JP2005097111A - カーボンナノチューブ膜デバイス製造方法 - Google Patents

カーボンナノチューブ膜デバイス製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 カーボンナノチューブ電子電界エミッタ構造を含む改良された電界放出デバイスを実現する。
【解決手段】 接着性カーボンナノチューブ膜（単層あるいは多層ナノチューブを含む）が、比較的平坦な導電性基板上に形成される。本発明は、強く接着するカーボンナノチューブ膜を実現する。さらに、放出特性を向上させるために、膜中のナノチューブの一部（例えば、少なくとも５０体積％）を、ほぼ同じ方向に整列させ、それらの長軸を、基板表面に垂直な向きにすることが可能である。一実施例では、単層カーボンナノチューブが、炭素溶解性元素（例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ）あるいはカーバイド形成元素（例えば、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ）のような炭素と反応する材料を含む基板上に形成される。また、アルミニウムのような低融点材料を有する基板を使用することも可能である。
【選択図】 図３

Description

本発明は、カーボンナノチューブを含む電界放出デバイスに関する。
現在使用されている真空マイクロエレクトロニクスデバイスには、マイクロ波パワー増幅器、イオン銃、電子線リソグラフィ、高エネルギー加速器、自由電子レーザ、電子顕微鏡および電子マイクロプローブで使用されるフラットパネルディスプレイ、クライストロンおよび進行波管がある。このようなデバイスにおける好ましい電子源は、適当なカソード（陰極）材料から真空中への電子の電界放出である。代表的な電界放出デバイスは、複数の電界（フィールド）エミッタチップ（先端）を有するカソードと、カソードから離間されたアノード（陽極）からなる。アノードとカソードの間にかかる電圧により、アノードへ向かう電子の放出が起こる。
電界エミッタの１つの有望な応用は、薄型のマトリクスアドレス型フラットパネルディスプレイである（例えば、
・Semiconductor International, December 1991, 46
・C. A. Spindt et al., "Field Emitter Arrays for Vacuum Microelectronics", IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.38, 2355 (1991)
・I. Brodie and C. A. Spindt, Advances in Electronics and Electron Physics, edited by P. W. Hawkes, Vol.83 (1992)
・J. A. Costellano, Handbook of Display Technology, Academic Press, 254 (1992)
を参照。）従来の電界放出フラットパネルディスプレイは、平らな真空セルを有する。真空セルは、カソード上に形成された微小エミッタと、透明な前面プレート上の蛍光体で被覆されたアノードとのマトリクスアレイを有する。カソードとアノードの間には、グリッドあるいはゲートと呼ばれる導電性素子がある。カソードとゲートは一般に、交差するストリップ（通常は直交するストリップ）であり、その交点がディスプレイのピクセルを規定する。ピクセルは、カソード導体ストリップとゲート導体の間に電圧をかけることによって活性化される。放出される電子に比較的高いエネルギー（例えば４００〜５０００ｅＶ）を与えるために、さらに正の電圧をアノードにかける（例えば、米国特許第４，９４０，９１６号、第５，１２９，８５０号、第５，１３８，２３７号および第５，２８３，５００号を参照）。
また、電界放出は、パワー増幅器のようなマイクロ波真空管デバイスにも使用されている。このようなデバイスは、通信、レーダ、電子戦、およびナビゲーションシステムのような、現代のマイクロ波システムの重要なコンポーネントである（A. W. Scott, Understanding Microwaves, John Wiley & Sons, 1993, Ch.12、を参照）。半導体マイクロ波増幅器も利用可能であるが、マイクロ波管増幅器は、そのような半導体増幅器よりも数桁大きいマイクロ波エネルギーを提供することが可能である。この高いパワーは、電子が、半導体材料中よりも真空中のほうがずっと速く移動することができることによる。その高い速度により、移動時間が許容できないほど増大することなく、大きい構造を使用することが可能となり、構造が大きくなるほど、提供されるパワーも大きくなる。
電界放出デバイスのカソード材料について、期待されるさまざまな特性が知られている。放出電流は、市販の集積回路から得ることが可能な範囲のドライバ電圧で、電圧制御可能であることが好ましい。代表的なデバイス寸法（例えば、ディスプレイにおける１μｍのゲート・カソード間隔）の場合、代表的なＣＭＯＳドライバ回路には、２５Ｖ／μｍ以下の電界で放出を行うカソードが一般に好ましい。放出電流密度は、フラットパネルディスプレイのアプリケーションでは１〜１０ｍＡ／ｃｍ2の範囲、マイクロ波パワー増幅器アプリケーションでは１００ｍＡ／ｃｍ2以上が好ましい。放出特性は、複数の放出源で再現性があることが好ましく、非常に長期間（例えば、数万時間）にわたって安定であることが好ましい。放出ゆらぎ（ノイズ）は、デバイス性能を制限しないほどに十分に小さいことが望ましい。カソードは、イオン衝撃、残留気体との化学反応、非常な高温、およびアークのような、真空環境における好ましくない現象に耐えられることが好ましい。最後に、カソードの製造は、安価であることが好ましい。例えば、非常に困難なプロセスがなく、さまざまなアプリケーションに適応可能であることが好ましい。
電界放出デバイス用の従来のカソード材料は、一般に、鋭い、ナノメートル程度のサイズのチップ（先端）を有する金属（例えばＭｏ）または半導体材料（例えば、Ｓｉ）からなる。これらの材料では有用な放出特性が実証されているが、これらの仕事関数が大きいために、放出に必要な制御電圧は比較的高い（１００Ｖ程度）。高電圧動作は、エミッタチップ上のイオン衝撃および表面拡散によって引き起こされる損傷不安定性を増大させるとともに、要求される放出電流密度を生成するために外部ソースから高いパワー密度が供給されることを必要とする。さらに、特に大面積にわたって、一様な鋭いチップを製造することは、困難で、面倒で、高価であることが多い。実際のデバイス動作環境において、これらの材料が、イオン衝撃、化学的活性種との反応、および非常な高温のような現象に対して脆弱であることも問題である。
マイクロ波管デバイスの場合、従来の電子源は、熱電子放出カソードであり、代表的には、Ｉｒ−Ｒｅ−Ｏｓ合金から、あるいは、ＢａＯ／ＣａＯ／ＳｒＯやＢａＯ／ＣａＯ／Ａｌ2Ｏ3のような酸化物から形成され、これらを金属（例えばタングステン）で被覆あるいは含浸したものである。このようなカソードは、１０００℃以上まで加熱されると、十分な熱電子放出（１平方センチメートルあたり数アンペアのオーダーで）を生じる。しかし、これらの熱電子カソードを加熱する必要があることは、問題を生じる可能性がある。加熱は、例えば、カソード表面からバリウムを蒸発させることによって、カソードの寿命を縮めることになる。例えば、いくつかの進行波管の寿命は１年未満である。また、加熱は、放出が起こるまでに、例えば約４分の予熱(warm-up)遅延を伴う。このような遅延は、商業的には好ましくない。また、高温動作は、例えば冷却システムの、大きな付属機器を必要とする。
エミッタ材料を改良しようとする試みにより、最近では、炭素材料が、電子電界エミッタとして有用である可能性が高いことが示されている。ダイヤモンドエミッタおよび関連する放出デバイスは、例えば、
・米国特許第５，１２９，８５０号、第５，１３８，２３７号、第５，６１６，３６８号、第５，６２３，１８０号、第５，６３７，９５０号および第５，６４８，６９９号
・Okano et al., Appl. Phys. Lett., Vol.64, 1994, 2742
・Kumar et al., Solid State Technol., Vol.38, 1995, 71
・Geis et al., J. Vac. Sci. Technol., Vol.B14, 1996, 2060
に記載されている。ダイヤモンドは、その水素末端表面に対して負のあるいは低い電子親和力により、電界エミッタとして有利であるが、さらなる改良が望まれる。
もう１つの、最近発見された炭素材料は、カーボンナノチューブである（例えば、
・S. Iijima, "Helical microtubules of graphitic carbon", Nature Vol.354, 56 (1991)
・T. Ebbesen and P. Ajayan, "Large scale synthesis of carbon nanotubes", Nature, Vol.358, 220 (1992)
・S. Iijima, "Carbon nanotubes", MRS Bulletin, 43 (Nov. 1994)
・B. Yakobson and R. Smalley, "Fullerene Nanotubues: C1,000,000 and Beyond", American Scientists, Vol.85, 324 (1997)
を参照）。ナノチューブには、本質的に、単層（チューブの直径は約０．５〜約１０ｎｍ）と多層（チューブの直径は約１０〜約１００ｎｍ）の２つの形態がある。このようなナノチューブを電子電界エミッタとして使用することは、例えば、
・ドイツ国特許第４，４０５，７６８号
・Rinzler et al., Science, Vol.269, 1550 (1995)
・De Heer et al., Science, Vol.270, 1179 (1995)
・De Heer et al., Science, Vol.268, 845 (1995)
・Saito et al., Jpn. J. Appl. Phys., Vol.37, L346 (1998)
・Wang et al., Appl. Phys. Lett., Vol.70, 3308 (1997)
・Saito et al., Jpn. J. Appl. Phys., Vol.36, L1340 (1997)
・Wang et al., Appl. Phys. Lett., Vol.72, 2912 (1998)
に記載されている。カーボンナノチューブは、高いアスペクト比（＞１，０００）と、チップ（先端）の曲率半径が小さいこと（〜１０ｎｍ）を特徴とする。これらの幾何学的特性は、チューブの比較的高い機械的強度および化学的安定性とともに、カーボンナノチューブが電子電界エミッタとして有用である可能性を示す。しかし、カーボンナノチューブは一般に、粉末や多孔性マットのような形態でしか得られず、これらはいずれも、デバイス構造に組み込むことは困難である。さらに、従来の研究では、性質を改良しようとしてナノチューブを整列させることが考察されているが、この整列は、商業的に実現可能であるとは思われない技術でしか実行されていない（例えば、De Heer et al., Science, Vol.268, 845 (1995)、を参照）。
このように、改良された電子電界放出材料に基づく真空マイクロエレクトロニクスデバイスが必要とされている。特に、カーボンナノチューブエミッタを含むデバイスであって、現在の技術よりも容易にナノチューブをこのようなデバイスに組み込むことが可能であるようなものが必要とされている。
本発明は、カーボンナノチューブ電子電界エミッタ構造を含む改良された電界放出デバイスを提供する。本発明によれば、接着性カーボンナノチューブ膜（単層あるいは多層ナノチューブを含む）が、比較的平坦な導電性基板上に形成される。（接着性の膜とは、厚さが０．１〜１００μｍで、接着強度が、直径０．１４１インチ（３．５８ミリメートル）のスタッドを用いた通常のスタッド引張り試験で測定して少なくとも１．０ｋｐｓｉ（６．８９Ｍｐａ）である連続膜を示す。ナノチューブ膜とは、少なくとも５０体積パーセントのナノチューブを含む膜をいう。）従来は、ナノチューブの完全フラーレン構造のため、基板への粉末あるいはマット状ナノチューブの中程度の接着を達成することさえ困難であった。ナノチューブの完全フラーレン構造は、化学結合を起こすことが可能なダングリングボンドや欠陥サイトがないからである。本発明は、この問題点を克服し、強く接着するカーボンナノチューブ膜を実現する。さらに、放出特性を向上させるために、膜中のナノチューブの一部（例えば、少なくとも５０体積％）を、ほぼ同じ方向に整列させ、それらの長軸を、基板表面に垂直な向きにすることが可能である。（ほぼ同じ方向に整列するとは、Ｘ線ロッキングカーブが、多層ナノチューブのシェル間隔を表すピークに対して、または、単層ナノチューブのバンドル内のチューブ間隔を表すピークに対して、９０°以下の半値全幅を示すことを示す。）
本発明の一実施例では、単層カーボンナノチューブが、炭素溶解性元素（例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ）あるいはカーバイド形成元素（例えば、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ）のような炭素と反応する材料を含む基板上に形成される。このような基板上にナノチューブ膜を形成すると、ナノチューブと比較して高濃度の無定形炭素（ａ−Ｃ）を最初に生成して基板と反応させるようなナノチューブ形成プロセスを調整するのに有利である。このプロセスは、ナノチューブを基板に固定する基板／膜界面で、ナノチューブが、散在するａ−Ｃとともに形成されるようにして、ナノチューブ生成を増大させるように緩やかに調整される。
また、あらかじめ形成されたナノチューブを溶媒と混合してスラリを形成してから、炭素溶解性またはカーバイド形成材料を含む表面層を有する基板上にそのスラリを、例えばスピンオン法、スプレー法、あるいはプリンティング法によって形成することも可能である。また、アルミニウムのような低融点材料（すなわち、７００℃以下）を有する基板を使用することも可能である。その後の加熱により、炭素溶解性またはカーバイド形成材料とナノチューブの反応、または、表面層の融解が起こり、ナノチューブが基板に固定される。また、あらかじめ形成したナノチューブを溶媒およびバインダ（および、オプションとしてハンダ）と混合し、その混合物を基板上に形成するというような方法によって、接着性ナノチューブ膜を形成することも可能である。その後の加熱により、バインダが活性化され、あるいは、ハンダが融解し、ナノチューブが基板に固定される。
上記の実施例では、ナノチューブを磁界または電界中で形成することによって、非等方的なナノチューブが形成中にその長軸が力線（磁力線あるいは電気力線）と整列するようにして、ナノチューブを同時にほぼ同じ方向に整列させることが可能である。ナノチューブの整列は、整列したチューブ端における効率的で効果的な電界集中により、放出特性を改善すると考えられる。また、あらかじめ形成されたナノチューブの整列も、ナノチューブを導電性ポリマーと混合して複合材料を形成してから、その複合材料を一軸性負荷で引っ張ることによって達成される。（導電性ポリマーとは、１Ω・ｃｍより小さい電気抵抗率を示すもののことである。）その後、その複合材料を基板上に接着することが可能である。
このようにして、本発明は、ナノチューブ膜の基板への強力な接着と、オプションとして、ほぼ一様な整列により、改良されたカーボンナノチューブ膜エミッタ構造を含むデバイスを提供する。このようなナノチューブエミッタは、好ましい放出特性、例えば、低いしきい値電圧（１０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で約３〜４Ｖ／μｍ以下）、高い電流密度（０．２Ａ／ｃｍ2以上）ならびに優れた再現性および耐久性を示す。さらに、放出表面を数か月間空気にさらした後でも、放出特性はほぼ同じままである。
本発明によれば、カーボンナノチューブ電子電界エミッタ構造を含む改良された電界放出デバイスが実現される。
本発明は、接着性カーボンナノチューブ膜（単層あるいは多層ナノチューブを含む）を含むデバイスを提供する。このような膜は、電界エミッタ構造に特に有用である。
一実施例では、電界エミッタ構造は次のように形成される。比較的平坦な表面を有する基板を用意する。この基板は一般に金属、半導体あるいは導電性酸化物である（導電性とは、１０3Ω・ｃｍより小さい抵抗率を示す）。また、基板に導電性層を形成する場合、基板は絶縁性とすることも可能である。カーボンナノチューブは、基板表面上の接着性膜構造として形成される。現在、カーボンナノチューブは一般に、粉末または多孔性マットとして調製することが可能である。粉末も多孔性マットも、デバイスにおける強固な接着性カソード構造の調製には向いていない。カーボンナノチューブの接着性膜を製造することが困難であるのは一般に、ナノチューブ内の炭素原子が、基板への化学結合が起こるダングリングボンドや欠陥サイトのない完全フラーレン構造で配置されることによる。その結果、ナノチューブは、多くの基板に対して低い接着性を示すことになる。具体的には、形成されたナノチューブは、形成後、外力がなくても剥離しやすく、また、基板の取扱中に基板表面から飛んだり削れたりする。
