JP2970391B2 - 導電性重合体組成物 - Google Patents
導電性重合体組成物Info
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/16—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/16—Halogen-containing compounds
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、芳香族アミノ基を側鎖
に有するポリシラン類にドーパントをドーピングしてな
る高導電性の重合体組成物に関する。
に有するポリシラン類にドーパントをドーピングしてな
る高導電性の重合体組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
ポリシランは、置換基としてメチル基で代表されるアル
キル基やフェニル基を有するものが主であった（Ｒ．Ｗ
ｅｓｔ，ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，１０３，７３５２（１９８１））。
ポリシランは、置換基としてメチル基で代表されるアル
キル基やフェニル基を有するものが主であった（Ｒ．Ｗ
ｅｓｔ，ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，１０３，７３５２（１９８１））。
【０００３】その後、置換基として水素原子や反応性の
炭素−炭素二重結合を含有する置換基を持つポリシラン
や、ハロゲン化アルキル基を有するポリシランが合成さ
れるようになり、ポリシランを架橋することが可能とな
るなど、応用への期待が高まった（Ｒ．Ｗｅｓｔ，ｅ
ｔ．ａｌ．，Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，３
００，３２７（１９８６））。
炭素−炭素二重結合を含有する置換基を持つポリシラン
や、ハロゲン化アルキル基を有するポリシランが合成さ
れるようになり、ポリシランを架橋することが可能とな
るなど、応用への期待が高まった（Ｒ．Ｗｅｓｔ，ｅ
ｔ．ａｌ．，Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，３
００，３２７（１９８６））。
【０００４】近年、その他の置換基として、シリル基を
導入したポリシラン（特開昭６３−１２６３６号公報）
が提案され、またフェノール性の置換基を導入し、レジ
スト材料へ応用することに関しても報告されている（特
開昭６３−１１３０２１号公報）。
導入したポリシラン（特開昭６３−１２６３６号公報）
が提案され、またフェノール性の置換基を導入し、レジ
スト材料へ応用することに関しても報告されている（特
開昭６３−１１３０２１号公報）。
【０００５】また、本出願人は主にポリシランの光導電
性及び導電性に着目し、既にカルバゾリル基を含有する
置換基をポリシランに導入することにより、光分解性を
抑制したポリシランを開発し、提案している（特開平５
−４３７０２号公報）。
性及び導電性に着目し、既にカルバゾリル基を含有する
置換基をポリシランに導入することにより、光分解性を
抑制したポリシランを開発し、提案している（特開平５
−４３７０２号公報）。
【０００６】しかしながら、一般にポリシランはドーピ
ングにより電気伝導性を示すが、その程度はなお十分で
なく、このためポリシランをドーピングした場合に更に
高導電性を与える導電性重合体組成物が望まれる。
ングにより電気伝導性を示すが、その程度はなお十分で
なく、このためポリシランをドーピングした場合に更に
高導電性を与える導電性重合体組成物が望まれる。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記要望に応えるため鋭意検討を行った結果、置換基とし
て芳香族アミノ基を含有するポリシランをドーパント、
特に取り扱いの易しいヨウ素や塩化第二鉄でドーピング
することにより高導電重合体が得られることを見い出し
た。
記要望に応えるため鋭意検討を行った結果、置換基とし
て芳香族アミノ基を含有するポリシランをドーパント、
特に取り扱いの易しいヨウ素や塩化第二鉄でドーピング
することにより高導電重合体が得られることを見い出し
た。
【０００８】即ち、下記一般式（２）で示される芳香族
アミノ基含有ジハロゲノシランと下記一般式（３）又は
（４）のハロゲノシランとを不活性溶媒中、アルカリ金
属と反応させるなどの方法により得られる、下記一般式
（１）で示される芳香族アミノ基含有ポリシランに対
し、酸化性ドーパント（ヨウ素、塩化第二鉄等）をドー
ピングすることにより、高導電性でしかも賦形性に優れ
る導電性ポリシラン類が得られることを知見した。
アミノ基含有ジハロゲノシランと下記一般式（３）又は
（４）のハロゲノシランとを不活性溶媒中、アルカリ金
属と反応させるなどの方法により得られる、下記一般式
（１）で示される芳香族アミノ基含有ポリシランに対
し、酸化性ドーパント（ヨウ素、塩化第二鉄等）をドー
ピングすることにより、高導電性でしかも賦形性に優れ
る導電性ポリシラン類が得られることを知見した。
【０００９】
【化２】 （但し、式中Ｒ1はＲ3−ＣpＨ2p+1（Ｒ3は芳香族アミノ
含有基であり、１≦ｐ≦８である。）で示される芳香族
アミノ基を含有する一価有機基、Ｒ2は水素原子、炭素
数１〜１４の非置換又は置換一価炭化水素基又はＲ1で
あり、ａ，ｂは０．０１≦ａ≦２で、ａ＋ｂ＝２を満足
する数である。Ｑ1はＲ4 cＳｉ又はＳｉＲ5 d−Ａｒ−Ｓ
ｉＲ6 dであり、Ｒ4は炭素数６〜１０のアリール基、Ｒ5
及びＲ6は水素原子又は炭素数１〜１４の非置換又は置
換一価炭化水素基、Ａｒは炭素数６〜１０のアリーレン
基、ｃ，ｄはそれぞれ１又は２である。ｋ，ｍは０≦ｋ
＜１，０＜ｍ≦１，ｋ＋ｍ＝１を満足する数、ｎは６以
上の整数である。また、Ｘはハロゲン原子である。）
含有基であり、１≦ｐ≦８である。）で示される芳香族
アミノ基を含有する一価有機基、Ｒ2は水素原子、炭素
数１〜１４の非置換又は置換一価炭化水素基又はＲ1で
あり、ａ，ｂは０．０１≦ａ≦２で、ａ＋ｂ＝２を満足
