜16上および半導体基板1上に、図1(a)において紙面と垂直な方向に延在するパッシングワード線PW、ワード線Wがそれぞれ形成される。パッシングワード線PWは、順に積み重ねられたゲート電極22(第1ゲート電極)、シリサイド膜23、キャップ絶縁膜24からなるゲート構造と、このゲート構造の側壁を覆う側壁絶縁膜25と、を有する。ワード線Wは、順に積み重ねられた、ゲート絶縁膜21、ゲート電極22(第2ゲート電極)、シリサイド膜23、キャップ絶縁膜24からなるゲート構造と、このゲート構造の側壁を覆う側壁絶縁膜25と、を有する。パッシングワード線PWの側壁絶縁膜25の縁とTTO絶縁膜15の第2部分15bの縁は共通の直線上に位置する。
ゲート電極22は、例えば不純物が導入されることにより導電性とされたポリシリコンから構成される。シリサイド膜23は、例えばタングステンシリサイドから構成される。キャップ絶縁膜24は、例えばシリコン窒化膜から構成される。
ワード線Wと、ワード線Wの下のチャネル領域を挟むように形成されたソース/ドレイン拡散層26と、によりトランジスタTが形成される。ソース/ドレイン拡散層26は、LDD(lightly doped drain)構造を有する。なお、ソース/ドレイン拡散層26は、図1(b)においては省略されている。図2(b)〜図32(b)のうち、これらと対となって対応する図2(a)および図32(a)においてソース/ドレイン拡散層26が形成されている図面に関しても同じである。
ワード線Wとパッシングワード線PWとの間には、表面ストラップ型の接続導電層31が所定の高さまで埋め込まれる。すなわち、接続導電層31は、半導体基板1上、カラー酸化膜14上、ストレージノード13の第2部分13b上、TTO膜15の第1部分15a上に亘る。接続導電層31は、例えば不純物が導入されることにより導電性とされた単結晶シリコンまたはポリシリコンにより構成され、ストレージノード13とソース/ドレイン拡散層26とを電気的に接続する。
接続導電層31は、図1(b)に示すように、素子分離絶縁膜16の上方において露出する半導体基板1の側面と接する。接続導電層31と素子分離絶縁膜16とが面する部分の高さは、カラー酸化膜14およびTTO膜15の第1部分15aのそれぞれの上面と同じ高さに位置する。その理由は、カラー酸化膜14とTTO膜15の高さが、ストレージノード13の上面より低くなる理由と同じである。
素子分離絶縁膜16上に、絶縁材料からなるバリア膜32が形成される。バリア膜32は、例えばシリコン窒化膜からなり、例えば8nm程度の膜厚を有する。バリア膜32はまた、パッシングワード線PWの、隣接するパッシングワード線PW側の側壁絶縁膜25上から、キャップ絶縁膜24上の3/4程度までを覆う。
接続導電層31上およびバリア膜32上に、例えばBPSG(borophosphosilicate glass)からなる層間絶縁膜33が形成される。バリア膜32および層間絶縁膜33上に、例えばTEOS(tetraethoxy silane)からなり、例えば膜厚が150nm程度の層間絶縁膜34が形成される。層間絶縁膜34上に、所定のパターンを有するメタル配線層35が形成される。配線層35は、層間絶縁膜33、34を貫通して接続導電層31に達するコンタクト36と接続される。
次に、図2(a)、図2(b)〜図13(a)、図13(b)を参照して、図1(a)、図1(b)の半導体記憶装置の製造方法について、以下に説明する。図2(a)、図3(a)、図4(a)、図5(a)、図6(a)、図7(a)、図8(a)、図9(a)、図10(a)、図11(a)、図12(a)、図13(a)は、図1(a)の構造の製造工程の一部を順に示している。図2(b)、図3(b)、図4(b)、図5(b)、図6(b)、図7(b)、図8(b)、図9(b)、図10(b)、図11(b)、図12(b)、図13(b)は、図1(b)の構造の製造工程の一部を順に示している。なお、図4(a)〜図13(a)、図4(b)〜図13(b)は、ウェル領域2より上の部分のみを示している。
