JP3116759B2 - ポリシラン及びその製造方法 - Google Patents
ポリシラン及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光電変換材料、導電性
材料、或いはセラミック前駆体等として有用な新規ポリ
シラン及びその製造方法に関する。
材料、或いはセラミック前駆体等として有用な新規ポリ
シラン及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
ポリシランの合成にはウルツ反応がよく用いられている
が、反応条件が厳しいために官能基含有のポリシランを
得るには多くの困難があった。また、早瀬ら（（ａ）
Ｒ．Ｈｏｒｉｇｕｃｈｉ，Ｙ．Ｏｎｉｓｈｉ，Ｓ．Ｈａ
ｙａｓｅ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，（１９９
２），２５，３８２５．（ｂ）Ｓ．Ｈａｙａｓｅ，Ｒ．
Ｈｏｒｉｇｕｃｈｉ，Ｙ．Ｏｎｉｓｈｉ，Ｍａｃｒｏｍ
ｏｌｅｃｕｌｅｓ，（１９８９），２２，２９３３．
（ｃ）Ｃ．Ｈ．Ｙｕａｎ，Ｒ．Ｗｅｓｔ，Ｍａｃｒｏｍ
ｏｌｅｃｕｌｅｓ，（１９９３），２６，２６５４．）
はトリアルキルシリル保護基を用い、アルコール、ある
いはフェノール官能性のポリシランを報告しているが、
保護基の種類や反応条件を工夫する必要があり、また保
護基の脱離にも繊細な反応条件の調節が必要であり、こ
れらの合成は簡単ではない。更に、関ら（Ｔ．Ｓｅｋ
ｉ，Ｔ．Ｔａｍａｋｉ，Ｋ．Ｕｅｎｏ，Ｍａｃｒｏｍｏ
ｌｅｃｕｌｅｓ，（１９９２），２５，３８２５．）
は、ポリシランを合成した後、アンモニウム官能基の導
入を報告しているが、ポリマーに対して２段階に及ぶ変
性を行うことは、安定性及び反応率の点で問題があり、
これらの化合物を高収率、高純度で得ることが困難であ
った。
ポリシランの合成にはウルツ反応がよく用いられている
が、反応条件が厳しいために官能基含有のポリシランを
得るには多くの困難があった。また、早瀬ら（（ａ）
Ｒ．Ｈｏｒｉｇｕｃｈｉ，Ｙ．Ｏｎｉｓｈｉ，Ｓ．Ｈａ
ｙａｓｅ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，（１９９
２），２５，３８２５．（ｂ）Ｓ．Ｈａｙａｓｅ，Ｒ．
Ｈｏｒｉｇｕｃｈｉ，Ｙ．Ｏｎｉｓｈｉ，Ｍａｃｒｏｍ
ｏｌｅｃｕｌｅｓ，（１９８９），２２，２９３３．
（ｃ）Ｃ．Ｈ．Ｙｕａｎ，Ｒ．Ｗｅｓｔ，Ｍａｃｒｏｍ
ｏｌｅｃｕｌｅｓ，（１９９３），２６，２６５４．）
はトリアルキルシリル保護基を用い、アルコール、ある
いはフェノール官能性のポリシランを報告しているが、
保護基の種類や反応条件を工夫する必要があり、また保
護基の脱離にも繊細な反応条件の調節が必要であり、こ
れらの合成は簡単ではない。更に、関ら（Ｔ．Ｓｅｋ
ｉ，Ｔ．Ｔａｍａｋｉ，Ｋ．Ｕｅｎｏ，Ｍａｃｒｏｍｏ
ｌｅｃｕｌｅｓ，（１９９２），２５，３８２５．）
は、ポリシランを合成した後、アンモニウム官能基の導
入を報告しているが、ポリマーに対して２段階に及ぶ変
性を行うことは、安定性及び反応率の点で問題があり、
これらの化合物を高収率、高純度で得ることが困難であ
った。
【０００３】一方、脱水素縮合法によるポリシランの合
成は、従来では重合度の向上が問題であるとされてお
り、研究の主眼はもっぱら触媒の活性を上げ、高重合物
を得ることに向けられ、置換基導入への応用はメチル基
やトリフロロメチル基などの官能性の低いもの（Ｊ．
Ｐ．Ｂａｎｏｖｅｔｚ，Ｈ．Ｓｕｚｕｋｉ，Ｒ．Ｍ．Ｗ
ａｙｍｏｕｔｈ，Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，
（１９９３），１２，４７００．）についての研究例し
か報告されていなかった。
成は、従来では重合度の向上が問題であるとされてお
り、研究の主眼はもっぱら触媒の活性を上げ、高重合物
を得ることに向けられ、置換基導入への応用はメチル基
やトリフロロメチル基などの官能性の低いもの（Ｊ．
Ｐ．Ｂａｎｏｖｅｔｚ，Ｈ．Ｓｕｚｕｋｉ，Ｒ．Ｍ．Ｗ
ａｙｍｏｕｔｈ，Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，
