CN102534766B - 一种快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置及其应用 - Google Patents
一种快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102534766B CN102534766B CN201210047668.2A CN201210047668A CN102534766B CN 102534766 B CN102534766 B CN 102534766B CN 201210047668 A CN201210047668 A CN 201210047668A CN 102534766 B CN102534766 B CN 102534766B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphene film
- volume
- thin layer
- catalytic metal
- metal thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 61
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 5
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FSCNUJMKSQHQSY-UHFFFAOYSA-N Gein Chemical compound COC1=CC(CC=C)=CC=C1OC1C(O)C(O)C(O)C(COC2C(C(O)C(O)CO2)O)O1 FSCNUJMKSQHQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 2
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明提供一种快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置，该装置包括热源、卷对卷和气瓶，所述卷对卷带动催化金属薄层移动，并穿过密闭石英箱；分装在气瓶中的保护气体、氢气和碳源通过管路进入密闭石英箱；密闭石英箱与真空泵连接，以保持气体的流动性和较低的气压；所述热源为激光器，激光器发射出的激光束透过密闭石英箱照射在催化金属薄层的表面对其进行逐行扫描加热。本发明解决了在传统管式炉中由于金属薄层整体受热造成高温下金属薄层受力变形甚至拉断的问题。将该装置应用于制备大尺寸石墨烯薄膜时，可实现大尺寸石墨烯薄膜均匀、快速、连续的生长，也可以对石墨烯薄膜生长区域进行更为精确的控制。
Description
技术领域
本发明属于薄膜材料领域，具体涉及一种快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置及方法。
背景技术
自2004年由Novoselov和Gein第一次制备出单层石墨烯以来，延生了许许多多种制备石墨烯的方法。美国专利US2011004528201A1公开了一种在氮化硼上异质外延生长石墨烯的方法。该方法是先用原子沉积法在金属衬底上生长出氮化硼薄膜，然后再在长出的氮化硼薄膜上通碳源，通过化学气相沉积法生长石墨烯，形成石墨烯/氮化硼异质薄膜。这种方法要求有很高的反应温度，由于自由的碳原子在氮化硼衬底上易于聚集形成无定形碳颗粒，因此该方法难以在面内扩散形成大面积的均相石墨烯薄层。
化学气相沉积法（CVD法）被认为是目前最有希望制备大面积、高品质的石墨烯薄膜的方法，其中利用卷对卷（roll-to-roll）带动催化金属薄层[Appl.Phys.Lett.2011,98,133106]来代替单个金属片的方法更是为大规模制备大尺寸的石墨烯薄膜提供了可能性。然而，在上述卷对卷的方法中，对于金属的加热器为管式炉(tubefurnace)是整体大范围的加热，而催化金属在1000℃及以上时会处于整体熔融状态，此时若拉动催化金属薄层，金属薄层很可能受力变形甚至拉断，且由于管式炉从中心向两边的温度逐渐降低，容易造成在不同温度区间石墨烯薄膜生长的不均匀以及不可控。
发明内容
本发明的目的是要解决采用卷对卷制备石墨烯薄膜时，催化金属薄层在高温下受力易变形或拉断和石墨烯薄膜生长不可控性的问题，提供一种快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置。
本发明的另一目的是提供上述装置在制备大尺寸石墨烯薄膜中的应用。
一种快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置，所述装置包括卷对卷、热源和气瓶，其特点在于：所述卷对卷带动催化金属薄层移动，并穿过密闭石英箱；分装在气瓶中的保护气体、氢气和碳源通过管路进入密闭石英箱；密闭石英箱与真空泵连接，以保持气体的流动性和较低的气压；所述热源为激光器，激光器发射出的激光束透过密闭石英箱照射在催化金属薄层的表面对其进行逐行扫描加热。
进一步，所述激光器安装在与催化金属薄层运动方向垂直的轴上。
进一步，所述激光器为液体激光器、气体激光器或固体激光器。
进一步，所述装置安装有一个或多个激光器，从而实现单点或多点扫描，即单束或多束激光束在催化金属薄层上进行照射。
上述装置在制备大尺寸石墨烯薄膜中的应用，具体步骤包括：
（1）将保护气体、氢气和碳源分别通入密闭石英箱，同时开启卷对卷，带动催化金属薄层运行；
（2）将激光束照射在催化金属薄层上，对其进行加热，使加热区附近的氢气与碳源反应，在催化金属薄层上生长出石墨烯薄膜。
进一步，所述保护气体为氮气、氩气、氦气或氖气。
进一步，所述碳源为含有1~7个碳原子的烷烃、烯烃或炔烃。
所述碳源优选常温常压下呈气态的烷烃、烯烃或炔烃。
具体地例子有甲烷，乙炔，乙烯，乙烷，丙烷，丙烯，丁烷。
进一步，所述催化金属薄层为镍、钴、铁、铂、金、铝、铬、铜、镁、锰、钼、钌、钽、钛、钨中的一种或任意两种或两种以上组成的合金。
进一步，所述激光束波长为200~10600nm。