接着性のカーボンナノチューブ膜は、ナノチューブの形成中に（以下「in situ」という。）、または、あらかじめ形成されたナノチューブの処理により（以下「ex situ」という。）形成される。いずれの方法の場合でも、カーボンナノチューブ自体は、炭素アーク放電、炭化水素の触媒熱分解による化学蒸着、触媒金属含有グラファイトターゲットのレーザアブレーションおよび凝縮相電気分解などのさまざまな方法で生成することが可能である（例えば、前掲の
・S. Iijima, "Carbon nanotubes", MRS Bulletin, 43 (Nov. 1994)
・B. Yakobson and R. Smalley, "Fullerene Nanotubues: C1,000,000 and Beyond", American Scientists, Vol.85, 324 (1997)
を参照）。調製の方法および特定のプロセスパラメータ（これは、主として、グラファイト化および螺旋性の程度ならびにチューブの直径を制御する。）に依存して、ナノチューブは、主に、多層チューブ、単層チューブ、または単層チューブの束（バンドル）として生成することが可能である。同様に、チューブは、直線状、曲線状、キラル、アキラル、および螺旋状のような、さまざまな形態をとることが可能である。一般に、ナノチューブは、無定形炭素と、その中に（例えば、約２０〜４０体積％）混合された触媒粒子とともに形成されるが、無定形炭素および触媒粒子は、酸素プラズマ中でエッチングすることによって（これは、ナノチューブよりも無定形炭素に対して選択的である。）、空気中あるいは酸素分圧下で６００℃以上の温度に加熱することによって（T. W. Ebbesen, Annual Rev. Mater. Sci., Vol.24, 235-264 (1994)、を参照）、酸中でエッチングすることによって、または濾過によって（K. B. Shelimov et al., Chem. Phys. Lett., Vol.282, 429 (1998)、を参照）、除去することが可能である。
図１は、レーザアブレーション法により接着性薄膜ナノチューブを形成するのに用いられる装置の概略図である。本発明の一実施例では、この装置は以下のように用いられる（このレーザアブレーション実施例の変形も可能である）。ターゲット１０は、当業者に周知のように、グラファイト粉末を金属触媒およびグラファイトセメントと混合することによって形成される。結果として得られる混合物を、通常の方法により圧し固めてペレットにし、例えば大気圧で１００〜１５０℃で数時間加熱した後アルゴン流中で８００℃で１０時間加熱することによって、硬化する。結果として得られるターゲット１０を、炉１２内に配置された石英管１１（例えば、外径１．５インチ（３．８センチメートル））の中央に置く。この管には、一定のアルゴン流が（例えば、約８０ｔｏｒｒ（１０.７ｋＰａ）で）流される。アルゴン流量は一般に、流量計１３によって制御され、一般に、１０〜５０ＳＣＣＭの範囲内にする。炉は、約１１５０℃の温度まで緩やかに加熱される。エネルギー密度が３０〜７０ｍＪ／ｍｍ2のＮｄ：ＹＡＧパルスレーザ１４が一般に、ターゲット１０のアブレーションに使用される。レーザビームは一般に、集光レンズ１５により直径約１〜約５ｍｍに集光され、水平光スキャナ１６および垂直光スキャナ１７によりターゲット１０の表面を走査する。石英管１１の前にカメラ１８（例えばＣＣＤカメラ）を置いて、アブレーションプロセスをモニタすることも可能である。上記の材料から形成された基板２０は、石英管１１内に、ターゲット１０の下流に配置される。ターゲット１０が、レーザ１４によりアブレーションされると、カーボンナノチューブの膜が基板２０上に形成される。以下で説明するように、ナノチューブの接着を改善するために無定形炭素の堆積が所望される場合、主にグラファイトから形成される第２のターゲット２１（これが無定形炭素を生成することになる）を含めることも可能である。第１のターゲット１０と第２のターゲット２１のアブレーションの程度は、基板上に堆積されるナノチューブと無定形炭素の比を制御する。
図２に、化学蒸着によってナノチューブ膜を形成するのに用いられる装置を示す。この装置は、真空容器３０内に配置されたヒータ３１を含む。ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、ＣＯ、あるいはＣＯ2のような反応性炭素含有ガス３２が、アルゴン、水素、あるいは窒素のような不活性キャリアガス３３とともに容器３０内に送られる。流量は、質量流量計３４、３５によって制御される。容器３０の圧力は、ポンピング経路に設置された圧力バルブ３６によって制御される。堆積中、基板３７はヒータ３１の上に置かれ、一般に４００〜１２００℃の範囲の温度に加熱される。気相中の炭素濃度は一般に５〜３０原子％であり、容器圧力は一般に１０〜２００ｔｏｒｒ（１．３〜２６．７ｋＰａ）である。カーボンナノチューブの核を形成するため、基板は、ニッケル、コバルト、フェライト、またはそれらの合金のような触媒金属であらかじめ被覆される。また、触媒は、フェロセンや鉄酸(ferric acid)の使用により気相を通じて提供することも可能である（R. Sen et al., Chem. Phys. Lett., Vol.267, 276 (1997)、および、L. C. Qin, Appl. Phys. Lett., Vol.72, No.26, 3437 (1998)、を参照）。本発明のいくつかの実施例の場合のように無定形炭素の堆積が所望される場合、例えば、基板温度を６００℃以下に下げるか、あるいは、気相中の炭素濃度を５０原子％以上に上げることによって、そのような無定形炭素を得るように成長条件を調整することが可能である。
接着性ナノチューブ膜のin situ形成の場合、選択される基板材料は一般に炭素と反応性がある。炭素反応性材料には、炭素溶解性元素およびカーバイド形成元素がある。炭素溶解性材料は当業者に周知であり、例えば、T. B. Massalski, Binary Alloy Phase Diagrams, Vol.I, ASM International、に記載されており、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＭｎのような元素がある。カーバイド形成材料も、T. B. Massalskiの前掲書に記載されているように、同様に周知であり、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、およびＨｆがある。基板が炭素反応性でない場合、基板上に炭素反応性材料の層を堆積することが可能である。一般に、カーボンナノチューブがこのような基板に接着するようにするために、初期ａ−Ｃ層を基板上に堆積する。上記のように、代表的なナノチューブ製造プロセスは、少なくとも２０体積％のａ−Ｃを生成し、これはナノチューブと混合する。例えば、成長温度を下げること、触媒金属の濃度を低下させること、グラファイトターゲットを追加すること（レーザアブレーション法の場合）、または、気相中の炭素濃度を増大させること（化学蒸着の場合）により、ａ−Ｃの濃度が高くなるようにプロセスのパラメータを調整することが可能である。接着性の層を形成するため、プロセスは、まず、例えば５０体積％以上のａ−Ｃを生成するように調整される。ａ−Ｃは、完全なナノチューブの原子構造を示さないため、ａ−Ｃの方が容易に（例えば、約５００℃以上の比較的高温で堆積する場合には、上記の基板における溶解あるいはカーバイド形成によって）さまざまな基板に接着する。薄いａ−Ｃ層（例えば、１００Å以下）を堆積した後、形成プロセスは、生成されるナノチューブの割合を増大させるように緩やかに調整される。結果として得られる膜はａ−Ｃおよびナノチューブを含み、界面の、および、混合するａ−Ｃがナノチューブを固定する。ａ−Ｃとナノチューブの膜の全体の厚さは一般に約０．１〜約１００μｍである。
こうして、ナノチューブは、接着性膜として基板上に（無定形炭素と混合して）直接に堆積することが可能である。（接着性とは、上記のように、ナノチューブ膜が、直径０．１４１インチ（３．５８ミリメートル）のスタッドを用いたスタッド引張り試験で測定して少なくとも１．０ｋｐｓｉ（６．８９Ｍｐａ）、好ましくは１．５ｋｐｓｉ（１０．３Ｍｐａ）の接着強度を示すことである。）
このようなin situ法を使用すると、ナノチューブ形成蒸着プロセスに少量の炭素反応性気体種を追加してさらに良好な接着を達成することも可能である。例えば、アセチレンガス（ナノチューブの熱分解堆積の場合）および非炭素反応性基板（例えば酸化物）を用いた形成プロセスでは、反応の初期段階の間に反応容器内に少量のシランを追加することが可能である。生成される炭素は、気体Ｓｉ種と反応して、基板上にシリコンカーバイドを形成する。このカーバイドは一般に、ほとんどの酸化物基板材料と良好に接着し、生成されるａ−Ｃおよびナノチューブは、形成中のシリコンカーバイドとさらに容易に接着する。
接着性ナノチューブ薄膜は、あらかじめ形成されたナノチューブからex situで製造することも可能である。このナノチューブは、上記のような任意の既知の方法によって形成される。このようなex situ法では、ナノチューブ含有生成物は、同時堆積したａ−Ｃを除去するために、混合前に精製すると有効である。このような精製は一般に、空気中で６００℃以上に加熱することによって、酸素プラズマを使用してナノチューブ膜のａ−Ｃ成分をエッチングすることによって、酸エッチングによって、あるいは、堆積物を濾過することによって行われる。
ex situの一実施例では、超音波槽中でナノチューブ粉末をメタノールのような溶媒と混合することが可能である。その後、サスペンション（懸濁液）あるいはスラリを、スピンやスプレーのような方法により基板上に堆積する。基板は一般に、上記のような炭素反応性あるいはカーバイド形成元素であらかじめ被覆される。また、基板を、アルミニウムのような低融点（＜７００℃）材料で被覆することも可能である。その後の加熱により、ナノチューブと炭素反応性あるいはカーバイド形成元素との間の反応、または、低融点材料の融解が起こり、ナノチューブが基板に固定される。
また、ナノチューブ粉末を溶媒およびバインダと混合して溶液あるいはスラリを形成することも可能である。オプションとして、この混合物に、単体金属または合金（例えばハンダ）のような導電性粒子を含めて、さらに接着を促進することも可能である。その後、この混合物を、例えばスプレー法やスピンオン法あるいは電気泳動によって、基板上にスクリーンプリントあるいは分散して、所望のエミッタ構造を形成する。次に、一般に、空気中、真空中または不活性雰囲気中で、例えば約１５０〜約２５０℃の温度で、アニーリングを実行して、溶媒を追い出してバインダを活性化することにより、基板上に接着性ナノチューブ構造を得る。ハンダ粒子、特に、２００℃以下の低融点のハンダ（例えば、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｎ−Ｉｎ、Ｓｎ−ＢｉあるいはＰｂ−Ｓｎ）を使用する場合、アニーリング温度は一般にハンダを溶融するのに十分であり、これは、ナノチューブの接着を向上させる。
あるいは、ナノチューブ粉末を導電性ポリマー（例えば銀系ポリマー）と混合し、その混合物を、スクリーンプリント法、スプレー法もしくはスピンオン法または電気泳動のような従来の方法によって、あるいは、圧迫のような単純な機械的方法によって、基板に付着させ、接着性ナノチューブ含有膜を形成する。
オプションとして、接着性ナノチューブ膜を形成するin situ法またはex situ法のいずれの場合でも、ナノチューブの長軸が、基板の表面に垂直に、ほぼ同じ方向に整列するようにナノチューブを膜内で配列して、放出特性を向上させる。従来のナノチューブ調製では、ナノチューブはランダムな向き（ねじれて、互いに交差する）になる。ナノチューブからの厳密な放出機構は完全には理解されていないが、１次元のナノチューブを、向き（配向）をそろえて（すなわち、チューブの長軸が電子放出の方向に沿って整列するように）整列させることによって、放出特性は、チューブ端における効率的で一様な電界集中により改善されると考えられる。上記の接着性膜にこのような向きを与えると有効である。整列の程度（膜内で互いにほぼ整列しているナノチューブの体積百分率）は、約５０体積％以上であると有効であり、特に約７５体積％以上であると有効である。
接着性ナノチューブ膜のin situ法とともに用いる１つのin situ整列法では、基板上に直接にナノチューブを堆積している間に磁界あるいは電界を加える。ナノチューブの非等方性により、チューブは磁界あるいは電界と相互作用して、系の全エネルギーを下げるために力線に沿って長軸を整列させる。力線は一般に、所望の配列を与えるために、基板表面に垂直に加えられる。配列の程度は、場（電界あるいは磁界）の強さとともに増大すると期待される。１０3から１０6Ｖ／ｃｍの電界および５０Ｏｅ以上の磁界が適当であると期待される。
あらかじめ形成されたナノチューブのex situ整列は一般に、キャスティング、モールディングなどの成形法によってナノチューブ／ポリマー複合体（例えば、上記の導電性ポリマーを使用して）を調製することを含む。次に、ポリマーマトリクス内にあるナノチューブを整列させることが可能である。これを行う１つの方法は、マトリクスの軟化温度以上で複合体に一軸性負荷をかけ、ナノチューブを負荷の方向に整列させるものである。（軟化温度とは、大規模な分子移動が始まる温度、すなわち、その温度以下でポリマーはガラス状になり、その温度以上でポリマーがゴム状になるような温度を指す。一般に、軟化温度は、ガラス転移温度である。）所望のレベルの整列が得られた後、軟化温度以下で負荷を外し、ナノチューブの構造を維持する。複合材料の延伸比を制御することによって、整列の程度を調整することが可能である。また、このような複合材料内のナノチューブの整列は、例えばロールキャスティング(roll-casting)法を用いた剪断力により引き起こすことも可能である。この場合、複合体混合物は、２つの偏心した同時に回転するシリンダ間で加工される。このような場合に、ナノチューブは、剪断力の方向に長軸を向けて整列する。図５は、例２による透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）の顕微鏡写真であり、機械的整列後（すなわち、複合体シートに一軸性負荷を加えた後）のナノチューブ／ポリマー複合体を示す。この場合、ナノチューブの大部分は、応力方向と平行に整列している。
その後、（基板と、複合体のポリマー材料とに依存して）バインダ、接着剤、またはハンダの使用などのさまざまな方法によって、あるいは、単純な機械的圧迫によって、向きづけられた（配向した）複合体シートを接着性膜として基板上に付けることが可能である。
接着性ナノチューブ膜の形成後、膜に隣接して、放出を励起するための電極を形成する。オプションとして、この電極は、米国特許第５，６９８，９３４号に記載のような高密度開口ゲート構造とすることが可能である。このような高密度ゲート開口構造は、ミクロンあるいはサブミクロンサイズの粒子マスクを利用することにより実現することが可能である。接着性ナノチューブ膜を基板上に堆積した後、マスク粒子（最大寸法が５μｍ以下の金属、セラミックまたはプラスチックの粒子）を、例えばスプレー法や散布(sprinkle)法によって、膜表面に付着させる。ＳｉＯ2のような誘電体層を、蒸着やスパッタリングなどによってマスク粒子の上に堆積し、その後、ゲート金属膜を堆積する。陰影(shadow)効果のため、各マスク粒子の下のエミッタ領域には、誘電体や金属膜がない。その後、マスク粒子は容易に掃き去られ、あるいは吹き飛ばされ、高密度の開口を有するゲート電極が残る。
ディスプレイアプリケーションでは、ディスプレイの各ピクセル内のエミッタ材料（冷陰極）は、とりわけ、放出特性を平均化し、ディスプレイ品質の一様性を保証するために、複数のエミッタからなることが好ましい。カーボンナノチューブの微小性により、エミッタは多くの放出点を提供する。代表的には、チューブの直径が１００ｎｍで、ナノチューブ密度が５０％であると仮定すると、１００×１００μｍ2のピクセルあたり１０5以上の放出チップ（先端）がある。本発明におけるエミッタ密度は少なくとも１０／μｍ2であり、好ましくは少なくとも１００／μｍ2である。低電圧下での効率的な電子放出は一般に、加速ゲート電極が近接して（一般に約１μｍの距離）存在することにより達成されるため、与えられたエミッタ領域にわたって複数のゲート開口を設け、複数のエミッタの能力を最大限に利用すると有効である。また、放出効率を最大にするため、できるだけ多くのゲート開口を有する微小なミクロンサイズの構造とするのが有効である。