（１９９３），１２，４７００．）についての研究例し
か報告されていなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、光
変換材料、導電性材料として有用なポリシランにつき鋭
意検討を行った結果、下記一般式（２）で示される官能
基置換フェニルトリヒドロシランをジルコノセン系触媒
の存在下で脱水素縮合反応させることにより、下記一般
式（１）で示される官能基置換フェニル基と側鎖水素基
とを有するポリシランが比較的温和な条件で得られるこ
とを見い出すと共に、この式（１）のポリシランがヨウ
素等の酸化性物質のドーピングにより高い導電性を示
し、光変換材料、導電性材料として有用であり、更にセ
ラミック前駆体としても有用であることを知見し、本発
明をなすに至った。
変換材料、導電性材料として有用なポリシランにつき鋭
意検討を行った結果、下記一般式（２）で示される官能
基置換フェニルトリヒドロシランをジルコノセン系触媒
の存在下で脱水素縮合反応させることにより、下記一般
式（１）で示される官能基置換フェニル基と側鎖水素基
とを有するポリシランが比較的温和な条件で得られるこ
とを見い出すと共に、この式（１）のポリシランがヨウ
素等の酸化性物質のドーピングにより高い導電性を示
し、光変換材料、導電性材料として有用であり、更にセ
ラミック前駆体としても有用であることを知見し、本発
明をなすに至った。
【０００５】
【化３】 （式中Ｘは、ハロゲン原子、アルキル基、フロロアルキ
ル基、アルコキシ基、置換もしくは非置換のアミノ基、
アシル基又はアルデヒド基を示し、また、Ｙは水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、フロロアルキル基、置
換もしくは非置換のアミノ基、アシル基又はアルデヒド
基を示す。又は、ＸとＹとは合わせて２価のアルキレン
基又はヘテロアルキレン基を形成する。但し、Ｙが水素
原子のときはＸはアルキル基及びフロロアルキル基では
ない。ｍは１〜５、ｋは０〜４の整数を示し、ｋ＋ｍ＝
１〜５であり、ｎは３以上の整数を示す。）
ル基、アルコキシ基、置換もしくは非置換のアミノ基、
アシル基又はアルデヒド基を示し、また、Ｙは水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、フロロアルキル基、置
換もしくは非置換のアミノ基、アシル基又はアルデヒド
基を示す。又は、ＸとＹとは合わせて２価のアルキレン
基又はヘテロアルキレン基を形成する。但し、Ｙが水素
原子のときはＸはアルキル基及びフロロアルキル基では
ない。ｍは１〜５、ｋは０〜４の整数を示し、ｋ＋ｍ＝
１〜５であり、ｎは３以上の整数を示す。）
【０００６】従って、本発明は、上記一般式（１）で示
されるポリシラン、及び、上記一般式（２）のトリヒド
ロシランをジルコノセン系触媒の存在下で脱水素縮合す
ることを特徴とする上記一般式（１）のポリシランの製
造方法を提供する。
されるポリシラン、及び、上記一般式（２）のトリヒド
ロシランをジルコノセン系触媒の存在下で脱水素縮合す
ることを特徴とする上記一般式（１）のポリシランの製
造方法を提供する。
【０００７】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明のポリシランは下記一般式（１）で示される
ものである。
と、本発明のポリシランは下記一般式（１）で示される
ものである。
【０００８】
【化４】
【０００９】ここで、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒ等のハロゲン原
子、メチル基、エチル基等の好ましくは炭素数１〜２
０、特に１〜６のアルキル基、トリフロロプロピル基等
のＣmＦ2m+1（ｍは好ましくは１〜２０、特に１〜３）
で示されるフロロアルキル基、メトキシ基、エトキシ基
等の好ましくは炭素数１〜２０、特に１〜６のアルコキ
シ基、置換もしくは非置換のアミノ基、アシル基、又は
アルデヒド基を示す。また、Ｙは、水素原子、上記と同
様のハロゲン原子、アルキル基、フロロアルキル基、置
換もしくは非置換のアミノ基、アシル基、又はアルデヒ
ド基を示す。この場合、Ｙが水素原子であるときはＸは