図2(a)、図2(b)に示すように、半導体基板1の表面に、イオン注入によりウェル領域2が形成される。次に、半導体基板1上の全面に、222nm程度のパッド絶縁膜が形成される。パッド絶縁膜41は、例えば積層された2nm程度のシリコン酸化膜と220nm程度のシリコン窒化膜から構成される。次に、パッド絶縁膜41上に、キャパシタCの形成予定領域に開口を有するマスク材(図示せぬ)が形成される。次に、このマスク材を用いて、RIE(reactive ion etching)等の異方性エッチングによりパッド絶縁膜41および半導体基板1に、トレンチ42が形成される。
次に、マスク材が除去された後、トレンチ42内の表面から例えば1.5μmより深い領域にn型の導電性を有する材料(図示せぬ)が埋め込まれる。この結果、トレンチ42の底部近傍にn型不純物の拡散層が形成される。この後、トレンチ内の材料が除去される。
次に、図3(a)、図3(b)に示すように、トレンチ42の内面上にキャパシタ絶縁膜12およびカラー酸化膜14が形成される。カラー酸化膜14の上面は、半導体基板1の表面よりやや高い位置に位置する。次に、カラー酸化膜14を介して、トレンチ42が、ストレージノード13の材料膜(Asが注入されたアモルファスシリコン)が埋め込まれる。ストレージノード13は、ストレージノード13の第2部分13bが有すべき高さまで埋め込まれ、典型的には半導体基板1の表面まで埋め込まれる。
図3(a)、図3(b)の工程は、例えば、以下の複数の工程により実現することも可能である。すなわち、まず、トレンチ42の底面および側面上に、5nm程度の厚さを有するキャパシタ絶縁膜12が堆積される。次に、ストレージノード13の材料膜がトレンチ42内に埋め込まれ、次いで、この材料膜が、例えばRIE法等により、半導体基板1の表面からの深さ1.3μm程度までエッチバックされる。このエッチバックによりトレンチ42の側壁で露出されたキャパシタ絶縁膜12が除去される。次に、キャパシタ絶縁膜12が除去されたトレンチ42の側壁上に、例えば熱酸化法により6nm程度のシリコン酸化膜が形成される。次に、このシリコン酸化膜上にシリコン酸化膜が堆積され、その後RIE等により底部が除去されることによりカラー酸化膜14が形成される。次に、ストレージノード13の材料膜が、さらに、半導体基板1の表面と同じ高さまでトレンチ42内に埋め込まれる。以上の工程により、図3(a)、図3(b)と同じ状態が得られる。
次に、図4(a)、図4(b)に示すように、トレンチ42内で露出しているカラー酸化膜14を覆うように、例えばBSG(boron silicate glass)からなるスペーサ43が形成される。具体的には、まず、トレンチ42の側壁上、カラー酸化膜14上、ストレージノード13上に、例えば50nm程度のBSG膜が堆積される。次に、例えばRIE法等により、パッド絶縁膜41の側面上およびストレージノード13上のBSG膜が除去される。
次に、図5(a)、図5(b)に示すように、スペーサ43をマスクとして、ストレージノード13がエッチバックされることにより、ストレージノード13の上部に凹部が形成される。この凹部の底部がストレージノード13の第1部分13aとなり、突起部分が第2部分13bとなる。
次に、図6(a)、図6(b)に示すように、スペーサ43が除去され、次いで、素子分離絶縁膜16が形成される領域のパッド絶縁膜41が除去される。次に、リソグラフィ工程およびRIE法等のエッチングにより、素子分離絶縁膜16が形成される位置の半導体基板1、ストレージノード13、カラー酸化膜14等が除去されることにより、トレンチが形成される。
次に、図7(a)、図7(b)に示すように、半導体基板1上の全面に素子分離絶縁膜16の材料膜が堆積され、この素子分離絶縁膜16の上面が有すべき高さの位置までエッチバックされる。この結果、素子分離絶縁膜16およびTTO膜15が形成される。
次に、図8(a)、図8(b)に示すように、ワード線W、パッシングワード線PW、ソース/ドレイン拡散層26が形成される。すなわち、半導体基板1の表面上の全面に、例えば熱酸化法によりゲート絶縁膜21の材料膜が形成される。次に、CVD(chemical vapor deposition)法等により、ゲート電極22、シリサイド膜23、キャップ絶縁膜24のそれぞれの材料膜が、半導体基板1上の全面に堆積される。次に、各材料膜が、リソグラフィ工程およびRIE法等の異方性エッチングにより、ゲート構造へとパターニングされる。次に、ゲート構造をマスクとしたイオン注入により、ソース/ドレインエクステンション層(図示せぬ)が形成される。次に、半導体基板1上の全面に側壁絶縁膜25の材料膜が堆積され、次いでエッチングされることにより、側壁絶縁膜25が形成される。次に、側壁絶縁膜25およびゲート構造をマスクとしたイオン注入により、ソース/ドレイン拡散層26が形成される。
