JP2006059752A - 自発光平面表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 表示面内で均一な電子放出を得る電子源をもつ自発光平面表示装置を提供する。
【解決手段】 背面パネルを構成する背面基板SUB1の内面にカソード電極CLを有し、カソード電極CLの上にカーボンナノチューブ電子源層EMSが形成される。カーボンナノチューブ電子源層EMSの表面にはカーボンナノチューブが起毛している。カーボンナノチューブはマルチウォールカーボンナノチューブMCNTとシングルウォールカーボンナノチューブSCNTを均一に分布させて存在している。
【選択図】 図2
【解決手段】 背面パネルを構成する背面基板SUB1の内面にカソード電極CLを有し、カソード電極CLの上にカーボンナノチューブ電子源層EMSが形成される。カーボンナノチューブ電子源層EMSの表面にはカーボンナノチューブが起毛している。カーボンナノチューブはマルチウォールカーボンナノチューブMCNTとシングルウォールカーボンナノチューブSCNTを均一に分布させて存在している。
【選択図】 図2
Description
本発明は、真空中への電子放出を利用した表示装置に係り、特に、ナノチューブで構成した電子源を有するカソード電極とこの電子源からの電子の放出量を制御するゲート電極を備えた背面パネルと、この背面パネルから取り出された電子の励起で発光する複数色の蛍光体層とアノード電極を有する前面パネルとを具備した自発光平面表示装置に関する。
高輝度、高精細に優れたディスプレイデバイスとして従来からカラー陰極線管が広く用いられている。しかし、近年の情報処理装置やテレビ放送の高画質化に伴い、高輝度、高精細の特性をもつと共に軽量、省スペースの平面型表示装置の要求が高まっている。
その典型例として液晶表示装置、プラズマ表示装置などが実用化されている。また、特に、高輝度化が可能なものとして、電子源から真空への電子放出を利用した電子放出型表示装置、低消費電力を特徴とする有機ELディスプレイなど、種々の型式のパネル型表示装置の実用化も近い。なお、補助的な照明光源を必要としないプラズマ表示装置、電子放出型表示装置あるいは有機EL表示装置を自発光平面表示装置と称する。
このような平面型の表示装置のうち、上記電子放出型の表示装置には、C.A.Spindtらにより発案されたコーン状の電子放出構造をもつもの、メタル−インシュレータ−メタル(MIM)型の電子放出構造をもつもの、量子論的トンネル効果による電子放出現象を利用する電子放出構造(表面伝導型電子源とも呼ばれる)をもつもの、さらにはダイアモンド膜やグラファイト膜、カーボンナノチューブに代表されるナノチューブなどが持つ電子放出現象を利用するもの、等が知られている。
自発光平面表示装置の一例である電子放出型の表示装置は、内面に電子放出型の電子源と制御電極であるゲート電極を形成した背面パネルと、この背面パネルと対向する内面に複数色の蛍光体層とアノード電極(陽極)とを備えた前面パネルの両者の内周縁に封止枠を介挿して封止し、当該背面パネルと前面パネルおよび封止枠で形成される内部を真空にして構成される。背面パネルは、ガラスあるいはアルミナ等を好適とする背面基板の上に、第1の方向に延在しこの第1の方向と交差する第2の方向に並設されて電子源をもつ複数の陰極配線と、第2の方向に延在し第1の方向に並設して設けたゲート電極を有する。そして、陰極配線とゲート電極との間の電位差で電子源からの電子の放出量(放出のオン・オフを含む)を制御する。
また、前面パネルはガラス等の光透過性の材料で形成された前面基板の上に蛍光体層とアノード電極を有する。封止枠は背面パネルと前面パネルの内周縁にフリットガラスなどの接着材で固着される。背面パネルと前面パネルおよび封止枠で形成される内部の真空度は、例えば10-5〜10-7Torrである。表示面サイズが大きいものでは、背面パネルと前面パネルの間に間隙保持部材(スペーサ)を介挿して固定し、両基板間の間を所定の間隔に保持している。
なお、ナノチューブとしての典型例であるカーボンナノチューブを電子源とした自発光平面表示装置に関する従来技術を開示したものとして、「非特許文献1」等、数多く報告されている。
Eurodisplay 2002 Digest pp.229−231(paper 12−4)
