JP2004127976A - インダクティブ素子とその製造方法 - Google Patents
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- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 title claims abstract description 100
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 102
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 34
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- -1 vinylbenzyl Chemical group 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F5/00—Coils
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0033—Printed inductances with the coil helically wound around a magnetic core
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/004—Printed inductances with the coil helically wound around an axis without a core
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Abstract
【解決手段】導体層2Aと絶縁層4Aとを交互に積層して素材17を準備する。素材17の表面に、積層方向に、互いに平行をなすように、コイル内周部を形成するための所定幅の複数本の溝18を加工する。溝18に埋込材5を埋め込む。埋込材5を埋め込んだ素材の表面16を研磨により整面する。隣接する導体層2A間を接続してインダクティブ素子となるヘリカルコイルを構成する。そして表裏面を絶縁層により覆い、切断により個々のチップを得る。
【選択図】図4
Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、積層構造のインダクタンス素子やコモンモードチョークコイルまたはトランス等として使用されるか、あるいは他の素子と組み合わされて構成されるか、もしくはモジュールに組み込まれる等の態様で使用に供されるインダクティブ素子とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のインダクティブ素子の一例として、機能材料粉末と樹脂とを混合した複合材料または樹脂からなるコア基板の表裏面にフォトリソ工法を用いてスパイラル状にコイルを形成したものがある(例えば特許文献1参照。)。
【0003】
また、他の従来例として、積層セラミックチップインダクタに代表されるように、1/2〜3/4ターン巻きの導体パターンを有するグリーンシートを多層積層し切断して焼成することにより、積層方向にヘリカル状のコイルを巻上げたものがある(例えば特許文献2参照。)。
【0004】
さらに従来の別のインダクティブ素子として巻線型のものがあり、これはボビンに巻線となるワイヤをヘリカル状に巻いたものである。(例えば特許文献3参照。)。
【0005】
【特許文献1】
特許2714343号公報(第3−4頁、図3、図5)
【特許文献2】
特開平11−103229号公報(第4−5頁、図2)
【特許文献3】
特開平11−204352号公報(第3頁、図2)
【発明が解決しようとする課題】
前記薄膜型コイルを用いた従来のインダクティブ素子は、その構造上、高いQ特性を得ることが難しい。また、コア基板上の同一面にスパイラルコイルを形成するため、その導体パターンに高度な微細加工が必要とされ、高いインダクタンス値を得ることが難しい。また、コイルを形成するために少なくとも2回のフォトリソ工法を用いたパターニングが必要であり、工数が多いという問題点がある。
【0006】
また、前記積層型のものは、内部導体が印刷法により多層積層されるため、印刷ばらつきと積層ばらつきが発生する上、素子を焼成するので、焼成時の収縮や収縮ばらつき等によりインダクタンス精度が低下し、狭公差のインダクティブ素子を得ることが難しい。
【0007】
