CN101205059B - 碳纳米管阵列的制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；形成一光吸收层于上述基底表面；形成一催化剂层于上述光吸收层上；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂表面；以及，以激光束聚焦照射在上述基底表面从而生长碳纳米管阵列。

Description

碳纳米管阵列的制备方法
技术领域
本发明涉及一种碳纳米管阵列的制备方法，尤其涉及采用激光辅助化学气相沉积法制备碳纳米管阵列的方法。
背景技术
碳纳米管是九十年代初才发现的一种新型一维纳米材料。碳纳米管的特殊结构决定了其具有特殊的性质，如高抗张强度和高热稳定性；随着碳纳米管螺旋方式的变化，碳纳米管可呈现出金属性或半导体性等。由于碳纳米管具有理想的一维结构以及在力学、电学、热学等领域优良的性质，其在材料科学、化学、物理学等交叉学科领域已展现出广阔的应用前景，在科学研究以及产业应用上也受到越来越多的关注。
目前比较成熟的制备碳纳米管的方法主要包括电弧放电法(Arcdischarge)、激光烧蚀法(Laser Ablation)及化学气相沉积法(Chemical VaporDeposition)。其中，化学气相沉积法和前两种方法相比具有产量高、可控性强、与现行的集成电路工艺相兼容等优点，便于工业上进行大规模合成，因此近几年备受关注。
用于制备碳纳米管的化学气相沉积法一般包括传统热化学气相沉积法(Thermal Chemical Vapor Deposition，CVD)、等离子化学气相沉积法(PlasmaChemical Vapor Deposition，PCVD)和激光辅助化学气相沉积法(Laser-Induced Chemical Vapor Deposition，LICVD)。
现有的激光辅助化学气相沉积法一般以激光为快速加热热源，利用激光束直接照射在生长所需的基底上使其温度升高，达到生长所需的温度。当含碳反应气体流经高温基底表面时，受基底影响升温，通过与基底上的催化剂作用，反应气体产生热解或化学反应，从而实现碳纳米管的生长。
然而，现有的激光辅助化学气相沉积法生长碳纳米管有以下不足之处：首先，该方法一般需要在一密封的反应炉内进行，并使得反应气体充满整个反应空间，其设备较为复杂，且难以制作大型的反应炉用于在大面积玻璃基板上通过化学气相沉积法生长碳纳米管。其次，该方法采用激光束直接正面照射在碳纳米管生长所需的基底上，由于激光场强度较高，容易破坏碳纳米管的生长。
因此，确有必要提供一种改进的激光辅助化学气相沉积法，其无需在密封的反应室，且可尽量减少正面照射时激光对碳纳米管生长的破坏。
发明内容
以下，将以实施例说明一种碳纳米管阵列的制备方法。
一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；形成一光吸收层于上述基底表面；形成一催化剂层于上述光吸收层上；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂表面；以及，以激光束聚焦照射在上述基底表面从而生长碳纳米管阵列。
相较于现有技术，所述的碳纳米管阵列的制备方法形成有一光吸收层位于催化剂层与基底之间。该光吸收层可有效吸收激光能量并加热催化剂，可削弱激光场强度，可在一定程度上避免激光破坏新生长出来的碳纳米管；同时，在反应过程中可释放碳原子促进碳纳米管的成核及生长，因此，本发明实施例碳纳米管阵列的制备方法无需在一密封的反应室内进行，方法简单可控。
附图说明
图1为本发明实施例碳纳米管阵列的制造方法的流程示意图。
图2为本发明实施例获得的碳纳米管阵列的扫描电镜照片。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图1，本发明实施例碳纳米管阵列的制备方法主要包括以下几个步骤：
步骤一：提供一基底。
本实施例中基底材料选用耐高温材料制成。根据不同应用，本实施例中基底材料还可分别选用不同材料，如，当应用于半导体电子器件时可选择为硅、二氧化硅或金属材料；当应用于平板显示器时，优选为玻璃。基底本身厚度不影响本实施例碳纳米管阵列的生长，其也可根据实际应用选择不同厚度。
步骤二：在上述基底表面形成一光吸收层。
本实施例中，该光吸收层的制备方法包括以下步骤：将一含碳材料涂敷于上述基底表面，该含碳材料要求能与基底表面结合紧密；在氮气环境中，将涂敷有含碳材料的基底在约90分钟内逐渐加温到约300℃以上，并烘烤一段时间；自然冷却到室温形成一光吸收层于基底表面。
本发明实施例中含碳材料优选为目前广泛应用于电子产品如冷阴极显像管中的石墨乳材料。进一步地，该石墨乳可通过旋转涂敷方式形成于基底表面，其转速为1000～5000转/分(rpm)，优选为1500rpm。所形成的光吸收层的厚度为1～20微米。另外，烘烤的目的在于使得含碳材料中的其他材料蒸发，如将石墨乳中的有机物蒸发。
步骤三：形成一催化剂层于上述光吸收层上。
该催化剂层的形成可利用热沉积、电子束沉积或溅射法来完成。催化剂层的材料选用铁，也可选用其它材料，如氮化镓、钴、镍及其合金材料等。进一步地，可通过高温退火等方式氧化催化剂层，形成催化剂氧化物颗粒。
另外，该催化剂层可通过将一催化剂溶液涂敷于光吸收层上形成，其具体步骤包括：提供一催化剂乙醇溶液；将该催化剂乙醇溶液涂敷于上述光吸收层表面。
本实施例中，该催化剂乙醇溶液为将硝酸镁(Mg(NO3)2·6H2O)、硝酸铁(Fe(NO3)3·9H2O)、硝酸钴(Co(NO3)2·6H2O)或硝酸镍(Ni(NO3)2·6H2O)中任一种或几种组成的混合物与乙醇溶液混合形成。优选地，该催化剂乙醇溶液为硝酸镁和硝酸铁组成的混合物的乙醇溶液，溶液中硝酸铁的含量为0.01～0.5摩尔/升(Mol/L)，硝酸镁的含量为0.01～0.5Mol/L。该催化剂乙醇溶液可通过旋转涂敷形成于光吸收层表面，其转速优选为约1500rpm。所形成的催化剂层的厚度为1～100纳米。
步骤四：通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂表面。
该碳源气优选为廉价气体乙炔，也可选用其它碳氢化合物如甲烷、乙烷、乙烯等。载气气体优选为氩气，也可选用其他惰性气体如氮气等。本实施例中，碳源气与载气可通过一气体喷嘴直接通入到上述催化剂层表面附近。载气与碳源气的通气流量比例为5:1～10:1，本实施例优选为通以约200标准毫升/分(sccm)的氩气和约25sccm的乙炔。
步骤五：以激光束聚焦照射在上述基底表面从而生长碳纳米管阵列。
本实施例中，激光束可通过传统的氩离子激光器或二氧化碳激光器产生，其功率为0～5W，优选为约960mW。产生的激光束可通过一透镜聚焦后从正面直接照射在上述基底表面，可以理解，该激光束可采用垂直照射或倾斜照射聚焦于基底表面的催化剂层上。
反应预定时间后，由于催化剂的作用，以及激光束照射在基底催化剂层上加热催化剂，通入到基底附近的碳源气在一定温度下热解成碳单元(C＝C或C)和氢气。其中，氢气会将被氧化的催化剂还原，碳单元吸附于催化剂层表面，从而生长出碳纳米管。本实施例中，由于采用激光作为加热热源，且利用石墨乳层吸收激光能量并加热催化剂，该化学气相沉积法的反应温度可低于600摄氏度。
进一步地，由于本发明实施例采用激光聚焦正面照射催化剂生长碳纳米管阵列，利用激光束照射反应的碳源气，从而使气体能量增加，提高气体温度，可进一步促进碳源气在较低温度分解反应生长碳纳米管阵列。
另外，由于本发明实施例采用激光聚焦照射生长碳纳米管阵列，催化剂局部温度在较短时间内能够被加热并吸收足够的能量，同时，碳源气为直接通入到被加热的催化剂表面附近。因此，本发明实施例无需一密封的反应室，即可同时保证生长碳纳米管阵列的催化剂附近达到所需的温度及碳源气的浓度，且，由于碳源气分解产生的氢气的还原作用，可确保氧化的催化剂能够被还原，并促使碳纳米管阵列生长。
本发明实施例中形成的石墨乳层在本发明利用激光辅助化学气相沉积法生长碳纳米管阵列的方法有以下优点：第一，由于石墨乳层能有效吸收激光能量并加热催化剂，可使得该催化剂层更容易达到生长碳纳米管所需温度，本实施例中反应温度可低于600℃；第二，该石墨乳层可削弱激光场强度，可在一定程度上避免激光破坏新生长出来的碳纳米管；第三，该石墨乳层在反应过程中可释放出碳原子促进碳纳米管的成核及生长，因此，本发明实施例碳纳米管阵列的制备方法无需在一密封的反应室内进行，方法简单可控。
请参阅图2，本发明实施例依照上述方法以聚焦后直径范围在50～200微米的激光束垂直照射在玻璃基底的催化剂上约30秒钟，可得到如图2所示的碳纳米管阵列。该碳纳米管阵列为山丘形状，且垂直于基底生长。该碳纳米管阵列的直径为100～200微米，高度为10～20微米。每个碳纳米管的直径为10～30纳米。
进一步地，本实施例激光辅助化学气相沉积法生长碳纳米管阵列过程中，可通过控制移动激光束扫描照射在基底的催化剂层上，可实现大面积基底上生长碳纳米管阵列。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (13)

