JP2005022964A - シラン重合体およびシリコン膜の形成方法 - Google Patents
シラン重合体およびシリコン膜の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005022964A JP2005022964A JP2004173773A JP2004173773A JP2005022964A JP 2005022964 A JP2005022964 A JP 2005022964A JP 2004173773 A JP2004173773 A JP 2004173773A JP 2004173773 A JP2004173773 A JP 2004173773A JP 2005022964 A JP2005022964 A JP 2005022964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon film
- silane compound
- silane
- light
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/16—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
Abstract
【解決手段】 光重合性を有するシラン化合物に、特定波長領域の光線を照射して光重合して得たシラン重合体を含有するシリコン膜形成用組成物並びにこの組成物を、基板に塗布し、そして熱処理および/または光処理を行うシリコン膜の形成方法。
【選択図】 なし
Description
本発明のシラン重合体は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が800〜5,000、好ましくは1,000〜5,000、より好ましくは1,200〜5,000の範囲にある。Mwが下限より小さいと成膜性が十分ではなく、またMwが上限より大きいときには溶媒への溶解性が不足しがちになる。また、上記シラン重合体の数平均分子量(Mn)は600〜2,000が好ましい。
式SiiX2i+2
(ここで、Xは水素原子またはハロゲン原子でありそして、iは2〜10の整数である)
で表される鎖状シラン化合物、
式SijX2j
(ここで、Xは水素原子またはハロゲン原子でありそして、jは3〜10の整数である)
で表される環状シラン化合物、
式SimX2m-2
(ここで、Xは水素原子またはハロゲン原子でありそしてmは4〜10の整数である)
で表わされる環状シラン化合物および
式SikXk
(ここで、Xは水素原子またはハロゲン原子でありそして、kは6、8または10である)
で表わされるかご状シラン化合物を挙げることができる。これらのうち、式SijX2jで表される環状のシラン化合物および式SimX2m-2で表される環状構造を2個以上有するシラン化合物が好ましい。
次に、本発明のシリコン膜の形成方法について詳述する。
本発明のシリコン膜の形成方法は、前述したシリコン膜形成用組成物を基体または基板に塗布しそして熱処理および/または光処理を行うことを特徴とする。それ以外の点については、通常の溶液を用いたシリコン膜を形成する方法と同様の手法を適用することができる。また、前記組成物として溶媒を含有する組成物を用いて基板に塗布した後、前記の熱処理および/または光処理を行う工程の前に、該溶媒のみを選択的に除去する工程を含んでもよい。
365nm用:朝日分光(株)製、型番「MX0365」
405nm用:朝日分光(株)製、型番「MX0405」
436nm用:朝日分光(株)製、型番「MX0436」
また、実施例において照度を測定した機器は、分光放射照度計「スペクトロラディオメータ USR−40D」(ウシオ電機(株)製)である。
温度計、冷却コンデンサー、滴下ロートおよび撹拌装置を取付けた内容量が3Lの4つ口フラスコ内をアルゴンガスで置換した後、乾燥したテトラヒドロフラン1Lとリチウム金属18.3gを仕込み、アルゴンガスでバブリングした。この懸濁液を0℃で撹拌しながらジフェニルジクロロシラン333gを滴下ロートより添加し、滴下終了後、室温下でリチウム金属が完全に消失するまでさらに12時間撹拌を続けた。反応混合物を5Lの氷水に注ぎ、反応生成物を沈殿させた。この沈殿物を濾別し、水でよく洗滌した後シクロヘキサンで洗滌し、真空乾燥を行い、さらに酢酸エチルにて再結晶化を行い、白色固体150gを得た。
窒素気流中(酸素濃度3ppm以下)、シクロペンタシラン1mlを石英製サンプル管に入れ撹拌、200W水銀キセノンランプ(HOYA Candeo Optronics(株)製 EXECURE 3000)および紫外ランプ(Spectronics社製、EF−140C/J)から発せられる光線を照射した。光線の照射は、254nm照射の場合では、光源から0cm、ランプの出力100%で行い、その他の波長の照射の場合では光源から1cmの距離でランプ出力の20%で行った。光線照射量は装置付随の光強度調整装置により、各波長光の取り出しはバンドパスフィルターを使用して実験を行った。
ゲルパーミエーションクロマトグラフ分析装置としてVISCOTEK社製、GPCMAXおよびTDA−302をグローブボックス内に搬入し、窒素気流中、酸素濃度10ppm以下の条件で行った。
測定用溶媒には和光純薬(株)製合成用脱水トルエン(水分濃度30ppm以下)を用いて分析を行った。溶媒の酸素脱気処理はGPCMAX付随の2チャンネルデガッサーにより行った。
サンプルであるシラン重合体を20容量%トルエン溶液とした。この溶液を100μL採取し、トルエンを1,900μL加えシラン重合体濃度を1容量%とした。次いで0.45μmのポリテトラフロロエチレン製メンブランフィルターにて濾過処理しGPC測定サンプルを調製した。
サンプルは、インジェクション量100μL、カラム温度30℃、トルエン流量は0.8mL/分の条件で測定した。
測定終了後の、シラン重合体を含むGPC廃液は酸素濃度10ppm以下グローブボックス中において、廃液10部に対して、2−メチル−2ペンタノールジメチルドデシルアミン/プロピレングリコールモノメチルエーテル混合溶液(容量比で50/50)を1部加え、2週間撹拌することによって失活させたのち、焼却して処理した。