また、前記巻線型のものは、ボビン1個ずつワイヤーを巻線するので、小型化や生産性に難があり、低コストでインダクティブ素子を得ることが難しい。
【0008】
本発明は、前記従来のインダクティブ素子の問題点に鑑み、量産が容易で、導体パターンのずれが小さく、狭公差のインダクタンス値が得られるインダクティブ素子とその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、高いQ特性が得られるインダクティブ素子やその製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】(1)本発明のインダクティブ素子は、絶縁層と導体層とが交互に積層された積層体を素材として作製され、
前記コイルの1ターン分は4辺のうちの3辺が前記積層体の導体をコ字形に切り出すことにより形成され、
前記切り出しにより形成される溝に埋込材が埋め込まれ、
前記コイルの1ターン分の他の1辺は、前記切り出しにより形成されたコ字形導体の隣接するものの開口端どうしを接続するように、フォトリソ工法により、前記溝に埋め込まれた埋込材上に形成された橋架導体からなることを特徴とする。
【0010】
本発明のインダクティブ素子は、コイルのコ字形導体が積層体の切削により形成されるため、コイル形状が揃い、コ字形導体間の位置のばらつきや積層ばらつきがなく、インダクタンス値が揃った狭公差のインダクティブ素子を得ることができる。また、切削によって一度にヘリカルコイルとなる導体加工を行うため、製造が容易となり、低コストでインダクティブ素子を製造することができる。
【0011】
本発明における素材としては、例えば金属箔に絶縁材料を膜状に塗布したものや、絶縁材料でなるシート(セラミック基板や樹脂基板あるいは機能材料粉末を樹脂に混合した複合材料でなる基板)と金属膜とを一体にしたものや、厚膜技術に用いるグリーンシートに導体ペーストを塗布し乾燥したものを積層して焼成した材料を用いることも可能である。
【0012】
(2)また、本発明のインダクティブ素子は、前記橋架導体により、前記コ字形導体を1つ跳びに接続することにより、2つの矩形ヘリカルコイルを形成したことを特徴とする。
【0013】
このように2つのヘリカルコイルを構成しかつそれぞれのヘリカルコイルに対応する端子電極を設けることにより、前記特徴を有するチョークコイルやトランスを構成することができる。
【0014】
(3)本発明のインダクティブ素子において、前記絶縁層または前記埋込材が樹脂材料または樹脂に機能材料粉末(磁性体粉末または誘電体粉末)を混合した複合材料からなることが好ましい。このように樹脂やその複合材料により絶縁層や埋込材を構成すれば、加工が容易となる。また、混合材料の種類を変えることにより、任意の特性のインダクティブ素子が得られる。
【0015】
(4)本発明のインダクティブ素子において、コ字形導体が金属板または金属箔からなり、前記橋架導体がフォトリソ工法により形成されていることが好ましい。このように、コ字形導体として金属板または金属箔を用い、橋架導体としてフォトリソ工法により形成した導体を用いれば、コイルの比抵抗を低く抑えることができるため、直流抵抗を低くでき、より高いQ特性を得ることができる。
【0016】
(5)本発明のインダクティブ素子において、前記橋架導体は、前記コ字形導体の開口端および前記溝に充填された埋込材の研磨により整面化された面に形成されていることが好ましい。このように、コ字形導体を形成する面を研磨により整面化することにより、コ字形導体の端部と橋架導体との接続が良好に行えると共に、コイル形状をより良く揃えることができる。
【0017】
(6)本発明のインダクティブ素子において、前記コイルの周囲を覆う絶縁層を有すると共に、該絶縁層および前記埋込材のうちの少なくともいずれかを磁性体により構成し、コイル導体間の絶縁層を誘電体により構成することが好ましい。このように構成すれば、インダクタンス値の高いインダクティブ素子が得られる。
【0018】
(7)本発明のインダクティブ素子の製造方法は、導体層と絶縁層とを交互に積層して、積層方向の幅内に複数個のインダクティブ素子のターン数に相当する導体層数を有し、かつインダクティブ素子の1個分に相当する厚みを有する四角形をなす板状の素材を準備し、
該素材の表面に、積層方向に、互いに平行をなすように、コイル内周部を形成するための所定幅の複数本の溝を加工し、
前記溝に埋込材を埋め込み、
該埋込材を埋め込んだ素材の表面を研磨により整面し、