する数である。Ｑ1はＲ4 cＳｉ又はＳｉＲ5 d−Ａｒ−Ｓ
ｉＲ6 dであり、Ｒ4は炭素数６〜１０のアリール基、Ｒ5
及びＲ6は水素原子又は炭素数１〜１４の非置換又は置
換一価炭化水素基、Ａｒは炭素数６〜１０のアリーレン
基、ｃ，ｄはそれぞれ１又は２である。ｋ，ｍは０≦ｋ
＜１，０＜ｍ≦１，ｋ＋ｍ＝１を満足する数、ｎは６以
上の整数である。また、Ｘはハロゲン原子である。）
【００１０】例えば、上記式（１）のポリシラン類にヨ
ウ素をドーピングしたときの電気伝導度は１０-5〜１０
-2Ｓ／ｃｍ程度であり、芳香族アミノ基を持たないジブ
チルポリシラン（３．５×１０-8Ｓ／ｃｍ）やメチルフ
ェニルポリシラン（１．３×１０-6Ｓ／ｃｍ）の電気伝
導度よりも一段と向上することが判明したものである。
ウ素をドーピングしたときの電気伝導度は１０-5〜１０
-2Ｓ／ｃｍ程度であり、芳香族アミノ基を持たないジブ
チルポリシラン（３．５×１０-8Ｓ／ｃｍ）やメチルフ
ェニルポリシラン（１．３×１０-6Ｓ／ｃｍ）の電気伝
導度よりも一段と向上することが判明したものである。
【００１１】即ち、従来より、ポリシランは、炭素に比
べてそのケイ素のもつ金属性と電子非局在性、高い耐熱
性と柔軟性、良好な薄膜形成特性から非常に興味深いポ
リマーであるが、高導電のものは知られておらず、わず
かにＷｅｓｔらはポリシラスチレン系の高分子をＳｂＦ
5，ＡｓＦ5等のフッ素化合物でドーピングすることで高
導電の高分子を得ているが、毒性も強く、取り扱いも煩
雑なドーパントが必要であった（Ｒ．Ｗｅｓｔ，ｅｔ．
ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１０３，７３
５２（１９８１））。これに対し、本発明は、より安全
で取り扱いの易しいヨウ素や塩化第二鉄でドーピングす
ることにより、賦形性に優れる高導電性ポリシラン類が
得られ、これを用いて賦形性に優れる高導電性フィルム
或いは塗膜を容易に得ることができ、従ってこの導電性
ポリシラン類がバッテリー電極、太陽電池、電磁シール
ド用筐体等に応用可能な有用な素材となり得ることを見
い出し、本発明をなすに至ったものである。
べてそのケイ素のもつ金属性と電子非局在性、高い耐熱
性と柔軟性、良好な薄膜形成特性から非常に興味深いポ
リマーであるが、高導電のものは知られておらず、わず
かにＷｅｓｔらはポリシラスチレン系の高分子をＳｂＦ
5，ＡｓＦ5等のフッ素化合物でドーピングすることで高
導電の高分子を得ているが、毒性も強く、取り扱いも煩
雑なドーパントが必要であった（Ｒ．Ｗｅｓｔ，ｅｔ．
ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１０３，７３
５２（１９８１））。これに対し、本発明は、より安全
で取り扱いの易しいヨウ素や塩化第二鉄でドーピングす
ることにより、賦形性に優れる高導電性ポリシラン類が
得られ、これを用いて賦形性に優れる高導電性フィルム
或いは塗膜を容易に得ることができ、従ってこの導電性
ポリシラン類がバッテリー電極、太陽電池、電磁シール
ド用筐体等に応用可能な有用な素材となり得ることを見
い出し、本発明をなすに至ったものである。
【００１２】従って、本発明は、上記式（１）のポリシ
ラン類を酸化性ドーパントでドーピングしてなる導電性
重合体組成物を提供する。
ラン類を酸化性ドーパントでドーピングしてなる導電性
重合体組成物を提供する。
【００１３】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明で用いる芳香族アミノ基含有ポリシラン類は
下記一般式（１）で示されるものである。 〔（Ｒ1 aＲ2 bＳｉ）m（Ｑ1 ）k〕n …（１） （但し、式中Ｒ1はＲ3−ＣpＨ2p+1（Ｒ3は芳香族アミノ
含有基であり、１≦ｐ≦８である。）で示される芳香族
アミノ基を含有する一価有機基、Ｒ2は水素原子、炭素
数１〜１４の非置換又は置換一価炭化水素基又はＲ1で
あり、ａ，ｂは０．０１≦ａ≦２で、ａ＋ｂ＝２を満足
する数である。Ｑ1はＲ4 cＳｉ又はＳｉＲ5 d−Ａｒ−Ｓ
ｉＲ6 dであり、Ｒ4は炭素数６〜１０のアリール基、Ｒ5
及びＲ6は水素原子又は炭素数１〜１４の非置換又は置
換一価炭化水素基、Ａｒは炭素数６〜１０のアリーレン
基、ｃ，ｄはそれぞれ１又は２である。ｋ，ｍは０≦ｋ
＜１，０＜ｍ≦１，ｋ＋ｍ＝１を満足する数、ｎは６以
上の整数である。）
と、本発明で用いる芳香族アミノ基含有ポリシラン類は
下記一般式（１）で示されるものである。 〔（Ｒ1 aＲ2 bＳｉ）m（Ｑ1 ）k〕n …（１） （但し、式中Ｒ1はＲ3−ＣpＨ2p+1（Ｒ3は芳香族アミノ
含有基であり、１≦ｐ≦８である。）で示される芳香族
アミノ基を含有する一価有機基、Ｒ2は水素原子、炭素
数１〜１４の非置換又は置換一価炭化水素基又はＲ1で
あり、ａ，ｂは０．０１≦ａ≦２で、ａ＋ｂ＝２を満足
する数である。Ｑ1はＲ4 cＳｉ又はＳｉＲ5 d−Ａｒ−Ｓ
ｉＲ6 dであり、Ｒ4は炭素数６〜１０のアリール基、Ｒ5
及びＲ6は水素原子又は炭素数１〜１４の非置換又は置
換一価炭化水素基、Ａｒは炭素数６〜１０のアリーレン
基、ｃ，ｄはそれぞれ１又は２である。ｋ，ｍは０≦ｋ
＜１，０＜ｍ≦１，ｋ＋ｍ＝１を満足する数、ｎは６以
上の整数である。）
【００１４】ここで、上記Ｒ3の芳香族アミノ含有基と
しては、下記のものが好適である。
しては、下記のものが好適である。
【００１５】
【化３】 （但し、Ｒ，Ｒ’，Ｒ”は水素原子又は炭素数１〜１４
の非置換又は置換一価炭化水素基を示す。）
の非置換又は置換一価炭化水素基を示す。）
【００１６】なお、Ｒ，Ｒ’，Ｒ”の非置換又は置換一
価炭化水素基としては、炭素数１〜２０のもの、より好
ましくは１〜１８のもので、例えばメチル、エチル、プ
ロピル、ヘキシルなどのアルキル基、フェニル基、アル
キル置換フェニル基などのアリール基、ベンジル、フェ
ネチルなどのアラルキル基、シクロヘキシルなどのシク
ロアルキル基が用いられる。なお、Ｒ，Ｒ’，Ｒ”は互
いに同一でも異なっていてもよい。
価炭化水素基としては、炭素数１〜２０のもの、より好
ましくは１〜１８のもので、例えばメチル、エチル、プ
ロピル、ヘキシルなどのアルキル基、フェニル基、アル
キル置換フェニル基などのアリール基、ベンジル、フェ