本发明的有益效果：本发明的装置采用激光器作为热源，实现化学气相沉积法生长石墨烯薄膜，解决了在传统管式炉中由于金属薄层整体受热造成高温下金属薄层受力变形甚至拉断的问题。采用本发明的装置可实现大尺寸石墨烯薄膜均匀、快速、连续的生长，也可以对石墨烯薄膜生长区域进行更为精确的控制，即只在特定的区域生长或进行特殊图案的生长。由于本发明装置加热区域只是局限在激光束光斑处，与管式炉在整个炉中都处于高温且温度分布不匀相比，本发明生长过程中产生无定形碳颗粒的可能性更小。
附图说明
图1为本发明快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置示意图。
图2为本发明的装置工作时，激光器与催化金属薄层的相对运动图。
其中，卷对卷（101和103为传动辊，102和104为辅辊），催化金属薄层（2），密闭石英箱（3），激光器（4），气瓶（5），真空泵（6）。
具体实施方式
以下结合附图及具体实施方式对本发明做进一步的说明。
如图1所示，本发明快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置包括卷对卷、若干个装有不同气体的气瓶、真空泵、密闭石英箱、催化金属薄层和激光器。
卷对卷可采用多种结构，如采用专利申请号200810132655.9、专利申请号201020643545.1所公开的方式，本发明采用如文献Appl.Phys.Lett.2011,98,133106公开的卷对卷，即由两个传动辊（101、103）和两个辅辊（102、104）组成，催化金属薄层由两个传动辊（101、103）带动着向行进，两个辅辊（102、104）能使催化金属薄层保持紧绷，该催化金属薄层即是石墨烯薄膜生长的催化剂，也是其生长的衬底，因此保持催化金属薄层的紧绷状态相对有利于高质量的石墨烯薄膜的生长。该装置只采用一个传动辊也是可行的，如保留出装置尾部的传动辊（101）。
将密闭石英箱安装在卷对卷的两个辅辊之间，并且使催化金属薄层穿过密闭石英箱，密闭石英箱的好处是，其透光性良好，使激光束能能够透过其照射在催化金属薄层表面上，这样可方便激光器的安装和运动。
密闭石英箱同时与若干个气瓶相连，气瓶数量可以根据采用的化学反应不同而调整，但主要有装有保护气体的气瓶（501）、装有氢气的气瓶（502）、装有碳源的气瓶（503），分别通过阀门及气体流量控制器控制各种气体的流量大小。
所述的保护气体可以使用氮气、氩气、氦气或氖气或者它们的混合气。
密闭石英箱还与真空泵相连，密闭石英箱的形状可以是圆柱形、长方形、正方形或其它可接受的形状，优选长方形。
激光器安装在与催化金属薄层运动方向垂直的轴（401）上，且可在该轴（401）上来回运动，激光器发射出的激光束透过密闭石英箱照射在催化金属薄层的表面。当采用多个激光器时，则可实现多束激光束对催化金属薄层的扫描照射。激光器的运动通过与其连接的传动器件进行控制。
激光器可以是液体激光器、气体激光器或固体激光器。在进行石墨烯薄膜生长时，激光束的波长控制为200~10600nm。
采用本发明的装置制备大尺寸石墨烯薄膜时，具体步骤包括：
（1）将保护气体、氢气和碳源分别通入密闭石英箱，同时开启卷对卷，带动催化金属薄层运行；
（2）将激光束照射在催化金属薄层上，对其进行加热，使加热区附近的氢气与碳源反应，在催化金属薄层上生长出石墨烯薄膜。
可采用含有1~7个碳原子的烷烃、烯烃或炔烃为碳源，碳源优选常温常压下呈气态的烷烃、烯烃或炔烃。具体地例子有甲烷，乙炔，乙烯，乙烷，丙烷，丙烯，丁烷，优选甲烷。
催化金属薄层可以是镍、钴、铁、铂、金、铝、铬、铜、镁、锰、钼、钌、钽、钛、钨中的一种或任意两种或两种以上组成的合金，优选铜、镍。
在进行石墨烯生长前，可开启真空泵或先通入保护气体对密闭石英箱进行排空气操作。
在石墨烯薄膜生长过程中，激光器在轴（401）上来回运动，通过调节激光器运动速率及其在轴上的运动幅度，再配合催化金属薄层的行进速率，即可实现大尺寸石墨烯薄膜的均匀生长。由于激光束可以非常快速的将催化金属薄层加热至所需温度，远优于管式炉的加热速度，因此该装置也可以对石墨烯生长区域进行更为精确的控制，即只在特定的区域生长或进行特殊图案的生长。
Claims (8)
1.一种快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置，所述装置包括卷对卷、热源和气瓶，其特征在于：所述卷对卷带动催化金属薄层移动，并穿过密闭石英箱；分装在气瓶中的保护气体、氢气和碳源通过管路进入密闭石英箱；密闭石英箱与真空泵连接，以保持气体的流动性和较低的气压；所述热源为激光器，激光器发射出的激光束透过密闭石英箱照射在催化金属薄层的表面对其进行逐行扫描加热；
所述激光器安装在与催化金属薄层运动方向垂直的轴上，且可在该轴上来回运动。
2.根据权利要求1所述的快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置，其特征在于：所述激光器为液体激光器、气体激光器或固体激光器。
3.根据权利要求1所述的快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置，其特征在于：所述装置安装有一个或多个激光器。
4.权利要求1～3任一所述的装置在制备大尺寸石墨烯薄膜中的应用，其特征在于，具体步骤包括：
（1）将保护气体、氢气和碳源分别通入密闭石英箱，同时开启卷对卷，带动催化金属薄层运行；
（2）将激光束照射在催化金属薄层上，对其进行加热，使加热区附近的氢气与碳源反应，在催化金属薄层上生长出石墨烯薄膜。
5.根据权利要求4所述的装置在制备大尺寸石墨烯薄膜中的应用，其特征在于：所述保护气体为氮气、氩气、氦气或氖气。
6.根据权利要求4所述的装置在制备大尺寸石墨烯薄膜中的应用，其特征在于：所述碳源为含有1~7个碳原子的烷烃、烯烃或炔烃。
7.根据权利要求4所述的装置在制备大尺寸石墨烯薄膜中的应用，其特征在于：所述催化金属薄层为镍、钴、铁、铂、金、铝、铬、铜、镁、锰、钼、钌、钽、钛、钨中的一种或任意两种或两种以上组成的合金。