該整面化された面に前記埋込材上を跨ぐように、隣接する導体層間を接続してインダクティブ素子となる矩形ヘリカルコイルを構成するための橋架導体をフォトリソ工法により形成し、
該橋架導体を施した素材の表裏面を絶縁材料により覆うと共に、前記表面に各ヘリカルコイルにそれぞれ対応する外部端子を形成し、
前記素材を縦横に切断することにより、個々のインダクティブ素子となるチップを得る
ことを特徴とする。
【0019】
このように、導体層と絶縁層との積層体の溝切削と個々のチップへの切断加工によってコイルのコ字形導体を形成することにより、内部コイル形状が揃い、コ字形導体間の位置のばらつきや積層ばらつきがなく、インダクタンス値が揃った狭公差のインダクティブ素子を得ることができる。また、切断加工で一度にヘリカルコイルとなる導体加工を行うため、製造が容易となり、低コストでインダクティブ素子を製造することができる。
【0020】
(8)本発明によるインダクティブ素子の製造方法において、前記切断加工を行う前に、前記埋込材が埋め込まれた溝の間にスリットを設けて各スリットに絶縁材料を充填し、
それぞれ充填された絶縁材料の部分をその絶縁材料の幅より狭い切断手段により切断することが好ましい。
【0021】
このように、列状にチップが配列される溝間の切断領域にスリットを設けてそのスリットに絶縁材料を充填しておき、その充填された絶縁材料の中央部を切断手段によって切断すれば、個々のチップの両側面を絶縁材料で覆ったチップが切断と同時に形成され、チップ側面に絶縁材料を後付けする手間が不要となり、素子を能率良く製造できる。
【0022】
(9)本発明によるインダクティブ素子の製造方法において、前記素材の表裏面を絶縁材料により覆うと同時に、前記スリットに絶縁材料を充填することが好ましい。
【0023】
このように、スリットへの絶縁材料の充填と素材表裏面への絶縁材料の塗布を同時に行うことにより、工数が削減できる。
【0024】
(10)本発明によるインダクティブ素子の製造方法において、前記導体層となる複数個のインダクティブ素子に相当する幅の帯状の金属板または金属箔に絶縁材料をコーティングし、
前記コーティングされた帯状素材を、複数個のインダクティブ素子に相当する幅に切断してシート状素材を得、
前記シート状素材を、複数個のインダクティブ素子のターン数に相当する導体層数を有する枚数積層して一体化し、
該一体化した積層体を、インダクティブ素子の1個分の厚みに対応する厚みで積層方向に切断することにより、前記素材を得ることが好ましい。
【0025】
このように、積層構造の素材を得る場合、同時に複数個のチップ厚み分の素材を得て切断することにより、工数の多い積層体の形成工程が少なくなる。
【0026】
(11)本発明によるインダクティブ素子の製造方法において、該絶縁材料をコーティングした金属板または金属箔を積層する場合、インダクティブ素子1個分の導体層数に相当する厚み分を1セットとして、1セットの間に導体層間の絶縁層の厚みより大きな厚みの絶縁層を介在させて一体化することが好ましい。
【0027】
このように、積層構造の素材を得る場合に、予め切断する部分は厚みのある絶縁層として構成しておくことにより、コイルの巻心方向の両端面の絶縁層を、個々のチップへの切断によって同時に形成することができ、工数が削減できる。
【0028】
(12)また、本発明のインダクティブ素子の製造方法は、前記ヘリカルコイルを形成する場合、コ字形導体に対して橋架導体を1つ跳びに接続することにより、1つのチップ当り2つのヘリカルコイルを形成することを特徴とする。
【0029】
このように、2つのヘリカルコイルを得ることにより、チョークコイルやトランスを得ることができる。
【0030】
【発明の実施の形態】図1(A)は本発明によるインダクティブ素子の一実施の形態を示す透視斜視図、図1(B)はそのコイルの構成を示す断面図、図1(C)はその電極構造を示す断面図、図2(A)は前記インダクティブ素子の底面図、図2(B)はその断面図である。
【0031】
図1、図2において、1は矩形ヘリカル状に構成されたコイルであり、該コイル1は4辺のうちの3辺を構成する複数個のコ字形導体2と、他の1辺を構成し、かつ隣接するコ字形導体2どうしを接続して全体として矩形ヘリカルコイル1を構成する橋架導体3とからなる。前記コ字形導体導体2、2間には図2(B)に示すように絶縁層4が介在する。コ字形導体2の内周面2a、外周面2bは後述の切削によって積層方向について互いに同面に形成される。
【0032】