ネチルなどのアラルキル基、シクロヘキシルなどのシク
ロアルキル基が用いられる。なお、Ｒ，Ｒ’，Ｒ”は互
いに同一でも異なっていてもよい。
【００１７】上記の芳香族アミノ基Ｒ1として、より具
体的には４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル基、
３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル基、４−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）フェニル基、４−（Ｎ，Ｎ
−ジフェニルアミノ）フェニル基、Ｎ−フェニルアミノ
基、Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−フェニル
−Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、
Ｎ−メチル−Ｎ−（４−ジフェニル）アミノ基、Ｎ−メ
チル−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミノ基等が例示さ
れる。
体的には４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル基、
３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル基、４−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）フェニル基、４−（Ｎ，Ｎ
−ジフェニルアミノ）フェニル基、Ｎ−フェニルアミノ
基、Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−フェニル
−Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、
Ｎ−メチル−Ｎ−（４−ジフェニル）アミノ基、Ｎ−メ
チル−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミノ基等が例示さ
れる。
【００１８】なお、ｐは１〜８、より好ましくは１〜６
の整数である。
の整数である。
【００１９】また、Ｒ2の一価炭化水素基はＲ，Ｒ’，
Ｒ”で説明したものと同様のものを挙げることができ
る。
Ｒ”で説明したものと同様のものを挙げることができ
る。
【００２０】ａ，ｂは上記した通りであるが、ａのより
好ましい範囲は０．１≦ａ≦２、更に好ましい範囲は１
≦ａ≦２である。
好ましい範囲は０．１≦ａ≦２、更に好ましい範囲は１
≦ａ≦２である。
【００２１】一方、Ｑ1はＲ4 cＳｉ又はＳｉＲ5 d−Ａｒ
−ＳｉＲ6 dであり、Ｒ4はフェニル基、アルキル置換フ
ェニル基等の炭素数６〜１０のアリール基、Ｒ5及びＲ6
は水素原子又はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘ
キシル等のアルキル基、フェニル等のアリール基、アル
キル置換フェニル基等の置換アリール基、シクロヘキシ
ル等のシクロアルキル基、ベンジル基等のアラルキル基
などの炭素数１〜１４、好ましくは１〜１０の一価炭化
水素基であるが、Ｒ5，Ｒ6はそれぞれその少なくとも一
つがＲ3 と同様の炭素数６〜１０のアリール基であるこ
とが好ましい。また、Ａｒはフェニレン基等の炭素数６
〜１０のアリーレン基であるが、例えばＡｒがフェニレ
ン基である場合、ＳｉＲ5 dとＳｉＲ6 dとは互いはｏ−
位、ｍ−位、ｐ−位のいずれにあってもよい。なお、
ｃ，ｄはそれぞれ１又は２である。
−ＳｉＲ6 dであり、Ｒ4はフェニル基、アルキル置換フ
ェニル基等の炭素数６〜１０のアリール基、Ｒ5及びＲ6
は水素原子又はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘ
キシル等のアルキル基、フェニル等のアリール基、アル
キル置換フェニル基等の置換アリール基、シクロヘキシ
ル等のシクロアルキル基、ベンジル基等のアラルキル基
などの炭素数１〜１４、好ましくは１〜１０の一価炭化
水素基であるが、Ｒ5，Ｒ6はそれぞれその少なくとも一
つがＲ3 と同様の炭素数６〜１０のアリール基であるこ
とが好ましい。また、Ａｒはフェニレン基等の炭素数６
〜１０のアリーレン基であるが、例えばＡｒがフェニレ
ン基である場合、ＳｉＲ5 dとＳｉＲ6 dとは互いはｏ−
位、ｍ−位、ｐ−位のいずれにあってもよい。なお、
ｃ，ｄはそれぞれ１又は２である。
【００２２】更に、ｋ，ｍはそれぞれ０≦ｋ＜１，０＜
ｍ≦１，ｋ＋ｍ＝１を満足する数であるが、ｍのより好
ましい範囲は０．０５＜ｍ≦１である。
ｍ≦１，ｋ＋ｍ＝１を満足する数であるが、ｍのより好
ましい範囲は０．０５＜ｍ≦１である。
【００２３】更に、ｎは６以上の整数であるが、より好
ましくは１０以上である。なお、ｎの上限は５０万であ
ることが好ましい。
ましくは１０以上である。なお、ｎの上限は５０万であ
ることが好ましい。
【００２４】本発明の式（１）のポリシラン類は、重量
平均分子量が５００〜１０００万、好ましくは１０００
〜５００万、より好ましくは３０００〜１００万である
ことがその特性を十分に発揮するために望ましい。
平均分子量が５００〜１０００万、好ましくは１０００
〜５００万、より好ましくは３０００〜１００万である
ことがその特性を十分に発揮するために望ましい。
【００２５】上記式（１）のポリシラン類は、下記一般
式（３）の芳香族アミノ基含有ジハロゲノシランと下記
一般式（４）又は（５）のハロゲノシランとを不活性溶
媒中でアルカリ金属と反応させることにより製造するこ
とができる。 Ｒ1Ｒ2ＳｉＸ2 …（３） Ｒ4 cＳｉＸ4-c …（４） Ｘ4-dＳｉＲ5 d−Ａｒ−ＳｉＲ6 dＸ4-d …（５） （Ｒ1，Ｒ2，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6，Ａｒ，ｃ，ｄは上記と同
様の意味を示し、Ｘはハロゲン原子であり、特に塩素原
子であることが好ましい。）
式（３）の芳香族アミノ基含有ジハロゲノシランと下記
一般式（４）又は（５）のハロゲノシランとを不活性溶