次に、図9(a)、図9(b)に示すように、半導体基板1上の全面にバリア膜32が堆積される。次に、バリア膜32上に層間絶縁膜33が堆積される。層間絶縁膜33は、ゲート構造上のバリア膜32と同じ高さまで平坦化される。次に半導体基板1上の全面に例えばTEOSからなるマスク材51が形成される。
次に、図10(a)、図10(b)に示すように、マスク材51上に、例えばフォトレジスト膜からなるマスク材52が形成される。マスク材52は、接続導電層31が形成される領域に対応する開口を有する。次に、マスク材52を用いたRIE法等のエッチングにより、マスク材51がエッチングされる。次に、マスク材51を用いたRIE法等のエッチングにより層間絶縁膜33が一部除去される。
次に、図11(a)、図11(b)に示すように、マスク材52が除去された後、マスク材51を用いたRIE法等のエッチングにより、バリア膜32が一部除去される。次に、マスク材51、ワード線W,パッシングワード線PWを用いたRIE法等のエッチングにより、TTO膜15が一部除去される。この際のエッチングの条件は、ストレージノード13の第2部分13bが確実に露出するように、オーバーエッチング気味に設定される。すなわち、例えばTTO膜15の上面からストレージノード13の第2部分13bまでの厚さを100%とした場合、120%〜150%の厚さのTTO膜15が除去される条件で行われる。この結果、TTO膜15の第1部分15aの上面は、半導体基板1の表面以下の高さへと後退する。しかしながら、ストレージノード13の第2部分13bが露出するまでに除去されるべきTTO膜15の厚さは、従来の半導体記憶装置の構造の場合より薄い。このため、オーバーエッチング気味の条件下であっても、素子分離絶縁膜16上で露出する半導体基板1の側面の量は、従来の構造の場合より大幅に減少する。エッチングの結果、カラー酸化膜14も、TTO膜15の第1部分15aと同じ高さまで後退する。
次に、図12(a)、図12(b)に示すように、半導体基板1上の全面に接続導電層31の材料膜が堆積され、ゲート構造の上端よりやや低い位置までエッチバックされる。この結果、ワード線Wとパッシングワード線PWとの間の半導体基板1上に接続導電層31が形成される。この工程において、接続導電層31は、素子分離絶縁膜16上方で露出している半導体基板1の側面と接触する。しかしながら、この接触面積は、ストレージノード13の第2部分13bの上面(半導体基板1の表面)とTTO膜15の第1部分15aの上面との高さの差程度であり、従来の構造の場合より少ない。
次に、図13(a)、図13(b)に示すように、半導体基板1上の全面でバリア膜32と同じ高さまで、層間絶縁膜33の材料膜が堆積される。この結果、接続導電層31上にも層間絶縁膜33が形成される。
次に、図1(a)、図1(b)に示すように、層間絶縁膜33上に層間絶縁膜34が堆積される。次に、層間絶縁膜33、34を貫通して接続導電層31に達するコンタクト36が形成され、層間絶縁膜34上に配線層35が形成される。
第1実施形態に係る半導体記憶装置によれば、ストレージノード13は、第1部分13aと、第1部分13aの上面より高い上面を有する第2部分13bとを有する。このため、第1部分13aおよび第2部分13bの位置を独立に設定することができる。第2部分13bの上面は、第2部分13bが確実に露出するようにエッチングされるべきTTO膜15の量が少なくなる位置に設定される。第2部分13bの上面を半導体基板1の表面と同程度の高さとすれば、このエッチングの際に同時にエッチングされる素子分離絶縁膜16の上面が、半導体基板1の表面から大幅に低く位置することを回避できる。よって、素子分離絶縁膜16がエッチングされることにより露出された半導体基板1の側面と接続導電層31とが接触する面積が小さくなる。この結果、接続導電層31から拡散する不純物によりソース/ドレイン拡散層26のジャンクションが深い位置へと変化することを回避できる。