上記で作製したサンプルNo.3、4、5、6、9についてGCを用いてトルエン中に溶解している成分についてGC(−MS)分析を行った。測定に用いたGCカラムはBPX−5、測定条件:インジェクション温度=200℃、カラム昇温条件:初期温度50℃、10℃/分で200℃まで昇温、200℃で5分間キープという条件。図6〜10のチャート中段に示すのは各ピークの5倍拡大写真である。
窒素気流中(酸素濃度3ppm以下)、シクロペンタシラン1mLとデカボラン10mgを石英製サンプル管に入れ撹拌、反応液から10mmの距離から、200Wの水銀キセノンランプから発せられる405nm波長の光線(実施例1記載の光線)を20分間照射してシラン重合体(Mw=2,600、Mn=1,200)を得た。次いでトルエン9mLを添加、トルエン10%溶液とした後、溶液を石英基板上に1,500rpmでスピンコート塗布、400℃で30分間加熱処理した。本サンプルについて、さらに800℃で5分間熱処理したサンプルについてシート抵抗値を測定したところ、700kΩ/cm2を示した。さらに同400℃加熱処理サンプルについて900℃で5分間熱処理したサンプルについてシート抵抗値を測定したところ、0.5kΩ/cm2を示した。
窒素気流中(酸素濃度3ppm以下)、シクロペンタシラン1mLと黄燐10mgを石英製サンプル管に入れ撹拌、反応液から10mmの距離から、200Wの水銀キセノンランプから発せられる405nm波長の光線(実施例1記載の光線)を20分間照射してシラン重合体(Mw=2,250、Mn=1,220)を得た。次いでトルエン9mLを添加、トルエン10%溶液とした後、溶液を石英基板上に1,500rpmでスピンコート塗布、400℃で30分間加熱処理した。本サンプルについて、さらに800℃で5分間熱処理したサンプルについてシート抵抗値を測定したところ、50kΩ/cm2を示した。さらに同400℃加熱処理サンプルについて900℃で5分間熱処理したサンプルについてシート抵抗値を測定したところ、10kΩ/cm2を示した。
実施例1の実験No.2の重合サンプルを、0.45μmのポリテトラフロロエチレン製メンブランフィルターにて濾過し、不溶分を除いた。この濾過後の溶液中に含まれるシラン重合体につき、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーを測定したところ、Mn=1,260、Mw=2,810であった。
合成例1で合成したシクロペンタシラン1mLを石英製容器に取り、Hoya Candeo Optronics(株)製、水銀キセノンランプ Excure 3000に上記365nm用バンドパスフィルタを装着し(スペクトルデータBに相当するスペクトル分布を有する光となる。)、石英容器に接する距離から出力20%にて2.5分間、光照射した。光照射後のシラン重合体につきゲルパーミエーションクロマトグラフィーを測定したところ、Mn=1,350、Mw=3,320であった。また、ガスクロマトグラフィーにより残存シクロペンタシラン量を測定したところ、25.5wt%のシクロペンタシランが重合せずに残っていることがわかった。
合成例1で合成したシクロペンタシラン1mLを石英製容器に取り、光源として、Spectronic社製薄層クロマトグラフィー用紫外ランプEF−140C/J(スペクトルデータEに相当するスペクトル分布を有する光を発する。)を使用し、石英容器から0.5cmの距離から出力100%にて10分間、光照射したところ、白色に懸濁した液を得た。このものを、孔径0.45μmのポリテトラフロロエチレン製メンブランフィルターで濾過したうえでゲルパーミエーションクロマトグラフィーを測定したところ、Mn=1,200、Mw=2,460であった。また、ガスクロマトグラフィーにより残存シクロペンタシラン量を測定したところ、36.9wt%のシクロペンタシランが重合せずに残っていることがわかった。
合成例1で合成したシクロペンタシラン0.2mL及びトルエン0.8mLを原料とした他は、実施例7と同様にしてシラン化合物に光照射を行ったところ、無色の均一溶液を得た。この光照射後の溶液につきゲルパーミエーションクロマトグラフィーを測定したところ、Mn=1,020、Mw=2,100であった。また、ガスクロマトグラフィーにより残存シクロペンタシラン量を測定したところ、20.2wt%のシクロペンタシランが重合せずに残っていることがわかった。
バンドパスフィルタとして405nm用のものを使用し、光照射時間を10分間としたほかは、実施例6と同様にして、シラン化合物に光照射を行った。なお、ここで照射した光は、スペクトルデータCに相当するスペクトル分布を有する光となる。
Claims (10)
- ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が800〜5,000であることを特徴とするシラン重合体。
- 光重合性を有するシラン化合物に特定波長の領域の光線を照射せしめて請求項1に記載のシラン重合体を生成せしめることを特徴とするシラン重合体の製造方法。
- 光重合性を有するシラン化合物が液状であるかあるいは溶液の状態にある請求項2に記載の方法。
- 光重合性を有するシラン化合物が、
式SiiX2i+2
(ここで、Xは水素原子またはハロゲン原子でありそして、iは2〜10の整数である)
で表される鎖状シラン化合物、
式SijX2j
(ここで、Xは水素原子またはハロゲン原子でありそして、jは3〜10の整数である)
で表される環状シラン化合物、
式SimX2m-2
(ここで、Xは水素原子またはハロゲン原子でありそしてmは4〜10の整数である)
で表わされる環状シラン化合物および
式SikXk
(ここで、Xは水素原子またはハロゲン原子でありそして、kは6、8または10である)
で表されるかご状シラン化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項2または3に記載の方法。 - 特定波長の領域の光線が、波長範囲300〜420nmにある光を含有する請求項2に記載の方法。
- 光線の照射時間が0.1秒〜600分の間である請求項2に記載の方法。
- 請求項1に記載のシラン重合体および有機溶媒を含有することを特徴とするシリコン膜形成用組成物。
- 周期律表の第3B族元素を含む物質または第5B族元素を含む物質をさらに含有する請求項7に記載のシリコン膜組成物。
- 基体上に請求項7または8に記載の組成物を塗布し、熱処理および光処理のうちの少なくとも一つの処理を施すことを特徴とする、シリコン膜の形成方法。