すなわち、図2(B)に示すように、コ字形導体2の内周面2aは後述の切削工程により溝18の側面、底面として構成されるもので、溝18内に埋込材5が埋め込まれる。該埋込材5およびコ字形導体2の開口側の面6(図1(B)参照)は研磨により整面され、前記導体3および両端の電極パッド7はその整面化された面上に形成される。9、10はそれぞれインダクティブ素子の上面、底面を覆うように設けられた絶縁層、11は両側面に設けられた絶縁層である。12はインダクティブ素子の底面の両端近傍に設けられた端子電極であり、12aは前記電極パッド7と端子電極12との間を接続する下地層を構成する導体である。
【0033】
前記絶縁層4、埋込材5および外面を覆う絶縁層9〜11は樹脂または樹脂には機能材料粉末を混合した複合材料が用いられる。前記コ字形導体が金属板または金属箔からなる。また、絶縁層4にセラミック板を用いた素材や、絶縁層4となるセラミックグリーンシートにコ字形導体2となる導体ペーストを塗布し、焼成したものを素材として用いることもできる。前記橋架導体3はフォトリソ工法を用いてパターニングされた導体からなる。この橋架導体3の形成はメッキのみならず、蒸着、スパッタリングにより成膜してもよい。
【0034】
前記絶縁層4、9〜11、埋込材5を構成する樹脂としては、ビスマレイドトリアジン(BTレジン)、エポキシ、ポリイミド、ビニルベンジル等の熱硬化性材料か、または液晶ポリマー等が用いられる。
【0035】
また、用途によってこれらの樹脂に粉末状で混合する誘電体材料としては、溶融シリカ、ガラス、石英、アルミナ等の粉末が用いられる。また、これらの樹脂や誘電体粉末に低誘電率のものを用いることにより、高周波特性に優れたものを得ることができる。
【0036】
さらに樹脂に磁性体材料を混合した複合材料も用いることができ、この場合の磁性体材料としては、フェライト、酸化鉄、金属鉄、パーマロイ、センダスト等の粉末が用いられる。
【0037】
図3ないし図7は図1、図2に示したインダクティブ素子の製造方法の一実施の形態を示す図である。まず、樹脂あるいは樹脂に機能材料粉末を混合したものを溶剤およびバインダに分散させてペースト状とし、図3(A)の斜視図に示すように、導体層であるコ字形導体2を得るための金属箔2A上に前記ペーストをドクターブレード法等により塗布し、乾燥して絶縁層4Aを形成する。
【0038】
この場合、金属箔2Aとしては銅箔が好適であるが、ニッケルや銀もしくはこれらの合金等を用いることができる。また、金属箔2Aの好ましい厚みは、5〜75μmであり、また絶縁層4Aの好ましい厚みは5〜100μmである。
【0039】
図3(B)の斜視図に示すように、この絶縁層4Aを形成した金属箔2Aを10cm四方の広さに切断した。
【0040】
次に図3(C)の部分斜視図に示すように、前記のようにして作製した金属箔2Aと絶縁層4Aからなるシートを熱圧着または必要な場合には接着層を介して積層し一体化して積層母材13を得る。この実施の形態においては、インダクティブ素子の1個分の厚みとなるセット14間に、絶縁層2Aの厚みより大きな厚みの絶縁層15を介在させて積層し一体化している。なお、この厚みの大きな絶縁層15の厚みは150〜350μmとすることが好ましい。
【0041】
次に図3(C)に2点鎖線16で示すように、積層方向に等間隔に切断し、図3(D)の全体斜視図に示すように、厚みtが1個のインダクティブ素子のコ字形導体2のサイズに相当する大きさ(後で研磨する場合には製品のコ字形導体2の厚みは図示のtより小さくなる)のシート状の素材17を得た。また、該素材17の積層方向を縦方向としたときの縦幅L内に複数個(前記サイズのインダクティブ素子の場合例えば数十個)のインダクティブ素子のターン数に相当する導体層数を有し、かつ横幅Wも複数個(前記サイズのインダクティブ素子の場合例えば数十個)のインダクティブ素子に相当するサイズとする。図3(E)は図3(D)の部分拡大斜視図である。
【0042】
次に図4(A)の全体斜視図および図4(B)の部分拡大図に示すように、前記コイル1のコ字形導体2の内周面2aとなる溝18を、積層方向に対して直角をなす方向に等間隔に研削した。なお、溝18の幅および深さが300〜400μmであることが好ましい。
【0043】
次に図4(C)の部分拡大斜視図に示すように、前記溝18に前記埋込材5を埋め込む。この埋込材には前記樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した複合材料を溶剤やバインダに分散させたものを用い、この埋込材5の埋め込みは、溝18の形成面に印刷等により塗布し、乾燥することにより行う。そしてこのようにして溝18に埋込材5を埋め込んだものの表面(製品では底面となる面側)を研磨して金属箔2Aが埋込材5により覆われた部分を除去すると同時に、表面を整面(平滑化)する。
