CN1705059B - 碳纳米管场发射装置及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种碳纳米管场发射装置及其制备方法。该碳纳米管场发射装置包括一基板及至少一形成于基板上的碳纳米管阵列，其中该碳纳米管阵列中渗透有粘合剂，碳纳米管阵列顶端露出在粘合剂之外。该粘合剂将碳纳米管阵列固定在基板上，避免碳纳米管在强电场下被电场力从基板上拔出。本发明还提供该碳纳米管场发射装置的制备方法。该碳纳米管场发射装置适合用于真空电子源器件，特别适合用于场发射平面显示器的阴极。

Description

碳纳米管场发射装置及其制备方法
【技术领域】
本发明涉及一种场发射装置及其制备方法，特别涉及一种碳纳米管场发射装置及其制备方法。
【背景技术】
碳纳米管是一种新型碳材料，由日本研究人员Iijima于1991年发现，请参见″Helical Microtubules of Graphitic Carbon″，Iijima，Nature，vol.354，p56(1991)。碳纳米管具有极优异的导电性能，且其具有几乎接近理论极限的尖端表面积(尖端表面积愈小，其局部电场愈集中)，所以碳纳米管是已知的最好的场发射材料，它具有极低的场发射开启电场(约2伏/微米)，可传输极大的发射电流密度，并且发射电流极稳定，因而非常适合做场发射显示器的发射元件。
碳纳米管场发射装置至少包括一阴极基板及作为发射体的碳纳米管层，该碳纳米管层形成于阴极基板上，其中碳纳米管层形成于阴极上的方式主要有涂覆/印刷法或直接生长法。例如平板印刷法，将碳纳米管混合在浆料中，然后印刷在阴极基板上。但是，用涂覆/印刷法形成的碳纳米管表面被浆料包裹，而不是与基板直接结合，因而电接触性质比较差，即使使用导电浆料，也要对其进行后处理，使碳纳米管发射端露出来，因而得到的发射体发射均匀性、稳定性都难以掌握。
直接生长法是在基板上镀上金属催化剂，然后用化学气相沉积法在基板上直接生长碳纳米管阵列。如美国专利第6,232,706号揭示的一种碳纳米管场发射装置及其制备方法，该碳纳米管场发射装置包括一基底，沉积在基底上的一催化剂层，以及从催化剂层上延伸出来的至少一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列与基底基本垂直。该碳纳米管场发射装置的制备方法包括步骤：(1)沉积一催化剂层于一基底上；(2)用化学气相沉积法在催化剂层上生长碳纳米管阵列。
用化学气相沉积法在基板上直接生长碳纳米管阵列，碳纳米管与基底电接触良好。但是，碳纳米管与基底的结合能力比较差，碳纳米管容易在使用时脱落或被电场力拔出，从而导致发射体损坏。
因此，提供一种碳纳米管与基板结合牢固、而且发射均匀稳定的碳纳米管场发射装置及其制备方法非常必要。
【发明内容】
为解决现有技术碳纳米管场发射装置中碳纳米管与基板结合不牢固，碳纳米管容易在场发射电流比较大时被电场力拔出，从而导致发射体易损坏的技术问题，本发明的第一目的在于提供一种碳纳米管与基板电接触性良好、结合牢固，发射体不易损坏、发射均匀稳定的碳纳米管场发射装置。
本发明的第二目的在于提供一种碳纳米管场发射装置的制备方法。
为实现第一目的，本发明所采取的技术方案是，提供一种碳纳米管场发射装置，该碳纳米管场发射装置包括一基板及至少一形成于基板上的碳纳米管阵列，其中该碳纳米管阵列中渗透有粘合剂，该粘合剂将碳纳米管阵列固定在基板上。
本发明所提供的碳纳米管场发射装置进一步特征在于，碳纳米管顶端露出在粘合剂之外。
为实现第二目的，本发明所提供的技术方案是：提供该碳纳米管场发射装置的制备方法，该制备方法包括步骤：提供一基板；在基板上形成至少一碳纳米管阵列；往碳纳米管阵列中注入粘合剂并干燥。
本发明所提供的碳纳米管场发射装置的制备方法进一步包括：往碳纳米管阵列中注入粘合剂并干燥后，激光处理碳纳米管阵列表面，去除碳纳米管阵列表面的粘合剂。
与现有技术相比，本发明所提供的碳纳米管场发射装置及其制备方法有以下优点：碳纳米管阵列中注入粘合剂，粘合剂经干燥后缩聚，从而将碳纳米管固定在基板上，确保碳纳米管与基板结合牢固，在较大电场力作用下也不容易被拔出，发射体不易被破坏；经过激光处理碳纳米管阵列表面，去除碳纳米管阵列表面的粘合剂，使得碳纳米管端头露出来，并将碳纳米管端头修剪整齐，使得该碳纳米管场发射装置具有均匀发射端，减少电屏蔽效应，从而降低起始电压，增大场发射电流。
【附图说明】
图1是提供一基板的示意图。
图2是在基板上沉积一催化剂层的产品示意图。
图3是在催化剂层上生长一层碳纳米管阵列的产品示意图。
图4是往碳纳米管阵列中注入粘合剂并干燥后的产品示意图。
图5是激光处理碳纳米管阵列表面后的产品示意图。
图6是本发明所提供的碳纳米管场发射装置制备方法流程图。
