JPH10256439A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH10256439A JPH10256439A JP770398A JP770398A JPH10256439A JP H10256439 A JPH10256439 A JP H10256439A JP 770398 A JP770398 A JP 770398A JP 770398 A JP770398 A JP 770398A JP H10256439 A JPH10256439 A JP H10256439A
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- Japan
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- base film
- semiconductor device
- resin
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 多ピン化が容易で、薄型でコンパクトな半導
体装置として提供する。 【解決手段】 電気的絶縁性を有するベースフィルム１
０の片面上に導体層を被覆形成し、該導体層により、一
端がチップと電気的に接続されるインナーリード１４と
なり、他端が前記ベースフィルム１０から延出されるア
ウターリード１６となる導体回路を形成し、該導体回路
が形成されたベースフィルム面側にチップ２２を搭載
し、チップ２２と前記インナーリード１４とをワイヤボ
ンディングするとともに、前記アウターリード１６を封
止樹脂２６から延出させ、チップ２２が搭載されたベー
スフィルム面側の反対側の面を封止樹脂２６から露出さ
せて、封止樹脂が前記ベースフィルム面上の範囲になる
ようにチップ搭載部を樹脂封止して成る。
体装置として提供する。 【解決手段】 電気的絶縁性を有するベースフィルム１
０の片面上に導体層を被覆形成し、該導体層により、一
端がチップと電気的に接続されるインナーリード１４と
なり、他端が前記ベースフィルム１０から延出されるア
ウターリード１６となる導体回路を形成し、該導体回路
が形成されたベースフィルム面側にチップ２２を搭載
し、チップ２２と前記インナーリード１４とをワイヤボ
ンディングするとともに、前記アウターリード１６を封
止樹脂２６から延出させ、チップ２２が搭載されたベー
スフィルム面側の反対側の面を封止樹脂２６から露出さ
せて、封止樹脂が前記ベースフィルム面上の範囲になる
ようにチップ搭載部を樹脂封止して成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止して成る半
導体装置に関する。
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの高集積化および大型化に
ともない、半導体装置用パッケージは、より多ピンのも
のが要求されている。このため、半導体チップを搭載す
るリードフレームなどでもリードの配置密度がますます
高くなっている。しかしながら、リードフレームでは用
いる金属板材の板厚程度までしかリード間隔を狭くでき
ない。
ともない、半導体装置用パッケージは、より多ピンのも
のが要求されている。このため、半導体チップを搭載す
るリードフレームなどでもリードの配置密度がますます
高くなっている。しかしながら、リードフレームでは用
いる金属板材の板厚程度までしかリード間隔を狭くでき
ない。
【０００３】これに対し、多数本のリードを高密度で形
成し得るものとしてＴＡＢ用テープが提供されている。
このＴＡＢ用テープは電気的絶縁性を有するベースフィ
ルム上に導体回路を形成するもので、材厚が薄い導体回
路であってもベースフィルムで支持することによって、
リードフレームとくらべるとさらに微細で高密度に導体
回路を形成することができる。
成し得るものとしてＴＡＢ用テープが提供されている。
このＴＡＢ用テープは電気的絶縁性を有するベースフィ
ルム上に導体回路を形成するもので、材厚が薄い導体回
路であってもベースフィルムで支持することによって、
リードフレームとくらべるとさらに微細で高密度に導体
回路を形成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このＴＡＢ用テープは
通常、チップに一括してリードをボンディングするよう
にして用いられるもであるが、リードパターンがきわめ
て微細であるために、チップとインナーリードを的確に
ボンディングすることが技術的に難しく、また、ボンデ
ィング後に樹脂封止するトランスファモールドの技術も
難しいという問題点がある。
通常、チップに一括してリードをボンディングするよう
にして用いられるもであるが、リードパターンがきわめ
て微細であるために、チップとインナーリードを的確に
ボンディングすることが技術的に難しく、また、ボンデ
ィング後に樹脂封止するトランスファモールドの技術も
難しいという問題点がある。
【０００５】そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、チップとイ