媒中でアルカリ金属と反応させることにより製造するこ
とができる。 Ｒ1Ｒ2ＳｉＸ2 …（３） Ｒ4 cＳｉＸ4-c …（４） Ｘ4-dＳｉＲ5 d−Ａｒ−ＳｉＲ6 dＸ4-d …（５） （Ｒ1，Ｒ2，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6，Ａｒ，ｃ，ｄは上記と同
様の意味を示し、Ｘはハロゲン原子であり、特に塩素原
子であることが好ましい。）
【００２６】ここで、式（３）の芳香族アミノ基を含有
するハロシラン類はモノ置換タイプ或いはジ置換タイプ
のどちらでもよい。また、式（４），（５）のハロシラ
ンとして、ジハロシラン類を用いることにより一次元の
ポリマー又は環状体が生成するが、三官能性のトリハロ
シラン類を用いることによりネットワーク状のポリシラ
ン類を得ることも可能である。より具体的には、このト
リハロシラン類としては、フェニルトリハロシランのよ
うなアリールトリハロシランを用いることができる。ま
た、予め主鎖骨格に炭素−炭素不飽和結合を含有するハ
ロシラン類としては、ｏ，ｍ或いはｐ位置換のビス（ハ
ロフェニルメチルシリル）ベンゼン、ビス（ハロジメチ
ルシリル）ベンゼン、ビス（ハロフェニルメチルシリ
ル）キシレン等を用いることができる。
するハロシラン類はモノ置換タイプ或いはジ置換タイプ
のどちらでもよい。また、式（４），（５）のハロシラ
ンとして、ジハロシラン類を用いることにより一次元の
ポリマー又は環状体が生成するが、三官能性のトリハロ
シラン類を用いることによりネットワーク状のポリシラ
ン類を得ることも可能である。より具体的には、このト
リハロシラン類としては、フェニルトリハロシランのよ
うなアリールトリハロシランを用いることができる。ま
た、予め主鎖骨格に炭素−炭素不飽和結合を含有するハ
ロシラン類としては、ｏ，ｍ或いはｐ位置換のビス（ハ
ロフェニルメチルシリル）ベンゼン、ビス（ハロジメチ
ルシリル）ベンゼン、ビス（ハロフェニルメチルシリ
ル）キシレン等を用いることができる。
【００２７】上記ハロシラン類は不活性溶媒中で反応せ
しめられるが、この不活性溶媒としてはヘキサン、オク
タン、イソオクタン、デカンなどのアルカン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、デカリン等の芳香族系溶媒、
ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメ
トキシエタン、ジエチレングリコールジエチルエーテル
などのエーテル系溶媒が好適に用いられ、これらを単独
で又は２種以上混合して使用し得る。なお、不活性溶媒
の使用量はハロシラン濃度として０．０５〜４ｍｏｌ／
ｌ、より好ましくは０．２〜２．５ｍｏｌ／ｌとするこ
とが好ましい。
しめられるが、この不活性溶媒としてはヘキサン、オク
タン、イソオクタン、デカンなどのアルカン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、デカリン等の芳香族系溶媒、
ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメ
トキシエタン、ジエチレングリコールジエチルエーテル
などのエーテル系溶媒が好適に用いられ、これらを単独
で又は２種以上混合して使用し得る。なお、不活性溶媒
の使用量はハロシラン濃度として０．０５〜４ｍｏｌ／
ｌ、より好ましくは０．２〜２．５ｍｏｌ／ｌとするこ
とが好ましい。
【００２８】また、アルカリ金属としては、ナトリウム
が好適に用いられる。その配合量は、原料ハロシランの
ハロゲン量１モルに対して１モル以上のナトリウムが必
要で１．０〜２．５モルであることが好ましい。
が好適に用いられる。その配合量は、原料ハロシランの
ハロゲン量１モルに対して１モル以上のナトリウムが必
要で１．０〜２．５モルであることが好ましい。
【００２９】反応は、窒素雰囲気等の不活性雰囲気中で
行うことが推奨され、アルカリ金属に不活性溶媒を加え
てアルカリ金属ディスパージョンを調製した後、これに
ハロシラン類を添加する方法が好適に採用される。な
お、反応温度は０〜２５０℃、特に６０〜２００℃が好
ましく、反応時間は通常０．１〜２０時間、特に０．５
〜１０時間である。
行うことが推奨され、アルカリ金属に不活性溶媒を加え
てアルカリ金属ディスパージョンを調製した後、これに
ハロシラン類を添加する方法が好適に採用される。な
お、反応温度は０〜２５０℃、特に６０〜２００℃が好
ましく、反応時間は通常０．１〜２０時間、特に０．５
〜１０時間である。
【００３０】反応後は、残存するアルカリ金属を常法に
よって失活させ、上記不活性溶媒中の反応生成物をメタ
ノールなどを加えて沈殿させることにより単離すること
ができる。
よって失活させ、上記不活性溶媒中の反応生成物をメタ
ノールなどを加えて沈殿させることにより単離すること
ができる。
【００３１】本発明の導電性ポリシラン組成物は、上記
式（１）のポリシラン類を酸化性ドーパントでドーピン
グしたものである。上記式（１）のポリシラン類は、そ
のままでは絶縁体であるが、これを酸化性ドーパントで
ドーピングすることにより、良好な導電率を安定に保持
した材料を得ることができる。
式（１）のポリシラン類を酸化性ドーパントでドーピン
グしたものである。上記式（１）のポリシラン類は、そ
のままでは絶縁体であるが、これを酸化性ドーパントで
ドーピングすることにより、良好な導電率を安定に保持
した材料を得ることができる。
【００３２】この式（１）の芳香族アミノ基含有ポリシ
ラン類を導電化するための酸化性ドーパントとしては、
塩素、臭素、ヨウ素のようなハロゲン類、塩化スズ、塩
化第二鉄のような遷移金属塩化物、五フッ化アンチモ
ン、五フッ化砒素のようなルイス酸などが有効である
が、安全で取り扱いの易しいヨウ素や塩化第二鉄でドー
ピングすることが望ましい。ドーピングする方法として
は、（１）ヨウ素や塩化第二鉄の蒸気雰囲気下にさらす
いわゆる気相（或いは乾式）ドーピング、（２）ヨウ素
や塩化第二鉄を不活性溶媒中に溶解した溶液中に当ポリ
マーを浸漬する湿式ドーピング、（３）ヨウ素や塩化第
二鉄を溶解した溶液中に当ポリマーが溶解する場合、当
溶液から乾式成膜することによりフィルム或いは塗膜に