アルキル基及びフロロアルキル基となることはない。な
お、置換アミノ基としては、アミノ基の水素原子の１個
又は２個が炭素数１〜２０、特に１〜４のアルキル基で
置換されたアルキルアミノ基などが挙げられる。又は、
ＸとＹとは合わせて２価のアルキレン基又はヘテロアル
キレン基を形成し、例えばフェニル基等の芳香環や複素
環を形成する。従って上記Ｘ−（Ｃ6Ｈ3）−Ｙは例えば
ナフチル基等の多核芳香環や複素環類を包含する。ま
た、ｍは１〜５、ｋは０〜４の整数を示し、ｋ＋ｍ＝１
〜５である。
子、メチル基、エチル基等の好ましくは炭素数１〜２
０、特に１〜６のアルキル基、トリフロロプロピル基等
のＣmＦ2m+1（ｍは好ましくは１〜２０、特に１〜３）
で示されるフロロアルキル基、メトキシ基、エトキシ基
等の好ましくは炭素数１〜２０、特に１〜６のアルコキ
シ基、置換もしくは非置換のアミノ基、アシル基、又は
アルデヒド基を示す。また、Ｙは、水素原子、上記と同
様のハロゲン原子、アルキル基、フロロアルキル基、置
換もしくは非置換のアミノ基、アシル基、又はアルデヒ
ド基を示す。この場合、Ｙが水素原子であるときはＸは
アルキル基及びフロロアルキル基となることはない。な
お、置換アミノ基としては、アミノ基の水素原子の１個
又は２個が炭素数１〜２０、特に１〜４のアルキル基で
置換されたアルキルアミノ基などが挙げられる。又は、
ＸとＹとは合わせて２価のアルキレン基又はヘテロアル
キレン基を形成し、例えばフェニル基等の芳香環や複素
環を形成する。従って上記Ｘ−（Ｃ6Ｈ3）−Ｙは例えば
ナフチル基等の多核芳香環や複素環類を包含する。ま
た、ｍは１〜５、ｋは０〜４の整数を示し、ｋ＋ｍ＝１
〜５である。
【００１０】また、式（１）において、ｎは３以上、好
ましくは６以上、より好ましくは１０以上の整数であ
り、その上限は特に制限はないが、通常溶媒に可溶であ
る範囲で大きいことが好ましい。
ましくは６以上、より好ましくは１０以上の整数であ
り、その上限は特に制限はないが、通常溶媒に可溶であ
る範囲で大きいことが好ましい。
【００１１】上記式（１）のポリシランの重量平均分子
量は４００以上、特に６００以上であることが、成膜性
の点から好ましい。
量は４００以上、特に６００以上であることが、成膜性
の点から好ましい。
【００１２】式（１）のポリシランは、下記一般式
（２）で示されるトリヒドロシランを脱水素縮合するこ
とによって得ることができる。
（２）で示されるトリヒドロシランを脱水素縮合するこ
とによって得ることができる。
【００１３】
【化５】 （但し、Ｘ，Ｙ，ｍ，ｋは上記と同様の意味を示す。）
【００１４】ここで、式（２）のトリヒドロシランとし
ては、例えば、ｐ−ジメチルアミノフェニルシラン、β
−シリルナフタレン、ｐ−アニシルシラン、３，４−メ
チレンジオキシフェニルシランなどが挙げられる。
ては、例えば、ｐ−ジメチルアミノフェニルシラン、β
−シリルナフタレン、ｐ−アニシルシラン、３，４−メ
チレンジオキシフェニルシランなどが挙げられる。
【００１５】上記トリヒドロシランの脱水素縮合反応
は、脱水素縮合反応用触媒を用い、室温又は加熱条件下
で行うことができる。触媒としては、一般の脱水素縮合
反応に用いられるジルコノセン系触媒が使用される。触
媒の使用量は、通常の触媒量であり、シランに対して
０．００１〜２０重量％、特に０．０１〜１重量％とす
ることが好ましい。
は、脱水素縮合反応用触媒を用い、室温又は加熱条件下
で行うことができる。触媒としては、一般の脱水素縮合
反応に用いられるジルコノセン系触媒が使用される。触
媒の使用量は、通常の触媒量であり、シランに対して
０．００１〜２０重量％、特に０．０１〜１重量％とす
ることが好ましい。
【００１６】この反応には溶媒は必須ではないが、ヒド
ロシラン類と反応するおそれのない非プロトン性の溶
媒、例えばテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、
ヘキサン等を用いることが好ましい。反応温度は０℃〜
２００℃、特に室温〜１１０℃が好ましく、反応時間は
通常３〜２４０時間、特に１２〜７０時間である。
ロシラン類と反応するおそれのない非プロトン性の溶