Eurodisplay 2002 Digest pp.229−231(paper 12−4)
カーボンナノチューブ等のナノチューブを電子源とした自発光平面表示装置では、表示面で均一な発光パターンを実現することが重要である。そのためには、直径の揃ったナノチューブを電子源に用いる必要がある。従来から電子源としてマルチウォールカーボンナノチューブが用いられてきたが、その直径分布は正規分布であり、エミッション(電子放出)に重要な役割を果す最小直径を有するカーボンナノチューブの割合は少ない。そのために、エミッションサイト密度が1000個/cm2 と低く、均一な発光パターンを実現することが難しかった。
また、シングルウォールナノチューブを用いた場合、アイソレイテッドペンタゴンルールにより、最小直径が0.7nmに規定されるため、最小直径のカーボンナノチューブの割合が多い。そのため、均一発光に有利なはずである。しかし、実際には、このシングルウォールカーボンナノチューブがファンデルワールス引力によりバンドルを形成するために、その材料の利点を十分に生かせなかった。
本発明の目的は、表示面内で均一な発光パターンのカーボンナノチューブを電子源とした自発光平面表示装置を提供することにある。
本発明による自発光平面表示装置は、2層以上のマルチウォールカーボンナノチューブとシングルウォールカーボンナノチューブが共存した材料、あるいは3層以上のマルチウォールカーボンナノチューブとダブルウォールカーボンナノチューブが共存した材料を電子源として用いる。
これにより、シングルウォールカーボンナノチューブあるいはダブルウォールカーボンナノチューブ同士のバンドル化が防止される。その結果、直径の揃ったシングルウォールカーボンナノチューブあるいはダブルウォールカーボンナノチューブが選択的に発光するため、表示面内で均一な発光パターンを実現できる。
すなわち、本発明の自発光平面表示装置は、背面パネルと前面パネルを気密に貼り合わせてなる。背面パネルを構成する背面基板の内面には、第1の方向に延在し、第1の方向と交差する第2の方向に並設されて表面に電子源を有する多数のカソード電極と、前記第2の方向に延在し、前記第1の方向に並設されて、前記カソード電極との交叉部における前記電子源から放出される電子の量を制御するための電位が印加される多数のゲート電極とを有し、前記カソード電極と前記ゲート電極の交差部に多数の画素で表示領域が形成される。
前面パネルを構成する透明な前面基板の内面には、前記背面パネルの前記表示領域に有する前記電子源から取り出される電子の励起で発光する複数色の蛍光体層とアノード電極を有する。そして、前記電子源はナノチューブからなり、該ナノチューブを2層以上のマルチウォールカーボンナノチューブとシングルウォールカーボンナノチューブとから構成した。
また、本発明の他の構成として、ナノチューブを3層以上のマルチウォールカーボンナノチューブとダブルウォールカーボンナノチューブを用いた。
本発明により、直径の揃ったシングルウォールカーボンナノチューブあるいはダブルウォールカーボンナノチューブが選択的に発光に寄与するため、表示面内で均一な発光パターンを実現した自発光平面表示装置が得られる。ここで言う「選択的に発光に寄与する」とは、細いカーボンナノチューブに、より電界が集中し、電子放出が起こり易いことを言う。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。まず、本発明の原理を図1Aと図1Bにより説明する。
図1Aは、一般的なナノチューブの直径分布の説明図である。図1Aではマルチウォールカーボンナノチューブを例としたものである。図1Aにおいて、横軸は直径(nm)、縦軸は度数(存在する頻度、相対値)である。マルチウォールカーボンナノチューブは、一般的に層数の異なるものが混在しているため、その直径に大きなばらつきが存在する。例えば、平均直径が20nmの場合、10nmから40nm程度の直径ばらつきが存在する。
カーボンナノチューブを電子源として用いる場合、最小直径近傍のカーボンナノチューブだけが電子放出に寄与すると考えられる。これは、カーボンナノチューブはその直径に反比例して電界集中度が高いためである。つまり、細い直径のカーボンナノチューブと太い直径のカーボンナノチューブが混在している場合、細い直径のカーボンナノチューブの方が電界集中度が高いために、当該細い直径のカーボンナノチューブが電子源中で選択的に電子放出を行う。