8.根据权利要求4所述的装置在制备大尺寸石墨烯薄膜中的应用，其特征在于：所述激光束的波长为200～10600nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210047668.2A CN102534766B (zh) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 一种快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210047668.2A CN102534766B (zh) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 一种快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置及其应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102534766A CN102534766A (zh) | 2012-07-04 |
| CN102534766B true CN102534766B (zh) | 2016-03-09 |
Family
ID=46342747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210047668.2A Active CN102534766B (zh) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 一种快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置及其应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102534766B (zh) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102730679A (zh) * | 2012-07-23 | 2012-10-17 | 贵州新碳高科有限责任公司 | 用于连续制备石墨烯粉末的设备及方法 |
| CN103011139B (zh) * | 2012-11-13 | 2015-08-12 | 重庆墨希科技有限公司 | 一种石墨烯的制备方法 |
| CN103232034A (zh) * | 2013-05-23 | 2013-08-07 | 中国石油大学(北京) | 一种连续制备大面积石墨烯薄膜的方法及装置 |
| CN103350992A (zh) * | 2013-06-19 | 2013-10-16 | 厦门烯成新材料科技有限公司 | 一种高导电性氟化石墨烯薄膜的制备方法 |
| CN103558073B (zh) * | 2013-11-15 | 2015-12-09 | 西北大学 | 有机分子碳十四定年制样系统和方法 |
| CN104264130B (zh) * | 2014-09-25 | 2017-05-10 | 北矿磁材科技股份有限公司 | 一种石墨烯的制备方法及制备装置 |
| CN105624778B (zh) * | 2016-03-30 | 2018-07-10 | 北京大学 | 一种快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜的方法 |
| CN105803522B (zh) * | 2016-03-30 | 2018-02-13 | 北京大学 | 一种连续制备大单晶石墨烯的方法 |
| KR20180012054A (ko) * | 2016-07-26 | 2018-02-05 | 해성디에스 주식회사 | 그래핀 와이어, 이를 채용하는 케이블 및 그 제조방법 |
| CN106868471B (zh) * | 2017-03-17 | 2019-04-09 | 厦门大学 | 一种双光束快速制备石墨烯图形的方法及装置 |
| CN107381554B (zh) * | 2017-06-27 | 2020-05-08 | 王竹君 | 一种激光冷壁环境控制的石墨烯生长系统 |
| CN107217240A (zh) * | 2017-07-11 | 2017-09-29 | 江苏星特亮科技有限公司 | 一种石墨烯薄膜的制备方法 |
| CN107739027A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-02-27 | 清华大学深圳研究生院 | 一种连续制备多孔石墨烯薄膜的方法及装置 |
| CN110295357B (zh) * | 2018-03-21 | 2020-09-08 | 北京大学 | 一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜的方法及装置 |
| CN108483429A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-09-04 | 北京航空航天大学 | 一种大面积石墨烯纸的制备方法 |
| CN110983302A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-04-10 | 宁波柔碳电子科技有限公司 | 一种卷对卷石墨烯薄膜生长设备以及卷对卷石墨烯薄膜生长方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101205059B (zh) * | 2006-12-20 | 2010-09-29 | 清华大学 | 碳纳米管阵列的制备方法 |
| EP2354272A1 (en) * | 2010-02-08 | 2011-08-10 | Sungkyunkwan University Foundation for Corporate Collaboration | Graphene roll-to-roll coating apparatus and graphene roll-to-roll coating method using the same |
| CN102191485A (zh) * | 2011-03-23 | 2011-09-21 | 长春理工大学 | 一种激光加热生长石墨烯的制作方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080020193A1 (en) * | 2006-07-24 | 2008-01-24 | Jang Bor Z | Hybrid fiber tows containning both nano-fillers and continuous fibers, hybrid composites, and their production processes |