一方、第1部分13aの上面は、TTO膜15上のゲート電極22と十分な距離を有するように設定される。このため、ストレージノード13とTTO膜15上のゲート電極22とがショートを起こすことを回避できる。
以上のように、第1実施形態によれば、ソース/ドレイン拡散層26のジャンクションの位置が変化することを防止しつつ、ストレージノード13とパッシングワード線PWのゲート電極22とがショートを起こすことを回避できる半導体記憶装置を提供できる。
(第2実施形態)
第2実施形態では、ストレージノード13の第2部分13cが第1実施形態の第2部分13bより厚く形成されている。図14(a)、図14(b)は、本発明の第2実施形態に係る半導体記憶装置の断面構造を概略的に示している。図14(a)と図14(b)とは、図14(a)のXIVB−XIVB線において直交する関係を有している。
第2実施形態では、ストレージノード13の第2部分13cが第1実施形態の第2部分13bより厚く形成されている。図14(a)、図14(b)は、本発明の第2実施形態に係る半導体記憶装置の断面構造を概略的に示している。図14(a)と図14(b)とは、図14(a)のXIVB−XIVB線において直交する関係を有している。
図14(a)、図14(b)に示すように、ストレージノード13の第2部分13cは、ソース/ドレイン拡散層26側に向かって、第1実施形態の第2部分13bより突出しており、その厚さが厚くなっている。カラー酸化膜14の上部は、ストレージノード13の第2部分13cが厚くなっている分、薄くなっている。その他の構成は、第1実施形態と同じである。
次に、図15(a)、図15(b)〜図24(a)、図24(b)を参照して、図14(a)、図14(b)の半導体記憶装置の製造方法について、以下に説明する。図15(a)、図16(a)、図17(a)、図18(a)、図19(a)、図20(a)、図21(a)、図22(a)、図23(a)、図24(a)は、図14(a)の構造の製造工程の一部を順に示している。図15(b)、図16(b)、図17(b)、図18(b)、図19(b)、図20(b)、図21(b)、図22(b)、図23(b)、図24(b)は、図14(b)の構造の製造工程の一部を順に示している。なお、図15(a)〜図24(a)、図15(b)〜図24(b)は、ウェル領域2より上の部分のみを示している。
まず、第1実施形態の図3(a)、図3(b)までと同じ工程が行われる。次に、図15(a)、図15(b)に示すように、ストレージノード13の上面が、半導体基板1の表面から例えば60nm程度低い位置までエッチバックされる。
次に、図16(a)、図16(b)に示すように、例えばフッ酸系の薬液を用いたウェットエッチングにより、露出しているカラー酸化膜14の厚さを、例えば10nm程度の厚さまで後退させる。
次に、図17(a)、図17(b)に示すように、ストレージノード13の材料膜が再度トレンチ42内に埋め込まれ、半導体基板1の表面と同じ高さまでエッチバックされる。
次に、図18(a)、図18(b)に示すように、図4(a)、図4(b)と同じ工程により、トレンチ42の側壁上、カラー酸化膜14上、ストレージノード13上にスペーサ43が形成される。
次に、図19(a)、図19(b)に示すように、図5(a)、図5(b)と同じ工程により、ストレージノード13の上部に凹部が形成される。
次に、図20(a)、図20(b)に示すように、図6(a)、図6(b)、図7(a)、図7(b)と同じ工程により、素子分離絶縁膜16が形成される。
次に、図21(a)、図21(b)に示すように、図8(a)、図8(b)と同じ工程により、ワード線W、パッシングワード線PW、ソース/ドレイン拡散層26が形成される。
次に、図22(a)、図22(b)に示すように、図9(a)、図9(b)、図10(a)、図10(b)と同じ工程により、半導体基板1上の全面にバリア膜32、層間絶縁膜33、マスク材51が堆積される。次に、接続導電層31が形成される領域に開口を有するマスク材52が形成される。次に、マスク材52を用いてマスク材51、および層間絶縁膜33の一部が除去される。