賦形すると同時にドーピングする同時ドーピングが用い
られる。
ラン類を導電化するための酸化性ドーパントとしては、
塩素、臭素、ヨウ素のようなハロゲン類、塩化スズ、塩
化第二鉄のような遷移金属塩化物、五フッ化アンチモ
ン、五フッ化砒素のようなルイス酸などが有効である
が、安全で取り扱いの易しいヨウ素や塩化第二鉄でドー
ピングすることが望ましい。ドーピングする方法として
は、（１）ヨウ素や塩化第二鉄の蒸気雰囲気下にさらす
いわゆる気相（或いは乾式）ドーピング、（２）ヨウ素
や塩化第二鉄を不活性溶媒中に溶解した溶液中に当ポリ
マーを浸漬する湿式ドーピング、（３）ヨウ素や塩化第
二鉄を溶解した溶液中に当ポリマーが溶解する場合、当
溶液から乾式成膜することによりフィルム或いは塗膜に
賦形すると同時にドーピングする同時ドーピングが用い
られる。
【００３３】ここで、（２）、（３）の湿式ドーピング
に用いられる不活性溶媒は、ヨウ素や塩化第二鉄と反応
して電子受容性化合物としての能力を失活させない溶媒
である。かかるものとして、ヘキサン、オクタン、シク
ロヘキサンのような炭化水素類、トルエン、キシレン、
ニトロベンゼンのような芳香族類、エーテル、テトラヒ
ドロフランのようなエーテル類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリック
トリアミドのような非プロトン性極性溶媒、その他、ニ
トロメタン、アセトニトリル等が挙げられる。
に用いられる不活性溶媒は、ヨウ素や塩化第二鉄と反応
して電子受容性化合物としての能力を失活させない溶媒
である。かかるものとして、ヘキサン、オクタン、シク
ロヘキサンのような炭化水素類、トルエン、キシレン、
ニトロベンゼンのような芳香族類、エーテル、テトラヒ
ドロフランのようなエーテル類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリック
トリアミドのような非プロトン性極性溶媒、その他、ニ
トロメタン、アセトニトリル等が挙げられる。
【００３４】なかでもテトラヒドロフランのような溶媒
は、ポリマーを非常によく溶解するため特に同時ドーピ
ングが好適である。この方法は、ドーパントを含む溶液
にポリマーを溶解し、この溶液をキャスチィング後、乾
燥することでドーピングされた導電体を得ることができ
る。乾燥温度は、通常０〜１５０℃、常圧又は減圧で行
うことが好ましい。
は、ポリマーを非常によく溶解するため特に同時ドーピ
ングが好適である。この方法は、ドーパントを含む溶液
にポリマーを溶解し、この溶液をキャスチィング後、乾
燥することでドーピングされた導電体を得ることができ
る。乾燥温度は、通常０〜１５０℃、常圧又は減圧で行
うことが好ましい。
【００３５】ただ、湿式法は、しばしばポリマーがドー
パントにより劣化し、ゲル化や分解する場合があるの
で、かかる場合は気相ドーピング法が好ましく、（１）
の気相ドーピングは溶剤も使用せず、操作も簡単で高導
電性が得られるため特に有用である。
パントにより劣化し、ゲル化や分解する場合があるの
で、かかる場合は気相ドーピング法が好ましく、（１）
の気相ドーピングは溶剤も使用せず、操作も簡単で高導
電性が得られるため特に有用である。
【００３６】気相ドーピングでは、ドーパント雰囲気の
温度とドーパント分圧を制御することによりドーピング
速度をコントロールすることができる。一般に温度は−
３０〜２００℃の範囲で行うことが好ましい。それ以下
ではドーピング速度が遅く、またそれ以上ではドーピン
グ時にポリマーの劣化を招き、好ましくない。ドーパン
ト分圧は、０．００１ｍｍＨｇ〜５気圧の範囲で行うこ
とが好ましい。それ以下ではドーピング速度が遅く、ま
たそれ以上では圧力を増してもドーピング速度は増加し
ない。なお、ヨウ素においては、常温、常圧ですみやか
にドーピングが進むが、塩化第二鉄の場合、蒸気圧が低
いためヨウ素とは異なったドーピングの条件となる。塩
化第二鉄ドーピングは一般に温度は５０〜３００℃の範
囲で行うことが好ましい。それ以下ではドーピング速度
が遅く、またそれ以上ではドーピング時にポリマーの劣
化を招き、好ましくない。ドーピングは、０．００１ｍ
ｍＨｇ〜１気圧の範囲で行うことが好ましい。それ以下
ではその圧力に達するまでに長時間かかり経済的ではな
く、またそれ以上では塩化第二鉄が常圧で３１９℃とい
う沸点を持っているためドーピング速度は非常に遅い。
塩化第二鉄のドーパント分圧は、ポリマーの導電率を効
果的に上げるため、より好ましくは０．１〜１０ｍｍＨ
ｇの圧力で、温度５０〜２００℃の範囲で行われる。こ
の方法により、引火性の溶媒を使用することなく毒性の
少ない塩化第二鉄を用いて非常に簡単な操作で導電性ポ
リマーを製造することができる。
温度とドーパント分圧を制御することによりドーピング
速度をコントロールすることができる。一般に温度は−
３０〜２００℃の範囲で行うことが好ましい。それ以下
ではドーピング速度が遅く、またそれ以上ではドーピン
グ時にポリマーの劣化を招き、好ましくない。ドーパン
ト分圧は、０．００１ｍｍＨｇ〜５気圧の範囲で行うこ
とが好ましい。それ以下ではドーピング速度が遅く、ま
たそれ以上では圧力を増してもドーピング速度は増加し
ない。なお、ヨウ素においては、常温、常圧ですみやか
にドーピングが進むが、塩化第二鉄の場合、蒸気圧が低
いためヨウ素とは異なったドーピングの条件となる。塩
化第二鉄ドーピングは一般に温度は５０〜３００℃の範
囲で行うことが好ましい。それ以下ではドーピング速度
が遅く、またそれ以上ではドーピング時にポリマーの劣
化を招き、好ましくない。ドーピングは、０．００１ｍ
ｍＨｇ〜１気圧の範囲で行うことが好ましい。それ以下
ではその圧力に達するまでに長時間かかり経済的ではな
く、またそれ以上では塩化第二鉄が常圧で３１９℃とい
う沸点を持っているためドーピング速度は非常に遅い。
塩化第二鉄のドーパント分圧は、ポリマーの導電率を効
果的に上げるため、より好ましくは０．１〜１０ｍｍＨ
ｇの圧力で、温度５０〜２００℃の範囲で行われる。こ
の方法により、引火性の溶媒を使用することなく毒性の
少ない塩化第二鉄を用いて非常に簡単な操作で導電性ポ
リマーを製造することができる。
【００３７】