ンナーリードとの接続が容易にでき、半導体装置の多ピ
ン化を好適に図ることができ、また、薄型でコンパクト
に形成でき、製造も容易な半導体装置を提供するにあ
る。
れたものであり、その目的とするところは、チップとイ
ンナーリードとの接続が容易にでき、半導体装置の多ピ
ン化を好適に図ることができ、また、薄型でコンパクト
に形成でき、製造も容易な半導体装置を提供するにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、電気的絶縁性を
有するベースフィルムの片面上に導体層を被覆形成し、
該導体層により、一端がチップと電気的に接続されるイ
ンナーリードとなり、他端が前記ベースフィルムから延
出されるアウターリードとなる導体回路を形成し、該導
体回路が形成されたベースフィルム面側にチップを搭載
し、チップと前記インナーリードとをワイヤボンディン
グするとともに、前記アウターリードを封止樹脂から延
出させ、チップが搭載されたベースフィルム面側の反対
側の面を封止樹脂から露出させて、封止樹脂が前記ベー
スフィルム面上の範囲になるようにチップ搭載部を樹脂
封止して成ることを特徴とする。また、チップが搭載さ
れたベースフィルム面側の反対側の面に放熱体を接合し
たことを特徴とする。
するため次の構成を備える。すなわち、電気的絶縁性を
有するベースフィルムの片面上に導体層を被覆形成し、
該導体層により、一端がチップと電気的に接続されるイ
ンナーリードとなり、他端が前記ベースフィルムから延
出されるアウターリードとなる導体回路を形成し、該導
体回路が形成されたベースフィルム面側にチップを搭載
し、チップと前記インナーリードとをワイヤボンディン
グするとともに、前記アウターリードを封止樹脂から延
出させ、チップが搭載されたベースフィルム面側の反対
側の面を封止樹脂から露出させて、封止樹脂が前記ベー
スフィルム面上の範囲になるようにチップ搭載部を樹脂
封止して成ることを特徴とする。また、チップが搭載さ
れたベースフィルム面側の反対側の面に放熱体を接合し
たことを特徴とする。
【０００７】
【作用】導体回路は電気的絶縁性を有するベースフィル
ムの片面上に被覆形成した導体層によって形成され、こ
れによって高密度に導体回路が形成できる。チップをベ
ースフィルムに接合した後、導体回路のインナーリード
とチップとをワイヤボンディングによって接続し、チッ
プが搭載されたベースフィルム面側の反対側の面を封止
樹脂から露出させて樹脂封止することにより、チップと
導体回路とを確実に電気的に接続して、薄型でコンパク
トな半導体装置として得ることができる。
ムの片面上に被覆形成した導体層によって形成され、こ
れによって高密度に導体回路が形成できる。チップをベ
ースフィルムに接合した後、導体回路のインナーリード
とチップとをワイヤボンディングによって接続し、チッ
プが搭載されたベースフィルム面側の反対側の面を封止
樹脂から露出させて樹脂封止することにより、チップと
導体回路とを確実に電気的に接続して、薄型でコンパク
トな半導体装置として得ることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。第１図は本発明の半導体装置に
用いるテープの一実施例を示す。１０はベースフィルム
であり、ポリイミドの長尺な薄フィルムからなる。１２
はベースフィルム１０の両側縁近傍に設けたスプロケッ
トホールである。
づいて詳細に説明する。第１図は本発明の半導体装置に
用いるテープの一実施例を示す。１０はベースフィルム
であり、ポリイミドの長尺な薄フィルムからなる。１２
はベースフィルム１０の両側縁近傍に設けたスプロケッ
トホールである。
【０００９】１４は導体回路としてベースフィルム１０
上に形成したインナーリード、１６はアウターリード、
１８はベースフィルム１０に穿設したウインドウであ
る。アウターリード１６はウインドウ１８にかけ渡すよ
うに設けられている。
上に形成したインナーリード、１６はアウターリード、
１８はベースフィルム１０に穿設したウインドウであ
る。アウターリード１６はウインドウ１８にかけ渡すよ
うに設けられている。
【００１０】ＴＡＢ用テープで一般的に用いられている
ものでは、チップを搭載する部分にデバイスホールが穿
設されるが、本実施例のテープではチップを搭載する部
分にもベースフィルム１０がそのまま形成されている。
２０はインナーリード１４によって囲まれてベースフィ
ルム１０上に設けられたチップ接合部である。
ものでは、チップを搭載する部分にデバイスホールが穿
設されるが、本実施例のテープではチップを搭載する部
分にもベースフィルム１０がそのまま形成されている。
２０はインナーリード１４によって囲まれてベースフィ
ルム１０上に設けられたチップ接合部である。
【００１１】インナーリード１４、アウターリード１６
はベースフィルム１０上に銅箔等の導体層を形成した
後、導体層にエッチング、めっき等の処理を施して所定
形状に形成するが、チップ接合部２０も、ベースフィル
ム１０上でチップ接合部２０を形成する範囲にわたって
導体層を残すことによって形成することができる。な