| CN102656016B (zh) * | 2009-10-16 | 2015-12-16 | 石墨烯广场株式会社 | 石墨烯卷对卷转印方法、由该方法制成的石墨烯卷及石墨烯卷对卷转印装置 |
-
2012
- 2012-02-28 CN CN201210047668.2A patent/CN102534766B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101205059B (zh) * | 2006-12-20 | 2010-09-29 | 清华大学 | 碳纳米管阵列的制备方法 |
| EP2354272A1 (en) * | 2010-02-08 | 2011-08-10 | Sungkyunkwan University Foundation for Corporate Collaboration | Graphene roll-to-roll coating apparatus and graphene roll-to-roll coating method using the same |
| CN102191485A (zh) * | 2011-03-23 | 2011-09-21 | 长春理工大学 | 一种激光加热生长石墨烯的制作方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Continuous roll-to-roll growth of graphene films by chemical vapor deposition;Thorsten Hesjedal;《Applied Physics Letters》;20110330;第98卷;第133106-1到133106-3页 * |
| Graphene synthesis by chemical vapor deposition;Zhen-Yu Juang et al.;《CARBON》;20100508;第48卷(第11期);第3169-3174页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102534766A (zh) | 2012-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102534766B (zh) | 一种快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置及其应用 | |
| US20200317511A1 (en) | Direct graphene growing method | |
| Zahid et al. | Synthesis of carbon nanomaterials from different pyrolysis techniques: a review | |
| CN104773726A (zh) | 一种低温化学气相沉积生长单层石墨烯薄膜的方法 | |
| Shi et al. | Na-assisted fast growth of large single-crystal MoS2 on sapphire | |
| US20110104442A1 (en) | Graphene sheet, graphene base including the same, and method of preparing the graphene sheet | |
| Pinilla et al. | Metallic and carbonaceous–based catalysts performance in the solar catalytic decomposition of methane for hydrogen and carbon production | |
| CN103691446B (zh) | 以石墨烯为载体的催化剂及由此制得的碳纳米材料 | |
| Gan et al. | A simple method to synthesize graphene at 633 K by dechlorination of hexachlorobenzene on Cu foils | |
| JP2007045637A (ja) | ナノカーボン材料の製造装置及び製造方法 | |
| US8491863B2 (en) | Method for making carbon nanotube array | |
| Yang et al. | Scalable synthesis of multilayer h-BN on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy: nucleation and growth mechanism | |
| Shudin et al. | The role of solid, liquid and gaseous hydrocarbon precursors on chemical vapor deposition grown carbon nanomaterials' growth temperature | |
| Lv et al. | Formation of carbon nanofibers/nanotubes by chemical vapor deposition using Al2O3/KOH | |
| CN105439126B (zh) | 一种毫米级单晶石墨烯制备方法 | |
| Ma et al. | Progress of graphene growth on copper by chemical vapor deposition: Growth behavior and controlled synthesis | |
| Ai et al. | Synthesis of GaN nanowires through Ga2O3 films' reaction with ammonia | |