図1Aに示されたような直径分布を有するマルチウォールカーボンナノチューブの場合、最小直径近傍のカーボンナノチューブの割合が非常に少ないために、エミッションサイト密度が非常に低く、結果として均一な発光パターンを得ることが非常に困難である。
これに対し、シングルウォールカーボンナノチューブは、直径のばらつきが非常に小さいと考えられる。また、アイソレイテッドペンタゴンルールにより最小直径が0.7nmに規定されるため、最小直径のカーボンナノチューブの割合が多い。そのため、均一発光に有利なはずであるが、実際にはこのシングルウォールカーボンナノチューブがファンデルワールス引力によりバンドルを形成するために、その材料の利点を十分に生かせない。
図1Bは、本発明で用いるナノチューブの直径分布の説明図である。図1Bではカーボンナノチューブを例としたものを示す。本発明では、2層以上のマルチウォールカーボンナノチューブとシングルウォールカーボンナノチューブが共存した材料、あるいは3層以上のマルチウォールカーボンナノチューブとダブルウォールカーボンナノチューブが共存した材料を電子源に用いる。
図1Bに示されたように、本発明で用いるナノチューブの直径分布は2層以上のマルチウォールカーボンナノチューブとシングルウォールカーボンナノチューブの直径分布を足し合わせたもの、あるいは3層以上のマルチウォールカーボンナノチューブとダブルウォールカーボンナノチューブの直径分布を足し合わせたものとなる。図1B中、細く鋭い分布がシングルウォールカーボンナノチューブあるいはダブルウォールカーボンナノチューブの直径分布である。
例えば、マルチウォールカーボンナノチューブの平均直径が20nm、直径分布の半値幅が7nm、シングルウォールカーボンナノチューブの平均直径が1nm、直径分布の半値幅が0.1nm、ダブルウォールカーボンナノチューブの平均直径が2nm、直径分布の半値幅が0.2nmを典型的な数値として挙げることができる。このような直径分布は、カーボンナノチューブの透過電子顕微鏡写真から求めることができる。
このように、シングルウォールナノチューブとマルチウォールナノチューブが混在しているような場合、シングルウォールとマルチウォール同士のファンデルワールス引力よりも、シングルウォールナノチューブとマルチウォールナノチューブとの間のファンデルワールス引力が強いために、シングルウォールナノチューブのバンドル化を防ぐという利点がある。また、シングルウォールナノチューブだけの場合に比べて、機械的強度も強く、熱的安定性も向上する。
シングルウォールカーボンナノチューブのそれぞれの輝度のばらつきを平均輝度の10%以内に抑えるためには、直径分布の半値半幅が、その平均直径の10%以下であることが必要である。その理由は直径が太いほど、電界集中度が悪くなり、結果として輝度が低下するためである。
また、エミッションサイト密度を100万個/cm2以上にするためには、シングルウォールカーボンナノチューブが全カーボンナノチューブの1%以上存在することが必要である。3層以上のマルチウォールカーボンナノチューブとダブルウォールカーボンナノチューブが共存した材料においても事情は同様である。
以上のことから、本発明によれば、バンドル化しないで単独で存在するシングルウォールナノチューブあるいはダブルウォールナノチューブの割合が飛躍的に増大し、エミッションサイト密度が増大するために、表示面内で均一な発光を実現できる。
図2は、本発明によるカーボンナノチューブ材料を用いて作成した背面パネルにおけるカーボンナノチューブ電子源の模式図である。図2において、背面パネルを構成する背面基板SUB1の内面にカソード電極CLが形成され、その上にカーボンナノチューブ電子源層EMSが形成されている。カーボンナノチューブ電子源層EMSの表面にはカーボンナノチューブが起毛している。このカーボンナノチューブはマルチウォールカーボンナノチューブMCNTに混じってシングルウォールカーボンナノチューブSCNTが均一に分布して存在している。