次に、図23(a)、図23(b)に示すように、図11(a)、図11(b)と同じ工程により、マスク材52の除去後、マスク材51を用いて、バリア膜32の一部、および層間絶縁膜33(TTO膜15)の一部が除去される。この結果、ストレージノード13の第2部分13cが露出する。この工程も、オーバーエッチング気味の条件下で行われ、素子分離絶縁膜16、TTO膜15の第1部分15a、カラー酸化膜14のそれぞれの上面は、半導体基板1の表面以下の高さへと後退する。
次に、図24(a)、図24(b)に示すように、図12(a)、図12(b)、図13(a)、図13(b)と同じ工程により、ワード線Wとパッシングワード線PWとの間の半導体基板1上に接続導電層31が形成される。次に、接続導電層31上に、層間絶縁膜33が形成される。
次に、図14(a)、図14(b)に示すように、図1(a)、図1(b)と同じ工程により、層間絶縁膜33、層間絶縁膜34、コンタクト36、配線層35が形成される。
第2実施形態に係る半導体記憶装置によれば、ストレージノード13は、第1実施形態と同じく第1部分13aと、第1部分の上面より高い上面を有する第2部分13cとを有する。このため、第1実施形態と同じ効果を得られる。
さらに、第2実施形態によれば、ストレージノード13の第2部分13cは、第1実施形態のストレージノード13の第2部分13bより大きい幅を有する。このため、第1実施形態の場合より、ストレージノード13と接続導電層31との接触面積を大きく確保することができる。よって、この接触部分での抵抗値を減少させることができる。
(第3実施形態)
第3実施形態は、第1実施形態と半導体記憶装置の製造工程が異なり、これに付随して幾つかの付加的部分の構成が異なる。
第3実施形態は、第1実施形態と半導体記憶装置の製造工程が異なり、これに付随して幾つかの付加的部分の構成が異なる。
図25(a)、図25(b)は、本発明の第3実施形態に係る半導体記憶装置の断面構造を概略的に示している。図25(a)と図25(b)とは、図25(a)のXXVB−XXVB線において直交する関係を有している。
図25(a)、図25(b)に示すように、バリア膜32は、接続導電層31の上面および側面を覆う。パッシングワード線PW相互間の素子分離絶縁膜16の上面は、凹部形状を有しており、この凹部の底面の高さは、TTO膜15の第1部分15aと同じ高さである。素子分離絶縁膜16の凹部およびパッシングワード線PW相互間、および接続導電層31上には、層間絶縁膜33がゲート構造の上面まで形成されている。図25(b)の断面において、素子分離絶縁膜16の上面は、TTO膜15第1部分15a(または素子分離絶縁膜16の凹部の底面)と同じ高さを有する。接続導電層31が、素子分離絶縁膜16の上方で露出している半導体基板1の側面と接触する面積は、第1実施形態と同じである。ストレージノード13は、第1実施形態と同じ形状を有する。
次に、図26(a)、図26(b)〜図28(a)、図28(b)を参照して、図25(a)、図25(b)の半導体記憶装置の製造方法について、以下に説明する。図26(a)、図27(a)、図28(a)は、図25(a)の構造の製造工程の一部を順に示している。図26(b)、図27(b)、図28(b)は、図25(b)の構造の製造工程の一部を順に示している。なお、図26(a)〜図28(a)、図26(b)〜図28(b)は、ウェル領域2より上の部分のみを示している。
まず、第1実施形態の図8(a)、図8(b)までと同じ工程が行われる。次に、図26(a)、(b)に示すように、ワード線W、パッシングワード線PW、側壁絶縁膜25をマスクとしたRIE法等のエッチングにより、素子分離絶縁膜16が一部除去される。この結果、ストレージノード13の第2部分13bが露出する。この工程も、オーバーエッチング気味の条件下で行われ、素子分離絶縁膜16、TTO膜15の第1部分15a、カラー酸化膜14のそれぞれの上面は、半導体基板1の表面以下の高さへと後退する。
次に、図27(a)、図27(b)に示すように、半導体基板1上の全面に接続導電層31の材料膜が堆積され、ゲート構造の上端よりやや低い位置までエッチバックされる。この工程において、接続導電層31の材料膜は、素子分離絶縁膜16上方で露出している半導体基板1の側面と接触する。しかしながら、この接触面積は、ストレージノード13の第2部分13bの上面(半導体基板1の表面)とTTO膜15の第1部分15aの上面との高さの差程度であり、従来の構造の場合より少ない。
