JP2004500720A - チップスケールの表面実装デバイス及びその製造方法 - Google Patents

チップスケールの表面実装デバイス及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

チップスケールパッケージは、フォトリソグラフィによってパターニングされて電極（３７）の部分を露出させ、パッシベーション層またはソルダマスクの働きをする感光性液体エポキシ層（１１１）で覆われた上面電極表面（３７）を有するＭＯＳＦＥＴダイ（３０）を有する。液体エポキシ層（１１１）の残りの部分の上には、はんだ付け可能なコンタクト層（４０）が形成される。各個別のダイ（３０）はドレイン側を下にして金属クリップ（１００）に装着され、またはカン底面（１０１）から延びるフランジ（１０５）と同一平面上にあるように配置されたドレイン電極（３４）を有するカンの中に、ドレイン側を下にして装着される。

Description

【０００１】
（発明の背景）
本発明は、半導体デバイスに関し、より詳細には、新規の半導体デバイスを低コストで製造する製造方法に関する。
【０００２】
半導体デバイスおよびハウジングはよく知られている。従来技術のデバイスではしばしば、ハウジングの面積が半導体デバイスの面積の何倍、何十倍にもなる。さらに、知られている多くの半導体デバイスパッケージでは、熱がダイの片側、通常は底面だけから放散される。さらに、現在のパッケージでは製造プロセスが、単一デバイスハンドリング技法を使用した高価なプロセスとなっている。
【０００３】
より具体的には、現在の半導体デバイス、特にパワーＭＯＳゲートデバイス（ｐｏｗｅｒ ＭＯＳｇａｔｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）では、上面のコンタクト（ソース）が一般に、シリコンを約１．０％含むアルミニウムコンタクト（以後アルミニウムコンタクト）である。アルミニウムコンタクトが使用されるのは、ウェーハ製造プロセスによく適合しているためである。しかし、このようなアルミニウムコンタクトへの電気接続を形成することは難しく、そのため通常は、その下のアルミニウムコンタクトにワイヤを超音波で結線するワイヤボンディングプロセスが使用される。これらのワイヤボンディング接続は限られた面積を有し、したがって動作中の電気抵抗（ＲＤＳＯＮ）源および発熱源となる。しかし、底面のドレインコンタクトはしばしば、例えば、米国特許第５，４５１，５４４号明細書に示されているように、はんだ付けまたはその他の方法で広い面積のコンタクト表面に電気的に容易に接続可能な、ワイヤボンディングを用いない三金属（ｔｒｉｍｅｔａｌ）コンタクトである。たとえ大部分の熱が上面の接合部およびワイヤボンドで発生するとしても、熱は主に、シリコンダイの裏面のコンタクト表面から除去される。
【０００４】
さらに、米国特許第５，０４７，８３３号明細書に示されているように、ダイの上面にはんだ付け可能な上面コンタクトを製作することができることも知られている。しかし、このようなはんだ付け可能な上面コンタクト構造に使用されるパッケージは、ダイ面積に比べて非常に大きな「フットプリント」を有する。
【０００５】
したがって、同じダイに対してより小さなパッケージを使用し、同時にＭＯＳゲート半導体型デバイスのＲＤＳＯＮなどの電気特性を向上させるパッケージデザインおよびその製造プロセスを開発することが望ましい。さらに、このようなデバイスは、生産ラインの機器が少なくて済み、かつコストも安いバッチハンドリングが可能なプロセスで製造されることが望ましい。
【０００６】
（発明の簡単な概要）
本発明の一態様によれば、ＭＯＳゲートデバイスウェーハのソース側が、パッシベーション層、好ましくは感光性液体エポキシ、窒化シリコン層などで覆われる。ウェーハは、スピニング、スクリーニングまたはその他の方法でウェーハ表面に液体エポキシを付着させることによってコーティングされる。次いで材料を乾かし、コーティングされたウェーハを標準のフォトリソグラフィ技法を使用し露光してウェーハをイメージングし、パッシベーション層に開口を形成して間隔を置いて配置されたその下のソース金属の複数の表面領域を露出させ、同様の開口を形成して、ウェーハ上のそれぞれのダイのゲート電極を露出させる。したがって、この新規のパッシベーション層は、従来のパッシベーション層の働きをし、さらに、メッキレジスト（必要な場合）およびはんだ領域を示し成形するソルダマスクの働きをする。新規のパッシベーション層の開口は、下にあるチタン／タングステン／ニッケル／銀金属などの従来のはんだ付け可能な上面金属まで貫通させることができる。あるいは、下にある金属がより一般的なアルミニウム金属である場合には、露出したアルミニウムを、パッシベーションをメッキレジストとして使用して、ニッケルおよび金フラッシュ、または他の一連の金属でメッキし、はんだ付け可能な表面とすることもできる。メッキされた金属セグメントの上面は、容易にはんだ付け可能であり、アルミニウム電極への通常のワイヤボンドの高抵抗接続に比べて低い抵抗で接触する。
【０００７】
ソースコンタクト領域はさまざまなジオメトリを有することができ、大面積の単一領域を構成することもできる。
【０００８】
次いでウェーハを、ダイシングソーまたはその他の方法で個々のダイに個別化する。次いで個々のダイを、ソース側を下にして配置し、部分的にメッキされたＵ字形またはカップ形のドレインクリップを、導電性エポキシ、はんだなどを使用してダイのはんだ付け可能なドレイン側に接続して、ドレインクリップをダイの底面ドレイン電極に接合する。ドレインクリップの脚の底面は、ダイのソース側表面（すなわちコンタクト突起の上面）と同一平面上にある。次いでダイの外面をモールドトレー中にオーバーモールドする。このようなドレインクリップを有する多数のダイをモールドトレー中に同時にモールドすることができる。
【０００９】
接合材料は、パッシブ材料のフィレットで、またはアセンブリ全体または一部をオーバーモールドすることによって保護することができる。これらの部分は、リードフレーム、連続ストリップを使用して、または単一のブロック中にデバイスをモールドし、そのブロックからデバイスを個別化することによって、生産することができる。
【００１０】
モールド後、デバイスを検査し、レーザマークし、再び個々のデバイスに切断する。
【００１１】
（図面の詳細な説明）
本発明は、ダイの両面にパワー電極または他の電極を有する種類の半導体ダイの新規のパッケージを提供し、低コストの製造技法を用いて、両方の電極を、共通の支持表面、例えばプリント回路板上の金属被覆されたパターン上への表面実装に対して使用できるようにする。本発明は、ゲートおよびソース電極を一方の面に有し、ドレイン電極を反対側の面に有する垂直導通パワーＭＯＳＦＥＴに関して説明されるが、本発明は、さまざまなトポロジのＩＧＢＴ、サイリスタ、ダイオードなどへも同じように適用可能である。
【００１２】
後述するように、新規のダイクリップ（ｄｉｅ ｃｌｉｐ）が、裏面電極（ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極）の少なくとも一部分を取り囲み、かつそれと接触し、クリップの少なくとも１つの脚がダイの縁よりも高く延び、表面コンタクト（ＭＯＳＦＥＴのゲートおよびソース）と同一平面上にある平面で終端する。ただしこの縁は表面コンタクトから絶縁される。次いでデバイスを、ダイおよびクリップの裏面および側面でオーバーモールド（ｏｖｅｒｍｏｌｄ）して、全てのダイ電極について同一平面上にある平らなはんだ付け可能なコンタクト表面を実装表面に提供する。
【００１３】
新規のソルダマスクを使用して全ての上面コンタクト表面を形成して、容易にはんだ付け可能なコンタクト表面を、ダイがウェーハ段階にある間にダイの上面に形成する。次いで、個別化後のダイにドレインクリップを取り付け、ドレインクリップをバッチモールドプロセスでオーバーモールドする。
【００１４】
図１は、本発明を適用することができる一般的なパワーＭＯＳＦＥＴ３０を示す図である。ダイ３０は、例えば、米国特許第５，７９５，７９３号明細書に示されているタイプのダイであるが、シリコンボディ３１、上面アルミニウム（すなわちシリコンを１．０％含むアルミニウム）ソース電極３２、アルミニウムゲート電極３３、および容易にはんだ付け可能な従来の三金属電極とすることができる底面ドレイン電極３４を含んだ接合部を有する任意の種類のダイとすることができる。上面アルミニウム層は、適当な他の金属材料とすることもできる。接続は通常、ワイヤボンディングによってアルミニウム電極３２および３３に対して実施される。
【００１５】
本発明によれば、図３及び図４に示すように、容易にはんだ付け可能な複数のコンタクトポスト（ｃｏｎｔａｃｔ ｐｏｓｔ）３６がソース電極３２に固定（ソース電極３２上に形成）され、コンタクトポスト３７がゲート電極３３に固定される。これについては後述する。コンタクト３６および３７は、銀トップ金属ダイの場合には、パッシベーションの厚さと同じ高さに、メッキアルミニウムトップ金属ダイの場合には、パッシベーションの厚さの１／２の厚さと同じ高さになっている。これらの平らなコンタクト上面は互いに同一平面上にある。これらのコンタクト表面への接触は、印刷可能な最小はんだ厚さで層３８の約４倍から５倍の厚さのソルダペーストによって実施される。
【００１６】
コンタクト３６のパターンは、図５、図１１、図１８に示したものなど、さまざまな形態をとることができる。さらに、図６のダイおよび図７、図８のダイのソースコンタクト４０、４１など、はんだ付け可能な大面積コンタクトを使用することもできる。コンタクト３６、３７および４０を形成する金属被覆プロセスについては後述する。
【００１７】
図３から図８に示したように、準備されたダイを含む新規のパッケージの形成では、メッキ（または部分的にメッキ）された図９の新規の導電性金属クリップ４５を使用する。クリップ４５は、他の表面への接触を実施するところに少なくとも部分的にメッキされた銀表面を有する銅合金とすることができる。
【００１８】
クリップ４５は、概ね「Ｕ字形」の形状を有し、表面４７からポスト３６、３７の自由面まで測定したダイ３１の厚さにクリップの平らな薄いウェブ（ｗｅｂ）４８のメッキされた内面４７にドレインを接続するのに使用する接着剤の厚さを加えた厚さよりもわずかに長い短い脚（ｌｅｇ）４６を有する。クリップは、例えば、脚４５の全長に沿って０．７ｍｍの全厚、表面４７から脚４６の自由端まで約０．３９ｍｍの長さを有し、また、脚４６間の距離はダイのサイズによって異なり、インターナショナルレクチファイアコーポレーション（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）社の４．６サイズのダイに対しては距離５．６ｍｍが使用され、それぞれの脚４６の全幅は約１．５ｍｍである。
【００１９】
クリップ４５にはさらに、図１０に示すように、モールドロック開口４８および４９を形成することができる。
【００２０】