本発明の低電圧エミッタの重要な使用法は、電界放出フラットパネルディスプレイのような電界放出デバイスの製造におけるものである。図３は、薄膜ナノチューブ電界エミッタを用いたフラットパネルディスプレイの概略断面図である。ディスプレイは、複数のナノチューブエミッタ４７を有するカソード４１と、真空シール内でエミッタから離間して配置されたアノード４５とを有する。透明絶縁基板４６上に形成されたアノード導体４９には、蛍光体層４４が設けられ、支柱（図示せず）上にマウントされる。カソードとアノードの間で、エミッタの近くに離間して、孔のある導電性ゲート層４３がある。ゲート４３は、薄い絶縁層４２によってカソード４１から離間させると都合がよい。
アノードとエミッタの間の空間は密閉されて排気され、電源４８によって電圧が加えられる。ナノチューブエミッタ４７からの電界放出電子は、各ピクセル内の複数のエミッタ４７から、ゲート電極４３によって加速され、アノード基板４６上に被覆されたアノード導電層４９（一般に、インジウムスズ酸化物のような透明な導体）のほうへ移動する。蛍光体層４４が、電子エミッタとアノードの間に配置される。加速された電子が蛍光体層４４に当たると、ディスプレイ画像が生成される。
また、ナノチューブエミッタ構造は、進行波管（ＴＷＴ：traveling wave tube）のようなマイクロ波真空デバイスにも有用である（例えば、A. Gilmour, Jr., Microwave Tubes, Artech House, 1986、を参照）。図４は、ＴＷＴ５０の概略図である。ＴＷＴは、真空管５２、電子源（ここでは電子銃５４）、マイクロ波入力信号を導入するための入力窓５６、電子が入力信号と相互作用する場所である相互作用構造５８、および、電子から導出されるマイクロ波パワーが管から取り出される場所であるマイクロ波出力窓６０を含む。ＴＷＴの他のコンポーネントには、相互作用構造５８を通して電子のビームを集める収束マグネット（図示せず）、出力マイクロ波パワーが生成された後に電子ビームを収集するコレクタ６２、および、出力における不整合から管内に反射して戻るマイクロ波パワーを吸収する内部減衰器（図示せず）がある。相互作用領域５８は一般に、広帯域アプリケーションでは導電性ヘリックスであり、高出力アプリケーションでは結合キャビティ領域である。
電子銃５４は、所望の軌跡に従う電子ビームを発生し、加速し、収束させる。ＴＷＴアプリケーションでは、比較的低電圧で大電流の長く薄い電子ビームが好ましい。電子銃は、例えば、平面カソードと平面アノードが対向したものから、ピアス(Pierce)銃、円錐形ダイオード電極、同心シリンダ、および球面キャップカソードのような複雑な設計のものまで、さまざまな構成がある（例えば、前掲のA. Gilmour, Jr., Microwave Tubes、を参照）。ＴＷＴの動作時には、電子ビーム６４は、カソード６６から、グリッド６８とアノード７０にかかる高電圧によって加速され、制御電極７２によって収束される。ビーム６４は、相互作用構造５８に向けられ、そこで、電子と信号がともに相互作用構造５８を通る際に、ビーム６４は、増幅されるべきマイクロ波入力信号と相互作用する。電子は、相互作用構造５８で、マイクロ波信号と同じ速度で移動すると有効である。変調された電子ビームは、出力６０において、増幅された形式の入力信号を生成する。
本発明の低電界ナノチューブエミッタは、ｘ−ｙマトリクスアドレス可能電子源、電子線リソグラフィ用の電子源、および当業者には明らかな類似のアプリケーションなどの、他の電界放出デバイスにおける冷陰極としても有用である。
本発明は、以下の例によってさらに明らかとなる。
［実施例］
［例１］
図１に示すようなレーザアブレーションシステムを用いて、単層カーボンナノチューブを合成した。グラファイトと、ニッケル／コバルト触媒材料との混合物のターゲットを炉内に置き、一定のＡｒ流のもとで１１５０℃に加熱した。ターゲットは、パルスＮｄ：ＹＡＧレーザ（λ＝１０６４ｎｍ）（Quanta-Ray DCR-2Aレーザ）の一次ビームによってアブレーションされた。生成された材料は、冷表面上のマットの形態であった。透過電子顕微鏡、走査電子顕微鏡、およびラマンスペクトル分光によれば、この原材料は約７０体積％の単層ナノチューブを含み、その平均直径は１．４〜１．５ｎｍであり、残りの３０体積％は無定形炭素および混合された触媒粒子からなっていた。この原材料を、ナノチューブを溶媒中に超音波分散し、多重濾過を行うことによって精製した。
３個のシリコンウェハを、スパッタリングあるいは熱蒸着によって、それぞれ鉄、クロム、およびアルミニウムの薄い層であらかじめ被覆した。金属層の厚さは約１０〜１００ｎｍであった。（鉄は炭素溶解性元素であり、クロムはカーバイド形成元素であり、アルミニウムは低融点金属である。）
エアスプレー法を用いて、ナノチューブを被覆基板上に付着させた。具体的には、通常の噴霧器スプレーノズルを、約２０ｐｓｉ（約１３８ｋＰａ）でアルゴンを運ぶ高圧ガスラインに取り付け、噴霧器の入口を、メタノール中にナノチューブを分散させたもので満たしたビーカーに入れた。溶媒とナノチューブの微細噴霧が生成された。基板は約２００℃に加熱され、スプレーノズルから約１２インチ（約３０．５ｃｍ）に配置された。この配置は、ナノチューブが基板表面に接触する前に溶媒が十分に蒸発することが可能であると考えられた。なめらかな、スプレーされた膜が生成された。
被覆された基板を１０-6ｔｏｒｒ（１．３×１０-4Ｐａ）の真空中に置き、８００℃で３時間加熱した。このアニーリングプロセスは、ナノチューブと鉄の間、または、ナノチューブとクロムの間の化学反応を促進し、あるいは、アルミニウムの場合、ナノチューブが冷却後に固定されるように、融解したアルミニウムがナノチューブの一部を被覆すると考えられる。アニーリング後、膜は、上記のスタッド引張り試験により測定して１．２〜１．７ｋｐｓｉ（８．３〜１１．７Ｍｐａ）の範囲の高い接着強度を示した。さらに、ＳＥＭ検査によれば、通常のScotch(R)ブランドのテープの着脱では、ナノチューブは基板から離脱しなかった。また、メタノール中で超音波処理しても同様にナノチューブは基板から離れなかった。
これらの接着性ナノチューブ膜に対して、１０-8ｔｏｒｒ（１．３×１０-6Ｐａ）の真空容器内で室温で電子放出測定を実行した。実験装置は、W. Zhu et al., "Electron field emission from chemical vapor deposited diamond", J. Vac. Sci. Technol., Vol.B14, 2011 (1996)、に記載されている通りである。簡潔にいえば、接地されたナノチューブサンプルから放出される電流を収集する球面タングステンプローブ（直径０．５ｍｍ）に２ｋＶまでの電圧をかけた。精密ステップモータを用いて、プローブとサンプル表面の間の距離を、３．３μｍのステップサイズで変化させた。電流電圧（Ｉ−Ｖ）特性を、約６μｍ〜約３２０μｍまで、アノード・カソード間距離の関数として収集した。
図６のＡに、鉄被覆サンプルの場合に、６．６μｍ〜３２０．１μｍのアノード・カソード間距離で、かけた電圧に対する電子放出電流を示す。なめらかで一貫性のあるＩ−Ｖ曲線が、履歴とは独立に、再現性を持って測定されていることが明らかである。図６のＢに、図６のＡと同じデータで、ｌｏｇ（Ｉ／Ｖ2）対１／Ｖのプロットを示す。これは、特徴的なFowler-Nordheim線形性を示している。
図７は、鉄被覆サンプルの場合に、ターンオン電界（すなわち、１ｎＡの放出電流を生成する電界）がたった１．７Ｖ／μｍであること、および、しきい値電界（すなわち、１０ｍＡ／ｃｍ2の放出電流密度を生成する電界）が２．８Ｖ／μｍであることを示している。これらの値は、他のタイプのエミッタ（例えば、モリブデン、シリコン、およびダイアモンドエミッタ）に要求される電界よりも１桁小さい。
同様の放出特性は、他のナノチューブサンプルでも示された。
［例２］
上記のレーザアブレーションプロセスによって形成されたカーボンナノチューブを微細粉末に粉砕し、溶媒中で室温で１時間超音波処理した。Dow Chemical Co.から入手した熱可塑性ポリマーであるポリヒドロキシアミノエーテル（ＰＨＡＥ）（ガラス転移温度は室温より低い）を、ナノチューブ／溶媒サスペンションに溶解した。さらに超音波処理した後、サスペンションをテフロンモールドに移し、換気フード内で一晩空気乾燥させた。テフロンモールド内に形成された黒色の薄膜を剥がして取り出した。このようにして、ナノチューブ重量百分率が５０％に達する膜が形成され、これを約５ｍｍ×３ｍｍのストリップに切断した。膜を、９０〜１００℃（ポリマーのガラス転移温度以上）の温度で、さまざまな負荷を用いて一定負荷をかけることによって、機械的に引き延ばした。膜は一般に、破断せずに５００％（最終長さ／最初の長さ）まで延ばされた。所望の延伸比に達した後、負荷を外す前に、サンプルを室温まで冷却した。
引き延ばしたサンプルと引き延ばしていないサンプルの両方について、Ｘ線回折パターンを得た。これには、１．５ｋＷ Ｃｕ源、ＨＯＰＧ（００２）モノクロメータ、および２次元イメージングプレート検出器（２５００×２５００ピクセルで８０μｍのピクセル解像度を有するMAC Science DIP2000）を透過モードで用いた。多層ナノチューブの構造は従来研究されている（例えば、O. Zhou et al., Science, Vol.263, 1744 (1994)、を参照）。回折パターンは、３．４Å付近に中心を有する強いブラッグピークによって支配され、これは、同じナノチューブ内のシェル間隔に対応する（（００２）ピークという）。
ナノチューブがランダムに配向している場合、ｄ間隔が３．４Åで一様な強度分布の粉末回折リングが期待される。ナノチューブが好ましい配向を有する場合、ブラッグ強度は、Ｋi（入射Ｘ線）によって規定される平面とＱ００２（逆空間ベクトル）との交点の２点に集中するであろう。キャストした膜の代表的な２次元Ｘ線回折パターンを図８のＡに示す。データは、方位角φに対して２θがプロットされている。ナノチューブシェル間隔ｄ００２に対応するブラッグピークは、２θ＝２６．１°（ｄ＝３．４１Å）付近に中心を有し、０から３６０°までのφに対して（回折リングの周に沿って）ほぼ一定である。
約５０重量％のナノチューブを有する引き延ばした（３３０％）膜のＸ線回折パターンを図８のＢに示す。このデータは、膜表面と延伸方向に垂直なＫiに対してとったものである。（００２）ブラッグ強度は、φ＝９０°および２７０°を中心とする２点に集中した。図８のＡからの回折パターンの変化は、延伸した膜におけるナノチューブが、その長軸を延伸方向に平行にして整列していることを示している。２Ｄ強度データの当てはめおよび解析を行うことにより、整列しているナノチューブの割合、および整列の程度を決定することが可能である。図８のＢのサンプルの場合、ナノチューブの５８％が、２０°のモザイク角のコーンで、応力方向に沿ってほぼ整列している。
ナノチューブの分散および整列を、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって検査した。複合体サンプルを、ダイヤモンドブレードによる切片作製法を用いて厚さ約９０ｎｍの膜に切断した。ナノチューブと不純物微粒子は、顕著な集積なしにマトリクス中に分散しており、図５に反映されているように、ポリマーによってほぼぬらされていた。図５は、延伸方向（矢印で示す）に平行にスライスした膜サンプルを示す。
ナノチューブを形成するのに用いられるレーザアブレーション装置の概略図である。 ナノチューブを形成するのに用いられる化学蒸着装置の概略図である。 電界放出ディスプレイデバイスの概略図である。 進行波管マイクロ波エミッタデバイスの概略図である。 例１によるナノチューブ／ポリマー複合体を機械的に引っ張ることによって生成された整列したカーボンナノチューブを示すＴＥＭ顕微鏡像の図である。 本発明による接着性ナノチューブ膜の放出特性を示す図である。 本発明による接着性ナノチューブ膜の放出特性を示す図である。 ＡおよびＢはそれぞれ、引張り前および引張り後のナノチューブ／ポリマー複合体膜のＸ線回折パターンの図である。
符号の説明
１０ （第１の）ターゲット
１１ 石英管
１２ 炉
１３ 流量計
１４ Ｎｄ：ＹＡＧパルスレーザ
１５ 集光レンズ
１６ 水平光スキャナ
１７ 垂直光スキャナ
１８ カメラ
２０ 基板
２１ 第２のターゲット
３０ 真空容器
３１ ヒータ
３２ 反応性炭素含有ガス
３３ 不活性キャリアガス
３４ 質量流量計
３５ 質量流量計
３６ 圧力バルブ
３７ 基板
４１ カソード
４２ 絶縁層
４３ 導電性ゲート層
４４ 蛍光体層
４５ アノード
４６ 透明絶縁基板
４７ ナノチューブエミッタ
４８ 電源
４９ アノード導体
５０ 進行波管（ＴＷＴ）
５２ 真空管
５４ 電子銃
５６ 入力窓
５８ 相互作用構造（領域）
６０ マイクロ波出力窓
６２ コレクタ
６４ 電子ビーム
６６ カソード
６８ グリッド
７０ アノード
７２ 制御電極

Claims (10)

  1. 基板を準備し、該基板上に接着性カーボンナノチューブ膜を配置させ、該カーボンナノチューブの少なくとも５０体積パーセントが同一方向に整列されているデバイス製造方法において、
    該基板が炭素溶解性元素、カーバイト形成元素及び低融点材料からなるグループの少なくとも１つの材料からなるものであるデバイス製造方法。
  2. 請求項１の方法において、カーボンナノチューブの整列は、該基板上に接着性カーボンナノチューブ膜を堆積している間に電界と磁界の少なくとも一方を適用しているデバイス製造方法。
  3. 請求項２の方法において、該接着性カーボンナノチューブ膜はポリマー材料のなしに該基板上に配置されるデバイス製造方法。
  4. 請求項２の方法において、該カーボンナノチューブ膜の配置は、
    該基板上にカーボンナノチューブを配置し、
    （ａ）炭素溶解性元素とカーボンナノチューブの少なくとも一部との反応、
    （ｂ）カーバイト形成元素とカーボンナノチューブの少なくとも一部との反応、及び
    （ｃ）低融点材料の少なくとも一部の溶融の少なくとも一つをもたらすに十分な温度に該基板と該カーボンナノチューブを加熱することからなるデバイス製造方法。
  5. 請求項２の方法において、該基板上への接着性カーボンナノチューブ膜の配置は、
    溶媒中にカーボンナノチューブを分散させた分散体を形成し、
    該基板表面に該分散体を適用して該基板表面を被覆し、そして
    該溶媒を蒸発させて該基板表面上にカーボンナノチューブの層を形成しているデバイス製造方法。
  6. 請求項５の方法において、カーボンナノチューブを純化し超音波処理しているデバイス製造方法。
  7. 請求項５の方法において、該基板上への接着性カーボンナノチューブ膜の配置は、
    （ａ）炭素溶解性元素とカーボンナノチューブの少なくとも一部との反応、
    （ｂ）カーバイト形成元素とカーボンナノチューブの少なくとも一部との反応、及び
    （ｃ）低融点材料の少なくとも一部の溶融の少なくとも一つをもたらすに十分な温度に該基板を加熱することからなるデバイス製造方法。
  8. 請求項２の方法において、前記接着性カーボンナノチューブ膜におけるカーボンの少なくとも７５体積パーセントが同一方向に整列しているデバイス製造方法。
  9. 請求項１の方法において、該カーボンナノチューブの整列は、
    ポリマーにカーボンナノチューブを混合して、軟化温度を有する複合材を形成し、
    該複合材をその軟化温度以上に加熱し、
    該複合材に単一軸化の負荷を与え、
    該軟化温度より低い温度に該複合材を冷却し、そして
    該単一軸化負荷を解放することからなるデバイス製造方法。
  10. 請求項９の方法において、該接着性カーボンナノチューブ膜のカーボンナノチューブの少なくとも７５体積パーセントが同一方向に整列されているデバイス製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007011997A (ja) * 2005-07-04 2007-01-18 Fujitsu Component Ltd タッチパネル
JP2009199084A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Qinghua Univ 液晶表示パネルの製造方法
WO2013005511A1 (ja) 2011-07-01 2013-01-10 日東電工株式会社 繊維状柱状構造体集合体
US9136794B2 (en) 2011-06-22 2015-09-15 Research Triangle Institute, International Bipolar microelectronic device

Families Citing this family (292)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7416699B2 (en) * 1998-08-14 2008-08-26 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Carbon nanotube devices