【0044】
次に図5(A)の部分拡大斜視図に示すように、前記のように整面化した面上において、隣接するコ字形導体2間を接続するための橋架導体3および電極パッド7をフォトリソ工法を用いて形成する。このパターニングは、例えば図6(A)、(B)に示すように、素材17の表面全面に下地層25として銅膜を無電解メッキまたはスパッタリングにより形成し、次に表面全面にレジスト26を施し、フォトリソ工法を用いて、橋架導体3となるべき部分27や電極パッド7となるべき部分29のレジストを除去し、これらのレジスト除去部分27、29の部分に電解メッキにより銅の本メッキ層を形成し、その後レジスト26とその下の下地層25を除去することにより行う。
【0045】
次に図5(B)の全体斜視図、図5(C)の部分拡大斜視図および図7(A)の断面図に示すように、埋込材5を埋め込んだ溝18の間の部分に、素材17の両端部を残して、表裏面に貫通するスリット19を設ける。
【0046】
次に図7(B)に示すように、該スリット19を設けた部分に前記樹脂または複合材料でなる絶縁材料20を印刷により充填する。次に図7(B)に示すように、素材17の表裏面に樹脂または前記複合材料でなる絶縁材料をコーティングして絶縁層9、10を形成する。これらの絶縁層9、10と、絶縁材料20に同一の材料が用いられる場合には、同時にこれらを施すことにより、工数が削減できる。
【0047】
次に図7(C)に示すように、前記電極パッド7の部分の上の絶縁層10をレーザ等により穴21を明ける。そしてその穴21の中に電解メッキにより下地層12aとしての銅、あるいは下地層12aとして樹脂中に銀を混合した導電剤を印刷等により充填する。次にその上に例えばニッケル、錫をこの順にメッキする等により、半田付けのための端子電極12を形成する。
【0048】
図8は素材17内に形成されたヘリカルコイル1にそれぞれ対応して2個ずつ端子電極12を形成した素材17の全体斜視図である。図8に示すように、前記溝18の方向に対して直角をなす方向に線22に沿ってダイシングにより切断加工する。また、この切断加工の後、または前に、図7(D)において幅sで示しかつ図8において線22で示すように、前記スリット19に充填した絶縁材料20の中央部分を除去するようにしてダイシングにより切断加工を行って、前記側面の絶縁層11を形成すると共に、個々のチップを得る。
【0049】
以上に説明したように、本発明においては、ヘリカルコイル1のコ字形導体2や外周部分を切削により形成するため、コイル形状が揃い、コ字形導体間の位置のばらつきや積層ばらつきがなく、インダクタンス値が揃った狭公差のインダクティブ素子を得ることができる。
【0050】
また、切削によって一度にヘリカルコイル1となる導体加工を行うため、製造が容易となり、低コストで素子を製造することができる。また、本実施の形態のように、樹脂やその複合材料により埋込材5や絶縁層9〜11を構成すれば、加工が容易となる。
【0051】
また、導体として導電性接着剤や前述の導体ぺーストのセラミックとの焼結体等を用いることも可能であるが、本実施の形態のように金属箔2Aを用いれば、コ字形導体の比抵抗を低く抑えることができるため、直流抵抗を低くでき、高いQ特性を得ることができる。
【0052】
また、導体3を形成する面は、研磨により整面化することにより、コ字形導体2の端部とパターニングにより形成された橋架部分である導体3との接続が良好に行えると共に、コイル形状をより揃えることができる。
【0053】
本実施の形態のように、列状にチップが配列される溝18間の切断領域にスリット19を設けてそのスリット19に絶縁材料20を充填しておき、その充填された絶縁材料20の中央部を切断手段によって切断すれば、個々のチップの両側面を絶縁材料で覆ったチップが切断と同時に形成され、チップ側面に絶縁材料を後付けする手間が不要となり、能率良く製造できる。
【0054】
また、素材17を得る場合、本実施の形態のように、同時に複数個のチップ厚み分の素材を得て切断することにより、積層体の形成工数が少なくなる。
【0055】
本発明において、素材17の厚みtがインダクティブ素子1個分に相当するとは、1個を得ることができる厚みという意味であり、コ字形導体2の厚みt(図3参照)を製品より大きく設定しておき、研磨により所望の厚みを得るようにしてもよい。
【0056】