- 上記塗布を行ったのち、熱処理および光処理のいずれの処理も行う前に、上記組成物が含有する有機溶媒を選択的に除去する請求項9に記載のシリコン膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004173773A JP4258646B2 (ja) | 2003-06-13 | 2004-06-11 | シラン重合体およびシリコン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003169769 | 2003-06-13 | ||
JP2004173773A JP4258646B2 (ja) | 2003-06-13 | 2004-06-11 | シラン重合体およびシリコン膜の形成方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008303482A Division JP5013128B2 (ja) | 2003-06-13 | 2008-11-28 | シリコン膜形成のための方法と組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005022964A true JP2005022964A (ja) | 2005-01-27 |
JP4258646B2 JP4258646B2 (ja) | 2009-04-30 |
Family
ID=33549380
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004173773A Expired - Fee Related JP4258646B2 (ja) | 2003-06-13 | 2004-06-11 | シラン重合体およびシリコン膜の形成方法 |
JP2008303482A Expired - Fee Related JP5013128B2 (ja) | 2003-06-13 | 2008-11-28 | シリコン膜形成のための方法と組成物 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008303482A Expired - Fee Related JP5013128B2 (ja) | 2003-06-13 | 2008-11-28 | シリコン膜形成のための方法と組成物 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20060159859A1 (ja) |
EP (1) | EP1640342A4 (ja) |
JP (2) | JP4258646B2 (ja) |
KR (1) | KR101100562B1 (ja) |
CN (1) | CN100355653C (ja) |
TW (1) | TW200512158A (ja) |
WO (1) | WO2004110929A1 (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006256918A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Seiko Epson Corp | 高次シラン組成物、膜付基板の製造方法、電気光学装置および電子デバイス |
JP2007284639A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Jsr Corp | リン原子含有高次シラン化合物の製造法及びそれを用いたリン含有シリコン膜の形成方法 |
JP2010506001A (ja) * | 2006-10-06 | 2010-02-25 | コヴィオ インコーポレイテッド | シリコンポリマー、シリコン化合物の重合方法、及びそのようなシリコンポリマーから薄膜を形成する方法 |
US7943721B2 (en) | 2005-10-05 | 2011-05-17 | Kovio, Inc. | Linear and cross-linked high molecular weight polysilanes, polygermanes, and copolymers thereof, compositions containing the same, and methods of making and using such compounds and compositions |
JP2012164898A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Kagawa Univ | 半導体微粒子膜、ダイオード、光電変換素子およびそれらの製造方法 |
JP2012164897A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Kagawa Univ | 半導体微粒子膜、ダイオード、光電変換素子およびそれらの製造方法 |
JP2013511829A (ja) * | 2009-11-18 | 2013-04-04 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | シリコン層の製造方法 |
JP2013542162A (ja) * | 2010-10-01 | 2013-11-21 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 高次ヒドリドシラン化合物の製造方法 |
KR20140082938A (ko) * | 2012-12-25 | 2014-07-03 | 가부시기가이샤 닛뽕쇼꾸바이 | 사이클로헥사실란 및 그 제조방법 |
WO2016009827A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 日産化学工業株式会社 | 高分子量ポリシラン及びその製造方法 |
WO2016010038A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 日産化学工業株式会社 | 濃縮法を用いた環状シランの製造方法 |
WO2016009897A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 日産化学工業株式会社 | 加熱重合によるポリシランの製造方法 |
WO2016072226A1 (ja) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | 日産化学工業株式会社 | 水素化ケイ素の酸化物を含む有機溶剤の製造方法 |