US6265466B1 (en) * 1999-02-12 2001-07-24 Eikos, Inc. Electromagnetic shielding composite comprising nanotubes
GB2346731B (en) * 1999-02-12 2001-05-09 Toshiba Kk Electron emission film and filed emission cold cathode device
US20020017854A1 (en) * 1999-03-08 2002-02-14 Paul Von Allmen Electron emissive surface and method of use
EP1054036A1 (en) * 1999-05-18 2000-11-22 Fina Research S.A. Reinforced polymers
KR20000074609A (ko) * 1999-05-24 2000-12-15 김순택 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이 및 그 제조방법
EP1061554A1 (en) * 1999-06-15 2000-12-20 Iljin Nanotech Co., Ltd. White light source using carbon nanotubes and fabrication method thereof
JP2001052652A (ja) * 1999-06-18 2001-02-23 Cheol Jin Lee 白色光源及びその製造方法
TW430857B (en) * 1999-08-10 2001-04-21 Delta Optoelectronics Inc Luminescent device
KR100314094B1 (ko) 1999-08-12 2001-11-15 김순택 전기 영동법을 이용한 카본나노튜브 필드 에미터의 제조 방법
AT408157B (de) * 1999-10-15 2001-09-25 Electrovac Verfahren zur herstellung eines feldemissions-displays
JP2003512286A (ja) * 1999-10-27 2003-04-02 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ カーボンナノチューブの巨視的に配置された集成体
US6923946B2 (en) * 1999-11-26 2005-08-02 Ut-Battelle, Llc Condensed phase conversion and growth of nanorods instead of from vapor
KR100371161B1 (ko) * 1999-12-18 2003-02-07 엘지전자 주식회사 전계방출소자의 제조방법
CN1229836C (zh) * 2000-02-16 2005-11-30 富勒林国际公司 用于有效电子场致发射的金刚石/碳纳米管结构
KR100366705B1 (ko) * 2000-05-26 2003-01-09 삼성에스디아이 주식회사 전기 화학 중합을 이용한 탄소나노튜브 에미터 제조 방법
JP2005097003A (ja) * 2000-05-31 2005-04-14 Nec Corp カーボンナノチューブの固着方法
US6413487B1 (en) * 2000-06-02 2002-07-02 The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma Method and apparatus for producing carbon nanotubes
US7449081B2 (en) * 2000-06-21 2008-11-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for improving the emission of electron field emitters
KR100506078B1 (ko) * 2000-08-03 2005-08-04 삼성에스디아이 주식회사 탄소나노튜브와 절연물을 이용한 ｍｉｃ형 전계 방출 소자
US6297592B1 (en) * 2000-08-04 2001-10-02 Lucent Technologies Inc. Microwave vacuum tube device employing grid-modulated cold cathode source having nanotube emitters
JP2004506530A (ja) * 2000-08-24 2004-03-04 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ ポリマー巻き付け単層カーボンナノチューブ
US7259510B1 (en) * 2000-08-30 2007-08-21 Agere Systems Inc. On-chip vacuum tube device and process for making device
US7082182B2 (en) * 2000-10-06 2006-07-25 The University Of North Carolina At Chapel Hill Computed tomography system for imaging of human and small animal
US7227924B2 (en) * 2000-10-06 2007-06-05 The University Of North Carolina At Chapel Hill Computed tomography scanning system and method using a field emission x-ray source
US7085351B2 (en) * 2000-10-06 2006-08-01 University Of North Carolina At Chapel Hill Method and apparatus for controlling electron beam current
US6876724B2 (en) * 2000-10-06 2005-04-05 The University Of North Carolina - Chapel Hill Large-area individually addressable multi-beam x-ray system and method of forming same
US6980627B2 (en) * 2000-10-06 2005-12-27 Xintek, Inc. Devices and methods for producing multiple x-ray beams from multiple locations
US20040240616A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-02 Applied Nanotechnologies, Inc. Devices and methods for producing multiple X-ray beams from multiple locations
KR100474172B1 (ko) * 2000-10-31 2005-03-07 주식회사 새 한 액정 표시장치용 백라이트
US6885022B2 (en) * 2000-12-08 2005-04-26 Si Diamond Technology, Inc. Low work function material
US20060135030A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Si Diamond Technology,Inc. Metallization of carbon nanotubes for field emission applications
KR20020049630A (ko) * 2000-12-19 2002-06-26 임지순 전계방출 에미터
WO2002068323A1 (fr) * 2001-02-26 2002-09-06 Nanolight International Ltd. Procede pour former un revetement, constitue de nanotubes de carbone, sur la surface d'un substrat
JP3981568B2 (ja) * 2001-03-21 2007-09-26 守信 遠藤 電界電子エミッタ用炭素繊維および電界電子エミッタの製造方法
US6723299B1 (en) 2001-05-17 2004-04-20 Zyvex Corporation System and method for manipulating nanotubes
CN1643636A (zh) * 2001-06-14 2005-07-20 海珀里昂催化国际有限公司 采用改进的碳纳米管的场发射器件
US6911767B2 (en) * 2001-06-14 2005-06-28 Hyperion Catalysis International, Inc. Field emission devices using ion bombarded carbon nanotubes
US7341498B2 (en) 2001-06-14 2008-03-11 Hyperion Catalysis International, Inc. Method of irradiating field emission cathode having nanotubes
JP4830217B2 (ja) 2001-06-18 2011-12-07 日本電気株式会社 電界放出型冷陰極およびその製造方法
KR100436087B1 (ko) * 2001-06-21 2004-06-12 한상효 탄소나노튜브를 이용한 방사선 광캐소드와 이를 이용한방사선 검출장치 및 방사선 이미지 측정장치
US7288238B2 (en) 2001-07-06 2007-10-30 William Marsh Rice University Single-wall carbon nanotube alewives, process for making, and compositions thereof
US7125502B2 (en) 2001-07-06 2006-10-24 William Marsh Rice University Fibers of aligned single-wall carbon nanotubes and process for making the same
US7259410B2 (en) * 2001-07-25 2007-08-21 Nantero, Inc. Devices having horizontally-disposed nanofabric articles and methods of making the same
US6706402B2 (en) 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
US6919592B2 (en) 2001-07-25 2005-07-19 Nantero, Inc. Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same
US7563711B1 (en) * 2001-07-25 2009-07-21 Nantero, Inc. Method of forming a carbon nanotube-based contact to semiconductor
US6574130B2 (en) 2001-07-25 2003-06-03 Nantero, Inc. Hybrid circuit having nanotube electromechanical memory
US6835591B2 (en) 2001-07-25 2004-12-28 Nantero, Inc. Methods of nanotube films and articles
US6643165B2 (en) 2001-07-25 2003-11-04 Nantero, Inc. Electromechanical memory having cell selection circuitry constructed with nanotube technology
KR100422217B1 (ko) * 2001-08-02 2004-03-12 일진나노텍 주식회사 탄소 나노튜브 박막 제조 방법
US6920680B2 (en) * 2001-08-28 2005-07-26 Motorola, Inc. Method of making vacuum microelectronic device
JP2003081618A (ja) * 2001-09-07 2003-03-19 Noritake Itron Corp カーボンナノチューブ膜の形成方法
JP3605105B2 (ja) * 2001-09-10 2004-12-22 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、発光装置、画像形成装置および基板の各製造方法
JP4306990B2 (ja) * 2001-10-18 2009-08-05 独立行政法人産業技術総合研究所 非線形光学素子
US7854861B2 (en) 2001-10-19 2010-12-21 Applied Nanotech Holdings, Inc. Well formation
US7195938B2 (en) * 2001-10-19 2007-03-27 Nano-Proprietary, Inc. Activation effect on carbon nanotubes
US7842522B2 (en) 2001-10-19 2010-11-30 Applied Nanotech Holdings, Inc. Well formation
US8062697B2 (en) * 2001-10-19 2011-11-22 Applied Nanotech Holdings, Inc. Ink jet application for carbon nanotubes
US7252749B2 (en) * 2001-11-30 2007-08-07 The University Of North Carolina At Chapel Hill Deposition method for nanostructure materials
US7455757B2 (en) * 2001-11-30 2008-11-25 The University Of North Carolina At Chapel Hill Deposition method for nanostructure materials
US6921462B2 (en) * 2001-12-17 2005-07-26 Intel Corporation Method and apparatus for producing aligned carbon nanotube thermal interface structure
US6784028B2 (en) 2001-12-28 2004-08-31 Nantero, Inc. Methods of making electromechanical three-trace junction devices
US6958572B2 (en) * 2002-02-06 2005-10-25 Ut-Battelle Llc Controlled non-normal alignment of catalytically grown nanostructures in a large-scale synthesis process
JP3432818B1 (ja) * 2002-03-07 2003-08-04 科学技術振興事業団 ナノホーン担持体とその製造方法
US8156057B2 (en) 2003-03-27 2012-04-10 Knowm Tech, Llc Adaptive neural network utilizing nanotechnology-based components
US9269043B2 (en) 2002-03-12 2016-02-23 Knowm Tech, Llc Memristive neural processor utilizing anti-hebbian and hebbian technology
US7147894B2 (en) * 2002-03-25 2006-12-12 The University Of North Carolina At Chapel Hill Method for assembling nano objects