媒、例えばテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、
ヘキサン等を用いることが好ましい。反応温度は０℃〜
２００℃、特に室温〜１１０℃が好ましく、反応時間は
通常３〜２４０時間、特に１２〜７０時間である。
【００１７】本発明の式（１）のポリシランは、セラミ
ック前駆体として使用されるほか、ヨウ素、塩化第二鉄
等の酸化性物質でドーピングすることにより１０-2〜１
０-5Ｓ／ｃｍ程度の高導電性を示すので、光電変換材
料、導電性材料として好適に用いられる。
ック前駆体として使用されるほか、ヨウ素、塩化第二鉄
等の酸化性物質でドーピングすることにより１０-2〜１
０-5Ｓ／ｃｍ程度の高導電性を示すので、光電変換材
料、導電性材料として好適に用いられる。
【００１８】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
【００１９】なお、以下のポリマーの平均分子量はＧＰ
Ｃによるポリスチレン換算の重量平均分子量を示す。
Ｃによるポリスチレン換算の重量平均分子量を示す。
【００２０】〔実施例１〕ｐ−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアニ
リノ）シラン２．６２６ｇ（１７．３５ｍｍｏｌ）をＴ
ＨＦ中、下式に示すジルコノセン触媒３ｍｇの存在下、
封管中で１０５℃、７２時間反応させたところ、収率９
４．３％でＭw＝１３３０，Ｍn＝１２６０の重合物が得
られた。
リノ）シラン２．６２６ｇ（１７．３５ｍｍｏｌ）をＴ
ＨＦ中、下式に示すジルコノセン触媒３ｍｇの存在下、
封管中で１０５℃、７２時間反応させたところ、収率９
４．３％でＭw＝１３３０，Ｍn＝１２６０の重合物が得
られた。
【００２１】
【化６】
【００２２】このポリマーは芳香族第３アミン、パラ置
換フェニル及びＳｉ−Ｈ等の基本構造を保持しているこ
とが図１に示すＩＲスペクトルにより確かめられ、下記
式のポリシランであることが確認された。 ＩＲスペクトル： ２９７３ Ｃ−Ｈ ２０７８ Ｓｉ−Ｈ １５９３，１５０８ ｐ−置換芳香族Ｃ−Ｃ １３５２ 芳香族第３アミンＣ−Ｎ
換フェニル及びＳｉ−Ｈ等の基本構造を保持しているこ
とが図１に示すＩＲスペクトルにより確かめられ、下記
式のポリシランであることが確認された。 ＩＲスペクトル： ２９７３ Ｃ−Ｈ ２０７８ Ｓｉ−Ｈ １５９３，１５０８ ｐ−置換芳香族Ｃ−Ｃ １３５２ 芳香族第３アミンＣ−Ｎ
【００２３】
【化７】
【００２４】〔実施例２〕実施例１に準じて、ｐ−アニ
シルシラン２．０２２ｇ（１４．６２ｍｍｏｌ）をＴＨ
Ｆ中、ジルコノセン触媒２ｍｇの存在下、封管中で１０
５℃、７２時間反応させたところ、収率８７．３％でＭ
w＝９５０，Ｍn＝８９０の下記式で示されるポリシラン
が得られた。 ＩＲスペクトル： ３０５９ 芳香族Ｃ−Ｈ ２９５６，２８３５ Ｃ−Ｈ ２１０４ Ｓｉ−Ｈ １５９１，１４９８ ｐ−置換芳香族Ｃ−Ｃ １０３０ Ｃ−Ｏ−Ｃ
シルシラン２．０２２ｇ（１４．６２ｍｍｏｌ）をＴＨ
Ｆ中、ジルコノセン触媒２ｍｇの存在下、封管中で１０
５℃、７２時間反応させたところ、収率８７．３％でＭ
w＝９５０，Ｍn＝８９０の下記式で示されるポリシラン
が得られた。 ＩＲスペクトル： ３０５９ 芳香族Ｃ−Ｈ ２９５６，２８３５ Ｃ−Ｈ ２１０４ Ｓｉ−Ｈ １５９１，１４９８ ｐ−置換芳香族Ｃ−Ｃ １０３０ Ｃ−Ｏ−Ｃ
【００２５】
【化８】
【００２６】〔実施例３〕実施例１に準じて、β−シリ
ルナフタレン１．２２５ｇ（７．７４ｍｍｏｌ）をＴＨ
Ｆ中、ジルコノセン触媒４ｍｇの存在下、封管中で１０
５℃、７２時間反応させたところ、収率９０．８％でＭ
w＝１１７０，Ｍn＝１１４０の下記式で示されるポリシ
ランが得られた。 ＩＲスペクトル： ２０８０ Ｓｉ−Ｈ ８５０，８１４，７４０ β−置換ナフタレンＣ−Ｈ
ルナフタレン１．２２５ｇ（７．７４ｍｍｏｌ）をＴＨ
Ｆ中、ジルコノセン触媒４ｍｇの存在下、封管中で１０
５℃、７２時間反応させたところ、収率９０．８％でＭ
w＝１１７０，Ｍn＝１１４０の下記式で示されるポリシ
ランが得られた。 ＩＲスペクトル： ２０８０ Ｓｉ−Ｈ ８５０，８１４，７４０ β−置換ナフタレンＣ−Ｈ
【００２７】
【化９】