お、導体層は、ベースフィルムに接着剤を介して接合し
て得るもの（３層構造）と、めっき、スパッタリング等
により接着剤を介さずに被着して得るもの（２層構造）
がある。
はベースフィルム１０上に銅箔等の導体層を形成した
後、導体層にエッチング、めっき等の処理を施して所定
形状に形成するが、チップ接合部２０も、ベースフィル
ム１０上でチップ接合部２０を形成する範囲にわたって
導体層を残すことによって形成することができる。な
お、導体層は、ベースフィルムに接着剤を介して接合し
て得るもの（３層構造）と、めっき、スパッタリング等
により接着剤を介さずに被着して得るもの（２層構造）
がある。
【００１２】第２図は上記テープにチップを搭載した
後、樹脂封止した半導体装置の断面図である。２２はチ
ップで、チップ接合部２０上に接合されている。２４は
チップ２２とインナーリード１４との間をワイヤボンデ
ィングしたワイヤである。２６は封止樹脂であって、ワ
イヤボンディングを行った後、ベースフィルム１０のチ
ップ２２が接合されている片面側のみに設けられる。こ
の結果、ベースフィルム１０でチップ２２の搭載面の反
対側の面は外部に露出する。封止樹脂２６による封止範
囲はベースフィルム面上の範囲に略一致している。
後、樹脂封止した半導体装置の断面図である。２２はチ
ップで、チップ接合部２０上に接合されている。２４は
チップ２２とインナーリード１４との間をワイヤボンデ
ィングしたワイヤである。２６は封止樹脂であって、ワ
イヤボンディングを行った後、ベースフィルム１０のチ
ップ２２が接合されている片面側のみに設けられる。こ
の結果、ベースフィルム１０でチップ２２の搭載面の反
対側の面は外部に露出する。封止樹脂２６による封止範
囲はベースフィルム面上の範囲に略一致している。
【００１３】樹脂封止した後、隣接するウインドウ１８
を仕切っているベースフィルム１０の吊り部分を切断
し、アウターリード１６の先端側を切断して、図のよう
にアウターリード１６を所定形状にフォーミングする。
を仕切っているベースフィルム１０の吊り部分を切断
し、アウターリード１６の先端側を切断して、図のよう
にアウターリード１６を所定形状にフォーミングする。
【００１４】なお、インナーリード１４およびアウター
リード１６等の導体回路部分を構成する銅箔として電解
銅箔を用い、そのマット面を封止樹脂２６に接触する側
にして樹脂封止すると、マット面上に小さな凹凸がある
ことにより導体回路と封止樹脂２６とのくいつきがよく
なり、密着性が向上する。これによって、半導体装置の
耐湿性が向上する。
リード１６等の導体回路部分を構成する銅箔として電解
銅箔を用い、そのマット面を封止樹脂２６に接触する側
にして樹脂封止すると、マット面上に小さな凹凸がある
ことにより導体回路と封止樹脂２６とのくいつきがよく
なり、密着性が向上する。これによって、半導体装置の
耐湿性が向上する。
【００１５】第３図は、上記例と同様にチップ接合部２
０にチップ２２を接合してワイヤボンディングした後、
樹脂封止して成るものであるが、導体回路に外部リード
ピン２８を立設して樹脂封止した例を示す。
０にチップ２２を接合してワイヤボンディングした後、
樹脂封止して成るものであるが、導体回路に外部リード
ピン２８を立設して樹脂封止した例を示す。
【００１６】また、第４図および第５図は上記例の半導
体装置に放熱体３０を設けた例を示す。第４図に示すも
のは、樹脂封止した後、チップ２２の裏面部分に相当す
るベースフィルム１０を除去してチップ接合部２０上に
放熱体３０を接合したものである。外部リードピンの接
合部分の裏面はベースフィルム１０が接合されて保護さ
れている。第５図に示すものは、チップ２２が搭載され
た面の反対側の面全体に放熱体を３０を接合したもので
ある。
体装置に放熱体３０を設けた例を示す。第４図に示すも
のは、樹脂封止した後、チップ２２の裏面部分に相当す
るベースフィルム１０を除去してチップ接合部２０上に
放熱体３０を接合したものである。外部リードピンの接
合部分の裏面はベースフィルム１０が接合されて保護さ
れている。第５図に示すものは、チップ２２が搭載され
た面の反対側の面全体に放熱体を３０を接合したもので
ある。
【００１７】これら各実施例に示す半導体装置では、ベ
ースフィルム上にリードパターンを形成するから、リー
ドを薄く形成することができ、これによってリードを高
密度に形成することができて多ピン化の要請に好適に応
えることができる。また、半導体装置はベースフィルム
のチップが搭載された片面上でチップを樹脂封止して得
られるから、半導体装置の薄型化を図ることができる。
ースフィルム上にリードパターンを形成するから、リー
ドを薄く形成することができ、これによってリードを高
密度に形成することができて多ピン化の要請に好適に応
えることができる。また、半導体装置はベースフィルム
のチップが搭載された片面上でチップを樹脂封止して得
られるから、半導体装置の薄型化を図ることができる。
【００１８】さらに、チップとリードとの間はワイヤボ
ンディングによって接続するから、ワイヤボンディング
に関する従来技術がそのまま適用でき、チップとリード
とを接続する技術的な困難さを解消することができる。