WO2016072320A1 (ja) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | 日産化学工業株式会社 | シランの重合禁止剤 |
JP2016132608A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-25 | 株式会社豊田中央研究所 | 複合体及びその製造方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7485691B1 (en) | 2004-10-08 | 2009-02-03 | Kovio, Inc | Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom |
JP4043498B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2008-02-06 | シャープ株式会社 | 固相シートの製造方法 |
JP2009200419A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Seiko Epson Corp | 太陽電池の製造方法 |
US9336925B1 (en) * | 2008-11-26 | 2016-05-10 | Thin Film Electronics Asa | Siloxanes, doped siloxanes, methods for their synthesis, compositions containing the same, and films formed therefrom |
DE102008063552A1 (de) * | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Varta Microbattery Gmbh | Neues Elektrodenaktivmaterial für elektrochemische Elemente |
JP5604044B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2014-10-08 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 高次シラン組成物および膜付基板の製造方法 |
DE102010002405A1 (de) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Oligomerisierung von Hydridosilanen, die mit dem Verfahren herstellbaren Oligomerisate und ihre Verwendung |
DE102010040231A1 (de) | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Evonik Degussa Gmbh | p-Dotierte Siliciumschichten |
DE102011075232B4 (de) | 2011-05-04 | 2015-02-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zum Herstellen von n-dotierten Silizium-haltigen Schichten und entsprechend hergestellte Schichten |
WO2014089624A1 (en) | 2012-12-12 | 2014-06-19 | Kwik-Coat (Aust) Pty Ltd | Alloy coated workpieces |
DE102013010101A1 (de) | 2013-06-18 | 2014-12-18 | Evonik Industries Ag | Formulierungen umfassend Hydridosilane und Hydridosilan-Oligomere, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihrer Verwendung |
DE102013010102A1 (de) | 2013-06-18 | 2014-12-18 | Evonik Industries Ag | Formulierungen umfassend Hydridosilane und Hydridosilan-Oligomere, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihrer Verwendung |
JP6322131B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2018-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン膜の成膜方法および成膜装置 |
DE102015225289A1 (de) | 2015-12-15 | 2017-06-22 | Evonik Degussa Gmbh | Dotierte Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
EP3590889B1 (en) | 2018-07-05 | 2020-12-02 | Evonik Operations GmbH | Preparation of 2,2,4,4-tetrasilylpentasilane in the presence of lewis acids |
JP7156620B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2022-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 微細パターンを有する基板にシリコン膜を形成する方法 |
JP2020083728A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | ブロックコポリマーを含んでなるアモルファスシリコン形成組成物、およびそれを用いたアモルファスシリコン膜の製造方法 |