图7是没有经过胶聚合的碳纳米管阵列与经过激光处理后的胶聚合碳纳米管阵列场发射I-V曲线对比图。
图8是激光处理后的胶聚合碳纳米管阵列的场发射I-V曲线图。
【具体实施方式】
下面结合附图来说明本发明所提供的碳纳米管场发射装置及其制备方法：
如图5所示，本发明所提供的碳纳米管场发射装置100包括一基板10，形成于基板10上表面的催化剂层20，形成于催化剂层20上的碳纳米管阵列30，以及注入在碳纳米管阵列30中的粘合剂40，该粘合剂40经过干燥后缩聚，将碳纳米管阵列30固定在基板10上。其中，碳纳米管阵列30顶端经过激光处理，粘合剂40去除，碳纳米管阵列30顶端露出于粘合剂40，而不被粘合剂覆盖，各碳纳米管或碳纳米管束顶端不相互缠绕。
本实施方式中，该基板10为一硅片，硅片上表面具有多个微孔。催化剂层20为铁，厚度为5纳米。碳纳米管阵列30通过化学气相沉积法直接生长在催化剂层20上。粘合剂40为氰基丙烯酸盐。
如图6所示，本发明所提供的碳纳米管场发射装置制备方法包括：
步骤1，提供一基板；
步骤2，在基板上表面形成一催化剂层；
步骤3，在催化剂层上形成至少一碳纳米管阵列；
步骤4，往碳纳米管阵列中注入粘合剂并干燥；
步骤5，激光处理碳纳米管阵列表面。
下面结合图示详细介绍本方法的每一个步骤：
如图1所示，提供一基板10，该基板10应当可以耐受碳纳米管生长时的温度，可选用耐热的非金属材料，如硅。基板10具有一表面，用以接纳后续步骤中形成的催化剂层，该表面可以为平整表面，也可以为多孔表面。本实施方式提供一硅片作为基板10，且用氢氟酸将硅片表面腐蚀，形成多个微孔。
如图2所示，在基板10表面上通过蒸镀或化学沉积等方法，形成具有一定厚度的催化剂层20，催化剂一般为过渡金属Fe、Co、Ni或其合金，沉积厚度1～10纳米，优选为3～5纳米。本实施方式采用掩膜电子束蒸镀的方法，在硅片上镀上一层5纳米厚的铁作为催化剂层。
如图3所示，采用化学气相沉积法在催化剂层20上生长碳纳米管阵列30。在一定温度条件下通入碳氢气体，通过催化剂层20的催化作用，碳氢气体发生化学反应，生成碳纳米管阵列30；生长碳纳米管阵列30的温度一般在500～800℃，优选为700℃左右；碳纳米管阵列30的长度一般为1微米～1000微米之间，优选10微米～500微米。
如图4所示，在碳纳米管阵列30中注入适量粘合剂40并干燥之后，将碳纳米管阵列30固定在基板10上。粘合剂40为具有粘结能力的胶体，例如本实施方式采用的氰基丙烯酸盐。可采用注射器从碳纳米管阵列30的侧面将粘合剂40注入碳纳米管阵列30中，粘合剂40浸润到碳纳米管的间隙中，干燥后，粘合剂40凝固缩聚，将碳纳米管粘结在基板10的表面。
粘合剂40的注入量以刚好浸润碳纳米管阵列30为最佳，当粘合剂40注入量不够时，导致粘结力不够，碳纳米管不能牢固地固定在基板10上；当粘合剂40过多时，易溢出碳纳米管阵列30，弄脏整个碳纳米管场发射装置，此时可在粘合剂40干燥之前用吸纸将多余的粘合剂吸去。由于碳纳米管阵列30生长之后未经任何处理的情况下，其顶端并非绝对平齐，因此部分较短的碳纳米管的顶端被粘合剂40覆盖。
如图5所示，用激光处理碳纳米管阵列30的表面之后，得到碳纳米管阵列顶端平整、且碳纳米管端头都露出来的碳纳米管场发射装置100。本实施方式的激光处理方法采用氯化氙(XeCl)为工作气体，激光波长为308纳米。
本发明所提供的碳纳米管场发射装置通过粘合剂使得碳纳米管与基板结合牢固，在较大电场力作用下也不容易被拔出，发射体不易被破坏，发射电流增大，场发射性能增强。另外，通过激光处理碳纳米管阵列表面，去除碳纳米管阵列表面的粘合剂，使得碳纳米管端头露出来，并将碳纳米管端头修剪整齐，使其发射均匀，场发射性能增强。
如图7所示，没有经过胶聚合的碳纳米管阵列与激光处理后的经过胶聚合的碳纳米管阵列场发射I-V曲线对比图显示，本发明提供的经过激光处理后的胶聚合碳纳米管阵列的场发射起始电压低，同一起始电压下，场发射电流大。
如图8所示，激光处理后的胶聚合的碳纳米管阵列可以发射8毫安的电流，而这种碳纳米管阵列样品在没有用胶处理前，电流只能达到1～2毫安，否则碳纳米管就会被拔出，发射体损坏。

Claims (9)

1.一种碳纳米管场发射装置,包括一基板及至少一形成于基板的碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列中渗透有粘合剂，该碳纳米管阵列中碳纳米管的顶端露出在粘合剂外，其特征在于，该粘合剂与碳纳米管阵列接触粘结并将碳纳米管阵列固定在基板上。
2.如权利要求1所述的碳纳米管场发射装置，其特征在于该粘合剂包括氰基丙烯酸盐。
3.如权利要求1所述的碳纳米管场发射装置，其特征在于该碳纳米管顶端不互相缠绕。
4.一种碳纳米管场发射装置的制备方法包括步骤：