また、半導体装置に放熱体を設けることも容易にでき、
半導体装置の熱放散性を向上させることによって、チッ
プの高集積化、大型化に容易に対応することができる。
ンディングによって接続するから、ワイヤボンディング
に関する従来技術がそのまま適用でき、チップとリード
とを接続する技術的な困難さを解消することができる。
また、半導体装置に放熱体を設けることも容易にでき、
半導体装置の熱放散性を向上させることによって、チッ
プの高集積化、大型化に容易に対応することができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、上述したように構成し
たことにより、半導体装置の多ピン化が容易にできると
ともに、より薄型でコンパクトな半導体装置を得ること
ができる。また、製造工程においては、ワイヤボンディ
ング等の従来技術がそのまま適用できるから製造上の技
術的な困難さを解消することができる。また、半導体装
置に放熱体を設けることも容易にでき、これによって半
導体装置の熱放散性を向上させることができる等の著効
を奏する。
たことにより、半導体装置の多ピン化が容易にできると
ともに、より薄型でコンパクトな半導体装置を得ること
ができる。また、製造工程においては、ワイヤボンディ
ング等の従来技術がそのまま適用できるから製造上の技
術的な困難さを解消することができる。また、半導体装
置に放熱体を設けることも容易にでき、これによって半
導体装置の熱放散性を向上させることができる等の著効
を奏する。
【図１】本発明に係る半導体装置に用いるテープの一実
施例を示す説明図である。
施例を示す説明図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の実施例の構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の実施例の構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明に係る半導体装置の実施例の構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明に係る半導体装置の実施例の構成を示す
断面図である。
断面図である。
１０ ベースフィルム １４ インナーリード １６ アウターリード １８ ウインドウ ２０ チップ接合部 ２２ チップ ２４ ワイヤ ２６ 封止樹脂 ２８ 外部リードピン ３０ 放熱体
Claims (2)
- 【請求項１】 電気的絶縁性を有するベースフィルムの
片面上に導体層を被覆形成し、該導体層により、一端が
チップと電気的に接続されるインナーリードとなり、他
端が前記ベースフィルムから延出されるアウターリード
となる導体回路を形成し、 該導体回路が形成されたベースフィルム面側にチップを
搭載し、 チップと前記インナーリードとをワイヤボンディングす
るとともに、前記アウターリードを封止樹脂から延出さ
せ、チップが搭載されたベースフィルム面側の反対側の
面を封止樹脂から露出させて、封止樹脂が前記ベースフ
ィルム面上の範囲になるようにチップ搭載部を樹脂封止
して成ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 チップが搭載されたベースフィルム面側
の反対側の面に放熱体を接合したことを特徴とする請求
項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10007703A JP2883065B2 (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10007703A JP2883065B2 (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1145789A Division JP2784209B2 (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256439A true JPH10256439A (ja) | 1998-09-25 |
| JP2883065B2 JP2883065B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=11673119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10007703A Expired - Lifetime JP2883065B2 (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2883065B2 (ja) |
-
1998
- 1998-01-19 JP JP10007703A patent/JP2883065B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2883065B2 (ja) | 1999-04-19 |
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