EP3702397B1 (en) | 2019-02-26 | 2021-06-09 | Evonik Operations GmbH | Method for the preparation of hydridosilane oligomers |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4704444A (en) * | 1984-02-10 | 1987-11-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Polyhydridosilanes and their conversion to pyropolymers |
JPH0717753B2 (ja) * | 1990-09-14 | 1995-03-01 | 工業技術院長 | ポリシラン類の製造方法 |
US5403943A (en) * | 1992-01-21 | 1995-04-04 | Shin-Etsu Chemical Company, Limited | Chloro-terminated polysilane |
JP3116759B2 (ja) * | 1994-03-11 | 2000-12-11 | 信越化学工業株式会社 | ポリシラン及びその製造方法 |
US5866471A (en) * | 1995-12-26 | 1999-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming semiconductor thin film and method of fabricating solar cell |
US6270948B1 (en) * | 1996-08-22 | 2001-08-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming pattern |
US6140448A (en) * | 1996-08-29 | 2000-10-31 | Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology | Process for preparing polysilane by catalytic dehydrogenative condensation of organosilane and metal complex catalyst therefor |
WO1998030618A1 (fr) * | 1997-01-09 | 1998-07-16 | Osaka Gas Company Limited | Polysilanes et leur procede de production |
CN1199241C (zh) * | 1999-03-30 | 2005-04-27 | 精工爱普生株式会社 | 硅膜成形方法 |
JP2001220445A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ポリシランの製造方法 |
JP3424232B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2003-07-07 | ジェイエスアール株式会社 | シリコン膜の形成方法 |
TW555690B (en) * | 2001-08-14 | 2003-10-01 | Jsr Corp | Silane composition, silicon film forming method and solar cell production method |
JP4419357B2 (ja) * | 2001-10-17 | 2010-02-24 | Jsr株式会社 | シラン組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法 |
JP2003313299A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-06 | Seiko Epson Corp | 高次シラン組成物及び該組成物を用いたシリコン膜の形成方法 |
JP2003318119A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | シリコン膜およびその形成方法、ならびに、液晶表示装置、有機el表示装置、電子機器および機器 |
JP2004186320A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Jsr Corp | シリコン膜形成用組成物および太陽電池 |
-
2004
- 2004-06-11 CN CNB2004800006727A patent/CN100355653C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-11 JP JP2004173773A patent/JP4258646B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-11 WO PCT/JP2004/008547 patent/WO2004110929A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2004-06-11 KR KR1020047017547A patent/KR101100562B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-06-11 TW TW093116983A patent/TW200512158A/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-11 US US10/560,527 patent/US20060159859A1/en not_active Abandoned
- 2004-06-11 EP EP04746061A patent/EP1640342A4/en not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-11-28 JP JP2008303482A patent/JP5013128B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-05 US US12/398,451 patent/US20090215920A1/en not_active Abandoned