本発明の１つの特徴によれば、ダイ３０のはんだ付け可能な底面ドレイン電極３４は、図１２に示すように、ドレインクリップ４５のメッキされた内面に導電性接着剤６０によって電気的に接続され固定される。接着剤は、例えば、適当に硬化させた銀を含むエポキシ材料である。ダイ３０の側縁と対向するクリップ４５の脚４６の側面との間にはギャップ６１および６２が残される。
【００２１】
構造の寸法は、脚４６（ドレインコネクタ）の自由面とポスト３６および３７が同一平面上にあるように決められる。
【００２２】
その後、図１３、図１４及び図１５に示すように、図１１及び図１２のデバイスを、モールドコンパウンド７０を用いてモールドトレー中にオーバーモールドする。モールドコンパウンド７０は、脚４６の外側自由面を除くクリップ４５の露出した外面全体に配置される。図１３及び図１５に示すように、モールドコンパウンドはギャップ６１および６２を埋める。これでデバイスは、コンタクト３６、３７および４６と整列したプリント回路板上の導電性トレースへ表面実装する準備が整ったことになる。
【００２３】
図１６から図１９に、別のクリップジオメトリを使用した本発明の他の実施形態を示す。図１６及び図１７のクリップ８０は、ウェブ８１ならびに分割され突出した３つの脚８２、８３および８４を有する。最初に、図１８及び図１９に示すように、突出したコンタクト３６および３７を有するダイ３０をそのドレインコンタクト（図示せず）のところで、コンタクト３６、３７とドレインクリップの突起８２、８３および８４の自由面とが同一平面上にあるようにウェブ８１に接着する。次いで、デバイスを、モールドコンパウンド７０を用いて適当なモールドトレー中にオーバーモールドする。
【００２４】
図２０及び図２１に、図７及び図８のダイが、銀メッキされた銅合金であるカップ形クリップ１００の中に装着された本発明の他の実施形態を示す。クリップ１００は、長さおよび幅がダイ３０よりも大きい内部面積を有し、ダイ３０の底面ドレイン電極は、銀を含む（導電性）エポキシ１０２によって内部ウェブの表面１０１（図２１）に接続される。エポキシを硬化させる。最適には、ダイの縁の周囲に低応力、高接着力のエポキシ１０３をリング状に塗布し、パッケージを密封し、かつパッケージに構造強さを追加する。
【００２５】
はんだ付け可能なコンタクト４０の上面は、ドレインクリップの突出面１０５と同一平面上にある。したがって、全てのコンタクト１０５、４０および３７が、プリント回路板上のコンタクトトレースと整列する。ドレインコンタクトは適当な任意の形態をとることができ、所望ならば単一のコンタクトを含むことができる。
【００２６】
図２２から図２４に、従来のダイのアルミニウム電極上に導電性ポストを形成する新規のプロセスを示す。ダイ個別化前のウェーハ１１０の中に、ゲート電極３７および分離したソース電極（符号なし）をそれぞれが有する全く同じ複数のダイが示されている。ウェーハの形態である間に、ウェーハ１１０の上面を、フォトイメージング可能なソルダマスク１１１でコーティングする。マスク１１１は、パッシベーション層、メッキレジスト（必要な場合）、およびはんだ領域を示し成形するソルダマスクの働きをする感光性液体エポキシである。ただし他のマスク材料、例えば、窒化シリコンを使用することもできる。従来のレチクルを使用して、マスクを貫通してその下にあるダイ上面金属上のソースおよびゲートコンタクトに達する複数の開口１１１ａから１１１ｄを形成する。これらの開口の形成にはレーザエッチングプロセスを使用することができる。
【００２７】
図２４に示すように、次いで、ウェーハの表面に一連の金属１１２をメッキする。メッキは、開口１１１ａから１１１ｂを通して露出したソース３２（および他の電極）の金属に付着し、ソースとのコンタクト１１２ａから１１２ｄおよびゲートの同様のコンタクトを形成する。金属１１２ａから１１２ｄは、アルミニウムと良好な接触を形成するニッケルの第１の層と金フラッシュとから成ることができる。あるいは、ニッケル、続いて銅、すずなどの層、最後に容易にはんだ付け可能な銀などの金属上面とすることもできる。
【００２８】
次いでウェーハを切断して、例えば、線１１２および１１３でダイを切り離し、ダイを個別化する。一般的なダイ３０は、図３から図８に示すような外観を有し、絶縁面５０よりも高く突き出た、はんだ付け可能な複数のソースコンタクトおよびゲートコンタクトを有する。
【００２９】
次いで、個別化したダイは、ドレインソース側を下にして銀または他の導電性コーティングで内面がメッキされた導電性クリップに入れる。ダイは、先に説明した導電性エポキシなどの従来の接合材料を使用してクリップに接合する。クリップ／カン（ｃａｎ）は、リードフレームの形態をとることができ、後にこのリードフレームからデバイスを個別化することができる。
【００３０】
本発明の特定の実施形態に基づいて本発明を説明してきたが、多くの他の変形および修正ならびに他の使用法があることは当業者には明白であろう。したがって、本明細書の特定の開示によって本発明が限定されず、本発明が添付の特許請求の範囲によってのみ限定されることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明に従って収容することができる個別化されたパワーＭＯＳＦＥＴダイの上面図である。
【図２】
図１に示した切断線２−２における断面図である。
【図３】
本発明に従って処理した後の、分離された複数の「はんだ付け可能」なソースコンタクト領域および「はんだ付け可能」なゲート領域が画定された図１のダイの上面図である。
【図４】
図３に示した切断線４−４における断面図である。
【図５】
修正されたソースコンタクトパターンを有するダイを示す、図３に類似の図である。
【図６】
大面積の他の「はんだ付け可能」なソースコンタクトパターンを示す、図３及び図５に類似の図である。
【図７】
本発明のプロセスを使用して形成した（コーナゲートを有する）他のコンタクトトポロジの上面図である。
【図８】
図７に示した切断線８−８における断面図である。
【図９】
本発明におけるドレインクリップの第１の形態の透視図である。
【図１０】
モールドロック開口がクリップに形成された図９に示したドレインクリップの上面図である。
【図１１】
図３及び図４に示したダイと図９に示したクリップから成るサブアセンブリの下面図である。
【図１２】
図１１に示した切断線１２−１２における断面図である。
【図１３】
モールドトレー中にオーバーモールドした後の図１１及び図１２のサブアセンブリを示す図である。
【図１４】
図１３に示した切断線１４−１４における断面図である。
【図１５】
図１３に示した切断線１５−１５における断面図である。
【図１６】
ドレインクリップの他の実施形態の透視図である。
【図１７】
図１６に示したクリップの上面図である。
【図１８】
図１６及び図１７に示したクリップと図３及び図４に示した一般的な種類のダイとから成るアセンブリの、オーバーモールド後の下面図である。
【図１９】
図１８に示した切断線１９−１９における断面図である。
【図２０】
図７及び図８に示したトポロジのダイを含むカップ形ドレインクリップの下面図である。
【図２１】
図２０に示した切断線２１−２１における断面図である。
【図２２】
個別化前のＭＯＳＦＥＴダイウェーハを示す図である。
【図２３】
図２２に示したウェーハのソース表面にパッシベーション層を形成し、それをパターニングするプロセス段階を示す図である。
【図２４】
図２３に示したパッシベーション層の上の金属被覆を示す図である。

Claims (15)

  1. 平行な上面及び底面を有する半導体デバイスダイを含み、前記上面が平らな金属電極を有し、前記底面がはんだ付け可能な平らな金属電極を有し；さらに、前記平らな金属層の少なくとも第１の部分上に形成された少なくとも１層のはんだ付け可能な導電層を含み、前記少なくとも１層のはんだ付け可能導電層が平らな上面を有し；さらに、平坦なウェブ部分及び該平坦なウェブ部分の縁から延びる少なくとも１つの周縁リム部分を有する金属クリップを含み；前記ウェブの前記底面が、前記ダイの底面の前記はんだ付け可能な平らな金属電極に電気的に、表面−表面接触で接続され；前記クリップの前記周縁リム部分が、前記ダイの縁よりも高く前記ダイの前記縁から間隔をあけて延び、前記少なくとも１つのはんだ付け可能な平らな金属電極の前記上面の平面と平行な平面上にあるクリップリムの表面で終端し、前記少なくとも１つのはんだ付け可能な平らな金属電極の前記上面から絶縁され、それによって、前記クリップリムの表面及び前記少なくとも１つのはんだ付け可能な平らな金属電極を、支持表面上の金属被覆されたパターンに装着することができることを特徴とする半導体デバイスパッケージ。
  2. 間隔を置いて配置された金属ポスト形のはんだ付け可能な平らな複数の電極が、前記金属パワー電極に接続され、全ての前記電極が平らな上面の平面で終端していることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスパッケージ。
  3. 前記ダイの前記上面に第２の平らな金属電極を含み、前記第２の平らな金属電極が制御電極を含み；前記少なくとも１つのはんだ付け可能な平らな金属電極の前記上面と同一平面上にある上面を有する第２のはんだ付け可能な平らな金属電極を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体デバイスパッケージ。
  4. 前記少なくとも１つのはんだ付け可能な平らな金属電極が、前記金属電極に接続されたニッケル層及び該ニッケル層の上に接続された容易にはんだ付け可能な金属を含むことを特徴とする請求項１，２又は３に記載の半導体デバイス。
  5. 全ての前記はんだ付け可能な平らな電極が、その下の金属電極に接続されたニッケル層及び該ニッケル層の上に接続された容易にはんだ付け可能な金属を含むことを特徴とする請求項１，２又は３に記載の半導体デバイス。
  6. 前記ウェブの前記底面を前記ダイの前記底面に接続する導電性エポキシを含むことを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の半導体デバイス。
  7. 前記クリップが、該クリップの前記少なくとも１つの周縁リム部分の反対側に、前記ダイの対向する縁よりも高く延び、前記ダイの前記対向する縁から間隔を置いて配置され、前記少なくとも１つの周縁リム部分が終端する平面と平行な前記平面で終端する第２の周縁リム部分を有することを特徴とする請求項１乃至６いずれかに記載の半導体デバイス。
  8. 前記クリップがカップ形構造物であり、前記周縁リムが、前記ダイの外側を取り囲み前記ダイの前記外側から間隔を置いて配置された連続リムであることを特徴とする請求項１乃至６いずれかに記載の半導体デバイス。
  9. 前記ダイと前記周縁リムの間の前記間隔が、絶縁ビーズで埋められていることを特徴とする請求項８に記載の半導体デバイス。