次に、図28(a)、図28(b)に示すように、パッシングワード線PW相互間に開口を有するマスク材53が、半導体基板1上の全面に形成される。次に、このマスク材53をマスクとしたRIE法等のエッチングにより、接続導電層31が一部除去される。この結果、ソース/ドレイン拡散層26とストレージノード13との上に亘る位置の接続導電層31が残存する。
次に、図25(a)、図25(b)に示すように、マスク材53が除去された後、接続導電層31を覆うようにバリア膜32が形成される。次に、各ワード線Wおよびパッシングワード線PWの間が層間絶縁膜33により埋め込まれる。次に、半導体基板1上の全面に、層間絶縁膜34が形成された後、コンタクト36および配線層35が形成される。
第3実施形態に係る半導体記憶装置によれば、ストレージノード13は、第1実施形態と同じく第1部分13aと、第1部分13aの上面より高い上面を有する第2部分13bとを有する。このため、第1実施形態と同じ効果を得られる。
(第4実施形態)
第4実施形態は、第2実施形態と半導体記憶装置の製造工程が異なり、これに付随して幾つかの付加的な部分の構成が異なる。この第2実施形態と異なる付加的な部分の構成は、第3実施形態と同じである。
第4実施形態は、第2実施形態と半導体記憶装置の製造工程が異なり、これに付随して幾つかの付加的な部分の構成が異なる。この第2実施形態と異なる付加的な部分の構成は、第3実施形態と同じである。
図29(a)、図29(b)は、本発明の第4実施形態に係る半導体記憶装置の断面構造を概略的に示している。図29(a)と図29(b)とは、図29(a)のXXIXB−XXIXB線において直交する関係を有している。
図29(a)、図29(b)に示すように、第4実施形態半導体記憶装置の構造は、第2実施形態と第3実施形態とを合わせた形状を有する。すなわち、第3実施形態の構造のストレージノード13およびカラー酸化膜14が、第2実施形態のものにより置換された構造を有する。その他の構成は、第3実施形態と同じである。
次に、図30(a)、図30(b)〜図32(a)、図32(b)を参照して、図29(a)、図29(b)の半導体記憶装置の製造方法について、以下に説明する。図30(a)、図31(a)、図32(a)は、図29(a)の構造の製造工程の一部を順に示している。図30(b)、図31(b)、図32(b)は、図29(b)の構造の製造工程の一部を順に示している。なお、図30(a)〜図32(a)、図30(b)〜図32(b)は、ウェル領域2より上の部分のみを示している。
まず、第2実施形態の図21(a)、図21(b)までと同じ工程が行われる。次に、図30(a)、図30(b)に示すように、第3実施形態の図26(a)、図26(b)と同じ工程が行われることにより、素子分離絶縁膜16が一部除去される。この結果、ストレージノード13の第2部分13cが露出し、素子分離絶縁膜16、TTO膜15の第1部分15a、カラー酸化膜14のそれぞれの上面が半導体基板1の表面以下の高さへと後退する。
次に、図31(a)、図31(b)に示すように、第3実施形態の図27(a)、図27(b)の工程と同じ工程が行われることにより、ゲート構造の上端よりやや低い位置まで接続導電層31が形成される。
次に、図32(a)、図32(b)に示すように、第3実施形態の図28(a)、図28(b)の工程と同じ工程が行われることにより、ソース/ドレイン拡散層26とストレージノード13との上に亘る位置の接続導電層31が残存する。
次に、図29(a)、図29(b)に示すように、第3実施形態の図25(a)、図25(b)の工程と同じ工程が行われることにより、マスク材53が除去され、バリア膜32が形成される。次に、各ワード線Wおよびパッシングワード線PWの間が層間絶縁膜33により埋め込まれ、層間絶縁膜34が形成され、コンタクト36および配線層35が形成される。
本発明の第4実施形態に係る半導体記憶装置によれば、ストレージノード13は、第1実施形態と同じく第1部分13aと、第1部分13aの上面より高い上面を有する第2部分13bとを有する。このため、第1実施形態と同じ効果を得られる。
また、第4実施形態によれば、ストレージノード13の第2部分13cは、第2実施形態と同じく大きい幅を有する。このため、第2実施形態と同じ効果を得られる。