提供一基板；
在基板上表面形成至少一碳纳米管阵列；
往碳纳米管阵列中注入粘合剂并干燥，该粘合剂与碳纳米管阵列粘结并将碳纳米管阵列固定在基板上。    
5.如权利要求4所述的碳纳米管场发射装置的制备方法，其特征在于该粘合剂采用注射器注入到碳纳米管阵列中。
6.如权利要求4所述的碳纳米管场发射装置的制备方法，其特征在于该粘合剂的注入量为刚好浸润整个碳纳米管阵列。
7.如权利要求4所述的碳纳米管场发射装置的制备方法，其特征在于在自然状态下干燥。
8.如权利要求4所述的碳纳米管场发射装置的制备方法，其特征在于该粘合剂干燥后进一步包括激光处理碳纳米管阵列表面，去除碳纳米管阵列表面的粘合剂。
9.如权利要求8所述的碳纳米管场发射装置的制备方法，其特征在于激光处理碳纳米管阵列表面的工艺条件包括工作气体为氯化氙以及激光波长为308纳米。 
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US11/114,699 US7448931B2 (en) 2004-05-26 2005-04-25 Method for manufacturing carbon nanotube field emission device

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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101205060B (zh) 2006-12-20 2011-05-04 清华大学 碳纳米管阵列的制备方法
CN101205059B (zh) 2006-12-20 2010-09-29 清华大学 碳纳米管阵列的制备方法
CN101205061B (zh) * 2006-12-22 2011-03-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 碳纳米管阵列的制备方法
CN101206980B (zh) * 2006-12-22 2010-04-14 清华大学 场发射阴极的制备方法
CN101206979B (zh) * 2006-12-22 2010-05-19 清华大学 场发射阴极的制备方法
CN101209833B (zh) * 2006-12-27 2010-09-29 清华大学 碳纳米管阵列的制备方法
CN101209832B (zh) * 2006-12-29 2010-05-12 清华大学 碳纳米管阵列的制备方法
US8951631B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused metal fiber materials and process therefor
US9005755B2 (en) 2007-01-03 2015-04-14 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-infused carbon nanomaterials and process therefor
US8951632B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused carbon fiber materials and process therefor
US8158217B2 (en) 2007-01-03 2012-04-17 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber and method therefor
CN101400198B (zh) * 2007-09-28 2010-09-29 北京富纳特创新科技有限公司 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法
CN101409961B (zh) * 2007-10-10 2010-06-16 清华大学 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法
CN101409962B (zh) * 2007-10-10 2010-11-10 清华大学 面热光源及其制备方法
US20100122980A1 (en) * 2008-06-13 2010-05-20 Tsinghua University Carbon nanotube heater
US20100126985A1 (en) * 2008-06-13 2010-05-27 Tsinghua University Carbon nanotube heater