【発明の効果】本発明において、置換基として芳香族ア
ミノ基を含有するポリシランは、溶剤可溶で、任意の形
状のフィルムや塗膜に賦形でき、かつ酸化性ドーパント
をドーピングすることにより導電性が著しく向上し、か
つドーピング後も脆化することもなく、可撓性を維持す
る高導電性重合体が得られる。本発明により得られる芳
香族アミノ基を含有するポリシランにドーピングした導
電性ポリシラン組成物は、賦形性に優れる高導電性フィ
ルム或いは塗膜を容易に得ることができ、バッテリー電
極、太陽電池、電磁シールド用筐体等に応用可能な有用
な素材で、電気、電子、通信分野に広く用いられる。
ミノ基を含有するポリシランは、溶剤可溶で、任意の形
状のフィルムや塗膜に賦形でき、かつ酸化性ドーパント
をドーピングすることにより導電性が著しく向上し、か
つドーピング後も脆化することもなく、可撓性を維持す
る高導電性重合体が得られる。本発明により得られる芳
香族アミノ基を含有するポリシランにドーピングした導
電性ポリシラン組成物は、賦形性に優れる高導電性フィ
ルム或いは塗膜を容易に得ることができ、バッテリー電
極、太陽電池、電磁シールド用筐体等に応用可能な有用
な素材で、電気、電子、通信分野に広く用いられる。
【００３８】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に示す
が、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
が、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００３９】〔合成例１〕〔（ＭｅＰｈＳｉ）0.5（４
−Ｍｅ2Ｎ−Ｃ6Ｈ4−（ＣＨ2）3−ＳｉＭｅ）0.5〕nの
合成 窒素雰囲気下、金属ナトリウム０．７ｇ（３０ｍｍｏ
ｌ）にｎ−デカン２０ｍｌを加え、１２０℃に昇温し、
激しく撹拌してナトリウムディスパージョンを調製し
た。
−Ｍｅ2Ｎ−Ｃ6Ｈ4−（ＣＨ2）3−ＳｉＭｅ）0.5〕nの
合成 窒素雰囲気下、金属ナトリウム０．７ｇ（３０ｍｍｏ
ｌ）にｎ−デカン２０ｍｌを加え、１２０℃に昇温し、
激しく撹拌してナトリウムディスパージョンを調製し
た。
【００４０】このディスパージョンに３−（４−（Ｎ，
Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル）プロピルメチルジクロ
ロシラン１．１６ｇ（６ｍｍｏｌ）とメチルフェニルジ
クロロシラン１．１５ｇ（６ｍｍｏｌ）のデカン溶液８
０ｍｌを１５分間で加え、１７１℃で５時間撹拌した。
反応終了後、室温まで冷却し、残存するナトリウムを失
活させるため、トリメチルクロロシラン１ｇを含むトル
エン１００ｍｌを加えた後、氷冷下で加水分解し、更に
水洗を行った。次に有機層を取り出し、硫酸ナトリウム
上で乾燥後、反応混合物を濃縮した。得られた粘稠物を
メタノール２５０ｍｌに加え、ポリマーを沈殿させた。
沈殿物を濾別し、真空乾燥することにより、目的物であ
る下記式で示されるジメチルアニリノ基含有ポリシラン
０．３ｇを白色沈殿として得た。ＧＰＣ分析によりこの
ポリマーの重量平均分子量分布はポリスチレン換算で１
３０００であった。またポリシランに由来する紫外線吸
収（λｍａｘ３３８ｎｍ）が確認された。
Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル）プロピルメチルジクロ
ロシラン１．１６ｇ（６ｍｍｏｌ）とメチルフェニルジ
クロロシラン１．１５ｇ（６ｍｍｏｌ）のデカン溶液８
０ｍｌを１５分間で加え、１７１℃で５時間撹拌した。
反応終了後、室温まで冷却し、残存するナトリウムを失
活させるため、トリメチルクロロシラン１ｇを含むトル
エン１００ｍｌを加えた後、氷冷下で加水分解し、更に
水洗を行った。次に有機層を取り出し、硫酸ナトリウム
上で乾燥後、反応混合物を濃縮した。得られた粘稠物を
メタノール２５０ｍｌに加え、ポリマーを沈殿させた。
沈殿物を濾別し、真空乾燥することにより、目的物であ
る下記式で示されるジメチルアニリノ基含有ポリシラン
０．３ｇを白色沈殿として得た。ＧＰＣ分析によりこの
ポリマーの重量平均分子量分布はポリスチレン換算で１
３０００であった。またポリシランに由来する紫外線吸
収（λｍａｘ３３８ｎｍ）が確認された。
【００４１】
【化４】
【００４２】〔合成例２〕３−（４−（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノ）フェニル）プロピルメチルジクロロシランを
２ｍｍｏｌ、メチルフェニルジクロロシランを８ｍｍｏ
ｌ用いた以外は実施例１と同様にして、下記式で示され
る重量平均分子量５１０００のポリシランを得た。
ルアミノ）フェニル）プロピルメチルジクロロシランを
２ｍｍｏｌ、メチルフェニルジクロロシランを８ｍｍｏ
ｌ用いた以外は実施例１と同様にして、下記式で示され
る重量平均分子量５１０００のポリシランを得た。
【００４３】
【化５】
【００４４】〔合成例３〕３−（４−（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノ）フェニル）プロピルメチルジクロロシランを
１ｍｍｏｌ、メチルフェニルジクロロシランを９ｍｍｏ
ｌ用いた以外は実施例１と同様にして、下記式で示され
る重量平均分子量７４０００のポリシランを得た。
ルアミノ）フェニル）プロピルメチルジクロロシランを
１ｍｍｏｌ、メチルフェニルジクロロシランを９ｍｍｏ
ｌ用いた以外は実施例１と同様にして、下記式で示され
る重量平均分子量７４０００のポリシランを得た。
【００４５】
【化６】
【００４６】〔合成例４〕３−（４−（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノ）フェニル）プロピルメチルジクロロシラン６
ｍｍｏｌと、メチルフェニルジクロロシランの代りにフ
ェニルトリクロロシラン６ｍｍｏｌを用いた以外は実施
例１と同様にして、下記式で示される重量平均分子量６
６００のポリシランを得た。
ルアミノ）フェニル）プロピルメチルジクロロシラン６
ｍｍｏｌと、メチルフェニルジクロロシランの代りにフ
ェニルトリクロロシラン６ｍｍｏｌを用いた以外は実施