また、本発明は、前記サイズより小さいものや大きいものにも適用でき、金属箔2Aの代わりに金属板を用いてもよい。
【0057】
具体例について述べると、ターン数が12で平面の縦横幅が1mm×0.5mm、厚みが0.5mmのインダクティブ素子を試作した。ここで、埋込材5や絶縁層4、9〜11にはビニルベンジル樹脂にシリカ粉末を分散混合した比誘電率εが2.9の複合材料を用いた。また、コイル導体2には銅の金属箔を用い、その厚みを35μm、絶縁層4の厚みを25μmとし、溝18の幅を360μm、深さを330μmとした。また、橋架導体3に薄膜銅を用いた。このインダクティブ素子のインダクタンス値は15nH、Q値が約60(1GHz)であった。一方、同じサイズで従来の薄膜によるスパイラル構造のコイルを形成したものは、Q値が約20であり、セラミック積層体による場合にはQ値が約30であるから、本発明によりQ値の大幅な向上が達成できることが確認できた。
【0058】
図9(A)は本発明のインダクティブ素子の他の実施の形態であり、チョークコイルやトランスとして構成されたインダクティブ素子について示す。本実施の形態においては、コ字形導体2に対してそれぞれ1つ跳びに導体3a、3bにより交互に接続してそれぞれ一連のコイルを形成することにより、2つの矩形ヘリカルコイルを形成したものである。7a、7bは2つのヘリカルコイルのうちの1つの両端に接続される電極パッド、7c、7dは他の2つのヘリカルコイルの両端に接続される電極パッド、41〜44はそれぞれこれらの電極パッド7a〜7d上に形成される端子電極である。
【0059】
このように、コ字形導体2、2間の橋架導体による接続構造を変えることにより、2つのヘリカルコイルを形成することが可能である。
【0060】
また、図9(B)に示すように、1つのチップに複数のヘリカルコイル1が内蔵して並設されたインダクティブ素子アレイとして構成することも可能である。
【0061】
本発明のインダクティブ素子において、前記埋込材5およびコイルの外周を覆う絶縁層(側面絶縁層9や底面の絶縁層10および上面の絶縁層11)の少なくともいずれかに磁性体を用い、コ字形導体2に誘電体を用いることにより、インダクタンス値の高いインダクティブ素子を得ることができる。ここで、埋込材5には、樹脂に磁性体粉末を混合した複合材料を用いることもできるが、前記パーマロイ、センダスト等のような高透磁率の絶縁被覆した棒状金属磁性体を用いることにより、よりインダクタンス値の高いインダクティブ素子を得ることができる。また、このような磁心となる磁性体を溝18に埋め込むと共に、コイル外周の絶縁僧〜11にも樹脂に磁性粉末を混合した磁性体を用いることにより、さらにインダクタンス値の高いインダクティブ素子を得ることができる。なお、この金属磁性体を用いる場合は、溝18内に絶縁性接着材でコ字形導体2と電気的に絶縁して固定することが好ましい。
【0062】
本発明によるインダクティブ素子は、インダクタンス素子やトランス等として単品で使用される以外に、例えばコンデンサや抵抗等の他の素子と一体に組合わされて構成されるか、あるいはモジュールに組み込まれる等の形態で使用に供されるものとして提供することができる。
【0063】
【発明の効果】
本発明によれば、ヘリカルコイルのコ字形導体の内周面および外周面を、素材の切削により形成し、他の1辺はパターニングされた導体により構成したので、量産が容易で、導体パターンのずれが小さく、狭公差のインダクタンス値が得られる。また、導体として金属板または金属箔を用いることにより、高いQ特性が得られるインダクティブ素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)は本発明によるインダクティブ素子の一実施の形態を示す透視斜視図、(B)はそのコイルの構成を示す断面図、(C)はその電極構造を示す断面図である。
【図2】(A)は本実施の形態のインダクティブ素子の底面図、(B)はその断面図である。
【図3】(A)は本実施の形態の原材料となるシートを示す斜視図、(B)はそのシートを所定の長さごとに切断したものを示す斜視図、(C)は(B)のシートを積層し一体化した積層母材を示す部分斜視図、(D)は(C)の積層母材を切断加工した後の素材を示す全体斜視図、(E)は(D)の部分拡大斜視図である。
【図4】(A)は本実施の形態の素材に溝を形成した状態を示す全体斜視図、(B)はその部分拡大図、(C)は前記溝の部分に埋込材を埋め込んだ状態を示す部分拡大斜視図である。