CN102317200B (zh) 2009-02-17 2014-04-09 应用纳米结构方案公司 包括纤维上的碳纳米管的复合材料
EP2401416B1 (en) 2009-02-27 2021-03-17 Applied NanoStructured Solutions, LLC Low temperature carbon nanotube growth using gas-preheat method
US20100227134A1 (en) 2009-03-03 2010-09-09 Lockheed Martin Corporation Method for the prevention of nanoparticle agglomeration at high temperatures
CA2758568A1 (en) 2009-04-24 2010-10-28 Applied Nanostructured Solutions, Llc Cnt-infused emi shielding composite and coating
US9111658B2 (en) 2009-04-24 2015-08-18 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-shielded wires
US8664573B2 (en) 2009-04-27 2014-03-04 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-based resistive heating for deicing composite structures
BR112012002216A2 (pt) 2009-08-03 2016-05-31 Applied Nanostructured Sols método de incorporação de nanopartículas em fibras compósitas, fibra de vidro e tapete de fibra picada ou compósito
CN101993055B (zh) 2009-08-14 2013-02-13 清华大学 碳纳米管膜先驱、碳纳米管膜及其制备方法
TWI417238B (zh) * 2009-08-25 2013-12-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 奈米碳管膜先驅、奈米碳管膜及其製備方法
JP2013511655A (ja) 2009-11-23 2013-04-04 アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニー Ｃｎｔを適合された陸ベース複合材料構造体
JP2013511467A (ja) 2009-11-23 2013-04-04 アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニー カーボンナノチューブ浸出繊維材料を含有するセラミック複合材料とその製造方法
EP2513250A4 (en) 2009-12-14 2015-05-27 Applied Nanostructured Sols FIRE-RESISTANT COMPOSITE MATERIALS AND ARTICLES WITH CARBON NANOTUBES-INFUNDED FIBER MATERIALS
US9167736B2 (en) 2010-01-15 2015-10-20 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line
CA2785803A1 (en) 2010-02-02 2011-11-24 Applied Nanostructured Solutions, Llc Carbon nanotube-infused fiber materials containing parallel-aligned carbon nanotubes, methods for production thereof, and composite materials derived therefrom
BR112012021634A2 (pt) 2010-03-02 2019-09-24 Applied Nanostructured Sols dispositivos elétricos contendo fibras de nanotubo de carbono infundidas e métodos para reprodução das mesmas.