図3は、図2に示したカーボンナノチューブ電子源層のエミッション特性を従来のカーボンナノチューブ電子源と比較した説明図であり、横軸は電界(V/μm)、縦軸は電流密度(mA/cm2)である。図3において、特性aは本発明の特性を、特性bは従来の特性を示す。図3に示されたように、本発明のカーボンナノチューブ電子源層では、低電界で大電流をえることが可能で、さらにエミッションサイト密度も1000個/cm2から100万個/cm2に向上し、表示面内均一性が大幅に向上することが分る。
本発明による自発光平面表示装置の実施例1を図4乃至図7の模式図を参照して説明する。図4は、実施例1の自発光平面表示装置を斜め上方からみた展開斜視図である。また図5は、実施例1の自発光平面表示装置を斜め下方からみた展開斜視図である。実施例1の自発光平面表示装置は、背面パネルPNL1を構成する背面基板SUB1と前面パネルPNL2を構成する前面基板SUB2とを封止枠MFLを介して貼り合わせて構成される。
図4と図5において、背面基板SUB1の内面には、一方向に延在し、この一方向と交差する他方向に並設された多数のカソード電極CLと、上記他方向に延在し、上記一方向に並設された多数のゲート電極GLを有する。カソード電極CL上でゲート電極GLの交差部分には前記したカーボンナノチューブからなる電子源が形成されている。カソード電極CLには、カソード信号源(映像信号源)Sからカソード信号(映像信号)が供給され、ゲート電極GLにはゲート信号源(走査信号源)Gからゲート信号(走査信号)が印加される。そして、ゲート信号で選択されたゲート電極GLと交差するカソード電極CLの電子源から電子が放出される。
また、前面基板SUB2の内面の表示領域には背面基板SUB1に有する電子源の位置に合わせて配列(図5ではストライプ配列、ドット配列でも可)された多色の蛍光体層PHが形成されている。前面基板SUB2には、蛍光体層PHの下層に加速電極(陽極)ADが形成されている。なお、陽極ADを蛍光面PHの上層に形成することもできる。この陽極ADには高電圧源Eから所定の陽極電圧が印加されている。カソード電極CLの電子源から放出された電子は、陽極ADに印加される高電圧で加速されて所定の蛍光体層PHに射突し、これを所定の色で発光させる。この蛍光体層の発光を前面基板SUB2の表示領域の全域で制御することで2次元の映像が表示される。
なお、画面サイズが大きいものでは、背面基板SUB1に有する電子源と前面基板SUB2の蛍光体層の間隔を所定値にたもつために、封止枠MFLの内部に薄いガラス板などからなる隔壁(スペーサ)を所定の間隔で設置される。
図6は、実施例1における背面パネルの構成例を模式的に説明する平面図であり、図6(a)は全体構成図、図6(b)は図6(a)の要部拡大図である。図6では、背面パネルを構成する背面基板SUB1の内面に、同図垂直方向に複数本のカソード電極CLが形成され、同図水平方向には多数のゲート電極GLが形成されている。カソード電極CLとゲート電極GLとは絶縁層を介して交差し、各交差部分に前記した本発明のカーボンナノチューブで構成した電子源EMSが形成されている。
このカーボンナノチューブからなる電子源EMSは、前記したようにゲート電極GLと、その下層の絶縁層(図示せず)を貫いた穴の底部のカソード電極CLの表面に形成されている。個々の電子源はカラー表示の場合の1画素(ピクセル)を構成する副画素(サブピクセル)に対応する。カソード電極CLの一端はカソード電極引出線CLTとなり、カソード信号源Sからカソード信号(映像信号)が供給される。また、ゲート電極GLの一端はゲート電極引出線GLTとなり、走査信号源Gから走査信号が供給される。
図7は、実施例1の自発光平面表示装置を構成する前面パネルの構成例を模式的に説明する平面図であり、図7(a)は全体構成図、図7(b)は図7(a)の要部拡大図である。この前面パネルは、前面基板SUB2の内面に膜厚が数十nm乃至数百nmに形成した陽極を融資、この上に、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のストライプ状の各蛍光体層が遮光層(ブラックマトリクス)BMで相互に区画されて蛍光面を形成している。