【図5】(A)は本実施の形態において隣接するコ字形導体間をパターニングされた導体により接続した状態を示す部分拡大斜視図、(B)はその溝間の部分にスリットを状態を示す全体斜視図、(C)は(B)の部分拡大斜視図である。
【図6】(A)は本実施の形態において、素材上に橋架導体形成のための下地膜およびレジストパターンを形成した状態を示す断面図、(B)はその平面図、(C)はメッキおよびレジスト等の除去により形成された橋架導体および電極パッドのパターンを示す平面図である。
【図7】(A)は図5(C)の素材の断面図、(B)はその素材のスリットおよび表裏面に絶縁材料を施した状態を示す断面図、(C)は電極パッドの部分の上の絶縁層をレーザ等により穴を明けた状態を示す断面図、(D)はその穴および表面に端子電極を形成した状態を示す断面図である。
【図8】前記素材内に形成されたヘリカルコイルにそれぞれ対応して2個ずつ端子電極を形成した素材および切断箇所を示す全体斜視図である。
【図9】(A)は本発明によるインダクティブ素子の他の実施の形態を示す透視斜視図、(B)は本発明によるインダクティブ素子の他の実施の形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
1:ヘリカルコイル、2:コ字形導体、2A:金属箔、3、3a、3b:橋架導体、4、4A:絶縁層、5:埋込材、6:整面化面、7、7a〜7d:電極パッド、9〜11:絶縁層、12:端子電極、13:積層母材、14:セット、15:接着層、16:切断線、17:素材、18:溝、19:スリット、20:絶縁材料、21:穴、22、23:切断線、25:下地層、26:レジスト、27、29:レジスト除去部分、41〜44:端子電極
Claims (12)
- 絶縁層と導体層とが交互に積層された積層体を素材として作製され、
前記コイルの1ターン分は4辺のうちの3辺が前記積層体の導体をコ字形に切り出すことにより形成され、
前記切り出しにより形成される溝に埋込材が埋め込まれ、
前記コイルの1ターン分の他の1辺は、前記切り出しにより形成されたコ字形導体の隣接するものの開口端どうしを接続するように、フォトリソ工法により、前記溝に埋め込まれた埋込材上に形成された橋架導体からなることを特徴とするインダクティブ素子。 - 請求項1に記載のインダクティブ素子において、
前記橋架導体により、前記コ字形導体を1つ跳びに接続することにより、2つの矩形ヘリカルコイルを形成したことを特徴とするインダクティブ素子。 - 請求項1または2に記載のインダクティブ素子において、
前記絶縁層または前記埋込材が、樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した複合材料からなることを特徴とするインダクティブ素子。 - 請求項1から3までのいずれかに記載のインダクティブ素子において、
前記コ字形導体が金属板または金属箔からなり、前記橋架導体がフォトリソ工法により形成されていることを特徴とするインダクティブ素子。 - 請求項4に記載のインダクティブ素子において、
前記橋架導体は、前記コ字形導体の開口端および前記溝に埋め込まれ埋込材の整面化された面に形成されていることを特徴とするインダクティブ素子。 - 請求項1から5までのいずれかに記載のインダクティブ素子において、
前記コイルの周囲を覆う絶縁層を有すると共に、該絶縁層および前記埋込材のうちの少なくともいずれかを磁性体により構成し、コイル導体間の絶縁層を誘電体により構成したことを特徴とするインダクティブ素子。 - 導体層と絶縁層とを交互に積層して、積層方向の幅内に複数個のインダクティブ素子のターン数に相当する導体層数を有し、かつインダクティブ素子の1個分に相当する厚みを有する四角形をなす板状の素材を準備し、
該素材の表面に、積層方向に、互いに平行をなすように、コイル内周部を形成するための所定幅の複数本の溝を加工し、
前記溝に埋込材を埋め込み、
該埋込材を埋め込んだ素材の表面を研磨により整面し、
該整面化された面に前記埋込材上を跨ぐように、隣接する導体層間を接続してインダクティブ素子となる矩形ヘリカルコイルを構成するための橋架導体をフォトリソ工法により形成し、
該橋架導体を施した素材の表裏面を絶縁材料により覆うと共に、前記表面に各ヘリカルコイルにそれぞれ対応する外部端子を形成し、
前記素材を縦横に切断することにより、個々のインダクティブ素子となるチップを得る
ことを特徴とするインダクティブ素子の製造方法。 - 請求項7に記載のインダクティブ素子の製造方法において、
前記切断加工を行う前に、前記埋込材が埋め込まれた溝の間にスリットを設けて各スリットに絶縁材料を充填し、