【００２８】〔実施例４〕実施例１に準じて、ｐ−フロ
ロフェニルシラン４．５９５ｇ（３６．４ｍｍｏｌ）を
ＴＨＦ／キシレンの１：１の混合溶媒中、ジルコノセン
触媒３ｍｇの存在下、封管中で１０５℃、７２時間反応
させたところ、収率８８．４６％でＭw＝９４０，Ｍn＝
９００の下記式で示されるポリシランが得られた。 ＩＲスペクトル： ２９６０，２８７４ Ｃ−Ｈ ２１２７ Ｓｉ−Ｈ １５８８，１４９６ ｐ−置換芳香族Ｃ−Ｃ １２３５ 芳香族Ｃ−Ｆ
ロフェニルシラン４．５９５ｇ（３６．４ｍｍｏｌ）を
ＴＨＦ／キシレンの１：１の混合溶媒中、ジルコノセン
触媒３ｍｇの存在下、封管中で１０５℃、７２時間反応
させたところ、収率８８．４６％でＭw＝９４０，Ｍn＝
９００の下記式で示されるポリシランが得られた。 ＩＲスペクトル： ２９６０，２８７４ Ｃ−Ｈ ２１２７ Ｓｉ−Ｈ １５８８，１４９６ ｐ−置換芳香族Ｃ−Ｃ １２３５ 芳香族Ｃ−Ｆ
【００２９】
【化１０】
【００３０】〔実施例５〕実施例１に準じて、３，４−
メチレンジオキシフェニルシラン３．７８９ｇ（２４．
９ｍｍｏｌ）をＴＨＦ／キシレンの１：１の混合溶媒
中、ジルコノセン触媒４ｍｇの存在下、封管中で１０５
℃、７２時間反応させたところ、収率７２％でＭw＝８
４０，Ｍn＝８１０の下記式で示されるポリシランが得
られた。
メチレンジオキシフェニルシラン３．７８９ｇ（２４．
９ｍｍｏｌ）をＴＨＦ／キシレンの１：１の混合溶媒
中、ジルコノセン触媒４ｍｇの存在下、封管中で１０５
℃、７２時間反応させたところ、収率７２％でＭw＝８
４０，Ｍn＝８１０の下記式で示されるポリシランが得
られた。
【００３１】
【化１１】 ＩＲスペクトル： ２９６３，２９００ Ｃ−Ｈ ２１５７ Ｓｉ−Ｈ １５０２，１４８０ 置換芳香族Ｃ−Ｃ １２６２，１２３５ Ｃ−Ｏ−Ｃ
【００３２】〔参考例１〕実施例１のポリ（ｐ−ジメチ
ルアミノフェニルシラン）（Ｍw＝１１７０，Ｍn＝１１
３０）のＴＨＦ溶液を基盤上にスピンコートし、気相ヨ
ウ素ドーピングを行いながら導電率を測定したところ、
７×１０-3Ｓ／ｃｍであった。
ルアミノフェニルシラン）（Ｍw＝１１７０，Ｍn＝１１
３０）のＴＨＦ溶液を基盤上にスピンコートし、気相ヨ
ウ素ドーピングを行いながら導電率を測定したところ、
７×１０-3Ｓ／ｃｍであった。
【００３３】〔参考例２〕実施例３のポリ（β−ナフチ
ルシラン）（Ｍw＝１１７０，Ｍn＝１１４０）のＴＨＦ
溶液を基盤上にスピンコートし、気相ヨウ素ドーピング
を行いながら導電率を測定したところ、４×１０-4Ｓ／
ｃｍであった。
ルシラン）（Ｍw＝１１７０，Ｍn＝１１４０）のＴＨＦ
溶液を基盤上にスピンコートし、気相ヨウ素ドーピング
を行いながら導電率を測定したところ、４×１０-4Ｓ／
ｃｍであった。
【００３４】なお、電気伝導度の測定は、スピンコート
したフィルムを気相ドーピングをしながら４端子法にて
直流抵抗の測定を行い、安定値を得たところで導電率の
算出に用いて行った。
したフィルムを気相ドーピングをしながら４端子法にて
直流抵抗の測定を行い、安定値を得たところで導電率の
算出に用いて行った。
【００３５】
【発明の効果】本発明のポリシランは、ドーピングによ
り高導電性を示し、光電変換材料、導電性材料等として
好適に用いられる。また、本発明の製造方法によれば、
比較的温和な条件で上記ポリシランを高収率において製
造し得る。
り高導電性を示し、光電変換材料、導電性材料等として
好適に用いられる。また、本発明の製造方法によれば、
比較的温和な条件で上記ポリシランを高収率において製
造し得る。
【図１】実施例１のポリシランの赤外線吸収スペクトル
である。
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福島 基夫 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１ 号 信越化学工業株式会社 コーポレー トリサーチセンター内 (56)参考文献 特開 平２−67288（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−202524（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−181280（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−256525（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−252272（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08G 77/60