  10. 金属上面電極構造を有する半導体ダイのはんだ付け可能な上面を形成する製造方法であって；前記金属上面電極構造を有する全く同じ複数のダイを含むウェーハの表面にマスク層を付着させること；それぞれの前記複数のダイの上の前記マスク層に、少なくとも第１及び第２の開口をフォトリソグラフィによって開口すること；金属電極に付着する第１の金属層を、前記マスク層の上、ならびに前記少なくとも第１及び第２の開口によって露出した金属電極表面に付着させること；はんだ付け可能な第２の金属層を前記第１の金属層の上に付着させること；前記マスク層及び該マスク層の上の第１及び第２の金属層を除去し、前記少なくとも第１及び第２の開口の中に形成された金属をそのままの位置に残すこと、前記マスク層の除去によって露出したシリコン表面にパッシベーション絶縁層を形成することであって、前記金属が、前記少なくとも第１及び第２の開口の中に残り、前記パッシベーション絶縁層の表面よりも高く突き出し、前記パッシベーション層よりも高い共通の平面で終端するようにすること；およびその後に前記ウェーハから前記ダイを個別化することを含むことを特徴とする製造方法。
  11. 前記ウェーハが、その底面全体に形成されたはんだ付け可能な共通の電極を有することを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。
  12. それぞれのダイのアルミニウム上面電極が第１及び第２の絶縁セグメントに分離され；前記少なくとも第１及び第２の開口がそれぞれ前記第１及び第２のセグメントの上に形成されることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の製造方法。
  13. 前記少なくとも第１及び第２の開口が前記第１のセグメントの上に、前記第１のセグメントに接続された複数の導電性ポストを形成する複数の開口を含むことを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
  14. 前記第１及び第２のセグメントがそれぞれ、パワーＭＯＳＦＥＴのソース及びゲート電極であることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の製造方法。
  15. 前記マスク層が感光性ポリイミドであることを特徴とする請求項１０乃至１４いずれかに記載の製造方法。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303345A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd 電子部品搭載用基板および電子部品
US7220617B2 (en) 2005-02-10 2007-05-22 Renesas Technology, Corp. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2007295014A (ja) * 2001-12-21 2007-11-08 Internatl Rectifier Corp 支持ポートから所定間隔を置いて配置されたダイ底部を具備する表面実装パッケージ
JP2008538660A (ja) * 2005-04-22 2008-10-30 インターナショナル レクティファイアー コーポレイション チップスケールパッケージ
JP2009530826A (ja) * 2006-03-17 2009-08-27 インターナショナル レクティファイアー コーポレイション 改良されたチップスケールパッケージ
JP2011151109A (ja) * 2010-01-20 2011-08-04 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2012146960A (ja) * 2011-01-10 2012-08-02 Internatl Rectifier Corp 低減されたオン抵抗及び最上面金属拡がり抵抗を有する、パワートランジスタパッケージング用の半導体パッケージ
US8836145B2 (en) 2004-06-03 2014-09-16 International Rectifier Corporation Power semiconductor device with reduced contact resistance
JP2020065084A (ja) * 2018-07-17 2020-04-23 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法

Families Citing this family (153)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6133634A (en) 1998-08-05 2000-10-17 Fairchild Semiconductor Corporation High performance flip chip package
US6624522B2 (en) * 2000-04-04 2003-09-23 International Rectifier Corporation Chip scale surface mounted device and process of manufacture
US6661082B1 (en) * 2000-07-19 2003-12-09 Fairchild Semiconductor Corporation Flip chip substrate design
US6777786B2 (en) * 2001-03-12 2004-08-17 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor device including stacked dies mounted on a leadframe
US7119447B2 (en) * 2001-03-28 2006-10-10 International Rectifier Corporation Direct fet device for high frequency application
US7476964B2 (en) * 2001-06-18 2009-01-13 International Rectifier Corporation High voltage semiconductor device housing with increased clearance between housing can and die for improved flux flushing
US6784540B2 (en) 2001-10-10 2004-08-31 International Rectifier Corp. Semiconductor device package with improved cooling
US6891256B2 (en) * 2001-10-22 2005-05-10 Fairchild Semiconductor Corporation Thin, thermally enhanced flip chip in a leaded molded package
JP3627738B2 (ja) * 2001-12-27 2005-03-09 株式会社デンソー 半導体装置
US6677669B2 (en) * 2002-01-18 2004-01-13 International Rectifier Corporation Semiconductor package including two semiconductor die disposed within a common clip
US7122884B2 (en) * 2002-04-16 2006-10-17 Fairchild Semiconductor Corporation Robust leaded molded packages and methods for forming the same
GB0213094D0 (en) * 2002-06-07 2002-07-17 Power Innovations Ltd Lead frame
US6919599B2 (en) * 2002-06-28 2005-07-19 International Rectifier Corporation Short channel trench MOSFET with reduced gate charge
JP3942500B2 (ja) 2002-07-02 2007-07-11 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP3853263B2 (ja) 2002-07-08 2006-12-06 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7579697B2 (en) * 2002-07-15 2009-08-25 International Rectifier Corporation Arrangement for high frequency application
US7397137B2 (en) * 2002-07-15 2008-07-08 International Rectifier Corporation Direct FET device for high frequency application
US7061077B2 (en) * 2002-08-30 2006-06-13 Fairchild Semiconductor Corporation Substrate based unmolded package including lead frame structure and semiconductor die
US6777800B2 (en) * 2002-09-30 2004-08-17 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die package including drain clip
US6841865B2 (en) * 2002-11-22 2005-01-11 International Rectifier Corporation Semiconductor device having clips for connecting to external elements
US7088004B2 (en) * 2002-11-27 2006-08-08 International Rectifier Corporation Flip-chip device having conductive connectors
US6867481B2 (en) * 2003-04-11 2005-03-15 Fairchild Semiconductor Corporation Lead frame structure with aperture or groove for flip chip in a leaded molded package
US6946744B2 (en) * 2003-04-24 2005-09-20 Power-One Limited System and method of reducing die attach stress and strain