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006256918A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Seiko Epson Corp | 高次シラン組成物、膜付基板の製造方法、電気光学装置および電子デバイス |
US8378050B2 (en) | 2005-10-05 | 2013-02-19 | Kovio, Inc. | Linear and cross-linked high molecular weight polysilanes, polygermanes, and copolymers thereof, compositions containing the same, and methods of making and using such compounds and compositions |
US7943721B2 (en) | 2005-10-05 | 2011-05-17 | Kovio, Inc. | Linear and cross-linked high molecular weight polysilanes, polygermanes, and copolymers thereof, compositions containing the same, and methods of making and using such compounds and compositions |
JP2007284639A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Jsr Corp | リン原子含有高次シラン化合物の製造法及びそれを用いたリン含有シリコン膜の形成方法 |
JP2010506001A (ja) * | 2006-10-06 | 2010-02-25 | コヴィオ インコーポレイテッド | シリコンポリマー、シリコン化合物の重合方法、及びそのようなシリコンポリマーから薄膜を形成する方法 |
JP2017061702A (ja) * | 2006-10-06 | 2017-03-30 | シン フィルム エレクトロニクス エーエスエー | シリコンポリマー、シリコン化合物の重合方法、及びそのようなシリコンポリマーから薄膜を形成する方法 |
KR101467412B1 (ko) * | 2006-10-06 | 2014-12-01 | 코비오 인코포레이티드 | 실리콘 폴리머, 실리콘 화합물 중합법 및 실리콘 폴리머 박막 형성법 |
JP2013511829A (ja) * | 2009-11-18 | 2013-04-04 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | シリコン層の製造方法 |
JP2013542162A (ja) * | 2010-10-01 | 2013-11-21 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 高次ヒドリドシラン化合物の製造方法 |
JP2012164898A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Kagawa Univ | 半導体微粒子膜、ダイオード、光電変換素子およびそれらの製造方法 |
JP2012164897A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Kagawa Univ | 半導体微粒子膜、ダイオード、光電変換素子およびそれらの製造方法 |
KR20140082938A (ko) * | 2012-12-25 | 2014-07-03 | 가부시기가이샤 닛뽕쇼꾸바이 | 사이클로헥사실란 및 그 제조방법 |
KR102155727B1 (ko) * | 2012-12-25 | 2020-09-14 | 가부시기가이샤 닛뽕쇼꾸바이 | 사이클로헥사실란 및 그 제조방법 |
JPWO2016009827A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2017-06-15 | シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ | 高分子量ポリシラン及びその製造方法 |
EP3170792A4 (en) * | 2014-07-16 | 2018-01-17 | Thin Film Electronics ASA | Method for producing cyclic silane using concentration method |
WO2016009827A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 日産化学工業株式会社 | 高分子量ポリシラン及びその製造方法 |
CN106660810B (zh) * | 2014-07-16 | 2019-10-25 | 薄膜电子有限公司 | 高分子量聚硅烷及其制造方法 |
KR20170030563A (ko) | 2014-07-16 | 2017-03-17 | 씬 필름 일렉트로닉스 에이에스에이 | 농축법을 이용한 고리형 실란의 제조방법 |
WO2016009897A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 日産化学工業株式会社 | 加熱重合によるポリシランの製造方法 |
KR20170035929A (ko) | 2014-07-16 | 2017-03-31 | 씬 필름 일렉트로닉스 에이에스에이 | 고분자량 폴리실란 및 그 제조방법 |
CN106660810A (zh) * | 2014-07-16 | 2017-05-10 | 薄膜电子有限公司 | 高分子量聚硅烷及其制造方法 |
WO2016010038A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 日産化学工業株式会社 | 濃縮法を用いた環状シランの製造方法 |