この蛍光面は次のようにして形成される。先ず、吸光物質と感光性樹脂を混合したスラリの塗布、マスク露光、および過酸化水素水等を用いた既知のリフトオフ手法により、図6における電子源EMSの横方向(水平方向)ピッチに合わせて、電子源EMS間の中央の位置にストライプ状のブラックマトリクスBMを形成する。次に、スラリ法を用いて赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のストライプ状の各蛍光体の繰り返しパターンを形成し、各蛍光体の両側にブラックマトリクスBMが位置した蛍光体層PHを形成する。
こうして製作した前面パネルを封止枠MFL(および、隔壁)を介して前記した背面パネルと重ね合わせ、電子源と蛍光体を位置合わせし、内部を真空引きして封止し、表示パネルを製作し、駆動回路等を付加して自発光型平面表示装置を完成する。なお、前面パネルと封止枠MFLおよび背面パネルの封着にはフリットガラスを用いた。この封着は、封着面にフリットガラスを印刷、またはディスペンサを用いて塗布し、約450°Cに加熱して溶融接着する。また、前面パネルと封止枠および背面パネルを封着した内部空間の真空引きは、前面パネルと封止枠および背面パネルの何れか(通常は、背面パネルの表示領域外かつ封止枠内の適当な場所)に取り付けた排気管から排気し、所定の真空度に達した状態で排気管を封じきることで行う。
こうして製作した表示パネルにカソード信号源、ゲート信号源、高電圧源、その他の付加回路や部品を取り付けて自発光平面表示装置を構成する。この自発光平面表示装置を駆動したところ、所望の画像が高品質で得ることができた。
以下、本発明の自発光平面表示装置における背面パネルの構造例を図8A乃至図8Dを参照して説明する。図8A乃至図8Dは本発明の自発光平面表示装置の背面パネルの構造例を製造するプロセスの説明図である。なお、ここでは、表示領域に形成される全サブピクセルのうちの4個(2×2)について説明する。図8Aに示したように、背面基板SUB1の表面に銀ペーストなどの導電性部材を混入したペーストをスクリーン印刷で印刷し、焼成してストライプ状のカソード電極CLを形成する。このストライプ状のカソード電極CLの材料は、銀であり、その幅は例えば、100μm、間隔は100μmである。また、その膜厚は焼成後で5μmである。ここで形成したストライプ状のカソード電極CTLの数は、1280×3本=3840本である。
次に、図8Bに示したように、スクリーン印刷により絶縁層INSを塗布し、焼成する。この絶縁層INSには前記カソード電極CLの電子源位置に絶縁層ホールIHLが開けられている。絶縁層INSの膜厚は例えば焼成後で約10μmである。
その後、図8Cに示したように、絶縁層INSの成膜後、銀ペーストをスクリーン印刷し、焼成してストライプ状のゲート電極GLを形成する。ゲート電極GLは絶縁層ホールIHLと同じ位置にゲート電極ホールGHLが開いた状態になっている。ゲート電極GLの形成プロセスで下層の絶縁層ホールIHLの内部にゲート電極用の銀ペーストが垂れないようにゲート電極ホールGHLの大きさは絶縁層ホールIHLよりも大きくなっている。このゲート電極GLの幅は700μm、間隔は100μm、焼成後の膜厚は5μmである。本実施例では、このようなゲート電極GTLを720本形成した。
次に、図8Dに示したように、ゲート電極ホールGHLの中にインクジェット法を用いてカーボンナノチューブの電子源層EMS(CNT)を含むインクを塗布する。このインクジェットのインクには、カーボンナノチューブの他に支持体として金の微粒子および有機溶剤が含まれている。また、カーボンナノチューブとカソード電極との電気的コンタクトを良好にするために、金属微粒子を混入することもできる。最後に、カーボンナノチューブを起毛させるための表面処理を施す。この表面処理には、レーザ照射、プラズマ処理、機械的処理等の手法を用いることができる。
以上のように、スクリーン印刷とインクジェット法を用いてゲート動作可能なカーボンナノチューブ電子源構造を製作できる。上記の製作プロセスにおいて、各印刷膜の焼成は塗布の終了毎に行う。また、カーボンナノチューブの全層を形成後に一度だけ焼成し、カーボンナノチューブ含有薄膜を作成後、比較的低温でもう一度焼成することも可能である。焼成後に粘着性の有機物層を塗布し、乾燥後に剥離することにより、カーボンナノチューブ電子源を形成する。