ATE453203T1 (de) * 2002-04-12 2010-01-15 Applied Nanotech Holdings Inc Metallisierung von kohlenstoffnanoröhren für feldemissionsanwendungen
CN1164486C (zh) * 2002-04-12 2004-09-01 上海交通大学 操纵碳纳米管选择性取向排布于基底表面的方法
US6975063B2 (en) * 2002-04-12 2005-12-13 Si Diamond Technology, Inc. Metallization of carbon nanotubes for field emission applications
JP2003317606A (ja) * 2002-04-19 2003-11-07 Mitsubishi Pencil Co Ltd 電子銃用電極および電子銃
US7335395B2 (en) * 2002-04-23 2008-02-26 Nantero, Inc. Methods of using pre-formed nanotubes to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
US6905667B1 (en) 2002-05-02 2005-06-14 Zyvex Corporation Polymer and method for using the polymer for noncovalently functionalizing nanotubes
US20040034177A1 (en) 2002-05-02 2004-02-19 Jian Chen Polymer and method for using the polymer for solubilizing nanotubes
JP2006513557A (ja) * 2002-05-21 2006-04-20 エイコス・インコーポレーテッド カーボンナノチューブ被覆物をパターン化する方法およびカーボンナノチューブ配線
US7752151B2 (en) 2002-06-05 2010-07-06 Knowmtech, Llc Multilayer training in a physical neural network formed utilizing nanotechnology
DE60314138T2 (de) * 2002-06-14 2008-01-24 Hyperion Catalysis International, Inc., Cambridge Elektroleitfähige farbstoffe und beschichtungen auf kohlenstofffibrilenbasis
AU2003281237A1 (en) * 2002-07-03 2004-01-23 Applied Nanotechnologies, Inc. Fabrication and activation processes for nanostructure composite field emission cathodes
US6979947B2 (en) * 2002-07-09 2005-12-27 Si Diamond Technology, Inc. Nanotriode utilizing carbon nanotubes and fibers
US6940218B2 (en) * 2002-08-09 2005-09-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Doped field-emitter
US7827131B2 (en) 2002-08-22 2010-11-02 Knowm Tech, Llc High density synapse chip using nanoparticles
US6769945B2 (en) * 2002-08-24 2004-08-03 Industrial Technology Research Institute Method of growing isomeric carbon emitters onto triode structure of field emission display
JP3797299B2 (ja) * 2002-08-30 2006-07-12 石川島播磨重工業株式会社 高電圧用カソード及びその接合方法
JP4547852B2 (ja) * 2002-09-04 2010-09-22 富士ゼロックス株式会社 電気部品の製造方法
CN1282216C (zh) * 2002-09-16 2006-10-25 清华大学 一种灯丝及其制备方法
JP2004107118A (ja) * 2002-09-17 2004-04-08 Ulvac Japan Ltd グラファイトナノファイバの作製方法、電子放出源及び表示素子
US6841002B2 (en) * 2002-11-22 2005-01-11 Cdream Display Corporation Method for forming carbon nanotubes with post-treatment step
US20050132949A1 (en) * 2002-11-22 2005-06-23 Kang Sung G. Forming carbon nanotubes by iterating nanotube growth and post-treatment steps
US6841003B2 (en) * 2002-11-22 2005-01-11 Cdream Display Corporation Method for forming carbon nanotubes with intermediate purification steps
US7491428B2 (en) * 2002-12-04 2009-02-17 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Controlled deposition and alignment of carbon nanotubes
AU2003294586A1 (en) * 2002-12-09 2004-06-30 The University Of North Carolina At Chapel Hill Methods for assembly and sorting of nanostructure-containing materials and related articles
US6780664B1 (en) * 2002-12-20 2004-08-24 Advanced Micro Devices, Inc. Nanotube tip for atomic force microscope
US7666382B2 (en) * 2004-12-16 2010-02-23 Nantero, Inc. Aqueous carbon nanotube applicator liquids and methods for producing applicator liquids thereof
US7858185B2 (en) 2003-09-08 2010-12-28 Nantero, Inc. High purity nanotube fabrics and films
US8937575B2 (en) 2009-07-31 2015-01-20 Nantero Inc. Microstrip antenna elements and arrays comprising a shaped nanotube fabric layer and integrated two terminal nanotube select devices
EP1585845A1 (en) * 2003-01-13 2005-10-19 Nantero, Inc. Methods of using thin metal layers to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
US9574290B2 (en) 2003-01-13 2017-02-21 Nantero Inc. Methods for arranging nanotube elements within nanotube fabrics and films
US9422651B2 (en) 2003-01-13 2016-08-23 Nantero Inc. Methods for arranging nanoscopic elements within networks, fabrics, and films
US7316061B2 (en) 2003-02-03 2008-01-08 Intel Corporation Packaging of integrated circuits with carbon nano-tube arrays to enhance heat dissipation through a thermal interface
JP4774665B2 (ja) * 2003-02-05 2011-09-14 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP4291322B2 (ja) * 2003-03-07 2009-07-08 株式会社イデアルスター 素子とその製造方法、素子群、電子放出源及び表示装置
US6969690B2 (en) * 2003-03-21 2005-11-29 The University Of North Carolina At Chapel Hill Methods and apparatus for patterned deposition of nanostructure-containing materials by self-assembly and related articles
JP3697257B2 (ja) * 2003-03-25 2005-09-21 キヤノン株式会社 カーボンファイバー、電子放出素子、電子源、画像形成装置、ライトバルブ、二次電池の製造方法
WO2005031299A2 (en) 2003-05-14 2005-04-07 Nantero, Inc. Sensor platform using a non-horizontally oriented nanotube element
JP2007516314A (ja) 2003-05-22 2007-06-21 ザイベックス コーポレーション ナノコンポジットおよびナノコンポジットに関する方法
US20040256975A1 (en) * 2003-06-19 2004-12-23 Applied Nanotechnologies, Inc. Electrode and associated devices and methods
US7168484B2 (en) * 2003-06-30 2007-01-30 Intel Corporation Thermal interface apparatus, systems, and methods
DE10330795B4 (de) * 2003-07-08 2008-01-24 Qimonda Ag Kohlenstoff-Hartmaske mit einer Stickstoff-dotierten Kohlenstoffschicht als haftfähiger Schicht zur Haftung auf Metall oder metallhaltigen anorganischen Materialien und Verfahren zu deren Herstellung
CA2531628A1 (en) * 2003-07-09 2005-02-10 Hyperion Catalysis International, Inc. Field emission devices made with laser and/or plasma treated carbon nanotube mats, films or inks
RU2250526C1 (ru) * 2003-07-21 2005-04-20 ФГУП Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина Эмиттер для интегральных приборов
GB0320222D0 (en) * 2003-08-29 2003-10-01 Univ Bristol Field emitter
US7375369B2 (en) 2003-09-08 2008-05-20 Nantero, Inc. Spin-coatable liquid for formation of high purity nanotube films
US7504051B2 (en) * 2003-09-08 2009-03-17 Nantero, Inc. Applicator liquid for use in electronic manufacturing processes
US7416993B2 (en) * 2003-09-08 2008-08-26 Nantero, Inc. Patterned nanowire articles on a substrate and methods of making the same
US7452735B2 (en) 2003-09-12 2008-11-18 Applied Nanotech Holdings, Inc. Carbon nanotube deposition with a stencil
US20050089638A1 (en) * 2003-09-16 2005-04-28 Koila, Inc. Nano-material thermal and electrical contact system
JP4945888B2 (ja) * 2003-10-09 2012-06-06 富士ゼロックス株式会社 複合体およびその製造方法
JP2007516354A (ja) * 2003-10-23 2007-06-21 メドトロニック・インコーポレーテッド チタン金属上に炭素層を作製する方法
US6987071B1 (en) * 2003-11-21 2006-01-17 Nanosolar, Inc. Solvent vapor infiltration of organic materials into nanostructures
CN100466145C (zh) * 2003-12-19 2009-03-04 东元奈米应材股份有限公司 一种纳米碳管的喷涂液及其喷涂方法
US7180174B2 (en) * 2003-12-30 2007-02-20 Intel Corporation Nanotube modified solder thermal intermediate structure, systems, and methods
US7456052B2 (en) * 2003-12-30 2008-11-25 Intel Corporation Thermal intermediate apparatus, systems, and methods
KR20050079339A (ko) * 2004-02-05 2005-08-10 삼성에스디아이 주식회사 필드 에미터의 제조 방법
WO2005111593A2 (en) * 2004-02-23 2005-11-24 Douglas Joel S Strip electrode with conductive nano tube printing
JP4017613B2 (ja) * 2004-04-15 2007-12-05 憲司 中村 抗菌性の化粧用ブラシとその製造方法
US7712434B2 (en) * 2004-04-30 2010-05-11 Lam Research Corporation Apparatus including showerhead electrode and heater for plasma processing
US8317968B2 (en) 2004-04-30 2012-11-27 Lam Research Corporation Apparatus including gas distribution member supplying process gas and radio frequency (RF) power for plasma processing
US20070014148A1 (en) * 2004-05-10 2007-01-18 The University Of North Carolina At Chapel Hill Methods and systems for attaching a magnetic nanowire to an object and apparatuses formed therefrom
CN1705059B (zh) * 2004-05-26 2012-08-29 清华大学 碳纳米管场发射装置及其制备方法