JP3759131B2 (ja) 2003-07-31 2006-03-22 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 リードレスパッケージ型半導体装置とその製造方法
US7315081B2 (en) * 2003-10-24 2008-01-01 International Rectifier Corporation Semiconductor device package utilizing proud interconnect material
JP4312616B2 (ja) 2004-01-26 2009-08-12 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8368211B2 (en) 2004-03-11 2013-02-05 International Rectifier Corporation Solderable top metalization and passivation for source mounted package
US20050269677A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-08 Martin Standing Preparation of front contact for surface mounting
US7678680B2 (en) * 2004-06-03 2010-03-16 International Rectifier Corporation Semiconductor device with reduced contact resistance
US7235877B2 (en) * 2004-09-23 2007-06-26 International Rectifier Corporation Redistributed solder pads using etched lead frame
JP4153932B2 (ja) * 2004-09-24 2008-09-24 株式会社東芝 半導体装置および半導体装置の製造方法
US7692316B2 (en) * 2004-10-01 2010-04-06 International Rectifier Corporation Audio amplifier assembly
US7812441B2 (en) * 2004-10-21 2010-10-12 Siliconix Technology C.V. Schottky diode with improved surge capability
TWI278090B (en) * 2004-10-21 2007-04-01 Int Rectifier Corp Solderable top metal for SiC device
US7394151B2 (en) * 2005-02-15 2008-07-01 Alpha & Omega Semiconductor Limited Semiconductor package with plated connection
US7834376B2 (en) 2005-03-04 2010-11-16 Siliconix Technology C. V. Power semiconductor switch
US9419092B2 (en) 2005-03-04 2016-08-16 Vishay-Siliconix Termination for SiC trench devices
US7524701B2 (en) * 2005-04-20 2009-04-28 International Rectifier Corporation Chip-scale package
US7230333B2 (en) 2005-04-21 2007-06-12 International Rectifier Corporation Semiconductor package
US7682935B2 (en) * 2005-06-08 2010-03-23 International Rectifier Corporation Process of manufacture of ultra thin semiconductor wafers with bonded conductive hard carrier
US20070013053A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Peter Chou Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device
US7514769B1 (en) * 2005-08-13 2009-04-07 National Semiconductor Corporation Micro surface mount die package and method
US7504733B2 (en) 2005-08-17 2009-03-17 Ciclon Semiconductor Device Corp. Semiconductor die package
EP1925028B1 (en) 2005-09-02 2020-11-11 Infineon Technologies Americas Corp. Protective barrier layer for semiconductor device electrodes
US7569927B2 (en) * 2005-09-21 2009-08-04 Microsemi Corporation RF power transistor package
US7560808B2 (en) * 2005-10-19 2009-07-14 Texas Instruments Incorporated Chip scale power LDMOS device
US8368165B2 (en) 2005-10-20 2013-02-05 Siliconix Technology C. V. Silicon carbide Schottky diode
US7786558B2 (en) * 2005-10-20 2010-08-31 Infineon Technologies Ag Semiconductor component and methods to produce a semiconductor component
US7968984B2 (en) 2005-10-25 2011-06-28 International Rectifier Corporation Universal pad arrangement for surface mounted semiconductor devices
US8089147B2 (en) * 2005-11-02 2012-01-03 International Rectifier Corporation IMS formed as can for semiconductor housing
US20070158796A1 (en) * 2005-12-09 2007-07-12 International Rectifier Corporation Semiconductor package
DE102005061015B4 (de) * 2005-12-19 2008-03-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils mit einem vertikalen Halbleiterbauelement
US8018056B2 (en) * 2005-12-21 2011-09-13 International Rectifier Corporation Package for high power density devices
US8698294B2 (en) * 2006-01-24 2014-04-15 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system including wide flange leadframe
US7749877B2 (en) * 2006-03-07 2010-07-06 Siliconix Technology C. V. Process for forming Schottky rectifier with PtNi silicide Schottky barrier
US7446375B2 (en) * 2006-03-14 2008-11-04 Ciclon Semiconductor Device Corp. Quasi-vertical LDMOS device having closed cell layout
US7663212B2 (en) * 2006-03-21 2010-02-16 Infineon Technologies Ag Electronic component having exposed surfaces
US20070222087A1 (en) * 2006-03-27 2007-09-27 Sangdo Lee Semiconductor device with solderable loop contacts
US7923289B2 (en) * 2006-03-31 2011-04-12 International Rectifier Corporation Process for fabricating a semiconductor package
US7554188B2 (en) 2006-04-13 2009-06-30 International Rectifier Corporation Low inductance bond-wireless co-package for high power density devices, especially for IGBTs and diodes
US7541681B2 (en) * 2006-05-04 2009-06-02 Infineon Technologies Ag Interconnection structure, electronic component and method of manufacturing the same
US7757392B2 (en) 2006-05-17 2010-07-20 Infineon Technologies Ag Method of producing an electronic component
US7476978B2 (en) * 2006-05-17 2009-01-13 Infineon Technologies, Ag Electronic component having a semiconductor power device
US7626262B2 (en) * 2006-06-14 2009-12-01 Infineon Technologies Ag Electrically conductive connection, electronic component and method for their production
US9627552B2 (en) 2006-07-31 2017-04-18 Vishay-Siliconix Molybdenum barrier metal for SiC Schottky diode and process of manufacture
US7719096B2 (en) * 2006-08-11 2010-05-18 Vishay General Semiconductor Llc Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device
DE102006044690B4 (de) * 2006-09-22 2010-07-29 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil und Verfahren zum Herstellen
DE102006047761A1 (de) * 2006-10-06 2008-04-10 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
KR100818101B1 (ko) * 2006-11-08 2008-03-31 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지
US8552543B2 (en) * 2006-11-13 2013-10-08 International Rectifier Corporation Semiconductor package
US8106501B2 (en) 2008-12-12 2012-01-31 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die package including low stress configuration
DE102007007142B4 (de) * 2007-02-09 2008-11-13 Infineon Technologies Ag Nutzen, Halbleiterbauteil sowie Verfahren zu deren Herstellung
US7880280B2 (en) * 2007-02-16 2011-02-01 Infineon Technologies Ag Electronic component and method for manufacturing an electronic component
US9147644B2 (en) 2008-02-26 2015-09-29 International Rectifier Corporation Semiconductor device and passive component integration in a semiconductor package
US8786072B2 (en) * 2007-02-27 2014-07-22 International Rectifier Corporation Semiconductor package
US8083832B2 (en) * 2007-02-27 2011-12-27 International Rectifier Corporation Paste for forming an interconnect and interconnect formed from the paste
US7447041B2 (en) * 2007-03-01 2008-11-04 Delphi Technologies, Inc. Compression connection for vertical IC packages
US8686554B2 (en) * 2007-03-13 2014-04-01 International Rectifier Corporation Vertically mountable semiconductor device package
JP2008235837A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
GB2455940B (en) 2007-03-30 2010-11-24 Cambridge Semiconductor Ltd Forward power converter controllers
US7759777B2 (en) * 2007-04-16 2010-07-20 Infineon Technologies Ag Semiconductor module
US7838985B2 (en) * 2007-07-12 2010-11-23 Vishay General Semiconductor Llc Semiconductor assembly that includes a power semiconductor die located on a cell defined by first and second patterned polymer layers
US7915728B2 (en) * 2007-07-12 2011-03-29 Vishay General Semiconductor Llc Subassembly that includes a power semiconductor die and a heat sink having an exposed surface portion thereof
US7879652B2 (en) * 2007-07-26 2011-02-01 Infineon Technologies Ag Semiconductor module
US20090057855A1 (en) * 2007-08-30 2009-03-05 Maria Clemens Quinones Semiconductor die package including stand off structures
US8421214B2 (en) * 2007-10-10 2013-04-16 Vishay General Semiconductor Llc Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device
US7701065B2 (en) * 2007-10-26 2010-04-20 Infineon Technologies Ag Device including a semiconductor chip having a plurality of electrodes
JP5153316B2 (ja) * 2007-12-21 2013-02-27 新光電気工業株式会社 半導体パッケージ用放熱板およびそのめっき方法
US8426960B2 (en) * 2007-12-21 2013-04-23 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Wafer level chip scale packaging
US7799614B2 (en) * 2007-12-21 2010-09-21 Infineon Technologies Ag Method of fabricating a power electronic device
JP2009164442A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Nec Electronics Corp 半導体装置
US8143729B2 (en) * 2008-01-25 2012-03-27 International Rectifier Corporation Autoclave capable chip-scale package
US7955893B2 (en) * 2008-01-31 2011-06-07 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd Wafer level chip scale package and process of manufacture
US7968378B2 (en) * 2008-02-06 2011-06-28 Infineon Technologies Ag Electronic device
US7972906B2 (en) * 2008-03-07 2011-07-05 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die package including exposed connections
US8637341B2 (en) * 2008-03-12 2014-01-28 Infineon Technologies Ag Semiconductor module
US7759163B2 (en) * 2008-04-18 2010-07-20 Infineon Technologies Ag Semiconductor module
US8680658B2 (en) * 2008-05-30 2014-03-25 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Conductive clip for semiconductor device package
US8053891B2 (en) * 2008-06-30 2011-11-08 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Standing chip scale package
US7932180B2 (en) 2008-07-07 2011-04-26 Infineon Technologies Ag Manufacturing a semiconductor device via etching a semiconductor chip to a first layer
US7910992B2 (en) * 2008-07-15 2011-03-22 Maxim Integrated Products, Inc. Vertical MOSFET with through-body via for gate
US8441804B2 (en) 2008-07-25 2013-05-14 Infineon Technologies Ag Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device
US8110912B2 (en) 2008-07-31 2012-02-07 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
US7767495B2 (en) 2008-08-25 2010-08-03 Infineon Technologies Ag Method for the fabrication of semiconductor devices including attaching chips to each other with a dielectric material
US7982292B2 (en) 2008-08-25 2011-07-19 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
US7923350B2 (en) * 2008-09-09 2011-04-12 Infineon Technologies Ag Method of manufacturing a semiconductor device including etching to etch stop regions
US8373257B2 (en) * 2008-09-25 2013-02-12 Alpha & Omega Semiconductor Incorporated Top exposed clip with window array
US8710665B2 (en) 2008-10-06 2014-04-29 Infineon Technologies Ag Electronic component, a semiconductor wafer and a method for producing an electronic component
US7898067B2 (en) * 2008-10-31 2011-03-01 Fairchild Semiconductor Corporaton Pre-molded, clip-bonded multi-die semiconductor package
US7994646B2 (en) * 2008-12-17 2011-08-09 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
US7851856B2 (en) * 2008-12-29 2010-12-14 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd True CSP power MOSFET based on bottom-source LDMOS
US8049312B2 (en) * 2009-01-12 2011-11-01 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device package and method of assembly thereof
JP5420274B2 (ja) 2009-03-02 2014-02-19 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
US8358014B2 (en) * 2009-05-28 2013-01-22 Texas Instruments Incorporated Structure and method for power field effect transistor
US8563360B2 (en) * 2009-06-08 2013-10-22 Alpha And Omega Semiconductor, Inc. Power semiconductor device package and fabrication method
US8222078B2 (en) 2009-07-22 2012-07-17 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Chip scale surface mounted semiconductor device package and process of manufacture
JP5500936B2 (ja) * 2009-10-06 2014-05-21 イビデン株式会社 回路基板及び半導体モジュール
US7939370B1 (en) * 2009-10-29 2011-05-10 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Power semiconductor package
JP5375708B2 (ja) * 2010-03-29 2013-12-25 パナソニック株式会社 半導体装置の製造方法
US8362606B2 (en) 2010-07-29 2013-01-29 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Wafer level chip scale package
EP2453476A1 (en) * 2010-11-12 2012-05-16 Nxp B.V. Semiconductor device packaging method and semiconductor device package
US8546925B2 (en) 2011-09-28 2013-10-01 Texas Instruments Incorporated Synchronous buck converter having coplanar array of contact bumps of equal volume
US8906747B2 (en) * 2012-05-23 2014-12-09 Freescale Semiconductor, Inc. Cavity-type semiconductor package and method of packaging same
US8970035B2 (en) 2012-08-31 2015-03-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bump structures for semiconductor package
US9202811B2 (en) * 2012-12-18 2015-12-01 Infineon Technologies Americas Corp. Cascode circuit integration of group III-N and group IV devices
US9041067B2 (en) 2013-02-11 2015-05-26 International Rectifier Corporation Integrated half-bridge circuit with low side and high side composite switches
US9070721B2 (en) 2013-03-15 2015-06-30 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor devices and methods of making the same
US8865523B2 (en) * 2013-03-15 2014-10-21 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Semiconductor package and fabrication method thereof
JP6167397B2 (ja) * 2013-04-26 2017-07-26 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置
DE102013212446A1 (de) * 2013-06-27 2015-01-15 Zf Friedrichshafen Ag Elektrische Schaltung und Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Schaltung zur Ansteuerung einer Last
US20150001696A1 (en) * 2013-06-28 2015-01-01 Infineon Technologies Ag Semiconductor die carrier structure and method of manufacturing the same
US9536800B2 (en) 2013-12-07 2017-01-03 Fairchild Semiconductor Corporation Packaged semiconductor devices and methods of manufacturing
US9653386B2 (en) 2014-10-16 2017-05-16 Infineon Technologies Americas Corp. Compact multi-die power semiconductor package
US9620475B2 (en) 2013-12-09 2017-04-11 Infineon Technologies Americas Corp Array based fabrication of power semiconductor package with integrated heat spreader
US9704787B2 (en) * 2014-10-16 2017-07-11 Infineon Technologies Americas Corp. Compact single-die power semiconductor package
US9570379B2 (en) 2013-12-09 2017-02-14 Infineon Technologies Americas Corp. Power semiconductor package with integrated heat spreader and partially etched conductive carrier
US9214419B2 (en) * 2014-02-28 2015-12-15 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Power semiconductor device and preparation method thereof
JP6287341B2 (ja) * 2014-03-03 2018-03-07 セイコーエプソン株式会社 液体吐出装置および液体吐出装置の制御方法
CN104916597B (zh) * 2014-03-14 2018-06-05 尼克森微电子股份有限公司 晶圆级扇出芯片的封装方法及封装结构
TWI546906B (zh) 2014-03-14 2016-08-21 尼克森微電子股份有限公司 晶圓級扇出晶片的封裝結構及封裝方法
JP2015231027A (ja) * 2014-06-06 2015-12-21 住友電気工業株式会社 半導体装置
CN105448871B (zh) * 2014-08-18 2019-03-08 万国半导体股份有限公司 功率半导体器件及制备方法
EP3065172A1 (en) 2015-03-06 2016-09-07 Nxp B.V. Semiconductor device
DE102015205695B4 (de) * 2015-03-30 2020-09-24 Robert Bosch Gmbh Halbleiterbauelement, Kontaktanordnung und Verfahren zur Herstellung
DE102015104996B4 (de) * 2015-03-31 2020-06-18 Infineon Technologies Austria Ag Halbleitervorrichtungen mit Steuer- und Lastleitungen von entgegengesetzter Richtung
CN104900546A (zh) * 2015-05-04 2015-09-09 嘉兴斯达半导体股份有限公司 一种功率模块的封装结构
JP6598037B2 (ja) * 2015-07-01 2019-10-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置
DE102015221971A1 (de) * 2015-11-09 2017-05-11 Robert Bosch Gmbh Halbleiterchip mit lötbarer Vorderseite und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
US10256168B2 (en) 2016-06-12 2019-04-09 Nexperia B.V. Semiconductor device and lead frame therefor
CN106711100A (zh) * 2016-08-22 2017-05-24 杰群电子科技（东莞）有限公司 一种半导体封装结构及加工方法
US10128170B2 (en) 2017-01-09 2018-11-13 Silanna Asia Pte Ltd Conductive clip connection arrangements for semiconductor packages
US11355470B2 (en) 2020-02-27 2022-06-07 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Semiconductor device and methods of manufacturing semiconductor devices
EP4044226A1 (en) * 2021-02-16 2022-08-17 Nexperia B.V. A semiconductor device and a method of manufacturing of a semiconductor device

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3403438A (en) 1964-12-02 1968-10-01 Corning Glass Works Process for joining transistor chip to printed circuit
US3871014A (en) 1969-08-14 1975-03-11 Ibm Flip chip module with non-uniform solder wettable areas on the substrate
US3972062A (en) 1973-10-04 1976-07-27 Motorola, Inc. Mounting assemblies for a plurality of transistor integrated circuit chips
GB1487945A (en) 1974-11-20 1977-10-05 Ibm Semiconductor integrated circuit devices
US4454454A (en) 1983-05-13 1984-06-12 Motorola, Inc. MOSFET "H" Switch circuit for a DC motor
US4646129A (en) 1983-09-06 1987-02-24 General Electric Company Hermetic power chip packages
US4604644A (en) 1985-01-28 1986-08-05 International Business Machines Corporation Solder interconnection structure for joining semiconductor devices to substrates that have improved fatigue life, and process for making
US4639760A (en) 1986-01-21 1987-01-27 Motorola, Inc. High power RF transistor assembly
JPH0676790B2 (ja) * 1987-07-30 1994-09-28 株式会社東芝 イグナイタ
JPH07118514B2 (ja) * 1989-04-24 1995-12-18 株式会社東芝 半田バンプ型半導体装置
US5075759A (en) 1989-07-21 1991-12-24 Motorola, Inc. Surface mounting semiconductor device and method
US5182632A (en) 1989-11-22 1993-01-26 Tactical Fabs, Inc. High density multichip package with interconnect structure and heatsink
US5047833A (en) 1990-10-17 1991-09-10 International Rectifier Corporation Solderable front metal contact for MOS devices
JP2984068B2 (ja) 1991-01-31 1999-11-29 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JPH05129516A (ja) * 1991-11-01 1993-05-25 Hitachi Ltd 半導体装置
CA2089435C (en) 1992-02-14 1997-12-09 Kenzi Kobayashi Semiconductor device
JP2833326B2 (ja) 1992-03-03 1998-12-09 松下電器産業株式会社 電子部品実装接続体およびその製造方法
JPH065401A (ja) 1992-06-23 1994-01-14 Mitsubishi Electric Corp チップ型抵抗素子及び半導体装置
JPH0637143A (ja) 1992-07-15 1994-02-10 Toshiba Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
US5394490A (en) 1992-08-11 1995-02-28 Hitachi, Ltd. Semiconductor device having an optical waveguide interposed in the space between electrode members
US5313366A (en) 1992-08-12 1994-05-17 International Business Machines Corporation Direct chip attach module (DCAM)
JPH06244231A (ja) 1993-02-01 1994-09-02 Motorola Inc 気密半導体デバイスおよびその製造方法
US5371404A (en) 1993-02-04 1994-12-06 Motorola, Inc. Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding
JP2795788B2 (ja) 1993-02-18 1998-09-10 シャープ株式会社 半導体チップの実装方法
US5703405A (en) 1993-03-15 1997-12-30 Motorola, Inc. Integrated circuit chip formed from processing two opposing surfaces of a wafer
US5510758A (en) 1993-04-07 1996-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayer microstrip wiring board with a semiconductor device mounted thereon via bumps
JP3258764B2 (ja) 1993-06-01 2002-02-18 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに外部引出用電極およびその製造方法
JPH0745620A (ja) * 1993-07-26 1995-02-14 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法並びにその実装構造体
US5397921A (en) 1993-09-03 1995-03-14 Advanced Semiconductor Assembly Technology Tab grid array
US5455456A (en) 1993-09-15 1995-10-03 Lsi Logic Corporation Integrated circuit package lid
US5451544A (en) 1993-10-15 1995-09-19 International Rectifier Corporation Method of manufacturing a back contact for semiconductor die
US5734201A (en) 1993-11-09 1998-03-31 Motorola, Inc. Low profile semiconductor device with like-sized chip and mounting substrate
US5367435A (en) 1993-11-16 1994-11-22 International Business Machines Corporation Electronic package structure and method of making same
US5454160A (en) 1993-12-03 1995-10-03 Ncr Corporation Apparatus and method for stacking integrated circuit devices
JPH07193184A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Fujitsu Ltd マルチチップモジュールの製造方法及びマルチチップモジュール
JP3073644B2 (ja) 1993-12-28 2000-08-07 株式会社東芝 半導体装置
US5446316A (en) * 1994-01-06 1995-08-29 Harris Corporation Hermetic package for a high power semiconductor device
US5578869A (en) * 1994-03-29 1996-11-26 Olin Corporation Components for housing an integrated circuit device
US6486003B1 (en) * 1996-12-13 2002-11-26 Tessera, Inc. Expandable interposer for a microelectronic package and method therefor
JP3377867B2 (ja) 1994-08-12 2003-02-17 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージ
JP2546192B2 (ja) 1994-09-30 1996-10-23 日本電気株式会社 フィルムキャリア半導体装置
US5532512A (en) 1994-10-03 1996-07-02 General Electric Company Direct stacked and flip chip power semiconductor device structures
JP3138159B2 (ja) 1994-11-22 2001-02-26 シャープ株式会社 半導体装置、半導体装置実装体、及び半導体装置の交換方法
US5904499A (en) 1994-12-22 1999-05-18 Pace; Benedict G Package for power semiconductor chips
JPH08335653A (ja) 1995-04-07 1996-12-17 Nitto Denko Corp 半導体装置およびその製法並びに上記半導体装置の製造に用いる半導体装置用テープキャリア
US5655703A (en) 1995-05-25 1997-08-12 International Business Machines Corporation Solder hierarchy for chip attachment to substrates
US5674785A (en) 1995-11-27 1997-10-07 Micron Technology, Inc. Method of producing a single piece package for semiconductor die
US5726502A (en) 1996-04-26 1998-03-10 Motorola, Inc. Bumped semiconductor device with alignment features and method for making the same
JPH1022336A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
CN1179626A (zh) * 1996-09-05 1998-04-22 国际整流器公司 一种改进的表面封装的大功率半导体封壳及其制造方法
US5814884C1 (en) * 1996-10-24 2002-01-29 Int Rectifier Corp Commonly housed diverse semiconductor die
KR100209760B1 (ko) * 1996-12-19 1999-07-15 구본준 반도체 패키지 및 이의 제조방법
US6051888A (en) 1997-04-07 2000-04-18 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package and method for increased thermal dissipation of flip-chip semiconductor package
KR100219806B1 (ko) * 1997-05-27 1999-09-01 윤종용 반도체장치의 플립 칩 실장형 솔더 범프의 제조방법, 이에 따라 제조되는 솔더범프 및 그 분석방법
JPH1154673A (ja) 1997-07-31 1999-02-26 Nec Kansai Ltd 半導体装置
GB9725960D0 (en) 1997-12-08 1998-02-04 Westinghouse Brake & Signal Encapsulating semiconductor chips
JP3654485B2 (ja) * 1997-12-26 2005-06-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3097644B2 (ja) * 1998-01-06 2000-10-10 日本電気株式会社 半導体装置接続構造及び接続方法
US6423623B1 (en) * 1998-06-09 2002-07-23 Fairchild Semiconductor Corporation Low Resistance package for semiconductor devices
EP0966038A3 (en) * 1998-06-15 2001-02-28 Ford Motor Company Bonding of semiconductor power devices
US6133634A (en) 1998-08-05 2000-10-17 Fairchild Semiconductor Corporation High performance flip chip package
EP0978871A3 (en) * 1998-08-05 2001-12-19 Harris Corporation A low power packaging design
US6268275B1 (en) * 1998-10-08 2001-07-31 Micron Technology, Inc. Method of locating conductive spheres utilizing screen and hopper of solder balls
KR20000057810A (ko) * 1999-01-28 2000-09-25 가나이 쓰토무 반도체 장치
JP4408475B2 (ja) * 1999-02-23 2010-02-03 三洋電機株式会社 ボンディングワイヤを採用しない半導体装置
US6744124B1 (en) * 1999-12-10 2004-06-01 Siliconix Incorporated Semiconductor die package including cup-shaped leadframe
US6624522B2 (en) 2000-04-04 2003-09-23 International Rectifier Corporation Chip scale surface mounted device and process of manufacture
US6362087B1 (en) * 2000-05-05 2002-03-26 Aptos Corporation Method for fabricating a microelectronic fabrication having formed therein a redistribution structure
JP3467454B2 (ja) 2000-06-05 2003-11-17 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US6391687B1 (en) 2000-10-31 2002-05-21 Fairchild Semiconductor Corporation Column ball grid array package

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007295014A (ja) * 2001-12-21 2007-11-08 Internatl Rectifier Corp 支持ポートから所定間隔を置いて配置されたダイ底部を具備する表面実装パッケージ
US8836145B2 (en) 2004-06-03 2014-09-16 International Rectifier Corporation Power semiconductor device with reduced contact resistance
US7220617B2 (en) 2005-02-10 2007-05-22 Renesas Technology, Corp. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7405469B2 (en) 2005-02-10 2008-07-29 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2008538660A (ja) * 2005-04-22 2008-10-30 インターナショナル レクティファイアー コーポレイション チップスケールパッケージ
US8466546B2 (en) 2005-04-22 2013-06-18 International Rectifier Corporation Chip-scale package
JP2006303345A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd 電子部品搭載用基板および電子部品
JP4490861B2 (ja) * 2005-04-25 2010-06-30 日立協和エンジニアリング株式会社 基板
JP2009530826A (ja) * 2006-03-17 2009-08-27 インターナショナル レクティファイアー コーポレイション 改良されたチップスケールパッケージ
JP2011151109A (ja) * 2010-01-20 2011-08-04 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2012146960A (ja) * 2011-01-10 2012-08-02 Internatl Rectifier Corp 低減されたオン抵抗及び最上面金属拡がり抵抗を有する、パワートランジスタパッケージング用の半導体パッケージ
JP2020065084A (ja) * 2018-07-17 2020-04-23 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法

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