1.一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：
提供一基底；
形成一采用含碳材料制备的光吸收层于上述基底表面；
形成一催化剂层于上述光吸收层上；
通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂表面；以及
以激光束聚焦照射在上述基底表面从而生长碳纳米管阵列。
2.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该光吸收层的形成包括以下步骤：
形成一含碳材料于上述基底表面；
在氮气环境中，将涂敷有含碳材料的基底在90分钟内逐渐加温到300℃以上并烘烤；以及
自然冷却到室温形成一光吸收层于基底表面。
3.如权利要求2所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该含碳材料为石墨乳。
4.如权利要求3所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该石墨乳层采用旋转涂敷形成于基底表面。
5.如权利要求2所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该光吸收层的厚度为1～20微米。
6.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该催化剂层的形成包括以下步骤：
提供一催化剂溶液；以及
将该催化剂溶液涂敷于上述光吸收层表面。
7.如权利要求6所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该催化剂溶液为含有催化剂的乙醇溶液。
8.如权利要求7所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该催化剂为硝酸镁、硝酸铁、硝酸钴或硝酸镍中任一种或几种组成的混合物。
9.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该催化剂层的厚度为1～100纳米。
10.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该碳源气包括甲烷、乙烷、乙烯或乙炔，该载气包括氩气或氮气。
11.如权利要求1或10所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该载气和碳源气的通气流量比例为5:1～10:1。
12.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该激光束可通过传统的氩离子激光器或二氧化碳激光器产生，并通过一透镜聚焦照射在基底上。
13.如权利要求12所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该激光束聚焦后直径范围为50～200微米。
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