US7834530B2 (en) * 2004-05-27 2010-11-16 California Institute Of Technology Carbon nanotube high-current-density field emitters
US7658869B2 (en) 2004-06-03 2010-02-09 Nantero, Inc. Applicator liquid containing ethyl lactate for preparation of nanotube films
US7556746B2 (en) 2004-06-03 2009-07-07 Nantero, Inc. Method of making an applicator liquid for electronics fabrication process
US7709880B2 (en) * 2004-06-09 2010-05-04 Nantero, Inc. Field effect devices having a gate controlled via a nanotube switching element
JP4799832B2 (ja) * 2004-06-10 2011-10-26 株式会社ピュアロンジャパン スラリー
US7296576B2 (en) 2004-08-18 2007-11-20 Zyvex Performance Materials, Llc Polymers for enhanced solubility of nanomaterials, compositions and methods therefor
US7247877B2 (en) * 2004-08-20 2007-07-24 International Business Machines Corporation Integrated carbon nanotube sensors
JP2006059752A (ja) * 2004-08-23 2006-03-02 Hitachi Displays Ltd 自発光平面表示装置
US7470353B2 (en) * 2004-08-30 2008-12-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of manufacturing field emitter electrode using self-assembling carbon nanotubes and field emitter electrode manufactured thereby
US7736209B2 (en) * 2004-09-10 2010-06-15 Applied Nanotech Holdings, Inc. Enhanced electron field emission from carbon nanotubes without activation
KR20060024564A (ko) * 2004-09-14 2006-03-17 삼성에스디아이 주식회사 카본나노튜브의 정렬방법 및 이를 이용한 전계방출소자의제조방법
KR100638616B1 (ko) * 2004-09-14 2006-10-26 삼성전기주식회사 전계방출 에미터전극 제조방법
WO2006121461A2 (en) 2004-09-16 2006-11-16 Nantero, Inc. Light emitters using nanotubes and methods of making same
EP1792320A4 (en) * 2004-09-21 2010-08-04 Nantero Inc RESISTIVE ELEMENTS USING CARBON NANOTUBES
EP1807919A4 (en) * 2004-11-02 2011-05-04 Nantero Inc DEVICES FOR PROTECTING ELECTROSTATIC DISCHARGES OF NANOTUBES AND NON-VOLATILE AND VOLATILE SWITCHES OF CORRESPONDING NANOTUBES
US20100147657A1 (en) * 2004-11-02 2010-06-17 Nantero, Inc. Nanotube esd protective devices and corresponding nonvolatile and volatile nanotube switches
EP1827681A4 (en) * 2004-11-17 2011-05-11 Hyperion Catalysis Int METHODS FOR PREPARING CATALYTIC CARRIERS AND SUPPORTED CATALYSTS FROM SINGLE-WALL CARBON NANOTUBES
US7348592B2 (en) 2004-11-29 2008-03-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Carbon nanotube apparatus and method of carbon nanotube modification
JP4561348B2 (ja) * 2004-12-17 2010-10-13 富士通株式会社 磁気記録媒体、磁気記録装置及び磁気記録媒体の製造方法
US7220971B1 (en) 2004-12-29 2007-05-22 The University Of North Carolina At Chapel Hill Multi-pixel electron microbeam irradiator systems and methods for selectively irradiating predetermined locations
US20060151777A1 (en) * 2005-01-12 2006-07-13 Naberhuis Steven L Multi-layer thin film in a ballistic electron emitter
US7502769B2 (en) 2005-01-31 2009-03-10 Knowmtech, Llc Fractal memory and computational methods and systems based on nanotechnology
US8062554B2 (en) * 2005-02-04 2011-11-22 Raytheon Company System and methods of dispersion of nanostructures in composite materials
US20060192494A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 Mastroianni Sal T In-situ sealed carbon nanotube vacuum device
US7645933B2 (en) * 2005-03-02 2010-01-12 Wisconsin Alumni Research Foundation Carbon nanotube Schottky barrier photovoltaic cell
US7686994B2 (en) * 2005-03-02 2010-03-30 Cabot Microelectronics Corporation Method of preparing a conductive film
CA2600524C (en) * 2005-03-10 2013-12-03 Tailored Materials Corporation Thin film production method and apparatus
US9287356B2 (en) * 2005-05-09 2016-03-15 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8941094B2 (en) 2010-09-02 2015-01-27 Nantero Inc. Methods for adjusting the conductivity range of a nanotube fabric layer
CN101296658B (zh) * 2005-04-25 2011-01-12 北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校 使用时间数字信号处理的x射线成像
US8155262B2 (en) 2005-04-25 2012-04-10 The University Of North Carolina At Chapel Hill Methods, systems, and computer program products for multiplexing computed tomography
US7479654B2 (en) 2005-05-09 2009-01-20 Nantero, Inc. Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance
US7781862B2 (en) 2005-05-09 2010-08-24 Nantero, Inc. Two-terminal nanotube devices and systems and methods of making same
US7835170B2 (en) * 2005-05-09 2010-11-16 Nantero, Inc. Memory elements and cross point switches and arrays of same using nonvolatile nanotube blocks
US8217490B2 (en) 2005-05-09 2012-07-10 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8013363B2 (en) * 2005-05-09 2011-09-06 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US9196615B2 (en) * 2005-05-09 2015-11-24 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8183665B2 (en) * 2005-11-15 2012-05-22 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US9911743B2 (en) 2005-05-09 2018-03-06 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8513768B2 (en) 2005-05-09 2013-08-20 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7782650B2 (en) * 2005-05-09 2010-08-24 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7598127B2 (en) * 2005-05-12 2009-10-06 Nantero, Inc. Nanotube fuse structure
TWI264271B (en) * 2005-05-13 2006-10-11 Delta Electronics Inc Heat sink
US7915122B2 (en) * 2005-06-08 2011-03-29 Nantero, Inc. Self-aligned cell integration scheme
US7867616B2 (en) * 2005-06-17 2011-01-11 Honda Motor Co., Ltd. Carbon single-walled nanotubes as electrodes for electrochromic glasses
US7538040B2 (en) * 2005-06-30 2009-05-26 Nantero, Inc. Techniques for precision pattern transfer of carbon nanotubes from photo mask to wafers
KR100631993B1 (ko) * 2005-07-20 2006-10-09 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
AU2006345024C1 (en) 2005-07-28 2012-07-26 Nanocomp Technologies, Inc. Systems and methods for formation and harvesting of nanofibrous materials
WO2007030483A2 (en) * 2005-09-06 2007-03-15 Nantero, Inc. Method and system of using nanotube fabrics as joule heating elements for memories and other applications
US7744793B2 (en) 2005-09-06 2010-06-29 Lemaire Alexander B Apparatus and method for growing fullerene nanotube forests, and forming nanotube films, threads and composite structures therefrom
WO2007030484A2 (en) * 2005-09-06 2007-03-15 Nantero, Inc. Nanotube fabric-based sensor systems and methods of making same
EP1964188A4 (en) * 2005-09-06 2010-06-16 Nantero Inc CARBON NANOTUBES FOR SELECTIVE HEAT TRANSFER FROM ELECTRONIC ELEMENTS
CN1937136B (zh) * 2005-09-22 2011-01-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 场发射阴极及平面光源
US7995777B2 (en) * 2005-10-03 2011-08-09 Xun Yu Thin film transparent acoustic transducer
JP5001544B2 (ja) * 2005-10-13 2012-08-15 国立大学法人京都大学 カーボンナノチューブの環状集合体の製造方法および製造装置
JP4490901B2 (ja) * 2005-10-21 2010-06-30 日信工業株式会社 電子放出性薄膜の製造方法、電極基材及び電子放出装置
CN1962427B (zh) * 2005-11-09 2010-11-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 纳米碳管的生长方法
AU2006349607A1 (en) * 2005-11-16 2008-05-02 Hyperion Catalysis International, Inc. Mixed structures of single walled and multi walled carbon nanotubes
US7486772B2 (en) * 2005-11-17 2009-02-03 Xintek, Inc. Systems and methods for x-ray imaging and scanning of objects
US8668978B2 (en) * 2005-12-01 2014-03-11 Northeastern University Multi-biomarker biosensor
US9388047B2 (en) * 2005-12-01 2016-07-12 Northeastern University Directed assembly of carbon nanotubes and nanoparticles using nanotemplates
US8562937B2 (en) * 2005-12-19 2013-10-22 Nantero Inc. Production of carbon nanotubes
KR100665881B1 (ko) 2005-12-30 2007-01-09 한국전기연구원 탄소나노튜브 기반의 엑스-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈
US20070158768A1 (en) * 2006-01-06 2007-07-12 Honeywell International, Inc. Electrical contacts formed of carbon nanotubes
TWI322792B (en) * 2006-01-11 2010-04-01 Ind Tech Res Inst Methods for fabricating carbon nano-tubes and field emission displays
JP4456576B2 (ja) * 2006-03-31 2010-04-28 日信工業株式会社 電子放出材料及びその製造方法、電子放出材料が形成された基材、電子放出装置
JP4394659B2 (ja) * 2006-03-31 2010-01-06 日信工業株式会社 電子放出材料及びその製造方法、電子放出材料が形成された基材、電子放出装置
US8189893B2 (en) 2006-05-19 2012-05-29 The University Of North Carolina At Chapel Hill Methods, systems, and computer program products for binary multiplexing x-ray radiography
WO2007139271A1 (en) * 2006-05-26 2007-12-06 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method for manufacturing a field emitter electrode using the array of carbon nanotubes
JP2008027854A (ja) * 2006-07-25 2008-02-07 Nissin Kogyo Co Ltd 電子放出材料及びその製造方法、電子放出材料が形成された基材、電子放出装置
KR20080013366A (ko) * 2006-08-08 2008-02-13 한국과학기술원 나노와이어의 정렬을 통한 전계방출 에미터 전극의제조방법
JP2008053172A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Toppan Printing Co Ltd 面発光素子
CN101192494B (zh) * 2006-11-24 2010-09-29 清华大学 电子发射元件的制备方法
US7930257B2 (en) 2007-01-05 2011-04-19 Knowm Tech, Llc Hierarchical temporal memory utilizing nanotechnology
TW200847241A (en) * 2007-01-30 2008-12-01 Peter J Burke Fabrication process for nanotube-CMOS integration
US20080238882A1 (en) * 2007-02-21 2008-10-02 Ramesh Sivarajan Symmetric touch screen system with carbon nanotube-based transparent conductive electrode pairs
US8110883B2 (en) 2007-03-12 2012-02-07 Nantero Inc. Electromagnetic and thermal sensors using carbon nanotubes and methods of making same
JP5069486B2 (ja) * 2007-03-14 2012-11-07 昭和電工株式会社 薄膜型電子放出材料、その製造方法、電界放出型素子及び電界放出型ディスプレイ
WO2009005908A2 (en) * 2007-05-22 2009-01-08 Nantero, Inc. Triodes using nanofabric articles and methods of making the same
US20080292979A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Zhe Ding Transparent conductive materials and coatings, methods of production and uses thereof
WO2008157509A2 (en) * 2007-06-14 2008-12-24 University Of Florida Research Foundation, Inc. Room temperature carbon nanotubes integrated on cmos
DE112008001902T5 (de) * 2007-07-19 2010-10-14 North Carolina State University Stationäre digitale Röntgen-Brust-Tomosynthese-Systeme und entsprechende Verfahren
US8790773B2 (en) * 2007-07-20 2014-07-29 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Tailorable dielectric material with complex permittivity characteristics
WO2009016546A2 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Nanostructures and method for making them
US8636972B1 (en) 2007-07-31 2014-01-28 Raytheon Company Making a nanomaterial composite
US20090035707A1 (en) * 2007-08-01 2009-02-05 Yubing Wang Rheology-controlled conductive materials, methods of production and uses thereof
DE102007039904A1 (de) * 2007-08-23 2008-08-28 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer wärmeleitfähigen Materialschicht
US20090056589A1 (en) * 2007-08-29 2009-03-05 Honeywell International, Inc. Transparent conductors having stretched transparent conductive coatings and methods for fabricating the same
US7850874B2 (en) * 2007-09-20 2010-12-14 Xintek, Inc. Methods and devices for electrophoretic deposition of a uniform carbon nanotube composite film
CN101458597B (zh) * 2007-12-14 2011-06-08 清华大学 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置
CN101458608B (zh) * 2007-12-14 2011-09-28 清华大学 触摸屏的制备方法
US8507785B2 (en) 2007-11-06 2013-08-13 Pacific Integrated Energy, Inc. Photo induced enhanced field electron emission collector
US7727578B2 (en) 2007-12-27 2010-06-01 Honeywell International Inc. Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors
US20090246507A1 (en) * 2008-01-15 2009-10-01 Georgia Tech Research Corporation Systems and methods for fabrication and transfer of carbon nanotubes
US7960027B2 (en) * 2008-01-28 2011-06-14 Honeywell International Inc. Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors
US7642463B2 (en) * 2008-01-28 2010-01-05 Honeywell International Inc. Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors
CN101499391B (zh) * 2008-02-01 2011-05-04 清华大学 电子发射装置及显示装置
US7990068B2 (en) * 2008-03-04 2011-08-02 Xerox Corporation Field emission light emitting device
JP5146256B2 (ja) * 2008-03-18 2013-02-20 富士通株式会社 シート状構造体及びその製造方法、並びに電子機器及びその製造方法
JP5768786B2 (ja) * 2008-03-18 2015-08-26 富士通株式会社 シート状構造体及び電子機器
CN101556885B (zh) * 2008-04-09 2011-03-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电子发射装置及显示装置
CN101556886B (zh) * 2008-04-09 2011-06-08 清华大学 电子发射装置及显示装置
JP5968621B2 (ja) 2008-05-07 2016-08-10 ナノコンプ テクノロジーズ インコーポレイテッド ナノ構造体ベースの加熱装置およびその使用方法
US8007333B2 (en) * 2008-06-06 2011-08-30 Xerox Corporation Method of forming field emission light emitting device including the formation of an emitter within a nanochannel in a dielectric matrix
TWI386971B (zh) * 2008-06-20 2013-02-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 場發射體及其製備方法
WO2009155359A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-23 Nantero, Inc. Nram arrays with nanotube blocks, nanotube traces, and nanotube planes and methods of making same
DE102008053027A1 (de) * 2008-10-24 2010-04-29 Kme Germany Ag & Co. Kg Verfahren zum Herstellen einer Kohlenstoff-Nanoröhren,Fullerene und/oder Graphene enthaltenden Beschichtung
US7915637B2 (en) 2008-11-19 2011-03-29 Nantero, Inc. Switching materials comprising mixed nanoscopic particles and carbon nanotubes and method of making and using the same
KR20100076800A (ko) * 2008-12-26 2010-07-06 삼성전자주식회사 전계방출소자 및 그 제조방법
US8600003B2 (en) 2009-01-16 2013-12-03 The University Of North Carolina At Chapel Hill Compact microbeam radiation therapy systems and methods for cancer treatment and research
US8273486B2 (en) 2009-01-30 2012-09-25 Honeywell International, Inc. Protecting a PEM fuel cell catalyst against carbon monoxide poisoning
US8574673B2 (en) 2009-07-31 2013-11-05 Nantero Inc. Anisotropic nanotube fabric layers and films and methods of forming same
US8128993B2 (en) * 2009-07-31 2012-03-06 Nantero Inc. Anisotropic nanotube fabric layers and films and methods of forming same
US20110034008A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Nantero, Inc. Method for forming a textured surface on a semiconductor substrate using a nanofabric layer
US8895950B2 (en) 2009-10-23 2014-11-25 Nantero Inc. Methods for passivating a carbonic nanolayer
US8351239B2 (en) 2009-10-23 2013-01-08 Nantero Inc. Dynamic sense current supply circuit and associated method for reading and characterizing a resistive memory array
WO2011050331A2 (en) * 2009-10-23 2011-04-28 Nantero, Inc. Method for passivating a carbonic nanolayer
JP2011126718A (ja) * 2009-12-15 2011-06-30 Hitachi Zosen Corp カーボンナノチューブの製造方法および製造装置
US8222704B2 (en) * 2009-12-31 2012-07-17 Nantero, Inc. Compact electrical switching devices with nanotube elements, and methods of making same
WO2011100661A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Nantero, Inc. Methods for controlling density, porosity, and/or gap size within nanotube fabric layers and films
US20110203632A1 (en) * 2010-02-22 2011-08-25 Rahul Sen Photovoltaic devices using semiconducting nanotube layers
US10661304B2 (en) 2010-03-30 2020-05-26 Nantero, Inc. Microfluidic control surfaces using ordered nanotube fabrics
WO2011127148A1 (en) * 2010-04-06 2011-10-13 William Marsh Rice University Production of highly conductive carbon nanotube-polymer composites
CN103081126A (zh) 2010-06-08 2013-05-01 太平洋银泰格拉泰德能源公司 具有增强场和电子发射的光学天线
CN101857709B (zh) * 2010-06-29 2011-12-21 清华大学 碳纳米管复合结构的制备方法
KR101027397B1 (ko) * 2010-08-27 2011-04-11 손호섭 전기 및 전자 소자의 검사를 위한 초소형 전자칼럼용 텅스텐 ｃｆｅ의 제조 방법
US8358739B2 (en) 2010-09-03 2013-01-22 The University Of North Carolina At Chapel Hill Systems and methods for temporal multiplexing X-ray imaging
JP5669042B2 (ja) * 2011-02-10 2015-02-12 勝義 近藤 摺動部材およびその製造方法
JP2011157270A (ja) * 2011-04-25 2011-08-18 Nec Corp Ｃｎｔ膜及びその製造方法並びにｃｎｔ膜を用いた電界放出型冷陰極及び画像表示装置
US20140339168A1 (en) * 2011-09-12 2014-11-20 National University Of Singapore Ceramic membrane containing carbon nanotubes
US9156698B2 (en) 2012-02-29 2015-10-13 Yazaki Corporation Method of purifying carbon nanotubes and applications thereof
CN103310869B (zh) * 2012-03-08 2016-06-08 清华大学 碳纳米管浆料，其制备方法以及采用该碳纳米管浆料制备阴极发射体的方法
CN103367074B (zh) * 2012-03-29 2015-08-26 清华大学 碳纳米管场发射体的制备方法
CN102933015B (zh) * 2012-11-16 2017-02-08 上海交通大学 一维纳米结构极化增强放电电极
US9718691B2 (en) 2013-06-17 2017-08-01 Nanocomp Technologies, Inc. Exfoliating-dispersing agents for nanotubes, bundles and fibers
US9650732B2 (en) 2013-05-01 2017-05-16 Nantero Inc. Low defect nanotube application solutions and fabrics and methods for making same
US9053890B2 (en) 2013-08-02 2015-06-09 University Health Network Nanostructure field emission cathode structure and method for making
US10654718B2 (en) 2013-09-20 2020-05-19 Nantero, Inc. Scalable nanotube fabrics and methods for making same
US20160243636A1 (en) 2013-09-30 2016-08-25 Empa Eidgenossische Materialprufungs- Und Forschungsanstalt Brazing joining method of cnt assemblies on substrates using an at least ternary brazing alloy; corresponding brazing material and device comprising such assembly
US9214332B2 (en) 2014-03-20 2015-12-15 International Business Machines Corporation Composite dielectric materials with improved mechanical and electrical properties
US9782136B2 (en) 2014-06-17 2017-10-10 The University Of North Carolina At Chapel Hill Intraoral tomosynthesis systems, methods, and computer readable media for dental imaging
US10614966B2 (en) 2014-08-11 2020-04-07 Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Aligned graphene-carbon nanotube porous carbon composite
CN104157533B (zh) * 2014-09-01 2016-08-24 安徽华东光电技术研究所 一种行波管阴极的玻管真空包装方法
US10980494B2 (en) 2014-10-20 2021-04-20 The University Of North Carolina At Chapel Hill Systems and related methods for stationary digital chest tomosynthesis (s-DCT) imaging
CN104465271B (zh) * 2014-11-25 2017-03-15 安徽华东光电技术研究所 用于真空包装的玻管及其加工方法
US9299430B1 (en) 2015-01-22 2016-03-29 Nantero Inc. Methods for reading and programming 1-R resistive change element arrays
JP6821575B2 (ja) 2015-02-03 2021-01-27 ナノコンプ テクノロジーズ，インク． カーボンナノチューブ構造体およびその生成のための方法
CN104641940B (zh) * 2015-03-10 2017-06-06 四川天科生态农业有限公司 银耳工厂化周年栽培新方法
GB2537196B (en) * 2015-10-02 2017-05-10 Mario Michan Juan Apparatus and method for electron irradiation scrubbing
US10835199B2 (en) 2016-02-01 2020-11-17 The University Of North Carolina At Chapel Hill Optical geometry calibration devices, systems, and related methods for three dimensional x-ray imaging
US9941001B2 (en) 2016-06-07 2018-04-10 Nantero, Inc. Circuits for determining the resistive states of resistive change elements
US9934848B2 (en) 2016-06-07 2018-04-03 Nantero, Inc. Methods for determining the resistive states of resistive change elements
US10581082B2 (en) 2016-11-15 2020-03-03 Nanocomp Technologies, Inc. Systems and methods for making structures defined by CNT pulp networks
US10355206B2 (en) 2017-02-06 2019-07-16 Nantero, Inc. Sealed resistive change elements
CN110945620B (zh) 2017-05-25 2022-11-22 微-X有限公司 产生射频调制的x射线放射的器件
US10749255B2 (en) 2018-03-30 2020-08-18 Intel Corporation Steerable antenna array
AU2019248217B2 (en) * 2018-04-06 2023-07-13 Micro-X Limited Large scale stable field emitter for high current applications
EP3804472A4 (en) 2018-05-25 2022-03-23 Micro-X Limited DEVICE FOR APPLYING BEAM-FORMING SIGNAL PROCESSING TO RF MODULATED X-RAYS
CN111128637B (zh) * 2018-11-01 2021-02-26 清华大学 场发射体的制备方法
CN112242280B (zh) * 2019-07-16 2022-03-22 清华大学 碳纳米管场发射体及其制备方法
JP7285212B2 (ja) * 2019-12-27 2023-06-01 日立造船株式会社 カーボンナノチューブ成形体の製造方法
EP3933881A1 (en) 2020-06-30 2022-01-05 VEC Imaging GmbH & Co. KG X-ray source with multiple grids

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2623013A1 (fr) 1987-11-06 1989-05-12 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ,utilisant cette source
US5138237A (en) 1991-08-20 1992-08-11 Motorola, Inc. Field emission electron device employing a modulatable diamond semiconductor emitter
US5129850A (en) 1991-08-20 1992-07-14 Motorola, Inc. Method of making a molded field emission electron emitter employing a diamond coating
JPH07113147B2 (ja) 1991-11-01 1995-12-06 工業技術院長 新炭素材料の製造方法
US5283500A (en) 1992-05-28 1994-02-01 At&T Bell Laboratories Flat panel field emission display apparatus
US5641466A (en) * 1993-06-03 1997-06-24 Nec Corporation Method of purifying carbon nanotubes
JPH0822733B2 (ja) * 1993-08-04 1996-03-06 工業技術院長 カーボンナノチューブの分離精製方法
DE4405768A1 (de) 1994-02-23 1995-08-24 Till Keesmann Feldemissionskathodeneinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2595903B2 (ja) * 1994-07-05 1997-04-02 日本電気株式会社 液相におけるカーボン・ナノチューブの精製・開口方法および官能基の導入方法
EP0700065B1 (en) 1994-08-31 2001-09-19 AT&T Corp. Field emission device and method for making same
US5504385A (en) 1994-08-31 1996-04-02 At&T Corp. Spaced-gate emission device and method for making same
US5637950A (en) * 1994-10-31 1997-06-10 Lucent Technologies Inc. Field emission devices employing enhanced diamond field emitters
US5709577A (en) * 1994-12-22 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Method of making field emission devices employing ultra-fine diamond particle emitters
US5686182A (en) 1995-09-28 1997-11-11 Xerox Corporation Conductive carrier compositions and processes for making and using
JPH09115334A (ja) * 1995-10-23 1997-05-02 Mitsubishi Materiais Corp 透明導電膜および膜形成用組成物
US5948465A (en) * 1995-11-15 1999-09-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making a field emitter cathode using a particulate field emitter material
US5872422A (en) 1995-12-20 1999-02-16 Advanced Technology Materials, Inc. Carbon fiber-based field emission devices
US5697827A (en) 1996-01-11 1997-12-16 Rabinowitz; Mario Emissive flat panel display with improved regenerative cathode
JPH09267193A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Kobe Steel Ltd ステンレス鋼フラックス入りワイヤ
US5726524A (en) 1996-05-31 1998-03-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Field emission device having nanostructured emitters
US6057637A (en) * 1996-09-13 2000-05-02 The Regents Of The University Of California Field emission electron source
TW353758B (en) 1996-09-30 1999-03-01 Motorola Inc Electron emissive film and method
JP3183845B2 (ja) * 1997-03-21 2001-07-09 財団法人ファインセラミックスセンター カーボンナノチューブ及びカーボンナノチューブ膜の製造方法
EP0905737B1 (en) * 1997-09-30 2004-04-28 Noritake Co., Ltd. Electron-emitting source
KR19990043770A (ko) * 1997-11-29 1999-06-15 정선종 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자의 제조 방법
US6250984B1 (en) * 1999-01-25 2001-06-26 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article
US6277318B1 (en) * 1999-08-18 2001-08-21 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabrication of patterned carbon nanotube films

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007011997A (ja) * 2005-07-04 2007-01-18 Fujitsu Component Ltd タッチパネル
JP2009199084A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Qinghua Univ 液晶表示パネルの製造方法
US9136794B2 (en) 2011-06-22 2015-09-15 Research Triangle Institute, International Bipolar microelectronic device
WO2013005511A1 (ja) 2011-07-01 2013-01-10 日東電工株式会社 繊維状柱状構造体集合体

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