JP2933096B2 - シールド付チップ型コイル - Google Patents
シールド付チップ型コイルInfo
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- JP2933096B2 JP2933096B2 JP2405767A JP40576790A JP2933096B2 JP 2933096 B2 JP2933096 B2 JP 2933096B2 JP 2405767 A JP2405767 A JP 2405767A JP 40576790 A JP40576790 A JP 40576790A JP 2933096 B2 JP2933096 B2 JP 2933096B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- insulating film
- film
- magnetic
- conductor
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Regulation Of General Use Transformers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はシールド付チップ型コ
イルに関し、特にたとえば高周波のマイクロ波回路等に
採用される平面型のシールド付チップ型コイルに関す
る。
イルに関し、特にたとえば高周波のマイクロ波回路等に
採用される平面型のシールド付チップ型コイルに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来技術としては、本件出願人
がたとえば特開平２−５４９０３号等において提案し
た、チップ型コイルがある。このチップ型コイルは、基
板の表面に１対の端子電極を形成するとともに、端子電
極にその両端が接続される帯状のコイル導体を形成し、
端子電極およびコイル導体の表面を覆うようにポリイミ
ドあるいはポリアミドからなる絶縁膜を形成するととも
に、絶縁膜のうち少なくとも端子電極部分をエッチング
法により除去して端子電極を露出させたものである。
がたとえば特開平２−５４９０３号等において提案し
た、チップ型コイルがある。このチップ型コイルは、基
板の表面に１対の端子電極を形成するとともに、端子電
極にその両端が接続される帯状のコイル導体を形成し、
端子電極およびコイル導体の表面を覆うようにポリイミ
ドあるいはポリアミドからなる絶縁膜を形成するととも
に、絶縁膜のうち少なくとも端子電極部分をエッチング
法により除去して端子電極を露出させたものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このチップ型コイルで
は、外部からの影響を受け易く、また外部に磁束が漏れ
てしまうという問題点があった。 それゆえに、この発
明の主たる目的は、シールド効果が大きい、シールド付
チップ型コイルを提供することである。
は、外部からの影響を受け易く、また外部に磁束が漏れ
てしまうという問題点があった。 それゆえに、この発
明の主たる目的は、シールド効果が大きい、シールド付
チップ型コイルを提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板、フォ
トリソグラフィによって基板上に形成される第１の磁性
体膜、フォトリソグラフィによって第１の磁性膜の上に
その表面を被覆するように形成されるポリイミド樹脂ま
たはポリアミド樹脂からなる第１の絶縁膜、フォトリソ
グラフィによって第１の絶縁膜の上に形成されるスパイ
ラル状の薄膜コイル導体、およびフォトリソグラフィに
よってコイル導体の上に形成されるかつポリイミド樹脂
またはポリアミド樹脂からなる第２の絶縁膜を備え、コ
イル導体はコイル外側部で規定される領域内に形成さ
れ、かつコイル中央部を有し、第２の絶縁膜のコイル外
側部およびコイル中央部は第１の磁性体膜が露出するよ
うに除去されていて、さらにフォトリソグラフィによっ
てコイル中央部およびコイル外側部とともに第２の絶縁
膜の上に形成される第２の磁性体膜を備える、シールド
付チップ型コイルである。
トリソグラフィによって基板上に形成される第１の磁性
体膜、フォトリソグラフィによって第１の磁性膜の上に
その表面を被覆するように形成されるポリイミド樹脂ま
たはポリアミド樹脂からなる第１の絶縁膜、フォトリソ
グラフィによって第１の絶縁膜の上に形成されるスパイ
ラル状の薄膜コイル導体、およびフォトリソグラフィに
よってコイル導体の上に形成されるかつポリイミド樹脂
またはポリアミド樹脂からなる第２の絶縁膜を備え、コ
イル導体はコイル外側部で規定される領域内に形成さ
れ、かつコイル中央部を有し、第２の絶縁膜のコイル外
側部およびコイル中央部は第１の磁性体膜が露出するよ
うに除去されていて、さらにフォトリソグラフィによっ
てコイル中央部およびコイル外側部とともに第２の絶縁
膜の上に形成される第２の磁性体膜を備える、シールド
付チップ型コイルである。
【０００５】
【作用】コイル導体の下方には第１の磁性体膜が、コイ
ル中央部，コイル外側部およびコイル導体の上方には第
２の磁性体膜がそれぞれ形成される。したがって、コイ
ル導体は第１および第２の磁性体膜によって挟まれると
ともに、第１および第２の磁性体膜によって閉磁路を形
成する。
ル中央部，コイル外側部およびコイル導体の上方には第
２の磁性体膜がそれぞれ形成される。したがって、コイ
ル導体は第１および第２の磁性体膜によって挟まれると
ともに、第１および第２の磁性体膜によって閉磁路を形
成する。
【０００６】また、コイル導体の上面および下面は、ポ
リイミド樹脂（またはポリアミド樹脂）によって被覆さ
れる。すなわち、第１の磁性体膜とコイル導体との間に
ポリイミド樹脂またはポリアミド樹脂の絶縁膜を介挿す
るようにしているので、比較的表面が粗い基板または第
１の磁性体膜によってコイル導体の抵抗成分が増大して
Ｑが劣化する、ということがない。さらに、絶縁膜とし
て、加工性に優れ、しかも誘電率の低いポリイミド樹脂
またはポリアミド樹脂を用いたので、小型でありインダ
クタンスばらつきの小さいコイルが実現できる。
リイミド樹脂（またはポリアミド樹脂）によって被覆さ
れる。すなわち、第１の磁性体膜とコイル導体との間に
ポリイミド樹脂またはポリアミド樹脂の絶縁膜を介挿す
るようにしているので、比較的表面が粗い基板または第
１の磁性体膜によってコイル導体の抵抗成分が増大して
Ｑが劣化する、ということがない。さらに、絶縁膜とし
て、加工性に優れ、しかも誘電率の低いポリイミド樹脂
またはポリアミド樹脂を用いたので、小型でありインダ
クタンスばらつきの小さいコイルが実現できる。
【０００７】
【発明の効果】この発明によれば、コイル導体は第１お
よび第２の磁性体膜によって略完全に囲繞されるため、
高いシールド効果が得られ、したがって外部からのまた
は外部への影響が軽減される。第１および第２の磁性体
膜による閉磁路によってインダクタンスを増大させるこ
とができ、したがって、薄型化、小型化が可能である。
また、ポリイミド樹脂またはポリアミド樹脂の上にコイ
ル導体を形成しているので、インダクタンスの安定した
コイルが得られる。
よび第２の磁性体膜によって略完全に囲繞されるため、
高いシールド効果が得られ、したがって外部からのまた
は外部への影響が軽減される。第１および第２の磁性体
膜による閉磁路によってインダクタンスを増大させるこ
とができ、したがって、薄型化、小型化が可能である。
また、ポリイミド樹脂またはポリアミド樹脂の上にコイ
ル導体を形成しているので、インダクタンスの安定した
コイルが得られる。
【０００８】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【０００９】
【実施例】図１〜図５を参照して、この実施例のシール
ド付チップ型コイル４０はたとえばアルミナ，ガラスま
たは樹脂などの絶縁体からなる基板１２を含む。基板１
２の上面前面には、磁性体膜４６が形成され、さらに磁
性体膜４６を覆うように、絶縁膜４８が形成される。
ド付チップ型コイル４０はたとえばアルミナ，ガラスま
たは樹脂などの絶縁体からなる基板１２を含む。基板１
２の上面前面には、磁性体膜４６が形成され、さらに磁
性体膜４６を覆うように、絶縁膜４８が形成される。
【００１０】そして、図３からよくわかるように、絶縁
膜４８の上面両端部には、端子電極５４ａおよび５４ｂ
が形成され、絶縁膜４８の上面略中央部にはスパイラル
状のコイル導体４４が形成される。コイル導体４４はた
とえば幅略４０μｍ，厚さ５μｍに形成される。コイル
導体４４の外端４４ａは、端子電極５４ａに接続され
る。
膜４８の上面両端部には、端子電極５４ａおよび５４ｂ
が形成され、絶縁膜４８の上面略中央部にはスパイラル
状のコイル導体４４が形成される。コイル導体４４はた
とえば幅略４０μｍ，厚さ５μｍに形成される。コイル
導体４４の外端４４ａは、端子電極５４ａに接続され
る。
【００１１】そして、絶縁膜４８の上面には、コイル導
体４４を覆うように、ポリイミドあるいはポリアミドな
どの樹脂からなる絶縁膜５６がコーティングされる。な
お、コイル導体４４の内端４４ｂ部分には、スルーホー
ル５８（図４）が形成される。また、絶縁膜５６の上面
には、スルーホール５８を通してコイル導体４４の内端
４４ｂと端子電極５４ｂとを接続するリード導体６０が
形成される。さらに、絶縁膜５６の上面には、ポリイミ
ドやポリアミドなどの樹脂からなる絶縁膜６２がコーテ
ィングされる。そして、絶縁膜６２上から、コイル中央
部５０およびコイル外側部５２に、磁性体膜４２が形成
される。この磁性体膜４４を覆うように絶縁膜６４が形
成される。
体４４を覆うように、ポリイミドあるいはポリアミドな
どの樹脂からなる絶縁膜５６がコーティングされる。な
お、コイル導体４４の内端４４ｂ部分には、スルーホー
ル５８（図４）が形成される。また、絶縁膜５６の上面
には、スルーホール５８を通してコイル導体４４の内端
４４ｂと端子電極５４ｂとを接続するリード導体６０が
形成される。さらに、絶縁膜５６の上面には、ポリイミ
ドやポリアミドなどの樹脂からなる絶縁膜６２がコーテ
ィングされる。そして、絶縁膜６２上から、コイル中央
部５０およびコイル外側部５２に、磁性体膜４２が形成
される。この磁性体膜４４を覆うように絶縁膜６４が形
成される。
【００１２】このようなシールド付チップ型コイル４０
は、図２〜図５に示す工程順次に製造される。ます、図
２に示すように、基板１２を準備し、基板１２の両面に
鏡面研磨を施した後、洗浄する。次いで、基板１２の上
面前面には、磁性体膜４６が形成される。すなわち、基
板１２の上面全面には、蒸着，スパッタリングあるいは
イオンプレーティング法等の薄膜形成技術によりフェラ
イトなどからなる磁性体膜４６が形成される。その後、
磁性体膜４６の上面全面には、磁性体膜４６を覆うよう
に、ポリイミドやポリアミドからなる絶縁膜４８が形成
される。絶縁膜４８を形成するには、まず、磁性体膜４
６の上面全面に絶縁膜を形成し、その後、図３にも示す
コイル導体４４の中央部５０およびコイル導体４４の外
側部５２の部分の絶縁膜をフォトエッチングにより除去
し、図２に示すような絶縁膜４８が形成される。
は、図２〜図５に示す工程順次に製造される。ます、図
２に示すように、基板１２を準備し、基板１２の両面に
鏡面研磨を施した後、洗浄する。次いで、基板１２の上
面前面には、磁性体膜４６が形成される。すなわち、基
板１２の上面全面には、蒸着，スパッタリングあるいは
イオンプレーティング法等の薄膜形成技術によりフェラ
イトなどからなる磁性体膜４６が形成される。その後、
磁性体膜４６の上面全面には、磁性体膜４６を覆うよう
に、ポリイミドやポリアミドからなる絶縁膜４８が形成
される。絶縁膜４８を形成するには、まず、磁性体膜４
６の上面全面に絶縁膜を形成し、その後、図３にも示す
コイル導体４４の中央部５０およびコイル導体４４の外
側部５２の部分の絶縁膜をフォトエッチングにより除去
し、図２に示すような絶縁膜４８が形成される。
【００１３】さらに、図３に示すように、絶縁膜４８の
上面には、フォトリソグラフィ技術により、コイル導体
４４および端子電極５４ａおよび５４ｂが形成される。
すなわち、絶縁膜４８の上面全面には、蒸着，スパッタ
リングあるいはイオンプレーティング法等の薄膜形成技
術によりＡｇなどからなる導体膜（図示せず）が形成さ
れる。そして、導体膜の上面にはフォトレジスト膜（図
示せず）がコーティングされる。フォトレジスト膜は、
コイル導体４４および端子電極５４ａおよび５４ｂの所
望の形状にあわせて予め形成されたマスクを通して露光
し、現像してフォトレジスト膜の不要部分を除去する。
ただし、ネガ型フォトレジストの場合には、除去したい
部分を露光する。そして、エッチングによってフォトレ
ジスト膜の形成されていない部分の導体膜が除去され、
図９にも示すように、絶縁膜４８の上面両端部に端子電
極５４ａおよび５４ｂが、そして絶縁膜４８の上面略中
央部にコイル導体４４がそれぞれ形成され、コイル導体
４４の外端４４ａは端子電極５４ａに接続される。その
後、フォトレジスト膜をたとえばシンナーなどによって
除去する。
上面には、フォトリソグラフィ技術により、コイル導体
４４および端子電極５４ａおよび５４ｂが形成される。
すなわち、絶縁膜４８の上面全面には、蒸着，スパッタ
リングあるいはイオンプレーティング法等の薄膜形成技
術によりＡｇなどからなる導体膜（図示せず）が形成さ
れる。そして、導体膜の上面にはフォトレジスト膜（図
示せず）がコーティングされる。フォトレジスト膜は、
コイル導体４４および端子電極５４ａおよび５４ｂの所
望の形状にあわせて予め形成されたマスクを通して露光
し、現像してフォトレジスト膜の不要部分を除去する。
ただし、ネガ型フォトレジストの場合には、除去したい
部分を露光する。そして、エッチングによってフォトレ
ジスト膜の形成されていない部分の導体膜が除去され、
図９にも示すように、絶縁膜４８の上面両端部に端子電
極５４ａおよび５４ｂが、そして絶縁膜４８の上面略中
央部にコイル導体４４がそれぞれ形成され、コイル導体
４４の外端４４ａは端子電極５４ａに接続される。その
後、フォトレジスト膜をたとえばシンナーなどによって
除去する。
【００１４】さらに、図４に示すように、絶縁膜４８の
上面には、コイル導体４４を覆うように、同様のフォト
リソグラフィ技術により、絶縁膜５６が形成される。す
なわち、絶縁膜４８の上面全面には、コイル導体４４お
よび端子電極５４ａ，５４ｂを覆うように、たとえばポ
リイミドやポリアミドなどからなる絶縁膜がコーティン
グされ、乾燥される。そして、絶縁膜の端子電極５４
ａ，５４ｂ部分およびコイル導体４４の内端４４ｂ以外
の部分を露光する。次に、これを現像すると、露光させ
た部分だけが残る。すなわち、図４に示すように、端子
電極５４ａ，５４ｂ部分が露出するとともに、スルーホ
ール５８が形成され、コイル導体４４の内端４４ｂ部分
が露出し、さらに、コイル中央部５０およびコイル外側
部５２も露出するように、絶縁膜５６が形成される。次
に、これを窒素ガス雰囲気中において、約４００℃に加
熱して、絶縁層５６を硬化させる。なお、後述の絶縁膜
６２および６４にも、同様の方法が適用され得る。
上面には、コイル導体４４を覆うように、同様のフォト
リソグラフィ技術により、絶縁膜５６が形成される。す
なわち、絶縁膜４８の上面全面には、コイル導体４４お
よび端子電極５４ａ，５４ｂを覆うように、たとえばポ
リイミドやポリアミドなどからなる絶縁膜がコーティン
グされ、乾燥される。そして、絶縁膜の端子電極５４
ａ，５４ｂ部分およびコイル導体４４の内端４４ｂ以外
の部分を露光する。次に、これを現像すると、露光させ
た部分だけが残る。すなわち、図４に示すように、端子
電極５４ａ，５４ｂ部分が露出するとともに、スルーホ
ール５８が形成され、コイル導体４４の内端４４ｂ部分
が露出し、さらに、コイル中央部５０およびコイル外側
部５２も露出するように、絶縁膜５６が形成される。次
に、これを窒素ガス雰囲気中において、約４００℃に加
熱して、絶縁層５６を硬化させる。なお、後述の絶縁膜
６２および６４にも、同様の方法が適用され得る。
【００１５】その後、図５に示すように、絶縁膜５６の
上面には、フォトリソグラフィ技術によってリード導体
６０が形成される。すなわち、絶縁膜５６の上面に、ス
パッタリングにより導体層を形成した後、上述のコイル
導体４４および端子電極５４ａ，５４ｂを形成したのと
同様の方法で、リード導体６０が形成される。リード導
体６０の一方端はスルーホール５８を介してコイル導体
４４の内端４４ｂに接続され、リード導体６０の他方端
は端子電極５４ｂに接続されるので、コイル導体４４と
端子電極５４ｂとはリード導体６０によって電気的に接
続される。そして、絶縁膜５６の上面全面には、たとえ
ばポリイミドやポリアミドなどからなる絶縁膜６２がコ
ーティングされ、絶縁膜５６上のリード導体６０も絶縁
膜６２に覆われる。絶縁膜６２を形成するには、まず、
絶縁膜５６上に全面に絶縁膜を形成し、コイル中央部５
０を除いたコイル外側部５２の内側、ならびに端子５４
ａおよび５４ｂ部分の絶縁膜は、フォトエッチングによ
り除去される。このようにして、絶縁膜６２が形成され
る。
上面には、フォトリソグラフィ技術によってリード導体
６０が形成される。すなわち、絶縁膜５６の上面に、ス
パッタリングにより導体層を形成した後、上述のコイル
導体４４および端子電極５４ａ，５４ｂを形成したのと
同様の方法で、リード導体６０が形成される。リード導
体６０の一方端はスルーホール５８を介してコイル導体
４４の内端４４ｂに接続され、リード導体６０の他方端
は端子電極５４ｂに接続されるので、コイル導体４４と
端子電極５４ｂとはリード導体６０によって電気的に接
続される。そして、絶縁膜５６の上面全面には、たとえ
ばポリイミドやポリアミドなどからなる絶縁膜６２がコ
ーティングされ、絶縁膜５６上のリード導体６０も絶縁
膜６２に覆われる。絶縁膜６２を形成するには、まず、
絶縁膜５６上に全面に絶縁膜を形成し、コイル中央部５
０を除いたコイル外側部５２の内側、ならびに端子５４
ａおよび５４ｂ部分の絶縁膜は、フォトエッチングによ
り除去される。このようにして、絶縁膜６２が形成され
る。
【００１６】そして、図１に示すように、コイル導体４
４の上方だけでなく、コイル中央部５０およびコイル外
側部５２にも磁性体膜４２が形成される。磁性体膜４２
は、フォトリソグラフィ技術により形成される。最後
に、絶縁膜６２の上面には、磁性体膜４２を覆うよう
に、絶縁膜６４が形成され、シールド付チップ型コイル
４０が完成される。
４の上方だけでなく、コイル中央部５０およびコイル外
側部５２にも磁性体膜４２が形成される。磁性体膜４２
は、フォトリソグラフィ技術により形成される。最後
に、絶縁膜６２の上面には、磁性体膜４２を覆うよう
に、絶縁膜６４が形成され、シールド付チップ型コイル
４０が完成される。
【００１７】このようにして形成されたシールド付チッ
プ型コイル４０においては、コイル導体４４の下方に磁
性体膜４６が、コイル導体４４の上方および側方に磁性
体膜４２がそれぞれ形成されるので、コイル導体４４は
磁性体膜４６と４２とによって挟まれた形となり、しか
も、磁性体膜４６および４２によって閉磁路６６（図
１）が形成されるので、高いシールド効果が得られ、外
部からの影響を受けずまたは外部へ影響を及ぼさない信
頼性の高いシールド付チップ型コイル４０を得ることが
できる。
プ型コイル４０においては、コイル導体４４の下方に磁
性体膜４６が、コイル導体４４の上方および側方に磁性
体膜４２がそれぞれ形成されるので、コイル導体４４は
磁性体膜４６と４２とによって挟まれた形となり、しか
も、磁性体膜４６および４２によって閉磁路６６（図
１）が形成されるので、高いシールド効果が得られ、外
部からの影響を受けずまたは外部へ影響を及ぼさない信
頼性の高いシールド付チップ型コイル４０を得ることが
できる。
【００１８】また、この閉磁路によって、同一サイズの
コイルでのインダクタンスを大きくできる。したがっ
で、シールド付チップ型コイル４０自体を薄型にできか
つ小型化をも図れる。なお、リード導体６０は、塗布に
より形成してもよい。また、絶縁膜にポリイミドを用い
ても、ポリイミドが非感光性の場合には、ポジ系フォト
レジストを塗布した後、絶縁膜の残さない部分を露光し
て現像すればよい。
コイルでのインダクタンスを大きくできる。したがっ
で、シールド付チップ型コイル４０自体を薄型にできか
つ小型化をも図れる。なお、リード導体６０は、塗布に
より形成してもよい。また、絶縁膜にポリイミドを用い
ても、ポリイミドが非感光性の場合には、ポジ系フォト
レジストを塗布した後、絶縁膜の残さない部分を露光し
て現像すればよい。
【図１】この発明の一実施例を示す端面図である。
【図２】基板に磁性体膜および絶縁膜を形成した状態を
示す端面図である。
示す端面図である。
【図３】コイル導体および端子電極を形成した状態を示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】絶縁膜を形成した状態を示す端面図である。
【図５】リード導体および絶縁膜を形成した状態を示す
端面図である。
端面図である。
【符号の説明】４ ０ …シールド付チップ型コイル １２ …基板４２，４６ …磁性体膜４８，５６，６２，６４ …絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堂垣内 一雄 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 平２−262308（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−283004（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−123706（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−50410（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−175108（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−126610（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板、フォトリソグラフィによって 前記基板上に形成される第
１の磁性体膜、フォトリソグラフィによって 前記第１の磁性膜の上にそ
の表面を被覆するように形成されるポリイミド樹脂また
はポリアミド樹脂からなる第１の絶縁膜、フォトリソグラフィによって 前記第１の絶縁膜の上に形
成されるスパイラル状の薄膜コイル導体、および フォト
リソグラフィによって前記コイル導体の上に形成される
かつポリイミド樹脂またはポリアミド樹脂からなる第２
の絶縁膜を備え、前記コイル導体はコイル外側部で規定される領域内に形
成され、かつコイル中央部を有し、第２の絶縁膜の前記
コイル外側部および前記コイル中央部は前記第１の磁性
体膜が露出するように除去されていて、さらに フォトリ
ソグラフィによって前記コイル中央部および前記コイル
外側部とともに 前記第２の絶縁膜の上に形成される第２
の磁性体膜を備える、シールド付チップ型コイル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2405767A JP2933096B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | シールド付チップ型コイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2405767A JP2933096B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | シールド付チップ型コイル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04223307A JPH04223307A (ja) | 1992-08-13 |
| JP2933096B2 true JP2933096B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=18515375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2405767A Expired - Lifetime JP2933096B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | シールド付チップ型コイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2933096B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2714343B2 (ja) * | 1993-07-30 | 1998-02-16 | コーア株式会社 | 高周波コイルおよびその製造方法 |
| JPH0757936A (ja) * | 1993-08-12 | 1995-03-03 | Koa Corp | 高周波コイルおよびその製造方法 |
| JP2003059719A (ja) * | 2001-08-16 | 2003-02-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | コイル回路付き金属ベース回路基板 |
| JP2007129061A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Taiyo Yuden Co Ltd | 高周波電子部品 |
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-
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