それぞれ充填された絶縁材料の部分をその絶縁材料の幅より狭い切断手段により切断する
ことを特徴とするインダクティブ素子の製造方法。 - 請求項8に記載のインダクティブ素子の製造方法において、
前記素材の表裏面を絶縁材料により覆うと同時に、前記スリットに絶縁材料を充填する
ことを特徴とするインダクティブ素子の製造方法。 - 請求項7から9までのいずれかに記載のインダクティブ素子の製造方法において、
前記導体層となる複数個のインダクティブ素子に相当する幅の帯状の金属板または金属箔に絶縁材料をコーティングし、
前記コーティングされた帯状素材を、複数個のインダクティブ素子に相当する幅に切断してシート状素材を得、
前記シート状素材を、複数個のインダクティブ素子のターン数に相当する導体層数を有する枚数積層して一体化し、
該一体化した積層体を、インダクティブ素子の1個分の厚みに対応する厚みで積層方向に切断することにより、前記素材を得る
ことを特徴とするインダクティブ素子の製造方法。 - 請求項10に記載のインダクティブ素子の製造方法において、
該絶縁材料をコーティングした金属板または金属箔を積層する場合、インダクティブ素子1個分の導体層数に相当する厚み分を1セットとして、1セットの間に導体層間の絶縁層の厚みより大きな厚みの絶縁層を介在させて一体化する
ことを特徴とするインダクティブ素子の製造方法。 - 請求項7から11までのいずれかに記載のインダクティブ素子の製造方法において、
前記ヘリカルコイルを形成する場合、コ字形導体に対して橋架導体を1つ跳びに接続することにより、1つのチップ当り2個のヘリカルコイルを形成することを特徴とするインダクティブ素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002285824A JP4010920B2 (ja) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | インダクティブ素子の製造方法 |
US10/773,318 US7212095B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-02-09 | Inductive element and manufacturing method of the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002285824A JP4010920B2 (ja) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | インダクティブ素子の製造方法 |
US10/773,318 US7212095B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-02-09 | Inductive element and manufacturing method of the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004127976A true JP2004127976A (ja) | 2004-04-22 |
JP4010920B2 JP4010920B2 (ja) | 2007-11-21 |
Family
ID=34921610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002285824A Expired - Lifetime JP4010920B2 (ja) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | インダクティブ素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7212095B2 (ja) |
JP (1) | JP4010920B2 (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4010920B2 (ja) | 2007-11-21 |
US20050174208A1 (en) | 2005-08-11 |
US7212095B2 (en) | 2007-05-01 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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