なお、本実施例では、カソード電極およびゲート電極を銀ペーストの塗布で形成したが、必要な電気伝導度を有する如何なる金属も使用可能である。また合金や金属多層膜を用いることもできる。さらに、カーボンナノチューブ電子源の塗布は、インクジェット法に限るものではなく、他の特殊な印刷技術を用いたり、あるいは気相成長法を用いることもできる。
図9A乃至図9Dは本発明の自発光平面表示装置における背面パネルの他の構造例の説明図である。図9A乃至図9Dは本発明の自発光平面表示装置における背面パネルの他の構造例を製造するプロセスの説明図である。なお、ここでは、表示領域に形成される全サブピクセルのうちの4個(2×2)について説明する。この構造例は電子源アレイの構造とその製造プロセスが図8A乃至図8Dで説明した背面パネルの構造と異なる。先ず、図9Aに示したように、ガラスを好適とする背面基板SUB1上にスクリーン印刷法で銀ペーストを印刷し、焼成して下部ゲート電極DGLを焼成する。この下部ゲート電極DGLの幅は700μm、間隔は100μm、焼成後の膜厚は5μmである。この下部ゲート電極DGLを720本形成する。
次に、図9Bに示したように、スクリーン印刷により絶縁層INSを塗布し焼成する。絶縁層INSは、下部ゲート電極DGL上に絶縁層ホールIHLが開いた状態に形成される。絶縁層INSの膜厚は焼成後で10μmである。
次に、図9Cに示すように、銀ペーストのスクリーン印刷の塗布と焼成で上部ゲート電極AGLとカソード電極CLを同時に形成する。上部ゲート電極AGLは絶縁層ホールIHLの部分を含んでそれより大きく、上部ゲート電極AGLと下部ゲート電極DGLは電気的に接続する。上部ゲート電極AGLの膜厚は、焼成後に5μmである。カソード電極CLの幅は100μm、間隔は100μm、膜厚は焼成後に5μmである。このようなカソード電極CLを1280×3本=3840本形成する。
そして、図9Dに示したように、カソード電極CLの上にスクリーン印刷でカーボンナノチューブからなる電子源層EMS(CNT)を塗布する。電子源層EMS(CNT)の幅はカソード電極CTLの幅より狭く、長さは隣の上部ゲート電極AGTLよりも短い。この電子源層EMS(CNT)には、少なくともカーボンナノチューブと共に金の微粒子からなる支持体が含まれている。また、カソード電極とカーボンナノチューブとの電気的コンタクトを良好にするために、他の金属微粒子を含有させてもよい。
ナノチューブからなる電子源層EMS(CNT)の塗布後、カソード電極の溶融温度より高い温度で熱処理することにより、カーボンナノチューブの一部の端部が支持体の一部と共にカソード電極の表面近傍に埋設固定した電子源とすることができる。その後、カーボンナノチューブを起毛させるための表面処理を施す。この表面処理には、レーザ照射、プラズマ処理、機械的処理等の手法を用いることができる。
以上のように、スクリーン印刷技術を用いて、ゲート動作可能なカーボンナノチューブ電子源構造を製作できる。上記の製作プロセスにおいて、各印刷膜の焼成は塗布の終了毎に行う。また、カーボンナノチューブの全層を形成後に一度だけ焼成し、カーボンナノチューブ含有薄膜を作成後、比較的低温でもう一度焼成することも可能である。焼成後に粘着性の有機物層を塗布し、乾燥後に剥離することにより、カーボンナノチューブ電子源を形成する。
なお、ここでは、カソード電極およびゲート電極を銀ペーストの塗布で形成したが、必要な電気伝導度を有する如何なる金属も使用可能である。また、合金や金属多層膜を用いることもできる。さらに、カーボンナノチューブ電子源の塗布は、インクジェット法に限るものではなく、他の適当な印刷法を用いてもよい。
なお、ナノチューブは、上記のカーボンナノチューブに限るものではなく、既知のナノチューブを使用できる。
図10は、本発明にかかる自発光平面表示装置の全体構造の一例を説明する一部破断して示す斜視図である。また、図11は、図10のA−A’線に沿って切断した断面図である。背面パネルPNL1を構成する背面基板SUB1の内面にはカソード電極CLとゲート電極GLを有し、カソード電極CLとゲート電極GLの交差部分に電子源が形成されている。カソード電極CLの端部にはカソード電極引き出し線CLTが形成され、ゲート電極GLの端部にはゲート電極引き出し線GLTが形成されている。