| TWI505986B (zh) | 石墨烯製備系統及方法 | |
| US9162892B2 (en) | Carbon nanotube array | |
| Feng et al. | Controlled growth of high quality bamboo carbon nanotube arrays by the double injection chemical vapor deposition process | |
| Zeng et al. | Preparation of carbon nanosheets deposited on carbon nanotubes by microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition method | |
| Singh et al. | Synthesis of vertically aligned carbon nanoflakes by hot-wire chemical vapor deposition: Influence of process pressure and different substrates | |
| Li et al. | Preparation of diameter-controlled multi-wall carbon nanotubes by an improved floating-catalyst chemical vapor deposition method | |
| CN110217778B (zh) | 一种连续制备高质量碳纳米管的装置及其制备方法 | |
| CN110937592B (zh) | 碳纳米管批量连续化生产设备及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: WUXI GEFEI ELECTRONIC THIN FILM TECHNOLOGIES CO., Free format text: FORMER OWNER: WUXI NO.6 ELEMENT HIGH-TECH DEVELOPMENT CO., LTD. Effective date: 20121010 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 214000 WUXI, JIANGSU PROVINCE TO: 214154 WUXI, JIANGSU PROVINCE |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20121010 Address after: 214154 Tsinghua innovation building, No. 1, wisdom road, Huishan Economic Development Zone, Huishan District, Jiangsu, Wuxi, A2OO5 Applicant after: Wuxi Gefei Electronic Film Technology Co.,Ltd. Address before: 214000 Jiangsu city of Wuxi province Wuxi Huishan District Road No. 381 and Jiangsu Digital Information Industry Park WITHUB Park building 36 Applicant before: Wuxi No.6 Element High-Tech Development Co., Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190314 Address after: Room A2O5, Tsinghua Innovation Building, No. 1 Zhihui Road, Huishan Economic Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province Co-patentee after: Wuxi Sixth Element Electronic Film Technology Co., Ltd. Patentee after: Wuxi Gefei Electronic Film Technology Co.,Ltd. Address before: Room A2O5, Tsinghua Innovation Building, No. 1 Zhihui Road, Huishan Economic Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee before: Wuxi Gefei Electronic Film Technology Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: No. 518-5 Zhonghui Road, Standard Factory Building of Chang'an Industrial Park, Huishan Economic Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000 Patentee after: WUXI GRAPHENE FILM Co.,Ltd. Patentee after: Changzhou sixth element Semiconductor Co., Ltd Address before: Room A2O5, Tsinghua Innovation Building, No. 1 Zhihui Road, Huishan Economic Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee before: WUXI GRAPHENE FILM Co.,Ltd. Patentee before: Wuxi sixth element electronic film technology Co., Ltd |