例１と同様にして、下記式で示される重量平均分子量６
６００のポリシランを得た。
【００４７】
【化７】
【００４８】〔合成例５〕３−（４−（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノ）フェニル）プロピルメチルジクロロシラン６
ｍｍｏｌと、メチルフェニルジクロロシランの代りに下
記クロロシラン Ｃｌ（Ｃ6Ｈ5）（ＣＨ3）Ｓｉ−Ｃ6Ｈ4−Ｓｉ（Ｃ
6Ｈ5）（ＣＨ3）Ｃｌ ６ｍｍｏｌを用いた以外は実施例１と同様にして、下記
式で示される重量平均分子量２２０００のポリシランを
得た。
ルアミノ）フェニル）プロピルメチルジクロロシラン６
ｍｍｏｌと、メチルフェニルジクロロシランの代りに下
記クロロシラン Ｃｌ（Ｃ6Ｈ5）（ＣＨ3）Ｓｉ−Ｃ6Ｈ4−Ｓｉ（Ｃ
6Ｈ5）（ＣＨ3）Ｃｌ ６ｍｍｏｌを用いた以外は実施例１と同様にして、下記
式で示される重量平均分子量２２０００のポリシランを
得た。
【００４９】
【化８】
【００５０】〔合成６〕〔（ＭｅＰｈＳｉ）0.8（Ｃ6Ｈ
5−Ｎ（ＣＨ3） −（ＣＨ2）3−ＳｉＭｅ）0.2〕nの合成 窒素雰囲気下、金属ナトリウム１．１０ｇ（４０ｍｍｏ
ｌ）にｎ−デカン２０ｍｌを加え、１２０℃に昇温し、
激しく撹拌してナトリウムディスパージョンを調製し
た。
5−Ｎ（ＣＨ3） −（ＣＨ2）3−ＳｉＭｅ）0.2〕nの合成 窒素雰囲気下、金属ナトリウム１．１０ｇ（４０ｍｍｏ
ｌ）にｎ−デカン２０ｍｌを加え、１２０℃に昇温し、
激しく撹拌してナトリウムディスパージョンを調製し
た。
【００５１】このディスパージョンに３−（Ｎ−メチル
−Ｎ−フェニルアミノ）プロピルメチルジクロロシラン
１．０５ｇ（４ｍｍｏｌ）とメチルフェニルジクロロシ
ラン３．０５ｇ（１６ｍｍｏｌ）のデカン溶液８０ｍｌ
を３０分間で加え、１７１℃で１０時間撹拌した。反応
終了後、室温まで冷却し、残存するナトリウムを失活さ
せるため、トリメチルクロロシラン１ｇを含むトルエン
１００ｍｌを加えた後、氷冷下で加水分解し、更に水洗
を行った。次に有機層を取り出し、硫酸ナトリウム上で
乾燥後、反応混合物を濃縮した。得られた粘稠物をメタ
ノール３０ｍｌに加え、ポリマーを沈殿させた。沈殿物
を濾別し、真空乾燥することにより目的物である下記式
で示されるアニリノ基含有ポリシラン１．４ｇを白色沈
殿として得た。ＧＰＣ分析によりこのポリマーの重量平
均分子量分布はポリスチレン換算で５８０００であっ
た。またポリシランに由来する紫外線吸収（λｍａｘ３
３５ｎｍ）が確認された。
−Ｎ−フェニルアミノ）プロピルメチルジクロロシラン
１．０５ｇ（４ｍｍｏｌ）とメチルフェニルジクロロシ
ラン３．０５ｇ（１６ｍｍｏｌ）のデカン溶液８０ｍｌ
を３０分間で加え、１７１℃で１０時間撹拌した。反応
終了後、室温まで冷却し、残存するナトリウムを失活さ
せるため、トリメチルクロロシラン１ｇを含むトルエン
１００ｍｌを加えた後、氷冷下で加水分解し、更に水洗
を行った。次に有機層を取り出し、硫酸ナトリウム上で
乾燥後、反応混合物を濃縮した。得られた粘稠物をメタ
ノール３０ｍｌに加え、ポリマーを沈殿させた。沈殿物
を濾別し、真空乾燥することにより目的物である下記式
で示されるアニリノ基含有ポリシラン１．４ｇを白色沈
殿として得た。ＧＰＣ分析によりこのポリマーの重量平
均分子量分布はポリスチレン換算で５８０００であっ
た。またポリシランに由来する紫外線吸収（λｍａｘ３
３５ｎｍ）が確認された。
【００５２】
【化９】
【００５３】〔実施例１〕次に、上記合成例の芳香族ア
ミノ基含有ポリシランにヨウ素をドーピングし、その電
気伝導度を測定した。比較例として（Ｂｕ2Ｓｉ）n，
（ＭｅＰｈＳｉ）nの結果も合わせて表１に示す。
ミノ基含有ポリシランにヨウ素をドーピングし、その電
気伝導度を測定した。比較例として（Ｂｕ2Ｓｉ）n，
（ＭｅＰｈＳｉ）nの結果も合わせて表１に示す。
【００５４】導電率の測定方法は、ガラス板上に４端子
部を白金蒸着により形成させて電極とし、この上に溶媒
に溶解させたポリマー溶液をスピンコートすることで薄
膜を作り、導電率測定用サンプルとし、これを遮光、密
閉下にヨウ素と接触させ、直流抵抗の経時変化を追跡
し、室温（２５℃）における安定値をとった抵抗値から
導電率を求めた。
部を白金蒸着により形成させて電極とし、この上に溶媒
に溶解させたポリマー溶液をスピンコートすることで薄
膜を作り、導電率測定用サンプルとし、これを遮光、密
閉下にヨウ素と接触させ、直流抵抗の経時変化を追跡
し、室温（２５℃）における安定値をとった抵抗値から
導電率を求めた。
【００５５】
【表１】
【００５６】〔実施例２、比較例３〕合成例１のポリマ
ーを用いて実施例１と同様に作成した導電率測定用サン
プルを乾燥させた褐色ガラス瓶容器内に取付け、容器の
底部の固体塩化第二鉄と密閉下に静置した。これを真空
ポンプに接続し、４ｍｍＨｇまで減圧にした。この状態
で底部の塩化第二鉄の部分をマントルヒーターで加熱し
た。この操作により、導電率測定用サンプルは透明から
黒茶色に変化していき、同時に導電率が速やかに上昇し
ていった。最終的に導電率はある一定値に落ち着き、こ
のとき導電率測定用サンプルの温度は１５０℃にまで達
した。ここで真空ポンプを停止し、加熱をやめ２５℃ま
で放冷した。この定常状態にした導電率は７．４×１０
-4Ｓ／ｃｍであった。また、比較のためジブチルポリシ
ラン（Ｂｕ2Ｓｉ）nを用いて同様の操作を行った時の導
電率は２．２×１０-10Ｓ／ｃｍであった。
ーを用いて実施例１と同様に作成した導電率測定用サン
プルを乾燥させた褐色ガラス瓶容器内に取付け、容器の
底部の固体塩化第二鉄と密閉下に静置した。これを真空
ポンプに接続し、４ｍｍＨｇまで減圧にした。この状態
で底部の塩化第二鉄の部分をマントルヒーターで加熱し
た。この操作により、導電率測定用サンプルは透明から
黒茶色に変化していき、同時に導電率が速やかに上昇し
ていった。最終的に導電率はある一定値に落ち着き、こ
のとき導電率測定用サンプルの温度は１５０℃にまで達
した。ここで真空ポンプを停止し、加熱をやめ２５℃ま
で放冷した。この定常状態にした導電率は７．４×１０
-4Ｓ／ｃｍであった。また、比較のためジブチルポリシ
ラン（Ｂｕ2Ｓｉ）nを用いて同様の操作を行った時の導