前面パネルPNL2を構成する前面基板SUB2の内面には前記のような陽極と蛍光体層が形成されている。背面パネルPNL1を構成する背面基板SUB1と前面パネルPNL2を構成する前面基板SUB2とは、その周縁に封止枠MFLを介在させて貼り合わされる。この貼り合わせた間隙を所定値に保持するため、背面基板SUB1と前面パネルPNL2の間にガラス板を好適とする隔壁SPCを植立させている。図11はこの隔壁SPCに沿った断面なので、隔壁SPCは図示を省略してある。
なお、背面基板SUB1と前面パネルPNL2および封止枠MFLで密封された内部空間は、背面パネルPNL1の一部に設けた排気管EXCから排気して所定の真空状態とする。
PNL1・・・背面パネル、PNL2・・・前面パネル、SUB1・・・背面基板、SUB2・・・前面基板、CL・・・カソード電極、GL・・・ゲート電極、S・・・カソード信号源、G・・・ゲート信号源、PH・・・蛍光体層、E・・・高電圧源、MCNT・・・マルチウォールカーボンナノチューブ、SCNT・・・シングルウォールカーボンナノチューブ、EMS・・・電子源。
Claims (10)
- 第1の方向に延在し、第1の方向と交差する第2の方向に並設されて表面に電子源を有する多数のカソード電極と、前記第2の方向に延在し、前記第1の方向に並設されて、前記カソード電極との交叉部における前記電子源から放出される電子の量を制御するための電位が印加される多数のゲート電極とを有し、前記カソード電極と前記ゲート電極の交差部に形成される多数の画素で表示領域を構成する背面パネルと、
前記背面パネルの前記表示領域に有する前記電子源から取り出される電子の励起で発光する複数色の蛍光体層とアノード電極を有する前面パネルとを具備する自発光平面表示装置であって、
前記電子源はナノチューブからなり、
前記ナノチューブが、2層以上のマルチウォールカーボンナノチューブと、シングルウォールカーボンナノチューブとから構成されていることを特徴とする自発光型平面表示装置。 - 第1の方向に延在し、第1の方向と交差する第2の方向に並設されて表面に電子源を有する多数のカソード電極と、前記第2の方向に延在し、前記第1の方向に並設されて、前記カソード電極との交叉部における前記電子源から放出される電子の量を制御するための電位が印加される多数のゲート電極とを有し、前記カソード電極と前記ゲート電極の交差部に形成される多数の画素で表示領域を構成する背面パネルと、
前記背面パネルの前記表示領域に有する前記電子源から取り出される電子の励起で発光する複数色の蛍光体層とアノード電極を有する前面パネルとを具備する自発光平面表示装置であって、
前記電子源はナノチューブからなり、
前記ナノチューブが、3層以上のマルチウォールカーボンナノチューブと、ダブルウォールカーボンナノチューブとから構成されていることを特徴とする自発光平面表示装置。 - 前記シングルウォールカーボンナノチューブの直径分布の半値半幅が、該平均直径の±10%の範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の自発光平面表示装置。
- 前記シングルウォールカーボンナノチューブの直径分布の半値半幅が、該平均直径の±10%の範囲内であることを特徴とする請求項2に記載の自発光平面表示装置。
- 前記シングルウォールカーボンナノチューブの全カーボンナノチューブに対する含有割合が1%以上であることを特徴とする請求項1又は3に記載の自発光平面表示装置。
- 前記ダブルウォールカーボンナノチューブの全カーボンナノチューブに対する含有割合が1%以上であることを特徴とする請求項2又は4に記載の自発光平面表示装置。
- 前記ナノチューブが、カーボン以外に窒素又は硼素の何れかの原子を含有していることを特徴とする請求項1乃至6の何れかに記載の自発光平面表示装置。
- 前記ナノチューブが、カーボンを含有せず、窒素又は硼素の何れか又は両方の原子を含有していることを特徴とする請求項1乃至6の何れかに記載の自発光平面表示装置。
- 前記電子源は、スクリーン印刷法、または気相成長法、もしくはインクジェット法のいずれかで作成されたことを特徴とする請求項1乃至7の何れかに記載の自発光平面表示装置。
- 前記背面パネルと前記前面パネルとの間に、複数の隔壁を有することを特徴とする請求項1または3に記載の自発光平面表示装置。
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