US10450419B2 (en) | 2014-07-16 | 2019-10-22 | Thin Film Electronics Asa | High-molecular-weight polysilane and method for producing same |
US10202283B2 (en) | 2014-07-16 | 2019-02-12 | Thin Film Electronics Asa | Method for producing cyclic silane using concentration method |
JPWO2016072320A1 (ja) * | 2014-11-04 | 2017-09-14 | シン フィルム エレクトロニクス エーエスエー | シランの重合禁止剤 |
US20170313592A1 (en) * | 2014-11-04 | 2017-11-02 | Thin Film Electronics Asa | Method of Producing Silicon Hydride Oxide-Containing Organic Solvent |
US10414661B2 (en) | 2014-11-04 | 2019-09-17 | Thin Film Electronics Asa | Method of producing silicon hydride oxide-containing solvent |
WO2016072226A1 (ja) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | 日産化学工業株式会社 | 水素化ケイ素の酸化物を含む有機溶剤の製造方法 |
WO2016072320A1 (ja) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | 日産化学工業株式会社 | シランの重合禁止剤 |
JP2016132608A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-25 | 株式会社豊田中央研究所 | 複合体及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060159859A1 (en) | 2006-07-20 |
JP5013128B2 (ja) | 2012-08-29 |
WO2004110929A1 (ja) | 2004-12-23 |
TW200512158A (en) | 2005-04-01 |
EP1640342A4 (en) | 2006-11-22 |
JP2009102224A (ja) | 2009-05-14 |
EP1640342A1 (en) | 2006-03-29 |
KR101100562B1 (ko) | 2011-12-29 |
JP4258646B2 (ja) | 2009-04-30 |
CN1697781A (zh) | 2005-11-16 |
CN100355653C (zh) | 2007-12-19 |
US20090215920A1 (en) | 2009-08-27 |
TWI313252B (ja) | 2009-08-11 |
KR20060027296A (ko) | 2006-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5013128B2 (ja) | シリコン膜形成のための方法と組成物 | |
US7223802B2 (en) | High order silane composition, and method of forming silicon film using the composition | |
KR100562815B1 (ko) | 실리콘막 형성용 용액 조성물 및 실리콘막의 형성 방법 | |
JP4508428B2 (ja) | コーティング組成物 | |
KR101299315B1 (ko) | 고차 실란 조성물 및 막이 부착된 기판의 제조 방법 | |
WO2000059015A1 (fr) | Procede de fabrication d'un film de silicium | |
JP4305513B2 (ja) | 高次シラン組成物、膜付基板の製造方法、電気光学装置および電子デバイス | |
JP4761041B2 (ja) | シリコン膜の形成方法 | |
US20090263590A1 (en) | Method of manufacturing polysilane-modified silicon fine wire and method of forming silicon film | |
JP4462394B2 (ja) | シリコン膜のパターン形成方法 | |
JP4872419B2 (ja) | ポリシラン修飾シリコン微粒子の製造方法およびシリコン膜の形成方法 | |
JP2003124486A (ja) | 太陽電池の製造方法およびそのための組成物 | |
JP4748288B2 (ja) | スピロ[4.4]ノナシランを含有する組成物 | |
JP2005223138A (ja) | シリコン膜の成膜方法及び当該シリコン膜の成膜方法を使用するデバイスの製造方法 | |
JP2005251982A (ja) | シリコン膜の形成方法、当該シリコン膜の形成方法を使用するデバイスの製造方法及び当該デバイスの製造方法を使用する電気光学機器の製造方法 | |
JP4617795B2 (ja) | シリコン膜の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071009 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071115 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081001 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081128 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090114 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090127 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |