JP2714343B2 - 高周波コイルおよびその製造方法 - Google Patents
高周波コイルおよびその製造方法Info
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- JP2714343B2 JP2714343B2 JP5190366A JP19036693A JP2714343B2 JP 2714343 B2 JP2714343 B2 JP 2714343B2 JP 5190366 A JP5190366 A JP 5190366A JP 19036693 A JP19036693 A JP 19036693A JP 2714343 B2 JP2714343 B2 JP 2714343B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波コイルに関し、と
くに、その構造およびその製造方法に関するものであ
る。
くに、その構造およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図８は絶縁基板上に形成された従来のス
パイラル状高周波コイルの構成例を示す断面図である。
従来の高周波コイルは、図８に示すように、絶縁基板１
０１の表面にコイル導体１０２を形成するとともに、絶
縁基板１０１の両端部に電極１０５ａ，１０５ｂを形成
して、コイル導体１０２の一端を電極１０５ａへ接続す
る。続いて、コイル導体１０２をポリイミドなどの絶縁
膜１０３で覆った後、中心部に位置するコイル導体１０
２の他端と電極１０５ｂとを電気的に接続するクロス導
体１０４を、絶縁膜１０３の上に形成する構造であっ
た。
パイラル状高周波コイルの構成例を示す断面図である。
従来の高周波コイルは、図８に示すように、絶縁基板１
０１の表面にコイル導体１０２を形成するとともに、絶
縁基板１０１の両端部に電極１０５ａ，１０５ｂを形成
して、コイル導体１０２の一端を電極１０５ａへ接続す
る。続いて、コイル導体１０２をポリイミドなどの絶縁
膜１０３で覆った後、中心部に位置するコイル導体１０
２の他端と電極１０５ｂとを電気的に接続するクロス導
体１０４を、絶縁膜１０３の上に形成する構造であっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例に
おいては、次のような問題点があった。すなわち、従来
の高周波コイルにおいては、絶縁膜１０３にポリイミド
などを利用するため、絶縁膜１０３の厚みは10[μm]程
度が上限である。従って、カバレッジを確保するため
に、コイル導体１０２の厚さは5[μm]以上にすることが
できず、このため、コイル導体１０２の導体抵抗が大き
くなり、上記従来例ではＱが低いという欠点があった。
おいては、次のような問題点があった。すなわち、従来
の高周波コイルにおいては、絶縁膜１０３にポリイミド
などを利用するため、絶縁膜１０３の厚みは10[μm]程
度が上限である。従って、カバレッジを確保するため
に、コイル導体１０２の厚さは5[μm]以上にすることが
できず、このため、コイル導体１０２の導体抵抗が大き
くなり、上記従来例ではＱが低いという欠点があった。
【０００４】本発明は、絶縁信頼性を確保した上で、導
体抵抗を低下させてＱを向上した高周波コイルを低コス
トで得ることを目的とする。
体抵抗を低下させてＱを向上した高周波コイルを低コス
トで得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記の目的を
達成する一手段として、以下の構成を備える。本発明に
かかる高周波コイルは、所定サイズの絶縁基板に形成し
た高周波コイルであって、前記絶縁基板の一方の面の端
部近傍から略中央部へ形成した少なくとも二つの下部導
体と、前記下部導体を略覆うように形成した樹脂の絶縁
膜と、その端部近傍それぞれが異なる前記下部導体の一
部へ重畳するように前記絶縁膜上へ形成した少なくとも
一つのコイル導体と、前記絶縁基板の端部近傍において
前記下部導体のそれぞれに重畳するように形成した少な
くとも二つの電極とを有し、前記コイル導体は薄膜技術
およびめっきを用いて少なくとも10μmの厚さに形成す
ることを特徴とする。
達成する一手段として、以下の構成を備える。本発明に
かかる高周波コイルは、所定サイズの絶縁基板に形成し
た高周波コイルであって、前記絶縁基板の一方の面の端
部近傍から略中央部へ形成した少なくとも二つの下部導
体と、前記下部導体を略覆うように形成した樹脂の絶縁
膜と、その端部近傍それぞれが異なる前記下部導体の一
部へ重畳するように前記絶縁膜上へ形成した少なくとも
一つのコイル導体と、前記絶縁基板の端部近傍において
前記下部導体のそれぞれに重畳するように形成した少な
くとも二つの電極とを有し、前記コイル導体は薄膜技術
およびめっきを用いて少なくとも10μmの厚さに形成す
ることを特徴とする。
【０００６】本発明にかかる高周波コイルの製造方法
は、所定サイズの絶縁基板の一方の面の端部近傍から略
中央部へ少なくとも二つの下部導体をパターン形成する
下部導体形成工程と、前記下部導体を略覆うように所定
の厚さの樹脂の絶縁膜をパターン形成する絶縁膜形成工
程と、その両端部近傍それぞれが異なる前記下部導体の
一部へ重畳するように前記絶縁膜上へ少なくとも一つの
コイル導体を形成するコイル導体形成工程と、前記絶縁
基板の端部近傍において前記下部導体のそれぞれに重畳
するように少なくとも二つの電極を形成する電極形成工
程とを有し、前記コイル導体形成工程は薄膜技術および
めっきを用いて前記コイル導体パターンを少なくとも10
μmの厚さに形成することを特徴とする。
は、所定サイズの絶縁基板の一方の面の端部近傍から略
中央部へ少なくとも二つの下部導体をパターン形成する
下部導体形成工程と、前記下部導体を略覆うように所定
の厚さの樹脂の絶縁膜をパターン形成する絶縁膜形成工
程と、その両端部近傍それぞれが異なる前記下部導体の
一部へ重畳するように前記絶縁膜上へ少なくとも一つの
コイル導体を形成するコイル導体形成工程と、前記絶縁
基板の端部近傍において前記下部導体のそれぞれに重畳
するように少なくとも二つの電極を形成する電極形成工
程とを有し、前記コイル導体形成工程は薄膜技術および
めっきを用いて前記コイル導体パターンを少なくとも10
μmの厚さに形成することを特徴とする。
【０００７】
【作用】以上の構成によれば、下部導体の上に樹脂の絶
縁膜を形成し、その絶縁膜の上に薄膜技術を用いてコイ
ル導体を形成するので、層間絶縁膜の絶縁信頼性を低下
させることなく、かつ、絶縁膜の厚さに制限されること
なくコイル導体は任意の厚さに形成することができる。
従って、下部導体に比べて導体長の長いコイル導体の厚
さを、例えば10μmのように充分に厚くすることができ
る。さらに、下部導体を形成した絶縁基板上に樹脂の絶
縁膜を形成するので、基板表面の凹凸や、下部導体によ
る凹凸が平坦化され、この平坦化により、その上に形成
されるコイル導体の厚さは均一になる。
縁膜を形成し、その絶縁膜の上に薄膜技術を用いてコイ
ル導体を形成するので、層間絶縁膜の絶縁信頼性を低下
させることなく、かつ、絶縁膜の厚さに制限されること
なくコイル導体は任意の厚さに形成することができる。
従って、下部導体に比べて導体長の長いコイル導体の厚
さを、例えば10μmのように充分に厚くすることができ
る。さらに、下部導体を形成した絶縁基板上に樹脂の絶
縁膜を形成するので、基板表面の凹凸や、下部導体によ
る凹凸が平坦化され、この平坦化により、その上に形成
されるコイル導体の厚さは均一になる。
【０００８】
【実施例】まず、コイル導体やクロス導体などの導体の
形成方法について、その概要を説明する。これらの導体
を基板上や絶縁膜上などに形成する場合、めっき，スパ
ッタリング，真空蒸着などによって金属膜を形成した
後、エッチングによって導体パターンを形成する薄膜形
成技術や、金属系ペーストを印刷して導体パターンを形
成した後、それを焼成する厚膜形成技術が利用できる。
形成方法について、その概要を説明する。これらの導体
を基板上や絶縁膜上などに形成する場合、めっき，スパ
ッタリング，真空蒸着などによって金属膜を形成した
後、エッチングによって導体パターンを形成する薄膜形
成技術や、金属系ペーストを印刷して導体パターンを形
成した後、それを焼成する厚膜形成技術が利用できる。
【０００９】さて、コイル導体は、所定のインダクタン
スを得るために、所定スペース内に何重にも渦を巻いた
形状になることが多く、その導体幅や導体間の間隙をで
きるだけ精密に形成できる工程を採用することが望まし
い。一方、クロス導体は、コイル導体の一端と電極とを
結ぶためのものであるから、単純な板状または若干折れ
曲がった板状になることが多く、その導体幅は所定幅以
内であれば問題ないので、製造コストをできるだけ低減
できる工程を採用することが望ましい。
スを得るために、所定スペース内に何重にも渦を巻いた
形状になることが多く、その導体幅や導体間の間隙をで
きるだけ精密に形成できる工程を採用することが望まし
い。一方、クロス導体は、コイル導体の一端と電極とを
結ぶためのものであるから、単純な板状または若干折れ
曲がった板状になることが多く、その導体幅は所定幅以
内であれば問題ないので、製造コストをできるだけ低減
できる工程を採用することが望ましい。
【００１０】本発明は、導体形成に関する上記の特性を
考慮して、コイル導体は薄膜形成技術により形成し、ク
ロス導体は厚膜形成技術により形成するものである。以
下、本発明にかかる一実施例の高周波コイルを図面を参
照して詳細に説明する。なお、本発明は、高周波コイル
に限定されず、コイルとキャパシタを組合わせたＬＣフ
ィルタや、トランスなどにも適用できる。
考慮して、コイル導体は薄膜形成技術により形成し、ク
ロス導体は厚膜形成技術により形成するものである。以
下、本発明にかかる一実施例の高周波コイルを図面を参
照して詳細に説明する。なお、本発明は、高周波コイル
に限定されず、コイルとキャパシタを組合わせたＬＣフ
ィルタや、トランスなどにも適用できる。
【００１１】図１〜図６は本発明に係る一実施例の高周
波コイルを説明するための図で、図１はその信号導体形
成状態の一例を示す図、図２はその層間絶縁膜形成状態
の一例を示す図、図３はそのコイル導体形成状態の一例
を示す図、図４はそのオーバコート形成状態の一例を示
す図、図５はその完成状態の一例を示す斜視図、図６は
図５のＡ−Ａ矢視断面図である。なお、図５は後述する
オーバコート７を除去した状態を示している。
波コイルを説明するための図で、図１はその信号導体形
成状態の一例を示す図、図２はその層間絶縁膜形成状態
の一例を示す図、図３はそのコイル導体形成状態の一例
を示す図、図４はそのオーバコート形成状態の一例を示
す図、図５はその完成状態の一例を示す斜視図、図６は
図５のＡ−Ａ矢視断面図である。なお、図５は後述する
オーバコート７を除去した状態を示している。
【００１２】なお、各状態を示す図においては、各部の
形成状態が明確になるように、各部の形成状態が容易に
認識できるように、一部模式化して表現する。すなわ
ち、これらの図においては、実際には不透明の部分で
も、下部状態を識別可能に表現する場合がある。さら
に、これらの図では、長方形の基板を用いる例を示す
が、本実施例はこれに限定されるものではなく、基板の
形状は任意である。
形成状態が明確になるように、各部の形成状態が容易に
認識できるように、一部模式化して表現する。すなわ
ち、これらの図においては、実際には不透明の部分で
も、下部状態を識別可能に表現する場合がある。さら
に、これらの図では、長方形の基板を用いる例を示す
が、本実施例はこれに限定されるものではなく、基板の
形状は任意である。
【００１３】図において、１は絶縁基板で、例えばアル
ミナやフェライトなどのセラミックス基板またはガラス
基板などである。４は信号取出導体、６は信号入力導体
で、ともに厚膜形成技術によって約5[μm]厚に形成され
たクロス導体である。３は層間絶縁膜で、信号取出導体
４と信号入力導体６を略覆う約10[μm]厚の例えばポリ
イミド膜である。
ミナやフェライトなどのセラミックス基板またはガラス
基板などである。４は信号取出導体、６は信号入力導体
で、ともに厚膜形成技術によって約5[μm]厚に形成され
たクロス導体である。３は層間絶縁膜で、信号取出導体
４と信号入力導体６を略覆う約10[μm]厚の例えばポリ
イミド膜である。
【００１４】２はコイル導体で、層間絶縁膜３の上に形
成された約10[μm]厚の例えば銅系導体であり、その端
部２ａ，２ｂは、それぞれ信号取出導体４，信号入力導
体６と電気的に接続されている。このように本実施例
は、層間絶縁膜３を挟んで、その下部導体としてクロス
導体（つまり両信号導体４,６）を、その上部導体とし
てコイル導体２を配置する構造である。なお、導体は銅
系材料に限らず、アルミ系や銀系などの材料であっても
よい。
成された約10[μm]厚の例えば銅系導体であり、その端
部２ａ，２ｂは、それぞれ信号取出導体４，信号入力導
体６と電気的に接続されている。このように本実施例
は、層間絶縁膜３を挟んで、その下部導体としてクロス
導体（つまり両信号導体４,６）を、その上部導体とし
てコイル導体２を配置する構造である。なお、導体は銅
系材料に限らず、アルミ系や銀系などの材料であっても
よい。
【００１５】また、７はオーバコートで、コイル導体２
などを保護するためのものである。この後、高周波コイ
ルは、後述するマーキング，電極めっきなどの工程を経
て、図５および図６に一例を示す完成状態になる。８は
裏電極で、詳細は後述するが、両信号導体４,６ととも
に形成される。５は電極で、両信号導体４,６とそれぞ
れ電気的に接続して、本実施例と外部とを電気的に接続
するものである。
などを保護するためのものである。この後、高周波コイ
ルは、後述するマーキング，電極めっきなどの工程を経
て、図５および図６に一例を示す完成状態になる。８は
裏電極で、詳細は後述するが、両信号導体４,６ととも
に形成される。５は電極で、両信号導体４,６とそれぞ
れ電気的に接続して、本実施例と外部とを電気的に接続
するものである。
【００１６】図７は本実施例の製造工程の一例を示す図
である。なお、以下の説明は、一つの高周波コイルを製
造する場合に限定されるものではなく、例えば、複数の
高周波コイルを同時に多数製造する場合にも適用でき、
後半工程で個々の高周波コイルに分離すればよい。ま
ず、図７に示す工程Ｐ１で、基板１を所定の大きさに形
成する基板製造工程を実行して、所定製造単位の大きさ
の例えば長方形の基板１を製作する。なお、該単位は、
任意の大きさであり、一つの高周波コイル毎に作製して
も、例えば、数十個同時に作製してもよく、それぞれの
場合に即して製作すればよい。また、以下に説明する各
工程毎の状態図は、それぞれ単独の１チップだけを示す
が、複数チップを同時に形成する場合においても略同様
である。
である。なお、以下の説明は、一つの高周波コイルを製
造する場合に限定されるものではなく、例えば、複数の
高周波コイルを同時に多数製造する場合にも適用でき、
後半工程で個々の高周波コイルに分離すればよい。ま
ず、図７に示す工程Ｐ１で、基板１を所定の大きさに形
成する基板製造工程を実行して、所定製造単位の大きさ
の例えば長方形の基板１を製作する。なお、該単位は、
任意の大きさであり、一つの高周波コイル毎に作製して
も、例えば、数十個同時に作製してもよく、それぞれの
場合に即して製作すればよい。また、以下に説明する各
工程毎の状態図は、それぞれ単独の１チップだけを示す
が、複数チップを同時に形成する場合においても略同様
である。
【００１７】続いて、工程Ｐ２で、基板１のそれぞれの
面に、図１に一例を示した信号取出導体４と信号入力導
体６、および図６に一例を示した裏電極８を印刷する。
同工程は、例えば、金や銀などを主成分とする貴金属ペ
ーストを、両信号導体４,６および裏電極８の形状にス
クリーン印刷した後、焼成して両信号導体４,６および
裏電極８を形成する。なお、焼成後の両信号導体４,６
および裏電極８の膜厚は5[μm]程度になる。
面に、図１に一例を示した信号取出導体４と信号入力導
体６、および図６に一例を示した裏電極８を印刷する。
同工程は、例えば、金や銀などを主成分とする貴金属ペ
ーストを、両信号導体４,６および裏電極８の形状にス
クリーン印刷した後、焼成して両信号導体４,６および
裏電極８を形成する。なお、焼成後の両信号導体４,６
および裏電極８の膜厚は5[μm]程度になる。
【００１８】なお、使用する厚膜ペーストは貴金属ペー
ストに限らず、以降の工程を経た後、導体および電極と
しての特性が得られるものであればよい。また、これら
の導体および電極の形成は、スクリーン印刷に限られる
ものではなく、所定の形状，膜厚を得られる方法であれ
ばよい。続いて、工程Ｐ３で図２に一例を示した層間絶
縁膜３を形成する。同工程は、例えば、スクリーン印刷
やスピンコートによって、両信号導体４,６を略覆うよ
うに、ポリイミド樹脂やポリアミド樹脂などをコートし
た後、該樹脂をキュアして厚さ約10[μm]の層間絶縁膜
３を形成するもので、層間絶縁膜３によって、基板１表
面の凹凸や両信号導体４,６による凹凸が平坦化され
る。
ストに限らず、以降の工程を経た後、導体および電極と
しての特性が得られるものであればよい。また、これら
の導体および電極の形成は、スクリーン印刷に限られる
ものではなく、所定の形状，膜厚を得られる方法であれ
ばよい。続いて、工程Ｐ３で図２に一例を示した層間絶
縁膜３を形成する。同工程は、例えば、スクリーン印刷
やスピンコートによって、両信号導体４,６を略覆うよ
うに、ポリイミド樹脂やポリアミド樹脂などをコートし
た後、該樹脂をキュアして厚さ約10[μm]の層間絶縁膜
３を形成するもので、層間絶縁膜３によって、基板１表
面の凹凸や両信号導体４,６による凹凸が平坦化され
る。
【００１９】なお、同工程では、両信号導体４,６とコ
イル導体２の端部２ａ,２ｂを、それぞれ接続するため
の窓３ａ,３ｂ、および、両信号導体４,６と電極５を、
それぞれ接続するための接続部４ａ,６ａを形成する必
要がある。窓３ａ,３ｂおよび接続部４ａ,６ａは、例え
ば、樹脂をスクリーン印刷する際に形成してもよいし、
感光性樹脂をコートして露光現像によって形成してもよ
いし、また、非感光性樹脂／レジストの順にコートし
て、該レジストを露光現像するとともに、該樹脂をウェ
ット除去して形成してもよい。
イル導体２の端部２ａ,２ｂを、それぞれ接続するため
の窓３ａ,３ｂ、および、両信号導体４,６と電極５を、
それぞれ接続するための接続部４ａ,６ａを形成する必
要がある。窓３ａ,３ｂおよび接続部４ａ,６ａは、例え
ば、樹脂をスクリーン印刷する際に形成してもよいし、
感光性樹脂をコートして露光現像によって形成してもよ
いし、また、非感光性樹脂／レジストの順にコートし
て、該レジストを露光現像するとともに、該樹脂をウェ
ット除去して形成してもよい。
【００２０】続いて、工程Ｐ４で、工程Ｐ３で形成した
層間絶縁膜３上に、図３に一例を示したコイル導体２を
形成する。同工程は、例えば、まず、スパッタリングに
よって、層間絶縁膜３の上へ例えばクロム／銅の順に合
計の厚さ約0.5[μm]の金属膜を形成した後、該金属膜上
にレジストマスクパターンを形成して、該金属膜の不要
部分をエッチング除去することによって所定のコイルパ
ターンを形成し、次に、該コイルパターンを電極にして
銅などを電気めっきすることによって、厚さ約10[μm]
のコイル導体２を形成する。
層間絶縁膜３上に、図３に一例を示したコイル導体２を
形成する。同工程は、例えば、まず、スパッタリングに
よって、層間絶縁膜３の上へ例えばクロム／銅の順に合
計の厚さ約0.5[μm]の金属膜を形成した後、該金属膜上
にレジストマスクパターンを形成して、該金属膜の不要
部分をエッチング除去することによって所定のコイルパ
ターンを形成し、次に、該コイルパターンを電極にして
銅などを電気めっきすることによって、厚さ約10[μm]
のコイル導体２を形成する。
【００２１】続いて、工程Ｐ５で、例えばスクリーン印
刷によって、コイル導体２を略覆うように図４に一例を
示したオーバコート７を形成する。続いて、工程Ｐ６
で、例えばオーバコート７上に捺印するなどによって、
定格インダクタンス値や製品番号などをマーキングす
る。続いて、工程Ｐ７で、図５および図６に一例を示し
た電極５を形成する。なお、電極５は、チップ抵抗器の
電極形成方法と略同一であり、周知の方法なので詳細説
明は省略するが、例えば、基板１の端面の電極部位，信
号導体の接続部４ａ,６ａおよび裏電極８に、ニッケル
などで下地めっきを施した後、基板１の端面の電極部
位，信号導体の接続部４ａ,６ａおよび裏電極８に、は
んだめっき処理を施すことによって形成する。
刷によって、コイル導体２を略覆うように図４に一例を
示したオーバコート７を形成する。続いて、工程Ｐ６
で、例えばオーバコート７上に捺印するなどによって、
定格インダクタンス値や製品番号などをマーキングす
る。続いて、工程Ｐ７で、図５および図６に一例を示し
た電極５を形成する。なお、電極５は、チップ抵抗器の
電極形成方法と略同一であり、周知の方法なので詳細説
明は省略するが、例えば、基板１の端面の電極部位，信
号導体の接続部４ａ,６ａおよび裏電極８に、ニッケル
などで下地めっきを施した後、基板１の端面の電極部
位，信号導体の接続部４ａ,６ａおよび裏電極８に、は
んだめっき処理を施すことによって形成する。
【００２２】そして最後に、工程Ｐ８で検査を実施し
て、高周波コイルが完成する。また、工程Ｐ６の終了後
に、必要に応じて基板１をダイシングし、工程Ｐ６〜Ｐ
８それぞれの終了後に、必要に応じて所定の形状になる
ように基板１をブレークして、最終的に高周波コイルを
個々のチップに分離整形する。例えば、ここで、同時に
複数の高周波コイルを一括製作した場合は個々のチップ
に分離整形し、また、一つのチップ毎に製作した場合は
周辺部の整形などを行う。
て、高周波コイルが完成する。また、工程Ｐ６の終了後
に、必要に応じて基板１をダイシングし、工程Ｐ６〜Ｐ
８それぞれの終了後に、必要に応じて所定の形状になる
ように基板１をブレークして、最終的に高周波コイルを
個々のチップに分離整形する。例えば、ここで、同時に
複数の高周波コイルを一括製作した場合は個々のチップ
に分離整形し、また、一つのチップ毎に製作した場合は
周辺部の整形などを行う。
【００２３】上述の構造を有する本実施例の高周波コイ
ルは、層間絶縁膜３の上にコイル導体２を形成するの
で、従来のように、層間絶縁膜３の厚さにコイル導体２
が制約を受けることがなく、任意の厚さのコイル導体２
を形成できる。従って、本実施例においては、直流抵抗
（以下「DCR」という）が充分に小さいコイル導体２を
形成でき、Ｑを向上させることができる。
ルは、層間絶縁膜３の上にコイル導体２を形成するの
で、従来のように、層間絶縁膜３の厚さにコイル導体２
が制約を受けることがなく、任意の厚さのコイル導体２
を形成できる。従って、本実施例においては、直流抵抗
（以下「DCR」という）が充分に小さいコイル導体２を
形成でき、Ｑを向上させることができる。
【００２４】表１は、図８に示した構造の従来の高周波
コイルと、本実施例の高周波コイルの性能を比較した結
果を示すものである。なお、両コイルのコイルパターン
は同一であり、表１が示すように、従来の高周波コイル
に比べて、本実施例の高周波コイルのＱが大幅に向上し
ていることがわかる。
コイルと、本実施例の高周波コイルの性能を比較した結
果を示すものである。なお、両コイルのコイルパターン
は同一であり、表１が示すように、従来の高周波コイル
に比べて、本実施例の高周波コイルのＱが大幅に向上し
ていることがわかる。
【００２５】
【表１】 *1: 測定周波数500[MHz] また、その理由は前述したが、厚膜形成技術によって両
信号導体４,６を形成することにより、同導体を薄膜形
成技術によって形成する場合に比べて、次のような利点
を得ることができ、製造コストおよび基板コストを低減
できる。
信号導体４,６を形成することにより、同導体を薄膜形
成技術によって形成する場合に比べて、次のような利点
を得ることができ、製造コストおよび基板コストを低減
できる。
【００２６】(1) 導体形成に関して薄膜プロセスが一回
で済み工程が簡略化できる (2) 厚いクロス導体の形成が薄膜プロセスに比べて容易 (3) クロス導体を薄膜プロセスで形成する場合よりも基
板の平滑度を落せる なお、上述の説明においては、スパッタリングによって
金属膜を形成する例を示したが、本実施例はこれに限定
されるものではなく、例えば、蒸着やイオンプレーティ
ングなどによって形成してもよい。
で済み工程が簡略化できる (2) 厚いクロス導体の形成が薄膜プロセスに比べて容易 (3) クロス導体を薄膜プロセスで形成する場合よりも基
板の平滑度を落せる なお、上述の説明においては、スパッタリングによって
金属膜を形成する例を示したが、本実施例はこれに限定
されるものではなく、例えば、蒸着やイオンプレーティ
ングなどによって形成してもよい。
【００２７】また、上述の説明において、コイルパター
ンをエッチングによって形成する例を示したが、本実施
例はこれに限定されるものではなく、例えば、メタルマ
スクを用いて形成してもよい。また、上述の説明および
図において、角形スパイラル状のコイルパターンを示し
たが、本実施例はこれに限定されるものではなく、例え
ば、円形スパイラル状やミアンダ状のコイルパターンに
してもよい。
ンをエッチングによって形成する例を示したが、本実施
例はこれに限定されるものではなく、例えば、メタルマ
スクを用いて形成してもよい。また、上述の説明および
図において、角形スパイラル状のコイルパターンを示し
たが、本実施例はこれに限定されるものではなく、例え
ば、円形スパイラル状やミアンダ状のコイルパターンに
してもよい。
【００２８】以上説明したように、本実施例によれば、
層間絶縁膜上にコイル導体を形成するので、従来のよう
に、層間絶縁膜厚にコイル導体が制約を受けることがな
く、任意の厚さのコイル導体を形成できる。従って、本
実施例においては、DCRが充分に小さいコイル導体を形
成でき、Ｑを向上した高周波コイルを低コストで提供で
きる。
層間絶縁膜上にコイル導体を形成するので、従来のよう
に、層間絶縁膜厚にコイル導体が制約を受けることがな
く、任意の厚さのコイル導体を形成できる。従って、本
実施例においては、DCRが充分に小さいコイル導体を形
成でき、Ｑを向上した高周波コイルを低コストで提供で
きる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
下部導体の上に樹脂の絶縁膜を形成し、その絶縁膜の上
に薄膜技術を用いてコイル導体を形成するので、層間絶
縁膜の絶縁信頼性を低下させることなく、かつ、絶縁膜
の厚さに制限されることなくコイル導体は任意の厚さに
形成することができる。従って、下部導体に比べて導体
長の長いコイル導体を、例えば10μmのように充分に厚
くすることができ、直流抵抗の小さいコイルを形成して
Qを向上した高周波コイルおよびその製造方法を提供す
ることができまる。さらに、下部導体を形成した絶縁基
板上に樹脂の絶縁膜を形成するので、基板表面の凹凸
や、下部導体による凹凸が平坦化され、この平坦化によ
り、その上に形成されるコイル導体の厚さを均一化する
ことができ、コイル導体の直流抵抗を効果的に低減する
ことができる。
下部導体の上に樹脂の絶縁膜を形成し、その絶縁膜の上
に薄膜技術を用いてコイル導体を形成するので、層間絶
縁膜の絶縁信頼性を低下させることなく、かつ、絶縁膜
の厚さに制限されることなくコイル導体は任意の厚さに
形成することができる。従って、下部導体に比べて導体
長の長いコイル導体を、例えば10μmのように充分に厚
くすることができ、直流抵抗の小さいコイルを形成して
Qを向上した高周波コイルおよびその製造方法を提供す
ることができまる。さらに、下部導体を形成した絶縁基
板上に樹脂の絶縁膜を形成するので、基板表面の凹凸
や、下部導体による凹凸が平坦化され、この平坦化によ
り、その上に形成されるコイル導体の厚さを均一化する
ことができ、コイル導体の直流抵抗を効果的に低減する
ことができる。
【図１】本発明にかかる一実施例の高周波コイルの信号
導体形成状態の一例を示す図である。
導体形成状態の一例を示す図である。
【図２】本実施例の層間絶縁膜形成状態の一例を示す図
である。
である。
【図３】本実施例のコイル導体形成状態の一例を示す図
である。
である。
【図４】本実施例のオーバコート形成状態の一例を示す
図である。
図である。
【図５】本実施例の完成状態の一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】図５のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図７】本実施例の製造工程の一例を示す図である。
【図８】従来の絶縁基板上に形成された高周波コイルの
構造を示す図である。
構造を示す図である。
１ 絶縁基板 ２ コイル導体 ３ 層間絶縁膜 ４ 信号取出導体 ５ 電極 ６ 信号入力導体 ７ オーバコート ８ 裏電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 工藤 俊彦 長野県伊那市大字伊那3672番地 コーア 株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−223307（ＪＰ，Ａ) 実開 昭53−115350（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭60−9211（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭48−6749（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (5)
- 【請求項１】 所定サイズの絶縁基板に形成した高周波
コイルであって、 前記絶縁基板の一方の面の端部近傍から略中央部へ形成
した少なくとも二つの下部導体と、 前記下部導体を略覆うように形成した樹脂の絶縁膜と、 その端部近傍それぞれが異なる前記下部導体の一部へ重
畳するように前記絶縁膜上へ形成した少なくとも一つの
コイル導体と、 前記絶縁基板の端部近傍において前記下部導体のそれぞ
れに重畳するように形成した少なくとも二つの電極とを
有し、 前記コイル導体は薄膜技術およびめっきを用いて少なく
とも10μmの厚さに形成することを特徴とする高周波コ
イル。 - 【請求項２】 前記絶縁膜はポリイミド樹脂およびポリ
アミド樹脂の何れかで形成することを特徴とする請求項
1に記載された高周波コイル。 - 【請求項３】 所定サイズの絶縁基板の一方の面の端部
近傍から略中央部へ少なくとも二つの下部導体をパター
ン形成する下部導体形成工程と、 前記下部導体を略覆うように所定の厚さの樹脂の絶縁膜
をパターン形成する絶縁膜形成工程と、 その両端部近傍それぞれが異なる前記下部導体の一部へ
重畳するように前記絶縁膜上へ少なくとも一つのコイル
導体を形成するコイル導体形成工程と、 前記絶縁基板の端部近傍において前記下部導体のそれぞ
れに重畳するように少なくとも二つの電極を形成する電
極形成工程とを有し、 前記コイル導体形成工程は薄膜技術およびめっきを用い
て前記コイル導体パターンを少なくとも10μmの厚さに
形成することを特徴とする高周波コイルの製造方法。 - 【請求項４】 前記絶縁膜形成工程はポリイミド樹脂お
よびポリアミド樹脂の何れかにより前記絶縁膜を形成す
ることを特徴とする請求項3に記載された高周波コイル
の製造方法。 - 【請求項５】 前記コイル導体形成工程は、薄膜技術に
より形成した導体パターンにめっきを施すことにより前
記コイル導体を形成することを特徴とする請求項3また
は請求項4に記載された高周波コイルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5190366A JP2714343B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 高周波コイルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5190366A JP2714343B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 高周波コイルおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745434A JPH0745434A (ja) | 1995-02-14 |
| JP2714343B2 true JP2714343B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=16256989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5190366A Expired - Fee Related JP2714343B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 高周波コイルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2714343B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7212095B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-05-01 | Tdk Corporation | Inductive element and manufacturing method of the same |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08330169A (ja) * | 1995-06-05 | 1996-12-13 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型コイルおよびその製造方法 |
| JP2001155938A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-06-08 | Fdk Corp | 積層インダクタおよびその製造方法 |
| JP2009212255A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Tdk Corp | コイル部品及びその製造方法 |
| JP5084801B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2012-11-28 | 株式会社村田製作所 | インダクタおよびｄｃ−ｄｃコンバータ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53115350U (ja) * | 1977-02-22 | 1978-09-13 | ||
| JP2933096B2 (ja) * | 1990-12-25 | 1999-08-09 | 株式会社村田製作所 | シールド付チップ型コイル |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP5190366A patent/JP2714343B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7212095B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-05-01 | Tdk Corporation | Inductive element and manufacturing method of the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0745434A (ja) | 1995-02-14 |
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