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（１）で示されるポリシラ
ン。 【化１】 （式中Ｘは、ハロゲン原子、アルキル基、フロロアルキ
ル基、アルコキシ基、置換もしくは非置換のアミノ基、
アシル基又はアルデヒド基を示し、また、Ｙは水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、フロロアルキル基、置
換もしくは非置換のアミノ基、アシル基又はアルデヒド
基を示す。又は、ＸとＹとは合わせて２価のアルキレン
基又はヘテロアルキレン基を形成する。但し、Ｙが水素
原子のときはＸはアルキル基及びフロロアルキル基では
ない。ｍは１〜５、ｋは０〜４の整数を示し、ｋ＋ｍ＝
１〜５であり、ｎは３以上の整数を示す。） - 【請求項２】 下記一般式（２）で示されるトリヒドロ
シランをジルコノセン系触媒の存在下で脱水素縮合する
ことを特徴とする請求項１記載のポリシランの製造方
法。 【化２】 （但し、式中Ｘ及びＹ並びにｍ及びｋは上記と同様の意
味を示す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06335885A JP3116759B2 (ja) | 1994-03-11 | 1994-12-22 | ポリシラン及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6797894 | 1994-03-11 | ||
| JP6-67978 | 1994-03-11 | ||
| JP06335885A JP3116759B2 (ja) | 1994-03-11 | 1994-12-22 | ポリシラン及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07300529A JPH07300529A (ja) | 1995-11-14 |
| JP3116759B2 true JP3116759B2 (ja) | 2000-12-11 |
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ID=26409214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06335885A Expired - Fee Related JP3116759B2 (ja) | 1994-03-11 | 1994-12-22 | ポリシラン及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3116759B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1221434A (zh) * | 1996-06-07 | 1999-06-30 | 大阪瓦斯株式会社 | 聚硅烷和孔穴传输材料 |
| JP4258646B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2009-04-30 | Ｊｓｒ株式会社 | シラン重合体およびシリコン膜の形成方法 |
-
1994
- 1994-12-22 JP JP06335885A patent/JP3116759B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07300529A (ja) | 1995-11-14 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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