BR112012021968A2 (pt) 2010-03-02 2016-06-07 Applied Nanostructured Sols dispositivos elétricos enrolados em espiral que contêm materiais de eletrodo infundidos por nanotubo de carbono e métodos e aparelhos para a produção dos mesmos
US8780526B2 (en) 2010-06-15 2014-07-15 Applied Nanostructured Solutions, Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
CN101880035A (zh) 2010-06-29 2010-11-10 清华大学 碳纳米管结构
US9017854B2 (en) 2010-08-30 2015-04-28 Applied Nanostructured Solutions, Llc Structural energy storage assemblies and methods for production thereof
CA2808242A1 (en) 2010-09-14 2012-03-22 Applied Nanostructured Solutions, Llc Glass substrates having carbon nanotubes grown thereon and methods for production thereof
US8815341B2 (en) 2010-09-22 2014-08-26 Applied Nanostructured Solutions, Llc Carbon fiber substrates having carbon nanotubes grown thereon and processes for production thereof
BR112012017246A2 (pt) 2010-09-23 2016-03-22 Applied Nanostructured Solutins Llc fibra infundida por cnt como um fio autoblindado para linha de transmissão de energia aprimorada
US8491970B2 (en) * 2010-09-29 2013-07-23 Teledyne Scientific & Imaging, Llc Vertically aligned carbon nanotube arrays from liquid dispersions
US8552381B2 (en) * 2011-07-08 2013-10-08 The Johns Hopkins University Agile IR scene projector
US9085464B2 (en) 2012-03-07 2015-07-21 Applied Nanostructured Solutions, Llc Resistance measurement system and method of using the same
CN103367074B (zh) * 2012-03-29 2015-08-26 清华大学 碳纳米管场发射体的制备方法
CN108766616A (zh) * 2018-06-07 2018-11-06 深圳市梅莎新能源科技有限公司 一种碳纳米管电极的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6630772B1 (en) * 1998-09-21 2003-10-07 Agere Systems Inc. Device comprising carbon nanotube field emitter structure and process for forming device
CN1467772A (zh) * 2002-04-22 2004-01-14 ����Sdi��ʽ���� 用于场发射显示装置的电子发射源组合物及用其制造的场发射显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6683783B1 (en) * 1997-03-07 2004-01-27 William Marsh Rice University Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes
US6232706B1 (en) * 1998-11-12 2001-05-15 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Self-oriented bundles of carbon nanotubes and method of making same
TW480537B (en) 2001-01-19 2002-03-21 Ind Tech Res Inst Method for enhancing emission efficiency of carbon nanotube emission source field
TW483016B (en) 2001-03-28 2002-04-11 Ind Tech Res Inst Manufacturing method of electron emitter stack and structure of field emission display
US6719916B2 (en) * 2001-04-18 2004-04-13 National Research Council Of Canada Multilayer microstructures and laser based method for precision and reduced damage patterning of such structures
TW561102B (en) * 2001-10-22 2003-11-11 Hrl Lab Llc Preparing composites by using resins
US7452452B2 (en) * 2002-04-29 2008-11-18 The Trustees Of Boston College Carbon nanotube nanoelectrode arrays
US7465494B2 (en) * 2002-04-29 2008-12-16 The Trustees Of Boston College Density controlled carbon nanotube array electrodes
US7150801B2 (en) * 2003-02-26 2006-12-19 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Process for producing cold field-emission cathodes

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6630772B1 (en) * 1998-09-21 2003-10-07 Agere Systems Inc. Device comprising carbon nanotube field emitter structure and process for forming device
CN1467772A (zh) * 2002-04-22 2004-01-14 ����Sdi��ʽ���� 用于场发射显示装置的电子发射源组合物及用其制造的场发射显示装置

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