さらに、本発明に係る実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が省略されることで発明が抽出された場合、その抽出された発明を実施する場合には省略部分が周知慣用技術で適宜補われるものである。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
1…半導体基板、2…ウェル領域、11…拡散層、12…キャパシタ絶縁膜、13…ストレージノード、13a…ストレージノードの第1部分、13b、13c…ストレージノードの第2部分、14…カラー酸化膜、15…TTO膜、15a…TTO膜の第1部分、15b…TTO膜の第2部分、16…素子分離絶縁膜、21…ゲート絶縁膜、22…ゲート電極、23…シリサイド膜、24…キャップ絶縁膜、25…側壁絶縁膜、26…ソース/ドレイン拡散層、31…接続導電層、32…バリア膜、33、34…層間絶縁膜、35…配線層、36…コンタクト、41…パッド絶縁膜、42…トレンチ、43…スペーサ、51、52、53…マスク材、C…トレンチキャパシタ、T…トランジスタ。
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成されたトレンチの底部の周囲に形成された拡散層と、
前記トレンチの内面上に配設された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜を介して前記トレンチ内に埋め込まれ、且つ第1部分と前記第1部分より高い上面を有する第2部分とを有する、導電膜と、
前記導電膜の前記第1部分上に配設され、且つ前記導電膜の前記第2部分と接し且つ前記導電膜の前記第2部分の表面より低い上面を有する第1部分と、前記半導体基板の表面より高い上面を有する第2部分と、を有する、第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に配設された第1ゲート電極と、
前記第1ゲート電極と離れて前記半導体基板の上方に配設された第2ゲート電極と、
前記半導体基板の表面に形成され、且つ前記第2ゲート電極下方のチャネル領域を挟む、ソース/ドレイン拡散層と、
前記導電膜上と、前記ソース/ドレイン拡散層のいずれか一方の上と、に亘る接続導電層と、
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記導電膜の前記第2部分は、前記半導体基板の表面と同じ高さに位置することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記接続導電層の前記半導体基板の側壁と接触する接触部の下面は前記半導体基板の表面に形成された前記第2絶縁膜と面し、前記接触部と前記第2絶縁膜とが面する部分は前記第2絶縁膜の前記第1部分と同じ高さに位置することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記導電膜の前記第2部分は、前記第1絶縁膜に向かって張り出していることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 半導体基板の表面に形成されたトレンチの底部の周囲に拡散層を形成する工程と、
前記トレンチの内面上に第1絶縁膜を形成する工程と、
前記トレンチ内を、第1部分と前記第1部分より高い上面を有する第2部分とを有する導電膜により埋め込む工程と、
前記導電膜の前記第1部分および前記導電膜の前記第2部分を覆う第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜上および前記半導体基板上に、第1ゲート電極および第2ゲート電極をそれぞれ形成する工程と、
前記導電膜の前記第2部分の前記上面を露出させる工程と、
前記導電膜の前記第2部分と、前記半導体基板の表面に形成され且つ前記第2ゲート電極下方のチャネル領域を挟むソース/ドレイン拡散層と、を覆う接続導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
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