電率は２．２×１０-10Ｓ／ｃｍであった。
フロントページの続き (72)発明者 森 滋 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１ 号 信越化学工業株式会社 コーポレー トリサーチセンター内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C08L 83/16 C08K 3/02 C08K 3/24 C08L 83/14
Claims (3)
- 【請求項１】 下記一般式（１）で示される芳香族アミ
ノ基含有ポリシラン類を酸化性ドーパントでドーピング
した導電性重合体組成物。 〔（Ｒ1 aＲ2 bＳｉ）m（Ｑ1 ）k〕n …（１） （但し、式中Ｒ1はＲ3−ＣpＨ2p+1（Ｒ3は芳香族アミノ
含有基であり、１≦ｐ≦８である。）で示される芳香族
アミノ基を含有する一価有機基、Ｒ2は水素原子、炭素
数１〜１４の非置換又は置換一価炭化水素基又はＲ1で
あり、ａ，ｂは０．０１≦ａ≦２で、ａ＋ｂ＝２を満足
する数である。Ｑ1はＲ4 cＳｉ又はＳｉＲ5 d−Ａｒ−Ｓ
ｉＲ6 dであり、Ｒ4は炭素数６〜１０のアリール基、Ｒ5
及びＲ6は水素原子又は炭素数１〜１４の非置換又は置
換一価炭化水素基、Ａｒは炭素数６〜１０のアリーレン
基、ｃ，ｄはそれぞれ１又は２である。ｋ，ｍは０≦ｋ
＜１，０＜ｍ≦１，ｋ＋ｍ＝１を満足する数、ｎは６以
上の整数である。） - 【請求項２】 Ｒ3の芳香族アミノ含有基が 【化１】 （但し、Ｒ，Ｒ’，Ｒ”は水素原子又は炭素数１〜１４
の非置換又は置換一価炭化水素基を示す。）である請求
項１記載の組成物。 - 【請求項３】 酸化性ドーパントがヨウ素又は塩化第二
鉄である請求項１又は２記載の組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6064492A JP2970391B2 (ja) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | 導電性重合体組成物 |
| US08/399,543 US5527850A (en) | 1994-03-08 | 1995-03-07 | Conductive polymer compositions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6064492A JP2970391B2 (ja) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | 導電性重合体組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07242830A JPH07242830A (ja) | 1995-09-19 |
| JP2970391B2 true JP2970391B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=13259762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6064492A Expired - Fee Related JP2970391B2 (ja) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | 導電性重合体組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5527850A (ja) |
| JP (1) | JP2970391B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5830972A (en) * | 1995-04-10 | 1998-11-03 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Polysilane, its production process and starting materials therefor |
| JP4158204B2 (ja) * | 1995-04-10 | 2008-10-01 | 住友化学株式会社 | ポリシラン化合物、その製造方法およびその原料 |
| JPH1135688A (ja) | 1997-05-19 | 1999-02-09 | Canon Inc | 珪素含有化合物、該珪素含有化合物の製造方法及び該珪素含有化合物を用いた発光素子 |
| JPH1135687A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-09 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポリシラン共重合体、その製造方法、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子写真感光体 |
| JP2002167438A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-11 | Jsr Corp | ケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
| JP2006027917A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Shiseido Co Ltd | Ｓｐ２混成軌道からなるシリコンオリゴマー |
| JP5223193B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2013-06-26 | 東亞合成株式会社 | ポリカルボシラン及びその製造方法並びに絶縁性材料 |
| US7344811B2 (en) * | 2004-10-28 | 2008-03-18 | Samsung Electronic Co., Ltd. | Polysilane-based charge transport materials |
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